JP4086917B2 - ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 - Google Patents
ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4086917B2 JP4086917B2 JP20005196A JP20005196A JP4086917B2 JP 4086917 B2 JP4086917 B2 JP 4086917B2 JP 20005196 A JP20005196 A JP 20005196A JP 20005196 A JP20005196 A JP 20005196A JP 4086917 B2 JP4086917 B2 JP 4086917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- thermistor
- sio
- sealed
- thermistor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、家電機器、住設機器、自動車機器などの温度センサとして用いられ、高耐熱性が要求される分野に有用なガラス封止形サーミスタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス封止形サーミスタの製造技術としては、例えば特公昭61ー38601号公報に開示されるように、相対する面に電極を形成したサーミスタ素体を、２本のジュメット線の間に挟み込み、ジュメット線からサーミスタ素体に対して、垂直方向に荷重をかけながら、ガラスを溶融し、封止を行う技術が知られている。
【０００３】
このようにして得られたガラス封止形サーミスタは、ガラスの溶融固化時の圧縮応力と、組立時の荷重による機械的応力により、サーミスタ素体の電極と、ジュメット線との接触導通を確保している。
【０００４】
上述のようにして得られたガラス封止形サーミスタの問題点の一つは、外部から機械的ストレスや熱的ストレスが加わった場合、サーミスタ素体の電極とジュメット線との間に間隙が生じ、電気的にオープンとなり、センサーとしての品質の低下を招くことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、外部から機械的、熱的ストレスが加わっても、不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタを提供することである。
【０００６】
本発明のもう一つの課題は、高度の封止構造を形成すると共に、リード導体及びサーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせた高品質のガラス封止形サーミスタを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明に係るガラス封止形サーミスタは、サーミスタ素子と、２本のリード導体と、封止ガラスとを含む。前記サーミスタ素子は、サーミスタ素体の相対向する両端面に電極を有し、２本のリード導体の間に挟み込まれている。前記リード導体と、前記サーミスタ素子の前記電極との間に、結合層があり前記結合層は、前記リード導体と一体化されていて、前記サーミスタ素子の前記電極との間で、金属拡散による金属結合を構成している。
前記封止ガラスは、前記サーミスタ及び前記リード導体の組立体を封止している。
【０００８】
上記構造のガラス封止形サーミスタは、リード導体と、サーミスタ素子の電極との間に、結合層があり、結合層はリード導体と一体化されていて、サーミスタ素子の電極に対して、金属拡散によって金属結合しているので、サーミスタ素体の電極とリード導体との間に、耐熱性に優れ、機械的結合強度の高い結合を実現できる。このため、外部から機械的、熱的ストレスが加わったても、サーミスタ素体の電極とリード導体との間に間隙が発生することがく、両者間に不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタが得られる。金属結合とは、金属状態での原子間の結合によって生じた結合をいう。
【０００９】
結合層は、好ましくは、封止ガラスの溶融温度領域において、金属結合を生じ得る特性を有する。従って、封止ガラスを溶融させ、高度の封止構造を形成すると共に、リード導体上に一体化して設けた結合層と、サーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせることができる。
【００１０】
サーミスタ素子は、一般には、負の抵抗温度係数を有するサーミスタ素子（以下NTCサーミスタ素子と称する）であるが、正の抵抗温度特性を有するサーミスタ素子（以下PTCサーミスタ素子と称する）であってもよい。
【００１１】
結合層は、一般には、リード導体の表面に被着された膜、例えばメッキ膜である。結合層の材質は、サーミスタ素子の電極の組成等に応じて選択される。結合層は、金属のみならず、金属酸化物によっても構成できる。
【００１２】
本発明に係る製造方法において、サーミスタ素子の両端面に、結合層を有するリード導体を押し付ける。前記結合層は、封止ガラスの溶融温度領域において、前記電極に対して金属結合し得る特性を有する。
【００１３】
次に、前記サーミスタ素子及び前記リード導体を含む組立体を、ガラス管によって覆う。
【００１４】
次に、前記サーミスタ素子、前記リード導体及び前記ガラス管を含む組立体を中性ガス雰囲気中で加熱し、それによって、ガラス管を溶融させ、かつ、前記電極とリード導体に設けられた前記結合層との間に、金属拡散による金属結合を生じさせる。
【００１５】
この製造方法により、サーミスタ特性を損なわず、いかなる熱膨張係数のサーミスタ素体も用いることが可能であり、サーミスタ素体の気密封止も完全であり、外部からの機械的、熱的ストレスで不導通（オープン）にならない高品質で低価格のガラス封止形サーミスタの提供が出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るガラス封止形サーミスタの部分断面図である。図示は、NTCサーミスタ素子を用いたガラス封止形サーミスタ（以下ガラス封止型NTCサーミスタと称する）を示している。但し、PTCサーミスタ素子を用いたガラス封止形サーミスタ（以下ガラス封止型PTCサーミスタと称する）であってもよい。
【００１７】
図示されたガラス封止型NTCサーミスタは、NTCサーミスタ素子１と、２つのジュメット線２１、２２と、封止ガラス３とを含む。NTCサーミスタ素子１は、サーミスタ素体１１の相対向する両端面に電極１２、１３を有し、２本のジュメット線２１ー２２の間に挟み込まれている。ジュメット線２１、２２は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３と接触する端面に、結合層４１、４２が一体に形成されている。このような結合層４１、４２は、例えば、メッキによって形成できる。結合層４１、４２は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で金属拡散による金属結合を生じている。封止ガラス３は、NTCサーミスタ素子１及びジュメット線２１、２２の組立体を封止している。
【００１８】
結合層４１、４２は、封止ガラス３の溶融温度領域において、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を生じる得る特性を有する。金属拡散は、結合層４１、４２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、相互的に行なわれる。
【００１９】
上記構造のガラス封止形サーミスタは、ジュメット線２１、２２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間に結合層４１、４２があり、結合層４１、４２は、リード導体２１、２２と一体化されていて、サーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を構成している。金属拡散結合によれば、耐熱性に優れ、機械的結合強度の高い結合を実現できる。このため、外部から機械的、熱的ストレスが加わっても、サーミスタ素体１１の電極１２、１３とジュメット線２１、２２との間に間隙が発生することがく、両者間に不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタが得られる。
【００２０】
しかも、結合層４１、４２は、封止ガラス３の溶融温度領域において、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を生じ得る特性を有する。従って、封止ガラス３を適切に溶融させ、NTCサーミスタ素子１及びジュメット線２１、２２の組立体を確実に封止しつつ、ジュメット線２１、２２と一体化された結合層４１、４２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間に、金属結合を確実に生じさせることができる。
【００２１】
図示された結合層４１、４２は、薄板で構成されている。この結合層４１、４２は、金属または金属酸化物によって構成できる。結合層４１、４２の材質は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３の組成等に応じて選択される。
【００２２】
NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３は、通常、Ag、 Ag-Pd、 AuまたはAu-Cuの少なくとも１種を主成分とする。ジュメット線２１、２２はFe、 Niを主成分とする合金である。ジュメット線２１、２２の外端面には、リード線５１、５２がそれぞれ接続されている。
【００２３】
上述したNTCサーミスタ素子１に最適な結合層４１、４２は、CuまたはCu2Oを主成分とするものである。完成した状態では、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３と結合層４１、４２との間に、金属拡散による相互的な金属原子移動が発生するので、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３に、結合層４１、４２の主成分であるCuまたはCu2Oが、また、結合層４１、４２には、電極１２、１３の成分が、微量ではあるが含まれることになる。
【００２４】
結合層４１、４２がCuまたはCu2Oによって構成された場合、電極１２、１３として、AgとPdとを含む組成が好ましい。AgとPdの好ましい組成比は、Ag含有量が100〜5(wt%)で、残りがPdの組成比である。
【００２５】
CuまたはCu2Oでなる結合層４１、４２との組み合わせにおいて有効な電極１２、１３の組成の別の例として、AuとCuとを含む場合もある。AuとCuの好ましい組成比は、Au含有量が100〜35(wt%)で、残りがCuの組成比である。
【００２６】
上記組成の電極１２、１３及び結合層４１、４２との組み合わせにおいて、好ましい封止ガラス３の例は、K2O・Pb0・SiO2、 Na2O・Pb0・SiO2、 Na2O・BaO・SiO2、 K2O・BaO・SiO2、 Na2O・B2O3・SiO2、 Na2O・Pb0・B2O3・SiO2またはK2O・B2O3・SiO2から選択された少なくとも１種を主成分とするガラスである。上記組成になる封止ガラス３は、過不足ない溶融状態で、上述した組成の結合層４１、４２による金属結合を、確実に生じさせることができる。
【００２７】
図２は本発明に係るガラス封止形サーミスタの別の実施例を示す部分断面図である。図において、図１と同一の構成部分は同一の参照符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の特徴は、結合層４１、４２が、サーミスタ素子１の電極１２、１３と対向するジュメット線２１、２２の一端面のみならず、外周面にも被着されていることである。この実施例においても、図１に示した実施例と同様の作用効果を奏する。
次に、実施例を参照して、本発明に係るガラス封止形サーミスタの製造方法について説明する。
【００２８】
実施例１
Agを主成分とした電極材料をウエハー状NTCサーミスタ板（直径Ｄ＝５０mm、厚みｔ＝0.25 mm）の両主面に、スパッタ（薄膜法）で電極１２、１３となる電極膜を形成した。但し、電極形成方法として印刷方法（厚膜法）または、蒸着等（薄膜法）でも容易である。次に、ダイシングソーを用いて、0.4 mm角のチップ状に切断した。
【００２９】
次に、チップ状に切断して得られたNTCサーミスタ素子を、結合層として、CuまたはCu2Oでコートしたジュメット線で圧接固定し、NTCサーミスタ素子及びジュメット線２１、２２に種々の材質のガラス管をかぶせた。そして、NTCサーミスタ素子の電極面に垂直に荷重(１０g/mm2)が加わるようにジュメット線２１、２２に力を加え、この状態で中性ガス（Ｎ2）雰囲気中で610〜1250℃の温度条件で、５分間加熱し、ガラス管を溶融させると共に、電極１２、１３及びジュメット線２１、２２を、ジュメット線２１、２２にコートされたCuまたはCu2Oでなる結合層によって金属結合させた。
【００３０】
上述のプロセスによって得られたガラス封止形NTCサーミスタの試料のそれぞれについて、金属結合状態を熱衝撃試験により評価した。
【００３１】
試験条件は
（Ａ）ー４０℃のシリコンオイル中に３０分放置
（Ｂ）ー４０℃のシリコンオイル中から取り出した後、直ちに、200℃の
シリコンオイル中に入れ、３０分放置
条件（Ａ）、（Ｂ）を１サイクルとして、10,000サイクルで評価した。
試料母数は各1000個とし、断線のあったものは不良とし、１個以上発生した試料については不良（×）とし、断線の生じないものを良品（○）とした。
電極組成、ガラス管材質、ガラス溶融温度別を組み合わせた試料No.１〜２８の評価結果を表１ー１及び表１ー２に示す。
【００３２】
＜表１ー１、１ー２の説明＞
試料No.１〜４
ガラス管材質としてK2O・PbO・SiO2を用いた試料NO.１〜４のうち、Agの含有量を８０wt%以上、Pdの含有量を２０wt%以下とした試料NO.１〜３は、620℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
610℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３３】
Pdの含有量を９５wt%、Agの含有量を５wt%以下とした試料NO.３は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３４】
試料No.５〜８
ガラス管材質としてNa2O・PbO・SiO2を用いた試料NO.５〜８のうち、Agの含有量を８０wt%以上、Pdの含有量を２０wt%以下とした試料No.５〜７は、625℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
620℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３５】
Pdの含有量を９５wt%、Agの含有量を５wt%以下とした試料No.８は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３６】
試料No.９〜１２
ガラス管材質としてNa2O・BaO・SiO2を用いた試料No.９〜１２は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３７】
試料No.１３〜１６
ガラス管材質としてK2O・BaO・SiO2を用いた試料No.１３〜１６は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３８】
試料No.１７〜２０
ガラス管材質としてNa2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.１７〜２０のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.１７、１８は、800℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３９】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を８０wt%以下とした試料No.１９、２０は、800℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４０】
試料No.２１〜２４
ガラス管材質としてNa2O・PbO・B2O3・SiO2を用いた試料No.２１〜２４のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.２１、２２は、900℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
800℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４１】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を80wt%以下とした試料No.２３、２４は、900℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
800℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４２】
試料No.２５〜２８
ガラス管材質としてK2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.２５〜２８のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.２５、２６は、800℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。但し、700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４３】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を８０wt%以下とした試料No.２７、２８は、800℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４４】
表１の結果をまとめると、CuまたはCu2Oでなる結合層と、表１に示された電極材料との関係において、適したガラス管材質の溶融温度は次の通りである。
【００４５】
実施例２
Auを主成分とした電極材料をウエハー状NTCサーミスタ板（直径Ｄ＝50 mm、厚みｔ=0.25 mm）の両主面に、スパッタ（薄膜法）で電極を形成する。但し、電極形成方法として印刷方法（厚膜法）または、蒸着等（薄膜法）でも容易である。次に、ダイシングソーを用いて、0.4 mm角のチップ状に切断した。
【００４６】
得られたチップ状のNTCサーミスタ素子を、結合層として、CuまたはCu2Oをコートしたジュメット線で圧接固定し、NTCサーミスタ素子及びおジュメット線に種々の材質のガラス管をかぶせ、NTCサーミスタ素子の電極面に垂直に荷重（１０g/mm2）が加わるようにジュメット線に力を加え、この状態で中性ガス（Ｎ2）雰囲気中で850〜1100℃の温度条件で５分間加熱し、ガラス管のガラス溶融と、NTCサーミスタ素子の電極及びジュメット線を、CuまたはCu2Oでなる結合層によって、金属結合させた。
製造したガラス封止形NTCサーミスタ試料の金属結合状態を実施例１と同様に評価した。電極組成、ガラス管材質、ガラス溶融温度別を組み合わせた試料No.２９〜４２の評価結果を表２に示す。
【００４７】
＜表２の説明＞
試料No.２９、３０
ガラス管材質としてK2O・PbO・SiO2を用いた試料No.２９、３０は、890℃〜965℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下では、ガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４８】
試料No.３１、３２
ガラス管材質としてNa2O・PbO・SiO2を用いた試料No.３１、３２は、890℃〜965℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４９】
試料No.３３〜３６
ガラス管材質として、Na2O・BaO・SiO2を用いた試料No.３３、３４及びK2O・BaO・SiO2を用いた試料No.３５、３６は、890℃〜980℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。1000℃以上では電極材の蒸発が観察された。また、ガラス管が融けすぎ商品価値の無い物となった。
【００５０】
試料No.３７〜４２
ガラス管材質として、Na2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.３７、３８、Na2O・PbO・B2O3・SiO2を用いた試料No.３９、４０及びK2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.４１、４２は、890℃〜1060℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。1100℃以上では電極材の蒸発が観察された。また、ガラス管が融けすぎ商品価値の無い物となった。
【００５１】
表２の結果をまとめると、CuまたはCu2Oでなる結合層と、表２に示された電極材料との関係において、適したガラス管材質の溶融温度は次の通りである。
【００５２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）外部から機械的、熱的ストレスが加わったても、不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタの提供をすることができる。
（ｂ）高度の封止構造を形成すると共に、リード導体及びサーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせた高品質のガラス封止形サーミスタの提供をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るガラス封止型NTCサーミスタの部分断面図である。
【図２】本発明に係るガラス封止型NTCサーミスタの別の実施例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１ NTCサーミスタ素子
１１ サーミスタ素体
１２、１３ 電極
２１、２２ ジュメット線
３ 封止ガラス
４１、４２ 結合層
【発明の属する技術分野】
本発明は、家電機器、住設機器、自動車機器などの温度センサとして用いられ、高耐熱性が要求される分野に有用なガラス封止形サーミスタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラス封止形サーミスタの製造技術としては、例えば特公昭61ー38601号公報に開示されるように、相対する面に電極を形成したサーミスタ素体を、２本のジュメット線の間に挟み込み、ジュメット線からサーミスタ素体に対して、垂直方向に荷重をかけながら、ガラスを溶融し、封止を行う技術が知られている。
【０００３】
このようにして得られたガラス封止形サーミスタは、ガラスの溶融固化時の圧縮応力と、組立時の荷重による機械的応力により、サーミスタ素体の電極と、ジュメット線との接触導通を確保している。
【０００４】
上述のようにして得られたガラス封止形サーミスタの問題点の一つは、外部から機械的ストレスや熱的ストレスが加わった場合、サーミスタ素体の電極とジュメット線との間に間隙が生じ、電気的にオープンとなり、センサーとしての品質の低下を招くことである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、外部から機械的、熱的ストレスが加わっても、不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタを提供することである。
【０００６】
本発明のもう一つの課題は、高度の封止構造を形成すると共に、リード導体及びサーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせた高品質のガラス封止形サーミスタを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明に係るガラス封止形サーミスタは、サーミスタ素子と、２本のリード導体と、封止ガラスとを含む。前記サーミスタ素子は、サーミスタ素体の相対向する両端面に電極を有し、２本のリード導体の間に挟み込まれている。前記リード導体と、前記サーミスタ素子の前記電極との間に、結合層があり前記結合層は、前記リード導体と一体化されていて、前記サーミスタ素子の前記電極との間で、金属拡散による金属結合を構成している。
前記封止ガラスは、前記サーミスタ及び前記リード導体の組立体を封止している。
【０００８】
上記構造のガラス封止形サーミスタは、リード導体と、サーミスタ素子の電極との間に、結合層があり、結合層はリード導体と一体化されていて、サーミスタ素子の電極に対して、金属拡散によって金属結合しているので、サーミスタ素体の電極とリード導体との間に、耐熱性に優れ、機械的結合強度の高い結合を実現できる。このため、外部から機械的、熱的ストレスが加わったても、サーミスタ素体の電極とリード導体との間に間隙が発生することがく、両者間に不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタが得られる。金属結合とは、金属状態での原子間の結合によって生じた結合をいう。
【０００９】
結合層は、好ましくは、封止ガラスの溶融温度領域において、金属結合を生じ得る特性を有する。従って、封止ガラスを溶融させ、高度の封止構造を形成すると共に、リード導体上に一体化して設けた結合層と、サーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせることができる。
【００１０】
サーミスタ素子は、一般には、負の抵抗温度係数を有するサーミスタ素子（以下NTCサーミスタ素子と称する）であるが、正の抵抗温度特性を有するサーミスタ素子（以下PTCサーミスタ素子と称する）であってもよい。
【００１１】
結合層は、一般には、リード導体の表面に被着された膜、例えばメッキ膜である。結合層の材質は、サーミスタ素子の電極の組成等に応じて選択される。結合層は、金属のみならず、金属酸化物によっても構成できる。
【００１２】
本発明に係る製造方法において、サーミスタ素子の両端面に、結合層を有するリード導体を押し付ける。前記結合層は、封止ガラスの溶融温度領域において、前記電極に対して金属結合し得る特性を有する。
【００１３】
次に、前記サーミスタ素子及び前記リード導体を含む組立体を、ガラス管によって覆う。
【００１４】
次に、前記サーミスタ素子、前記リード導体及び前記ガラス管を含む組立体を中性ガス雰囲気中で加熱し、それによって、ガラス管を溶融させ、かつ、前記電極とリード導体に設けられた前記結合層との間に、金属拡散による金属結合を生じさせる。
【００１５】
この製造方法により、サーミスタ特性を損なわず、いかなる熱膨張係数のサーミスタ素体も用いることが可能であり、サーミスタ素体の気密封止も完全であり、外部からの機械的、熱的ストレスで不導通（オープン）にならない高品質で低価格のガラス封止形サーミスタの提供が出来る。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係るガラス封止形サーミスタの部分断面図である。図示は、NTCサーミスタ素子を用いたガラス封止形サーミスタ（以下ガラス封止型NTCサーミスタと称する）を示している。但し、PTCサーミスタ素子を用いたガラス封止形サーミスタ（以下ガラス封止型PTCサーミスタと称する）であってもよい。
【００１７】
図示されたガラス封止型NTCサーミスタは、NTCサーミスタ素子１と、２つのジュメット線２１、２２と、封止ガラス３とを含む。NTCサーミスタ素子１は、サーミスタ素体１１の相対向する両端面に電極１２、１３を有し、２本のジュメット線２１ー２２の間に挟み込まれている。ジュメット線２１、２２は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３と接触する端面に、結合層４１、４２が一体に形成されている。このような結合層４１、４２は、例えば、メッキによって形成できる。結合層４１、４２は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で金属拡散による金属結合を生じている。封止ガラス３は、NTCサーミスタ素子１及びジュメット線２１、２２の組立体を封止している。
【００１８】
結合層４１、４２は、封止ガラス３の溶融温度領域において、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を生じる得る特性を有する。金属拡散は、結合層４１、４２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、相互的に行なわれる。
【００１９】
上記構造のガラス封止形サーミスタは、ジュメット線２１、２２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間に結合層４１、４２があり、結合層４１、４２は、リード導体２１、２２と一体化されていて、サーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を構成している。金属拡散結合によれば、耐熱性に優れ、機械的結合強度の高い結合を実現できる。このため、外部から機械的、熱的ストレスが加わっても、サーミスタ素体１１の電極１２、１３とジュメット線２１、２２との間に間隙が発生することがく、両者間に不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタが得られる。
【００２０】
しかも、結合層４１、４２は、封止ガラス３の溶融温度領域において、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間で、金属拡散による金属結合を生じ得る特性を有する。従って、封止ガラス３を適切に溶融させ、NTCサーミスタ素子１及びジュメット線２１、２２の組立体を確実に封止しつつ、ジュメット線２１、２２と一体化された結合層４１、４２と、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３との間に、金属結合を確実に生じさせることができる。
【００２１】
図示された結合層４１、４２は、薄板で構成されている。この結合層４１、４２は、金属または金属酸化物によって構成できる。結合層４１、４２の材質は、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３の組成等に応じて選択される。
【００２２】
NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３は、通常、Ag、 Ag-Pd、 AuまたはAu-Cuの少なくとも１種を主成分とする。ジュメット線２１、２２はFe、 Niを主成分とする合金である。ジュメット線２１、２２の外端面には、リード線５１、５２がそれぞれ接続されている。
【００２３】
上述したNTCサーミスタ素子１に最適な結合層４１、４２は、CuまたはCu2Oを主成分とするものである。完成した状態では、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３と結合層４１、４２との間に、金属拡散による相互的な金属原子移動が発生するので、NTCサーミスタ素子１の電極１２、１３に、結合層４１、４２の主成分であるCuまたはCu2Oが、また、結合層４１、４２には、電極１２、１３の成分が、微量ではあるが含まれることになる。
【００２４】
結合層４１、４２がCuまたはCu2Oによって構成された場合、電極１２、１３として、AgとPdとを含む組成が好ましい。AgとPdの好ましい組成比は、Ag含有量が100〜5(wt%)で、残りがPdの組成比である。
【００２５】
CuまたはCu2Oでなる結合層４１、４２との組み合わせにおいて有効な電極１２、１３の組成の別の例として、AuとCuとを含む場合もある。AuとCuの好ましい組成比は、Au含有量が100〜35(wt%)で、残りがCuの組成比である。
【００２６】
上記組成の電極１２、１３及び結合層４１、４２との組み合わせにおいて、好ましい封止ガラス３の例は、K2O・Pb0・SiO2、 Na2O・Pb0・SiO2、 Na2O・BaO・SiO2、 K2O・BaO・SiO2、 Na2O・B2O3・SiO2、 Na2O・Pb0・B2O3・SiO2またはK2O・B2O3・SiO2から選択された少なくとも１種を主成分とするガラスである。上記組成になる封止ガラス３は、過不足ない溶融状態で、上述した組成の結合層４１、４２による金属結合を、確実に生じさせることができる。
【００２７】
図２は本発明に係るガラス封止形サーミスタの別の実施例を示す部分断面図である。図において、図１と同一の構成部分は同一の参照符号を付し、詳細な説明は省略する。この実施例の特徴は、結合層４１、４２が、サーミスタ素子１の電極１２、１３と対向するジュメット線２１、２２の一端面のみならず、外周面にも被着されていることである。この実施例においても、図１に示した実施例と同様の作用効果を奏する。
次に、実施例を参照して、本発明に係るガラス封止形サーミスタの製造方法について説明する。
【００２８】
実施例１
Agを主成分とした電極材料をウエハー状NTCサーミスタ板（直径Ｄ＝５０mm、厚みｔ＝0.25 mm）の両主面に、スパッタ（薄膜法）で電極１２、１３となる電極膜を形成した。但し、電極形成方法として印刷方法（厚膜法）または、蒸着等（薄膜法）でも容易である。次に、ダイシングソーを用いて、0.4 mm角のチップ状に切断した。
【００２９】
次に、チップ状に切断して得られたNTCサーミスタ素子を、結合層として、CuまたはCu2Oでコートしたジュメット線で圧接固定し、NTCサーミスタ素子及びジュメット線２１、２２に種々の材質のガラス管をかぶせた。そして、NTCサーミスタ素子の電極面に垂直に荷重(１０g/mm2)が加わるようにジュメット線２１、２２に力を加え、この状態で中性ガス（Ｎ2）雰囲気中で610〜1250℃の温度条件で、５分間加熱し、ガラス管を溶融させると共に、電極１２、１３及びジュメット線２１、２２を、ジュメット線２１、２２にコートされたCuまたはCu2Oでなる結合層によって金属結合させた。
【００３０】
上述のプロセスによって得られたガラス封止形NTCサーミスタの試料のそれぞれについて、金属結合状態を熱衝撃試験により評価した。
【００３１】
試験条件は
（Ａ）ー４０℃のシリコンオイル中に３０分放置
（Ｂ）ー４０℃のシリコンオイル中から取り出した後、直ちに、200℃の
シリコンオイル中に入れ、３０分放置
条件（Ａ）、（Ｂ）を１サイクルとして、10,000サイクルで評価した。
試料母数は各1000個とし、断線のあったものは不良とし、１個以上発生した試料については不良（×）とし、断線の生じないものを良品（○）とした。
電極組成、ガラス管材質、ガラス溶融温度別を組み合わせた試料No.１〜２８の評価結果を表１ー１及び表１ー２に示す。
＜表１ー１、１ー２の説明＞
試料No.１〜４
ガラス管材質としてK2O・PbO・SiO2を用いた試料NO.１〜４のうち、Agの含有量を８０wt%以上、Pdの含有量を２０wt%以下とした試料NO.１〜３は、620℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
610℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３３】
Pdの含有量を９５wt%、Agの含有量を５wt%以下とした試料NO.３は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３４】
試料No.５〜８
ガラス管材質としてNa2O・PbO・SiO2を用いた試料NO.５〜８のうち、Agの含有量を８０wt%以上、Pdの含有量を２０wt%以下とした試料No.５〜７は、625℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
620℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３５】
Pdの含有量を９５wt%、Agの含有量を５wt%以下とした試料No.８は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３６】
試料No.９〜１２
ガラス管材質としてNa2O・BaO・SiO2を用いた試料No.９〜１２は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３７】
試料No.１３〜１６
ガラス管材質としてK2O・BaO・SiO2を用いた試料No.１３〜１６は、650℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
640℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３８】
試料No.１７〜２０
ガラス管材質としてNa2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.１７〜２０のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.１７、１８は、800℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００３９】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を８０wt%以下とした試料No.１９、２０は、800℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４０】
試料No.２１〜２４
ガラス管材質としてNa2O・PbO・B2O3・SiO2を用いた試料No.２１〜２４のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.２１、２２は、900℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
800℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４１】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を80wt%以下とした試料No.２３、２４は、900℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
800℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４２】
試料No.２５〜２８
ガラス管材質としてK2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.２５〜２８のうち、Agの含有量を９７wt%以上、Pdの含有量を３wt%以下とした試料No.２５、２６は、800℃〜960℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。但し、700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４３】
Pdの含有量を２０wt%以上、Agの含有量を８０wt%以下とした試料No.２７、２８は、800℃〜1100℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
700℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分であり、1150℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４４】
表１の結果をまとめると、CuまたはCu2Oでなる結合層と、表１に示された電極材料との関係において、適したガラス管材質の溶融温度は次の通りである。
実施例２
Auを主成分とした電極材料をウエハー状NTCサーミスタ板（直径Ｄ＝50 mm、厚みｔ=0.25 mm）の両主面に、スパッタ（薄膜法）で電極を形成する。但し、電極形成方法として印刷方法（厚膜法）または、蒸着等（薄膜法）でも容易である。次に、ダイシングソーを用いて、0.4 mm角のチップ状に切断した。
【００４６】
得られたチップ状のNTCサーミスタ素子を、結合層として、CuまたはCu2Oをコートしたジュメット線で圧接固定し、NTCサーミスタ素子及びおジュメット線に種々の材質のガラス管をかぶせ、NTCサーミスタ素子の電極面に垂直に荷重（１０g/mm2）が加わるようにジュメット線に力を加え、この状態で中性ガス（Ｎ2）雰囲気中で850〜1100℃の温度条件で５分間加熱し、ガラス管のガラス溶融と、NTCサーミスタ素子の電極及びジュメット線を、CuまたはCu2Oでなる結合層によって、金属結合させた。
製造したガラス封止形NTCサーミスタ試料の金属結合状態を実施例１と同様に評価した。電極組成、ガラス管材質、ガラス溶融温度別を組み合わせた試料No.２９〜４２の評価結果を表２に示す。
＜表２の説明＞
試料No.２９、３０
ガラス管材質としてK2O・PbO・SiO2を用いた試料No.２９、３０は、890℃〜965℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下では、ガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４８】
試料No.３１、３２
ガラス管材質としてNa2O・PbO・SiO2を用いた試料No.３１、３２は、890℃〜965℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。980℃以上では電極材の蒸発が観察された。
【００４９】
試料No.３３〜３６
ガラス管材質として、Na2O・BaO・SiO2を用いた試料No.３３、３４及びK2O・BaO・SiO2を用いた試料No.３５、３６は、890℃〜980℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。1000℃以上では電極材の蒸発が観察された。また、ガラス管が融けすぎ商品価値の無い物となった。
【００５０】
試料No.３７〜４２
ガラス管材質として、Na2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.３７、３８、Na2O・PbO・B2O3・SiO2を用いた試料No.３９、４０及びK2O・B2O3・SiO2を用いた試料No.４１、４２は、890℃〜1060℃のガラス溶融温度であれば、ガラス溶融状態が適切であり、かつ、十分な金属結合を生じさせることができる。
850℃以下ではガラス溶融または金属結合が不十分となり、熱衝撃試験に於いて断線不良が生じた。1100℃以上では電極材の蒸発が観察された。また、ガラス管が融けすぎ商品価値の無い物となった。
【００５１】
表２の結果をまとめると、CuまたはCu2Oでなる結合層と、表２に示された電極材料との関係において、適したガラス管材質の溶融温度は次の通りである。
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）外部から機械的、熱的ストレスが加わったても、不導通を生じにくい高品質のガラス封止形サーミスタの提供をすることができる。
（ｂ）高度の封止構造を形成すると共に、リード導体及びサーミスタ素子の電極との間に、金属結合を確実に生じさせた高品質のガラス封止形サーミスタの提供をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るガラス封止型NTCサーミスタの部分断面図である。
【図２】本発明に係るガラス封止型NTCサーミスタの別の実施例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１ NTCサーミスタ素子
１１ サーミスタ素体
１２、１３ 電極
２１、２２ ジュメット線
３ 封止ガラス
４１、４２ 結合層
Claims (8)
- サーミスタ素子と、２本のリード導体と、封止ガラスとを含むガラス封止形サーミスタであって、
前記サーミスタ素子は、サーミスタ素体の相対向する両端面に、Ag 、 Ag-Pd 、 Au または Au-Cu の少なくとも１種を主成分とする電極を有し、２本のリード導体の端面間に挟み込まれており、
前記リード導体は、ジュメット線であり、
前記リード導体の前記端面と、前記サーミスタ素子の前記電極との間に、結合層があり、
前記結合層は、Cu 2 O を主成分とし、前記リード導体と一体化されていて、前記サーミスタ素子の前記電極との間で、金属拡散による金属結合を構成しており、
前記封止ガラスは、前記サーミスタ素子及び前記リード導体の組立体を封止している、
ガラス封止形サーミスタ。 - 請求項１に記載されたガラス封止形サーミスタであって、前記サーミスタ素子は、負の抵抗温度係数を有する、ガラス封止形サーミスタ。
- 請求項２に記載されたガラス封止形サーミスタであって、前記封止ガラスは、 K 2 O ・ PbO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ PbO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ BaO ・ SiO 2 、 K 2 O ・ BaO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ PbO ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 または K 2 O ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 から選択された少なくとも１種を主成分とするガラスでなるガラス封止形サーミスタ。
- 少なくとも、サーミスタ素子及びそのリード導体接続部をガラスによって封止したガラス封止形サーミスタを製造する方法であって、
前記サーミスタ素子は、サーミスタ素体の相対向する両端面に、 Ag 、 Ag-Pd 、 Au または Au-Cu の少なくとも１種を主成分とする電極を有しており、
前記リード導体は、ジュメット線であり、
前記サーミスタ素子の両端面の前記電極に、 Cu 2 O を主成分とする結合層を有する前記リード導体の端面を押し付け、
前記サーミスタ素子及び前記リード導体を含む組立体を、ガラス管によって覆い、前記サーミスタ素子、前記リード導体及び前記ガラス管を含む組立体を、 620 ℃〜 1100 ℃の温度範囲から選択された温度条件で、中性ガス雰囲気中で加熱し、それによって、前記ガラス管を溶融させ、かつ、前記電極及びリード導体の間に前記結合層の金属拡散による金属結合を生じさせる、
ガラス封止形サーミスタの製造方法。 - 請求項４に記載されたガラス封止形サーミスタの製造方法であって、前記サーミスタ素子、前記リード導体及び前記ガラス管を含む組立体を 890 ℃〜 1060 ℃の温度範囲から選択された温度条件で加熱するガラス封止形サーミスタの製造方法。
- 請求項４に記載されたガラス封止形サーミスタの製造方法であって、前記結合層は、前記リード導体の表面に被着された膜でなるガラス封止形サーミスタの製造方法。
- 請求項４に記載されたガラス封止形サーミスタの製造方法であって、前記サーミスタ素子は、負の抵抗温度係数を有する、ガラス封止形サーミスタの製造方法。
- 請求項７に記載されたガラス封止形サーミスタの製造方法であって、前記ガラス管は、 K 2 O ・ PbO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ PbO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ BaO ・ SiO 2 、 K 2 O ・ BaO ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 、 Na 2 O ・ PbO ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 または K 2 O ・ B 2 O 3 ・ SiO 2 から選択された少なくとも１種を主成 分とするガラスでなるガラス封止形サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20005196A JP4086917B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20005196A JP4086917B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050503A JPH1050503A (ja) | 1998-02-20 |
| JP4086917B2 true JP4086917B2 (ja) | 2008-05-14 |
Family
ID=16418018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20005196A Expired - Lifetime JP4086917B2 (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4086917B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021015049A1 (ja) * | 2019-07-24 | 2021-01-28 | ショット日本株式会社 | 気密端子 |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20005196A patent/JP4086917B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1050503A (ja) | 1998-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4033331B2 (ja) | サーミスタおよびその製造方法 | |
| US3061664A (en) | Glass-to-metal seals and method of fabricating same | |
| US4704626A (en) | Graded sealing systems for semiconductor package | |
| IE904277A1 (en) | Pressure Sensor and Method Manufacturing same | |
| US4053864A (en) | Thermistor with leads and method of making | |
| EP1424711B1 (en) | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element | |
| EP1455371A1 (en) | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element | |
| JP2002270339A (ja) | セラミックヒーター | |
| EP1424712B1 (en) | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element | |
| EP1383149B1 (en) | Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element | |
| US5900673A (en) | Low-temperature fusing brazing material, and wiring board and semiconductor device-housing package assembled with the same | |
| JP4086917B2 (ja) | ガラス封止形サーミスタ及びその製造方法 | |
| GB2123609A (en) | Termination of hermetically sealed glass-encapsulated ceramic capacitors | |
| US4654752A (en) | Terminal assembly and method of making terminal assembly | |
| JPH09283656A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| US6344790B1 (en) | Electronic device such as a thermistor and the like with improved corrosion resistance | |
| EP1424713B1 (en) | Alloy type thermal fuse and material for a thermal fuse element | |
| US4430664A (en) | Glass-moulded type semiconductor device | |
| CA2368337C (en) | Thermistor and method of manufacture | |
| JPH0133278B2 (ja) | ||
| JPH1183641A (ja) | ガラス封止型サーミスタ | |
| JPH0262502B2 (ja) | ||
| JPH0878208A (ja) | ガラス封止型サーミスタ素子およびその製造方法 | |
| JP2577315B2 (ja) | 口金付管球 | |
| JPS637287B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050406 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050606 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050524 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20050701 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050707 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051027 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20051118 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080116 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080220 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110228 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120229 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130228 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140228 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |