JP4062979B2 - 絶縁抵抗測定装置 - Google Patents
絶縁抵抗測定装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4062979B2 JP4062979B2 JP2002164798A JP2002164798A JP4062979B2 JP 4062979 B2 JP4062979 B2 JP 4062979B2 JP 2002164798 A JP2002164798 A JP 2002164798A JP 2002164798 A JP2002164798 A JP 2002164798A JP 4062979 B2 JP4062979 B2 JP 4062979B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- fet
- voltage
- constant current
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、被測定物の絶縁抵抗を測定するための絶縁抵抗測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、絶縁抵抗測定装置を用いて、コンデンサなどの被測定物の絶縁抵抗を測定する場合、被測定物がショートした不良品であると、絶縁抵抗測定装置の測定回路が破壊されてしまう場合がある。そこで、従来は、複数の制限抵抗が並列接続された電流制限回路を備えた絶縁抵抗測定装置が用いられていた。この絶縁抵抗測定装置であれば、被測定物がショートしていても、測定回路が破壊されることを防止することができる。
【0003】
ところで、コンデンサの絶縁抵抗測定は耐圧試験も兼ねているため、コンデンサの種類によって印加測定電圧も異なる。ところが、従来の絶縁抵抗測定装置の場合、抵抗による電流制限回路を使用しているため、測定電源の電圧を変えると、充電電流が変化してしまうことになる。そのため、充電電流を一定にするために印加測定電圧値に応じて制限抵抗を何種類か用意して切り換える必要があり、回路が複雑化するとともに、切換えに手間がかかるという問題があった。
【0004】
また、被測定物のコンデンサの充電がCRの時定数によるexpカーブとなるため、充電に時間がかかり、測定効率が悪いという問題も抱えていた。
【0005】
このような問題を解決するため、本願発明の発明者の一人は、特開平4−131770号公報に示す絶縁抵抗測定装置を提案している。すなわち、この絶縁抵抗測定装置は、FETとバイアス電源(DC/DC変換器)とを組み合わせた定電流回路を備えている。この絶縁抵抗測定装置であれば、FETの定電流特性を利用して被測定物に流れる電流を一定化するので、測定電源の電圧を変えても常に一定の電流が得られ、多数の部品を必要とせず、かつ切換えの手間も必要としない。また、FETを使用しているので、充電時間を短縮でき、測定効率が良い。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特開平4−131770号公報に示す絶縁抵抗測定装置の場合、定電流回路にはDC/DC変換器を使用している。DC/DC変換器は、1次側と2次側が電気的に絶縁されているものの、発振を利用して2次側電圧を生成しているため、発振ノイズが発生する。従って、このDC/DC変換器の発振ノイズが測定精度を悪化させる要因となっていた。
【0007】
そこで、本発明の目的は、測定電源の電圧を変えても常に一定の電流が得られるとともに、定電流回路の低ノイズ化を実現することができる絶縁抵抗測定装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段および作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る絶縁抵抗測定装置は、被測定物に測定電圧を印加する測定電源と、測定電源から供給される電流を一定化する定電流回路と、定電流回路の出力端に接続された被測定物の漏れ電流を電圧に変換するI/V変換器とを備え、I/V変換器の出力電圧により被測定物の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定装置であって、定電流回路は、FETと、FETのゲート−ソース間に直流電圧を印加し、光起電力回路を含んだバイアス電源と、FETのソースに直列接続された定電流負帰還用抵抗と、FETのバイアス電源の出力電圧を分圧してFETのゲート−ソース間に印加するゲート−ソース間電圧設定用抵抗と、FETのゲート−ソース間に発生する寄生容量より大きい静電容量を有したコンデンサであって、FETのゲート−ソース間に、FETのソースに接続された定電流負帰還用抵抗を介して接続されたコンデンサと、を備えることを特徴とする。
【0009】
また、本発明に係る絶縁抵抗測定装置は、被測定物に正負いずれか一方の測定電圧を印加する測定電源と、正負いずれか一方の測定電圧に選択的に切り替える切替器と、測定電源から供給される電流を一定化する定電流回路と、定電流回路の出力端に接続された被測定物の漏れ電流を電圧に変換するI/V変換器とを備え、I/V変換器の出力電圧により被測定物の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定装置であって、定電流回路は、ソース側同士およびドレイン側同士のいずれかが直列接続された二つのFETと、それぞれのFETのゲート−ソース間に直流電圧を印加し、光起電力回路を含んだバイアス電源と、それぞれのFETのソースに直列接続された定電流負帰還用抵抗と、FETのバイアス電源の出力電圧を分圧してそれぞれのFETのゲート−ソース間に印加するゲート−ソース間電圧設定用抵抗と、それぞれのFETのゲート−ソース間に発生する寄生容量より大きい静電容量を有したコンデンサであって、それぞれのFETのゲート−ソース間に、それぞれのFETのソースに接続された定電流負帰還用抵抗を介して接続されたコンデンサと、を備えることを特徴とする。
【0010】
以上の構成により、FETのバイアス電源は、ノイズを発生させにくい光起電力回路を含んでいるため、低ノイズの定電流回路が得られる。また、定電流負帰還用抵抗とFETのゲート間に接続されたコンデンサは、突入電流防止用コンデンサとして機能する。
【0012】
また、光起電力回路の一次側に接点を設け、該接点で測定電圧の印加をON/OFF制御することにより、印加測定電圧にかかわらず、接点耐圧、開閉容量および接点容量の小さい接点が使用できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る絶縁抵抗測定装置の実施の形態について添付の図面を参照して説明する。各実施形態は、コンデンサの絶縁抵抗測定装置について説明するが、必ずしもコンデンサに限るものではない。
【0014】
[第1実施形態、図1]
図1に示すように、絶縁抵抗測定装置1は、直流測定電源2と、アース端子3と、切替器4と、直流測定電源2から供給される電流を一定化する定電流回路5と、定電流回路5の出力端子Bに接続される被測定物31の漏れ電流を電圧に変換するI/V変換器であるOPアンプ6と、OPアンプ6の出力電圧をデジタル化するA/D変換器7とを備えている。
【0015】
直流測定電源2は、正電圧源21と負電圧源22を有している。これらの電圧源21,22の一端は接地され、他端は切替器4を介して定電流回路5の入力端子Aに接続されている。また、アース端子3は切替器4を介して定電流回路5の入力端子Aに接続されている。従って、切替器4により、正電圧源21,負電圧源22およびアース端子3を択一的に切り替えることができる。
【0016】
定電流回路5の出力端子Bは、被測定物であるコンデンサ31の一端に接続され、コンデンサ31の他端は接点Cを介してOPアンプ6の負入力に接続されている。OPアンプ6の正入力は接地されている。OPアンプ6の出力端は、A/D変換器7に接続されている。なお、この絶縁抵抗測定装置1では、回路を簡素化するため、OPアンプ6の入力保護回路などは省略している。25は帰還抵抗である。
【0017】
次に、この絶縁抵抗測定装置1による、被測定物であるコンデンサ31の絶縁抵抗の測定方法について説明する。まず、コンデンサ31の種類に応じて、正負の電圧源21,22の出力電圧を設定する。
【0018】
次に、切替器4を正電圧源21に切り換える。これにより、正電圧源21から供給される電流は定電流回路5により一定化され、一定化された電流は、コンデンサ31に充電される。充電後、コンデンサ31の漏れ電流をOPアンプ6でI/V変換し、この出力電圧をA/D変換器7でデジタル化したものを解析し、電圧換算でコンデンサ31の絶縁抵抗を計算する。
【0019】
逆電圧を測定する場合、コンデンサ31の正充電電圧を一旦放電する必要があるため、切替器4をアース端子3へ切り替え、ついで負電圧源22に切り替える。その後、前述の正電圧による絶縁抵抗測定と同様にして、負電圧による絶縁抵抗測定が行なわれる。これにより、正電圧を印加した場合と、負電圧を印加した場合との両方の漏れ電流が確実に測定できる。
【0020】
次に、この絶縁抵抗測定装置1に用いられる定電流回路5について説明する。定電流回路5は、2つのFET(電界効果型トランジスタ)51,FET52と、各FET51,FET52のゲート(G)−ソース(S)間に直流電圧を印加するバイアス電源9と、バイアス電源9の出力電圧を安定化するための定電圧ダイオード11と、各FET51,FET52のゲート(G)−ソース(S)間の電圧を設定する可変抵抗器12と、測定電圧の印加開始直後に発生する突入電流を防止するコンデンサ13と、各FET51,FET52のソース(S)に直列接続された定電流負帰還用抵抗16,17とから構成されている。
【0021】
FET51は、FET52に対向するように、正逆直列に接続されている。すなわち、FET51のドレイン(D)側は入力端子Aに接続され、ソース(S)側はFET52のソース(S)側に接続されている。FET52のドレイン(D)側は出力端子Bに接続されている。FET51,FET52は、エンハンスメント型MOS−FETであり、高耐圧性に優れており、数百ボルトを印加するコンデンサ31の耐圧測定に適している。さらに、FET51,FET52は、コンデンサ31の充電時間を短縮でき、測定効率が良い。
【0022】
FET51,FET52のそれぞれのソース(S)−ドレイン(D)間にはソース(S)からドレイン(D)方向への流れを許容する保護ダイオード18,19が並列接続されている。
【0023】
定電圧ダイオード11は、FET51,FET52のそれぞれのゲート(G)−ソース(S)間に並列接続されている。可変抵抗器12も、FET51,FET52のそれぞれのゲート(G)−ソース(S)間に並列接続されている。この可変抵抗器12は、各FET51,FET52のドレイン(D)−ソース(S)間を流れる電流の増減に応じて、各FET51,FET52のゲート(G)−ソース(S)間に印加される電圧を調整するゲート−ソース間電圧設定用抵抗として機能する。
【0024】
バイアス電源9は、光起電力回路10(具体的には、赤外線LED27とフォトダイオードアレイ素子28を組み合わせたもの、いわゆるフォトボル)を含んでいる。
【0025】
光起電力回路10の一次側には直流電源23が接続されており、光起電力回路10の入力保護のために直流電源23と直列に抵抗14を接続している。また、光起電力回路10の一次側には直流電源23と直列に接点15を接続している。接点15がONすると、赤外線LED27が発光し、この光をフォトダイオードアレイ素子28が受光して2次側電圧が発生する。この2次側電圧はFET51,FET52のゲート(G)に供給される。なお、光起電力回路10の出力電圧が安定している場合には、定電圧ダイオード11を使用する必要はない。
【0026】
このような構成の定電流回路5において、被測定物であるコンデンサ31の正電圧による絶縁抵抗を測定する場合、または、負電圧印加後に放電する場合には、電流が入力端子Aから出力端子Bへと流れる。このとき、FET52側は、保護ダイオード19に電流が流れ、定電流作用はFET51で行なうことになる。
【0027】
より、具体的に説明する。FET51のドレイン(D)−ソース(S)間を流れる電流値は、FET51のゲート(G)−ソース(S)間の電位差により決まる。FET51のゲート(G)には、バイアス電源9から出力された電圧が印加される。この電圧は定電圧ダイオード11で安定化され、可変抵抗器12で分圧されている。そして、入力端子Aから出力端子Bへ流れる電流が増加した場合、つまり、FET51のドレイン(D)−ソース(S)間を流れる電流が増加した場合には、定電流負帰還用抵抗16の両端の電位差が上昇し、FET51のゲート(G)−ソース(S)間に加わる電圧を下げ、FET51のドレイン(D)−ソース(S)間を流れる電流(入力端子Aから出力端子Bへ流れる電流)を制限する。
【0028】
逆に、入力端子Aから出力端子Bへ流れる電流が減少した場合には、定電流負帰還用抵抗16の両端の電位差が低下し、FET51のゲート(G)−ソース(S)間に加わる電圧を上げ、FET51のドレイン(D)−ソース(S)間に流れる電流(入力端子Aから出力端子Bへ流れる電流)を増加させる。このように、正電圧源21の電圧を変えても、FET51の定電流特性を利用して、常に一定の電流をコンデンサ31に流すことができる。
【0029】
また、コンデンサ31の負電圧による絶縁抵抗を測定する場合、または、正電圧印加後に放電する場合には、電流が出力端子Bから入力端子Aへと流れる。このとき、FET51側は、保護ダイオード18に電流が流れ、定電流作用はFET52で行なうことになる。このように、FETを2個直列に接続することで、正負の電圧印加時と放電時の電流を一定化できる。
【0030】
ところで、一般に、FETのゲート(G)−ソース(S)間には寄生容量(以下ではFET寄生容量と称す)が存在する。従って、FETのドレイン(D)−ソース(S)間に流れる電流値の増減に対する、ゲート(G)−ソース(S)間電位差の増減動作の追従性(以下では、定電流動作の追従性と称す)は、このFET寄生容量の充/放電時間により決定される。この充/放電時間は、可変抵抗器12と定電流負帰還用抵抗16(または17)の合成抵抗値RとFET寄生容量の容量値Cの時定数CRで決定される。
【0031】
そして、FETのゲート(G)−ソース(S)間に印加される電圧を供給するバイアス電源9の駆動電流が十分大きい場合には、可変抵抗器12の抵抗値を小さくすることができ、定電流動作の追従性が良い。しかし、本第1実施形態で使用した光起電力回路10は駆動電流が小さく、可変抵抗器12の抵抗値を大きくする必要がある。このため、定電流動作の追従性が悪く、特に、測定電圧印加開始直後(電流値が急激に変化する場合)には数μs〜数ms程度の突入電流(設定した電流値より大きな電流)が流れる。
【0032】
コンデンサ13は、この突入電流を防止するためのものであり、FET寄生容量と定電流負帰還用抵抗16(または17)の間に接続されている。コンデンサ13を接続することで、FETのドレイン(D)−ソース(S)間に流れる電流が急激に変化した場合のFET寄生容量の充/放電を、コンデンサ13の放/充電により瞬時に行なうため、定電流動作の追従性が良くなり、突入電流の発生が防止される。この場合、定電流動作の追従性は、FET寄生容量と定電流負帰還用抵抗16(または17)により決定され、可変抵抗器12の抵抗値には依存しない。したがって、光起電力回路10の駆動電流の大小に関わらず、突入電流を防止でき、過電流による被測定物31や絶縁抵抗測定装置1の破損を防止できる。
【0033】
印加測定電圧は、被測定物31の種類に応じて様々であり、測定電圧の正負切替、充/放電切替や測定電圧印加ON/OFFを行なう切替器は接点耐圧、開閉容量、接点容量の大きなものを使用する必要があり、コストアップとなる。本第1実施形態では、FET51,FET52のそれぞれに、バイアス電源9から出力された電圧が印加されており、バイアス電源9の1次側の接点15をON/OFFすることにより、被測定物31への測定電圧の印加をON/OFF制御している。このため、接点耐圧、開閉容量、接点容量の小さな接点15で実現可能である。また、測定電圧の印加OFF時に切替器4を切り替えることで、印加測定電圧の大きさにかかわらず、切替器4は接点耐圧、開閉容量の小さな安価なものを使用できる。
【0034】
以上の構成からなる絶縁抵抗測定装置1は、FET51,FET52のバイアス電源9が光起電力回路10を含んでいる。従って、光起電力回路10の1次側と2次側は電気的に絶縁されており、しかも、2次側電圧は光電効果を利用して発生させているため、低ノイズな電源となる。この結果、定電流回路5の低ノイズ化が実現でき、精度の良い絶縁抵抗測定が実現できる。
【0035】
[第2実施形態、図2]
図2に示すように、絶縁抵抗測定装置1Aの定電流回路5Aは、各FET51,FET52毎にバイアス電源9a,9bと、定電圧ダイオード11a,11bと、可変抵抗器12a,12bと、突入電流防止コンデンサ13a,13bと、定電流負帰還用抵抗16,17とを備えている。FET51とFET52はドレイン(D)同士が直列に接続している。
【0036】
バイアス電源9a,9bは、それぞれ光起電力回路10a,10bを含んでいる。光起電力回路10a,10bの1次側には共通の直流電源23が接続され、入力保護用抵抗14a,14bが直流電源23に直列に接続している。また、光起電力回路10a,10bの1次側には、直流電源23と直列に接点15を接続している。
【0037】
以上の構成からなる絶縁抵抗測定装置1Aは、前記第1実施形態の装置1と同様の作用効果を奏する。さらに、二つのFET51,FET52間に個体差があっても、可変抵抗器12a,12bやバイアス電源9a,9bなどの電気定数を種々設定することにより、ゲート(G)に印加する電圧値をそれぞれ独立して設定することができる。
【0038】
[第3実施形態、図3]
図3に示す絶縁抵抗測定装置1Bは、正負の両電圧で絶縁抵抗測定を行なう必要がなく、かつ、被測定物31に充電された電圧を放電する必要がない場合に用いられる。この絶縁抵抗測定装置1Bは、FET51および定電流負帰還用抵抗16が一つですむため、部品点数が少なく、安価である。
【0039】
[第4実施形態、図4]
図4に示す絶縁抵抗測定装置1Cは、定電流回路5Cに、チャージポンプ回路を含んだバイアス電源40を使用したものである。バイアス電源40の1次側には、直流電源23と入力保護用抵抗14が接続している。一段目コンデンサ41は、一段目スイッチS1a,S1bを介して直流電源に並列接続され、二段目スイッチS2a,S2bを介して二段目コンデンサ42に並列接続されている。
【0040】
バイアス電源40による2次側電圧生成方法は以下の通りである。まず、一段目スイッチS1a,S1bをONするとともに、二段目スイッチS2a,S2bをOFFし、直流電源23によって一段目コンデンサ41を充電する。次に、一段目スイッチS1a,S1bをOFFするとともに、二段目スイッチS2a,S2bをONし、一段目コンデンサ41に充電された電荷によって二段目コンデンサ42を充電する。さらに、前述の充電動作を繰り返す。こうして、二段目コンデンサ42に生成した2次側電圧は、FET51,FET52のゲート(G)に供給される。
【0041】
以上の構成からなる絶縁抵抗測定装置1Cは、FET51,FET52のバイアス電源40がチャージポンプ回路を含んでいる。従って、チャージポンプ回路の1次側と2次側は、一段目スイッチS1a,S1bにより電気的に絶縁されており、しかも、2次側電圧は充電された二段目コンデンサ42(いわゆる電池と見做せる)にて発生させているため、低ノイズな電源となる。この結果、定電流回路5Cの低ノイズ化が実現でき、精度の良い絶縁抵抗測定が実現できる。
【0042】
[他の実施形態]
なお、本発明に係る絶縁抵抗測定装置は、前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。例えば、前記実施形態では、FETのゲート(G)−ソース(S)間に印加される電圧を調整するゲート−ソース間電圧設定用抵抗として可変抵抗器を使用したが、固定抵抗を使用して調整を不要化してもよい。
【0043】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、FETのバイアス電源は、ノイズを発生させにくい光起電力回路やチャージポンプ回路を含んでいるため、低ノイズの定電流回路が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る絶縁抵抗測定装置の第1実施形態を示す電気回路図。
【図2】本発明に係る絶縁抵抗測定装置の第2実施形態を示す電気回路図。
【図3】本発明に係る絶縁抵抗測定装置の第3実施形態を示す電気回路図。
【図4】本発明に係る絶縁抵抗測定装置の第4実施形態を示す電気回路図。
【符号の説明】
1,1A,1B,1C…絶縁抵抗測定装置
2…直流測定電源
4…切替器
5,5A,5B,5C…定電流回路
6…OPアンプ(I/V変換器)
9,9a,9b,40…バイアス電源
10,10a,10b…光起電力回路
12,12a,12b…ゲート−ソース間電圧設定用抵抗
13,13a,13b…突入電流防止コンデンサ
15…接点
16,17…定電流負帰還用抵抗
51,52…FET
Claims (3)
- 被測定物に測定電圧を印加する測定電源と、
前記測定電源から供給される電流を一定化する定電流回路と、
前記定電流回路の出力端に接続された被測定物の漏れ電流を電圧に変換するI/V変換器とを備え、
前記I/V変換器の出力電圧により被測定物の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定装置であって、
前記定電流回路は、
FETと、
前記FETのゲート−ソース間に直流電圧を印加し、光起電力回路を含んだバイアス電源と、
前記FETのソースに直列接続された定電流負帰還用抵抗と、
前記FETのバイアス電源の出力電圧を分圧してFETのゲート−ソース間に印加するゲート−ソース間電圧設定用抵抗と、
前記FETのゲート−ソース間に発生する寄生容量より大きい静電容量を有したコンデンサであって、前記FETのゲート−ソース間に、前記FETのソースに接続された定電流負帰還用抵抗を介して接続されたコンデンサと、
を備えること、
を特徴とする絶縁抵抗測定装置。 - 被測定物に正負いずれか一方の測定電圧を印加する測定電源と、
正負いずれか一方の測定電圧に選択的に切り替える切替器と、
前記測定電源から供給される電流を一定化する定電流回路と、
前記定電流回路の出力端に接続された被測定物の漏れ電流を電圧に変換するI/V変換器とを備え、
前記I/V変換器の出力電圧により被測定物の絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定装置であって、
前記定電流回路は、
ソース側同士およびドレイン側同士のいずれかが直列接続された二つのFETと、
それぞれの前記FETのゲート−ソース間に直流電圧を印加し、光起電力回路を含んだバイアス電源と、
それぞれの前記FETのソースに直列接続された定電流負帰還用抵抗と、
前記FETのバイアス電源の出力電圧を分圧してそれぞれのFETのゲート−ソース間に印加するゲート−ソース間電圧設定用抵抗と、
それぞれの前記FETのゲート−ソース間に発生する寄生容量より大きい静電容量を有したコンデンサであって、それぞれの前記FETのゲート−ソース間に、それぞれの前記FETのソースに接続された定電流負帰還用抵抗を介して接続されたコンデンサと、
を備えること、
を特徴とする絶縁抵抗測定装置。 - 前記光起電力回路の一次側に接点を設け、該接点で前記測定電圧の印加をON/OFF制御することを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の絶縁抵抗測定装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002164798A JP4062979B2 (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 絶縁抵抗測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002164798A JP4062979B2 (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 絶縁抵抗測定装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004012246A JP2004012246A (ja) | 2004-01-15 |
JP4062979B2 true JP4062979B2 (ja) | 2008-03-19 |
Family
ID=30432851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002164798A Expired - Lifetime JP4062979B2 (ja) | 2002-06-05 | 2002-06-05 | 絶縁抵抗測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4062979B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103018572A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-03 | 江苏宏宝电子有限公司 | 一种光伏并网逆变器绝缘阻抗监控电路 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5109061B2 (ja) * | 2007-02-07 | 2012-12-26 | 株式会社ワイディー・メカトロソリューションズ | 電流制限回路 |
KR101354583B1 (ko) * | 2010-09-17 | 2014-01-22 | 에스케이이노베이션 주식회사 | 누설전류를 발생시키지 않고 셀프 테스트 기능을 가진 절연저항 측정회로 |
KR101251831B1 (ko) * | 2011-06-09 | 2013-04-09 | 삼성전기주식회사 | 보호 회로 및 이를 포함하는 절연 저항 측정 장치 |
-
2002
- 2002-06-05 JP JP2002164798A patent/JP4062979B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103018572A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-04-03 | 江苏宏宝电子有限公司 | 一种光伏并网逆变器绝缘阻抗监控电路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004012246A (ja) | 2004-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6744224B2 (en) | Rush current limiting circuit for a PFM control charge pump | |
US7675275B2 (en) | DC-DC converter | |
US7263337B2 (en) | Circuit for boosting DC voltage | |
US4885477A (en) | Differential amplifier and current sensing circuit including such an amplifier | |
US9531186B2 (en) | Current detection circuit and semiconductor integrated circuit device | |
US7576524B2 (en) | Constant voltage generating apparatus with simple overcurrent/short-circuit protection circuit | |
EP2850727B1 (en) | Integrated start-up bias boost for dynamic error vector magnitude enhancement | |
US6977513B2 (en) | Current detection circuit of bidirectional switch | |
US20070236283A1 (en) | Circuit to optimize charging of bootstrap capacitor with bootstrap diode emulator | |
US7463087B2 (en) | Operational amplifier with zero offset | |
US9791882B2 (en) | Voltage source | |
EP3968518B1 (en) | Dc-dc voltage converter with floating rail generation for cascode transistor biasing | |
JP4062979B2 (ja) | 絶縁抵抗測定装置 | |
EP0881770B1 (en) | Control circuit for the current switch edges of a power transistor | |
US7612550B2 (en) | Dropper type regulator | |
CN216670106U (zh) | 一种功率开关过流检测电路及电流检测电路 | |
US11784612B2 (en) | Signal detection circuit | |
US8217687B2 (en) | Capacitive load driver | |
JPH1062462A (ja) | 絶縁抵抗測定装置 | |
JP2949242B2 (ja) | コンデンサの絶縁抵抗測定装置 | |
JP2002315317A (ja) | Dc/dcコンバータおよびそのスイッチングノイズ低減方法 | |
CN116260107B (zh) | buck电路和DC-DC芯片 | |
JP3358244B2 (ja) | 圧電アクチュエータ用駆動装置 | |
JP4400992B2 (ja) | 駆動信号供給回路 | |
JP5351694B2 (ja) | 半導体スイッチの保護装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070629 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071211 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071224 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4062979 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120111 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130111 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140111 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |