JP4002429B2 - Exposure apparatus having foreign substance inspection function and foreign substance inspection method in the apparatus - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パターン形成用のマスクと露光対象基板との間に微小ギャップを形成して該露光対象基板の基板面上にパターンを転写するプロキシミティ露光装置、コンタクト露光装置等の露光装置に係り、特に、マスクのパターン面や露光対象基板の露光面について異物有無の検査を行うことのできる異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
プロキシミティ露光装置は、例えば、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの製造工程において、ガラス基板やカラーフィルタなどの露光対象基板の基板面上にパターンを形成する露光工程に適用される。近年、ガラス基板は、液晶ディスプレイの大型化に伴い益々大版化され、これに伴ってフォトマスクも大版化される傾向にある。プロキシミティ露光装置では、フォトマスクとガラス基板とのサイズが略同じである場合に、パターンをガラス基板面上に一括して露光する一括露光方式が採用され、フォトマスクのサイズよりもガラス基板のサイズが大きい場合には、例えば、フォトマスクに対してガラス基板を水平方向にステップ移動して、パターンをガラス基板面上に分割して露光するステップ露光方式が採用される。
【0003】
上記のプロキシミティ露光装置では、ガラス基板の基板面上にパターンを形成するに当たり、フォトマスクとガラス基板との間隔が微小ギャップ(セパレーションギャップ)となるようにガラス基板の位置決め制御いわゆるプロキシミティギャップ制御を行っている。一例として、マスクホルダで保持したフォトマスクと露光チャックで保持したガラス基板との間隔を複数のギャップ検出センサで検出し、各センサの検出値が全て等しくなるように露光チャックをチルティングステージでZ方向にチルティングして、フォトマスクとガラス基板との間に一定の微小ギャップを形成する。この微小ギャップは、フォトマスクのパターン面(マスクパターンを形成した面)とガラス基板の露光面(フォトレジスト膜を形成した面)との間に形成され、例えば、フォトマスクやガラス基板の大きさに応じて数十〜数百ミクロン程度のギャップ値に設定される。また、微小ギャップを確保したまま、フォトマスクとガラス基板とを高精度に位置合わせするアライメントが行われる。一例として、フォトマスクとガラス基板とに対向して設けられたアライメントマークをCCDなどのイメージセンサで検出し、その検出結果からフォトマスクとガラス基板とのずれ量を求め、そのずれ量の補正分だけアライメントステージで露光チャックをX方向やY方向に移動して、フォトマスクとガラス基板とを位置合わせする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
プロキシミティ露光装置では、例えば、ガラス基板の露光面上に比較的大きい異物があると、プロキシミティギャップ制御の際に、その異物がパターン面に接触することがある。すなわち、ガラス基板においては、露光工程の前の感光液塗布工程において、露光対象面にフォトレジストを一定厚みに塗布して露光面が形成されるが、フォトレジストを塗布する際に、そのフォトレジストが飛散して露光面上に散在していることがある。また、フォトマスクにおいては、大版化されるに従ってそれ自身の自重により中央部付近がガラス基板側にたわみ露光面とのギャップ間隔が狭くなるという傾向がある。この場合、露光面上において、ギャップ間隔の狭い部分に飛散レジストがあると、その飛散レジストがパターン面に接触してパターンを損傷するという問題が起こる。また、アライメントでは、微小ギャップを確保したまま、ガラス基板をフォトマスクに対して移動するので、ガラス基板の移動に伴って飛散レジストによりレジスト膜やパターンが擦られてスクラッチ状に損傷するいう問題が起こる。また、その飛散レジストは、ガラス基板が露光チャックと共に下降する際に、露光面から離れてパターン面に付着することがある。
【0005】
通常、一括露光方式では、1枚のフォトマスクを用いて複数枚のガラス基板に同一パターンを形成するので、パターンの損傷或いはパターン面への飛散レジストの付着に因って、パターンを露光したガラス基板の全てにパターンの繰り返し焼き付け不良が生じるため、歩留りが低下してしまう。このような問題は、一括露光方式に限らず、ステップ露光方式においても同様に起こる。特に、ステップ露光方式では、1枚のフォトマスクを用いて複数枚のガラス基板に同一パターンを露光することがあるので、一括露光方式に比べてさらに歩留りが低下してしまうことになる。
【0006】
このような問題を回避する一つの方法として、ガラス基板の露光面に転写した転写パターンをレビューステーションや走査型電子顕微鏡などを用いて観察し、転写パターンが損傷していれば、その転写パターンに対応したフォトマスクを新品のものと交換することが考えられる。しかしながら、この方法では、転写パターンの観察に時間がかかるという問題があり、また、交換用のフォトレジストを複数枚準備する必要があるので、ランニングコストが嵩むという問題がある。
【0007】
本発明は、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、パターン面や露光面について異物有無の検査を行うことのできる異物検査機能を備えた露光装置及びその装置における異物検査方法を提供しようとするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る露光装置は、マスクホルダに保持されたマスクのパターン面と、露光チャックに保持された露光対象基板の露光面とを接近させて露光を行う露光装置において、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するようにマスクホルダと露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動する駆動手段と、前記駆動手段により前記マスクホルダと前記露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動して前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するに、前記パターン面の状態と前記露光面の状態をそれぞれ同時に光学的に検出する検出手段と、前記パターン面に応じた前記検出手段の出力に基づき該パターン面の異物有無を判定すると共に、前記露光面に応じた前記検出手段の出力に基づき該露光面の異物有無を判定する処理を行う制御手段とを具えたものである。
本発明に係る異物検査方法は、マスクホルダに保持されたマスクのパターン面と、露光チャックに保持された露光対象基板の露光面とを接近させて露光を行う露光装置において、前記パターン面や前記露光面について異物有無の検査を行うための異物検査方法であって、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するようにマスクホルダと露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動する工程と、前記工程によって前記マスクホルダと前記露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動して前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するに、前記パターン面の状態と前記露光面の状態をそれぞれ同時に光学的に検出する工程と、前記パターン面に応じた検出データに基づき該パターン面の異物有無を判定すると共に、前記露光面に応じた検出データに基づき該露光面の異物有無を判定する工程とを具える。
上記の露光装置及び異物検査方法によれば、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前の状態で、パターン面及び露光面について異物有無の検出を同時に行うので、パターン面及び露光面について異物有無の検査を効率的に行うことができる。また、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前の状態でこの検出を行うことにより、両方の面の間隔が十分に開いている状態で検出を行うため、両方の面を傷つけることなく同時に検出を行うことが可能である。更に、パターン面及び露光面という2種の検出を行うものでありながら、検出工程によるタクトタイムの増加が生じない。加えて、1つの基板の露光終了後に、別の基板に対する露光を開始する前に、本願発明によるマスクのパターン面と露光対象基板の露光面との検査が同時に行われるので、前回の露光中にマスクのパターン面に異物等が付着した場合でも、これを確実にかつ効率的に検出することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明に係る露光装置の一実施例を添付図面に従って説明する。
本実施の形態では、露光装置として、例えば、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイなどのフラットパネルディスプレイの製造工程において、ガラス基板の基板面上にパターンを形成する露光工程に適用されるプロキシミティ露光装置を説明する。図1にそのプロキシミティ露光装置の概略構成を示す。
【0010】
図1において、プロキシミティ露光装置は、マスクホルダ1と、露光チャック2と、チルティングステージ3と、アライメントステージ4と、ステージガイド5と、ガラス基板用の異物検出系6と、フォトマスク用の異物検出系7と、露光チャック移動用のステージ駆動装置Dと、露光光照射用の露光ユニット(図示せず)などを具える。ステージガイド5には、アライメントステージ4が移動自在に搭載される。アライメントステージ4には、チルティングステージ3を介して露光チャック2が取り付けられる。ステージ駆動装置Dは、露光チャック2をステージガイド5に沿って図にXYZ座標で示すX軸方向に移動するためのものである。ステージ駆動装置Dとしては、例えば、リニアモータなどの適宜の駆動装置を用いることができる。この場合、駆動装置をステージガイド5内に配置し、該駆動装置でアライメントステージ4を介して露光チャック2をステージガイド5に沿ってX軸方向に移動する。チルティングステージ3は、例えば、露光チャック2を同XYZ座標で示すZ軸方向にチルティングする3つのチルティング駆動モータなどを備えてなる。アライメントステージ4は、例えば、露光チャック2を同XYZ座標で示すX軸方向、Y軸方向にそれぞれ独立して移動するX軸テーブル4a、Y軸テーブル4bなどを備える。
【0011】
マスクホルダ1は、ステージガイド5の上方において、後述するガラス基板受け渡し位置側に設けられたマスクベース8に固定されている。このマスクホルダ1は、露光光入射用の下方開口窓1aを中央に有する枠型形状に形成されてなり、その下面周縁部で図示しないオートマスクチェンジャにより搬送されてくるフォトマスクMの上面周縁部を吸着保持する。フォトマスクMの下面はマスクパターンが形成されたパターン面Maとなっている。
【0012】
露光チャック2は、図に実線で示すガラス基板受け渡し位置でガラス基板Pを保持する。すなわち、ガラス基板受け渡し位置に図示しない搬送アームにより搬送されてくるガラス基板Pの下面を吸着保持する。ガラス基板Pの上面はフォトレジスト膜からなる露光面Paとなっている。ガラス基板受け渡し位置では、ガラス基板PはフォトマスクMと対向しない位置にある。ガラス基板Pを保持した露光チャック2は、該ガラス基板Pの露光面PaとフォトマスクMのマスク面Maとの間に微小ギャップを形成するプロキシミティギャップ制御が行われる前に、ステージ駆動装置Dでアライメントステージ4を図に矢印で示すX軸方向に移動することで、ガラス基板受け渡し位置から図に一点鎖線で示す露光開始位置まで移動される。ガラス基板Pは露光開始位置においてフォトマスクMと対向する。
【0013】
ガラス基板用の異物検出系6は、光照射系6aと、ファイバ集光系6bと、フォトマルチプライヤなどの検出器6c(図4参照)などを含む。光照射系6aとファイバ集光系6bは、マスクベース8のガラス基板受け渡し位置側の外側面に取り付けられている。光照射系6aは、図2に示されるように、投光器6a1と、受光器6a2などを備えてなる。投光器6a1と受光器6a2は、それぞれ、ガラス基板Pにおいて、露光チャック2の移動方向と交差する方向(すなわち図1に示すY軸方向)の一端と他端の外側に対向して配置されている。投光器6a1は、露光チャック2がガラス基板受け渡し位置から露光開始位置まで移動する間、ガラス基板Pの露光面Paを照射する照射光L1を受光器6a2に向けて出射する。この場合、ガラス基板Pは照射光L1に対して移動するので、該ガラス基板Pの移動に伴って露光面Paの全面が照射光L1で照射される。露光面Paに照射光L1が照射されると、露光面Pa上に存在する異物(例えば、露光面Pa上の飛散レジストなど)Aから散乱光AL1が発生する。詳しくは、露光面Paの平滑面に異物Aがあると、その平滑面に対する異物Aの凹凸によって照射光L1が乱反射して散乱する。異物Aで乱反射した散乱光AL1はファイバ集光系6bを介して検出器6cに出力される。なお、照射光L1を断面形状が楕円のコリメート光にすると、投光器6a1のセット位置を容易に設定できる。これは、コリメート光において、長径側又は短径側で露光面Paを照射するように投光器6a1をセットできることによる。
【0014】
フォトマスク用の異物検出系7は、光照射系7aと、ファイバ集光系7bと、フォトマルチプライヤなどの検出器7c(図4参照)などを含む。光照射系7aとファイバ集光系7bは、アライメントステージ4のフォトマスクM側の外側面にステージベース9を介して取り付けられている。光照射系7aは、図3に示されるように、投光器7a1と、受光器7a2などを備えてなる。投光器7a1と受光器7a2は、それぞれ、フォトマスクMにおいて、露光チャック2の移動方向と交差する方向(すなわち図1に示すY軸方向)の一端と他端の外側に対向して配置されている。投光器7a1は、露光チャック2がガラス基板受け渡し位置から露光開始位置まで移動する間、フォトマスクMのパターン面Maを照射する照射光L2を受光器7a2に向けて出射する。この場合、フォトマスクMは照射光L2に対して移動するので、該フォトマスクMの移動に伴ってパターン面Maの全面が照射光L2で照射される。パターン面Maに照射光L2が照射されると、パターン面Ma上に存在する異物(例えば、露光面Paから離れてパターン面Maに付着した飛散レジストなど)Bから散乱光BL2が発生する。詳しくは、パターン面Maの平滑面に異物Bがあると、その平滑面に対する異物Bの凹凸によって照射光L2が乱反射して散乱する。異物Bで乱反射した散乱光BL2はファイバ集光系7bを介して検出器7cに出力される。なお、この場合も、照射光L2を断面形状が楕円のコリメート光にすると、投光器7a1のセット位置を容易に設定できる。これは、コリメート光において、長径側又は短径側でパターン面Maを照射するように投光器7a1をセットできることによる。
【0015】
図4において、各検出器6c,7cは、ファイバ集光系6b,7bからの散乱光AL1,BL2を受光して、該散乱光AL1,BL2の受光レベル(輝度レベル)に応じた検出信号(例えば、輝度レベルに応じた電流値)SA,SBを制御部10に出力する。制御部10は、インタフェース10aと、MPU10bと、ROMやRAMからなるメモリ10cなどを含むマイクロコンピュータからなる。メモリ10cには、装置を駆動するために必要な各種プログラムや異物判定用の基準データ(設定データ)などが記憶されている。MPU10bは、メモリ10cに記憶されている所定のプログラムを実行して異物有無の判定を行う。また、図4に示していないが、チルティングステージ3やアライメントステージ4やステージ駆動装置Dなどを駆動制御する。
【0016】
図5に、制御部10による異物有無の判定処理の一例を示す。
図5において、ステップS1では、各検出器6c,7cから得られる検出信号SA,SBを取り込み、その検出信号SA,SBを適宜信号処理して該検出信号SA,SBに応じた検出データDA,DBを求める。
ステップS2では、検出データDA,DBに基づき異物有無の判定を行う。すなわち、検出データDA,DBをそれぞれ異物判定用の基準データDsと比較し、検出データDA,DAが基準データDs未満である場合(DA<Ds,DB<Ds)には、ステップS3に進み、検出データDA,DBが基準データDs以上である場合(DA≧Ds,DB≧Ds)には、ステップS5に進み。
ステップS3では、「異物無し」と判定して、ステップS4に進む。ステップS4では、装置の運転を続行する。
ステップS5では、「異物有り」と判定して、ステップS6に進む。ステップS6では、図4に示す任意のアラーム発生装置11を駆動してアラームを出力すると共に、装置の駆動系12を駆動制御して運転を停止する。
【0017】
以上説明したように、本実施の形態に係る露光装置では、ガラス基板Pの露光面PaとフォトマスクMのパターンMaとの間に微小ギャップを形成するプロキシミティギャップ制御を行う前に、ガラス基板Pの露光面Pa及びフォトマスクMのパターン面Maについて異物有無の判定を行うので、露光面Paやパターン面Maについて異物A,Bの有無を検査することができる。また、異物有りと判定した場合には、装置の運転を停止するので、プロキシミティギャップ制御を行う場合に発生する露光面Pa上の異物Aによるパターンやレジスト膜の損傷を防止できる。また、パターンの損傷或いはパターン面Maに付着した異物Bに因って発生する、パターンの繰り返し焼き付け不良を防止できるので、歩留りの向上を図れる。
【0018】
なお、本実施の形態に係る露光装置においては、ガラス基板PやフォトマスクMについて「異物有り」と判定された場合に、そのガラス基板PやフォトマスクMを回収する指令を制御部10に出力する操作部(図示せず)を具える。この操作部は、作業者によって操作される。例えば、制御部10にガラス基板回収指令信号を出力すると、制御部10は、ガラス基板Pを露光チャック2から回収するように図示しない搬出アームを駆動制御する。また、制御部10にフォトマスク回収指令信号を出力すると、制御部10は、フォトマスクMを新品のフォトマスクに交換するようにオートマスクチェンジャを駆動制御する。また、本実施の形態に示すプロキシミティ露光装置では、上述した異物検査後に、異物の無いガラス基板PとフォトマスクMについてプロキシミティギャップ制御やアライメントなどを行うが、これについては従来のプロキシミティ露光装置と同じであるので、その説明は省略する。
【0019】
本実施の形態に示すプロキシミティ露光装置は、露光チャック2をステージ駆動装置Dにより駆動して、ガラス基板PをフォトマスクMに対して相対的に移動するように構成したが、これに限られるものでなく、例えば、マスクホルダ1を図示しない適宜の駆動装置で駆動して、フォトマスクMをガラス基板Pに対して相対的に移動するように構成してよい。また、露光チャック2をステージ駆動装置Dにより駆動し、マスクホルダ1を上記駆動装置で駆動して、ガラス基板PとフォトマスクMとを相対的に移動するように構成してよい。また、光照射系6a,7aの投光器6a1,7a1としては、照射光Lとして、ガラス基板Pの露光面Paを形成するフォトレジスト膜の干渉の影響を避けるため、白色光、2波長レーザなどの照射光を発するものが適宜用いられる。
【0020】
本発明に係わる露光装置は、一括露光方式、ステップ露光方式、スキャン露光方式などを採用するプロキシミティ露光装置全般に適用できるものである。また、本発明に係わる露光装置は、フォトマスクと露光対象基板とを密着させて露光を行うコンタクト露光装置に適用できる。本発明に係わる露光装置をコンタクト露光装置に適用する場合、フォトマスクと露光対象基板とを接近させる前に、上述したように、フォトマスクと露光対象基板とを相対的に移動させて、マスク面と露光面とについて異物有無の検査を行うことができる。
【0021】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明に係る露光装置及び異物検査方法によれば、マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、パターン面や露光面について異物有無の判定を行うようにしたので、パターン面や露光面について異物有無の検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る露光装置の一実施例を示す概略構成図。
【図2】 ガラス基板用の異物検出系で露光面上の異物を検出する一例を示す図。
【図3】 フォトマスク用の異物検出系でパターン面の異物を検出する一例を示す図。
【図4】 図1に示す異物判定制御系の一例を示すブロック図。
【図5】 異物判定処理の一例を示すフローチャート図。
【符号の説明】
1 マスクホルダ
2 露光チャック
6 ガラス基板用の異物検出系
7 フォトマスク用の異物検出系
10 制御部
D ステージ駆動装置
M フォトマスク
Ma パターン面
P ガラス基板
Pa 露光面
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an exposure apparatus such as a proximity exposure apparatus or a contact exposure apparatus that forms a minute gap between a mask for pattern formation and an exposure target substrate and transfers the pattern onto the substrate surface of the exposure target substrate. In particular, the present invention relates to an exposure apparatus having a foreign matter inspection function capable of inspecting the presence or absence of foreign matter on a pattern surface of a mask or an exposure surface of an exposure target substrate, and a foreign matter inspection method in the apparatus.
[0002]
[Prior art]
The proximity exposure apparatus is applied to an exposure process for forming a pattern on a substrate surface of an exposure target substrate such as a glass substrate or a color filter in a manufacturing process of a flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display. In recent years, the size of glass substrates has been increased with the increase in size of liquid crystal displays, and the size of photomasks has also been increasing accordingly. In the proximity exposure apparatus, when the size of the photomask and the glass substrate is substantially the same, a batch exposure method is used in which the pattern is exposed on the glass substrate surface in a lump, and the glass substrate is larger than the size of the photomask. When the size is large, for example, a step exposure method is adopted in which the glass substrate is stepped in the horizontal direction with respect to the photomask, and the pattern is divided and exposed on the glass substrate surface.
[0003]
In the above-described proximity exposure apparatus, when forming a pattern on the substrate surface of the glass substrate, positioning control of the glass substrate so that the distance between the photomask and the glass substrate becomes a small gap (separation gap), so-called proximity gap control. It is carried out. As an example, the gap between the photomask held by the mask holder and the glass substrate held by the exposure chuck is detected by a plurality of gap detection sensors, and the exposure chuck is set to Z by the tilting stage so that the detection values of each sensor are all equal. Tilt in the direction to form a certain small gap between the photomask and the glass substrate. This minute gap is formed between the pattern surface of the photomask (the surface on which the mask pattern is formed) and the exposure surface of the glass substrate (the surface on which the photoresist film is formed). For example, the size of the photomask or the glass substrate The gap value is set to about several tens to several hundreds of microns according to the above. In addition, alignment is performed so that the photomask and the glass substrate are aligned with high accuracy while a minute gap is secured. As an example, an alignment mark provided opposite to the photomask and the glass substrate is detected by an image sensor such as a CCD, and the amount of deviation between the photomask and the glass substrate is obtained from the detection result, and the amount of correction of the amount of deviation is corrected. Only by moving the exposure chuck in the X direction or Y direction on the alignment stage, the photomask and the glass substrate are aligned.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the proximity exposure apparatus, for example, if there is a relatively large foreign object on the exposure surface of the glass substrate, the foreign object may come into contact with the pattern surface during the proximity gap control. That is, in the glass substrate, in the photosensitive solution coating step before the exposure step, an exposure surface is formed by coating a photoresist with a certain thickness on the surface to be exposed. When the photoresist is applied, the photoresist is applied. May be scattered and scattered on the exposure surface. Further, in the photomask, as the size of the photomask increases, there is a tendency that the gap between the central portion and the exposure surface is reduced due to its own weight due to its own weight. In this case, if there is a scattered resist in a portion where the gap interval is narrow on the exposure surface, there arises a problem that the scattered resist comes into contact with the pattern surface and damages the pattern. Also, in alignment, the glass substrate is moved relative to the photomask while ensuring a small gap, so that there is a problem that the resist film and the pattern are rubbed and scratched by the scattered resist as the glass substrate moves. Occur. Further, when the glass substrate descends together with the exposure chuck, the scattered resist may adhere to the pattern surface away from the exposure surface.
[0005]
Usually, in the batch exposure method, since the same pattern is formed on a plurality of glass substrates using a single photomask, the glass on which the pattern is exposed due to damage to the pattern or adhesion of scattered resist to the pattern surface. Since the repeated baking failure of the pattern occurs on all the substrates, the yield decreases. Such a problem occurs not only in the batch exposure method but also in the step exposure method. In particular, in the step exposure method, the same pattern may be exposed on a plurality of glass substrates using one photomask, so that the yield is further reduced as compared with the batch exposure method.
[0006]
One way to avoid this problem is to observe the transfer pattern transferred to the exposed surface of the glass substrate using a review station or a scanning electron microscope, and if the transfer pattern is damaged, It is conceivable to replace the corresponding photomask with a new one. However, this method has a problem that it takes time to observe the transfer pattern, and it is necessary to prepare a plurality of replacement photoresists, which increases the running cost.
[0007]
The present invention relates to an exposure apparatus having a foreign matter inspection function capable of inspecting the pattern surface and exposure surface for the presence of foreign matter before bringing the pattern surface of the mask close to the exposure surface of the exposure target substrate, and foreign matter in the device. It is intended to provide an inspection method.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
An exposure apparatus according to the present invention is an exposure apparatus that performs exposure by bringing a pattern surface of a mask held by a mask holder and an exposure surface of an exposure target substrate held by an exposure chuck close to each other. prior to approximate the exposure surface of the target substrate, a driving means for driving at least one of the mask holders and the exposure chuck for relative movement between the exposure target substrate and the mask, said by the drive means while driving the mask holder at least one of the exposure chuck relative movement between the exposure target substrate and the mask, respectively simultaneously optically detecting the state of the exposure surface and the state of the pattern surface And detecting the presence or absence of foreign matter on the pattern surface based on the output of the detection unit corresponding to the pattern surface and responding to the exposure surface. And is obtained and control means for performing processing for determining foreign object presence or absence of the exposure plane based on an output of said detecting means.
The foreign matter inspection method according to the present invention provides an exposure apparatus that performs exposure by bringing a pattern surface of a mask held by a mask holder and an exposure surface of an exposure target substrate held by an exposure chuck close to each other. A foreign matter inspection method for inspecting the presence or absence of foreign matter on an exposure surface, wherein the mask and the exposure target substrate are relatively moved before the pattern surface of the mask and the exposure surface of the exposure target substrate are brought close to each other. relatively moving a step of driving at least one of the mask holders and the exposure chuck, and the mask by driving at least one of the exposure chuck and the mask holder by the step and the exposure target substrate as during that, the step of detecting the status of said exposure surface of said patterned surface simultaneously optically respectively, detected in accordance with the pattern surface Together determine the foreign matter whether the pattern surface on the basis of the over data comprises a step of determining a foreign object presence or absence of the exposure surface based on the detection data corresponding to the exposure surface.
According to the exposure apparatus and particle inspection method, in a state before approximating the pattern surface and the exposure surface of the exposure target substrate mask, because at the same time to detect the foreign object presence on the pattern surface and the exposure surface, the pattern surface and Inspection of the presence or absence of foreign matter can be efficiently performed on the exposed surface. In addition, by performing this detection in a state before the pattern surface of the mask and the exposure surface of the exposure target substrate are brought close to each other, the detection is performed in a state where the distance between both surfaces is sufficiently open. It is possible to detect simultaneously without damaging. Furthermore, while performing two types of detection, that is, a pattern surface and an exposure surface, an increase in tact time due to the detection process does not occur. In addition, after the exposure of one substrate is completed, before the exposure to another substrate is started, the inspection of the pattern surface of the mask according to the present invention and the exposure surface of the substrate to be exposed is performed at the same time. Even when foreign matter or the like adheres to the pattern surface of the mask, this can be reliably and efficiently detected.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of an exposure apparatus according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
In the present embodiment, as an exposure apparatus, for example, a proximity exposure apparatus applied to an exposure process for forming a pattern on a substrate surface of a glass substrate in a manufacturing process of a flat panel display such as a liquid crystal display or a plasma display will be described. To do. FIG. 1 shows a schematic configuration of the proximity exposure apparatus.
[0010]
In FIG. 1, a proximity exposure apparatus includes a mask holder 1, an exposure chuck 2, a tilting stage 3, an alignment stage 4, a stage guide 5, a foreign substance detection system 6 for a glass substrate, and a photomask. A foreign matter detection system 7, a stage driving device D for moving an exposure chuck, an exposure unit (not shown) for irradiating exposure light, and the like are provided. An alignment stage 4 is movably mounted on the stage guide 5. An exposure chuck 2 is attached to the alignment stage 4 via a tilting stage 3. The stage driving device D is for moving the exposure chuck 2 along the stage guide 5 in the X-axis direction indicated by XYZ coordinates in the drawing. As the stage driving device D, for example, an appropriate driving device such as a linear motor can be used. In this case, the driving device is disposed in the stage guide 5, and the exposure chuck 2 is moved along the stage guide 5 in the X-axis direction via the alignment stage 4 with the driving device. The tilting stage 3 includes, for example, three tilting drive motors that tilt the exposure chuck 2 in the Z-axis direction indicated by the XYZ coordinates. The alignment stage 4 includes, for example, an X-axis table 4a and a Y-axis table 4b that move the exposure chuck 2 independently in the X-axis direction and the Y-axis direction indicated by the same XYZ coordinates.
[0011]
The mask holder 1 is fixed above the stage guide 5 to a mask base 8 provided on the glass substrate delivery position side described later. The mask holder 1 is formed in a frame shape having a lower opening window 1a for exposure light incidence in the center, and the upper surface peripheral portion of the photomask M conveyed by an automask changer (not shown) at the lower peripheral portion. Adsorb and hold. The lower surface of the photomask M is a pattern surface Ma on which a mask pattern is formed.
[0012]
The exposure chuck 2 holds the glass substrate P at the glass substrate delivery position indicated by a solid line in the drawing. That is, the lower surface of the glass substrate P transported by a transport arm (not shown) is sucked and held at the glass substrate delivery position. The upper surface of the glass substrate P is an exposure surface Pa made of a photoresist film. At the glass substrate delivery position, the glass substrate P is in a position not facing the photomask M. The exposure chuck 2 holding the glass substrate P has a stage driving device D before the proximity gap control for forming a minute gap between the exposure surface Pa of the glass substrate P and the mask surface Ma of the photomask M is performed. By moving the alignment stage 4 in the X-axis direction indicated by the arrow in the figure, the alignment stage 4 is moved from the glass substrate delivery position to the exposure start position indicated by the alternate long and short dash line in the figure. The glass substrate P faces the photomask M at the exposure start position.
[0013]
The foreign matter detection system 6 for the glass substrate includes a light irradiation system 6a, a fiber condensing system 6b, a detector 6c such as a photomultiplier (see FIG. 4), and the like. The light irradiation system 6a and the fiber condensing system 6b are attached to the outer surface of the mask base 8 on the glass substrate delivery position side. As shown in FIG. 2, the light irradiation system 6a includes a projector 6a1, a light receiver 6a2, and the like. The light projector 6a1 and the light receiver 6a2 are respectively disposed on the glass substrate P so as to face the outside of one end and the other end in the direction intersecting the moving direction of the exposure chuck 2 (that is, the Y-axis direction shown in FIG. 1). . While the exposure chuck 2 moves from the glass substrate delivery position to the exposure start position, the projector 6a1 emits the irradiation light L1 that irradiates the exposure surface Pa of the glass substrate P toward the light receiver 6a2. In this case, since the glass substrate P moves with respect to the irradiation light L1, the entire exposure surface Pa is irradiated with the irradiation light L1 as the glass substrate P moves. When the exposure surface Pa is irradiated with the irradiation light L1, scattered light AL1 is generated from foreign matter (for example, scattering resist on the exposure surface Pa) A existing on the exposure surface Pa. Specifically, if there is a foreign matter A on the smooth surface of the exposure surface Pa, the irradiation light L1 is irregularly reflected and scattered by the unevenness of the foreign matter A on the smooth surface. The scattered light AL1 diffusely reflected by the foreign matter A is output to the detector 6c through the fiber condensing system 6b. Note that when the irradiation light L1 is collimated light having an elliptical cross-sectional shape, the set position of the projector 6a1 can be easily set. This is because in the collimated light, the projector 6a1 can be set so as to irradiate the exposure surface Pa on the long diameter side or the short diameter side.
[0014]
The foreign matter detection system 7 for the photomask includes a light irradiation system 7a, a fiber condensing system 7b, a detector 7c such as a photomultiplier (see FIG. 4), and the like. The light irradiation system 7 a and the fiber condensing system 7 b are attached to the outer surface of the alignment stage 4 on the photomask M side via the stage base 9. As shown in FIG. 3, the light irradiation system 7a includes a projector 7a1, a light receiver 7a2, and the like. The light projector 7a1 and the light receiver 7a2 are respectively disposed on the photomask M so as to be opposed to the outside of one end and the other end in a direction intersecting the moving direction of the exposure chuck 2 (ie, the Y-axis direction shown in FIG. 1). . The light projector 7a1 emits irradiation light L2 for irradiating the pattern surface Ma of the photomask M toward the light receiver 7a2 while the exposure chuck 2 moves from the glass substrate delivery position to the exposure start position. In this case, since the photomask M moves with respect to the irradiation light L2, the entire pattern surface Ma is irradiated with the irradiation light L2 as the photomask M moves. When the pattern surface Ma is irradiated with the irradiation light L2, scattered light BL2 is generated from a foreign substance B (for example, a scattered resist attached to the pattern surface Ma away from the exposure surface Pa) B existing on the pattern surface Ma. Specifically, when the foreign matter B is present on the smooth surface of the pattern surface Ma, the irradiation light L2 is irregularly reflected and scattered by the unevenness of the foreign matter B on the smooth surface. The scattered light BL2 diffusely reflected by the foreign matter B is output to the detector 7c via the fiber condensing system 7b. Also in this case, if the irradiation light L2 is collimated light having an elliptical cross section, the set position of the projector 7a1 can be easily set. This is because in the collimated light, the projector 7a1 can be set so as to irradiate the pattern surface Ma on the long diameter side or the short diameter side.
[0015]
In FIG. 4, each detector 6c, 7c receives scattered light AL1, BL2 from the fiber condensing systems 6b, 7b, and detects signals (luminance levels) corresponding to the received light levels (luminance levels) of the scattered lights AL1, BL2. For example, current values SA and SB corresponding to the luminance level are output to the control unit 10 . The control unit 10 includes a microcomputer including an interface 10a, an MPU 10b, a memory 10c including a ROM and a RAM, and the like. The memory 10c stores various programs necessary for driving the device, reference data (setting data) for foreign matter determination, and the like. The MPU 10b executes a predetermined program stored in the memory 10c to determine the presence or absence of a foreign object. Although not shown in FIG. 4, the tilting stage 3, the alignment stage 4, the stage driving device D, and the like are driven and controlled.
[0016]
FIG. 5 shows an example of a foreign matter presence / absence determination process performed by the control unit 10.
In FIG. 5, in step S1, detection signals SA and SB obtained from the detectors 6c and 7c are fetched, the detection signals SA and SB are appropriately processed, and detection data DA and SB corresponding to the detection signals SA and SB are obtained. Find the DB.
In step S2, the presence / absence of foreign matter is determined based on the detection data DA and DB. That is, the detection data DA and DB are respectively compared with the foreign matter determination reference data Ds. If the detection data DA and DA are less than the reference data Ds (DA <Ds, DB <Ds), the process proceeds to step S3. If the detection data DA, DB is equal to or greater than the reference data Ds (DA ≧ Ds, DB ≧ Ds), the process proceeds to step S5.
In step S3, it is determined that “no foreign matter” and the process proceeds to step S4. In step S4, the operation of the apparatus is continued.
In step S5, it is determined that “foreign matter exists”, and the process proceeds to step S6. In step S6, an arbitrary alarm generation device 11 shown in FIG. 4 is driven to output an alarm, and the drive system 12 of the device is driven to stop the operation.
[0017]
As described above, in the exposure apparatus according to the present embodiment, before performing proximity gap control for forming a minute gap between the exposure surface Pa of the glass substrate P and the pattern Ma of the photomask M, the glass substrate Since the presence / absence of foreign matter is determined for the exposure surface Pa of P and the pattern surface Ma of the photomask M, the presence / absence of foreign matter A and B can be inspected for the exposure surface Pa and the pattern surface Ma. If it is determined that there is a foreign matter, the operation of the apparatus is stopped, so that damage to the pattern and resist film due to the foreign matter A on the exposure surface Pa that occurs when proximity gap control is performed can be prevented. In addition, since it is possible to prevent repeated pattern burn-in defects caused by pattern damage or foreign matter B adhering to the pattern surface Ma, the yield can be improved.
[0018]
In the exposure apparatus according to the present embodiment, when it is determined that “a foreign object is present” for glass substrate P or photomask M, a command for collecting glass substrate P or photomask M is output to control unit 10. An operation unit (not shown) is provided. This operation unit is operated by an operator. For example, when a glass substrate collection command signal is output to the control unit 10, the control unit 10 drives and controls a carry-out arm (not shown) so as to collect the glass substrate P from the exposure chuck 2. When a photomask recovery command signal is output to the control unit 10, the control unit 10 drives and controls the automask changer so that the photomask M is replaced with a new photomask. In the proximity exposure apparatus shown in this embodiment, proximity gap control and alignment are performed on the glass substrate P and the photomask M without foreign matter after the foreign matter inspection described above. Since it is the same as an apparatus, the description is abbreviate | omitted.
[0019]
The proximity exposure apparatus shown in the present embodiment is configured such that the exposure chuck 2 is driven by the stage driving apparatus D and the glass substrate P is moved relative to the photomask M, but is not limited thereto. For example, the mask holder 1 may be driven by an appropriate driving device (not shown) to move the photomask M relative to the glass substrate P. Further, the exposure chuck 2 may be driven by the stage driving device D, the mask holder 1 may be driven by the driving device, and the glass substrate P and the photomask M may be moved relative to each other. Further, as the projectors 6a1 and 7a1 of the light irradiation systems 6a and 7a, white light, two-wavelength lasers, etc. are used as the irradiation light L in order to avoid the influence of the photoresist film forming the exposure surface Pa of the glass substrate P. What emits irradiation light is used suitably.
[0020]
The exposure apparatus according to the present invention can be applied to all proximity exposure apparatuses that employ a batch exposure system, a step exposure system, a scan exposure system, and the like. The exposure apparatus according to the present invention can be applied to a contact exposure apparatus that performs exposure with a photomask and an exposure target substrate in close contact with each other. When the exposure apparatus according to the present invention is applied to a contact exposure apparatus, before the photomask and the exposure target substrate are brought close to each other, as described above, the photomask and the exposure target substrate are relatively moved, and the mask surface is moved. And the exposed surface can be inspected for the presence of foreign matter.
[0021]
【The invention's effect】
As described above, according to the exposure apparatus and the foreign matter inspection method of the present invention, before the pattern surface of the mask and the exposure surface of the exposure target substrate are brought close to each other, the presence or absence of foreign matter is determined on the pattern surface and the exposure surface. Since this is performed, it is possible to inspect the presence of foreign matter on the pattern surface and the exposure surface.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic block diagram that shows one embodiment of an exposure apparatus according to the present invention.
FIG. 2 is a view showing an example of detecting foreign matter on an exposure surface by a foreign matter detection system for a glass substrate.
FIG. 3 is a diagram showing an example of detecting foreign matter on a pattern surface by a foreign matter detection system for a photomask.
4 is a block diagram showing an example of a foreign matter determination control system shown in FIG.
FIG. 5 is a flowchart showing an example of foreign object determination processing.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask holder 2 Exposure chuck 6 Foreign substance detection system for glass substrate 7 Foreign substance detection system for photomask 10 Control part D Stage drive device M Photomask Ma Pattern surface P Glass substrate Pa Exposure surface

Claims (2)

マスクホルダに保持されたマスクのパターン面と、露光チャックに保持された露光対象基板の露光面とを接近させて露光を行う露光装置において、
マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するようにマスクホルダと露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段により前記マスクホルダと前記露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動して前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するに、前記パターン面の状態と前記露光面の状態をそれぞれ同時に光学的に検出する検出手段と、
前記パターン面に応じた前記検出手段の出力に基づき該パターン面の異物有無を判定すると共に、前記露光面に応じた前記検出手段の出力に基づき該露光面の異物有無を判定する処理を行う制御手段と
を具えた異物検査機能を備えた露光装置。
In an exposure apparatus that performs exposure by bringing the pattern surface of the mask held by the mask holder close to the exposure surface of the exposure target substrate held by the exposure chuck,
Driving means for driving at least one of a mask holder and an exposure chuck so as to relatively move the mask and the exposure target substrate before bringing the pattern surface of the mask close to the exposure surface of the exposure target substrate; ,
While by the drive means and the at least one of the mask holders and the exposure chuck driven relative movement between the exposure target substrate and the mask, respectively the status of said exposure surface of the pattern surface Detection means for optically detecting at the same time ;
Control for determining the presence or absence of foreign matter on the pattern surface based on the output of the detection means corresponding to the pattern surface, and determining the presence or absence of foreign matter on the exposure surface based on the output of the detection means corresponding to the exposure surface And an exposure apparatus having a foreign matter inspection function.
マスクホルダに保持されたマスクのパターン面と、露光チャックに保持された露光対象基板の露光面とを接近させて露光を行う露光装置において、前記パターン面や前記露光面について異物有無の検査を行うための異物検査方法であって、
マスクのパターン面と露光対象基板の露光面とを接近させる前に、前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するようにマスクホルダと露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動する工程と、
前記工程によって前記マスクホルダと前記露光チャックの少なくともいずれか一方を駆動して前記マスクと前記露光対象基板とを相対的に移動するに、前記パターン面の状態と前記露光面の状態をそれぞれ同時に光学的に検出する工程と、
前記パターン面に応じた検出データに基づき該パターン面の異物有無を判定すると共に、前記露光面に応じた検出データに基づき該露光面の異物有無を判定する工程と
を具えた異物検査方法。
In an exposure apparatus that performs exposure by bringing the pattern surface of the mask held by the mask holder close to the exposure surface of the exposure target substrate held by the exposure chuck, the pattern surface and the exposure surface are inspected for foreign matter. A foreign matter inspection method for
Driving at least one of a mask holder and an exposure chuck so as to relatively move the mask and the exposure target substrate before bringing the pattern surface of the mask close to the exposure surface of the exposure target substrate;
While the step by relatively moving the said exposure target substrate and the mask by driving at least one of the exposure chuck and said mask holder, at the same time the state of the state and the exposure surface of the pattern surface, respectively An optical detection step;
A foreign matter inspection method comprising: determining the presence or absence of foreign matter on the pattern surface based on detection data corresponding to the pattern surface, and determining the presence or absence of foreign matter on the exposure surface based on detection data corresponding to the exposure surface.
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