JP3994099B2 - リーク電流感度(leakagecurrentsensitivity)を求め、それを用いて集積回路の設計を最適化する方法 - Google Patents
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Description
102 入力論理状態パターン
103 入力パターン
104 入力パターン
201 総リーク
202 ランダム入力ベクトル
301 ベンチマーク回路
302 セル
303 入力
304 Imax
305 Imin
306 変動係数
401 リーク電流
402 平均リーク
403 最大リーク
404 最小リーク
405 プロセス条件
501 リーク電流
503 平均リーク電流
504 最大リーク電流
505 最小リーク電流
601 2入力NANDゲート
602 出力確率
603 論理状態
604 ゲート・リーク電流
605 サブスレッショルド・リーク電流
606 総リーク電流
607 状態発生確率
701 回路
702 平均リーク電流
703 SP法による推定値
704 平均相対誤差
801 パーセント変動
802 論理段数レベル
901 平均リーク電流
902 シミュレーション結果
903 SP法によるリーク電流
1006 平均リーク
1007 平均リーク感度
1008 高次のリーク感度
1310 CPU
1312 システム・バス
1314 RAM
1316 ROM
1318 I/Oアダプタ
1320 ディスク・ユニット
1322 ユーザ・インターフェース・アダプタ
1324 キーボード
1326 マウス
1328 スピーカ
1332 マイクロホン
1334 通信アダプタ
1336 ディスプレイ・アダプタ
1338 ディスプレイ装置
1340 テープ・ドライブ
C 回路セル
Claims (8)
- コンピュータによりプロセス、回路および環境設計パラメータを含めて、ICパラメータを有するIC(集積回路)を設計する方法であって、
設計ツールを用いて、回路マクロ中のセルを定義する回路設計データを読み込み、ネット・リストを用いて相互接続ネットを構成することにより、前記ICを構成する回路マクロを配置し構成するステップと、
前記各回路マクロの入力境界ごとに発生確率を求め、前記回路マクロ中の前記セルについて論理状態発生確率を計算し、セル・ライブラリから予め求めたリークおよびリーク感度データを取り出してリーク電力を求めるステップと、
前記回路マクロについて、前記ICパラメータの変動に対する平均リーク電力感度を求めるステップと、
前記平均リーク電力感度の解析に応答して、前記ICパラメータから第1パラメータを選択し、選択した前記パラメータごとに前記リーク感度データに論理状態発生確率を掛け、すべてのセルおよびすべての入力にわたって合計するステップと、
1つまたは複数の前記第1パラメータを改変することによって、前記ICの前記回路マクロのうち1つまたは複数の選択された回路マクロについてのリーク電力を減少させるステップとを含み、
前記回路マクロが、タイミングが重要でない回路マクロとタイミングが重要な回路マクロとに分類され、前記1つまたは複数の選択された回路マクロが、前記タイミングが重要でない回路マクロとされ、前記タイミングが重要でない回路マクロが、全体的なICの性能に大きな影響を及ぼすことなく前記ICパラメータを改変するステップを含む、方法。 - 前記ICについての第1設計電力損失と、前記リーク電力を減少させる前記ステップの後で前記ICについて求めた第2電力損失との差として電力損失マージンを求めるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記電力損失マージンを用いて、前記タイミングが重要な回路マクロに対応する前記回路マクロの1つを設計し直し、前記全体的なICの電力を、前記ICについての前記第1設計電力損失にほぼ等しく、またはそれ未満に保ちつつ、前記設計し直した回路マクロの性能を向上させるステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記平均リーク電力感度を求める前記ステップが、
前記回路マクロの各入力ノードごとに発生確率を求めるステップと、
前記回路マクロ中の各セルごとに状態発生確率を計算するステップと、
セル・ライブラリから、前記回路マクロに対するセル入力について、前記ICパラメータの関数として所定のリーク・データおよびリーク感度データを取り出すステップと、
前記取り出すステップからの前記リーク・データ、前記回路マクロの前記各入力ノードごとの前記発生確率および前記回路マクロ中の各セルの前記状態発生確率に応答して、前記回路マクロについての平均リーク電流を計算するステップと、
前記取り出すステップからの前記リーク感度データ、前記回路マクロの前記各入力ノードごとの前記発生確率および前記回路マクロ中の各セルの前記状態発生確率に応答して、各回路マクロごとに、前記各ICパラメータに対応する平均リーク感度を計算するステップと、
前記IC設計を最適化する際に用いるため、各回路マクロごとに各パラメータごとの平均リーク電流感度データを保存するステップとを含む、請求項1に記載の方法。 - 回路解析ツールおよび回路シミュレーション・ツールを用いることによって、前記セル入力について前記ICパラメータに対する前記リーク・データおよび前記リーク感度データをあらかじめ求める、請求項4に記載の方法。
- 前記平均リーク電流を計算する前記ステップが、
前記回路マクロの各セルの各ノードの各論理状態ごとのリーク電流に、前記各ノードごとの対応する論理状態発生確率を掛けて、各セルの各ノードごとにノード・リーク電流を生成するステップと、
前記セルの各ノードにわたって前記ノード・リーク電流を合計して、セル・リーク電流を生成するステップと、
各セルにわたって前記セル・リーク電流を合計して、前記平均マクロ・リーク電流を生成するステップとを含む方法を用いる、請求項4に記載の方法。 - 前記ICパラメータのパラメータPに対する前記平均リーク電力感度を計算する前記ステップが、
前記回路マクロの各セルの各ノードの各論理状態ごとの前記パラメータPに対するリーク感度に、前記各ノードごとの対応する論理状態発生確率を掛けて、各セルの各ノードごとにノード・リーク感度を生成するステップと、
前記セルの各ノードにわたって前記ノード・リーク感度を合計して、前記パラメータPに対するセル・リーク感度を生成するステップと、
前記マクロの各セルにわたって前記セル・リーク感度を合計して、平均マクロ・リーク感度を生成するステップとを含む方法を用いる、請求項4に記載の方法。 - ICパラメータに関する平均マクロ・リーク電力感度を求めるコンピュータ実行可能なプログラムであって、コンピュータが請求項1〜7のいずれか1項に記載の各ステップを実行するための、プログラム。
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