JP4098281B2 - 露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 - Google Patents
露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4098281B2 JP4098281B2 JP2004214663A JP2004214663A JP4098281B2 JP 4098281 B2 JP4098281 B2 JP 4098281B2 JP 2004214663 A JP2004214663 A JP 2004214663A JP 2004214663 A JP2004214663 A JP 2004214663A JP 4098281 B2 JP4098281 B2 JP 4098281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- focus
- exposure apparatus
- exposure
- focus value
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
次に、デフォーカス量15bを生産におけるパターン形成のための露光に反映させる方法を述べる。
2b ウエーハ上のライン・アンド・スペースの寸法
2d ライン・アンド・スペースの焦点深度
2e レチクル上のライン・アンド・スペース
2f レチクル上のライン・アンド・スペースの寸法
3 ベストフォーカス時のライン・アンド・スペースとドットの寸法差
4a ドットのCDフォーカス曲線
4b ウエーハ上のドットの寸法
4d ドットの焦点深度
4e レチクル上のドット
4f レチクル上のドットの寸法
7 ライン・アンド・スペースとドットの共通の焦点深度
10a ベストフォーカス
12a ライン・アンド・スペースのCDフォーカス曲線
12b ウエーハ上のライン・アンド・スペースの寸法
12e レチクル上のライン・アンド・スペース
12f レチクル上のライン・アンド・スペースとドットの寸法
13 デフォーカス時のライン・アンド・スペースの寸法差
14a ライン・アンド・スペースとドットの共通の焦点深度のフォーカス値の最小値
15a デフォーカス時のフォーカス値
16a ライン・アンド・スペースとドットの共通の焦点深度のフォーカス値の最大値
17 検量線
20 レチクル
22 露光パターンが描画される領域
24 フォーカスモニタのパターンが描画される領域
Claims (3)
- 製品の生産においてウエーハ上にレジストを塗布し、露光装置を用いて前記レジストを露光し、前記露光装置によるベストフォーカス値が互いに異なるとともに寸法が前記露光装置のフォーカス値に依存する2種類のパターンを前記レジストに形成する工程と、前記2種類のパターンの寸法を測定して前記2種類のパターン間の寸法差を算出する工程と、予め前記露光装置のフォーカス値を変えながら、該フォーカス値のそれぞれにおける前記2種類のパターン寸法間の差を求めることによって作成した、前記2種類のパターン寸法間の差と前記露光装置のフォーカス値との対応関係と前記算出した2種類のパターン間の寸法差とを比較することによって、前記製品の生産において前記2種類のパターンを形成したときの前記露光装置のフォーカス値を得る工程とを含むことを特徴とする露光装置のフォーカスモニタ方法。
- 前記レジスト上における、前記露光装置の1ショット露光領域内の2つ以上の複数の箇所に前記2種類のパターンを形成し、前記1ショット露光領域内の前記複数の箇所における前記露光装置の各フォーカス値からフォーカス値分布を得ることを特徴とする請求項1に記載の露光装置のフォーカスモニタ方法。
- 請求項1に記載の露光装置のフォーカスモニタ方法を用いてモニタした前記露光装置のフォーカス値の前記生産で設定する露光装置のベストフォーカス値からのずれであるデフォーカス量を求め、前記露光装置のフォーカス値が前記生産で設定するベストフォーカス値となるように、前記モニタした露光装置のフォーカス値を前記デフォーカス量だけ補正し、次の製品の生産において前記露光装置を用いて露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004214663A JP4098281B2 (ja) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | 露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004214663A JP4098281B2 (ja) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | 露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006040951A JP2006040951A (ja) | 2006-02-09 |
JP4098281B2 true JP4098281B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=35905669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004214663A Expired - Fee Related JP4098281B2 (ja) | 2004-07-22 | 2004-07-22 | 露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4098281B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7916284B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
JP2008053413A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 焦点ずれ測定方法及び焦点位置合せ方法 |
CN102495533B (zh) * | 2011-11-24 | 2015-08-26 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 检测曝光设备焦点位置的方法及系统 |
CN103488060B (zh) * | 2013-09-30 | 2015-09-09 | 上海华力微电子有限公司 | 确定光刻曝光离焦量的方法 |
US10451564B2 (en) * | 2017-10-27 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Empirical detection of lens aberration for diffraction-limited optical system |
-
2004
- 2004-07-22 JP JP2004214663A patent/JP4098281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006040951A (ja) | 2006-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4898419B2 (ja) | 露光量のおよびフォーカス位置のオフセット量を求める方法、プログラムおよびデバイス製造方法 | |
KR100733546B1 (ko) | 리소그래피 공정 중 선택적 라인폭 최적화를 위한 방법 및장치 | |
US6014456A (en) | Method of correcting mask pattern and mask, method of exposure, apparatus thereof, and photomask and semiconductor device using the same | |
KR100225230B1 (ko) | 리소그래피 공정에 의해 형성된 기판내의 바이어스 또는 오버레이 에러를 결정하기 위한 타겟 | |
JP6532479B2 (ja) | スキャタロメトリ計測法を用いた焦点測定 | |
KR100563157B1 (ko) | 마스크 오차 인자 보상에 의한 duv 스캐너 선폭 제어 | |
KR100700367B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
US7585601B2 (en) | Method to optimize grating test pattern for lithography monitoring and control | |
WO1998049538A1 (en) | Monitoring of minimum features on a substrate | |
US20050112474A1 (en) | Method involving a mask or a reticle | |
JP4714162B2 (ja) | フォーカスモニタ用マーク、フォーカスモニタ方法及びデバイス製造方法 | |
US5928822A (en) | Method for confirming optimum focus of stepper | |
JP2009187967A (ja) | フォーカス測定方法および半導体装置の製造方法 | |
KR20020024889A (ko) | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 | |
US20020122187A1 (en) | Structure for lithographic focus control features | |
JP4098281B2 (ja) | 露光装置のフォーカスモニタ方法およびそれ用いた露光方法 | |
JP2011233744A (ja) | 露光方法および半導体デバイスの製造方法 | |
Brunner et al. | Validation of imaging benefits of dual monopole exposures | |
JP2006344648A (ja) | 露光方法 | |
JP2008112889A (ja) | フォーカス測定方法、半導体装置の製造方法、および露光システム | |
JP6418744B2 (ja) | パターン形成方法、リソグラフィ装置およびシステム、ならびに物品製造方法 | |
JP2007142275A (ja) | フォトマスクの判定方法、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
KR100731071B1 (ko) | 마스크 레이아웃의 보정방법 | |
JP2004341160A (ja) | 露光用マスク、光近接効果補正装置、光近接効果補正方法、半導体装置の製造方法および光近接効果補正プログラム | |
JPH0619115A (ja) | 投影露光装置用マスク |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060714 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071106 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080312 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |