JP4075785B2 - 組電池の異常検出装置 - Google Patents

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Description

本発明は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の異常検出装置に関し、特に、セルごとに設けられている検出端子とセルとの間の接続線の断線を検出する装置に関する。
組電池を構成するセルの両端子のそれぞれに接続される検出端子を有し、両検出端子間の電圧に基づいて、セルの過充電や過放電を検出する装置において、セルと検出端子間の接続不良を検出する方法が知られている(特許文献1参照)。この接続不良検出方法では、セルごとに接続された放電回路を所定時間短絡させた後に放電回路を開放し、開放したときの電圧が短絡状態の電圧とほぼ同じ場合には、セルと検出端子間の接続が不良であると判断している。
特開2001−157367号公報
しかしながら、上述した従来の方法では、過放電検出回路に用いられている電圧比較回路を使用して短絡状態と開放状態の電圧を比較する場合には、セルが過放電になっている状態と接続不良になっている状態との区別がつかない。従って、両者の区別をつけるためには、接続不良判断用と過放電状態判断用の2つの電圧比較回路を用意する必要があるという問題があった。
本発明による組電池の異常検出装置は、奇数番目のセルの検出端子間を短絡させるとともに、偶数番目のセルの検出端子間を開放させた時に異常検出回路から出力される信号と、奇数番目のセルの検出端子間を開放させるとともに、偶数番目のセルの検出端子間を短絡させた時に異常検出回路から出力される信号とに基づいて、セルと対応する検出端子との間の接続線の断線を検出することを特徴とする。
本発明による組電池の異常検出装置によれば、セルが過放電状態または過充電状態の場合でも、セルと対応する検出端子との間の接続線の断線を検出することができる。
図1は、本発明による組電池の異常検出装置の一実施の形態の構成を示す図である。組電池1は、充放電可能なn個のセルs1〜snを直列に接続して構成される。検出端子C0〜Cnは、各セルs1〜snの正極端子または負極端子と接続されている。例えば、検出端子C0は、セルs1の負極端子と接続されており、検出端子C1は、セルs1の正極端子およびセルs2の負極端子と接続されている。
電流バイパス電圧検出回路a1〜anは、各セルs1〜snごとに設けられており、対応するセルs1〜snの端子間電圧が第1の所定電圧V1より上昇したことを検出すると、Hレベルの信号を第1のロジック回路に出力する。第1のロジック回路は、アンド回路AND11〜AND1n-1およびオア回路OR12〜OR1nから構成される。例えば、電流バイパス電圧検出回路a1の出力はアンド回路AND11に入力され、電流バイパス電圧検出回路a2の出力はオア回路OR12に入力される。
すなわち、アンド回路AND11〜AND1n-1とオア回路OR12〜OR1nとが交互に電流バイパス電圧検出回路a1〜anと接続されている。なお、ここでは、電流が流れている状態をHレベルの信号が出力されている状態とし、電流が流れていない状態をLレベルの信号が出力されている状態とする。
アンド回路AND11〜AND1n-1およびオア回路OR12〜OR1nのもう一方の入力端子には、後述する充放電制御回路5から出力される第1の断線診断実施信号Sg1が入力される。ただし、充放電制御回路5からアンド回路AND11〜AND1n-1に入力される第1の断線診断実施信号Sg1は、インバータ回路INV11〜INV1n-1にて信号レベルが反転されてから入力される。
アンド回路AND11〜AND1n-1およびオア回路OR12〜OR1nの出力端子は、第2のロジック回路と接続されている。第2のロジック回路は、アンド回路AND22〜AND2nおよびオア回路OR21〜OR2n-1から構成される。例えば、アンド回路AND11の出力はオア回路OR21に入力され、オア回路OR12の出力はアンド回路AND22に入力される。すなわち、アンド回路AND22〜AND2nの一方の入力端子は、オア回路OR12〜OR1nの出力端子とそれぞれ接続されており、オア回路OR21〜OR2n-1の一方の入力端子は、アンド回路AND11〜AND1n-1の出力端子と接続されている。
オア回路OR21〜OR2n-1およびアンド回路AND22〜AND2nのもう一方の入力端子には、充放電制御回路5から出力される第2の断線診断実施信号Sg2が入力される。ただし、アンド回路AND22〜AND2nに入力される第2の断線診断実施信号Sg2は、インバータ回路INV22〜INV2nにて信号レベルが反転されてから入力される。
オア回路OR21〜OR2n-1およびアンド回路AND22〜AND2nの出力端子は、MOSトランジスタQ1〜Qnのゲート端子と接続されている。MOSトランジスタQ1〜Qnのドレイン端子は、抵抗R1〜Rnと接続されている。
上述した電流バイパス電圧検出回路a1〜an、第1のロジック回路、第2のロジック回路、MOSトランジスタQ1〜Qn、および、抵抗R1〜Rnにより電流バイパス回路が構成される。上述したように、電流バイパス電圧検出回路a1〜anは、対応するセルs1〜snの端子間電圧が第1の所定電圧V1より上昇して満充電に近い状態になったことを検出すると、Hレベルの信号を出力し、第1のロジック回路および第2のロジック回路を介して、対応するMOSトランジスタQ1〜Qnをオンする。MOSトランジスタQ1〜Qnがオンすると、オンしたMOSトランジスタQ1〜Qnと接続されている抵抗R1〜Rnを介して、対応するセルs1〜snに流れる充電電流の一部が流れる。これにより、各セル間の容量バラツキを抑制することができる。なお、第1のロジック回路および第2のロジック回路の動作については後述する。
セルs1〜snごとに設けられている異常検出回路b1〜bnは、充放電制御回路5から出力される過充電/過放電検出切り換え信号Sg3(以下、切り換え信号Sg3と呼ぶ)に基づいて、対応するセルs1〜snの過充電状態および過放電状態を検出する。切り換え信号Sg3の信号レベルがLレベルの場合には、セルの過充電検出処理を行う。すなわち、対応するセルの端子間電圧(検出端子間電圧)が第2の所定電圧V2(過充電判定しきい値電圧)より上昇すると、過充電状態であると判定する。
また、切り換え信号Sg3の信号レベルがHレベルの場合には、セルの過放電検出処理を行う。すなわち、対応するセルの端子間電圧が第3の所定電圧V3(過放電判定しきい値電圧)より下降すると、過放電状態であると判定する。異常検出回路b1〜bnは、セルの過充電状態または過放電状態を検出すると、Hレベルの異常検出信号をオア回路4に出力する。
オア回路4は、いずれか1つの異常検出回路b1〜bnから異常検出信号が出力されると、セルに異常が発生したことを示す信号を充放電制御回路5に出力する。なお、3つの所定電圧V1,V2,V3の大小関係は、V2>V1>V3に設定されている。
充放電制御回路5は、オア回路4からの信号に基づいて、組電池1の充放電を制御する。また、充放電制御回路5は、セルs1〜snと検出端子C0〜Cnとの間の接続線の断線診断を行うための断線診断実施信号Sg1,Sg2を出力するとともに、セルの過充電または過放電を検出するための切り換え信号Sg3を出力する。断線診断実施信号Sg1,Sg2を出力する時期は、充放電制御回路5の始動時(電源投入時)や組電池1の充放電が所定期間以上休止している時である。
第1のロジック回路のうち、アンド回路AND11〜AND1n-1の動作について、アンド回路AND11を代表して説明する。アンド回路AND11は、電流バイパス電圧検出回路a1の出力信号と、第1の断線診断実施信号Sg1をインバータ回路INV11にて反転した信号との論理積演算結果を第2のロジック回路のオア回路OR21に出力する。
充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されていない場合、すなわち、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがLレベルの場合、アンド回路AND11にはインバータ回路INV11を介してHレベルの信号が入力されるため、電流バイパス電圧検出回路a1の出力がそのままアンド回路AND11の出力となる。
一方、充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されている場合、すなわち、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがHレベルの場合、アンド回路AND11にはインバータ回路INV11を介してLレベルの信号が入力される。従って、この場合には、電流バイパス電圧検出回路a1の出力信号のレベルに関わらず、アンド回路AND11の出力信号はLレベルとなる。
続いて、オア回路OR12〜OR1nの動作について、オア回路OR12を代表して説明する。オア回路OR12は、電流バイパス電圧検出回路a2の出力信号と、充放電制御回路5からの第1の断線診断実施信号Sg1との2信号の論理和を演算し、演算結果をアンド回路AND22に出力する。
充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されていない場合、すなわち、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがLレベルの場合には、電流バイパス電圧検出回路a2の出力がそのままオア回路OR12の出力となる。一方、充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されている場合、すなわち、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがHレベルの場合には、電流バイパス電圧検出回路a2の出力信号のレベルに関わらず、オア回路OR12の出力信号もHレベルとなる。
説明は省略するが、セルs3,s5,…,sn-1に対応して設けられているアンド回路AND13,AND15,…,AND1n-1の動作、および、セルs4,s6,…,snに対応して設けられているオア回路OR4,OR6,…,ORnの動作についても同様である。上述したように、充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されると、アンド回路AND11〜AND1n-1の出力は常にLレベルとなり、オア回路OR12〜OR1nの出力は常にHレベルとなる。
次に、第2のロジック回路のうち、オア回路OR21〜OR2n-1の動作について、オア回路OR21を代表して説明する。オア回路OR21は、第1のロジック回路を構成するアンド回路AND11の出力信号と、充放電制御回路5から出力される第2の断線診断実施信号Sg2との論理和を演算し、演算結果をMOSトランジスタQ1のゲート端子に出力する。
充放電制御回路5から第2の断線診断実施信号Sg2が出力されていない場合、すなわち、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがLレベルの場合には、アンド回路AND11の出力がそのままオア回路OR21の出力となる。従って、アンド回路AND11からHレベルの信号が出力されると、MOSトランジスタQ1はオンし、Lレベルの信号が出力されると、MOSトランジスタQ1はオフする。
一方、充放電制御回路5から第2の断線診断実施信号Sg2が出力されている場合、すなわち、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがHレベルの場合には、アンド回路AND11の出力信号のレベルに関わらず、オア回路OR21の出力信号はHレベルとなる。従って、MOSトランジスタQ1は強制的にオンとなる。
続いて、第2のロジック回路のうち、アンド回路AND22〜AND2nの動作について、アンド回路AND22を代表して説明する。アンド回路AND22は、第1のロジック回路のオア回路OR12の出力信号と、第2の断線診断実施信号Sg2をインバータ回路INV22にて反転した信号との論理積演算結果をMOSトランジスタQ2のゲート端子に出力する。
充放電制御回路5から第2の断線診断実施信号Sg2が出力されていない場合、すなわち、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがLレベルの場合には、アンド回路AND22には、インバータ回路INV22を介してHレベルの信号が入力されるので、オア回路OR12の出力がそのままアンド回路AND22の出力となる。従って、アンド回路AND22からHレベルの信号が出力されると、MOSトランジスタQ2はオンし、Lレベルの信号が出力されると、MOSトランジスタQ2はオフする。
一方、充放電制御回路5から第2の断線診断実施信号Sg2が出力されている場合、すなわち、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがHレベルの場合には、アンド回路AND22には、インバータ回路INV22を介してLレベルの信号が入力される。従って、オア回路OR12の出力信号のレベルに関わらず、アンド回路AND22の出力信号はLレベルとなる。この結果、MOSトランジスタQ2は強制的にオフとなる。
説明は省略するが、セルs3,s5,…,sn-1に対応して設けられているオア回路OR23,OR25,…,OR2n-1の動作、および、セルs4,s6,…,snに対応して設けられているアンド回路AND24,AND26,…,AND2nの動作についても同様である。上述したように、充放電制御回路5から第2の断線診断実施信号Sg2が出力されると、オア回路OR21,OR23,…,OR2n-1と接続されているMOSトランジスタQ1,Q3,…,Qnは強制的にオンとなり、アンド回路AND22,AND24,…,AND2nと接続されているMOSトランジスタQ2,Q4,…,Qn-1は強制的にオフとなる。
また、第2の断線診断実施信号Sg2が出力されていない場合には、アンド回路AND13,AND15,…,AND1n-1の出力がそのままオア回路OR23,OR25,…,OR2n-1の出力となり、オア回路OR14,OR16,…,OR1nの出力がそのままアンド回路AND24,AND26,…,AND2nの出力となる。
上述したように、充放電制御回路5から第1の断線診断実施信号Sg1が出力されると、アンド回路AND11〜AND1n-1の出力は常にLレベルとなり、オア回路OR12〜OR1nの出力は常にHレベルとなる。従って、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがHレベル、かつ、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがLレベルの場合には、MOSトランジスタQ1,Q3,…,Qn-1は強制的にオフとなり、MOSトランジスタQ2,Q4,…,Qnは強制的にオンとなる。
すなわち、第1の断線診断実施信号Sg1の信号レベルがHレベル、かつ、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがLレベルの場合には、奇数番目のセルs1,s3,…,sn-1の検出端子間が開放されるとともに、偶数番目のセルs2,s4,…,snの検出端子間が短絡される。また、第2の断線診断実施信号Sg2の信号レベルがHレベルの場合には、奇数番目のセルの検出端子間が短絡されるとともに、偶数番目のセルの検出端子間が開放される。図2は、断線診断実施信号Sg1,Sg2の信号レベルと、その時のオア回路OR21〜OR2n-1、アンド回路AND22〜AND2nの出力信号レベル、および、MOSトランジスタQ1〜Qnのオン/オフの状態の関係をまとめた図である。
ここで、図3に示すように、セルs2の正極端子(セルs3の負極端子)と検出端子C2との間の接続線が断線した場合について考察する。断線が発生した時のセルs3の端子間電圧は、第1の所定電圧V1より高く、かつ、第2の所定電圧V2より低いものとする。また、断線が発生した時のセルs2は過放電状態、すなわち、端子間電圧は、第3の所定電圧V3より低いものとする。
<(Sg1,Sg2)=(H,L)の場合>
充放電制御回路5からHレベルの第1の断線診断実施信号Sg1、および、Lレベルの第2の断線診断実施信号Sg2が出力されると、MOSトランジスタQ2は強制的にオンとなり、MOSトランジスタQ3は強制的にオフとなる(図2参照)。この状態では、検出端子C2の電圧は、オンしているMOSトランジスタQ2および抵抗R2を介して、セルs2の負極端子(検出端子C1)の電圧と等しくなる。
この時、充放電制御回路5から出力される切り換え信号Sg3のレベルがHレベル(過放電検出)であれば、異常検出回路b2からは、セルs2が過放電状態であることを示す異常検出信号(Hレベル)が出力される。これにより、充放電制御回路5には、オア回路4を介してHレベルの信号が入力される。
<(Sg1,Sg2)=(L,H)の場合>
また、充放電制御回路5からLレベルの第1の断線診断実施信号Sg1、および、Hレベルの第2の断線診断実施信号Sg2が出力されると、MOSトランジスタQ2は強制的にオフとなり、MOSトランジスタQ3は強制的にオンとなる(図2参照)。この状態では、検出端子C2の電圧は、オンしているMOSトランジスタQ3および抵抗R3を介して、セルs3の正極端子(検出端子C3)の電圧と等しくなる。
この時、充放電制御回路5から出力される切り換え信号Sg3のレベルがLレベル(過充電検出)であれば、異常検出回路b2からは、セルs2が過充電状態であることを示す異常検出信号(Hレベル)が出力される。これにより、充放電制御回路5には、オア回路4を介してHレベルの信号が入力される。
すなわち、セルs2の正極端子と検出端子C2との間の接続線が断線すると、切り換え信号Sg3の信号レベルがHレベル(過放電検出)およびLレベル(過充電検出)のいずれの場合においても、異常検出回路b2からはHレベルの信号が出力されて、充放電制御回路5に入力されることになる。セルs2が過放電状態であり、かつ、セルs2の正極端子と検出端子C2との間の接続線が断線した場合に、異常検出回路b2から出力される信号のレベルを図4にまとめておく。
一方、上述した箇所の断線が生じていない場合には、検出端子C1−C2間、および、検出端子C2−C3間の電圧は、それぞれセルs2およびs3の電圧となる。従って、切り換え信号Sg3の信号レベルがHレベル(過放電検出)の場合にのみ、セルS2が過放電状態であることを示すHレベルの信号が異常検出回路b2から出力される。セルs2が過放電状態であり、かつ、上述した箇所の断線が生じていない場合に、異常検出回路b2から出力される信号のレベルを図5にまとめておく。
すなわち、一実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、セルが過放電状態の場合でも、断線診断実施信号Sg1,Sg2を出力した時の異常検出回路b1〜bnからの出力に基づいて、セルと検出端子とを接続する線の断線を確実に検出することができる。
上述した説明では、断線が発生する直前のセルs3の端子間電圧は、第1の所定電圧V1より高く、かつ、第2の所定電圧V2より低いものとした。また、セルs2の端子間電圧は、第3の所定電圧V3より低いものとした。しかし、断線が発生する直前のセルs2およびs3の端子間電圧は、第1の所定電圧V1、第2の所定電圧V2、および、第3の所定電圧V3との関係において、どのような値でも、断線を検出することができる。また、断線が生じる箇所も、セルs2の正極端子と検出端子C2との間の接続線には限られない。
例えば、図6に示すように、セルs1の正極端子(セルs2の負極端子)と検出端子C1との間の接続線が断線した場合について考察する。ここでは、断線が発生する直前のセルs1は過充電状態、すなわち、セルs1の端子間電圧は、第2の所定電圧V2より高いものとする。
<(Sg1,Sg2)=(H,L)の場合>
充放電制御回路5からHレベルの第1の断線診断実施信号Sg1、および、Lレベルの第2の断線診断実施信号Sg2が出力されると、MOSトランジスタQ1は強制的にオフとなり、MOSトランジスタQ2は強制的にオンとなる(図2参照)。この状態では、検出端子C1の電圧は、オンしているMOSトランジスタQ2および抵抗R2を介して、セルs2の正極端子(検出端子C2)の電圧と等しくなる。
この時、充放電制御回路5から出力される切り換え信号Sg3のレベルがLレベル(過充電検出)であれば、異常検出回路b1からは、セルs1が過充電状態であることを示す異常検出信号(Hレベル)が出力される。これにより、充放電制御回路5には、オア回路4を介してHレベルの信号が入力される。
<(Sg1,Sg2)=(L,H)の場合>
また、充放電制御回路5からLレベルの第1の断線診断実施信号Sg1、および、Hレベルの第2の断線診断実施信号Sg2が出力されると、MOSトランジスタQ1は強制的にオンとなり、MOSトランジスタQ2は強制的にオフとなる(図2参照)。この状態では、検出端子C1の電圧は、オンしているMOSトランジスタQ1および抵抗R1を介して、セルs1の負極端子(検出端子C0)の電圧と等しくなる。
この時、充放電制御回路5から出力される切り換え信号Sg3のレベルがHレベル(過放電検出)であれば、異常検出回路b1からは、セルs1が過放電状態であることを示す異常検出信号(Hレベル)が出力される。これにより、充放電制御回路5には、オア回路4を介してHレベルの信号が入力される。
すなわち、セルs1の正極端子と検出端子C1との間の接続線が断線した場合でも、切り換え信号Sg3の信号レベルがHレベルおよびLレベルのいずれの場合においても、異常検出回路b1からはHレベルの信号が出力されて、充放電制御回路5に入力されることになる。セルs1が過充電状態であり、かつ、セルs1の正極端子と検出端子C1との間の接続線が断線した場合に、異常検出回路b1から出力される信号のレベルを図7にまとめておく。
一方、セルs1の正極端子と検出端子C1との間の断線が生じていない場合には、検出端子C0−C1間、および、検出端子C1−C2間の電圧は、それぞれセルs1およびs2の電圧となる。従って、切り換え信号Sg3の信号レベルがLレベル(過充電検出)の場合にのみ、セルS1が過充電状態であることを示すHレベルの信号が異常検出回路b1から出力される。セルs1が過充電状態であり、かつ、上述した箇所の断線が生じていない場合に、異常検出回路b2から出力される信号のレベルを図8にまとめておく。
図9は、一実施の形態における組電池の異常検出装置を搭載した電気自動車において、断線診断実施プログラムの処理内容を示すフローチャートである。ステップS10から始まる処理は、充放電制御回路5により行われる。ステップS10では、Hレベルの断線診断実施信号Sg1を出力して、ステップS20に進む。ステップS20では、オア回路4を介して異常検出回路b1〜bnから入力される信号に基づいて、異常発生の有無を検知する。ここでは、HレベルおよびLレベルの切り換え信号Sg3をそれぞれ出力した時に、オア回路4を介して入力される信号のレベルを検知する。
ステップS30では、ステップS20で行った異常診断の結果、オア回路4を介してHレベルの信号が入力されたか否かを判定する。HレベルおよびLレベルの切り換え信号Sg3を出力した時のいずれの場合も、Lレベルの信号が入力されたと判定すると、ステップS10に戻り、Hレベルの信号が入力されたと判定するとステップS40に進む。ステップS40では、Hレベルの断線診断実施信号Sg2を出力して、ステップS50に進む。
ステップS50では、ステップS20と同様の処理、すなわち、オア回路4を介して異常検出回路b1〜bnから入力される信号に基づいて、異常発生の有無を検知する。ステップS60では、ステップS50で行った異常診断の結果、HレベルおよびLレベルの切り換え信号Sg3を出力した時のいずれの場合も、オア回路4を介してHレベルの信号が入力されたか否かを判定する。いずれの場合もHレベルの信号が入力されたと判定するとステップS70に進み、Lレベルの信号が入力されたと判定すると、ステップS80に進む。
ステップS70では、セルと検出端子との間の接続線に断線が発生したと判断して、車両の走行モードを異常発生時の走行モードであるリンプ走行モードに設定する。これにより、電気自動車は、異常が発生したため通常の走行を行うことはできないが、リンプ走行モード時における低速走行を行うことができるので、例えば、サービス工場まで自走することができる。車両の走行モードをリンプ走行モードに設定すると、ステップS10に戻る。
一方、ステップS80では、異常検出回路b1〜bnから入力されたHレベルの信号が断線に起因するものではなく、セルの過充電または過放電に起因するものであると判定し、セルの充放電制御を行う。すなわち、Lレベルの切り換え信号Sg3を出力した時に、Hレベルの信号が入力された場合には、過充電状態となっているセルが存在するため、セルの放電処理を行い、Hレベルの切り換え信号Sg3を出力した時に、Hレベルの信号が入力された場合には、過放電状態となっているセルが存在するため、セルの充電処理を行う。セルの充放電制御を行うと、ステップS10に戻る。
一実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、奇数番目のセルの検出端子間を短絡させるとともに、偶数番目のセルの検出端子間を開放させた時に異常検出回路b1〜bnから出力される信号と、奇数番目のセルの検出端子間を開放させるとともに、偶数番目のセルの検出端子間を短絡させた時に異常検出回路から出力される信号とに基づいて、セルと対応する検出端子との間の接続線の断線を検出する。これにより、セルと対応する検出端子との間の接続線の断線を確実に検出することができる。
特に、断線診断実施信号Sg1,Sg2をそれぞれ出力した時に、セルの過充電検出時(Sg3:Lレベル)および過放電検出時(Sg3:Hレベル)のいずれの場合でも、異常検出回路b1〜bnからHレベルの信号が出力された時に、セルと対応する検出端子との間の接続線が断線していると判定するので、断線の発生の有無と、セルの過充電状態または過放電状態とを確実に区別することができる。すなわち、一実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、セルが過充電状態または過放電状態である場合でも、セルと対応する検出端子との間の接続線の断線の有無を検出することができる。
本発明は、上述した一実施の形態に限定されることはない。例えば、電流バイパス回路を構成する半導体スイッチとしてMOSトランジスタを用いたが、バイポーラトランジスタ等の他のスイッチング素子を用いてもよい。また、各セルs1〜snの両端子にそれぞれ接続される検出端子間を短絡する回路および開放する回路の構成も、図1に示すものに限定されることはない。
特許請求の範囲の構成要素と一実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、検出端子C1〜Cnが検出端子を、異常検出回路b1〜bnが異常検出回路を、アンド回路AND11〜AND1n-1,AND22〜AND2n、オア回路OR12〜OR1n,OR22〜OR2n、インバータ回路INV11〜INV1n-1,INV22〜INV2n、MOSトランジスタQ1〜Qnが短絡・開放回路を、充放電制御回路5が制御回路を、オア回路4および充放電制御回路5が断線検出回路をそれぞれ構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
本発明による組電池の異常検出装置の一実施の形態の構成を示す図 断線診断実施信号Sg1,Sg2の信号レベルと、その時のオア回路OR21〜OR2n-1、アンド回路AND22〜AND2nの出力信号レベル、および、MOSトランジスタQ1〜Qnのオン/オフの状態の関係をまとめた図 セルs2の正極端子(セルs3の負極端子)と検出端子C2との間の接続線が断線した様子を示す図 セルs2が過放電状態であり、かつ、セルs2の正極端子と検出端子C2との間の接続線が断線した場合に、異常検出回路b2から出力される信号レベルをまとめた図 セルs2が過放電状態であり、かつ、セルs2の正極端子と検出端子C2との間の接続線の断線が発生していない場合に、異常検出回路b2から出力される信号レベルをまとめた図 セルs1の正極端子(セルs2の負極端子)と検出端子C1との間の接続線が断線した様子を示す図 セルs1が過充電状態であり、かつ、セルs1の正極端子と検出端子C1との間の接続線が断線した場合に、異常検出回路b1から出力される信号レベルをまとめた図 セルs1が過充電状態であり、かつ、セルs1の正極端子と検出端子C1との間の接続線の断線が発生していない場合に、異常検出回路b1から出力される信号レベルをまとめた図 一実施の形態における組電池の異常検出装置を搭載した電気自動車において、断線診断実施プログラムの処理内容を示すフローチャート
符号の説明
1…組電池、4…オア回路、5…充放電制御回路、s1〜sn…セル、a1〜an…電流バイパス電圧検出回路、b1〜bn…異常検出回路、AND11〜AND1n-1,AND22〜AND2n…アンド回路、OR12〜OR1n,OR21〜OR2n-1…オア回路、R1〜Rn…抵抗、Q1〜Qn…N型MOSトランジスタ、C0〜Cn…検出端子、INV11〜INV1n-1,INV22〜INV2n…インバータ回路

Claims (4)

  1. 充電可能な複数のセルを直列に接続して構成される組電池の異常検出装置において、
    前記複数のセルの両端子にそれぞれ接続される検出端子と、
    前記複数のセルごとに設けられ、前記検出端子間の電圧に基づいて、対応するセルの過充電状態および過放電状態を検出する異常検出回路と、
    前記複数のセルに対応する前記検出端子間をそれぞれ1つ置きに短絡させるとともに、短絡させる検出端子間と隣接する検出端子間を開放させる短絡・開放回路と、
    前記短絡・開放回路を制御する制御回路と、
    前記制御回路が前記短絡・開放回路により、奇数番目のセルの検出端子間を短絡させるとともに、偶数番目のセルの検出端子間を開放させた時に前記異常検出回路から出力される信号(以下、第1の信号)と、前記奇数番目のセルの検出端子間を開放させるとともに、前記偶数番目のセルの検出端子間を短絡させた時に前記異常検出回路から出力される信号(以下、第2の信号)とに基づいて、前記セルと対応する検出端子との間の接続線の断線を検出する断線検出回路とを備えることを特徴とする組電池の異常検出装置。
  2. 請求項1に記載の組電池の異常検出装置において、
    前記断線検出回路は、前記第1の信号および前記第2の信号に基づいて、前記断線と、前記セルの過充電状態または過放電状態とを区別することを特徴とする組電池の異常検出装置。
  3. 請求項1または2に記載の組電池の異常検出装置において、
    前記断線検出回路は、前記第1の信号および前記第2の信号のうち、一方が過充電状態を示す信号であり、他方が過放電状態を示す信号である場合に、前記断線が生じていると判定することを特徴とする組電池の異常検出装置。
  4. 請求項1〜3のいずれかに記載の組電池の異常検出装置において、
    前記短絡・開放回路は、前記検出端子間の電圧が所定電圧以上になると対応するセルに流れる充電電流の一部をバイパスさせる電流バイパス回路としても機能することを特徴とする組電池の異常検出装置。
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