JP4009893B2 - 太陽電池を用いた電磁波吸収方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池を用いた電磁波の吸収方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、電磁波障害の一つとして、高層ビル等の建築物の壁面から反射するテレビ電波によって、テレビ映像が二重写しになるという、いわゆるゴースト現象がある。
ゴースト現象を無くす方法には、受信側で対策する方法もあるが、基本的には、高層ビル等の壁面が電磁波を反射しないようにすることが重要である。特に携帯電話等の電波が氾濫する昨今においては、これらの電波によるおもわぬ災害も予測され、電波を反射させない技術が求められている。
従来より、VHF帯のテレビ電波を吸収する方法として、ビルの壁面にフェライトタイルをカーテンウォールに埋め込んだフェライト型電波吸収壁が用いられてきた。しかしながら、フェライト型電波吸収壁は、UHF帯の電波を吸収することができず、また、重量が大きい、施工性もよくない、コストがかさむと言った理由により、一般のビル等においてはほとんど普及していない。
一方、地球環境を保全するために太陽エネルギーの利用が進み、一般のビルの壁にも太陽電池パネルの敷設が進みつつある。しかしながら、Si(シリコン)等からなる太陽電池は、電波の反射体としても作用し、おもわぬゴースト障害を生じさせるため、思うように普及できないといった課題がある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記課題に鑑み、太陽電池を用いて、太陽光発電を阻害することなく電磁波の反射をなくすことができる太陽電池を用いた電磁波吸収方法を提供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の太陽電池を用いた電磁波吸収方法は、太陽電池モジュールを構成する太陽電池セル間の配線の仕方を選択して入射する電磁波の境界条件を変えることにより、太陽電池のインピーダンスを調節し、太陽電池による入射電磁波の反射を無くすことを特徴とする。
また、本発明の太陽電池を用いた電磁波吸収方法は、太陽電池モジュールの表面積、及び/又は形状を変えることにより、太陽電池のインピーダンスを調節し、太陽電池による入射電磁波の反射を無くすことを特徴とする。
ここで、太陽電池セル間の配線の仕方は、複数のセルの上部電極同士及び下部電極同士を接続して、複数のセルが並列接続されたモジュールを形成し、このモジュールを形成するセルの個数を選択して太陽電池のインピーダンスを、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくしても良い。または、複数のセルの上部電極と下部電とを接続して、複数のセルが直列接続されたモジュールを形成し、このモジュールを形成するセルの個数を選択して太陽電池のインピーダンスを、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくしても良い。或いは、複数のセルの上部電極と下部電を接続して、上記並列接続されたモジュールと、上記直列接続されたモジュールとが混合したモジュールを形成し、このモジュールを形成する並列接続セル個数と直列接続セル個数を選択して、太陽電池のインピーダンスを、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくしても良い。
また、表面積及び/又は形状の違いに基づいて様々なインピーダンスを有する太陽電池モジュールを複数配列したモジュールを形成し、このモジュールの個々のモジュールからの反射波の位相が様々なインピーダンスに基づいて様々な位相を有することを利用して、反射波を互いにうち消すようにしても良い。
さらに、上記した全ての構成において、モジュールの出力端子間にコンデンサを接続しても良い。このコンデンサは、このコンデンサー単独で反射波を無くすこともできるし、又は上記の全ての構成において反射波を無くすための補助として作用させても良い。
【0005】
この方法によれば、電磁波特性インピーダンスに太陽電池のインピーダンスを整合させるから、電波が反射しない。
UHF、VHF帯の電磁波のエネルギーは太陽電池吸収端エネルギーより低いから、太陽電池を構成する保護膜及び半導体層は、UHF、VHF帯の電磁波に対して誘電体として作用し、金属等である導体配線は反射体として作用する。太陽電池内の導体配線分布を変えることによって、電磁波の境界条件が変化し、キャパシタンスやインダクタンスが変化するから、入射する電磁波に対する太陽電池のインピーダンスを調整することができる。また、モジュールを構成するセル間の配列を調整して互いに配線すれば、導体配線分布を変えることができる。また、太陽電池モジュールの出力端子間にコンデンサーを付加してもインピーダンスを調整できる。太陽電池セルの内または外にコンデンサ等である電子素子を付加して調整しても良い。
これらの方法によれば、直流的には短絡しないから、太陽電池による太陽光発電に何ら影響を与えること無く、電磁波を反射しないようにできる。
【0011】
これらの構成による本発明によれば、太陽電池に入射する電磁波の反射波が生じないと共に、太陽光で太陽光発電ができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明の第1の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態を説明する模式的断面図である。
図において、本発明の太陽電池モジュールセル10は、上部電極2と、透明電極3と、半導体p層4と、半導体n層5と、下部電極6とで構成される太陽電池セル1を、導体7で複数接続して構成される。図の例は、上部電極2同士、及び下部電極6を共通にして並列接続し、出力端子8,9間にコンデンサ13を接続した例を示しているが、コンデンサ13が無くても良い。また、この接続形態に限らず、直列接続、または、並列接続と直列接続が混合された構成でも良い。
【0013】
ところで、太陽電池1に入射する電磁波12から太陽電池セル1をみたインピーダンスをZとすると、太陽電池からの反射率τは、
【数1】
Figure 0004009893
とあらわされる。図1に示したように、太陽電池モジュール10を構成するセル1間の配線の仕方によって、電磁波の境界条件が変化し、コンダクタンス、インダクタンスが変化するから、電磁波12から太陽電池1をみたインピーダンスZが調整できる。また、例えば、直列配線セル個数、並列配線セル個数を変えてもインピーダンスZを調整できる。また、直列配線セルからなるモジュールと、並列配線セルからなるモジュールの組み合わせ方によってもインピーダンスZを調整できる。さらにまた、モジュールを構成するセルの個数が異なる複数の直列及び並列モジュールを組み合わせることによってもさらに細かく調整することができる。また、モジュールの出力端子8、9間にコンデンサ13を接続してもインピーダンスZを調整できる。もちろん、太陽電池セル1毎に、コンデンサのような電子素子を外部、内部に付加しても良い。コンデンサは直流を流さないから、太陽光発電に影響を与えることがない。
このようにして、インピーダンスZを調整して電磁波特性インピーダンスZ0 に等しくすれば、上記数式1から明らかなように反射係数が0となり、反射波が生じない。
【0014】
次に、本発明の第2の実施の形態を説明する。
図2は、本発明の第2の実施の形態を示す図である。
図において、21,22は、表面積が異なる太陽電池モジュールを示し、これらのモジュールを壁面に混在させて配列した状態を示している。
ここで、モジュール21,モジュール22のインピーダンスをZA 、ZB とすると、モジュール21,モジュール22の反射係数τA 、τB はそれぞれ、
【数2】
Figure 0004009893
【数3】
Figure 0004009893
と表され、UHF帯及びVHF帯のような高周波領域においては、太陽電池を構成する媒質のインピーダンスは複素数で表されるので、ZA 、ZB はそれぞれ、
【数4】
Figure 0004009893
【数5】
Figure 0004009893
と表すことができる。ここで、Za 、Zb は、実数部を表し、Zaa、Zbbは虚数部を表す。従って、反射係数τA 、τB は、
【数6】
Figure 0004009893
【数7】
Figure 0004009893
と表される。さらに、反射係数の実数部をτZA、τZB、虚数部をτjZA 、τjZB とすれば、反射係数τA 、τB は、
【数8】
Figure 0004009893
【数9】
Figure 0004009893
となるから、モジュール21,モジュール22の反射波の位相角θA 、θB は、
【数10】
Figure 0004009893
【数11】
Figure 0004009893
となる。
【0015】
従って、モジュール21,モジュール22の反射波の位相角θA 、θB の差がπになるようにモジュール21,モジュール22のインピーダンスZa 、Zb 、Zaa、Zbb、を調整すれば、モジュール21,モジュール22の反射波が互いに逆位相となり、打ち消し合って、反射波が生じない。
【0016】
インピーダンスZa 、Zb 、Zaa、Zbbは、太陽電池モジュールの面積を変える、太陽電池セルの配線方法を変える、並べ方を変える、あるいは、コンデンサ等の電子素子を太陽電池モジュールの内外に付加することによって調整できる。
【0017】
図3は、反射係数の位相角が異なる複数のモジュールからの反射波の位相角をベクトル表示した図である。
図に示すように、様々な位相角31が存在すると、互いに打ち消し合う反射波の対が存在するようになり、反射波が無くなる。
【0018】
次に、本発明の第3の実施の形態を説明する。
図4は、本発明の第3の実施の形態を示す図である。
図において、(a)は複数の太陽電池セル1を、太陽電池セル1の上部電極2、または下部電極6を直列に接続してループ状に配列し、ループ端を、例えばコンデンサである整合負荷41で接続したものである。
この構成によれば、太陽電池がループアンテナとして作用し、整合負荷41で電磁波エネルギーを吸収するから反射波が生じない。
また、図4(b)は複数の太陽電池セル1を、太陽電池セル1の上部電極、及び下部電極をそれぞれ直列に接続して折れ線状に配列したものである。
この構成によれば、太陽電池がパッチアンテナとして作用し、整合負荷を接続すれば、整合負荷で電磁波エネルギーを吸収するから反射波を生じない。
【0019】
次に、本発明の第4の実施の形態を説明する。
図5は、本発明の第4の実施の形態を示す図である。
図5(a)は、太陽電池セルの3つの媒質層、すなわち、表面のガラス層51,EVA(エチレン・ビニル・アセテート)層52及び半導体層53のそれぞれの層の厚みを制御して、それぞれの表面で反射する反射波が互いに逆位相になるように構成する例を示している。この構成によれば、それぞれの表面で反射する反射波が互いに逆位相になるから、反射波が打ち消される。
【0020】
図5(b)は、太陽電池裏面に金属等である電磁波反射膜54を設け、太陽電池表面上に金属等である網目状の電磁波反射膜55を設け、裏面の電磁波反射膜54と網目状の電磁波反射膜55の間隔を調整して、裏面の電磁波反射膜54で反射する反射波と網目状の電磁波反射膜55で反射する反射波とを干渉させて打ち消す構成を示している。
この構成によれば、反射波が生じないと共に、網目状の電磁波反射膜55を透過する太陽光で太陽光発電ができる。
【0021】
図5(c)は、太陽電池を配置する壁面56に電磁波12の反射体57を設け、この反射体57による反射波と太陽電池表面の反射波とが互いに逆位相となるように反射体57と太陽電池裏面との間隔を調整した構成を示している。
この構成によれば、反射波が互いに打ち消して反射波が生じない。
【0022】
次に、本発明の実施例を示す。
図6は、本発明の第4の実施の形態に基づく実施例を示す図である。
図において、横軸は太陽電池に対する電磁波の入射角を示し、縦軸は、太陽電池セルの3つの媒質層、すなわち、表面のガラス層51,EVA(エチレン・ビニル・アセテート)層52、及び半導体層53のそれぞれの層の厚みをUHF帯の周波数に対して、反射波の打ち消し効果が最大になるように構成して測定した減衰率を示す。減衰率は入射電磁波の強度を基準とした。
図から明らかなように、反射波が減衰していることがわかる。
【0023】
【発明の効果】
上記説明から理解されるように、本発明の太陽電池を用いた電磁波吸収方法によれば、太陽電池を用いて、太陽光発電を阻害することなく、電磁波の反射をなくすことができる。
したがって、現状の太陽電池に本発明の太陽電池を用いた電磁波吸収方法を適用すれば、太陽光発電ができると共に、テレビ映像のゴースト等の電磁波障害が無くなるから、太陽電池の普及が進み地球環境の保全を促進することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を説明する模式的断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態を示す図である。
【図3】反射係数の位相角が異なる複数のモジュールからの反射波の位相角をベクトル表示した図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態を示す図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態を示す図である。
【図6】本発明の第4の実施の形態に基づく実施例を示す図である。
【符号の説明】
1 太陽電池セル
2 上部電極
3 透明電極X線
4 半導体p層
5 半導体n層
6 下部電極
7 導体
8 正出力端子
9 負出力端子
10 太陽電池モジュール
12 入射電磁波
13 コンデンサ
21,22 モジュール
41 整合負荷
51 ガラス層
52 EVA層
53 半導体層
54 裏面の電磁波反射膜
55 網目状の電磁波反射膜
56 壁
57 電磁波反射膜

Claims (5)

  1. 複数のセルからなる太陽電池モジュールにおいて、上記複数のセルの上部電極同士及び下部電極同士を接続して、上記複数のセルが並列接続された太陽電池モジュールを形成し、上記複数のセルが並列接続された太陽電池モジュールのインピーダンスを、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくなるように上記セル個数を選択し、上記太陽電池に入射する電磁波による上記太陽電池モジュールからの反射を無くすことを特徴とする、太陽電池を用いた電磁波吸収方法。
  2. 複数のセルからなる太陽電池モジュールにおいて、上記複数のセルの上部電極と下部電極とを接続して上記複数のセルが直列接続された太陽電池モジュールを形成し、上記複数のセルが直列接続された太陽電池モジュールのインピーダンス、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくなるように上記セルの個数を選択し、上記太陽電池に入射する電磁波による上記太陽電池モジュールからの反射を無くすことを特徴とする、太陽電池を用いた電磁波吸収方法。
  3. 複数のセルからなる太陽電池モジュールにおいて、上記複数のセルの上部電極同士及び下部電極同士を接続して上記複数のセルが並列接続された太陽電池モジュールと、上記複数のセルの上部電極と下部電極を接続して直列接続された太陽電池モジュールと、を混合した太陽電池モジュールを形成し、該混合した太陽電池モジュールのインピーダンスが、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくなるように、上記セルの並列接続セル個数及び直列接続セル個数を選択し、上記太陽電池に入射する電磁波による上記太陽電池モジュールからの反射を無くすことを特徴とする、太陽電池を用いた電磁波吸収方法。
  4. 複数の太陽電池モジュールからなる太陽電池を形成しこの各太陽電池モジュールの各インピーダンスを、互いに異なる反射波の位相角を有するように、上記各太陽電池モジュールの表面積及び/又は形状の変化、並列接続セル個数の変化、直列接続セル個数の変化の何れか又はこれらの組み合わせにより調整し、上記太陽電池に入射する電磁波による上記各太陽電池モジュールからの反射波を互いにうち消し合わせることによって、上記太陽電池に入射する電磁波による上記太陽電池の反射波を無くすことを特徴とする、太陽電池を用いた電磁波吸収方法。
  5. 記太陽電池モジュールの出力端子間にコンデンサを接続し、該コンデンサを接続した太陽電池モジュールのインピーダンスが、入射する電磁波の電磁波特性インピーダンスに等しくなるように該コンデンサを調整し、太陽電池に入射する電磁波による太陽電池モジュールからの反射を無くすことを特徴とする、請求項1〜4の何れかに記載の太陽電池を用いた電磁波吸収方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008029125A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Sony Corp 電磁誘導型処理装置
JP2010258158A (ja) * 2009-04-23 2010-11-11 Sharp Corp 配線シート、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
DE102009044610A1 (de) * 2009-11-20 2011-05-26 Azur Space Solar Power Gmbh Solarzellenmodul

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0236318Y2 (ja) * 1985-06-21 1990-10-03
JPH0642563B2 (ja) * 1988-11-24 1994-06-01 日本碍子株式会社 太陽電池パネル
JPH06237091A (ja) * 1993-02-08 1994-08-23 Hitachi Eng Co Ltd 電波暗室
EP0632507A3 (en) * 1993-05-12 1995-11-22 Optical Coating Laboratory Inc Cover for solar cells which reflects UV / IR rays.
JPH08253913A (ja) * 1995-03-15 1996-10-01 Fujita Corp 太陽電池パネル一体型遮音パネル
JPH11150393A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Oji Toobi Kk 透明電波吸収体およびその作製方法
JP2000049487A (ja) * 1998-07-29 2000-02-18 Hitachi Ltd 電磁波吸収方法および電磁波吸収装置ならびに電子部品および電子機器
DE19938199C1 (de) * 1999-08-12 2001-01-25 Inst Solare Energieversorgungstechnik Iset Vorrichtung zur Umwandlung von Solarnergie in elektrische Energie und zum Abstrahlen und/oder Empfangen von hochfrequenten elektromagnetischen Wellen
US6590150B1 (en) * 2001-05-11 2003-07-08 Karl F. Kiefer Combination photovoltaic cell and RF antenna and method

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