JP4045164B2

JP4045164B2 - Manufacturing method of semiconductor device

Info

Publication number: JP4045164B2
Application number: JP2002302628A
Authority: JP
Inventors: 弘幸戸塚; 尚伊早坂; 重和佐川
Original assignee: Renesas Technology Corp
Current assignee: Renesas Technology Corp
Priority date: 2002-10-17
Filing date: 2002-10-17
Publication date: 2008-02-13
Anticipated expiration: 2022-10-17
Also published as: JP2004138469A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、基板上に形成された薄膜（厚さ数ミクロン以下の被膜）の接着力の評価に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、塗布法またはメッキ法などによって基板上に形成された薄膜の接着力は、例えばテープピーリング法またはスクラッチ法などによって評価されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
テープピーリング法は、例えばセロハンテープによる間接的な引き剥がし方法であり、相対的に接着力が弱い薄膜に対して用いられる。また、スクラッチ法は、圧子例えば直径０.８〜０.０３ｍｍのクロム（Ｃｒ）球に荷重と振動を加えて薄膜を引っかき、せん断応力の変動などを測定する方法であり、相対的に接着力が強い薄膜または硬質薄膜に対して用いられる。
【０００４】
【非特許文献１】
早川茂、和佐清孝著「薄膜化技術」共立出版株式会社、１９８２年１２月１日、Ｐ．４２（表２．１１）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、本発明者が検討したところ、上記テープピーリング法では、薄膜のピーリング強度よりもテープの接着剤の接着力が弱い場合、テープによる薄膜の引き剥がしができないことが明らかとなった。また、上記スクラッチ法では、基板と薄膜との間の接着力よりも強度が弱い薄膜において、初期のせん断応力と剥離時のせん断応力との変動が現れにくいことから、データの信頼性が低くなることが本発明者によって見いだされた。
【０００６】
本発明の目的は、基板上に形成されたいかなる薄膜においても、基板に対するその接着力を評価することのできる技術を提供することにある。
【０００７】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００９】
本発明は、薄膜が形成された一方の面を下にして、基板をステージ上に載置した後、薄膜が形成されていない基板の他方の面にスクライブラインを入れる工程と、基板の一部を劈開用ブレードのギャップ内に入れる工程と、劈開用ブレードを下方に第１の角度で回転させて、基板をスクライブラインに沿って劈開し、基板から一片を分断する工程と、劈開用ブレードを垂直に下降して、一片を第２の角度で回転させ、一片を前記劈開用ブレードのギャップ内で固定する工程と、劈開用ブレードを第３の角度で斜め方向に下降し、基板から薄膜を引き剥がす工程とを有する測定方法によって、基板上に形成された薄膜の接着力を評価するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１１】
本発明の一実施の形態である半導体ウエハ上に形成された薄膜の密着強度を測定する方法を図１〜図４を用いて説明する。図１は薄膜の密着強度の測定方法を示すプロセスフロー図、図２は半導体ウエハから薄膜を引き剥がす工程を示す模式図、図３は半導体ウエハの要部上面図および要部断面図、図４は薄膜の密着強度の測定に用いられるブレーキング機構の概略図である。
【００１２】
ステップ１（図１の工程Ｓ１、図２（ａ））。まず、図３に示す半導体ウエハ１を準備する。半導体ウエハ１は直径を、例えば５インチまたは６インチとするシリコン単結晶からなるウエハであって、１６０〜４００μｍ程度の厚さを有し、その裏面には、厚さ０.１〜１.５μｍ程度の電極膜２が形成されている。電極膜２は、例えばチタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）および銀（Ａｇ）が下層から順に堆積された積層膜とすることができる。また、半導体ウエハ１の主面には、半導体集積回路が形成されており、図３に、半導体集積回路が形成された領域をチップ取得領域１ａとして示す。なお、図における半導体集積回路の記載は省略する。
【００１３】
ステップ２（図１の工程Ｓ２）。次に、図４に示すブレーキング装置３のステージ４上に、上記半導体ウエハ１を載せる。この際、電極膜２が成膜された裏面を下にし、かつ後の工程で分断される領域を含む半導体ウエハ１の一部をステージ４からはみ出させて、ステージ４上に半導体ウエハ１が載置される。
【００１４】
ブレーキング装置３は、主としてステージ４、ダイヤモンドカッタ５、ブレーキングブレード６、グリップ機構部７および劈開用ブレード８によって構成される。ステージ４からはみ出た半導体ウエハ１の一部の上方にダイヤモンドカッタ５、下方に劈開の支点となるブレーキングブレード６が設置されており、さらに、ステージ４からはみ出た半導体ウエハ１の一部を保持することのできる位置に劈開用ブレード８が設置されている。
【００１５】
ステップ３（図１の工程Ｓ３、図２（ｂ））。次に、ダイヤモンドカッタ５を用いて、予め設定されたカッタ角度、スクライブ荷重により、半導体ウエハ１の表面にスクライブライン９を入れる。
【００１６】
図３に示すように、スクライブライン９はチップ取得領域１ａを避けた半導体ウエハ１の周辺部に入れられ、後の工程で半導体ウエハ１から分断される領域が確保される。この領域の半導体ウエハ１の周縁からスクライブライン９までの最も長い距離（以下、スクライブ幅と記す）Ｓｗは、例えば２〜４ｍｍとすることができる。
【００１７】
【表１】

【００１８】
表１に、半導体ウエハの厚さとスクライブ荷重との関係を示す。“ＯＫ”と記載されたスクライブ荷重は、それぞれの厚さの半導体ウエハに適するスクライブ荷重であり、“ＮＧ”と記載されたスクライブ荷重は、それぞれの厚さの半導体ウエハに適さないスクライブ荷重である。“ＮＧ”と記載されたスクライブ荷重を採用した場合、スクライブだけで半導体ウエハが分断される、または後の工程で半導体ウエハが分断できないなどの不良が生ずる。
【００１９】
ステップ４（図１の工程Ｓ４）。次に、劈開の支点となるブレーキングブレード６を上昇させる。ブレーキングブレード６の先端部の曲率半径は、例えば１.０ｍｍであり、先端部が電極膜２に傷をつけない形状をしている。
【００２０】
ステップ５（図１の工程Ｓ５、図２（ｃ））。次に、グリップ機構部７および劈開用ブレード８を前進させて、劈開用ブレード８のギャップ８ａ内にスクライブ幅Ｓｗの約１／２〜２／３を入れる。劈開用ブレード８のギャップの上下幅Ｌは、スクライブ幅Ｓｗの約１／２〜２／３の半分以下に設定されており、例えば１ｍｍ程度とすることができる。
【００２１】
ステップ６（図１の工程Ｓ６、図２（ｄ））。次に、劈開用ブレード８を下方に約３０度以下、例えば約１５度の第１の角度θ₁で回転させて、ブレーキングブレード６を支点として半導体ウエハ１をスクライブライン９に沿って劈開し、半導体ウエハ１からウエハ片１ｂを分断する。
【００２２】
ステップ７（図１の工程Ｓ７、図２（ｅ））。次に、劈開用ブレード８を垂直に下降してウエハ片１ｂを、例えば約３０度の第２の角度θ₂で回転させ、ウエハ片１ｂを劈開用ブレード８のギャップ８ａ内で固定する。
【００２３】
ステップ８（図１の工程Ｓ８、図２（ｆ））。次に、分断部分の重なりを防ぐため、劈開用ブレード８をさらに垂直に下降してウエハ片１ｂの逃げしろ、例えば約２００μｍを確保する。
【００２４】
ステップ９（図１の工程Ｓ９、図２（ｇ））。次に、傾斜角度（第３の角度θ₃）を、例えば約４５度として、劈開用ブレード８を斜め方向に下降し、半導体ウエハ１から電極膜２を引き剥がす。
【００２５】
ステップ１０（図１の工程Ｓ１０）。次に、例えば観察用のカメラによって半導体ウエハ１の裏面を画像モニタに表示し、引き剥がされた面の観察、スクライブライン９から剥離領域端部までの距離の測定、電極膜２の剥離強度の負荷の測定などによって、電極膜２の密着強度を評価する。スクライブライン９からの引き剥がされた距離を用いて電極膜２の密着強度を評価する場合は、例えば基準値を設定しておき、この基準値との照合により良・不良を判定することができる。
【００２６】
なお、本実施の形態において言及した数等は、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上であっても、または以下であってもよい。例えば本実施の形態では、半導体ウエハ１を分断する第１の角度θ₁を約１５度、劈開用ブレード９内にウエハ片１ｂを固定する第２の角度θ₂を約３０度、電極膜２を引き剥がす際の第３の角度θ₃を約４５度としたが、これら角度に限定されるものではない。
【００２７】
このように、本実施の形態によれば、半導体ウエハ１の一部を分断した後、半導体ウエハ１の裏面に成膜された薄膜を直接引き剥がし、その剥離状態を観察または測定することによって薄膜の密着強度を評価するので、例えば軟質薄膜、硬質薄膜などの薄膜の種類に関係なく、半導体ウエハ１上に形成されたいかなる薄膜においても、密着強度を評価することができる。
【００２８】
また、半導体ウエハ１の主面に形成された半導体集積回路に損傷を与えることなく半導体ウエハ１を分断して、薄膜の密着強度を評価することができるので、開発段階の半導体装置の製造のみでなく、試作または量産段階の半導体装置の製造における不良解析や規格値の管理などにも本発明を採用することができて、製造歩留まり向上に貢献することができる。
【００２９】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３０】
例えば、前記実施の形態では、密着強度を評価する薄膜として、金属積層膜からなる電極膜を例示したが、ＣＶＤ法、スパッタ法、塗布法、メッキ法などで成膜されるいかなる単層膜または積層膜にも本発明である密着強度の評価方法を適用することができる。
【００３１】
また、薄膜を形成する基板として、シリコン単結晶からなる半導体ウエハを例示したが、例えばＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板やＴＦＴ（Thin Film Transistor）液晶製造用基板などといった他の基板上に成膜された薄膜にも本発明である密着強度の評価方法を適用することができる。
【００３２】
また、その主面に半導体集積回路が形成された半導体ウエハを用いて薄膜の密着強度を評価したが、半導体集積回路が形成されていないベアの半導体ウエハを用いた薄膜の評価にも適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００３４】
半導体ウエハの一部を分断した後、半導体ウエハ上に形成された薄膜を直接引き剥がし、その剥離状態を観察または測定することによって薄膜の密着強度を評価するので、半導体ウエハ上に形成されたいかなる薄膜においても、密着強度を評価することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である薄膜の密着強度の測定方法を示すプロセスフロー図である。
【図２】本発明の一実施の形態である半導体ウエハから薄膜を引き剥がす工程を示す模式図である。
【図３】（ａ）は、本発明の一実施の形態である半導体ウエハの要部上面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ’線における要部断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態である薄膜の密着強度の測定に用いられるブレーキング機構の概略図である。
【符号の説明】
１半導体ウエハ
１ａチップ取得領域
１ｂウエハ片
２電極膜
３ブレーキング機構
４ステージ
５ダイヤモンドカッタ
６ブレーキングブレード
７グリップ機構部
８劈開用ブレード
８ａギャップ
９スクライブライン
Ｓｗスクライブ幅
θ₁ 角度
θ₂ 角度
θ₃ 角度
Ｌギャップの上下幅[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a manufacturing technique of a semiconductor device, and more particularly to a technique effective when applied to the evaluation of the adhesive force of a thin film (a film having a thickness of several microns or less) formed on a substrate.
[0002]
[Prior art]
The adhesive force of a thin film formed on a substrate by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, a sputtering method, a coating method, a plating method, or the like is evaluated by, for example, a tape peeling method or a scratch method (for example, Non-Patent Document 1). reference).
[0003]
The tape peeling method is an indirect peeling method using, for example, a cellophane tape, and is used for a thin film having a relatively weak adhesive force. The scratch method is a method in which a load and vibration are applied to an indenter, for example, a chrome (Cr) sphere having a diameter of 0.8 to 0.03 mm to scratch a thin film, and a change in shear stress is measured. Is used for strong thin films or hard thin films.
[0004]
[Non-Patent Document 1]
Hayakawa Shigeru and Kiyotaka Wasa, “Thinning Technology”, Kyoritsu Publishing Co., Ltd., December 1, 1982 42 (Table 2.11)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, as a result of studies by the present inventors, it has been clarified that in the tape peeling method, the thin film cannot be peeled off with the tape when the adhesive strength of the tape adhesive is weaker than the peeling strength of the thin film. In the scratch method, the reliability of the data is low because fluctuations between the initial shear stress and the shear stress at the time of peeling hardly occur in a thin film whose strength is weaker than the adhesive force between the substrate and the thin film. It has been found by the present inventors.
[0006]
An object of the present invention is to provide a technique capable of evaluating the adhesion force of any thin film formed on a substrate to the substrate.
[0007]
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
[0009]
The present invention includes a step of placing a substrate on a stage with one surface on which a thin film is formed facing down, and then placing a scribe line on the other surface of the substrate on which the thin film is not formed, and a part of the substrate In the gap of the cleavage blade, rotating the cleavage blade downward at a first angle, cleaving the substrate along the scribe line, and cutting a piece from the substrate, and cleaving the cleavage blade Descending vertically, rotating the piece at a second angle, fixing the piece within the gap of the cleavage blade, and lowering the cleavage blade at an angle at the third angle to remove the thin film from the substrate The adhesive strength of the thin film formed on the substrate is evaluated by a measuring method including a peeling step.
[0010]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiments, and the repetitive description thereof will be omitted.
[0011]
A method for measuring the adhesion strength of a thin film formed on a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 is a process flow diagram showing a method for measuring the adhesion strength of a thin film, FIG. 2 is a schematic diagram showing a process of peeling a thin film from a semiconductor wafer, FIG. 3 is a top view and a cross-sectional view of the relevant part of the semiconductor wafer, FIG. These are the schematic diagrams of the braking mechanism used for the measurement of the adhesion strength of a thin film.
[0012]
Step 1 (step S1 in FIG. 1, FIG. 2A). First, the semiconductor wafer 1 shown in FIG. 3 is prepared. The semiconductor wafer 1 is a wafer made of a silicon single crystal having a diameter of, for example, 5 inches or 6 inches, and has a thickness of about 160 to 400 μm, and a thickness of 0.1 to 1.5 μm on the back surface thereof. An electrode film 2 of a degree is formed. The electrode film 2 can be a laminated film in which, for example, titanium (Ti), nickel (Ni), and silver (Ag) are sequentially deposited from the lower layer. A semiconductor integrated circuit is formed on the main surface of the semiconductor wafer 1, and FIG. 3 shows a region where the semiconductor integrated circuit is formed as a chip acquisition region 1a. Note that description of the semiconductor integrated circuit in the figure is omitted.
[0013]
Step 2 (Step S2 in FIG. 1). Next, the semiconductor wafer 1 is placed on the stage 4 of the braking apparatus 3 shown in FIG. At this time, the semiconductor wafer 1 is placed on the stage 4 with the back surface on which the electrode film 2 is formed facing down and a part of the semiconductor wafer 1 including a region to be divided in a later process protruding from the stage 4. Placed.
[0014]
The braking device 3 is mainly composed of a stage 4, a diamond cutter 5, a braking blade 6, a grip mechanism 7, and a cleavage blade 8. A diamond cutter 5 is installed above a part of the semiconductor wafer 1 protruding from the stage 4, and a breaking blade 6 serving as a fulcrum for cleavage is installed below the semiconductor wafer 1, and further holds a part of the semiconductor wafer 1 protruding from the stage 4. A cleavage blade 8 is installed at a position where it can be performed.
[0015]
Step 3 (Step S3 in FIG. 1, FIG. 2B). Next, a scribe line 9 is put on the surface of the semiconductor wafer 1 using a diamond cutter 5 with a preset cutter angle and scribe load.
[0016]
As shown in FIG. 3, the scribe line 9 is placed in the peripheral portion of the semiconductor wafer 1 avoiding the chip acquisition region 1a, and a region to be separated from the semiconductor wafer 1 in a later process is secured. The longest distance (hereinafter referred to as scribe width) Sw from the periphery of the semiconductor wafer 1 in this region to the scribe line 9 can be set to 2 to 4 mm, for example.
[0017]
[Table 1]

[0018]
Table 1 shows the relationship between the thickness of the semiconductor wafer and the scribe load. The scribe load described as “OK” is a scribe load suitable for a semiconductor wafer of each thickness, and the scribe load described as “NG” is a scribe load not suitable for a semiconductor wafer of each thickness. . When the scribe load described as “NG” is employed, a defect such as the semiconductor wafer being divided only by the scribe or the semiconductor wafer cannot be divided in a later process occurs.
[0019]
Step 4 (Step S4 in FIG. 1). Next, the braking blade 6 serving as a fulcrum for cleavage is raised. The radius of curvature of the tip of the breaking blade 6 is, for example, 1.0 mm, and the tip has a shape that does not damage the electrode film 2.
[0020]
Step 5 (Step S5 in FIG. 1, FIG. 2C). Next, the grip mechanism part 7 and the cleavage blade 8 are moved forward, and about ½ to 2/3 of the scribe width Sw is put in the gap 8 a of the cleavage blade 8. The vertical width L of the gap of the cleaving blade 8 is set to about 1/2 to 2/3 or less of the scribe width Sw, and can be about 1 mm, for example.
[0021]
Step 6 (Step S6 in FIG. 1, FIG. 2D). Next, the cleavage blade 8 is rotated downward at a first angle θ ₁ of about 30 degrees or less, for example, about 15 degrees, and the semiconductor wafer 1 is cleaved along the scribe line 9 with the breaking blade 6 as a fulcrum. Then, the wafer piece 1 b is divided from the semiconductor wafer 1.
[0022]
Step 7 (step S7 in FIG. 1, FIG. 2E). Next, the cleavage blade 8 is lowered vertically to rotate the wafer piece 1 b at a _second angle θ ₂ of, for example, about 30 degrees, and the wafer piece 1 b is fixed within the gap 8 a of the cleavage blade 8.
[0023]
Step 8 (step S8 in FIG. 1, FIG. 2F). Next, in order to prevent the overlapping of the divided portions, the cleavage blade 8 is further lowered vertically to allow the wafer piece 1b to escape, for example, about 200 μm.
[0024]
Step 9 (Step S9 in FIG. 1, FIG. 2G). Next, the inclination angle (third angle θ ₃ ) is set to, for example, about 45 degrees, the cleavage blade 8 is lowered in an oblique direction, and the electrode film 2 is peeled off from the semiconductor wafer 1.
[0025]
Step 10 (Step S10 in FIG. 1). Next, for example, the back surface of the semiconductor wafer 1 is displayed on the image monitor by an observation camera, the peeled surface is observed, the distance from the scribe line 9 to the edge of the peeling region, and the peeling strength of the electrode film 2 is measured. The adhesion strength of the electrode film 2 is evaluated by measuring the load or the like. When the adhesion strength of the electrode film 2 is evaluated using the distance peeled off from the scribe line 9, for example, a reference value is set, and good / bad can be determined by comparison with the reference value. .
[0026]
In addition, the number mentioned in this Embodiment is not limited to the specific number, and may be more than a specific number, or may be the following. For example, in this embodiment, the first angle theta ₁ to about 15 degrees, the second angle theta ₂ to about 30 degrees for fixing the wafer piece 1b to cleave blade 9 for cutting the semiconductor wafer 1, the electrode film 2 Although the third angle θ ₃ when peeling off is about 45 degrees, it is not limited to these angles.
[0027]
As described above, according to the present embodiment, after a part of the semiconductor wafer 1 is divided, the thin film formed on the back surface of the semiconductor wafer 1 is directly peeled off, and the peeled state is observed or measured. Therefore, the adhesion strength can be evaluated for any thin film formed on the semiconductor wafer 1 regardless of the type of thin film such as a soft thin film and a hard thin film.
[0028]
In addition, since the semiconductor wafer 1 can be divided and the adhesion strength of the thin film can be evaluated without damaging the semiconductor integrated circuit formed on the main surface of the semiconductor wafer 1, only the manufacture of the semiconductor device at the development stage can be performed. In addition, the present invention can be employed for defect analysis and standard value management in the manufacture of semiconductor devices at the trial production stage or mass production stage, and can contribute to an improvement in manufacturing yield.
[0029]
As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the invention. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
[0030]
For example, in the above-described embodiment, the electrode film made of a metal laminated film is exemplified as the thin film for evaluating the adhesion strength. However, any single-layer film formed by a CVD method, a sputtering method, a coating method, a plating method, etc. The adhesion strength evaluation method of the present invention can also be applied to the laminated film.
[0031]
In addition, a semiconductor wafer made of a silicon single crystal has been exemplified as a substrate for forming a thin film. However, it is formed on another substrate such as an SOI (Silicon on Insulator) substrate or a TFT (Thin Film Transistor) liquid crystal manufacturing substrate. The method for evaluating adhesion strength according to the present invention can also be applied to a thin film.
[0032]
In addition, the adhesion strength of the thin film was evaluated using a semiconductor wafer having a semiconductor integrated circuit formed on the main surface, but the present invention is also applicable to the evaluation of a thin film using a bare semiconductor wafer on which no semiconductor integrated circuit is formed. Can do.
[0033]
【The invention's effect】
Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
[0034]
After part of the semiconductor wafer is cut, the thin film formed on the semiconductor wafer is peeled off directly, and the adhesion strength of the thin film is evaluated by observing or measuring the peeled state. Even in a thin film, the adhesion strength can be evaluated.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process flow diagram showing a method for measuring the adhesion strength of a thin film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view showing a process of peeling a thin film from a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention.
3A is a top view of a main part of a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a cross-sectional view of the main part taken along line AA ′ of FIG.
FIG. 4 is a schematic view of a braking mechanism used for measuring the adhesion strength of a thin film according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 1a Chip acquisition area 1b Wafer piece 2 Electrode film 3 Breaking mechanism 4 Stage 5 Diamond cutter 6 Breaking blade 7 Grip mechanism 8 Cleaving blade 8a Gap 9 Scribe line Sw Scribe width θ ₁ angle θ ₂ angle θ ₃ Angle L Vertical gap width

Claims

(A) A process of placing a scribe line on the other surface of the substrate after placing the substrate on the stage with one surface on which the thin film is formed facing down;
(B) placing a portion of the substrate into the gap of the cleavage blade;
(C) rotating the cleaving blade downward at a first angle to cleave the substrate along the scribe line and dividing a piece from the substrate;
(D) lowering the cleavage blade vertically, rotating the piece at a second angle, and fixing the piece within the gap of the cleavage blade;
(E) The adhesive force of the thin film formed on the substrate is examined by a measurement method including a step of lowering the cleavage blade at a third angle in an oblique direction and peeling the thin film from the substrate. A method for manufacturing a semiconductor device.

(A) A process of placing a scribe line on the other surface of the substrate after placing the substrate on the stage with one surface on which the thin film is formed facing down;
(B) placing a portion of the substrate into the gap of the cleavage blade;
(C) rotating the cleaving blade downward at a first angle to cleave the substrate along the scribe line and dividing a piece from the substrate;
(D) lowering the cleavage blade vertically, rotating the piece at a second angle, and fixing the piece within the gap of the cleavage blade;
(E) lowering the cleaving blade obliquely at a third angle and peeling the thin film from the substrate, wherein the first and second angles are about 30 degrees or less, 3. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesion of the thin film formed on the substrate is examined by a measurement method in which the angle 3 is 45 degrees.

(A) A process of placing a scribe line on the other surface of the substrate after placing the substrate on the stage with one surface on which the thin film is formed facing down;
(B) placing a portion of the substrate into the gap of the cleavage blade;
(C) rotating the cleaving blade downward at a first angle to cleave the substrate along the scribe line and dividing a piece from the substrate;
(D) lowering the cleavage blade vertically, rotating the piece at a second angle, and fixing the piece within the gap of the cleavage blade;
(E) lowering the cleaving blade obliquely at a third angle and peeling the thin film from the substrate, the vertical width of the gap of the cleaving blade being the widest width of the piece A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive strength of the thin film formed on the substrate is examined by a measuring method of about 1/2 to 2/3 or less.

(A) A process of placing a scribe line on the other surface of the substrate after placing the substrate on the stage with one surface on which the thin film is formed facing down;
(B) bringing the braking blade into contact with one surface side of the substrate from below;
(C) placing a portion of the substrate into the gap of the cleavage blade;
(D) rotating the cleaving blade downward at a first angle, cleaving the substrate along the scribe line with the braking blade as a fulcrum, and cutting a piece from the substrate;
(E) vertically lowering the cleavage blade, rotating the piece at a second angle, and fixing the piece within the gap of the cleavage blade;
(F) The adhesive force of the thin film formed on the substrate is examined by a measurement method including a step of lowering the cleavage blade at an oblique angle at a third angle and peeling the thin film from the substrate. A method for manufacturing a semiconductor device.

(A) A process of placing a scribe line on the other surface of the substrate after placing the substrate on the stage with one surface on which the thin film is formed facing down;
(B) placing a portion of the substrate into the gap of the cleavage blade;
(C) rotating the cleaving blade downward at a first angle to cleave the substrate along the scribe line and dividing a piece from the substrate;
(D) lowering the cleavage blade vertically, rotating the piece at a second angle, and fixing the piece within the gap of the cleavage blade;
(E) descending the cleaving blade vertically to ensure a clearance for the piece;
(F) The adhesive force of the thin film formed on the substrate is examined by a measurement method including a step of lowering the cleavage blade at an oblique angle at a third angle and peeling the thin film from the substrate. A method for manufacturing a semiconductor device.