JP4101570B2 - Deposition equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置、特に、レーザ光を用いて基板の加熱を行う成膜装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の成膜装置のひとつとして、イオンプレーティング装置がある。図4は、従来のイオンプレーティング装置の構成を示す模式図である。図4に示すように、イオンプレーティング装置では、真空チャンバ1内に基板ホルダ2が配置されるとともに、薄膜形成材料を充填した蒸発源7が基板ホルダ2と対向するように配置される。そして、この基板ホルダ2に、光学用ガラス基板等の成膜対象たる基板3が取り付けられる。
【0003】
基板ホルダ2の上方には、上部ヒータパネル5が配置され、上部ヒータパネル5の表面には、複数のチューブ状のシースヒータ10が所定間隔で配置される。また、基板ホルダ2の下方には、略すり鉢状で底面に開口部を有する下部ヒータパネル6が、その大径側を基板ホルダ2側に向けた状態で配置されている。下部ヒータパネル6の内側表面には、複数のチューブ状のシースヒータ10が所定間隔で配置される。
【0004】
上部ヒータパネル5および下部ヒータパネル6は、高い熱伝導率を有する銅等の金属やセラミックス等から構成される。また、シースヒータ10は、長いチューブ状であり、図示を省略しているが、上部および下部ヒータパネル5,6の表面に配置されるまでに、真空チャンバ1内を複雑に引き回されて配置される。
【0005】
このイオンプレーティング装置では、成膜時に、蒸発源7を加熱して薄膜形成材料を蒸発させるとともに、基板3の加熱を行う。そして、蒸発させた材料を所定の方法により励起させて基板3の表面に衝突させて付着させ、それにより、基板3表面に薄膜を形成する。ここで、基板3の加熱は、以下のようにして行う。
【0006】
基板3を加熱するには、シースヒータ10を通電により発熱させる。すると、その熱が、上部ヒータパネル5および下部ヒータパネル6にそれぞれ伝達され、上部および下部ヒータパネル5,6が加熱される。このように加熱された上部および下部ヒータパネル5,6から輻射熱が放出され、この輻射熱により、基板3の表裏面および内部が加熱される。
【0007】
一方、成膜工程後には基板3の冷却を行うが、冷却方法としては、シースヒータ10を停止させて放冷を行う自然冷却がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
シースヒータ10を熱源として用いた基板加熱では、シースヒータ10から上部および下部ヒータパネル5,6への熱の伝達やこれらのパネル5,6から放出される輻射熱を正確に制御することが難しいため、基板温度の制御が困難であるとともに、例えば、基板3の表側と裏側において温度の不均一が生じたり、同一面内の各部位における温度分布が不均一となる。このような基板3の温度分布の不均一は、膜の品質に影響を及ぼす。
【0009】
さらに、前述のように、シースヒータ10が真空チャンバ1内を複雑に引き回されて配置されるので、シースヒータ10の表面積の分だけ真空チャンバ1内の表面積が広くなり、表面から生じる気体の量が多くなる。このため、真空チャンバ1内の排気に時間を要する。また、シースヒータ10の表面が酸化される等の理由により汚れが付着しやすくなる。さらに、このようなシースヒータ10は、断線するおそれがある。
【0010】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、加熱温度の制御を正確かつ的確に行うことが可能であるとともに、基板全体を均一に加熱することが可能な成膜装置を提供することを目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る成膜装置は、レーザ光発生装置と、レーザ光を内部に導くための窓を有し、前記内部で基板に成膜を行うためのチャンバと、前記チャンバ内に配置され、前記基板を装着する基板ホルダと、前記チャンバ内に配置され、前記レーザ光を吸収して発熱するヒータパネルと、前記レーザ光発生装置で発生した前記レーザ光を前記窓を通して前記ヒータパネルに導く光学系とを備えたものである(請求項1)。
【0012】
かかる構成においては、基板を加熱する際に、レーザ光をヒータパネルに照射してこれを発熱させることにより加熱し、ヒータパネルから放出される輻射熱により、基板を加熱する。レーザ光が照射されたヒータパネルは、従来のようにシースヒータにより加熱される場合に比べて、短時間で高温に加熱されるとともに、照射を停止した際に短時間で温度が下がる。したがって、基板の加熱および冷却に要する時間の短縮化を図ることが可能となる。それにより、製品の生産効率が向上する。
【0013】
また、レーザ光によるヒータパネルの加熱では、レーザ光を調整することにより、ヒータパネルの加熱状態を精度良く容易に制御することが可能である。このため、ヒータパネルから放出される輻射熱を調整して、正確かつ的確に基板の加熱状態を制御することが可能となる。また、基板の温度状態を制御することにより、基板の温度分布の均一化を図ることが可能となり、その結果、品質の高い膜を形成することが可能となる。
【0014】
また、光学系を調整することにより、レーザ光の光路を自由に設定することが可能であるため、ヒータパネルの配置位置にかかわらずこれにレーザ光を照射することができる。このため、ヒータパネルを自由に配置することが可能となる。
【0015】
また、シースヒータを用いた場合のようにチャンバ内に汚れが付着することがなく、また、チャンバ内の表面積が小さくなるので表面から発せられる気体が低減され、それにより、チャンバの排気時間を短縮することが可能となる。さらに、ヒータ断線のおそれがない。
【0016】
前記ヒータパネルに照射される前記レーザ光の光量を、前記ヒータパネルの部位ごとに変えることが可能な照射光量調整機構をさらに備えてもよい(請求項2)。
【0017】
かかる構成によれば、照射光量調整機構により、ヒータパネルの各部位ごとにレーザ光の照射光量を調整して、この各部位の加熱状態を制御することが可能である。ここでは、基板の加熱状態に応じて、照射光量調整機構によりヒータパネルの各部位の加熱を制御し、ヒータパネルの各部位から放出される輻射熱の量を調整する。それにより、基板の加熱状態を制御することが可能となり、その結果、基板の温度分布の均一化を図ることも可能となる。
【0018】
前記照射光量調整機構は、前記ヒータパネルに照射される前記レーザ光の光路を変化させてもよい(請求項3)。
【0019】
かかる構成によれば、照射光量調整機構によりレーザ光の光路を変化させることによって、照射されるレーザ光の光量をヒータパネルの各部位ごとに変えることが可能となる。
【0020】
前記光学系がミラーを有し、前記照射光量調整機構は、前記ミラーに入射する前記レーザ光の光路に対する前記ミラーの光反射面の角度を調整してもよい(請求項4)。
【0021】
かかる構成によれば、照射光量調整機構によってミラーの光反射面の角度を調整することにより、ミラーの光反射面で反射されるレーザ光の光路を所望に応じて設定することが可能となる。
【0022】
前記照射光量調整機構は、前記基板の温度分布を検知する基板温度センサと、前記基板温度センサからの情報に従って前記光学系を制御することにより、前記ヒータパネルに照射される前記レーザ光の光路を変化させる制御装置と、を含んでもよい(請求項5)。
【0023】
かかる構成において、レーザ光の照射位置となるヒータパネルの部分は、特に効果的に加熱されるため、他の部分よりもより多くの輻射熱を放出する。それゆえ、ヒータパネルのレーザ光の照射位置に対応する基板の部位は、特に効果的に加熱される。したがって、制御装置によりヒータパネルにおけるレーザ光の光路を変化させて照射位置を調整することによって、基板の加熱を制御することが可能となる。ここでは、基板温度センサからの情報に基づいて、制御装置がレーザ光の光路を変化させることにより、基板の加熱状態に応じて基板の加熱を行うことが可能となる。
【0024】
前記ヒータパネルは、断熱材によって、前記レーザ光の光路が変化する方向に複数の独立した部位に区画されてもよい(請求項6)。
【0025】
かかる構成によれば、レーザ光の光路を変化させて、断熱材によって区画されたヒータパネルの各部位ごとにレーザ光の照射光量を調整することにより、個々の部位ごとに加熱温度を制御することが可能となる。このため、放出される輻射熱の量を、ヒータパネルの各部位ごとに調整することが可能となる。ここでは、各部位が断熱材により分けられて独立しているため、各部位は隣接する部位の温度の影響をほとんど受けず、よって、部位ごとに加熱温度を精度良く制御できる。したがって、基板の加熱を、より精度良くかつ的確に制御することが可能となる。
【0026】
前記ヒータパネルが冷却機構を含んでもよい(請求項7)。
【0027】
かかる構成によれば、基板の冷却時に、ヒータパネルの冷却機構により冷却を促進して行うことができ、その結果、基板の冷却に要する時間をより短縮することが可能となる。
【0028】
前記基板の冷却時において前記ヒータパネルから前記基板への熱の伝達を遮断するヒータパネル隔離機構をさらに含んでもよい(請求項8)。
【0029】
かかる構成によれば、基板の冷却時に、ヒータパネル隔離機構により、ヒータパネルから基板への熱の伝達が遮断されるため、基板の冷却に要する時間をより短縮することが可能となる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。実施の形態では、本発明に係る成膜装置として、イオンプレーティング装置について説明する。
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1に係るイオンプレーティング装置の構成を示す模式図である。
【0031】
図1に示すように、イオンプレーティング装置は、レーザ光発生装置たるレーザ発振器11と、導電性部材からなり下面に窓15a,15b,15cが設けられるとともに上面に窓15dが設けられた真空チャンバ1と、レーザ発振器11から出射されたレーザ光を前記窓15a〜15dを通して真空チャンバ1内に導くための光学系たるミラー21〜27と、冷却装置12と、基板温度センサ13と、入射するレーザ光の光路に対するミラー21,23,24,27の光反射面の角度およびレーザ発振器11の出力を調整する制御装置14とを有する。ここでは、基板温度センサ13と制御装置14とが、レーザ光の照射光量調整機構に相当する。
【0032】
以下に、イオンプレーティング装置の詳細な構造を説明する。
【0033】
真空チャンバ1の下面および上面に設けられた窓15a〜15dは、例えば、真空チャンバ1の壁部に開口部が設けられ、この開口部に、レーザ光が透過可能な材料、例えば、CO2レーザならZnSe等、YAGレーザなら石英などのガラス等から構成される窓部材が嵌め込まれて構成される。真空チャンバ1内には、成膜材料を供給するための材料供給源装置、すなわち薄膜形成材料を蒸発させる蒸発源7が配設され、この蒸発源7に対向するように導電性の部材からなる円板状の基板ホルダ2が配設される。基板ホルダ2には、成膜対象たる基板3が取り付けられる。ここでは、基板3は、例えば、絶縁性で透明な円板状のガラス基板である。この基板3の表裏面(ここでは、基板3の成膜面を表面と呼び、成膜面と反対の面を裏面と呼ぶ)および基板内部の温度が、基板温度センサ13により検知される。
【0034】
基板ホルダ2背面中央には、導電性の部材からなる回転軸16が、後述の上部ヒータパネル5および真空チャンバ1の壁部を貫通して外部に延びるように配設されている。回転軸16は、軸受け(図示せず)により回転可能に支持されている。ここでは図示を省略しているが、回転軸16のチャンバ壁部貫通部分から先端に至る部分は、回転駆動部たるモータに接続されている。また、回転軸16の突出部の所定部分には、回転軸16と直接接触する給電機構が設けられている。この給電機構は、高周波電源および直流電源に接続されている。そして、高周波電源、直流電源および真空チャンバ1は、それぞれ接地されている。
【0035】
基板ホルダ2の上方、すなわち基板3の裏面側には、基板ホルダ2を覆うように、板状の上部ヒータパネル5が基板ホルダ2と平行に配設される。また、基板ホルダ2の下方、すなわち基板3の表面側には、基板ホルダ2の主面の中心を通る法線、すなわち、回転軸16の中心軸に対して対称に、2つの板状の下部ヒータパネル6A,6Bが配設される。下部ヒータパネル6A,6Bは、基板3の成膜面に対して所定角度傾斜して配置され、その傾斜角度は、下部ヒータパネル6A,6Bからの輻射熱が効率よく基板3の成膜面に伝達されるように設定されている。
【0036】
上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bは、高い熱伝導率を有しレーザ光を吸収して発熱可能な材料、例えば銅からなる金属やセラミックス等から構成され、真空チャンバ1の内壁に固定されたヒータパネル支持構造(図示せず)によりそれぞれ支持される。そして、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの内部には、冷却水流路(図示せず)が設けられている。この冷却水流路に、真空チャンバ1の外部に設けられた冷却装置12によって冷却水が循環させられる。ここでは、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの冷却水流路と、冷却装置12とが、冷却機構に相当する。
【0037】
真空チャンバ1の外部に配設されたレーザ発振器11としては、例えばCO2レーザ装置が用いられる。レーザ発振器11から出射されるレーザ光の出力は、制御装置14により制御される。
【0038】
また、レーザ発振器11から出射されたレーザ光を、進路のことなる2つのレーザ光、すなわち、そのまま透過して直進するレーザ光と、反射されてミラー22に向かうレーザ光とに分光するミラー20が配設されるとともに、ミラー20を透過したレーザ光を、進路の異なる2つのレーザ光、すなわち、窓15aを通して真空チャンバ1内に導入され下部ヒータパネル6Aに照射されるレーザ光aと、そのまま透過して直進するレーザ光bとに分光するミラー21が配設される。さらに、ミラー21を透過したレーザ光bを、窓15bから真空チャンバ1内に導入されて基板3に照射されるレーザ光dと、そのまま透過して直進するレーザ光eとに分光するミラー23と、ミラー23を透過したレーザ光eを窓15cを通して真空チャンバ1内に導入して下部ヒータパネル6Bに照射するように配置されるミラー24とが配設される。さらに、ミラー22で反射されたレーザ光cをさらに反射して窓15dから真空チャンバ1内に導入し上部ヒータパネル5に照射するように配置されるミラー25,26,27が配設される。
【0039】
ミラー21,23,24,27は、入射する各レーザ光の光路に対する光反射面の角度(以下、単に光反射面の角度と呼ぶ)がそれぞれ独立に調整可能であるように設けられている。すなわち、基板ホルダ2の直径を含む縦断面に対して垂直な軸Z1,Z2,Z3,Z4の回りに図中の矢印Y1,Y2,Y3,Y4の方向に回転することにより光反射面の角度が変化する。ミラー21,23,24,27の光反射面の角度の調整は、後述のように、基板温度センサ13からの情報に基づいて、制御装置14によって行われる。
【0040】
次に、以上のように構成されたイオンプレーティング装置の動作を説明する。
【0041】
まず、基板3を基板ホルダ2に取り付け、真空チャンバ1内の排気を行ってチャンバ内を真空状態とする。そして、モータ(図示せず)を駆動させて回転軸16およびその一端に取り付けられた基板ホルダ2を回転させるとともに、レーザ発振器11を動作させてレーザ光を出射させる。後述するように、レーザ発振器11から出射されたレーザ光は、ミラー21〜27により、外部から窓15a〜15dを通して真空チャンバ1の内部に導入され、上部ヒータパネル5および下部ヒータパネル6A,6Bの背面(ここでは、基板ホルダ2と反対側の面を背面と呼ぶ)に照射されるとともに、直接、基板3の成膜面に照射される。上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bは、照射されたレーザ光を吸収し、光エネルギーを熱エネルギーに変換して発熱する。それにより、上部ヒータパネル5および下部ヒータパネル6A,6Bが加熱されて輻射熱が放出され、さらに、この輻射熱を吸収して基板3が加熱される。また、レーザ光の直接照射によっても、基板3が照射されたレーザ光を吸収し、光エネルギーを熱エネルギーに変換して発熱するので、基板3が加熱される。
【0042】
基板3が加熱されて所定の温度(例えば300℃程度)になったら、高周波電源および直流電源(ともに図示せず)を動作させる。すると、高周波電圧および直流電圧が、給電機構(図示せず)を介して回転軸16および基板ホルダ2に与えられ、それにより、基板ホルダ2と真空チャンバ1との間に高周波電圧および直流電圧が与えられる。
【0043】
続いて、蒸発源7に充填した薄膜形成材料を蒸発させる。すると、蒸発した薄膜形成材料が高周波電圧により発生したプラズマにより励起され、この励起された薄膜形成材料が、自己バイアスおよび直流電界により加速され、基板3の表面に衝突して付着する。それにより、基板3の表面に薄膜が形成される。このようにして、製品たる成膜ガラスが得られる。
【0044】
次に、前述の基板3の加熱方法を詳細に説明する。
【0045】
レーザ発振器11から出射されたレーザ光は、ミラー20により、反射されてミラー22に向かうレーザ光cと、そのまま透過して直進しミラー21に向かうレーザ光とに分光される。ミラー21に向かったレーザ光は、ミラー21により、さらにレーザ光a,bに分光される。レーザ光aは、真空チャンバ1の窓15aを通してチャンバ内に導かれ、下部ヒータパネル6Aの背面に照射される。また、レーザ光bは、ミラー21を透過してミラー23に達する。
【0046】
レーザ光aが照射されることにより、下部ヒータパネル6Aが発熱し温度が上昇する。そして、この下部ヒータパネル6Aから輻射熱が放出され、この輻射熱が基板3に伝達されて基板3が加熱される。
【0047】
ミラー21を透過したレーザ光bは、ミラー23により反射されるレーザ光dと、ミラー23を透過するレーザ光eとにさらに分光される。この分光されたレーザ光dは、真空チャンバ1の窓15bを通してチャンバ内に導かれ、直接、基板3の成膜面に照射される。それにより、基板3が加熱される。
【0048】
ミラー23を透過したレーザ光eは、さらにミラー24により反射される。そして、真空チャンバ1の窓15cを通してチャンバ内に導かれ、下部ヒータパネル6Bの背面に照射される。それにより、下部ヒータパネル6Bが加熱されて温度が上昇する。そして、加熱された下部ヒータパネル6Bから輻射熱が放出され、この輻射熱が基板3に伝達されて基板3が発熱して加熱される。
【0049】
一方、ミラー20で反射されてミラー22に向かったレーザ光cは、さらにミラー22、ミラー25、ミラー26およびミラー27でそれぞれ反射され、真空チャンバ1の窓15dを通してチャンバ内に導かれる。そして、上部ヒータパネル5の背面中央部に照射される。それにより、上部ヒータパネル5が発熱して温度が上昇し、輻射熱が放出される。この輻射熱により、基板3が加熱される。
【0050】
ここで、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bは、前述のように高い
熱伝導率を有する材料から構成されるので、レーザ光c,a,eの照射スポット(照射位置)から離れた部分でも十分に加熱されるが、特に、照射スポットおよびその周辺の部分が効果的に加熱される。このため、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの照射スポットおよびその周辺の部分から放出される輻射熱が特に多くなる。したがって、照射スポットとなった上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの部位およびその周辺部位に対応する基板3の部位では、他の部分に比べて、より効果的に加熱が行われる。
【0051】
また、レーザ光dの直接照射による基板3の加熱では、レーザ光照射スポットおよびその周辺が局所的に加熱され、この部分の温度が効果的に上昇し、一方、レーザ光照射スポットから離れた部分では温度の上昇が緩やかである。
【0052】
このように、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bにおいてレーザ光照射スポットおよびその周辺部分では放出される輻射熱が多いこと、ならびに、基板3へのレーザ光dの直接照射では、照射スポットおよびその周辺部分が局所的に加熱されることから、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bならびに基板3におけるレーザ光照射スポットの位置を制御することにより、基板3の加熱状態を制御することができる。ここでは、基板3全体、すなわち基板3の表裏面および各面の各部位、ならびに基板内部における温度分布の均一化が図られるように、制御装置14が基板3の加熱を制御する。以下に、制御装置14による制御方法について説明する。
【0053】
前述のように上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bならびに基板3の所定部位にレーザ光c,a,e,dが照射されて基板3が加熱されると、基板3の温度分布状態が基板温度センサ13により検知され、その情報が制御装置14に伝達される。制御装置14は、この情報に基づいて、レーザ発振器11のレーザ光出力を調整するとともに、基板3の温度分布の均一化が図られるように、ミラー21,23,24,27をそれぞれ独立に軸Z1,Z2,Z3,Z4の回りに図中の矢印Y1,Y2,Y3,Y4の方向に回転させて、ミラーの光反射面の角度をそれぞれ調整する。
【0054】
ミラー20を透過したレーザ光の光路に対するミラー21の光反射面の角度を調整することにより、ミラー21で反射されるレーザ光aの進路(光路)を、図中の矢印X1の方向に下部ヒータパネル6Aの一端部から他端部まで変化させることが可能となる。それにより、下部ヒータパネル6Aにおけるレーザ光aの照射スポットの位置を自由に変化させることが可能となり、その結果、下部ヒータパネル6Aにおいて、照射スポットとなり特に高温に加熱されて多くの輻射熱を放出する部位を、自由に設定することが可能となる。
【0055】
また、レーザ光bの光路に対するミラー23の光反射面の角度を調整することにより、ミラー23で反射されるレーザ光dの進路(光路)を、図中の矢印X2の方向に基板3の一端部から他端部まで変化させることが可能となる。それにより、基板3におけるレーザ光dの照射スポットの位置を自由に変化させることが可能となり、その結果、基板3において、照射スポットとなり集中的に加熱されて特に高温となる部位を、自由に設定することが可能となる。
【0056】
また、ミラー23を透過したレーザ光の光路に対するミラー24の光反射面の角度を調整することにより、ミラー24で反射されるレーザ光eの進路を、図中の矢印X3の方向に下部ヒータパネル6Bの一端部から他端部まで変化させることが可能となる。それにより、下部ヒータパネル6Bにおけるレーザ光eの照射スポットの位置を自由に変化させることが可能となり、その結果、下部ヒータパネル6Bにおいて、照射スポットとなり特に高温に加熱されて多くの輻射熱を放出する部位を、自由に設定することが可能となる。
【0057】
また、ミラー20,22,25,26で反射されたレーザ光cの光路に対するミラー27の光反射面の角度を調整することにより、ミラー27で反射されるレーザ光cの進路を、図中の矢印X4の方向に上部ヒータパネル5の一端部から他端部まで変化させることが可能となる。それにより、上部ヒータパネル5におけるレーザ光cの照射スポットの位置を自由に変化させることが可能となり、その結果、上部ヒータパネル5において、照射スポットとなり特に高温に加熱されて多くの輻射熱を放出する部位を、自由に設定することが可能となる。
【0058】
ここでは、例えば、基板温度センサ13からの情報に基づいて、制御装置14が、温度の低い基板3の部位ならびにその周辺部位に対応する上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの部位に、レーザ光d,c,a,eの照射スポットが位置するように、ミラー21,23,24,27の光反射面の角度を調整する。それにより、基板3の温度の低い部分にレーザ光d,c,a,eの照射スポットの位置を合わせて、特に効果的に加熱することが可能となる。このように、ミラー21,23,24,27の光反射面の角度を調整して基板3の温度の低い部分を選択的に積極的に加熱することにより、基板3の温度分布の均一化を図ることが可能となる。
【0059】
例えば、本実施の形態において、基板3の両端部は、下部ヒータパネル6Aおよび下部ヒータパネル6Bに距離が近いため、基板3の両端部では下部ヒータパネル6A,6Bからの輻射熱が伝わりやすく、よって、温度が上昇しやすい。これに対して、基板3の中央部は、下部ヒータパネル6Aおよび下部ヒータパネル6Bからの距離が遠いため、基板3の両端部に比べて、下部ヒータパネル6A,6Bからの輻射熱が伝わりにくく、よって、温度が上昇しにくい。
【0060】
そこで、ここでは、制御装置14により、基板3の中央部に対応する上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの部位、具体的には、上部ヒータパネル5の中央部ならびに下部ヒータパネル6A,6Bのチャンバ中心側端部に、レーザ光c,a,eの照射スポットが位置するようにミラー21,24,27の光反射面の角度を調整する。それにより、レーザ光c,a,eの照射スポットが位置する上部ヒータパネル5の中央部ならびに下部ヒータパネル6A,6Bのチャンバ中心側端部が、他の部位に比べてより効果的に加熱され、より多くの輻射熱を放出する。このため、基板3の中央部が端部に比べてより積極的に加熱され、その結果、基板3の中央部および端部における温度分布の均一化を図ることができる。
【0061】
また、ここでは、制御装置14により、基板3の中央部にレーザ光dの照射スポットが位置するようにミラー23の光反射面の角度を調整する。それにより、基板3の中央部が端部に比べてより積極的に加熱され、その結果、基板3の中央部および端部における温度分布の均一化を図ることができる。
【0062】
上記の成膜工程の終了後、蒸発源7の加熱を停止するとともに、レーザ発振器11、高周波電源および直流電源(図示せず)を停止させる。
【0063】
レーザ発振器11を停止して上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bへのレーザ光c,a,eの照射をやめると、温度が上昇していたヒータパネル5,6A,6Bは、従来のシースヒータによる加熱を停止した場合に比べて、真空中であっても、短時間で温度が下がる。このような上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bの温度低下に伴って、基板3の温度が下がる。また、基板3へのレーザ光dの照射をやめると、温度が上昇していた基板3は、真空中であっても、急激に温度が下がる。したがって、レーザ光による加熱では、従来のシースヒータを用いた加熱に比べて、加熱を停止した際に、真空中であっても、短時間で基板3を冷却することが可能となる。
【0064】
さらに、ここでは、レーザ光の照射を停止した後、冷却装置12を動作させ、上部および下部ヒータパネル5,6A,6B内に形成された冷却水流路(図示せず)に冷却水を循環させる。それにより、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bが強制水冷され、より短時間で基板3を冷却することが可能となる。
【0065】
以上のように、本実施の形態の装置によれば、レーザ光により、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bを介して基板3の加熱を行うとともに、直接レーザ光を照射して基板3の加熱を行うため、効果的に基板3の加熱を行うことが可能となる。その結果、基板3の加熱に要する時間の短縮化が図られる。また、レーザ光による加熱では、シースヒータを用いた従来の加熱に比べて、加熱を停止した際に、基板3の冷却時間の短縮化が図られる。このように、基板3の加熱および冷却に要する時間を短縮することが可能である本実施の形態は、製品の大量生産を行う上で特に有効である。
【0066】
また、本実施の形態では、レーザ光の出力、ミラー21,23,24,27の光反射面の角度を制御装置14により制御することにより、シースヒータを用いる従来の場合に比べて、基板3の温度制御を精度良くかつ的確に行うことが可能である。したがって、基板3において、温度分布の均一化を図ることが可能となる。
【0067】
また、シースヒータを用いないので、チャンバ内に汚れが付着することを防止できるとともに、チャンバ内の表面積が小さくなるので真空チャンバ1の排気時間を短縮することが可能となる。さらに、ヒータ断線のおそれがなくなる。
(実施の形態2)
本実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、実施の形態1の装置と同様の構造を有するが、以下の点が異なっている。
【0068】
図2は、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置の特徴部分を示す模式図である。なお、ここに示す構造以外は、図1に示す実施の形態1の装置の構造と同様である。
【0069】
図2に示すように、本実施の形態では、下部ヒータパネル6Aおよび下部ヒータパネル6Bが、断熱材40により、後述するレーザ光の照射スポットを移動させる方向、ここではヒータパネルの幅方向に、3つの部位6a,6b,6cおよび3つの部位6a’,6b’,6c’に分けられる。この断熱材40は、幅が細く、かつ、下部ヒータパネル6A,6Bの全長さおよび全厚みに渡って配設されており、それにより、下部ヒータパネル6A,6Bの各部位6a,6b,6c,6a’,6b’,6c’は、完全に独立して区画されている。
【0070】
この装置において、基板3を加熱する際には、実施の形態1と同様に、レーザ光a,eを照射して下部ヒータパネル6A,6Bを加熱するとともに、レーザ光cを照射して上部ヒータパネル5を加熱し、上部および下部ヒータパネル5,6A,6Bから放出される輻射熱により基板3を加熱する。また、レーザ光dを基板3に直接照射することにより基板3を加熱する。ここで、基板3の加熱において、本実施の形態と実施の形態1とでは、以下の点が異なっている。
【0071】
本実施の形態では、基板3の温度分布の均一化が図れるように、下部ヒータパネル6Aの各部位6a,6b,6cにおけるレーザ光aの照射光量をそれぞれ変えるとともに、下部ヒータパネル6Bの各部位6a’,6b’,6c’におけるレーザ光eの照射光量をそれぞれ変える。各部位におけるレーザ光の照射光量は、具体的には、各部位におけるレーザ光の照射時間を調整することにより変化させる。なお、ここでのレーザ光の照射時間とは、レーザ光の照射スポットが各部位にとどまる時間のことである。
【0072】
このような下部ヒータパネル6A,6Bの各部位6a〜6c,6a’〜6c’におけるレーザ光a,eの照射時間の調整は、ミラー21,24を軸Z1,Z3の回りに図中の矢印Y1,Y3の方向にそれぞれ回転させて所定の時間間隔でミラーの光反射面の角度を変え、それにより、レーザ光a,eをそれぞれ図中の矢印X1,X3の方向に振ることにより行う。このようなミラー21,24の回転は、制御装置14(図1)により制御される。
【0073】
例えば、基板3の中央部が端部に比べて温度が上昇しにくい場合には、下部ヒータパネル6Aにおいて、基板3の中央部に対応する部位6cにレーザ光aを照射する時間を最も長くし、部位6bおよび部位6aの順に照射時間を短くする。それにより、下部パネルヒータ6Aでは、部位6cの温度が最も高くなり、部位6bおよび部位6aの順に温度が低くなる。その結果、下部パネルヒータ6Aから放出される輻射熱は、部位6cで最も多く、部位6aで最も少なくなる。したがって、温度が上昇しにくい基板3の中央部が、端部に比べてより積極的に加熱される。
【0074】
また、下部ヒータパネル6Bにおいては、基板3の中央部に対応する部位6c’にレーザ光eを照射する時間を最も長くし、部位6b’および部位6a’の順に照射時間を短くする。それにより、下部パネルヒータ6Bでは、部位6c’の温度が最も高くなり、部位6b’および部位6a’の順に温度が低くなる。したがって、下部パネルヒータ6Bから放出される輻射熱は、部位6c’で最も多く、部位6a’で最も少なくなる。その結果、温度が上昇しにくい基板3の中央部が、端部に比べてより積極的に加熱される。
【0075】
このように、断熱材40により区画された下部ヒータパネル6A,6Bの各部位6a〜6c,6a’〜6c’におけるレーザ光a,eの照射時間を、基板3の加熱状態に応じてそれぞれ調整することにより、各部位6a〜6c,6a’〜6c’から放出される輻射熱を制御することが可能となる。この場合、各部位6a〜6c,6a’〜6c’は、断熱材40によりそれぞれ分離されているため、隣接する部位の温度の影響をほとんど受けない。このため、レーザ光a,eの照射時間の差が、各部位6a〜6c,6a’〜6c’の温度差となって精度良く反映される。それゆえ、本実施の形態では、より精度良く輻射熱の制御を行うことが可能となる。その結果、より正確かつ的確に基板3の温度制御を行うことが可能となる。
【0076】
なお、断熱材40の配置状態(位置、数等)は、本実施の形態に限定されるものではなく、例えば、基板3を均一に加熱するのに最適であるように適宜設定される。また、上部ヒータパネル5に断熱材が設けられてもよい。
(実施の形態3)
本実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、実施の形態1の装置と同様の構造を有するが、冷却機構、すなわち、上部および下部ヒータパネルに冷却水流路および冷却装置が設けられておらず、その代わりに、ヒータパネル隔離機構としてヒータパネル遮蔽構造が設けられた点が、実施の形態1と異なっている。
【0077】
図3は、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置の特徴部分を示す模式図である。なお、ここに示す構造以外は、冷却装置12が配設されていない点を除いて、図1に示す実施の形態1の構造と同様の構造を有する。
【0078】
図3に示すように、本実施の形態の装置は、冷却水流路が設けられていない上部および下部ヒータパネル5’,6A’,6B’が配設されるとともに、以下のようなヒータパネル遮蔽構造を有している。
【0079】
ヒータパネル遮蔽構造は、上部ヒータパネル5’から基板3に向かって放出される輻射熱を遮断するシャッター28と、シャッター28を格納するシャッター格納部30aと、下部ヒータパネル6A’,6B’から基板3に向かって放出される輻射熱を遮断するシャッター29と、シャッター29を格納するシャッター格納部30bとを有する。
【0080】
シャッター28は、断熱材から構成され、巻回可能でかつ展開した状態で真空チャンバ1内の上部ヒータパネル5’と基板ホルダ2との間に位置するように配設される。シャッター29は、断熱材から構成され、巻回可能でかつ展開した状態で真空チャンバ1内において下部ヒータパネル6A,6Bと基板3との間に位置するように配設される。シャッター格納部30aは、真空チャンバ1の内壁の所定部位に配設され、シャッター格納部30bは、真空チャンバ1の内壁の前記シャッター格納部30a形成部位とは異なる部位に配設される。シャッター格納部30a,30bは、シャッター28,29が巻回されて格納されるように構成されている。
【0081】
成膜工程においては、シャッター28,29はそれぞれシャッター格納部30a,30bに巻回されて格納されており、いわゆるシャッター28,29が開いた状態である。一方、成膜工程後の基板冷却工程においては、上部および下部ヒータパネル5’,6A’,6B’ならびに基板3へのレーザ光の照射が停止されるとともに、シャッター格納部30a,30bからシャッター28,29が引き出され(展開され)て真空チャンバ1の中心部に向かって水平方向に進む。そして、シャッター28,29において、同一方向から反対向きに対向するように進んできた先端部分同士が、真空チャンバ1の中心部付近において当接する。それにより、シャッター28,29が閉じた状態となる。このようにシャッター28,29が閉じた状態で、放冷(自然冷却)する。ここでは、シャッター28,29が閉じることにより、レーザ光照射停止後に上部および下部ヒータパネル5’.6A’,6B’から放出される輻射熱、すなわち余熱を遮断することができ、余熱が基板3に伝達されるのを抑制することが可能となる。このため、冷却に要する時間を短縮することが可能となる。なお、シャッター28,29の開閉動作は、例えば、制御装置14(図1)により制御される。
【0082】
本実施の形態の変形例として、上記以外の構造を有するヒータパネル隔離機構を備えた装置構成も可能である。例えば、上部および下部ヒータパネル5’,6A’,6B’を基板3から遠ざけるように、これらのパネル5’,6A’,6B’自体の配置が変わるように構成されたヒータパネル退避構造をヒータパネル隔離機構として有してもよい。
【0083】
上記の実施の形態1〜3において、レーザ発振器11として、CO2レーザ装置以外のレーザ装置を用いてもよく、例えば、YAGレーザ装置を用いることも可能である。なお、YAGレーザ装置を用いる場合には、基板が透明であるとレーザ光は基板に吸収されずにこれを透過してしまうので直接照射による基板の加熱を行うことはできないが、上部および下部ヒータパネルにおいては吸収されてこれらのパネルを加熱することが可能であるため、ヒータパネルを介した輻射熱による加熱は可能である。
【0084】
また、本発明に係るイオンプレーティング装置における上部ヒータパネルおよび下部ヒータパネルの配置状態は、上記実施の形態1〜3に限定されるものではなく、これ以外の配置状態であってもよい。例えば、下部ヒータパネルのみを配置した構成も可能であり、また、複数の上部ヒータパネルを配置した構成であってもよい。さらに、基板へのレーザ光の直接照射による加熱を行わず、ヒータパネルを介した加熱のみにより基板を加熱してもよい。
【0085】
また、上部および下部ヒータパネルの形状は特に限定されないが、基板の温度制御を行うのに適した形状、特に、基板の温度分布の均一化を図るのに適した形状であることが好ましい。例えば、円板状の基板を回転させて成膜を行う上記実施の形態1〜3においては、上部ヒータパネルの形状を円盤状とし、下部ヒータパネルの形状を底面に開口を有する略すり鉢状とするか、複数の下部ヒータパネルを全体として略すり鉢状となるように並べる。
【0086】
また、本発明に係るイオンプレーティング装置におけるミラーの配置状態は、上記実施の形態1〜3に限定されるものではなく、これ以外の配置状態であってもよい。
【0087】
シースヒータを用いる従来の加熱方法では、真空チャンバ内において長いチューブ状のシースヒータを引き回してこれをヒータパネルの表面に配置しなければならず、それゆえ、ヒータパネルを自由に配置することは構造上困難であるが、本発明では、ミラーの配置および真空チャンバの窓の位置を適宜設定することにより、レーザ光の光路を自由に設定することが可能であるため、ヒータパネルの位置に関わらずヒータパネルにレーザ光を照射して加熱を行うことができる。それゆえ、ヒータパネルを自由に配置することが可能となる。
【0088】
また、上記の実施の形態1〜3においては、ミラーを回転させることにより上部および下部ヒータパネルならびに基板におけるレーザ光の照射スポットの位置を調整しているが、これ以外の方法により照射スポットの位置調整を行ってもよい。例えば、ミラー自体を適切な方向に移動させることにより、照射スポットの位置調整を行ってもよい。
【0089】
上記の実施の形態1〜3においては、本発明をイオンプレーティング装置に適用する場合について説明したが、本発明に係る成膜装置はイオンプレーティング装置に限定されるものではなく、基板を加熱して成膜を行う成膜装置、例えばスパッタ成膜装置やCVD(Chemical Vapor Deposition)装置等にも適用可能である。
【0090】
【発明の効果】
本発明は、以上に説明したような形態で実施され、以下のような効果を奏する。
(1)レーザ光が照射されたヒータパネルは、従来のようにシースヒータにより加熱される場合に比べて、短時間で高温に加熱されるとともに、照射を停止した際に短時間で温度が下がる。したがって、基板の加熱および冷却に要する時間の短縮化を図ることが可能となる。それにより、製品の生産効率が向上する。
【0091】
また、レーザ光を調整することにより、ヒータパネルの加熱状態を精度良く容易に制御することが可能である。このため、ヒータパネルから放出される輻射熱を調整して、正確かつ的確に基板の加熱状態を制御することが可能となる。また、基板の温度状態を制御することにより、基板を均一に加熱することが可能となり、その結果、品質の高い膜を形成することが可能となる。
【0092】
また、光学系を適宜配置することにより、レーザ光の光路を自由に設定することが可能であるため、ヒータパネルの位置にかかわらずこれにレーザ光を照射して加熱することができる。そのため、ヒータパネルを自由に配置することが可能となる。
【0093】
さらに、シースヒータを用いた場合のようにチャンバ内に汚れが付着することがなく、また、チャンバ内の表面積が小さくなるので表面から発せられる気体が低減され、それにより、チャンバの排気時間を短縮することが可能となる。さらに、ヒータ断線のおそれがない。
(2)ヒータパネルに照射されるレーザ光の光量を、ヒータパネルの部位ごとに変えることが可能な照射光量調整機構をさらに備えるとすると、照射光量調整機構により、ヒータパネルの各部位ごとにレーザ光の照射光量を調整して、この各部位の加熱状態を制御することが可能である。ここでは、基板の加熱状態に応じて、照射光量調整機構によりヒータパネルの各部位の加熱を制御し、ヒータパネルの各部位から放出される輻射熱の量を調整する。それにより、基板の加熱状態を制御することが可能となり、その結果、基板の温度分布の均一化を図ることも可能となる。
(3)照射光量調整機構は、ヒータパネルに照射されるレーザ光の光路を変化させるとすると、照射光量調整機構によりレーザ光の光路を変化させることによって、照射されるレーザ光の光量をヒータパネルの各部位ごとに変えることが可能となる。
(4)光学系がミラーを有し、照射光量調整機構は、ミラーに入射するレーザ光の光路に対するミラーの光反射面の角度を調整するとすると、照射光量調整機構によってミラーの光反射面の角度を調整することにより、ミラーの光反射面で反射されるレーザ光の光路を所望に応じて設定することが可能となり、その結果、ヒータパネルにおけるレーザ光の照射位置を所望の位置に設定することが可能となる。
(5)照射光量調整機構は、基板の温度分布を検知する基板温度センサと、基板温度センサからの情報に従って光学系を制御することにより、ヒータパネルに照射されるレーザ光の光路を変化させる制御装置と、を含むとすると、制御装置によりヒータパネルにおけるレーザ光の光路を調整することによって、基板の加熱を制御することが可能となる。ここでは、基板温度センサからの情報に基づいて、制御装置がレーザ光の光路の調整を行うことにより、基板の加熱状態に応じて基板の加熱を行うことが可能となる。
(6)ヒータパネルは、断熱材によって、レーザ光の光路が変化する方向に複数の独立した部位に区画されるとすると、レーザ光の光路を変化させて、断熱材によって区画されたヒータパネルの各部位ごとにレーザ光の照射光量を調整することにより、個々の部位ごとに加熱温度を制御することが可能となる。それにより、基板の加熱を、より精度良くかつ的確に制御することが可能となる。
(7)ヒータパネルが冷却機構を含むとすると、基板の冷却時に、ヒータパネルの冷却機構により冷却を促進して行うことができ、その結果、基板の冷却に要する時間をより短縮することが可能となる。
(8)基板の冷却時においてヒータパネルから基板への熱の伝達を遮断するヒータパネル隔離機構をさらに含むとすると、基板の冷却時に、ヒータパネル隔離機構により、ヒータパネルから基板への熱の伝達が遮断されるため、基板の冷却に要する時間をより短縮することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係るイオンプレーティング装置の構造を示す模式図である。
【図2】本発明の実施の形態2に係るイオンプレーティング装置の特徴部分を示す模式図である。
【図3】本発明の実施の形態3に係るイオンプレーティング装置の特徴部分を示す模式図である。
【図4】従来のイオンプレーティング装置の構造を示す模式図である。
【符号の説明】
1 真空チャンバ
2 基板ホルダ
3 基板
5,5’ 上部ヒータパネル
6A,6B,6A’,6B’ 下部ヒータパネル
7 蒸発源
11 レーザ光発振装置
12 冷却装置
13 基板温度センサ
14 制御装置
15a〜15d 窓
16 回転軸
21〜27 ミラー
28,29 シャッター
30a,30b シャッター格納部
40 断熱材[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a film forming apparatus, and more particularly, to a film forming apparatus that heats a substrate using laser light.
[0002]
[Prior art]
One conventional film deposition apparatus is an ion plating apparatus. FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of a conventional ion plating apparatus. As shown in FIG. 4, in the ion plating apparatus, the
[0003]
An
[0004]
The
[0005]
In this ion plating apparatus, the
[0006]
In order to heat the
[0007]
On the other hand, the
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
In the substrate heating using the
[0009]
Furthermore, as described above, since the
[0010]
The present invention has been made to solve the above-described problems, and can form a film forming apparatus capable of accurately and accurately controlling the heating temperature and uniformly heating the entire substrate. The purpose is to provide.
[0011]
[Means for Solving the Problems]
A film forming apparatus according to the present invention includes a laser light generating device, a window for guiding laser light to the inside, a chamber for forming a film on a substrate therein, and the chamber is disposed in the chamber, A substrate holder for mounting a substrate, a heater panel disposed in the chamber and generating heat by absorbing the laser beam, and an optical system for guiding the laser beam generated by the laser beam generator to the heater panel through the window (Claim 1).
[0012]
In such a configuration, when the substrate is heated, the heater panel is irradiated with laser light to generate heat, and the substrate is heated by radiant heat emitted from the heater panel. The heater panel irradiated with the laser light is heated to a high temperature in a short time as compared with the case where it is heated by a sheath heater as in the prior art, and the temperature decreases in a short time when the irradiation is stopped. Therefore, it is possible to shorten the time required for heating and cooling the substrate. Thereby, the production efficiency of the product is improved.
[0013]
In heating the heater panel with laser light, the heating state of the heater panel can be easily controlled with high accuracy by adjusting the laser light. For this reason, it becomes possible to control the heating state of the substrate accurately and accurately by adjusting the radiant heat emitted from the heater panel. Further, by controlling the temperature state of the substrate, it is possible to make the temperature distribution of the substrate uniform, and as a result, it is possible to form a high quality film.
[0014]
Further, since the optical path of the laser beam can be freely set by adjusting the optical system, it can be irradiated with the laser beam regardless of the arrangement position of the heater panel. For this reason, it becomes possible to arrange | position a heater panel freely.
[0015]
In addition, as in the case where a sheath heater is used, dirt does not adhere to the chamber, and since the surface area in the chamber is reduced, the gas emitted from the surface is reduced, thereby shortening the exhaust time of the chamber. It becomes possible. Furthermore, there is no risk of heater breakage.
[0016]
You may further provide the irradiation light quantity adjustment mechanism which can change the light quantity of the said laser beam irradiated to the said heater panel for every site | part of the said heater panel (Claim 2).
[0017]
According to this configuration, it is possible to control the heating state of each part by adjusting the irradiation light quantity of the laser beam for each part of the heater panel by the irradiation light quantity adjusting mechanism. Here, according to the heating state of a board | substrate, the heating of each part of a heater panel is controlled by the irradiation light quantity adjustment mechanism, and the quantity of the radiant heat discharge | released from each part of a heater panel is adjusted. Thereby, the heating state of the substrate can be controlled, and as a result, the temperature distribution of the substrate can be made uniform.
[0018]
The irradiation light amount adjusting mechanism may change an optical path of the laser light irradiated to the heater panel.
[0019]
According to such a configuration, it is possible to change the light amount of the irradiated laser light for each part of the heater panel by changing the optical path of the laser light by the irradiation light amount adjusting mechanism.
[0020]
The optical system may include a mirror, and the irradiation light amount adjustment mechanism may adjust an angle of a light reflection surface of the mirror with respect to an optical path of the laser light incident on the mirror.
[0021]
According to this configuration, the optical path of the laser beam reflected by the light reflecting surface of the mirror can be set as desired by adjusting the angle of the light reflecting surface of the mirror by the irradiation light amount adjusting mechanism.
[0022]
The irradiation light quantity adjustment mechanism controls the optical path of the laser light irradiated to the heater panel by controlling the optical system according to information from the substrate temperature sensor that detects the temperature distribution of the substrate and the substrate temperature sensor. And a control device for changing.
[0023]
In such a configuration, the portion of the heater panel that is the irradiation position of the laser light is particularly effectively heated, and thus emits more radiant heat than the other portions. Therefore, the portion of the substrate corresponding to the laser beam irradiation position of the heater panel is particularly effectively heated. Therefore, the heating of the substrate can be controlled by adjusting the irradiation position by changing the optical path of the laser beam in the heater panel by the control device. Here, the control device changes the optical path of the laser light based on information from the substrate temperature sensor, so that the substrate can be heated according to the heating state of the substrate.
[0024]
The heater panel may be partitioned into a plurality of independent portions in a direction in which an optical path of the laser light changes by a heat insulating material (Claim 6).
[0025]
According to such a configuration, the heating temperature is controlled for each individual part by changing the optical path of the laser light and adjusting the irradiation light quantity of the laser light for each part of the heater panel partitioned by the heat insulating material. Is possible. For this reason, it becomes possible to adjust the quantity of the radiant heat discharge | released for every site | part of a heater panel. Here, since each site | part is divided and insulated by the heat insulating material, each site | part hardly receives the influence of the temperature of an adjacent site | part, Therefore Heating temperature can be accurately controlled for every site | part. Therefore, the heating of the substrate can be controlled with higher accuracy and accuracy.
[0026]
The heater panel may include a cooling mechanism.
[0027]
According to such a configuration, when the substrate is cooled, the cooling can be promoted by the cooling mechanism of the heater panel, and as a result, the time required for cooling the substrate can be further shortened.
[0028]
A heater panel isolation mechanism may be further included that blocks heat transfer from the heater panel to the substrate during cooling of the substrate.
[0029]
According to this configuration, since the heat transfer from the heater panel to the substrate is interrupted by the heater panel isolation mechanism when the substrate is cooled, the time required for cooling the substrate can be further shortened.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiment, an ion plating apparatus will be described as a film forming apparatus according to the present invention.
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an ion plating apparatus according to
[0031]
As shown in FIG. 1, the ion plating apparatus includes a
[0032]
The detailed structure of the ion plating apparatus will be described below.
[0033]
The
[0034]
In the center of the back surface of the
[0035]
A plate-like
[0036]
The upper and
[0037]
As the
[0038]
Further, the
[0039]
The
[0040]
Next, the operation of the ion plating apparatus configured as described above will be described.
[0041]
First, the
[0042]
When the
[0043]
Subsequently, the thin film forming material filled in the
[0044]
Next, the method for heating the
[0045]
The laser light emitted from the
[0046]
When the laser beam a is irradiated, the
[0047]
The laser beam b transmitted through the
[0048]
The laser beam e transmitted through the
[0049]
On the other hand, the laser beam c reflected by the
[0050]
Here, the upper and
Since it is made of a material having thermal conductivity, it is sufficiently heated even in a portion away from the irradiation spot (irradiation position) of the laser beams c, a, and e. In particular, the irradiation spot and its peripheral portion are effective. To be heated. For this reason, the radiation heat emitted from the irradiation spots of the upper and
[0051]
Further, in the heating of the
[0052]
Thus, in the upper and
[0053]
As described above, when the upper and
[0054]
By adjusting the angle of the light reflecting surface of the
[0055]
Further, by adjusting the angle of the light reflecting surface of the
[0056]
Further, by adjusting the angle of the light reflecting surface of the
[0057]
Further, by adjusting the angle of the light reflecting surface of the
[0058]
Here, for example, based on information from the
[0059]
For example, in this embodiment, since both ends of the
[0060]
Therefore, here, the
[0061]
Further, here, the
[0062]
After completion of the film forming step, heating of the
[0063]
When the
[0064]
Furthermore, here, after stopping the irradiation of the laser beam, the
[0065]
As described above, according to the apparatus of the present embodiment, the
[0066]
Further, in the present embodiment, the output of the laser light and the angles of the light reflecting surfaces of the
[0067]
Further, since the sheath heater is not used, it is possible to prevent dirt from adhering to the chamber, and the surface area in the chamber is reduced, so that the exhaust time of the
(Embodiment 2)
The ion plating apparatus according to the present embodiment has the same structure as the apparatus of the first embodiment, but differs in the following points.
[0068]
FIG. 2 is a schematic diagram showing a characteristic part of the ion plating apparatus according to the present embodiment. The structure other than the structure shown here is the same as the structure of the apparatus of the first embodiment shown in FIG.
[0069]
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the
[0070]
In this apparatus, when the
[0071]
In the present embodiment, the irradiation amount of the laser beam a at each of the
[0072]
Adjustment of the irradiation time of the laser beams a and e at the
[0073]
For example, when the temperature of the central portion of the
[0074]
In the
[0075]
In this way, the irradiation times of the laser beams a and e at the
[0076]
The arrangement state (position, number, etc.) of the
(Embodiment 3)
The ion plating apparatus according to the present embodiment has the same structure as the apparatus of the first embodiment, but the cooling mechanism, that is, the upper and lower heater panels are not provided with the cooling water flow path and the cooling device, Instead, a heater panel shielding structure is provided as a heater panel isolation mechanism, which is different from the first embodiment.
[0077]
FIG. 3 is a schematic diagram showing a characteristic part of the ion plating apparatus according to the present embodiment. Except for the structure shown here, the structure is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 1 except that the
[0078]
As shown in FIG. 3, the apparatus of the present embodiment is provided with upper and
[0079]
The heater panel shielding structure includes a
[0080]
The
[0081]
In the film forming process, the
[0082]
As a modification of the present embodiment, an apparatus configuration including a heater panel isolation mechanism having a structure other than the above is also possible. For example, a heater panel retracting structure in which the arrangement of the
[0083]
In the first to third embodiments, as the
[0084]
Further, the arrangement state of the upper heater panel and the lower heater panel in the ion plating apparatus according to the present invention is not limited to the above-described first to third embodiments, and may be other arrangement states. For example, a configuration in which only the lower heater panel is arranged is possible, and a configuration in which a plurality of upper heater panels are arranged may be used. Further, the substrate may be heated only by heating through the heater panel without performing heating by direct irradiation of the laser beam to the substrate.
[0085]
The shape of the upper and lower heater panels is not particularly limited, but is preferably a shape suitable for controlling the temperature of the substrate, particularly a shape suitable for achieving uniform temperature distribution of the substrate. For example, in the first to third embodiments in which film formation is performed by rotating a disk-shaped substrate, the shape of the upper heater panel is a disc shape, and the shape of the lower heater panel is a substantially mortar shape having an opening on the bottom surface. Alternatively, the plurality of lower heater panels are arranged in a generally mortar shape as a whole.
[0086]
Further, the arrangement state of the mirrors in the ion plating apparatus according to the present invention is not limited to the above-described first to third embodiments, and may be other arrangement states.
[0087]
In the conventional heating method using a sheath heater, a long tubular sheath heater must be routed in the vacuum chamber and disposed on the surface of the heater panel. Therefore, it is structurally difficult to arrange the heater panel freely. However, in the present invention, since the optical path of the laser beam can be freely set by appropriately setting the arrangement of the mirror and the position of the vacuum chamber window, the heater panel regardless of the position of the heater panel. Can be heated by irradiating with laser light. Therefore, the heater panel can be freely arranged.
[0088]
In the above first to third embodiments, the positions of the irradiation spots of the laser light on the upper and lower heater panels and the substrate are adjusted by rotating the mirrors. Adjustments may be made. For example, the position of the irradiation spot may be adjusted by moving the mirror itself in an appropriate direction.
[0089]
In the first to third embodiments, the case where the present invention is applied to the ion plating apparatus has been described. However, the film forming apparatus according to the present invention is not limited to the ion plating apparatus, and heats the substrate. The present invention can also be applied to a film forming apparatus that performs film formation, such as a sputter film forming apparatus or a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus.
[0090]
【The invention's effect】
The present invention is implemented in the form as described above, and has the following effects.
(1) The heater panel irradiated with the laser light is heated to a high temperature in a short time as compared with the case where it is heated by a sheath heater as in the prior art, and the temperature drops in a short time when the irradiation is stopped. Therefore, it is possible to shorten the time required for heating and cooling the substrate. Thereby, the production efficiency of the product is improved.
[0091]
Moreover, it is possible to control the heating state of the heater panel accurately and easily by adjusting the laser beam. For this reason, it becomes possible to control the heating state of the substrate accurately and accurately by adjusting the radiant heat emitted from the heater panel. Further, by controlling the temperature state of the substrate, the substrate can be heated uniformly, and as a result, a high-quality film can be formed.
[0092]
Further, since the optical path of the laser beam can be freely set by appropriately arranging the optical system, it can be heated by irradiating it with the laser beam regardless of the position of the heater panel. Therefore, the heater panel can be freely arranged.
[0093]
In addition, there is no contamination in the chamber as in the case of using a sheath heater, and the surface area in the chamber is reduced, so that the gas emitted from the surface is reduced, thereby shortening the exhaust time of the chamber. It becomes possible. Furthermore, there is no risk of heater breakage.
(2) If the irradiation light quantity adjustment mechanism which can change the light quantity of the laser beam irradiated to a heater panel for every site | part of a heater panel is further provided, a laser is applied to each site | part of a heater panel by an irradiation light quantity adjustment mechanism. It is possible to control the heating state of each part by adjusting the light irradiation amount. Here, according to the heating state of a board | substrate, the heating of each part of a heater panel is controlled by the irradiation light quantity adjustment mechanism, and the quantity of the radiant heat discharge | released from each part of a heater panel is adjusted. Thereby, the heating state of the substrate can be controlled, and as a result, the temperature distribution of the substrate can be made uniform.
(3) If the irradiation light quantity adjustment mechanism changes the optical path of the laser light irradiated to the heater panel, the irradiation light quantity adjustment mechanism changes the optical path of the laser light to change the light quantity of the irradiated laser light. It becomes possible to change for each part.
(4) When the optical system has a mirror and the irradiation light amount adjusting mechanism adjusts the angle of the mirror light reflecting surface with respect to the optical path of the laser light incident on the mirror, the angle of the light reflecting surface of the mirror is adjusted by the irradiation light amount adjusting mechanism. By adjusting, it becomes possible to set the optical path of the laser light reflected by the light reflecting surface of the mirror as desired. As a result, the irradiation position of the laser light on the heater panel can be set to a desired position. Is possible.
(5) The irradiation light amount adjustment mechanism controls the optical path of the laser light irradiated to the heater panel by controlling the optical system according to information from the substrate temperature sensor that detects the temperature distribution of the substrate and the substrate temperature sensor. The apparatus can control the heating of the substrate by adjusting the optical path of the laser beam in the heater panel by the control device. Here, the control device adjusts the optical path of the laser light based on the information from the substrate temperature sensor, so that the substrate can be heated according to the heating state of the substrate.
(6) If the heater panel is partitioned into a plurality of independent parts in the direction in which the optical path of the laser light is changed by the heat insulating material, the heater panel partitioned by the heat insulating material is changed by changing the optical path of the laser light. By adjusting the amount of laser light irradiation for each part, the heating temperature can be controlled for each part. Thereby, the heating of the substrate can be controlled with higher accuracy and accuracy.
(7) If the heater panel includes a cooling mechanism, the cooling can be promoted by the cooling mechanism of the heater panel when the substrate is cooled, and as a result, the time required for cooling the substrate can be further shortened. It becomes.
(8) If a heater panel isolation mechanism is further included that interrupts the transfer of heat from the heater panel to the substrate during substrate cooling, the heater panel isolation mechanism transfers heat from the heater panel to the substrate during substrate cooling. Therefore, the time required for cooling the substrate can be further shortened.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing the structure of an ion plating apparatus according to
FIG. 2 is a schematic diagram showing a characteristic part of an ion plating apparatus according to
FIG. 3 is a schematic diagram showing a characteristic part of an ion plating apparatus according to
FIG. 4 is a schematic diagram showing the structure of a conventional ion plating apparatus.
[Explanation of symbols]
1 Vacuum chamber
2 Substrate holder
3 Substrate
5,5 'upper heater panel
6A, 6B, 6A ', 6B' Lower heater panel
7 Evaporation source
11 Laser light oscillator
12 Cooling device
13 Substrate temperature sensor
14 Control device
15a-15d window
16 Rotating shaft
21-27 mirror
28, 29 Shutter
30a, 30b Shutter storage
40 Insulation
Claims (8)
レーザ光を内部に導くための窓を有し、前記内部で基板に成膜を行うためのチャンバと、
前記チャンバ内に配置され、前記基板を装着する基板ホルダと、
前記チャンバ内に配置され、前記レーザ光を吸収して発熱するヒータパネルと、
前記レーザ光発生装置で発生した前記レーザ光を前記窓を通して前記ヒータパネルに導く光学系とを備えたことを特徴とする成膜装置。A laser light generator;
A chamber for guiding a laser beam to the inside, and a chamber for forming a film on the substrate inside the chamber;
A substrate holder disposed in the chamber for mounting the substrate;
A heater panel disposed in the chamber and generating heat by absorbing the laser beam;
A film forming apparatus comprising: an optical system that guides the laser beam generated by the laser beam generator to the heater panel through the window.
前記照射光量調整機構は、前記ミラーに入射する前記レーザ光の光路に対する前記ミラーの光反射面の角度を調整する請求項3記載の成膜装置。The optical system has a mirror;
The film forming apparatus according to claim 3, wherein the irradiation light amount adjustment mechanism adjusts an angle of a light reflection surface of the mirror with respect to an optical path of the laser light incident on the mirror.
前記基板の温度分布を検知する基板温度センサと、
前記基板温度センサからの情報に従って前記光学系を制御することにより、前記ヒータパネルに照射される前記レーザ光の光路を変化させる制御装置と、を含む請求項3記載の成膜装置。The irradiation light amount adjustment mechanism is
A substrate temperature sensor for detecting a temperature distribution of the substrate;
The film-forming apparatus of Claim 3 including the control apparatus which changes the optical path of the said laser beam irradiated to the said heater panel by controlling the said optical system according to the information from the said substrate temperature sensor.
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