JP4047401B2 - メモリセル及びメモリ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路などにおけるメモリセル及びメモリに関するのである。
【0002】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、例えば、次のような文献に記載されるものがあった。
文献;大森 正道編、「超高速化合物半導体デバイス」、培風館、P.306−307
GaAsなどの化合物半導体は、シリコンより電子移動度が大きく、半絶縁性であるため、シリコンでは到達できない高速動作が実現できる。この化合物半導体を用いた半導体集積回路の一つにSRAM(Static Random Access Memory )がある。
【0003】
図2は、前記文献に記載された従来のSRAMのメモリセルを示す回路図である。
図2に示すように、ノードcには、デプレッション型電界効果トランジスタ (以下、D−FETと呼ぶ)1のゲートとソース、エンハンスメント型電界効果トランジスタ(以下、E−FETと呼ぶ)3,5のドレイン、E−FET4のゲートが接続され、ノードdにはD−FET2のゲートとソース、E−FET4,6のドレイン、E−FET3のゲートが接続されている。
D−FET1,2のドレインは電源端子Vddに、E−FET3,4のソースはグラウンド端子に、E−FET5,6のゲートはワード線WL2にそれぞれ接続され、E−FET5,6のソースはそれぞれビット線BLa 、BLb に接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のメモリセルにおいては、次の(a)(b)のような課題があった。
(a)ビット線の制御が複雑で設計パラメータの許容範囲が狭い。
読み出しにも書き込みにも同じ2本のビット線BLa 、BLb を使うため、読み出しと書き込みを判別する必要があり、そのためビット線の読み出し時の高電位・低電位(以下、それぞれHr ,Lr と呼ぶ)と書き込み時の高電位・低電位(以下、Hw 、Lw と呼ぶ)でそれぞれ電位を変える必要がある。
例えば、
Lw =0.1〜0.3V、Hw =0.6V〜0.8V、Lr =0.9V〜1.1V、Hr =1.2V〜1.4V
と設定する。
このように、読み出しや書き込みのためにビット線は4つの電位をとる。このため、周辺回路(例えば、プルアップ回路、センスアンプ回路など)が複雑、メモリセルや周辺回路の設計パラメータ(例えば、ゲート幅や閾値など)の許容範囲が狭い等の問題がある。特に、設計パラメータの許容範囲が狭いと設計が難しいだけでなく、製造プロセスにおける素子特性のばらつきに対する許容範囲が狭くなり、歩留まりが低下する。
【0005】
(b)MES−FETのように導通時の抵抗(以下、オン抵抗と呼ぶ)と遮断時の抵抗(以下、オフ抵抗と呼ぶ)の変化率があまり大きくない素子で、メモリセルを構成する場合、該メモリセルの低電流化(低消費電力化)が困難である。
ノードcが低電位(以下、Lと呼ぶ)、ノードdが高電位(以下、Hと呼ぶ)、及びワード線WL2がHとし、ビット線BLa 、BLb の電位がLr 以下に下がらないようにするためのプルアップ回路にビット線BLa 、BLb が接続されているものとする。ノードcがLでノードdがHなので、E−FET3,5,6が導通状態、E−FET4が遮断状態にあり、メモリセルの記憶状態がビット線BLa 、BLb を通して、読み出される。
この状態(ノードcがLの時)では、ビット線BLa に接続されたプルアップ回路からE−FET5を通して、E−FET3のドレイン・ソース間に電流が流れ、ビット線BLa の電位がLr まで下がる。この電流は、配線長が長く配線容量が大きいビット線BLa の電位を高速に変化させるために、大きなものとなる。
【0006】
E−FET3に大きな電流が流れてもノードcがLを保つ(読み出しなのでLを保たなければならない)ために、ゲート幅を大きくするなどして、E−FET3のドレイン・ソース間の導通時のオン抵抗を小さくする(電流を大きくする)必要がある(E−FET3のオン抵抗が大きいと、読み出し時の大きな電流が流れた時、E−FET3のソース・ドレイン間の電圧が大きくなり、ノードcがLを保てなくなる)。E−FET4に対しても、ノードcがHでノードdがLの時を考えると、同様である。
オン抵抗を小さくすると、MES−FET等のようにオン抵抗とオフ抵抗の変化率があまり大きくない素子ではオフ抵抗も小さくなり、遮断時の電流(リーク電流)が大きくなる。負荷電流はリーク電流より十分大きくしなければならないので、負荷電流を下げてメモリセルを低電流化することが難しい。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために、メモリセルは、第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、読み出し線と、書き込み線と、読み出し用及びデータ書き込み用のワード線と、前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記読み出し線と前記ワード線の間を開閉する第1のゲート回路と、前記書き込み線の電位により、前記ワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路とを備えている。
【0008】
以上のように構成した本発明によるメモリセルは、以下のように動作する。
読み出し時においては、書き込み線の信号により第2のゲート回路を開くことにより、ワード線と第2のインバータの出力端子の間を開いておく。第1のインバータの出力端子の電位により、第1のゲート回路が開閉し、第1のゲート回路が閉じると、読み出し線とワード線が導通状態になり、第1のゲート回路が開くと、読み出し線とワード線が遮断状態になる。そのため、読み出し線とワード線の間が導通状態か遮断状態かを検出することにより、第1のゲート回路の出力端子の電位が分かる。つまり、記憶状態が分かる。
書き込み時には、書き込み線の信号により第2のゲート回路を閉じて、ワード線にデータを入力することにより、第2のインバータの出力端子に書き込む。
【0009】
書き込み時には、ワード線上の電位により第2のゲート回路を閉じて、書き込み線にデータを入力することにより、第2のインバータの出力端子に書き込む。
従って、次のような理由から前記課題を解決できるのである。
前記課題(a)は読み出し線と書き込み線を設けたので、それぞれH,Lの2つの電位をとればよく、それぞれの線の制御が簡単で設計パラメータの許容範囲が広くなることから解決できる。
前記課題(b)は読み出し線から流れ込む電流が第1のゲート回路にしか流れず、第1,第2のインバータには流れ込まないようにしたので、第1,2のインバータの駆動能力を下げて低消費電力化することができることから解決できる。
【0010】
【発明の実施の形態】
第1の実施形態
図1は、本発明の第1の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
この第1の実施形態のメモリセルが従来のメモリセルと異なる点は、ビット線を読み出し線RDLi (iは正の整数、以下同様)と書き込み線WRLi に分け、読み出し用・データ書き込み用ワード線WDLj (jは正の整数、以下同様)をメモリセルを選択するためのワード線の代わりに設けたことである。
また、第1の実施形態の周辺回路における従来のメモリの周辺回路と異なる点は、センスアンプ回路を無くし、読み出し線RDLi と読み出し用・データ書き込み用ワード線WDLj の開閉状態を検出する回路と読み出し用・データ書き込み用ワード線WDLj を駆動する論理回路などを設けたことである。
本第1の実施形態のメモリは、マトリックス状に配置された複数個の図1に示すメモリセルXi Yj (i=1,2,…,j=1,2,…)と周辺回路により構成される。
【0011】
メモリセルXi Yj は、負荷である2個のD−FET11ij,12ij、スイッチング素子である2個のE−FET13ij,14ij、E−FET15ij(第1のゲート回路)、E−FET16ij(第2のゲート回路)、読み出し線RDLi 、書き込み線WRLi 、読み出し用及びデータ書き込み用ワード線WDLj より構成されている。
読み出し線RDLi と書き込み線WRLi は対をなし、例えば、横に複数(i=1,2,…)配置される。読み出し用及びデータ書き込み用のワード線WDLj は、例えば、縦に複数(j=1,2,…)配置される。
同一のワード線WDLj を、1つまたは複数のメモリセルが占有または共有することができる。読み出し線RDLi と書き込み線WRLi の対を、1つまたは複数のメモリセルが占有または共有することができる。
周辺回路は、1本のワード線WDLj につき1組、1本の読み出し線RDLi につき1組、1本の書き込み線WRLi につき1組だけあればよい。ワード線WDLj の周辺回路は、E−FETYj とトライステート出力のインバータTSINVj (第2の論理回路)により構成されている。以下、説明の簡単化のため、周辺回路におけるトライステート出力のインバータをTSINVとして記す。
【0012】
読み出し線RDLi の周辺回路は、負荷Ri とE−FETXi により構成されている。書き込み線WRLi の周辺回路は、インバータINVi (第1の論理回路)により構成されている。以下、説明の簡単化のため、周辺回路におけるインバータをINVとして記す。負荷Ri とE−FETXi とE−FETYj は、読み出し線RDLi とワード線WDLj の開閉状態を検出する回路である。
D−FET11ij,12ij、E−FET13ij,14ijは、nチャネルMES−FETを使ったDCFL(Direct Coupled FET Logic) 回路のインバータを構成する。D−FET11ijとE−FET13ijにより第1のインバータが構成され、D−FET12ijとE−FET14ijにより第2のインバータが構成される。
周辺回路のTSINVj は書き込み時において、ワード線WDLj が選択された場合には、第2のインバータの出力インピーダンスよりも小さいインピーダンス(以下、駆動能力が大きいという)となり、ワード線WDLj が選択されていない場合には、ハイインピーダンス状態となるように構成している。
【0013】
これは、論理ゲートのTSINVj のゲート幅を第2のインバータのゲート幅よりも大きくすることにより、駆動能力を大きくし、その制御端子に制御信号を入力することによりハイインピーダンス状態(例えば、制御信号により出力端子を電源端子Vdd及びグラウンド端子と遮断する)にすることで実現できる。
メモリセルXi Yj については、D−FET11ij,12ijのドレインは電源端子Vddに接続されている。ノードaijには、D−FET11ijのゲートとソース、E−FET13ijのドレイン、及び各E−FET14ij,15ijのゲートが接続されている。ノードbijには、D−FET12ijのゲートとソース、各E−FET14ij,16ijのドレイン、及びE−FET13ijのゲートが接続されている。各E−FET13ij,14ijのソースはグラウンド端子にそれぞれ接続されている。各E−FET15ij,16ijのソースはワード線WDLj にそれぞれ接続されている。E−FET15ijのドレインは読み出し線RDLi に、E−FET16ijのゲートは書き込み線WRLi にそれぞれ接続されている。
【0014】
周辺回路については、負荷Ri の一方の端子は、電源端子Vddに、他方の端子は、E−FETXi のドレインに接続されている。E−FETXi のゲートは制御信号入力端子に、ソースは読み出し線RDLi に接続されている。INVi の出力側は書き込み線WRLi に、TSINVj の出力側及びE−FETYj のドレインはワード線WDLj 接続されている。E−FETYj のゲートは制御信号入力端子に、ソースはグラウンド端子に接続されている。TSINVj のハイインピーダンス状態を制御する制御端子は、制御信号入力端子CTLj に接続されている。
以下、図1のメモリセルの動作の説明をする。
【0015】
(a)読み出し時
メモリセルXi Yj からデータを読み出す時、E−FETXi とE−FETYj のゲートをHにする。それ以外のE−FETXm (m≠i)、E−FETYn (n≠j)のゲートはLにする。また、INVm (m=1,2,…,i,…)の出力はすべてLにし、TSINVn (n=1,2,…,j,…)の出力は全てハイインピーダンス状態にする。
ノードaijがH、ノードbijがLの時、E−FET15ijのゲートがHなので、E−FET15ijが導通状態となり、読み出し線RDLi とワード線WDLj との間が導通状態となる。ノードaijがL、ノードbijがHの時、E−FET15ijのゲートがLなので、E−FET15ijが非導通状態となり、読み出し線RDLi とワード線WDLj の間が遮断状態となる。よって、読み出し線RDLi とワード線WDLj の間が導通状態か遮断状態かを外部から検出することで、メモリセルXijの記憶状態を読み出すことができる。
【0016】
ここで、読み出し線RDLi とワード線WDLj の間の状態を外部から検出する方法の一例を説明する。
ノードaijがH、ノードbijがLで、読み出し線RDLi とワード線WDLj の間が導通状態の時、電源端子Vddから負荷Ri 、E−FETXi 、E−FETYj を通ってグラウンド端子に電流が流れて、負荷Ri による電圧降下により、出力OUTi の電位がLとなる。ノードaijがL、ノードbijがHで、読み出し線RDLi とワードWDLj の間が遮断状態の時、電流が流れず出力OUTi の電位がHになる。
なお、読み出し時には、INVm (m=1,2,…,i,…)の出力をLにしておくので、書き込み線WRLi はLである。この時、E−FET16mn(n=1,2,…,j,…)が遮断状態になりワード線WDLn とノードbmnが切り離されるので、ワード線WDLn の電位が変化しても、メモリセルXm Yn の記憶状態が変化することはない。
【0017】
(b)書き込み時
メモリセルXi Yj に書き込むとき、INVi の出力をHに、TSINVj の出力をLまたはHにする。それ以外のINVm (m≠i)の出力はLに、TSINVn (n≠j)の出力はハイインピーダンス状態にする。また、E−FETXm 、E−FETYn (m=1,2,…,i,…),(n=1,2,…,j,…)はすべて遮断状態にする。
ノードaijがH、ノードbijがLになるように書き込むには、ワード線WDLj をLにして、書き込み線WRLi をHにする。この時、D−FET12ijとE−FET14ijで構成される第2のインバータの出力とワード線WDLj を駆動するTSINVj の出力が衝突するが、TSINVj の方が第2のインバータよりも駆動能力が大きいので、ノードbijはワード線WDLj の電位Lとなる。ノードbijがLになると、E−FET13ijは遮断状態になり、ノードaijはHになる。ノードaijがHになると、E−FET14ijは導通状態になり、ノードbijがLを維持する。この後、書き込み線WRLi をLにしてE−FET16ijを遮断状態にしても、このメモリセルは以前の状態を保ち続ける。
【0018】
同様に、ノードaijがL、ノードbijがHになるように書き込むには、TSINVj の出力をHにし、ワード線WDLj をHにして、INVi の出力をHにし、書き込み線WRLi をHにすればよい。
メモリセルXi Yj 以外のメモリセルXm Yn (m≠i,n≠j)に関してはINVm の出力をL、TSINVn の出力をハイインピーダンス状態にしているので、メモリセルXmnに書き込まれることはない。
また、E−FETXm 及びE−FETYn は遮断状態にしてあるので、読み出し線RDLm は浮遊状態になっており、ノードamnがHの時、導通状態のE−FET15mnを通して、読み出し線RDLi とワード線WDLj が接続されても、ワード線WDLj の電位が変化せず、書き込みに影響しない。
【0019】
以上説明したように、第1の実施形態によれば、読み出し線RDLi と書き込み線WRLi を設けたので、1つのビット線がLr 、Hr 、Lw 、Hw のような4つの電位をとる必要がなく、L,Hの2つの電位をとればよいので、センスアンプ回路が不要となり、周辺回路も簡単となり、メモリセルや周辺回路の設計パラメータの許容範囲が広いという利点がある。その結果、製造プロセスにおける素子の特性のばらつきに対する許容範囲が広くなり、歩留まりが向上する。
また、E−FET15ijのゲートをノードaijに、ソースをワード線WDLj に接続する構成にしたので、読み出し時にE−FET13ijのドレイン・ソース間に読み出し線RDLi から大きな電流が流れ込むことがなく、E−FET13ijのオン抵抗を大きく(導通時の電流を小さく)することができる。
オン抵抗を大きくすれば、オフ抵抗も大きくでき、遮断時のリーク電流も小さくなり、負荷電流も小さく設計することができる。このように、MES−FETのようなオン抵抗とオフ抵抗の変化率があまり大きくない素子でも、メモリセルの低電流化(=低消費電力化)が可能になる。
【0020】
第2の実施形態
図3は、本発明の第2の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
この第2の実施形態のメモリセルXi Yj が第1の実施形態のメモリセルXi Yj と異なる点は、図1中のワード線WDLj を読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLaj、逆相データ書き込み用のワード線WDLbjに分けて構成したことである。
第2の実施形態のメモリは、マトリック状に配置された複数個の図3に示すメモリセルXi Yj (i,j=1,2,…)と周辺回路により構成されている。メモリセルXi Yj は、負荷である2個のD−FET31ij,32ij、スイッチング素子である2個のE−FET33ij,34ij、E−FET(第1のゲート回路)35ij,E−FET36ij(第2のゲート回路),E−FET42ij(第3のゲート回路)、読み出し線RDLi 、書き込み線WRLi 、及び2本のワード線WDLaj,WDLbjより構成されている。
【0021】
読み出し線RDLi と書き込み線WRLi は対をなし、例えば、横に複数(i=1,2,…)配置される。読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajと逆相データ書き込み用のワード線WLbjは対をなし、例えば、縦に複数(j=1,2,…)配置される。
周辺回路は、1本のワード線WDLajにつき1組、1本のワード線WDLbjにつき1組、1本の読み出し線RDLi につき1組、1本の書き出し線WRLi につき1組だけあればよい。
ワード線WDLajの周辺回路は、E−FETYj とTSINVj (第2の論理回路)により構成されている。ワード線WDLbjの周辺回路は、INVj とTSINVbj(第3の論理回路)により構成されている。読み出し線RDLi の周辺回路は、負荷Ri とE−FETXi により構成されている。書き込み線WRLi の周辺回路は、INVi (第1の論理回路)により構成されている。負荷Ri とE−FETXi とE−FETYj は、読み出し線RDLi とワード線WDLj の開閉状態を検出する回路である。
【0022】
メモリセルXi Yj については、各D−FET31ij,32ijのドレインは電源端子Vddに接続されている。ノードeijには、D−FET31ijのゲートとソース、E−FET33ijのドレイン、各E−FET34ij,35ijのゲート、E−FET42ijのドレインがそれぞれ接続されている。ノードfijには、D−FET32ijのゲートとソース、各E−FET34ij,36ijのドレイン、E−FET33ijのゲートがそれぞれ接続されている。各E−FET33ij,34ijのソースはグラウンド端子にそれぞれ接続されている。
各E−FET35ij,36ijのソースは読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線(第1のワード線)WLajに、E−FET42ijのソースは逆相データ書き込み用のワード線(第2のワード線)WLbjに接続されている。E−FET35ijのドレインは読み出し線RDLi に、各E−FET36ij,42ijのゲートは書き込み線WRLi にそれぞれ接続されている。
【0023】
周辺回路については、負荷Ri の一方の端子は、電源端子Vddに、他方の端子は、E−FETXi のドレインに接続されている。E−FETXi のゲートは制御信号入力端子に、ソースは読み出し線RDLi に接続されている。INVi の出力側は書き込み線WRLi に、TSINVajの出力側及びE−FETYj のドレインはワード線WDLj に接続されている。E−FETYj のゲートは制御信号入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子に接続されている。INVj の出力側はTSINVbjの入力側に、TSINVbjの出力側はワード線WDLbjに接続されている。TSINVaj,TSINVbjのハイインピーダンス状態を制御する制御端子は、制御信号入力端子CTLj に接続されている。
以下、図3のメモリセルの動作の説明をする。
第2の実施形態では、E−FET42ijが追加され、第1の実施形態におけるワード線WDLi が読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajと逆相データ書き込み用のワード線WDLbjに分かれているが、メモリセルXi Yj としての基本的な動作は、第1の実施形態と同じである。E−FET42ijの働きとワード線WDLaj,WDLbjについて、説明する。
【0024】
(a)読み出し時
メモリセルXi Yj を読み出す時、E−FETXi とE−FETYj のゲートをHにする。それ以外のE−FETXm (m≠i)、E−FETYn (n≠j)のゲートはLにする。また、INVm (m=1,2,…,i…)の出力はすべてLにし、TSINVn (n=1,2,…,j,…)の出力は全てハイインピーダンス状態にする。
メモリセルXi Yj を読み出す時、INVi の出力はLにし、書き込み線WRLi をLにするため、E−FET42ijは遮断状態であり、逆相データ書き込み用のワード線WDLbjは、ノードeijと切り離されるので、逆相データ書き込み用ワード線WDLbjの電位はHでもLでも構わない。これ以外の読み出し時の動作は、第1の実施形態と同じであり、読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajがワード線WDLj と同様の働きをする。
【0025】
(b)書き込み時
メモリセルXi Yj に書き込むとき、INVi の出力をHに、TSINVajの出力をLまたはHに、TSINVbjの出力をHまたはLにする。それ以外のINVm (m≠i)の出力はLに、TSINVn (n≠j)の出力はハイインピーダンス状態にする。また、E−FETXm 、E−FETYn (m=1,2,…,i,…),(n=1,2,…,j,…)はすべて遮断状態にする。
ノードeijがH、ノードfijがLになるように書き込むには、TSINVbjの出力をH、TSINVbjの出力をLにし、読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajをL、逆相データ書き込み用のワード線WDLbjをHにして、書き込み線WRLi をHにする。この時、D−FET32ijとE−FET34ijで構成される第2のインバータの出力と、読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WLajを駆動するTSINVajの出力が衝突するが、読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajを駆動するTSINVajの駆動能力が大きいので、ノードfijはLになる。また、D−FET31ijとE−FET33ijで構成される第1のインバータと逆相データ書き込み用のワード線WDLbjを駆動するTSINVbjの出力が衝突するが、上記と同じ理由でノードeijはHとなる。
【0026】
同様に、ノードeijがL、ノードfijがHとなるように書き込むには、TSINVajの出力をH、TSINVbjの出力をLにし、読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajをH、逆相データ書き込み用のワード線WDLbjをLにして、INVi をHにし、書き込み線WRLi をHにすればよい。
以上説明したように、この第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の利点に加えて、以下の利点がある。
正相と逆相という両相のデータを用いて書き込みを行うため、より高速で確実な書き込みをできる。第1の実施形態のように、正相データのみによる書き込みでは、例えば、ノードbij(=E−FET13ijのゲート)がH→E−FET13ijが導通状態→ノードaij(=E−FET14ijのゲート)がL→E−FET14ijが遮断状態という段階を経るが、両相データによる書き込みでは、ノードfij(=E−FET33ijのゲート)がH→E−FET33ijが導通状態という変化とノードeij(=E−FET34ijのゲート)がL→E−FET34ijが遮断状態という変化が同時に進行するため高速である。
【0027】
第3の実施形態
図4は、本発明の第3の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
この第3の実施形態のメモリセルが第2の実施形態のメモリセルと異なる点は、第2の実施形態における読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajを、さらに、読み出し用ワード線WDLrjと正相データ書き込み用のワード線WDLwaj に分けて構成したことである。
本第3の実施形態のメモリは、マトリックス状に配置された複数個の図4に示すメモリセルXi Yj (i,j=1,2,…)と周辺回路により構成されている。
メモリセルXi Yj は、負荷である2個のD−FET51ij,52ij、スイッチング素子である2個のE−FET53ij〜54ij,E−FET55ij(第1のゲート回路)、E−FET56ij(第2のゲート回路)、E−FET62ij(第3のゲート回路)、読み出し線RDLi 、書き込み線WRLi 、読み出し用ワード線(第1のワード線)WDLrj、正相データ書き込み用のワード線(第2のワード線)WDLwaj 、及び逆相データ書き込み用のワード線(第3のワード線)WDLwbj により構成されている。
【0028】
読み出し線RDLi と書き込み線WRLi は対をなし、例えば、横に複数(i=1,2,…)配置される。読み出し用ワード線WDLrj、正相データ書き込み用ワード線WDLwaj 、逆相データ書き込み用ワード線WDLwbj は対をなし、例えば、縦に複数(j=1,2,…)配置される。
周辺回路は、1本の読み出し用ワード線WDLrjにつき1組、1本の正相データ書き込み用ワード線WDLwaj につき1組、1本の逆相データ書き込み用ワード線WDLwbj につき1組、1本の読み出し線RDLi につき1組、1本の書き込み線WRLi につき1組、だけあればよい。
読み出し用ワード線WDLrjの周辺回路は、E−FETYj により構成され、正相データ書き込み用ワード線WDLwaj の周辺回路は、TSINVaj(第2の論理回路)により構成され、逆相データ書き込み用ワード線WDLwbj の周辺回路は、INVj とTSINVbj(第3の論理回路)により構成されている。
読み出し線RDLi の周辺回路は、負荷Ri とE−FETXi により構成されている。書き込み線WRLi の周辺回路は、INVi (第1の論理回路)により構成されている。負荷Ri とE−FETXi とE−FETYj は、読み出し線RDLi とワード線WDLj の開閉状態を検出する回路である。
【0029】
メモリセルXi Yj については、各D−FET51ij,52ijのドレインは電源端子Vddに接続されている。ノードgijには、D−FET51ijのゲートとソース、各E−FET53ij,62ijのドレイン、各E−FET54ij,55ijのゲートがそれぞれ接続されている。ノードhijには、D−FET52ijのゲートとソース、各E−FET54ij,56ijのドレイン、E−FET53ijのゲートがそれぞれ接続されている。各E−FET53ij,54ijのソースはグラウンド端子にそれぞれ接続されている。
E−FET55ijのソースは読み出し用ワード線WDLrjに、E−FET56ijのソースは正相データ書き込み用ワード線WDLwaj に、E−FET62ijのソースは逆相データ書き込み用ワード線WDLwbj に接続されている。E−FET55ijのドレインは読み出し線RDLi に、各E−FET56ij,62ijのゲートは書き込み線WRLi にそれぞれ接続されている。
【0030】
周辺回路については、負荷Ri の一方の端子は、Vdd電源端子に、他方の端子は、E−FETXi のドレインに接続されている。E−FETXi のゲートは制御信号入力端子に、ソースは読み出し線RDLi に、ソースはグラウンド端子に接続されている。INVi の出力側は書き込み線WRLi に、E−FETYj のドレインはワード線WDLrjに、TSINVajの出力側はワード線WDLwaj に接続されている。E−FETYj のゲートは制御信号入力端子に接続され、ソースはグラウンド端子に接続されている。INVj の出力側はTSINVbjの入力側に、TSINVbjの出力側はワード線WDLwbj に接続されている。TSINVaj,TSINVbjのハイインピーダンス状態を制御する制御端子は、制御信号入力端子CTLj に接続されている。
以下、図4のメモリセルの動作の説明をする。
第3の実施形態では、第2の実施形態における読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WDLajが読み出し用のワード線WDLrjと正相データ書き込み用のワード線WDLwaj に分かれており、こららのワード線の扱いが異なるが、メモリセルとしての動作は、第2の実施形態と同じである。ワード線の扱いを以下に述べる。
【0031】
(a)読み出し時
メモリセルXi Yj を読み出す時、E−FETXi とE−FETYj のゲートをHにする。それ以外のE−FETXm (m≠i)、E−FETYn (n≠j)のゲートはLにする。また、INVm (m=1,2,…,i,…)の出力はすべてLにし、TSINVn (n=1,2,…,j,…)の出力は全てハイインピーダンス状態にする。
INVi の出力をLにし、書き込み線WRLi をLにするため、E−FET56ij,62ijは遮断状態であり、正相データ書き込み用のワード線WDLwaj は、ノードgijと切り離され、逆相用データ書き込み用のワード線WDLwbj は、ノードhijと切り離されるので、正相データ書き込み用ワード線WDLwaj 、及び逆相用データ書き込み用のワード線WDLwbj の電位はHでもLでも構わない。また、これ以外の読み出し時の動作は、第2の実施形態と同じである。
【0032】
(b)書き込み時
メモリセルXi Yj に書き込むとき、INVi の出力をHに、TSINVajの出力をLまたはHに、TSINVbjの出力をHまたはLにする。それ以外のINVm (m≠i)はLに、TSINVn (n≠j)はハイインピーダンス状態にする。また、E−FETXm 、E−FETYn (m=1,2,…,i,…),(n=1,2,…,j,…)はすべて遮断状態にする。
ノードgijがH,ノードhijがLになるように書き込むには、正相データ書き込み用のワード線WDLwaj をL、逆相データ書き込み用のワード線WDLwbj をHにして、INVi の出力をHにし、書き込み線WRLi をHにする。書き込みの原理などは第2の実施形態と同じである。
同様に、ノードgijがL、ノードhijがHになるよう書き込むには、正相データ書き込み用のワード線WDLwaj をH、逆相データ書き込み用のワード線WDLwaj をLにして、書き込み線WRLi をHにすればよい。
【0033】
なお、第3の実施形態のメモリセルでは、読み出しに用いる線(読み出し用のワード線WDLrjと読み出し線RDLi )と、書き込みに用いる線(正相データ書き込み用のワード線WDLwaj と逆相データ書き込み用のワード線WDLwbj と書き込み線WRLi )が全く独立しているため、読み出しと書き込みを同時に行うことができる。
即ち、読み出し用のアドレス入力端子・アドレスデコータ等の周辺回路と書き込み用のアドレス入力端子・アドレスデコーダ等の周辺回路を別々に構成して、あるアドレスの内容を読み出しながら別のアドレスの内容を書き換えるようなメモリ回路を簡単に構成することができる。
以上説明したように、本第3の実施形態によれば、第2の実施形態と同様の利点が得られる他、読み出しに用いる線と書き込みに用いる線を分けたので、読み出しと書き込みを同時に行うことができる。
【0044】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形が可能である。その変形例としては、例えば次のようなものがある。
【0045】
(1) 図5は、図3の第2の実施形態の変形例を示すメモリセルと周辺回路の回路図であり、図3中の要素と共通の要素には共通の符号を付してある。E−FET36ijのソースを逆相データ書き込み用のワード線WDLbj、E−FET42ijのソースを読み出し用及び正相データ書き込み用のワード線WLajに接続する構成にすることも可能である。ただし、書き込みデータと読み出しデータの正逆の関係が変わるので、周辺回路構成上の注意が必要である。
(2) 負荷素子として、D−FET31ij,32ijなどを用いたが、抵抗やE−FETなどを用いることができる。
(3) GaAsで多く用いられるnチャネルMES−FETを使ったDCFLを用いたが、Siで多く用いられるnチャネルMOS−FETを用いたnMOS、nチャネルMOS−FETとpチャネルMOS−FETを使ったCMOSやバイポーラトランジスタを使ったTTLなどを用いてもよいが、GaAsを用いたメモリセルの場合には、とりわけ高速動作が可能である。
(4) 負荷Ri の一方の端子(E−FETXi のドレインに接続されていない端子)をグラウンドに、E−FETYj のソースを電源端子Vddに接続する構成にしてもよい。
(5) 負荷Ri は、抵抗素子でもD−FETであってもよい。
(6) 負荷Ri と電源端子Vddの間にE−FETXi を設けてもよい。
【0046】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、読み出し線と書き込み線を分けたので、1つのビット線がLr 、Hr 、Lw 、Hw のような4つの電位をとる必要がなく、L,Hの2つの電位をとればよいので、周辺回路も簡単となり、メモリセルや周辺回路の設計パラメータの許容範囲が広くなる。その結果、製造プロセスにおける素子の特性のばらつきに対する許容範囲が広くなり、歩留まりが向上する。また、メモリセル内のインバータの出力に読み出し線から電流が流れ込まない構成にしたので、メモリセルを低消費電力化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
【図2】従来のメモリセルを示す回路図である。
【図3】本発明の第2の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
【図4】本発明の第3の実施形態を示すメモリセルと周辺回路の回路図である。
【図5】 図3の第2の実施形態のメモリセルと周辺回路の変形例を示す回路図である。
【符号の説明】
11ij,12ij,31ij,32ij,51ij,52ij,71ij,72ij,81ij,82ij
D−FET
13ij〜16ij,33ij〜36ij,42ij,53ij〜56ij,62ij,73ij〜76ij,83ij〜86ij
E−FET
INVi ,INVj
インバータ
TSINVj ,TSINVaj,TSINVbj,TSINVi
トライステート出力のインバータ
Ri
負荷
RDLi
読み出し線
WRLi
書き込み線
WDLj ,WDLaj,WDLbj,WDLrj,WDLwj,WDLwaj ,
WDLwbj
ワード線
Claims (8)
- 第1のインバータと、
入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、
読み出し線と、
書き込み線と、
読み出し用及びデータ書き込み用のワード線と、
前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記読み出し線と前記ワード線の間を開閉する第1のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により、前記ワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路とを、
備えたことを特徴とするメモリセル。 - 第1のインバータと、
入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、
読み出し線と、
書き込み線と、
読み出し用及び正相データ書き込み用の第1のワード線と、
逆相データ書き込み用の第2のワード線と、
前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記読み出し線と前記第1のワード線の間を開閉する第1のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第1のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第2のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを、
備えたことを特徴とするメモリセル。 - 第1のインバータと、
入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、
読み出し線と、
書き込み線と、
読み出し用及び正相データ書き込み用の第1のワード線と、
逆相データ書き込み用の第2のワード線と、
前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記読み出し線と前記第1のワード線の間を開閉する第1のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第2のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第1のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを、
備えたことを特徴とするメモリセル。 - 第1のインバータと、
入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、
読み出し線と、
書き込み線と、
読み出し用の第1のワード線と、
正相データ書き込み用の第2のワード線と、
逆相データ書き込み用の第3のワード線と、
前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記読み出し線と前記第1のワード線の間を開閉する第1のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第2のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、
前記書き込み線の電位により前記第3のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを、
備えたことを特徴とするメモリセル。 - 複数の読み出し線と、
前記読み出し線と対をなす複数の書き込み線と、
読み出し用及びデータ書き込み用の複数のワード線と、
第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記複数の読み出し線のうち1つの読み出し線と前記複数のワード線のうち1つのワード線間を開閉する第1のゲート回路と、前記1つの読み出し線と対をなす1つの書き込み線の電位により、その1つのワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路とを有する複数のセルと、
前記各セルの前記第1のゲート回路が開閉する前記1つの読み出し線と前記1つのワード線の間の開閉状態をその読み出し線の電位により検出する回路と、
前記各書き込み線に接続された第1の論理回路と、
前記各ワード線に接続され、書き込み時、そのワード線が選択される場合には、前記第2のゲート回路を介してそのワード線に接続される前記第2のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第2の論理回路とを、
備えたことを特徴とするメモリ。 - 複数の読み出し線と、
前記読み出し線と対をなす複数の書き込み線と、
読み出し用及び正相データ書き込み用の複数の第1のワード線と、
前記第1のワード線と対をなす逆相データ書き込み用の複数の第2のワード線と、
第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記複数の読み出し線のうち1つの読み出し線と前記複数の第1のワード線のうち1つの第1のワード線間を開閉する第1のゲート回路と、前記1つの読み出し線と対をなす1つの書き込み線の電位により前記1つの第1のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、前記1つの書き込み線の電位により前記1つの第1のワード線と対をなす1つの第2のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを有する複数のセルと、
前記各セルの前記第1のゲート回路が開閉する前記1つの読み出し線と前記1つの第1のワード線の間の開閉状態をその読み出し線の電位により検出する回路と、
前記各書き込み線に接続された第1の論理回路と、
前記各第1のワード線に接続され、書き込み時、その第1のワード線が選択される場合には、前記第2のゲート回路を介してその第1のワード線に接続される前記第2のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第2の論理回路と、
前記各第2のワード線に接続され、書き込み時、その第2のワード線が選択される場合には、前記第3のゲート回路を介してその第2のワード線に接続される前記第1のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第3の論理回路とを、
備えたことを特徴とするメモリ。 - 複数の読み出し線と、
前記読み出し線と対をなす複数の書き込み線と、
読み出し用及び正相データ書き込み用の複数の第1のワード線と、
前記第1のワード線と対をなす逆相データ書き込み用の複数の第2のワード線と、
第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記複数の読み出し線のうち1つの読み出し線と前記複数の第1のワード線のうち1つの第1のワード線間を開閉する第1のゲート回路と、前記複数の書き込み線のうち1つの書き込み線の電位により前記1つの第1のワード線と対をなす1つの前記第2のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、前記1つの書き込み線の電位により前記1つの第1のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを有する複数のセルと、
前記各セルの前記第1のゲート回路が開閉する前記1つの読み出し線と前記1つの第1のワード線の間の開閉状態をその読み出し線の電位により検出する回路と、
前記各書き込み線に接続された第1の論理回路と、
前記各第1のワード線に接続され、書き込み時、その第1のワード線が選択される場合には、前記第3のゲート回路を介してその第1のワード線に接続される前記第1のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第2の論理回路と、
前記各第2のワード線に接続され、書き込み時、その第2のワード線が選択される場合には、前記第2のゲート回路を介してその第2のワード線に接続される前記第2のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第3の論理回路とを、
備えたことを特徴とするメモリ。 - 複数の読み出し線と、
前記読み出し線と対をなす複数の書き込み線と、
読み出し用の複数の第1のワード線と、
前記第1のワード線と対をなす正相データ書き込み用の複数の第2のワード線と、
前記第2のワード線と対をなす逆相データ書き込み用の複数の第3のワード線と、
第1のインバータと、入力端子が前記第1のインバータの出力端子に接続され、出力端子が前記第1のインバータの入力端子に接続された第2のインバータと、前記第1のインバータの出力端子の電位により、前記複数の読み出し線のうちの1つの読み出し線と前記複数の第1のワード線のうちの1つの第1のワード線間を開閉する第1のゲート回路と、前記1つの読み出し線と対をなす1つの書き込み線の電位により前記1つの第1のワード線と対をなす1つの第2のワード線と前記第2のインバータの出力端子の間を開閉する第2のゲート回路と、前記1つの書き込み線の電位により前記1つの第2のワード線と対をなす1つの第3のワード線と前記第1のインバータの出力端子の間を開閉する第3のゲート回路とを有する複数のセルと、
前記各セルの前記第1のゲート回路が開閉する前記1つの読み出し線と前記1つの第1のワード線の間の開閉状態をその読み出し線の電位により検出する回路と、
前記各書き込み線に接続された複数の第1の論理回路と、
前記各第2のワード線に接続され、書き込み時、その第2のワード線が選択される場合には、前記第2のゲート回路を介してその第2のワード線に接続される前記第2のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第2の論理回路と、
前記各第3のワード線に接続され、書き込み時、その第3のワード線が選択される場合には、前記第3のゲート回路を介してその第3のワード線に接続される前記第1のインバータよりも駆動能力が大きくなり、書き込み時で選択されない場合及び読み出し時には、出力がハイインピーダンス状態となる第3の論理回路とを、
備えたことを特徴とするメモリ。
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