JP4043705B2 - 半導体装置の製造方法、ウェハ処理装置、及びウェハ保管箱 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、低誘電率の半導体用絶縁膜を有する半導体装置の製造方法、低誘電率の半導体用絶縁膜を堆積し、あるいは露出させるウェハ処理装置、及びこれらのウェハ処理装置間の移送時に半導体ウェハを保管するウェハ保管箱に関わり、特に低誘電率膜を始めとする膜はがれ、膜のクラックなどの特性面が脆弱な層間絶縁膜を用いる半導体装置の製造方法に係る。
【0002】
【従来の技術】
近年の半導体集積回路の高集積化及び微細化に伴い、半導体集積回路などの半導体装置の製造システムは、通常、ダスト排除及び静電気除去の観点より23℃前後の温度、40%前後の湿度に制御されたクリーンルーム内に配置されている。その結果、製造途中の半導体ウェハは、一般的に、各種ウェハ処理装置からの搬入・搬出時、各製造工程間の移送時・保管時などにおいて、クリーンルーム環境の上記温度湿度下に不定期間晒されている。
【0003】
一方、近年の半導体集積回路の大規模化・高速化により、配線層の多層化及び層間絶縁膜の薄膜化が進んでいる。これらに伴い、配線層間及び配線線間の寄生容量の増大を抑制し、あるいは寄生容量を更に低減させるために、低誘電率の層間絶縁膜が使用されている。例えば、有機成分を含むSiO2膜(以下LKD膜とする。)、あるいは酸化シリコン(SiO2)にフッ素を添加して比誘電率を低減したフッ素添加シリコン酸化膜(SiOF膜、もしくは一般にはFSG膜:Fluorinated Silica Glass 膜と呼ばれる)などの低誘電率の半導体用絶縁膜を層間絶縁膜として使用する多層配線技術が一般的に用いられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、一般的に、これらの低誘電率の半導体用絶縁膜はヤング率が低いため、厚膜化すると自己崩壊的に割れが入る問題、さらに、CMP、搬送時をはじめとするプロセス中に入ったスクラッチ(引っかき傷)から割れが進行する問題がある。特にヤング率、線膨張係数の異なる金属配線部近傍は熱応力集中部となり、ベタ膜自己割れが起こる膜厚(限界膜厚)以下であるにも係らず、自己割れ及び割れ進行が進む。これらの応力集中は層間絶縁膜の厚膜化を妨げるとともに割れの進行は電極配線の線間、層間ショートといった致命的な欠陥を引き起こす。
【0005】
また、SiOF膜は吸湿性が高く、クリーンルーム環境にごく短い時間晒されるだけで吸湿してしまう。また、吸湿後のSiOF膜は、後工程における加熱時に水分を放出するのみでなく、この水分が膜中のフッ素(F)と反応してFをフッ化水素(HF)の形で放出する。この結果、
(1)上層の成膜時に膜の堆積を阻害する。
【0006】
(2)上層膜、特に上層金属膜の密着性を劣化させる。
【0007】
(3)SiOF膜の比誘電率を上昇させる。
【0008】
(4)クラック耐性が劣化する。
【0009】
などの障害を発生させることが知られており、半導体装置を製造する上で問題となっている。そのため、適切な工程にて頻繁に半導体装置の過熱を行って水分の除去を行うことや、SiOF膜の上部にフッ素が添加されていないキャップ膜と呼ばれるSiO2膜を被覆して、SiOF膜の露出させないことにより上記障害を防止している。しかし、これに伴い工程数が増加することによるコストの増大も1つの大きな問題となっている。また、頻繁な加熱工程やキャップ膜の採用によってもSiOF膜の吸湿に対して十分な対策が取られているとはいえない。例えば、SiOF膜成膜後からキャップ膜を形成するまでの間にSiOF膜は吸湿してしまう。また、キャップ膜を大気放置することなく同一装置で連続で形成しても、後工程において例えばドライエッチング工程やケミカルメカニカルポリッシュ(CMP)工程などを利用して表面を加工することにより、再びSiOF膜の一部が表面に露出するために、加工工程から次の工程までの間に吸湿してしまう。このため、前述した(1)〜(4)の障害が半導体装置の不良の原因となってしまい、これらに対する早急な対策が望まれている。
【0010】
発明者らは、これまでの研究結果より、上記障害の原因は低誘電率絶縁膜のSi−O結合(シリコンと酸素の結合)がSCC(Stress Corrosion Cracking)により切れやすくなるためであり、特に、有機成分を含むSiO2膜の場合は、構成要素であるラダ−構造間を接続しているSi−O結合が弱いことが原因であることを突き止めた。そして、その原因となる水分、応力を除去することで上記欠陥を抑制するができると考えた。そして、後述する種々な実験を行い、その結果から本発明を想達することができた。
【0011】
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するために成されたものであり、その目的は、低誘電率半導体用絶縁膜のクラック耐性、密着性が向上し、歩留り、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することである。
【0012】
また本発明の他の目的は、低誘電率絶縁膜への吸湿を抑制し、半導体装置の製造プロセス工程を削減する半導体装置の製造方法を提供することである。
【0013】
また本発明の他の目的は、低誘電率半導体用絶縁膜への吸湿を抑制するウェハ処理装置及びウェハ保管箱を提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を達成するために、本発明の第1の特徴は、低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出する製造プロセス工程及び装置間移動時に、この半導体用絶縁膜周辺の湿度を30%以下に制御する半導体装置の製造方法であることである。ここで、低誘電率の半導体用絶縁膜は、LKD膜、SiOF膜をはじめとする極めてクラック進行の早い、ヤング率の低い絶縁膜を含む。LKD膜は、前駆体を溶媒に溶解させたワニスと呼ばれる液状原料を基板に塗布させた後に焼成させ、溶媒の揮発と前駆体の架橋(重合反応)を行うことにより形成された有機成分を含むSiO2膜である。この有機成分を含むSiO2膜は、原子結合にメチル基(−CH3)が含まれていることを特徴とする酸化膜である。また、低誘電率の半導体用絶縁膜は、ハイドロジェンシルセスキオキサンなどの無機材料からなる無機塗布膜、あるいはポリアリレンエーテル等の有機材料からなる有機塗布膜を含む。なお、半導体用絶縁膜周辺の湿度を制御する代わりに温度を75℃以上に制御することによっても同様な効果を得ることができる。また、「低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出する製造プロセス工程」とは、低誘電率半導体用絶縁膜を堆積する工程、あるいは少なくともその一部分を露出させる工程、あるいは露出した一部分全体を金属膜あるいは比誘電率が3.8より大きい絶縁膜で被覆する工程、あるいはその間に行われるあらゆるウェハ処理工程を含む。
【0015】
なお、発明者らは、以下に示す実験に基づいて本発明における「低誘電率の半導体用絶縁膜」の比誘電率を定義している。即ち、シリコン基板上に熱酸化膜を100nm形成した後、各種低誘電率膜を1μm形成した。その後、次に示す3つの処理を行い、各種低誘電率膜の割れの有無、Ta(タンタル)膜の膜剥がれの有無などから不良率を測定した。
【0016】
(1)湿度40%、温度23℃の環境にシリコン基板を放置した後の割れの有無を確認した。
【0017】
(2)スクラッチを導入し、湿度40%、温度23℃の環境で1週間放置した後の割れの有無を確認した。
【0018】
(3)湿度40%、温度23℃の環境放置した後、Ta膜を成膜する。そして、400℃の熱処理を行った後のTa膜の剥がれの有無を確認した。
【0019】
図10は、各種低誘電率膜の比誘電率と不良率との関係を示すグラフである。図10に示すように、低誘電率膜の材質による値の変動は見られるものの、誘電率にして3.8以下において不良が多発していることが分かった。この様な実験結果から、本発明において、比誘電率3.8以下の絶縁膜を「低誘電率の半導体用絶縁膜」と定義する。
【0020】
本発明の第1の特徴によれば、低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出する半導体ウェハ周辺の雰囲気を、湿度30%以下に制御することにより、半導体用絶縁膜のクラックの発生・進行を抑制することが可能となる。
【0021】
本発明の第1の特徴において、製造プロセス工程は、低誘電率の半導体用絶縁膜を半導体ウェハ上に堆積する堆積工程と、半導体用絶縁膜の露出面全体を金属膜あるいは比誘電率が3.8より大きい絶縁膜で被覆する第1の被覆工程とから少なくともなり、装置間移動時は、堆積工程から第1の被覆工程までの半導体用絶縁膜が露出している第1の移送期間から少なくともなることが望ましい。そして、堆積工程、第1の被覆工程、及び第1の移送期間における半導体ウェハ周辺の湿度を、30%以下に制御することが望ましい。低誘電率絶縁膜が露出する堆積工程、第1の被覆工程、及び第1の移送期間において、半導体ウェハの周辺の湿度が30%以下に制御されるため、半導体用絶縁膜の吸湿を防ぎ、クラックの発生・進行を抑制することができる。ここで、移送期間とは、半導体ウェハをウェハ処理装置間で移動させる期間、製造途中の半導体ウェハを保管している期間を含む。さらに望ましくは、湿度を25%以下に制御することである。また、堆積工程、第1の被覆工程、及び第1の移送期間において、半導体ウェハ周辺の湿度だけでなく、温度も75℃以上に制御することが望ましい。あるいは、堆積工程、第1の被覆工程、及び第1の移送期間における半導体ウェハ周辺の湿度を、25%以下に制御し、且つ、半導体ウェハ周辺の温度を、23℃以上に制御しても構わない。
【0022】
また、製造プロセス工程は、低誘電率の半導体用絶縁膜を被覆後、低誘電率絶縁膜の少なくとも一部分を露出させる露出工程と、半導体用絶縁膜の露出部分全体を金属膜あるいは比誘電率が3.8より大きい絶縁膜で被覆する第2の被覆工程とをさらに有し、装置間移動時は、露出工程から第2の被覆工程までの半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出している第2の移送期間をさらに有する。露出工程は、例えば、CMP(化学的機械的研磨)、RIE(反応性イオンエッチング)などのドライエッチング、ウェットエッチングなどの表面処理により、再び第1の被覆工程によりいったん被覆された低誘電率の半導体用絶縁膜の一部分を露出させる工程を含む。そして、露出工程、第2の被覆工程、及び第2の移送期間における半導体ウェハ周辺の湿度を、30%以下に制御することが望ましい。低誘電率半導体用絶縁膜の一部分が露出する露出工程、第2の被覆工程、及び第2の移送期間において、半導体ウェハの周辺の湿度が30%以下に制御されるため、半導体用絶縁膜の吸湿を防ぎ、クラックの発生・進行を抑制することができる。また、半導体ウェハ周辺の湿度だけでなく、温度を75℃以上に制御することが望ましい。あるいは、堆積工程、第1の被覆工程、第1の移送期間、露出工程、第2の被覆工程、及び第2の移送期間における半導体ウェハ周辺の湿度を、25%以下に制御し、且つ、半導体ウェハ周辺の温度を、23℃以上に制御しても構わない。
【0023】
また、半導体用絶縁膜は、シリコン、酸素、及びフッ素を主成分とする絶縁膜、あるいはメチル基またはエチル基等を含む有機成分、酸素、及びシリコンを主成分とする絶縁膜であり、比誘電率にして3.8以下の低誘電率絶縁膜であることが望ましい。また、半導体用絶縁膜は、塗布膜であることが望ましい。さらに、半導体ウェハに応力を印加しない保管・運搬を行うことが望ましい。
【0024】
本発明の第2の特徴は、ウェハに対して所定の処理を施すウェハ処理室と、ウェハ処理室に接続され、ウェハ処理室へのウェハの搬入及び搬出が行われる搬送路と、搬送路内の湿度を30%以下に制御する湿度制御手段と、搬送路内の温度を75℃以上に制御する温度制御手段とを有するウェハ処理装置であることである。なお、ウェハ処理装置は、ウェハ処理室と、搬送路と、ウェハ保管室を真空排気する真空排気手段と、ウェハ保管室内を窒素ガスをはじめとする不活性ガスで置換する不活性ガス置換手段とを有していても構わない。
【0025】
本発明の第3の特徴は、低誘電率の半導体用絶縁膜が堆積された半導体ウェハを保管するウェハ保管室と、ウェハ保管室の湿度を30%以下に制御する湿度制御手段と、ウェハ保管室の湿度を75度以上に制御する温度制御手段とを有するウェハ保管箱であることである。
【0026】
本発明の第3の特徴において、ウェハ保管箱は、搬送路の搬入・搬出口に密着して開閉する扉であって、その大きさを搬送路の搬入・搬出口の大きさに対して調整可能なものを更に有することが望ましい。半導体ウェハの周囲の湿度・温度を所定の値に制御したまま、ウェハ処理装置とウェハ保管箱間の搬入及び搬出をこの扉を介して行うことができる。また、湿度制御手段は、ウェハ保管室の湿度を30%以下に制御することが望ましい。なお、ウェハ保管箱は、ウェハ保管室と、ウェハ保管室を真空排気する真空排気手段と、ウェハ保管室内を不活性ガスで置換する不活性ガス置換手段とを有していても構わない。
【0027】
【発明の実施の形態】
(第1の実験例)
本発明の実施の形態について説明する前に、本発明を想達するまでに発明者らが行った実験例について説明する。厚膜化されたLKD膜をクリーンルーム環境に晒すと自己崩壊的に割れが生じる。この自己割れが生じる限界膜厚は膜種により多少の変動はあるものの約1.5μmである。さらに、自然状態では割れの発生しない膜厚のLKD膜にスクラッチを導入すると、各膜厚に対応する速度で割れが進行することがはじめて確認された。なお、これらの現象は、ヤング率、線膨張係数の異なる金属配線部近傍では熱応力による応力集中部となり、自己割れが起こる限界膜厚であるにも割れが発生することや、スクラッチ部での割れの進行が加速されることが確認された。さらに、この様な割れの存在は、電流印加時に配線のショートといった致命的な欠陥を引き起こすことも確認された。図4は、LKD膜の表面に導入されたスクラッチの形状を示す平面図である。図4(a)は、LKD膜の膜厚が900nmである場合を示し、図4(b)は、LKD膜の膜厚が983nmである場合を示す。熱酸化膜を100nm形成したSi基板上にLKD膜を膜厚900、983nmで成膜した2種類の試料に図4(a)及び図4(b)に示すようにスクラッチを入れて、湿度25%、室温(23℃)に35日間放置し、湿度30%、温度75℃で35日放置した。その結果、総ての条件において、クラックの進行はまったく見られなかった。
【0028】
図5は、LKD膜の膜厚に対するクリーンルーム環境におけるLKD膜の割れの進行速度を示すグラフである。図5に示すように、温度23℃、湿度40%のクリーンルーム環境に放置した場合、膜厚900nmの比較試料は、1.5μm/hrの速度で割れが進行し、膜厚983nmの比較試料は、17μm/hrの速度で割れの進行し、両比較試料ともに最終的には膜はがれに至った。また、他の条件での同様な実験から、図5に示すように割れの進行速度の対数はLKD膜の膜厚に比例して増加していることがわかった。
【0029】
また、湿度及び温度を多種変化させた結果、温度を75℃に制御した場合は湿度を30%以下に制御し、温度を23℃に制御した場合は湿度を25%以下に制御することで、クラックの進行はまったく見られなかった。なお、短時間の高湿度放置は問題なかった。
【0030】
能動領域及びゲート電極を形成したSi基板にBPSG、さらにはd−TEOSを積層した。その後、Wプラグを形成した後、ベーキング後の最終膜厚が1、1.5、2、2.5、3μm、以上、5種類の膜厚のLKD膜を形成した。まず、溶媒にポリメチルシロキサンを溶解させたワニスをスピンコーターにより塗布した後、80℃、1分間、引き続き、200℃、1分間のキュアを行い、さらに450℃、30分間のベーキングを行った。なお、この過程での湿度はベーキング中に発生した水分によるものであり、表1の保管湿度以下になるように窒素流量を制御した。ベーキング後、基板温度が表1に示す各種温度に下がった時点搬送室を通過し、表1に示す各種保管温度・湿度の保管ボックスに移した。そして、保管ボックスで30日間保管した後、割れの有無を確認した。なお、耐クラック評価は、例えば試料に強い光を照射し、光の散乱光を光学顕微鏡で観察されるか否かで調べ、割れの発生しなかった最高膜厚を表1に併記した。
【0031】
【表1】
また、表1の環境で移送された試料の上層にd−TEOS/p−SiNを400/400nmを連続して成膜した後、温度23℃、湿度40%の大気中に30日間保管し、クラックを測定した。その結果、表1と同様な結果が得られた。
【0032】
以上の結果から、スクラッチからの割れ進行及び厚膜化による自己割れは膜厚依存性を有することの他に、新たに次の3つの点が確認された。
【0033】
(1)湿度依存性:保管時の湿度を変化させると湿度が高いほど割れの進行速度は上昇し、自己割れの進行が始まる限界膜厚自体も薄くなった。水中放置といった極端な場合はさらに顕著な傾向を示した。一方、湿度を低下させるとまったく逆の傾向を示し、湿度25%以下に保つと、スクラッチからの割れの進行を止めることが可能となった。また、厚膜化による自己割れもLKD膜のベーキング時より、LKD膜縮合時に発生する水分も含め、全工程湿度を25%以下に管理した結果、自然発生割れの限界膜厚を大幅に厚くすることが可能となった。以上の結果は、湿度が25%で極めて顕著であったが、30%以下であっても良好であった。
【0034】
(2)温度依存性:また、スクラッチの導入されたLKD膜を過熱して75℃以下に落ちないように保管すると、クラックの進行がまったく見られなかった。また、厚膜化した場合に生じる自己割れの限界膜厚を高くすることが可能となった。
【0035】
(3)応力依存性:さらに、四点曲げ試験機でスクラッチの入ったLKD膜に引っ張り応力を印加すると、クラック進行速度が加速された。なお、基板温度に関しては、温度を高温制御することにより、膜にかかる応力が緩和されることが膜応力の測定結果より明らかになった。
【0036】
(第2の実験例)
図6は、低誘電率層間絶縁膜として使用しているSiOF膜の膜中フッ素(F)濃度と、SiOF膜を堆積して通常のクリーンルーム環境で1週間放置した後の膜中に含まれる水分量(いわゆる吸湿量)の関係を示すグラフである。クリーンルーム環境は、湿度(RH)が40%、温度が室温(RT=23℃)である。SiOF膜はアプライドマテリアルズ社製の高密度プラズマCVD装置を用いて形成した。その際の形成ガスはSiH4/SiF4/O2/Arの混合ガスを用いた。また、吸湿量は膜厚500nmのSiOF膜をFT−IR分析装置を用いて分析・評価した。また、その際に得られるAbsorbanceにおいて、1100cm−1近傍に観測されるSi−Oピークの面積に対する3500cm−1近傍に観測されるSi−OH及びH−OHピークの和の割合にて吸湿量を示している。発明者の創意工夫により大気放置後の吸湿量が低いレベルで抑えられているようにSiOF膜の形成条件を調整しているが、図6から明らかなように膜中のF濃度が増大するにつれて1週間後の吸湿量が増大していくことが分かる。特に、膜中のフッ素濃度が10%を境にして急激に吸湿量が増加していることが分かる。
【0037】
図7は、SiOF膜中のF濃度と、通常のクリーンルーム環境での半導体装置の製造プロセス過程において出現したSiOF膜起因による不良の割合を示す。SiOF膜起因の不良とは、成膜後に吸湿したSiOF膜が、後工程における加熱時に水分を放出するのみでなく、膜中のFと反応してFをHFの形で放出するために生じる(1)上層の成膜時に膜の堆積を阻害し、(2)上層膜、特に上層金属膜の密着性を劣化させ、(3)SiOF膜の比誘電率を上昇させるなどの障害を示す。図6及び図7から明らかなように、SiOF膜の1週間後の吸湿量とSiOF膜起因による不良の割合とは密接な関係にあることが分かる。
【0038】
図8は、半導体ウェハ周辺の温度を室温(RT)で一定として湿度を変化させた場合のSiOF膜中のF濃度とSiOF膜起因による不良の割合との関係を示すグラフである。また、図9は、半導体ウェハ周辺の湿度(RH)を30%で一定として温度を変化させた場合のSiOF膜中のF濃度とSiOF起因による不良の割合との関係を示すグラフである。図8から明らかなように、室温において、湿度を30%以下に保持することで、フッ素濃度に係らずSiOF起因による不良率を低く抑えることができる。また、図9から明らかなように、湿度が30%である場合、温度を75℃以上に保つことで、さらに不良率を低く抑える効果が増すことがわかる。
【0039】
(第1の実施の形態)
以下図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図1は本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置1及びウェハ保管箱3の構成を示すブロック図である。図1に示すように、本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置1は、ウェハ処理室2と、ウェハ処理室2に接続され、ウェハ処理室2への半導体ウェハの搬入及び搬出が行われる搬送路4と、搬送路4内の湿度を30%以下に制御する湿度制御手段6と、搬送路4内の温度を75℃以上に制御する温度制御手段5とを有する。
【0040】
ウェハ処理装置2は、低誘電率の半導体用絶縁膜(LKD膜)の少なくとも一部分がクリーンルーム環境に晒される製造プロセス工程において使用される装置を示す。例えば、LKD膜を半導体ウェハ上に堆積するLKD膜堆積装置、通常の半導体用絶縁膜(TEOS膜)をLKD膜の上に堆積して、LKD膜の露出面全体を被覆するTEOS(Tetraethoxysilane)膜堆積装置、TEOS膜及びLKD膜を選択的に除去して、内壁にLKD膜の一部が露出したコンタクトホールを形成するRIE装置、コンタクトホール内及びTEOS膜上に金属膜を堆積して、LKD膜の露出部分全体を被覆する金属膜成膜装置装置などを示す。なお、ウェハ処理装置2は、これ以外にも、例えば、CMPなどの平坦化処理などによりLKD膜の少なくとも一部部分を露出させる装置、あるいはLKD膜の露出工程と被覆工程との間の洗浄処理に使用される装置などを含む。つまり、本発明におけるウェハ処理装置2は、LKD膜などの低誘電率絶縁膜を堆積する工程、あるいは少なくともその一部分を露出させる工程、あるいは露出した一部分全体を被覆する工程、あるいはその間に行われるあらゆるウェハ処理に係る工程に係る装置を示す。
【0041】
ウェハ処理室2内における半導体ウェハ周辺の雰囲気は、少なくとも湿度が30%以下、あるいは温度が75度以上に制御されている。搬送路4は、ウェハ処理室あるいはウェハ保管箱に対して一体形成され、あるいはフランジなどを介して着脱可能に形成されている。搬送路4内には、半導体ウェハをウェハ処理室2へ搬入・搬出するための可動式ステージ(図示せず)が配置されている。また、湿度制御手段6は、ウェハ保管室の湿度を25%以下に制御することが望ましい。
【0042】
第1の実施の形態に係るウェハ保管箱3は、各ウェハ処理装置1間で半導体ウェハを移動させる時に、半導体ウェハを外部環境から保護する箱である。また、ウェハ保管箱3は、低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部分が露出した状態の半導体ウェハを保管している場合、半導体ウェハの周辺の雰囲気を制御する機能を有する。また、ウェハ保管箱3は、低誘電率の半導体用絶縁膜が堆積された半導体ウェハを保管するウェハ保管室7と、ウェハ保管室7の湿度を30%以下に制御する湿度制御手段9と、ウェハ保管室7の湿度を75度以上に制御する温度制御手段8とを有する。ウェハ保管室7は、1つあるいは複数の半導体ウェハ10を格納することができる大きさ、形状を有している。また、ウェハ保管室7に保管されている半導体ウェハ10は、縦に並べて保持されている。また、ウェハ保管箱3は、搬送路4の搬入・搬出口に密着して開閉する扉24であって、その大きさを搬送路4の搬入・搬出口の大きさに対して調整可能な扉24を更に有する。また、扉24は、搬送路4の高さに調整でき、搬送路4の搬入口に密着するような形状を有する。搬送路4の搬入・搬出口の大きさが異なるウェハ処理装置1間で、搬入・搬出を1つのウェハ保管箱3で行うことができる。また、半導体ウェハの周囲の湿度・温度を制御したまま、ウェハ処理装置1とウェハ保管箱3間の搬入及び搬出をこの扉を介して行うことができる。また、湿度制御手段9は、ウェハ保管室の湿度を25%以下に制御することが望ましい。
【0043】
次に、図1に示したウェハ処理装置1及びウェハ保管箱3を用いた本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について図2を参照して説明する。図2は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図2のフローチャートに示す製造プロセス工程は、第1工程乃至第4工程からなる。フローチャートの中央列は、各製造プロセス工程に係るウェハ処理室(2A〜2D)、搬送路(4A〜4D)を示し、右列は、各ウェハ処理装置(2A〜2D)間で半導体ウェハを移送するウェハ保管箱3を示す。また、フローチャートの左列は、各製造プロセス工程での処理基板の断面形状を示している。
【0044】
(イ)まず、第1工程(堆積工程)において、素子分離領域形成、トランジスタ、ゲート配線、BPSG、さらにWプラグ形成などの所定の基板工程を経た半導体ウェハ(下地基板)16上に、ウェハ処理装置(スピン塗布装置)1Aを用いて低誘電率の半導体用絶縁膜(LKD膜)17を膜厚1.5μmで堆積する。具体的には、まず、スピン塗布室2A内の試料台に固定された半導体ウェハを回転させて、半導体ウェハ上にLKD膜17の液状原料を塗布し、湿度30%以下の窒素雰囲気でキュアを行う。そして、低温キュアに続き450℃、60分のベーキングを行う。ここで、BPSG16上にLKD膜17を堆積した後、LKD膜17の露出面18はスピン塗布室2A内の雰囲気に晒されている。LKD膜17堆積後のスピン塗布室2A内の雰囲気は、湿度30%以下、温度75℃以上に制御されている。ベーキング後、基板温度を75℃まで下げると同時に、搬送路4A内の雰囲気を、湿度30%以下、温度75℃以上に制御する。そして、LKD膜17が露出した半導体ウェハを搬送路4A内に搬出し、搬送路4Aを通過させて、湿度30%、温度75℃に制御されたウェハ保管箱3に移す。ウェハ保管箱3内において、半導体ウェハは、歪みが掛からないように縦に保管されている。このように、第1工程において、LKD膜17が露出した半導体ウェハの周辺の雰囲気を湿度30%以下、温度75℃以上に制御した状態で、半導体ウェハをスピン塗布室2Aからウェハ保管箱3まで搬送する。
【0045】
(ロ)次に、第1工程(堆積工程)において使用したスピン塗布装置1Aから第2工程(第1の被覆工程)において使用するウェハ処理装置1Bまでの間をウェハ保管箱3を用いて、LKD膜17が露出した半導体ウェハを移送する。この第1−第2工程間の移送13の間(第1の移送期間)、湿度制御手段9及び温度制御手段8を用いてウェハ保管箱3内に保管された半導体ウェハの周辺の雰囲気は、湿度が30%以下、温度が75℃以上に制御されている。
【0046】
(ハ)次に、第2工程(第1の被覆工程)において、ウェハ処理装置(TEOS成膜装置)1Bを用いて、LKD膜17の露出面18全体を被覆するTEOS膜19を成膜する。具体的には、まず、TEOS成膜装置1Bの搬送路4Bの搬入口に保管箱3の扉24部分を密着させる。湿度制御手段6及び温度制御手段5を用いて搬送路4B内の雰囲気を湿度30%以下、温度75度以上に制御した状態で、保管箱3の扉24を開く。そして、LKD膜17が露出した半導体ウェハを搬送路4B内に移し、搬送路4Bを介してTEOS成膜室2B内の試料台上に搬入する。そして、TEOS成膜装置1Bを動作させて、LKD膜17の露出面18全体を被覆するように所定の膜厚のTEOS膜19を成膜する。TEOS膜19の成膜後、TEOS成膜室2Bから搬送路4Bを通過して保管箱3まで半導体ウェハを搬出する。このとき、半導体ウェハ上のLKD膜17は露出されていないため、半導体ウェハの周辺の雰囲気は、通常のクリーンルーム環境で構わない。なお、TEOS膜19成膜後に半導体ウェハを抜き取り、表面観察を行ったところ、クラックの発生・進行は観察されず、クラック耐性は良好であることが分かった。
【0047】
(ニ)次に、第2工程(第1の被覆工程)において使用したTEOS成膜装置1Bからリソグラフィー工程を経て第3工程(露出工程)において使用するウェハ処理装置1Cまでの間をウェハ保管箱3を用いて半導体ウェハを移送する。この第2−第3工程間の移送14の間、半導体ウェハ上のLKD膜17は露出されていないため、半導体ウェハの周辺の雰囲気は、通常のクリーンルーム環境で構わない。
【0048】
(ホ)次に、第3工程(露出工程)において、ウェハ処理装置(RIE装置)1Cを用いてTEOS膜19及びLKD膜17の一部を選択的に除去して、内壁にLKD膜17の一部分が露出するダマシン配線溝20を形成する。具体的には、まず、保管箱3の扉を開けて半導体ウェハを取り出し、RIE装置1Cの搬送路4Cを通過させて、半導体ウェハをRIE室2C内の試料台上に載置する。そして、RIE装置1Cを動作させて所定の異方性エッチング処理を施して、TEOS膜19及びLKD膜17を選択的に除去してWプラグが表出したダマシン配線溝20を形成する。第3工程の基板断面図に示すように、ダマシン配線溝20の内壁の一部分にLKD膜17の露出部分21が形成され、露出部分21は、RIE室2C内の雰囲気に晒される。このとき、RIE室2C内の雰囲気は、湿度30%以下、温度75℃以上に制御されている。RIE室2C内の別チャンバーにてO2アッシャーにてレジストを炭化した。この時も雰囲気は湿度30%以下、温度75℃以上に制御した。処理後、基板温度を所定値まで下げると同時に、搬送路4C内の雰囲気を、湿度30%以下、温度75℃以上に制御する。そして、LKD膜17の一部分が露出した半導体ウェハを搬送路4C内に搬出し、搬送路4Cを通過させて、湿度30%以下、温度75℃以上に制御されたウェハ保管箱3に移す。ウェハ保管箱3内において、半導体ウェハは、歪みが掛からないように縦に保管されている。このように、第3工程(露出工程)において、LKD膜17の一部分が露出した半導体ウェハの周辺の雰囲気を湿度30%以下、温度75℃以上に制御した状態で、半導体ウェハをRIE装置1Cからウェハ保管箱3まで搬送する。
【0049】
(へ)次に、第3工程(露出工程)において使用したRIE装置1Cから第4工程(第2の被覆工程)において使用するウェハ処理装置1Dまでの間をウェハ保管箱3を用いて、LKD膜17の一部分が露出した半導体ウェハを移送する。この第3−第4工程間の移送15の間(第2の移送期間)、湿度制御手段9及び温度制御手段8を用いてウェハ保管箱3内に保管された半導体ウェハの周辺の雰囲気を、湿度が30%以下、温度が75℃以上に制御する。
【0050】
(ト)最後に、第4工程(第2の被覆工程)において、ウェハ処理装置(金属膜成膜装置)1Dを用いて、LKD膜17の露出部分21全体を被覆する金属膜22を成膜する。具体的には、まず、金属膜成膜装置1Dの搬送路4Dの搬入口に保管箱3の扉24部分を密着させる。湿度制御手段6及び温度制御手段5を用いて搬送路4D内の雰囲気を湿度30%以下、温度75度以上に制御した状態で、保管箱3の扉24を開く。そして、半導体ウェハを搬送路4D内に移し、搬送路4Dを介して金属膜成膜室2D内の試料台上に搬送する。そして、金属膜成膜装置1Dを動作させて、ダマシン配線溝20内、及びTEOS膜19上に、所定膜厚の金属膜22を成膜する。なお、CMPにより金属膜を加工して金属配線を形成した後、同様に第1、第2工程を行った。以上のデバイスに対し、SM、EM加速試験ならびにデバイス特性を測定したが何等問題は生じなかった。一方、温度・湿度管理を行わずに通常のクリーンルーム操作を行った場合、LKD膜を1.5μm形成時の450℃ベーキング後の段階で割れが発生してしまった。
【0051】
(チ)以上の第1乃至第4工程を行うことで、1配線層を形成することができる。従って、第1乃至第4工程を繰り返し行うことで、所望層数の多層配線層を有する半導体装置を製造することができる。この多層配線デバイスに対し、エレクトロマイグレーション(EM)、ストレスマイグレーション(SM)、デバイス特性を測定したが問題は生じず、絶縁膜の割れも見られなかった。
【0052】
以上説明したように、LKD膜を形成する半導体装置の製造方法において、LKD膜の少なくとも一部が露出した半導体ウェハ周辺の雰囲気を、湿度30%以下、温度75度以上に制御することにより、LKD膜のクラックの発生・進行を抑制することが可能となる。
【0053】
なお、半導体ウェハ周辺の雰囲気を、湿度25%以下、温度を室温(23℃)以上維持することによっても、クラックの発生・進行を抑制することが可能である。また、雰囲気はN2ガスをはじめとする不活性ガス雰囲気あるいは真空が望ましい。なお、保管箱、搬送路内は低ダストに維持されている。さらに、本実施例においては、ウェハからの歪み除去の点からウェハを縦に保管したが、この場合、搬送時にウェハを横向きに移動するための機構が必要である。そこで、各ウェハを支持する保持板を持たせたウェハ横置きタイプでも良好な結果を得た。なお、保持板には搬送ロボットアーム挿入のためのスリットが設けてある。また、第1の実施の形態においては、低誘電率絶縁膜として、LKD膜を例に取り説明したが、他の有機・無機成分を含む低誘電率絶縁膜であっても構わない。例えば、LKD膜として、スピンナーで塗布する有機SOG膜のほかに、CVD法により形成する有機添加SiO2膜であっても構わない。さらに、通常のSiO2膜にフッ素を添加したSiOF膜であっても構わない。また、第1の実施の形態は、TEOS膜を用いたが、さらに低誘電率化のため全層LKD膜のデバイスの場合、金属膜加工は、水を用いない有機溶媒CMPが望ましい。この時CMPは、湿度25%以下の不活性雰囲気で行うことが望ましい。
【0054】
(第2の実施の形態)
図3は、本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置31及びウェハ保管箱23の構成を示すブロック図である。図3に示すように、本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置31は、ウェハ処理室2と、ウェハ処理室2に接続され、ウェハ処理室2への半導体ウェハの搬入及び搬出が行われる搬送路4と、搬送路4内を真空排気する真空排気手段25と、搬送路4内を窒素(N2)ガスで置換する窒素ガス置換手段26と、搬送路の両端に接続された真空バルブ(11、12)とを有する。
【0055】
ウェハ処理装置2は、第1の実施の形態と同様に、低誘電率の半導体用絶縁膜(SiOF膜)を堆積する工程、あるいは少なくともその一部分を露出させる工程、あるいは露出した一部分全体を被覆する工程、あるいはその間に行われるあらゆるウェハ処理に用いる装置を示す。ウェハ処理室2内における半導体ウェハ周辺の雰囲気は、湿度が30%以下、温度が75度以上に制御されている。
【0056】
搬送路4は、ウェハ処理室2に対して真空バルブ11を介して接続されている。ここで、SiO2膜は、製造方法により異なるが一般的に比誘電率が3.9乃至4.1であるのに対し、フッ素をSiO2膜中に添加することにより比誘電率の低いSiOF膜を形成することができる。例えば、CVD法で形成した場合にはフッ素濃度11.0%程度で比誘電率を3.3程度まで低減させることが可能である。製造方法も、一般的に用いられているプラズマCVD法(SiH4/O2ガスもしくはTEOS/O2ガスを使用)にフッ素を含む添加ガス(NF3,CF4、C2F6など)を混合させるだけで形成することができるため、SiOF膜は広く用いられている低誘電率絶縁膜である。
【0057】
第2の実施の形態に係るウェハ保管箱3は、低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部分が露出した状態の半導体ウェハを保管する場合、半導体ウェハの周辺の雰囲気を制御する機能を有する。また、ウェハ保管箱3は、低誘電率の半導体用絶縁膜が堆積された半導体ウェハを保管するウェハ保管室7と、ウェハ保管室7内を真空排気する真空排気手段27と、ウェハ保管室7内を窒素ガスで置換する窒素ガス置換手段28とを有する。また、ウェハ保管箱23は、搬送路4の搬入・搬出口に密着して開閉する扉24であって、その大きさを搬送路4の搬入・搬出口の大きさに対して調整可能な扉24を更に有する。
【0058】
次に、図3に示したウェハ処理装置31及びウェハ保管箱23を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【0059】
(イ)まず、第1工程において、予め所望の加工を施した下地基板上にSiOF膜を堆積する。使用したウェハ処理装置は、アプライドマテリアルズ社製の高密度プラズマCVD装置である。装置内に導入した形成ガスは、SiH4/SiF4O2/Arの混合ガスである。堆積後のSiOF膜は露出されている。
【0060】
(ロ)次に、第2工程において、第1工程で使用した装置とは異なるウェハ処理装置(アプライドマテリアルズ社製の平行平板型プラズマCVD装置)を用いて、SiOF膜表面にSiO2膜を形成する。SiOF膜の露出面は、SiO2膜により被覆される。
【0061】
(ハ)次に、第3工程において、ドライエッチング装置を用いて金属配線形成用の溝及びヴィアホールを形成する。ヴィアホール内でSiOF膜の一部が露出される。
【0062】
(ニ)次に、第4工程において、スパッタリング装置を用いて、ヴィアホール内及びSiO2膜上に金属膜を形成する。ヴィアホール内でSiOF膜の露出部分は、金属膜により被覆される。
【0063】
(ホ)次に、第5工程において、CMPにより不要な金属部分を除去・平坦化することにより、1層相当の金属配線を形成する。この第1から第5の工程を繰り返すことにより多層配線構造を形成する。
【0064】
この一連の製造プロセス工程においては、SiOF膜の少なくとも一部が露出するのは、第1の工程、第1と第2の工程間、第3工程、第3と第4の工程間に限られる。第1工程及び第3工程は減圧環境で行うため、半導体ウェハ周辺の雰囲気は、湿度30%以下に保たれている。半導体ウェハ周辺の雰囲気中で湿度が問題となるのはウェハ処理装置への搬入・搬出の際である。その際の雰囲気として窒素ガスを使用することにより湿度30%以下に保つ。具体的には、所定のウェハ処理が施された半導体ウェハをウェハ処理室2から搬送路4へ搬出する時に、以下に示す方法で搬送路4内の雰囲気を制御しておく。まず、搬送路4両端の真空バルブ(11、12)を閉じ、真空排気手段25を用いて搬送路4内を真空排気する。そして、所定の真空度まで排気が完了した時点で、真空排気を停止して、窒素ガス置換手段26を用いて搬送路4内に乾燥した窒素ガスを導入する。
【0065】
以上の手順で搬送路4内を乾燥窒素で置換した状態で、真空バルブ11を開けてウェハ処理室2の半導体ウェハを搬送路4に移す。そして、同様な手順で、保管箱23のウェハ保管室内の雰囲気を乾燥窒素で置換し、真空バルブ12を開けて半導体ウェハをウェハ保管箱23に搬出する。このような半導体ウェハの取扱いを、第1と第2の工程間、第3と第4の工程間のウェハ処理装置への搬入・搬出の際を行うことで、SiOF膜の少なくとも一部が露出した半導体ウェハの周辺の湿度を30%以下に保つことができる。
【0066】
以上説明したように、SiOF膜を形成する半導体装置の製造方法において、SiOF膜の少なくとも一部が露出した半導体ウェハ周辺の雰囲気を、真空排気手段及び窒素ガス置換手段より、湿度30%以下に制御することにより、SiOF膜のクラックの発生・進行、及び加熱工程で発生する上層金属膜の剥がれ問題を抑制することが可能となる。
【0067】
なお、第2の実施の形態においては、ウェハ処理装置31及びウェハ保管箱23が、それぞれ真空排気手段(25、27)及び窒素ガス置換手段(26、28)を有する場合について説明したが、どちらか一方のみを有していても本発明の効果を奏する。例えば、真空排気手段(25、27)のみを有する場合、SiOF膜の少なくとも一部が露出した半導体ウェハ周辺の雰囲気は、真空(減圧)状態とすればよい。また、窒素ガス置換手段(26、28)のみを有する場合、搬送路4及びウェハ保管室7内に窒素ガスを常時揚圧でフローすることで、SiOF膜の少なくとも一部が露出した半導体ウェハ周辺の雰囲気を乾燥窒素で満たすことができる。
【0068】
また、第2の実施の形態においては、低誘電率絶縁膜として、通常のSiO2膜にフッ素を添加したSiOF膜を例に取り説明したが、他の有機・無機成分を含む低誘電率絶縁膜であっても構わない。例えば、スピンナーで塗布する有機SOG膜、CVD法により形成する有機添加SiO2膜などのLKD膜であっても構わない。
【0069】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、低誘電率半導体用絶縁膜のクラック耐性、密着性が向上し、歩留り、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することができる。
【0070】
また本発明によれば、低誘電率半導体用絶縁膜への吸湿を抑制し、半導体装置の製造プロセス工程を削減する半導体装置の製造方法を提供することができる。
【0071】
さらに本発明によれば、低誘電率半導体用絶縁膜への吸湿を抑制するウェハ処理装置及びウェハ保管箱を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係るウェハ処理装置及びウェハ保管箱の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係るウェハ処理装置及びウェハ保管箱の構成を示すブロック図である。
【図4】図4(a)は、膜厚が900nmのLKD膜の表面に導入されたスクラッチを示す平面図である。図4(b)は、膜厚が983nmのLKD膜の表面に導入されたスクラッチを示す平面図である。
【図5】LKD膜の膜厚に対するクリーンルーム環境におけるLKD膜の割れの進行速度を示すグラフである。
【図6】低誘電率層間絶縁膜として使用しているSiOF膜の膜中フッ素(F)濃度と、SiOF膜を堆積して通常のクリーンルーム環境で1週間放置した後の膜中に含まれる水分量(いわゆる吸湿量)の関係を示すグラフである。
【図7】SiOF膜中のF濃度と、通常のクリーンルーム環境での半導体装置の製造プロセス過程において出現したSiOF膜起因による不良の割合との関係を示すグラフである。
【図8】半導体ウェハ周辺の温度を室温(RT)で一定として湿度を変化させた場合のSiOF膜中のF濃度とSiOF膜起因による不良の割合との関係を示すグラフである。
【図9】半導体ウェハ周辺の湿度(RH)を30%で一定として温度を変化させた場合のSiOF膜中のF濃度とSiOF起因による不良の割合との関係を示すグラフである。
【図10】各種低誘電率膜の比誘電率と不良率との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
1、1A〜D、31 ウェハ処理装置
2、2A〜D ウェハ処理室
3、23 ウェハ保管箱
4、4A〜D 搬送路
5、8 温度制御手段
6、9 湿度制御手段
7 ウェハ保管室
10 半導体ウェハ
11、12 真空バルブ
13 第1−第2工程間の移送
14 第2−第3工程間の移送
15 第3−第4工程間の移送
16 下地基板
17 LKD膜
18 露出面
19 TEOS膜
20 コンタクトホール
21 露出部分
22 金属膜
24 扉
25、27 真空排気手段
26、28 窒素ガス置換手段
Claims (9)
- 低誘電率の半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出する製造プロセス工程及び装置間移動時に、前記半導体用絶縁膜周辺の湿度を30%以下に制御する半導体装置の製造方法であって、
前記製造プロセス工程は、
前記低誘電率の半導体用絶縁膜を半導体ウェハ上に堆積する堆積工程と、
前記半導体用絶縁膜の露出面全体を金属膜あるいは比誘電率が3.8より大きい絶縁膜で被覆する第1の被覆工程と
を少なくとも有し、
前記装置間移動時は、
前記堆積工程から前記第1の被覆工程までの前記半導体用絶縁膜が露出している第1の移送期間
を少なくとも有し、
前記堆積工程、前記第1の被覆工程、及び前記第1の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の湿度を、30%以下に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記堆積工程、前記第1の被覆工程、及び前記第1の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の温度を、75℃以上に制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記堆積工程、前記第1の被覆工程、及び前記第1の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の湿度を、25%以下に制御し、且つ、前記半導体ウェハ周辺の温度を、23℃以上に制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記製造プロセス工程は、
前記半導体用絶縁膜の少なくとも一部分を露出させる露出工程と、
前記半導体用絶縁膜の露出部分全体を金属膜あるいは比誘電率が3.8より大きい絶縁膜で被覆する第2の被覆工程と をさらに有し、
前記装置間移動時は、
前記露出工程から前記第2の被覆工程までの前記半導体用絶縁膜の少なくとも一部が露出している第2の移送期間
をさらに有し、
前記露出工程、前記第2の被覆工程、及び前記第2の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の湿度を、30%以下に制御することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記堆積工程、前記第1の被覆工程、前記第1の移送期間、前記露出工程、前記第2の被覆工程、及び前記第2の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の温度を、75℃以上に制御することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記堆積工程、前記第1の被覆工程、前記第1の移送期間、前記露出工程、前記第2の被覆工程、及び前記第2の移送期間における前記半導体ウェハ周辺の湿度を、25%以下に制御し、且つ、前記半導体ウェハ周辺の温度を、23℃以上に制御することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用絶縁膜は、比誘電率が3.8以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用絶縁膜は、シリコン、酸素、及びフッ素を主成分とすることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体用絶縁膜は、メチル基またはエチル基およびシリコン、酸素を主成分とすることを特徴とする請求項7記載の半導体装置の製造方法。
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US7152215B2 (en) * | 2002-06-07 | 2006-12-19 | Praesagus, Inc. | Dummy fill for integrated circuits |
US20030229875A1 (en) * | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Smith Taber H. | Use of models in integrated circuit fabrication |
US20040099283A1 (en) * | 2002-11-26 | 2004-05-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Drying process for low-k dielectric films |
US20050161814A1 (en) * | 2002-12-27 | 2005-07-28 | Fujitsu Limited | Method for forming bumps, semiconductor device and method for manufacturing same, substrate processing apparatus, and semiconductor manufacturing apparatus |
JP2006049683A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
KR100758124B1 (ko) * | 2006-07-21 | 2007-09-13 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 |
WO2013152031A1 (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Kla-Tencor Corporation | Protective fluorine-doped silicon oxide film for optical components |
US10957566B2 (en) * | 2018-04-12 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer-level inspection using on-valve inspection detectors |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5371046A (en) * | 1993-07-22 | 1994-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve sog non-uniformity in the VLSI process |
US6037274A (en) * | 1995-02-17 | 2000-03-14 | Fujitsu Limited | Method for forming insulating film |
US5661093A (en) * | 1996-09-12 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers |
US6327793B1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-12-11 | Silicon Valley Group | Method for two dimensional adaptive process control of critical dimensions during spin coating process |
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