JP4097561B2 - Differential clock generation circuit with delay compensation function - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、遅延補償機能付き差動クロック生成回路に関し、特に波形成形機能を有すると共に差動クロックの位相を一致させる機能を有する差動クロック生成回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
通信用の集積回路は、差動クロックに同期して高速の入力信号を入力し、ラッチする入力回路を有する。このラッチ機能付きの入力回路は、差動クロックが第1の状態の間に入力信号を入力して、入力信号のHレベルまたはLレベルに応じた状態を生成し、差動クロックが第2の状態になる時にその状態をラッチすると共に入力信号の入力を遮断する。その場合、高速の入力信号からその入力信号をサンプル・ラッチすることができる差動クロックがローカルに生成される。従って、同期用の差動クロックを生成する差動クロック生成回路がローカルに設けられる。
【0003】
光ファイバを利用した光通信などは、入力信号の変化が非常に速く、その入力信号のHレベルまたはLレベルを正確にラッチするためには、同期用の差動クロックの位相を一致させることが求められる。差動クロックの正転クロックと反転クロックとの位相が一致するとは、正転クロックの立ち上がりエッジと反転クロックの立ち下がりエッジのタイミングが一致し、正転クロックの立ち下がりエッジと反転クロックの立ち上がりエッジのタイミングが一致することを意味し、正確には両クロックがちょうど180°の位相差を有することである。従って、差動クロック生成回路は、両クロックのエッジの遅れを補償する機能を有することが要求される。
【0004】
図1は、従来の遅延補償機能付き差動クロック生成回路と波形図を示す図である。図示しない電圧制御発振回路(VCO)により生成された正転入力Vinと反転入力Vinxとから、位相が一致した差動クロックCLK、CLKxが生成される。正転入力Vin側にはインバータA11,A21,A31が縦列に接続され、反転入力Vinx側にはインバータA12,A22,A32が縦列に接続され、各インバータの入力端子及び出力端子において、遅延補償用のインバータB11,B12,B21,B22,B31,B32が設けられている。これらのインバータは、PチャネルトランジスタとNチャネルトランジスタからなるCMOSインバータである。そして、波形図には、両入力Vin,Vinxに対して、インバータA11,A12の出力Vout、Voutxが示されている。この従来の差動クロック生成回路は、以下の文献に記載されている。
【0005】
【特許文献】
特開平9−270683号公報
インバータA11,A12の動作を説明すると、入力電圧Vinが立ち上がるとき、インバータA11のPチャネルトランジスタをオフさせるレベルになると、出力電圧Voutが立ち下がりを開始し、入力電圧Vinxが立ち下がるとき、インバータA12のNチャネルトランジスタをオフさせるレベルになると、出力電圧Voutxが立ち上がりを開始する。そして、仮に正転側出力Voutの位相が反転側出力Voutxの位相より進んでいる場合は、インバータB21により反転側出力Voutxが強制的に立ち上げられて、反転側出力Voutxの位相を進めようとする。逆に、正転側出力Voutの位相が反転側出力Voutxの位相より遅れている場合は、インバータB22により正転側出力Voutが強制的に立ち上げられて、正転側出力Voutの位相を進めようとする。その結果、正転側クロックCLKと反転側クロックCLKxの位相が一致するようになる。つまり、この差動クロック生成回路は、両クロックCLK,CLKxの遅延を補償する機能を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図1の差動クロック生成回路は、インバータA11の出力がインバータA21とB21の入力に接続されるため、インバータA11のファンアウトが2になり、そのインバータA11の出力の立ち上がり時間tr(time of rising)や立ち下がり時間tf(time of falling)が長くなり、差動クロックの立ち上がり波形、立ち下がり波形が緩慢になり、シャープな立ち上がりエッジ、立ち下がりエッジを持つ差動クロックを生成することができないという課題を有する。つまり、インバータB11,B12,B21,B22,B31,B32を設けることで、一方のクロックのエッジの遅れを補償しているが、そのインバータによりクロックを伝播するインバータA11,A21,A31,A12,A22,A32のファンアウトが増加し、エッジの傾きが大きくなってしまう。
【0007】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決して、立ち上がり時間、立ち下がり時間を短くして互いの遅延を補償することができる差動クロック生成回路を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の第1の側面は、正転クロック及び反転クロックを伝播して両クロックの位相ずれを補償する差動クロック生成回路において、前記正転クロックを伝播し縦列に接続された複数の正転側CMOSインバータと、前記反転クロックを伝播し縦列に接続された反転側CMOSインバータとを有し、前記正転側CMOSインバータ及び反転側CMOSインバータが、第1の電源と出力端子との間にPチャネルトランジスタと直列に設けられた第1のインダクタンスと、第2の電源と出力端子との間にNチャネルトランジスタと直列に設けられた第2のインダクタンスとを有し、前記第1のインダクタンス間及び第2のインダクタンス間で相互インダクタンスを有することを特徴とする。
【0009】
第1の側面によれば、第1のインダクタンス間及び第2のインダクタンス間の相互インダクタンスによる誘導電流により、位相が遅れているクロックの位相がより一層加速されるように動作し、更に、誘導電流により両クロックの立ち上がり及び立ち下がりエッジの傾きが急峻になるように動作する。従って、差動クロック生成回路は、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの位相が一致した差動クロックを生成することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面に従って本発明の実施の形態を説明する。しかしながら、本発明の保護範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【0011】
図2は、本実施の形態における差動クロック生成回路を示す図である。図示しない電圧制御発振回路(VCO)などにより生成された正転入力VinがインバータA11に入力され、縦列接続された複数の正転側インバータA11,A21,A31側を伝播して正転クロックCLKが生成される。また、同様に、図示しないVCOなどにより生成された反転入力VinxがインバータA12に入力され、縦列接続された複数の反転側インバータA12,A22,A32側を伝播して反転クロックCLKxが生成される。各インバータには、出力端子と第1の電源Vccとの間に第1のインダクタンスLp,Lpxが、出力端子と第2の電源(グランド)Vssとの間に第2のインダクタンスLn,Lnxがそれぞれ設けられる。そして、第1のインダクタンス間及び第2のインダクタンス間にそれぞれ相互インダクタンスMp,Mnを有し、一方のインダクタンスに電流が発生すると他方のインダクタンスに誘導逆起電力が発生する。
【0012】
図3は、CMOSインバータ回路を示す図である。図3には、図2のインバータA11とそれに接続された第1及び第2のインダクタンスLp,Lnが示されている。図3(A)の例は、電源VccとPチャネルトランジスタpMOSとの間に第1のインダクタンスLpが設けられ、グランドVssとNチャネルトランジスタnMOSとの間に第2のインダクタンスLnが設けられている。また、図3(B)の例は、PチャネルトランジスタpMOSと出力Voutとの間に第1のインダクタンスLp2が設けられ、NチャネルトランジスタnMOSと出力Voutとの間に第2のインダクタンスLn2が設けられている。いずれの例も、電源Vccと出力Voutとの間にPチャネルトランジスタpMOSと直列に第1のインダクタンスが設けられ、グランドVssと出力Voutとの間にNチャネルトランジスタnMOSと直列に第2のインダクタンスが設けられている。
【0013】
図3に示したCMOSインバータの動作は、入力VinがLレベルからHレベルに立ち上がる場合は、グランドVssレベルからNチャネルトランジスタnMOSの閾値電圧以上になるとNチャネルトランジスタnMOSが導通状態になり、出力Voutの寄生容量を放電する電流Inが発生する。但し、その時導通状態にあるPチャネルトランジスタpMOSにも、電源VccからグランドVssに向かう電流Ipが発生し、その結果一時的に貫通電流が発生する。従って、この状態では未だ出力Voutのレベルは低下を開始しない。やがて、入力Vinが更に上昇して電源VccよりPチャネルトランジスタpMOSの閾値電圧低いレベルを超えると、PチャネルトランジスタpMOSが非導通になり、電流Inにより出力VoutのレベルがグランドVssレベルまで低下する。
【0014】
つまり、入力Vinの立ち上がり時は、第1のインダクタンスLpには貫通電流発生に伴う電流Ipが一時的に発生し、第2のインダクタンスLnには貫通電流発生時から電流Ipがなくなった後も電流Inが継続し、出力VoutがグランドレベルVssに下がると電流Inはなくなる。逆に、入力Vinが立ち下がる時は、第2のインダクタンスLnには貫通電流発生に伴う電流Inが一時的に発生し、第1のインダクタンスLpには貫通電流発生時から電流Inがなくなった後も電流Ipが継続し、出力Voutが電源レベルVccに上昇すると電流Ipはなくなる。
【0015】
上記のインバータの第1、第2のインダクタンスに発生する電流を考慮して、図2の差動クロック生成回路の動作について以下説明する。
【0016】
図4は、正転入力と反転入力のエッジの位相が一致している場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。実線が正転側、破線が反転側の波形図である。(1)に示すとおり、同じタイミングで正転入力Vinは立ち上がり反転入力Vinxは立ち下がっている。その入力に応答して、インバータA11,A12の反転動作により、正転側出力電圧Voutは立ち下がり、反転側出力電圧Voutxは立ち上がっている。
【0017】
図3のCMOSインバータの動作で説明したとおり、正転入力Vinの立ち上がりに応答して、インバータA11のNチャネルトランジスタnMOSには電流In(図中(3))が発生し、更にインバータA11のPチャネルトランジスタpMOSには一時的な貫通電流Ip(図中(6))が発生する。NチャネルトランジスタnMOSの電流Inは第2のインダクタンスLnにも流れ、相互インダクタンスMnによる誘導逆起電力により、インバータA12の第2のインダクタンスLnxには負の電流Inkx(図中(5))が発生する。但し、この電流Inkxは、反転側のインバータA12に電流Ipx(図中(6))と電流Inx(図中(3))とが同時に流れる貫通電流発生期間中のみしか発生しない。時間t1を過ぎると、インバータA12のNチャネルトランジスタnMOSがオフになるので、第2のインダクタンスLnxに誘導逆起電力による電流は発生しない。一方、インバータA11のPチャネルトランジスタpMOSに一時的に発生する電流Ip(図中(6))は第1のインダクタンスLpにも流れ、相互インダクタンスMpによる誘導逆起電力により、インバータA12の第1のインダクタンスLpxには負電流と正電流Ipkx(図中(8))が発生する。
【0018】
要すれば、正転側のインバータA11の動作により、反転側のインバータA12に対しては、第1のインダクタンスLpxには負電流と正電流Ipkx(図中(8))が、第2のインダクタンスLnxには負電流Inkx(図中(5))が発生するので、結局、負電流InkxによりインバータA12の出力VoutxからグランドVssに流れる電流が少なくなり、反転側出力Voutxの立ち上がりが加速される。つまり、立ち上がり波形がより急峻になる。
【0019】
逆に、反転側のインバータA12の動作による正転側のインバータA11への相互誘導作用を説明すると、上記の説明と全く逆になる。つまり、反転入力Vinxの立ち下がりに応答して、反転側インバータA12には、トランジスタnMOSに一時的に電流Inxが発生し、トランジスタpMOSに大きな駆動電流Ipxが流れる。電流Inxに誘導されて正転側インバータA11の第2のインダクタンスには負電流と正電流Ink(図中(4))が発生し、電流Ipxに誘導されてインバータA11の第1のインダクタンスには負電流Ipk(図中(7))が発生する。その結果、正転側出力Voutの立ち下がりが加速され、立ち下がり波形がより急峻になる。
【0020】
以上のように、相互インダクタンスによる相互誘導作用により、それぞれの出力駆動電流が増加し、正転側クロックと反転側クロックの立ち上がり及び立ち下がり波形が急峻になる。つまり、図2の差動クロック発生回路には、波形整形機能を有する。
【0021】
図5は、正転入力のエッジの位相が反転入力のエッジの位相より進んでいる場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。図5の例では、インバータA11,A12について、正転入力Vinの立ち上がりが反転入力Vinxの立ち下がりより早いタイミングで発生した場合の動作波形が示される。
【0022】
正転入力Vinの立ち上がりタイミングが早いことに伴って、インバータA11に発生する電流In(図中(3))と電流Ip(図中(6))とは、インバータA12に発生する電流Inx(図中(3))と電流Ipx(図中(6))よりも早いタイミングで発生している。図4においてこれらの電流の発生タイミングが一致していることと比較するとタイミングが早くなっていることが理解できる。
【0023】
そこで、正転側インバータA11のインダクタンスの電流In,Ipによる誘導逆起電力に基づく反転側インバータA12への影響を説明すると、インバータA11のトランジスタnMOSの電流In(図中(3))が第2のインダクタンスLnに発生することにより、相互インダクタンスMnにより、反転側インバータA12の第2のインダクタンスLnxには負電流Inkx(図中(5))が発生する。但し、この負電流Inkxは、図3(5)の場合と比較すると、その期間は短い。つまり、反転側インバータA12のNチャネルトランジスタnMOSが導通して電流Inxが流れている間(t3)であって、正転側インバータA11のNチャネルトランジスタnMOSに流れる電流Inが変化している間(t2の上昇中)に、負電流Inkxが発生する。タイミングのずれに伴って、電流Inxが発生中に電流Inの立ち上がりが完了するため、負電流Inkxの期間は短くなっている。但し、この負電流Inkxにより反転側出力Voutxの立ち上がり動作は加速される。
【0024】
一方、正転側インバータA11のトランジスタpMOSの電流Ip(図中(6))が第1のインダクタンスLpに発生することにより、反転側インバータA12の第1のインダクタンスLpxには正電流Ipkx(図中(8))が発生する。この電流Ipkxは、反転側インバータA12のPチャネルトランジスタpMOSが導通して電流Ipxが流れている間(t5)であって、正転側A11のPチャネルトランジスタpMOSに流れる電流Ipが変化している間(t4)に発生し、電流Ipの減少に対応した正電流である。図4(8)と比較すると晃化の通り、電流Ipxが発生している期間t5がずれたため、電流Ipの立ち上がり動作に対応した負電流は発生していない。つまり、電流Ipkxにより反転側出力Voutxの立ち上がり動作は加速される。
【0025】
以上の通り、正転側インバータA11の動作による影響により、反転側インバータA12の出力Voutxの立ち上がり動作は、電流InkxとIpkx(図中(5)(8))とにより加速される。
【0026】
逆に、反転側インバータA12の動作による正転側インバータA11への影響について説明すると、反転側インバータA12の第2のインダクタンスLnxには電流Inx(図中(3))が発生し、その電流Inxが発生する期間t3中は正転側インバータA11のトランジスタnMOSに電流Inが発生している(t2)。従って、電流Inxに対する誘導逆起電力により正転側インバータA11の第2のインダクタンスLnには負電流と正電流Ink(図中(4))が発生する。この電流Inkは負電流と正電流であるので、正転側出力Voutの立ち下がり動作への加速はない。
【0027】
一方、反転側インバータA12の第1のインダクタンスLpxには電流Ipx(図中(6))が発生し、この電流Ipxによる誘導逆起電力により正転側インバータA11の第1のインダクタンスLpには負電流Ipk(図中(7))が発生する。この電流Ipxは、正転側インバータA11のトランジスタnMOSが導通している期間t4の間のみ発生するので、図4(7)に比較すると負電流Ipkの発生期間は短くなっている。この負電流Ipkにより、正転側出力Voutの立ち下がり動作は加速される。
【0028】
以上のとおり、反転側インバータA12の動作による影響により、正転側インバータA11の出力Voutの立ち下がり動作は、電流Ipk(図中(7))によってのみ加速される。従って、Ipk<Inkx+Ipkxの関係から、正転側出力Voutへの加速よりも反転側出力Voutxへの加速のほうが大きくなる。その結果、トータルでは、反転側出力Voutxの立ち上がり動作のほうが、正転側出力Voutの立ち下がり動作よりもより強く加速され、両クロックのエッジが急峻になりながら、且つ位相遅れのあるほうの反転クロックのエッジがより急峻になり、遅延が補償される。
【0029】
図6は、正転入力のエッジの位相が反転入力のエッジの位相より進んでいる場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。図6の例では、インバータA11,A12について、正転入力Vinの立ち下がりが反転入力Vinxの立ち上がりより早いタイミングで発生した場合の動作波形が示される。図6の波形は、図5の波形のPチャネル側とNチャネル側とが逆になっているだけである。従って、図6の場合も、電流InkxとIpkxにより反転側出力Voutxの立ち下がりが加速され、電流Ipkによる正転側出力Voutの立ち上がりが加速されるので、Inkx+Ipkx>Ipkの関係より、位相遅れを有する反転側出力Voutxの加速のほうが正転側出力Voutの加速よりも大きい。
【0030】
以上のとおり、図2の差動クロック生成回路によれば、正転側のインバータと反転側インバータ間の相互インダクタンスによる誘導逆起電力電流の発生により、両クロックの立ち上がりと立ち下がりが加速され、位相が遅れているクロックの立ち上がりと立ち下がりがより強く加速される。従って、この差動クロック生成回路は、波形整形機能と遅延補償機能の両方を兼ね備えている。
【0031】
図7は、図2の差動クロック生成回路の動作シュミレーション結果を示す図である。(1)は正転入力と反転入力を示し、実線のほうが破線よりも位相が進んでいる。(2)は、5段のインバータを通過した後の正転側出力と反転側出力を示し、両波形がクロスするポイントが中央に近づいていることから明らかなとおり、両者の位相差は縮められている。更に、(3)は10段のインバータを通過した後の出力波形、(4)は15段のインバータを通過した後の出力波形をそれぞれ示す。インバータの段数が増すことにより、両波形の位相差が縮められていることが明らかである。
【0032】
図2の差動クロック生成回路は、全てのインバータにインダクタンスが設けられているが、一部のインバータにインダクタンスが設けられていても良い。
【0033】
以上の実施の形態をまとめると、以下の付記の通りである。
【0034】
(付記1)正転クロック及び反転クロックを伝播して両クロックの位相ずれを補償する差動クロック生成回路において、
前記正転クロックを伝播し縦列に接続された1以上の正転側CMOSインバータと、
前記反転クロックを伝播し縦列に接続された1以上の反転側CMOSインバータとを有し、
前記正転側CMOSインバータ及び反転側CMOSインバータが、第1の電源と出力端子との間にPチャネルトランジスタと直列に設けられた第1のインダクタンスと、第2の電源と出力端子との間にNチャネルトランジスタと直列に設けられた第2のインダクタンスとを有し、前記第1のインダクタンス間及び第2のインダクタンス間で相互インダクタンスを有することを特徴とする差動クロック生成回路。
【0035】
(付記2)付記1において、
前記第1のインダクタンスは、前記Pチャネルトランジスタのソースと第1の電源との間に設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0036】
(付記3)付記1において、
前記第2のインダクタンスは、前記Nチャネルトランジスタのソースと第2の電源との間に設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0037】
(付記4)付記1において、
前記第1のインダクタンスは、前記Pチャネルトランジスタのドレインと出力端子との間に設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0038】
(付記5)付記1において、
前記第2のインダクタンスは、前記Nチャネルトランジスタのドレインと出力端子との間に設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0039】
(付記6)付記1において、
前記正転クロックの立ち上がり及び立ち下がりのエッジが、前記反転クロックの立ち下がり及び立ち上がりエッジと整合していることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0040】
(付記7)付記1において、
前記複数の正転側CMOSインバータを通過して生成された正転クロックと、前記複数の反転側CMOSインバータを通過して生成された反転クロックとが、通信用集積回路の入力回路の入力ラッチ用クロックとして出力されることを特徴とする差動クロック生成回路。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、差動クロックの遅延を補償することができ、更に波形を急峻にすることができる差動クロック生成回路を提供することができる。この差動クロック生成回路は、通信用ICのローカルクロックを生成する回路としての利用性がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の遅延補償機能付き差動クロック生成回路と波形図を示す図である。
【図2】本実施の形態における差動クロック生成回路を示す図である。
【図3】CMOSインバータ回路を示す図である。
【図4】正転入力と反転入力のエッジの位相が一致している場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。
【図5】正転入力のエッジの位相が反転入力のエッジの位相より進んでいる場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。
【図6】正転入力のエッジの位相が反転入力のエッジの位相より進んでいる場合のCMOSインバータA11,A12の動作波形図である。
【図7】図2の差動クロック生成回路の動作シュミレーション結果を示す図である。
【符号の説明】
A11、A21、A31:正転側CMOSインバータ、
A12、A22、A32:反転側のCMOSインバータ、
Lp、Lpx:第1のインダクタンス、
Lu、Lux:第2のインダクタンス
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a differential clock generation circuit with a delay compensation function, and more particularly to a differential clock generation circuit having a waveform shaping function and a function of matching the phase of a differential clock.
[0002]
[Prior art]
An integrated circuit for communication has an input circuit that inputs and latches a high-speed input signal in synchronization with a differential clock. The input circuit with a latch function inputs an input signal while the differential clock is in the first state, generates a state corresponding to the H level or L level of the input signal, and the differential clock is in the second state. When the state is reached, the state is latched and the input signal is cut off. In that case, a differential clock that can sample and latch the input signal from a high-speed input signal is locally generated. Therefore, a differential clock generation circuit for generating a differential clock for synchronization is provided locally.
[0003]
In optical communication using optical fiber, the change of the input signal is very fast, and in order to accurately latch the H level or L level of the input signal, the phase of the differential clock for synchronization may be matched. Desired. The phase difference between the normal clock and the inverted clock of the differential clock means that the timing of the rising edge of the normal clock and the falling edge of the inverted clock match, and the falling edge of the normal clock and the rising edge of the inverted clock. Are exactly the same, and exactly, both clocks have a phase difference of exactly 180 °. Therefore, the differential clock generation circuit is required to have a function of compensating for the delay of the edges of both clocks.
[0004]
FIG. 1 is a diagram showing a conventional differential clock generation circuit with a delay compensation function and a waveform diagram. Differential clocks CLK and CLKx having the same phase are generated from the normal input Vin and the inverted input Vinx generated by a voltage controlled oscillation circuit (VCO) (not shown). Inverters A11, A21, and A31 are connected in cascade on the forward input Vin side, and inverters A12, A22, and A32 are connected in cascade on the inverted input Vinx side. For delay compensation at the input and output terminals of each inverter Inverters B11, B12, B21, B22, B31, and B32 are provided. These inverters are CMOS inverters composed of P-channel transistors and N-channel transistors. The waveform diagram shows the outputs Vout and Voutx of the inverters A11 and A12 for both inputs Vin and Vinx. This conventional differential clock generation circuit is described in the following document.
[0005]
[Patent Literature]
The operation of the inverters A11 and A12 will be described. When the input voltage Vin rises, when the P-channel transistor of the inverter A11 is turned off, the output voltage Vout starts to fall, and the input voltage Vinx Falls, the output voltage Voutx starts to rise when it reaches a level that turns off the N-channel transistor of the inverter A12. If the phase of the normal output Vout is ahead of the phase of the reverse output Voutx, the inverter B21 forcibly raises the reverse output Voutx to advance the phase of the reverse output Voutx. To do. Conversely, when the phase of the forward rotation side output Vout is delayed from the phase of the reverse rotation side output Voutx, the forward rotation side output Vout is forcibly raised by the inverter B22 to advance the phase of the forward rotation side output Vout. Try to. As a result, the phases of the normal rotation clock CLK and the inversion clock CLKx come to coincide. That is, this differential clock generation circuit has a function of compensating for the delay between both clocks CLK and CLKx.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the differential clock generation circuit of FIG. 1, since the output of the inverter A11 is connected to the inputs of the inverters A21 and B21, the fanout of the inverter A11 becomes 2, and the rise time tr (time of the output of the inverter A11) of rising) and falling time tf (time of falling) become longer, the rising and falling waveforms of the differential clock become slow, and a differential clock having sharp rising and falling edges can be generated. It has a problem that it cannot be done. In other words, by providing the inverters B11, B12, B21, B22, B31, B32, the delay of the edge of one clock is compensated, but the inverters A11, A21, A31, A12, A22 that propagate the clock by that inverter , The fanout of A32 increases and the slope of the edge becomes large.
[0007]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a differential clock generation circuit capable of solving the above-described problems and shortening the rise time and the fall time to compensate for the mutual delay.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, in a differential clock generation circuit that propagates a normal clock and an inverted clock to compensate for a phase shift between both clocks, a plurality of normal clocks that propagate the normal clock and are connected in cascade are provided. Side CMOS inverter and an inversion side CMOS inverter that propagates the inversion clock and is connected in series, and the normal side inversion CMOS inverter and the inversion side CMOS inverter are connected between the first power source and the output terminal. A first inductance provided in series with the channel transistor, and a second inductance provided in series with the N-channel transistor between the second power supply and the output terminal, and between the first inductance and It has a mutual inductance between the second inductances.
[0009]
According to the first aspect, the phase of the clock that is delayed in phase is further accelerated by the induced current caused by the mutual inductance between the first inductance and the second inductance. Thus, the operation is performed so that the rising and falling edges of both clocks become steep. Therefore, the differential clock generation circuit can generate a differential clock in which the phases of the rising edge and the falling edge coincide.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the protection scope of the present invention is not limited to the following embodiments, but extends to the invention described in the claims and equivalents thereof.
[0011]
FIG. 2 is a diagram illustrating a differential clock generation circuit according to the present embodiment. A normal rotation input Vin generated by a voltage controlled oscillation circuit (VCO) (not shown) is input to the inverter A11 and propagates through a plurality of cascade-connected normal inverters A11, A21, A31 to generate a normal rotation clock CLK. Generated. Similarly, an inverting input Vinx generated by a VCO or the like (not shown) is input to the inverter A12 and propagates through a plurality of inverting side inverters A12, A22, A32 connected in cascade to generate an inverted clock CLKx. Each inverter has a first inductance Lp, Lpx between the output terminal and the first power supply Vcc, and a second inductance Ln, Lnx between the output terminal and the second power supply (ground) Vss, respectively. Provided. The first inductance and the second inductance have mutual inductances Mp and Mn, respectively. When a current is generated in one inductance, an induced back electromotive force is generated in the other inductance.
[0012]
FIG. 3 shows a CMOS inverter circuit. FIG. 3 shows the inverter A11 of FIG. 2 and the first and second inductances Lp and Ln connected thereto. In the example of FIG. 3A, a first inductance Lp is provided between the power supply Vcc and the P-channel transistor pMOS, and a second inductance Ln is provided between the ground Vss and the N-channel transistor nMOS. . In the example of FIG. 3B, a first inductance Lp2 is provided between the P-channel transistor pMOS and the output Vout, and a second inductance Ln2 is provided between the N-channel transistor nMOS and the output Vout. ing. In either example, a first inductance is provided in series with the P-channel transistor pMOS between the power supply Vcc and the output Vout, and a second inductance is provided in series with the N-channel transistor nMOS between the ground Vss and the output Vout. Is provided.
[0013]
In the operation of the CMOS inverter shown in FIG. 3, when the input Vin rises from the L level to the H level, the N channel transistor nMOS becomes conductive when the input voltage exceeds the threshold voltage of the N channel transistor nMOS from the ground Vss level, and the output Vout A current In is generated that discharges the parasitic capacitance. However, a current Ip from the power supply Vcc to the ground Vss is also generated in the P channel transistor pMOS which is in a conductive state at that time, and as a result, a through current is temporarily generated. Accordingly, in this state, the output Vout level has not yet started to decrease. When the input Vin further rises and exceeds the level lower than the threshold voltage of the P-channel transistor pMOS than the power supply Vcc, the P-channel transistor pMOS becomes non-conductive, and the level of the output Vout is lowered to the ground Vss level due to the current In.
[0014]
In other words, when the input Vin rises, the current Ip accompanying the generation of the through current is temporarily generated in the first inductance Lp, and the current Ip is no longer present in the second inductance Ln after the current Ip has disappeared since the generation of the through current. When In continues and the output Vout drops to the ground level Vss, the current In disappears. On the contrary, when the input Vin falls, the current In accompanying the generation of the through current is temporarily generated in the second inductance Ln, and after the current In has been lost in the first inductance Lp since the generation of the through current. However, when the current Ip continues and the output Vout rises to the power supply level Vcc, the current Ip disappears.
[0015]
The operation of the differential clock generation circuit of FIG. 2 will be described below in consideration of currents generated in the first and second inductances of the inverter.
[0016]
FIG. 4 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the edges of the normal input and the inverted input are in phase. The solid line is a waveform diagram on the forward rotation side, and the broken line is a waveform diagram on the reverse side. As shown in (1), at the same timing, the normal input Vin rises and the inverted input Vinx falls. In response to the input, the inversion operation of the inverters A11 and A12 causes the normal output voltage Vout to fall and the inversion output voltage Voutx to rise.
[0017]
As described in the operation of the CMOS inverter in FIG. 3, in response to the rising edge of the normal input Vin, a current In ((3) in the figure) is generated in the N-channel transistor nMOS of the inverter A11, and the P of the inverter A11 is further increased. A temporary through current Ip ((6) in the figure) is generated in the channel transistor pMOS. The current In of the N-channel transistor nMOS also flows through the second inductance Ln, and a negative current Inkx ((5) in the figure) is generated in the second inductance Lnx of the inverter A12 due to the induced back electromotive force due to the mutual inductance Mn. To do. However, the current Inkx is generated only during the through current generation period in which the current Ipx ((6) in the figure) and the current Inx ((3) in the figure) simultaneously flow in the inverter A12 on the inverting side. After the time t1, the N-channel transistor nMOS of the inverter A12 is turned off, so that no current due to the induced back electromotive force is generated in the second inductance Lnx. On the other hand, the current Ip ((6) in the figure) temporarily generated in the P-channel transistor pMOS of the inverter A11 also flows through the first inductance Lp, and the first counter current of the inverter A12 is generated by the induced back electromotive force due to the mutual inductance Mp. A negative current and a positive current Ipkx ((8) in the figure) are generated in the inductance Lpx.
[0018]
In short, due to the operation of the inverter A11 on the forward rotation side, the negative inductance and the positive current Ipkx ((8) in the figure) are included in the first inductance Lpx and the second inductance for the inverter A12 on the reverse rotation side. Since a negative current Inkx ((5) in the figure) is generated in Lnx, the current flowing from the output Voutx of the inverter A12 to the ground Vss is reduced by the negative current Inkx, and the rising of the inverting side output Voutx is accelerated. That is, the rising waveform becomes steeper.
[0019]
On the other hand, when the mutual induction action to the normal rotation side inverter A11 by the operation of the inversion side inverter A12 is described, it is completely opposite to the above description. That is, in response to the fall of the inverting input Vinx, in the inverting-side inverter A12, a current Inx is temporarily generated in the transistor nMOS, and a large driving current Ipx flows in the transistor pMOS. A negative current and a positive current Ink ((4) in the figure) are generated in the second inductance of the forward inverter A11 induced by the current Inx, and the first inductance of the inverter A11 is induced by the current Ipx. A negative current Ipk ((7) in the figure) is generated. As a result, the falling of the normal output Vout is accelerated, and the falling waveform becomes steeper.
[0020]
As described above, due to the mutual inductive action due to the mutual inductance, the respective output drive currents increase, and the rising and falling waveforms of the forward rotation clock and the inverted clock become steep. That is, the differential clock generation circuit of FIG. 2 has a waveform shaping function.
[0021]
FIG. 5 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the phase of the edge of the normal input is ahead of the phase of the edge of the inverted input. In the example of FIG. 5, for the inverters A11 and A12, operation waveforms when the rising edge of the normal input Vin occurs at a timing earlier than the falling edge of the inverted input Vinx are shown.
[0022]
A current Inx ((3) in the figure) and a current Ip ((6) in the figure) generated in the inverter A11 with the rising timing of the normal input Vin being early are the current Inx (in the figure (6)) in the inverter A12. It occurs at a timing earlier than the middle (3)) and the current Ipx ((6) in the figure). In FIG. 4, it can be understood that the timing is earlier than that in which the generation timings of these currents coincide.
[0023]
Therefore, the effect of the inductance of the forward inverter A11 on the inverting inverter A12 based on the induced counter electromotive force due to the currents In and Ip will be described. The current In ((3) in the figure) of the transistor nMOS of the inverter A11 is the second. The negative inductance Inkx ((5) in the figure) is generated in the second inductance Lnx of the inverting-side inverter A12 due to the mutual inductance Mn. However, this period of the negative current Inkx is shorter than that in the case of FIG. That is, while the N-channel transistor nMOS of the inverting inverter A12 is conducting and the current Inx flows (t3), the current In flowing through the N-channel transistor nMOS of the non-inverting inverter A11 is changing ( During the rise of t2, a negative current Inkx is generated. As the timing shifts, the rise of the current In is completed while the current Inx is being generated, so the period of the negative current Inkx is shortened. However, the rising operation of the inversion side output Voutx is accelerated by the negative current Inkx.
[0024]
On the other hand, when a current Ip ((6) in the figure) of the transistor pMOS of the normal inverter A11 is generated in the first inductance Lp, a positive current Ipkx (in the figure) is generated in the first inductance Lpx of the inverter A12. (8)) occurs. This current Ipkx is during the period (t5) during which the P-channel transistor pMOS of the inverting inverter A12 conducts and the current Ipx flows (t5), and the current Ip flowing through the P-channel transistor pMOS of the normal rotation A11 changes. This is a positive current generated during the period (t4) and corresponding to the decrease in the current Ip. As compared with FIG. 4 (8), as hatched, the period t5 in which the current Ipx is generated is shifted, so that a negative current corresponding to the rising operation of the current Ip is not generated. That is, the rising operation of the inversion side output Voutx is accelerated by the current Ipkx.
[0025]
As described above, the rising operation of the output Voutx of the inverting inverter A12 is accelerated by the current Inkx and Ipkx ((5) (8) in the figure) due to the influence of the operation of the normal inverter A11.
[0026]
Conversely, the effect of the operation of the inverting inverter A12 on the forward inverter A11 will be described. A current Inx ((3) in the figure) is generated in the second inductance Lnx of the inverting inverter A12, and the current Inx During the period t3 during which the current is generated, the current In is generated in the transistor nMOS of the normal inverter A11 (t2). Therefore, a negative current and a positive current Ink ((4) in the figure) are generated in the second inductance Ln of the forward inverter A11 by the induced counter electromotive force with respect to the current Inx. Since this current Ink is a negative current and a positive current, there is no acceleration to the falling operation of the normal output Vout.
[0027]
On the other hand, a current Ipx ((6) in the figure) is generated in the first inductance Lpx of the inverting-side inverter A12, and the first inductance Lp of the normal-rotation-side inverter A11 is negative due to the induced back electromotive force generated by the current Ipx. A current Ipk ((7) in the figure) is generated. Since the current Ipx is generated only during the period t4 in which the transistor nMOS of the normal rotation side inverter A11 is conducting, the generation period of the negative current Ipk is shorter than that in FIG. 4 (7). Due to this negative current Ipk, the falling operation of the normal output Vout is accelerated.
[0028]
As described above, due to the influence of the operation of the inverting inverter A12, the falling operation of the output Vout of the normal inverter A11 is accelerated only by the current Ipk ((7) in the figure). Therefore, from the relationship of Ipk <Inkx + Ipkx, acceleration to the inversion side output Voutx is larger than acceleration to the normal side output Vout. As a result, in total, the rising operation of the inverting output Voutx is accelerated more strongly than the falling operation of the non-inverting output Vout, and the reversal of the one with the phase delay while both clock edges become steep The clock edge becomes steeper and the delay is compensated.
[0029]
FIG. 6 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the phase of the edge of the normal input is ahead of the phase of the edge of the inverted input. In the example of FIG. 6, for the inverters A11 and A12, operation waveforms when the falling edge of the normal rotation input Vin occurs at an earlier timing than the rising edge of the inverting input Vinx are shown. The waveform of FIG. 6 is merely the reverse of the P channel side and the N channel side of the waveform of FIG. Therefore, also in the case of FIG. 6, the falling of the inverting side output Voutx is accelerated by the currents Inkx and Ipkx, and the rising of the normal side output Vout due to the current Ipk is accelerated. The inversion side output Voutx acceleration is greater than the forward rotation side output Vout acceleration.
[0030]
As described above, according to the differential clock generation circuit of FIG. 2, the rising and falling of both clocks are accelerated by the generation of the induced counter electromotive force current due to the mutual inductance between the forward inverter and the inverting inverter, The rise and fall of the clock that is delayed in phase is accelerated more strongly. Therefore, this differential clock generation circuit has both a waveform shaping function and a delay compensation function.
[0031]
FIG. 7 is a diagram illustrating an operation simulation result of the differential clock generation circuit of FIG. (1) indicates a normal rotation input and an inverting input, and the solid line is more advanced in phase than the broken line. (2) shows normal output and reverse output after passing through a 5-stage inverter, and as is clear from the fact that the point where both waveforms cross is close to the center, the phase difference between the two is reduced. ing. Further, (3) shows the output waveform after passing through the 10-stage inverter, and (4) shows the output waveform after passing through the 15-stage inverter. It is clear that the phase difference between both waveforms is reduced by increasing the number of inverter stages.
[0032]
In the differential clock generation circuit of FIG. 2, all inverters are provided with inductance, but some inverters may be provided with inductance.
[0033]
The above embodiment is summarized as follows.
[0034]
(Supplementary Note 1) In a differential clock generation circuit that propagates a forward clock and an inverted clock to compensate for a phase shift between both clocks,
One or more forward CMOS inverters propagating the forward clock and connected in series;
One or more inversion-side CMOS inverters that propagate the inversion clock and are connected in series;
The forward-side CMOS inverter and the inversion-side CMOS inverter are provided between a first inductance provided in series with a P-channel transistor between a first power supply and an output terminal, and between a second power supply and the output terminal. A differential clock generation circuit having a second inductance provided in series with an N-channel transistor and having a mutual inductance between the first inductance and the second inductance.
[0035]
(Appendix 2) In Appendix 1,
The differential clock generation circuit, wherein the first inductance is provided between a source of the P-channel transistor and a first power supply.
[0036]
(Appendix 3) In Appendix 1,
The differential clock generation circuit, wherein the second inductance is provided between a source of the N-channel transistor and a second power supply.
[0037]
(Appendix 4) In Appendix 1,
The differential clock generation circuit, wherein the first inductance is provided between a drain of the P-channel transistor and an output terminal.
[0038]
(Appendix 5) In Appendix 1,
The differential clock generation circuit, wherein the second inductance is provided between a drain and an output terminal of the N-channel transistor.
[0039]
(Appendix 6) In Appendix 1,
A differential clock generation circuit, wherein rising and falling edges of the normal clock are aligned with falling and rising edges of the inverted clock.
[0040]
(Appendix 7) In Appendix 1,
A normal clock generated by passing through the plurality of forward-side CMOS inverters and an inverted clock generated by passing through the plurality of reverse-side CMOS inverters are used for input latches of the input circuit of the communication integrated circuit. A differential clock generation circuit characterized by being output as a clock.
[0041]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to provide a differential clock generation circuit that can compensate for the delay of the differential clock and can further sharpen the waveform. This differential clock generation circuit can be used as a circuit for generating a local clock of a communication IC.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a conventional differential clock generation circuit with a delay compensation function and a waveform diagram.
FIG. 2 is a diagram showing a differential clock generation circuit in the present embodiment.
FIG. 3 is a diagram showing a CMOS inverter circuit.
FIG. 4 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the phases of the edges of the normal input and the inverted input are the same.
FIG. 5 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the phase of the edge of the normal input is ahead of the phase of the edge of the inverted input.
FIG. 6 is an operation waveform diagram of the CMOS inverters A11 and A12 when the phase of the edge of the normal input is ahead of the phase of the edge of the inverted input.
7 is a diagram illustrating an operation simulation result of the differential clock generation circuit of FIG. 2;
[Explanation of symbols]
A11, A21, A31: Forward rotation side CMOS inverter,
A12, A22, A32: CMOS inverter on the inverting side,
Lp, Lpx: first inductance,
Lu, Lux: second inductance

Claims (5)

正転クロック及び反転クロックを伝播する差動クロック生成回路において、
前記正転クロックを伝播する正転側CMOSインバータと、
前記反転クロックを伝播する反転側CMOSインバータとを有し、
前記正転側CMOSインバータ、第1の電源と第1の出力端子との間に第1のPチャネルトランジスタと直列に設けられた第1のインダクタンスと、第2の電源と前記第1の出力端子との間に第1のNチャネルトランジスタと直列に設けられた第2のインダクタンスとを有し、
前記反転側CMOSインバータは、前記第1の電源と第2の出力端子との間に第2のPチャネルトランジスタと直列に設けられた第3のインダクタンスと、第2の電源と前記第2の出力端子との間に第2のNチャネルトランジスタと直列に設けられた第4のインダクタンスとを有し、
前記第1のインダクタンスと前記第3のインダクタンスとの間及び前記第2のインダクタンスと前記第4のインダクタンスとの間でそれぞれ相互インダクタンスを有することを特徴とする差動クロック生成回路。
In the differential clock generation circuit that propagates the forward clock and the inverted clock,
A forward-side CMOS inverter that propagates the forward clock;
An inversion-side CMOS inverter that propagates the inversion clock;
The forward rotation side CMOS inverter includes a first inductance provided in series with a first P-channel transistor between a first power source and a first output terminal, a second power source, and the first output. And a second inductance provided in series with the first N-channel transistor between the terminals,
The inverting-side CMOS inverter includes a third inductance provided in series with a second P-channel transistor between the first power supply and the second output terminal, a second power supply, and the second output. And a fourth inductance provided in series with the second N-channel transistor between the terminals and
Differential clock generation circuit characterized by having a respective mutual inductances between and between the second inductance and the fourth inductance of the third inductance and said first inductance.
請求項1において、
前記第1及び第3のインダクタンスは、前記第1及び第2のPチャネルトランジスタのソースと前記第1の電源との間にそれぞれ設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
In claim 1,
It said first and third inductance differential clock generation circuit, characterized in that provided respectively between the source and the first power supply of the first and second P-channel transistor.
請求項1において、
前記第2及び第4のインダクタンスは、前記第1及び第2のNチャネルトランジスタのソースと前記第2の電源との間にそれぞれ設けられていることを特徴とする差動クロック生成回路。
In claim 1,
The second and fourth inductance differential clock generation circuit, characterized in that provided respectively between the source and the second power supply of the first and second N-channel transistor.
請求項1において、
前記正転クロックの立ち上がり及び立ち下がりのエッジが、前記反転クロックの立ち下がり及び立ち上がりエッジと整合していることを特徴とする差動クロック生成回路。
In claim 1,
A differential clock generation circuit, wherein rising and falling edges of the normal clock are aligned with falling and rising edges of the inverted clock.
請求項1において、
前記正転側CMOSインバータを通過して生成された正転クロックと、前記反転側CMOSインバータを通過して生成された反転クロックとが、通信用集積回路の入力回路の入力ラッチ用クロックとして出力されることを特徴とする差動クロック生成回路。
In claim 1,
A normal clock generated by passing through the forward CMOS inverter and an inverted clock generated by passing through the inverted CMOS inverter are output as input latch clocks for the input circuit of the communication integrated circuit. A differential clock generation circuit.
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