JP3983316B2

JP3983316B2 - Method for manufacturing liquid crystal display device

Info

Publication number: JP3983316B2
Application number: JP8717596A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1995-03-20
Filing date: 1996-03-14
Publication date: 2007-09-26
Anticipated expiration: 2016-03-14
Also published as: JPH08320461A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの生産性の向上のための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスを構成するパネルの断面図を図４に示す。図４から明らかなように、封止材４０２（シール材ともいう）で画素領域４０４を取り囲んでいるため、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの画素領域４０４のみが液晶に接しており、周辺駆動回路領域４０３の薄膜トランジスタは大気に接している。これは、以前アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの基板上に画素薄膜トランジスタしか存在せず、駆動回路が外付けＩＣであった頃の名残である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の技術においては、画素領域４０４と周辺駆動回路領域４０３とが同一ガラス基板４０１上に形成される場合に、駆動回路の実装位置の最適化が行われていない。
【０００４】
このため、従来のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスでは、駆動回路薄膜トランジスタが外部に剥き出しになっているため、パネル組立工程中のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの基板の取り扱いに細心の注意が必要であった。このような状況において、その作製プロセスにおいて、取り扱いが楽なアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの形態が望まれていた。また、信頼性上の点からも画素が液晶材、シール材等で保護されているのに対して、駆動回路は薄い酸化膜で覆われているのみであり、耐温性や汚染に対して弱くなっている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の問題点を解消するために、本明細書で開示する発明の一つは、
アクティブマトリクス型液晶表示デバイスにおいて、前記アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの画素薄膜トランジスタと前記画素の駆動回路薄膜トランジスタが同一の基板上に存在し、前記画素薄膜トランジスタと駆動回路薄膜トランジスタの双方が直接または薄膜を介して液晶材に接するように液晶封入が行われていることを特徴とする。
【０００６】
一般には、薄膜トランジスタは酸化珪素膜等でなる層間絶縁膜で覆われているので、この絶縁膜を介して、液晶に接することとなる。上記のような構成を採用することで、周辺駆動回路の薄膜トランジスタを実質的に液晶中に封入するとができる。即ち、周辺駆動回路の薄膜トランジスタを液晶で封止した状態とすることができる。
【０００７】
他の発明の構成は、
透光性を有する第１の基板上に、
マトリクス状に配置された薄膜トランジスタ回路と、
前記マトリクス回路に接続された薄膜トランジスタで構成された周辺駆動回路と、
を有する液晶パネル領域を複数組形成する工程と、
封止材でもって前記液晶パネル領域を複数に分割し透光性を有する第２の基板と前記第１の基板を所定の間隔で貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と第２の基板の間に液晶を注入する工程と、
を有し、
前記周辺駆動回路の上面には液晶が存在しており、
前記一対の基板間には、前記周辺駆動回路に接続される集積回路を配置するための空隙が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
上記構成を利用することのよって得られる具体的な構成の例を図２に示す。図２に示すのは、一対のガラス基板２０２間に液晶２０９を挟持したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の概略の構成を示す断面図である。図２に示す構成においては、アクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタ２０７と、この薄膜トランジスタ２０７を駆動するための周辺駆動回路の薄膜トランジスタ２０８と、この周辺駆動回路の薄膜トランジスタ２０８にビデオ信号や各種制御信号を送る集積回路（ＩＣ）２１１を有している。
【０００９】
図２に示す構成においては、周辺駆動回路の薄膜トランジスタ２０８の上面には、液晶が存在している。また、封止材２１０で封止された集積回路２１１は、一対のガラス基板２０２間に形成された空隙に配置されている。
【００１０】
また、図１には、一対のガラス基板を利用して複数の液晶パネルを形成する際の位置取りの例が示されている。図１に示す構成においては、封止材１０１によって、各液晶パネルに区分けが成されている。図１における封止材１０１は、図２における封止材２１０に相当する。
【００１１】
他の発明の構成は、
アクティブマトリクス型液晶表示デバイスにおいて、前記アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの画素薄膜トランジスタと前記画素の駆動回路薄膜トランジスタが同一の基板上に存在し、前記駆動回路薄膜トランジスタを封止材によって封入したことを特徴とする。
【００１２】
上記構成の具体的な例を図３に示す。図３に示す構成においては、周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタ３０８が、封止材３１０によって封止された構成となっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの駆動回路のパネル組立工程中における損傷を最小限にし、信頼性上の問題を解決するには、前記アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの駆動回路が直接触れられない形態であればよい。従って、図１に示すように前記アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの周辺駆動回路領域１０３を液晶材中または封止材中に実装する。
【００１４】
図１に示す構成においては、１枚のガラス基板１０１上に４パネル分の基板を構成する例が示されている。図１に示される基板は、周辺駆動回路１０３と画素領域１０４とを同一のガラス基板上に集積化した構成を有している。画素領域１０４には、マトリクス状に配置された画素電極に少なくとも１つの薄膜トランジスタが接続された構成を有している。
【００１５】
図では各回路が形成されたガラス基板１０１が示されているのみであるが、実際にはそれに対向してガラス基板が配置されている。この図示しない対向したガラス基板には、対向電極が配置されている。
【００１６】
また、図１に示す構成においては、アクティブマトリクス型液晶表示パネルを一対のガラス基板から複数製造するために、封止材１０２で前記アクティブマトリクス型液晶表示デバイスを区分し、多面取りを実現している。このようにすることで、生産性の向上と信頼性の向上とを同時に実現することができる。
【００１７】
なお、図１においては、封止材１０２は同一の幅としているが、ガラス基板１０２を切断する領域には切りしろを設けるために、封止材１０２の幅を広くすると良い。例えば、図８に示すように、封止材８００において、液晶表示デバイスを区分している十字型の領域の幅を、ガラス基板１０２を縁取っている領域の２倍程度とすればよい。なお、図８において、図１と同一の符号は同一の部材を示している。
【００１８】
本発明は、周辺駆動回路領域を液晶が存在している領域に存在させる、あるいは封止材中に存在させることにより、周辺駆動回路領域が実質的に液晶材料や封止材料中に封止された状態とすることができる。そして、実装密度の高い周辺駆動回路領域に外部から水分が進入したりすることを防ぐことができる。また、１枚のガラス基板を利用して、複数の液晶パネルの位置取りを行う場合、各パネル基板間を封止材で仕切ることにより、高い信頼性でもって、複数の液晶表示パネルを同時に形成することができる。
【００１９】
【実施例】
〔実施例１〕本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの断面図を図２に示す。アクティブマトリクス型液晶表示デバイスでは、ガラス基板２００には、画素薄膜トランジスタ２０７の上に透明電極２０４と配向膜２０５が付けられている。この状態のガラス基板２０２を薄膜トランジスタ基板と呼ぶ。薄膜トランジスタ基板は液晶材２０９に遠い方から偏光板２０１、ガラス基板２００の順で並んでいる。
【００２０】
また、他のガラス基板２０２をカラーフィルタ基板と呼ぶ。液晶材２０９に近い方から配向膜２０５、透明電極２０４、カラーフィルタ２０３、ガラス基板２０２、偏光板２０１と並んでいる。これら２枚のガラス基板２００と２０２との間隔を一定に保つために、ガラスまたは樹脂製のスペーサ２０６が液晶材２０９中に多数散布されている。
【００２１】
偏光板２０１は通過させる光の振動方向を限定するためのものであり、厚さ８０〜２１０μｍ程度のフィルタである。偏光板２０１の構造は図６のように、真中にＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製の偏光フィルム６０４があり、さらにセルロース系の保護層６０３が付けられている。さらにその外側は液晶材に近い方には粘着層６０２と離型フィルム６０１、反対側には表面を保護する保護フィルム６０５が取りつけられている。その使用に際しては、離型フィルム６０１を剥がして、ガラス基板に粘着層６０２を張りつけて使用する。
【００２２】
配向膜２０５は液晶分子を一定方向に配列させためのものであり、電圧ＯＦＦ時に、液晶分子は配向膜２０５に刻まれた溝に入り込んで、一定方向に配列される。配向膜材料には、ポリイミドやポリアミド酸を溶媒に５〜１０重量％溶解させたものが用いられる。また、配向膜２０５の厚さは０．０５〜０．１μｍ程度で膜厚が均一であることが要求される。
【００２３】
液晶材２０９は、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの真中にあり、電圧がＯＮの場合には立ち、ＯＦＦの場合は捩れることにより、光の通過・遮断を制御するスイッチの役割を果たす。液晶材２０９の原料は、ベンゼン、トルエン等である。
【００２４】
カラーフィルタ２０３は、モノクロの液晶表示をカラー化するための色合成フィルタである。カラーフィルタ２０３はＲＧＢ（Red,Green,Blue）の３色から成り、画素薄膜トランジスタの１個とカラーフィルタ２０３の１個の色が重なるようになっている。
【００２５】
封止材２１０は２枚のガラス基板を貼り付ける接着剤の役割を果たす。封止材２１０の原料としては、シリコン、アクリル、エポキシ等がある。
【００２６】
画素薄膜トランジスタが液晶領域にあることは、従来のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスと同様であるが、本発明では、従来封入の外にあった駆動回路薄膜トランジスタ２０８を液晶封入領域内に配置している。この液晶封入領域内に駆動回路を入れることは、以下のような利点を得ることができる。
１．耐汚染性の向上。
２．画素に接続される信号線の短縮による画質向上。
【００２７】
また、本実施例では駆動回路を液晶封入領域に入れるのみならず、駆動回路を制御するマイクロプロセッサ２１１等の制御用集積回路を封入材の中にいれることによって、駆動回路と制御用集積回路との距離を小さく抑え、信号の不要ノイズを軽減する等の効果を得ることができる。
【００２８】
ここで、制御用集積回路を封入する場合、対向側の基板を一部厚みを薄くすることにより、実装し易くすることも行っている。制御用集積回路は封止領域に入れることによって、従来の構造と比較して、信頼性が向上される。またここでいう制御回路は、シリコン端結晶ウエハーを用いて形成された集積回路であり、その具体的な例として、メモリ、Ｉ／Ｏポート、その他各種制御回路、ビデオ信号を扱う回路、さらにはそれらの任意の組み合わせを有する集積回路を挙げることができる。勿論、これら集積回路は必要とする数でもって配置される。
【００２９】
また集積回路の配置方法は、ＣＯＧ（Chip On Glass ）で基板上に実装されることが望ましい。しかし、ワイヤボンディング形式で配線を形成しても、配線が封止材によって実質的に封止されるので、その信頼性は高いものとすることができる。
【００３０】
また、図には示されていないが、周辺駆動回路領域の上面には光を遮蔽するクロム膜やアルミ膜等の遮蔽膜を形成する必要がある。
【００３１】
また、図２における構成では、カラーフィルタ基板側のガラス基板２０２の一部を薄くし、その部分に集積回路２１１を配置している。これは、液晶が注入されるギャップが数μｍ程度にあるのに対して、集積回路２１１の厚さが数百μｍ程度あるからである。図２においては、上のカラーフィルタ基板側のガラス基板２０２側の一部を薄くしているが、薄膜トランジスタ基板側のガラス基板２０２の一部を薄くしてもよい。また両方のガラス基板２０２を薄くし、その部分に集積回路２１１を配置する構成としてもよい。
【００３２】
本実施例のアクティブマトリクス回路を得る作製工程について、図５を用いて説明する。図の左側に周辺駆動回路の薄膜トランジスタの作製工程を、右側にアクティブマトリクス回路の薄膜トランジスタの作製工程を、それぞれ示す。まず、石英基板またはガラス基板５０１上に、下地酸化膜５０２として厚さ１０００〜３０００Åの酸化珪素膜を形成する。この酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用いればよい。
【００３３】
次に、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法によってアモルファスもしくは多結晶のシリコン膜を３００〜１５００Å、好ましくは５００〜１０００Å形成する。そして、５００℃以上、好ましくは、８００〜９５０℃の温度で熱アニールをおこない、シリコン膜を結晶化させる。熱アニールによって結晶化させたのち、光アニールをおこなって、さらに結晶性を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に、特開平６−２４４１０３、同６−２４４１０４に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。
【００３４】
次にシリコン膜をエッチングして、島状の周辺駆動回路の薄膜トランジスタの活性層５０３、５０４と、マトリクス回路の薄膜トランジスタ（画素薄膜トランジスタ）の活性層５０５を形成する。活性層５０３はＰチャネル型薄膜トランジスタを構成するものであり、活性層５０４はＮチャネル型薄膜トランジスタを構成するものである。
【００３５】
更に、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって、厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜５０６を形成する。ゲイト絶縁膜５０６の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）もしくは酸素（Ｏ₂ ）とモンシラン（ＳｉＨ₄ ）を用いることが好ましい。
【００３６】
その後、厚さ２０００Å〜５μｍ、好ましくは２０００〜６０００Åの多結晶シリコン膜（導電性を高めるため微量の燐を含有する）をＬＰＣＶＤ法によって基板全面に形成する。そして、これをエッチングして、ゲイト電極５０７、５０８、５０９を形成する。（図５（Ａ））
【００３７】
その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性層５０３、５０４、５０５それぞれに、ゲイト電極５０７、５０８、５０９をマスクとして、自己整合的にフォスフィン（ＰＨ₃ ）をドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は１×１０¹²〜５×１０¹³原子／ｃｍ² する。この結果、弱いＮ型領域５１０、５１１、５１２が形成される。（図５（Ｂ））
【００３８】
次に、Ｐチャネル型薄膜トランジスタの活性層５０３を覆うフォトレジストのマスク５１３、および、画素薄膜トランジスタの活性層５０５のうち、ゲイト電極５０９に平行にゲイト電極５０９の端から３μｍ離れた部分までを覆うフォトレジストのマスク５１４を形成する。そして、再び、イオンドーピング法によって、活性層５０４、５０５にフォスフィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵原子／ｃｍ² とする。この結果、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）５１５、５１６が形成される。画素薄膜トランジスタの活性層５０５の弱いＮ型領域５１２のうち、マスク５１４に覆われていた領域５１７は今回のドーピングでは燐が注入されないので、弱いＮ型のままでとなる。（図５（Ｃ））
【００３９】
次に、Ｎチャネル型薄膜トランジスタの活性層５０４、５０５をフォトレジストのマスク５１８で覆い、ジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）をドーピングガスとして、イオンドーピング法により、活性層５０３に硼素を注入する。ドーズ量は５×１０¹⁴〜８×１０¹⁵原子／ｃｍ² とする。このドーピングでは、硼素のドーズ量が図５（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成されていた弱いＮ型領域５１０は強いＰ型領域５１９に反転する。以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）５１５、５１６、強いＰ型領域（ソース／ドレイン）５１９、弱いＮ型領域（低濃度不純物領域）５１７が形成される。本実施例においては、低濃度不純物領域５１７の幅ｘは、約３μｍとする。（図５（Ｄ））
【００４０】
その後、４５０〜８５０℃で０．５〜３時間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの結晶性を回復させる。その後、全面に層間絶縁物５２０として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を厚さ３０００〜６０００Å形成する。層間絶縁物５２０は窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁物５２０をウェットエッチング法によってエッチングして、ソース／ドレインにコンタクトホールを形成する。
【００４１】
そして、スパッタ法によって、厚さ２０００〜６０００Åのチタン膜を形成し、これをエッチングして、周辺回路の電極・配線５２１、５２２、５２３、および画素薄膜トランジスタの電極・配線５２４、５２５を形成する。さらに、プラズマＣＶＤ法によって、厚さ１０００〜３０００Åの窒化珪素膜５２６をパッシベーション膜として形成し、これをエッチングして、画素薄膜トランジスタの電極５２５に達するコンタクトホールを形成する。最後に、スパッタ法で成膜した厚さ５００〜１５００ÅのＩＴＯ（インディウム錫酸化物）膜をエッチングして、画素電極５２７を形成する。このようにして、周辺論理回路とアクティブマトリクス回路を一体化して形成する。（図５（Ｅ））
【００４２】
本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの組立工程を以下に説明する。先ず、薄膜トランジスタ基板・カラーフィルタ基板は、各々表面処理に用いられたエッチング液レジスト剥離液等の各種薬品を十分に洗浄する。
【００４３】
次に配向膜をカラーフィルタ基板及び薄膜トランジスタ基板に付着させる。配向膜はある一定の溝が刻まれ、その溝に沿って液晶分子が均一に配列する。配向膜材料にはブチルセルソングかｎ−メチルピロリドンといった溶媒に、溶媒の約１０重量％のポリイミドを溶解したものを用いる。これをポリイミドワニスと呼ぶ。ポリイミドワニスはフレキソ印刷装置によって印刷する。
【００４４】
そして、薄膜トランジスタ基板・カラーフィルタ基板の両基板に付着した配向膜を加熱・硬化させる。これをベークと呼ぶ。ベークは最高使用温度約３００℃の熱風を送り加熱し、ポリイミドワニスを焼成・硬化させるものである。その次に、配向膜の付着したガラス基板表面を毛足の長さ２〜３ｍｍのバフ布（レイヨン・ナイロン等の繊維）で一定方向に擦り、微細な溝を作るラビング工程を行う。
【００４５】
そして、薄膜トランジスタ基板もしくはカラーフィルタ基板のいずれかに、ポリマー系・ガラス系・シリカ系等の球のスペーサを散布する。スペーサ散布の方式としては純水・アルコール等の溶媒にスペーサを混ぜて、ガラス基板上に散布するウェット方式と、溶媒を一切使用せずスペーサを散布するドライ方式がある。
【００４６】
その次に、薄膜トランジスタ基板の外枠に封止材を塗布する。封止材塗布には、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板を接着する役割と注入する液晶材が外部に流出するのを防ぐ目的がある。封止材の材料は、エポキシ樹脂とフェノール硬化剤をエチルセルソルブの溶媒に溶かしたものが使用される。封止材塗布後に２枚のガラス基板の貼り合わせを行う。方法は約１６０℃の高温プレスによって、約３時間で封止材を硬化する加熱硬化方式をとる。
【００４７】
そして、スクライバーを使用してガラス基板にパネルサイズの溝を刻み、ブレイカーを使用して基板の溝の真上からウレタン製の丸材をエアシリンダの圧力で落下させて、薄膜トランジスタ基板をパネルサイズに分断して多面取りを可能とする。
【００４８】
最後に、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板を貼り合わせたアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの液晶注入口より液晶材を入れて、液晶材注入後エポキシ系樹脂で液晶注入口を封止する。以上のようにして、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスが組み立てられる。
【００４９】
〔実施例２〕本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの断面図を図３に示す。図からも明らかなように、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスを制御するマイクロプロセッサ３１１と、駆動回路薄膜トランジスタ３０８を封止材３１０で封入することで、駆動回路薄膜トランジスタ３０８を保護し、外部に剥き出しにならないようにしている。本実施例は封止材３１０で封入する回路量（駆動回路薄膜トランジスタ３０８）が異なる以外は、実施例１と構成及び作製工程は同じである。
【００５０】
〔実施例３〕本実施例は、予備の周辺回路（冗長回路）を設けた構成に関する。図７に本実施例で示す液晶表示パネルの概略の上面図を示す。図７は上面から見た図であるので、ガラス基板７０１としては、１枚だけ示されている。しかし、実際にはガラス基板７０１と対となってもう１枚のガラス基板がガラス基板７０１に張り合わせてある。ガラス基板７０１には、周辺駆動回路領域７０３とマトリクス状に配置された画素領域７０４とが封止材７０２の内側に配置されている。封止材７０２の内側が液晶で充填されているわけであるから、周辺駆動回路領域７０３と画素領域７０４に配置された薄膜トランジスタは、その上面に液晶が存在している状態となっている。
【００５１】
また周辺駆動回路に接続される各種制御回路を構成する集積回路（ＩＣ）は封止材７０２内に配置され、丁度封止材７０２によってモールドされた状態となっている。
【００５２】
７０５で示されるのが、予備の周辺駆動回路の領域であり、７０３で示される領域に配置された周辺駆動回路に不良が発生した場合に利用される。７０６で示されるのは、外部との接続端子であり、この端子を介して、ビデオ信号や必要とする信号が回部から入力される。図７に示す液晶表示パネルは、一対のガラス基板間に必要とする回路が全て収められている。しかもそれら回路の全てが封止材または液晶によって封止ざれている状態となっているので、信頼性を極めて高いものとすることができる。
【００５３】
また、図面ではその寸法比が正確ではないが、周辺駆動回路の幅は数ミリ程度である。また封止材の幅も周辺駆動回路に接続される集積回路によってその幅が決まるとはいえ、その幅を数ｍｍ程度以下（集積回路を小さくできれば、１ｍｍ程度とすることができる）とすることができる。従って、実際に液晶表示が行われる領域の周囲に数ｍｍ〜１ｃｍ程度の縁が存在するだけで、しかも外部出力端子を除けば、外見上一対のガラス基板で構成されるという極めてシンプルな外観とすることができる。
【００５４】
以上示したような構成は、１対の大型のガラス基板を利用して複数組構成され、図１に示すように封止材によって分割される。こうして、複数の液晶パネルを同時に形成することができる。
【００５５】
【発明の効果】
上記のように、アクティブマトリクス型液晶表示デバイスの駆動回路薄膜トランジスタを封止材領域より内側に配置することにより、駆動回路薄膜トランジスタの耐温性や耐汚染性を向上させることができる。またアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの小型化を計ることができる。また、画像信号線の短縮による電圧降下を低減させることができ、特性の向上を計ることができる。
【００５６】
また、１枚のガラス基板上に複数組のアクティブマトリクス表示用基板を形成し、パネル組の際に封止材によって複数に分割することで、同時に多数の液晶パネルを形成することができる。
【００５７】
また周辺駆動回路領域を液晶領域あるいは封止材が設けられた領域に配置することにより、周辺駆動回路領域が液晶あるいは封止材によって封止されることになり、水分の影響による信頼性の低下を防ぐことができる。
【００５８】
さらに周辺駆動回路に接続される制御用の集積回路を封止材中に配置することで、水分の影響による信頼性の低下を防ぐことができる。また、１対のガラス基板間に必要とする回路を配置することができるので、信頼性を高めることができるとともに、不要な凹凸等がないシンプルな外観を有した小型化された液晶表示装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの概略図である。
【図２】実施例１におけるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの断面図である。
【図３】実施例２におけるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの断面図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの概略図である。
【図５】実施例１の薄膜トランジスタの作製工程の説明図である。
【図６】偏光板の構成図である。
【図７】実施例のアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの概略図である。
【図８】本発明によるアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの概略図である。
【符号の説明】
１０１、２００、２０２、３０２、４０１ガラス基板
１０２、２１０、３１０、４０２封止材
１０３、２０８、３０８、４０３駆動回路薄膜トランジスタ
１０４、２０７、３０７、４０４画素薄膜トランジスタ
２０１、３０１偏光板
２０３、３０３カラーフィルタ
２０４、３０４透明電極
２０５、３０５配向膜
２０６、３０６スペーサ
２０９、３０９液晶材
２１１、３１１マイクロプロセッサ
５０１基板
５０２下地膜（酸化珪素）
５０３〜５０５活性層（シリコン）
５０６ゲイト絶縁膜（酸化珪素）
５０７〜５０９ゲイト電極・ゲイト線
５１０〜５１２弱いＮ型領域
５１３、５１４フォトレジストのマスク
５１５、５１６強いＮ型領域（ソース／ドレイン）
５１７低濃度不純物領域
５１８フォトレジストのマスク
５１９強いＰ型領域（ソース／ドレイン）
５２０層間絶縁物（酸化珪素）
５２１〜５２５金属配線・電極
５２６パッシベーション膜（窒化珪素）
５２７画素電極（ＩＴＯ）[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a technique for improving the productivity of an active matrix liquid crystal display device.
[0002]
[Prior art]
FIG. 4 shows a cross-sectional view of a panel constituting a conventional active matrix liquid crystal display device. As apparent from FIG. 4, since the pixel region 404 is surrounded by the sealing material 402 (also referred to as a sealing material), only the pixel region 404 of the active matrix liquid crystal display device is in contact with the liquid crystal, and the peripheral drive circuit region The thin film transistor 403 is in contact with the atmosphere. This is a remnant of the past when only pixel thin film transistors existed on the substrate of an active matrix liquid crystal display device and the drive circuit was an external IC.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the related art, when the pixel region 404 and the peripheral drive circuit region 403 are formed on the same glass substrate 401, the mounting position of the drive circuit is not optimized.
[0004]
For this reason, in the conventional active matrix type liquid crystal display device, since the driving circuit thin film transistor is exposed to the outside, careful handling is required for handling the substrate of the active matrix type liquid crystal display device during the panel assembly process. . Under such circumstances, a form of an active matrix liquid crystal display device that is easy to handle in the manufacturing process has been desired. In addition, from the point of view of reliability, the pixels are protected by liquid crystal material, sealing material, etc., whereas the drive circuit is only covered with a thin oxide film, which is resistant to temperature resistance and contamination. It is weak.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, one of the inventions disclosed in this specification is:
In the active matrix liquid crystal display device, the pixel thin film transistor of the active matrix liquid crystal display device and the driving circuit thin film transistor of the pixel are present on the same substrate, and both the pixel thin film transistor and the driving circuit thin film transistor are directly or via a thin film. The liquid crystal is sealed so as to be in contact with the liquid crystal material.
[0006]
In general, since the thin film transistor is covered with an interlayer insulating film made of a silicon oxide film or the like, the thin film transistor is in contact with the liquid crystal through this insulating film. By adopting the above configuration, the thin film transistor of the peripheral driver circuit can be substantially enclosed in the liquid crystal. That is, the thin film transistor of the peripheral driver circuit can be sealed with liquid crystal.
[0007]
Other aspects of the invention are:
On the first substrate having translucency,
Thin film transistor circuits arranged in a matrix;
A peripheral driving circuit composed of thin film transistors connected to the matrix circuit;
Forming a plurality of liquid crystal panel regions having
A step of dividing the liquid crystal panel region into a plurality of portions with a sealing material and attaching the second substrate having translucency and the first substrate at a predetermined interval;
Injecting liquid crystal between the first substrate and the second substrate;
Have
Liquid crystal is present on the upper surface of the peripheral drive circuit,
A gap for arranging an integrated circuit connected to the peripheral driving circuit is formed between the pair of substrates.
[0008]
An example of a specific configuration obtained by using the above configuration is shown in FIG. FIG. 2 is a sectional view showing a schematic configuration of an active matrix liquid crystal display device in which a liquid crystal 209 is sandwiched between a pair of glass substrates 202. In the configuration shown in FIG. 2, the thin film transistor 207 of the active matrix circuit, the thin film transistor 208 of the peripheral drive circuit for driving the thin film transistor 207, and an integrated circuit that sends video signals and various control signals to the thin film transistor 208 of the peripheral drive circuit. (IC) 211 is included.
[0009]
In the configuration shown in FIG. 2, liquid crystal is present on the upper surface of the thin film transistor 208 of the peripheral driver circuit. In addition, the integrated circuit 211 sealed with the sealing material 210 is disposed in a gap formed between the pair of glass substrates 202.
[0010]
FIG. 1 shows an example of positioning when a plurality of liquid crystal panels are formed using a pair of glass substrates. In the configuration shown in FIG. 1, each liquid crystal panel is divided by a sealing material 101. The sealing material 101 in FIG. 1 corresponds to the sealing material 210 in FIG.
[0011]
Other aspects of the invention are:
In the active matrix liquid crystal display device, the pixel thin film transistor of the active matrix liquid crystal display device and the drive circuit thin film transistor of the pixel are present on the same substrate, and the drive circuit thin film transistor is sealed with a sealing material. .
[0012]
A specific example of the above configuration is shown in FIG. In the configuration shown in FIG. 3, the thin film transistor 308 constituting the peripheral driver circuit is sealed with a sealing material 310.
[0013]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In order to minimize the damage during the panel assembly process of the drive circuit of the active matrix liquid crystal display device of the present invention and solve the reliability problem, the drive circuit of the active matrix liquid crystal display device cannot be directly touched. Any form is acceptable. Therefore, as shown in FIG. 1, the peripheral drive circuit region 103 of the active matrix liquid crystal display device is mounted in a liquid crystal material or a sealing material.
[0014]
In the configuration shown in FIG. 1, an example is shown in which a substrate for four panels is formed on one glass substrate 101. The substrate shown in FIG. 1 has a structure in which the peripheral driver circuit 103 and the pixel region 104 are integrated on the same glass substrate. The pixel region 104 has a configuration in which at least one thin film transistor is connected to pixel electrodes arranged in a matrix.
[0015]
Although only the glass substrate 101 on which each circuit is formed is shown in the drawing, the glass substrate is actually arranged so as to face it. A counter electrode is disposed on the glass substrate facing each other (not shown).
[0016]
In the configuration shown in FIG. 1, in order to manufacture a plurality of active matrix type liquid crystal display panels from a pair of glass substrates, the active matrix type liquid crystal display device is divided by a sealing material 102, thereby realizing multi-sided manufacturing. Yes. By doing in this way, improvement in productivity and improvement in reliability can be realized at the same time.
[0017]
In FIG. 1, the sealing material 102 has the same width. However, the sealing material 102 may be widened in order to provide a margin in a region where the glass substrate 102 is cut. For example, as shown in FIG. 8, in the sealing material 800, the width of the cross-shaped region dividing the liquid crystal display device may be about twice the width of the region bordering the glass substrate 102. In FIG. 8, the same reference numerals as those in FIG. 1 denote the same members.
[0018]
In the present invention, the peripheral driving circuit region is substantially sealed in the liquid crystal material or the sealing material by allowing the peripheral driving circuit region to exist in the region where the liquid crystal exists or in the sealing material. State. In addition, it is possible to prevent moisture from entering the peripheral drive circuit region having a high mounting density from the outside. In addition, when positioning a plurality of liquid crystal panels using a single glass substrate, a plurality of liquid crystal display panels can be simultaneously formed with high reliability by partitioning each panel substrate with a sealing material. can do.
[0019]
【Example】
Example 1 FIG. 2 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention. In the active matrix liquid crystal display device, a transparent electrode 204 and an alignment film 205 are attached to a glass substrate 200 on a pixel thin film transistor 207. The glass substrate 202 in this state is called a thin film transistor substrate. The thin film transistor substrate is arranged in the order of the polarizing plate 201 and the glass substrate 200 from the side far from the liquid crystal material 209.
[0020]
The other glass substrate 202 is called a color filter substrate. The alignment film 205, the transparent electrode 204, the color filter 203, the glass substrate 202, and the polarizing plate 201 are arranged from the side closer to the liquid crystal material 209. In order to keep the distance between the two glass substrates 200 and 202 constant, a large number of glass or resin spacers 206 are dispersed in the liquid crystal material 209.
[0021]
The polarizing plate 201 is for limiting the direction of vibration of light passing therethrough, and is a filter having a thickness of about 80 to 210 μm. As shown in FIG. 6, the polarizing plate 201 has a polarizing film 604 made of PVA (polyvinyl alcohol) in the middle and a cellulose-based protective layer 603. Further, an adhesive layer 602 and a release film 601 are attached to the outer side near the liquid crystal material, and a protective film 605 for protecting the surface is attached to the opposite side. In use, the release film 601 is peeled off and the adhesive layer 602 is attached to the glass substrate.
[0022]
The alignment film 205 is for aligning liquid crystal molecules in a certain direction, and when the voltage is turned off, the liquid crystal molecules enter grooves formed in the alignment film 205 and are aligned in a certain direction. As the alignment film material, a material obtained by dissolving 5 to 10% by weight of polyimide or polyamic acid in a solvent is used. The alignment film 205 is required to have a thickness of about 0.05 to 0.1 μm and a uniform thickness.
[0023]
The liquid crystal material 209 is in the middle of the active matrix type liquid crystal display device, and functions as a switch that controls passage and blocking of light by standing when the voltage is ON and twisting when the voltage is OFF. The raw material of the liquid crystal material 209 is benzene, toluene or the like.
[0024]
The color filter 203 is a color synthesis filter for colorizing a monochrome liquid crystal display. The color filter 203 is composed of three colors of RGB (Red, Green, Blue), and one color of the pixel thin film transistor and one color of the color filter 203 overlap each other.
[0025]
The sealing material 210 serves as an adhesive that attaches two glass substrates. Examples of the raw material of the sealing material 210 include silicon, acrylic, and epoxy.
[0026]
Although the pixel thin film transistor is in the liquid crystal region, as in the conventional active matrix liquid crystal display device, in the present invention, the driving circuit thin film transistor 208 that has not been conventionally encapsulated is disposed in the liquid crystal encapsulated region. Inserting a driving circuit in the liquid crystal sealing region can obtain the following advantages.
1. Improved contamination resistance.
2. Improved image quality by shortening signal lines connected to pixels.
[0027]
Further, in this embodiment, the drive circuit is only placed in the liquid crystal sealing region. Et First, by placing a control integrated circuit such as the microprocessor 211 for controlling the drive circuit in the encapsulant, the distance between the drive circuit and the control integrated circuit can be kept small, and unnecessary signal noise can be reduced. Can be obtained.
[0028]
Here, when the control integrated circuit is encapsulated, the opposing substrate is partially thinned to facilitate mounting. By placing the control integrated circuit in the sealing region, the reliability is improved as compared with the conventional structure. The control circuit here is an integrated circuit formed using a silicon end crystal wafer. Specific examples thereof include a memory, an I / O port, various other control circuits, a circuit for handling video signals, Mention may be made of integrated circuits having any combination thereof. Of course, these integrated circuits are arranged in a necessary number.
[0029]
The integrated circuit is preferably mounted on the substrate by COG (Chip On Glass). However, even if the wiring is formed by wire bonding, the wiring is substantially sealed by the sealing material, so that the reliability can be improved.
[0030]
Although not shown in the figure, it is necessary to form a shielding film such as a chromium film or an aluminum film that shields light on the upper surface of the peripheral drive circuit region.
[0031]
In the configuration in FIG. 2, a part of the glass substrate 202 on the color filter substrate side is thinned, and the integrated circuit 211 is disposed in that part. This is because the thickness of the integrated circuit 211 is about several hundred μm while the gap into which the liquid crystal is injected is about several μm. In FIG. 2, a part of the glass substrate 202 side on the upper color filter substrate side is thinned, but a part of the glass substrate 202 on the thin film transistor substrate side may be thinned. Alternatively, both the glass substrates 202 may be thinned, and the integrated circuit 211 may be disposed there.
[0032]
A manufacturing process for obtaining the active matrix circuit of this embodiment will be described with reference to FIGS. The manufacturing process of the thin film transistor of the peripheral driver circuit is shown on the left side of the figure, and the manufacturing process of the thin film transistor of the active matrix circuit is shown on the right side. First, a silicon oxide film having a thickness of 1000 to 3000 mm is formed as a base oxide film 502 on a quartz substrate or a glass substrate 501. As a method for forming this silicon oxide film, a sputtering method or a plasma CVD method in an oxygen atmosphere may be used.
[0033]
Next, an amorphous or polycrystalline silicon film is formed in a thickness of 300 to 1500, preferably 500 to 1000 by plasma CVD or LPCVD. Then, thermal annealing is performed at a temperature of 500 ° C. or higher, preferably 800 to 950 ° C., to crystallize the silicon film. After crystallization by thermal annealing, optical annealing may be performed to further increase crystallinity. Further, at the time of crystallization by thermal annealing, as described in JP-A-6-244103 and JP-A-6-244104, an element (catalytic element) that promotes crystallization of silicon such as nickel may be added. .
[0034]
Next, the silicon film is etched to form active layers 503 and 504 of the thin film transistors of the island-shaped peripheral driver circuit and active layers 505 of the thin film transistors (pixel thin film transistors) of the matrix circuit. The active layer 503 constitutes a P-channel thin film transistor, and the active layer 504 constitutes an N-channel thin film transistor.
[0035]
Further, a silicon oxide gate insulating film 506 having a thickness of 500 to 2000 mm is formed by sputtering in an oxygen atmosphere. As a method for forming the gate insulating film 506, a plasma CVD method may be used. In the case of forming a silicon oxide film by a plasma CVD method, dinitrogen monoxide (N ₂ O) or oxygen (O ₂ ) And Monsilane (SiH) _Four ) Is preferably used.
[0036]
Thereafter, a polycrystalline silicon film (containing a small amount of phosphorus for enhancing conductivity) having a thickness of 2000 to 5 μm, preferably 2000 to 6000 mm is formed on the entire surface of the substrate by LPCVD. Then, this is etched to form gate electrodes 507, 508, and 509. (Fig. 5 (A))
[0037]
Thereafter, phosphine (PH) is formed in a self-aligned manner on all island-like active layers 503, 504, and 505 using the gate electrodes 507, 508, and 509 as masks by ion doping. _Three ) Is implanted as a doping gas. The dose is 1 × 10 ¹² ~ 5x10 ¹³ Atom / cm ² To do. As a result, weak N-type regions 510, 511, and 512 are formed. (Fig. 5 (B))
[0038]
Next, a photoresist mask 513 covering the active layer 503 of the P-channel thin film transistor and a photo covering the active layer 505 of the pixel thin film transistor in parallel to the gate electrode 509 up to a portion 3 μm away from the end of the gate electrode 509. A resist mask 514 is formed. Then, again, phosphorus is implanted into the active layers 504 and 505 using phosphine as a doping gas by ion doping. The dose is 1 × 10 ¹⁴ ~ 5x10 ¹⁵ Atom / cm ² And As a result, strong N-type regions (source / drain) 515 and 516 are formed. Of the weak N-type region 512 of the active layer 505 of the pixel thin film transistor, the region 517 covered with the mask 514 remains weak N-type because phosphorus is not implanted in this doping. (Fig. 5 (C))
[0039]
Next, the active layers 504 and 505 of the N-channel thin film transistor are covered with a photoresist mask 518, and diborane (B ₂ H ₆ ) As a doping gas, and boron is implanted into the active layer 503 by ion doping. Dose amount is 5 × 10 ¹⁴ ~ 8x10 ¹⁵ Atom / cm ² And In this doping, the dose amount of boron exceeds the dose amount of phosphorus in FIG. 5C, so that the weak N-type region 510 formed previously is inverted to the strong P-type region 519. By the above doping, strong N-type regions (source / drain) 515 and 516, strong P-type regions (source / drain) 519, and weak N-type regions (low-concentration impurity regions) 517 are formed. In this embodiment, the width x of the low-concentration impurity region 517 is about 3 μm. (Fig. 5 (D))
[0040]
Thereafter, thermal annealing is performed at 450 to 850 ° C. for 0.5 to 3 hours to recover the damage due to doping, activate the doping impurities, and recover the crystallinity of silicon. Thereafter, a silicon oxide film having a thickness of 3000 to 6000 mm is formed as an interlayer insulator 520 on the entire surface by plasma CVD. The interlayer insulator 520 may be a silicon nitride film or a multilayer film of a silicon oxide film and a silicon nitride film. Then, the interlayer insulator 520 is etched by a wet etching method to form contact holes in the source / drain.
[0041]
Then, a titanium film having a thickness of 2000 to 6000 mm is formed by sputtering, and this is etched to form electrodes / wirings 521, 522, 523 for peripheral circuits and electrodes / wirings 524, 525 for pixel thin film transistors. Further, a silicon nitride film 526 having a thickness of 1000 to 3000 mm is formed as a passivation film by plasma CVD, and this is etched to form a contact hole reaching the electrode 525 of the pixel thin film transistor. Finally, a pixel electrode 527 is formed by etching an ITO (indium tin oxide) film having a thickness of 500 to 1500 mm formed by sputtering. In this way, the peripheral logic circuit and the active matrix circuit are formed integrally. (Fig. 5 (E))
[0042]
The assembly process of the active matrix type liquid crystal display device of this embodiment will be described below. First, the thin film transistor substrate and the color filter substrate are sufficiently cleaned with various chemicals such as an etching solution resist stripping solution used for the surface treatment.
[0043]
Next, an alignment film is attached to the color filter substrate and the thin film transistor substrate. The alignment film is engraved with a certain groove, and liquid crystal molecules are uniformly arranged along the groove. As the alignment film material, a solution of about 10% by weight of a polyimide in a solvent such as butyl cell song or n-methylpyrrolidone is used. This is called a polyimide varnish. The polyimide varnish is printed by a flexographic printing apparatus.
[0044]
Then, the alignment films attached to both the thin film transistor substrate and the color filter substrate are heated and cured. This is called baking. The baking is performed by sending hot air having a maximum use temperature of about 300 ° C. to heat and heat the polyimide varnish. Next, a rubbing process is performed in which the surface of the glass substrate to which the alignment film is attached is rubbed in a fixed direction with a buff cloth (fibers such as rayon and nylon) having a length of 2 to 3 mm to create fine grooves.
[0045]
Then, spherical spacers such as polymer, glass and silica are dispersed on either the thin film transistor substrate or the color filter substrate. As a method for dispersing the spacer, there are a wet method in which a spacer is mixed with a solvent such as pure water and alcohol and the mixture is dispersed on a glass substrate, and a dry method in which the spacer is dispersed without using any solvent.
[0046]
Next, a sealing material is applied to the outer frame of the thin film transistor substrate. The sealing material application has a purpose of bonding the thin film transistor substrate and the color filter substrate and preventing the injected liquid crystal material from flowing out. As the material for the sealing material, a material obtained by dissolving an epoxy resin and a phenol curing agent in a solvent of ethyl cellosolve is used. After the sealing material is applied, the two glass substrates are bonded together. The method is a heat curing method in which the sealing material is cured in about 3 hours by a high-temperature press at about 160 ° C.
[0047]
Then, use a scriber to cut a panel-size groove into the glass substrate, and use a breaker to drop the urethane round material from directly above the substrate groove using the pressure of the air cylinder, thereby dividing the thin-film transistor substrate into a panel size. Thus, multi-chamfering is possible.
[0048]
Finally, a liquid crystal material is inserted from a liquid crystal injection port of an active matrix liquid crystal display device in which a thin film transistor substrate and a color filter substrate are bonded together, and the liquid crystal injection port is sealed with an epoxy resin after the liquid crystal material is injected. The active matrix type liquid crystal display device is assembled as described above.
[0049]
Example 2 FIG. 3 shows a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention. As is apparent from the figure, by encapsulating the microprocessor 311 for controlling the active matrix liquid crystal display device and the drive circuit thin film transistor 308 with the sealing material 310, the drive circuit thin film transistor 308 is protected and is not exposed to the outside. I am doing so. This embodiment has the same configuration and manufacturing process as those of the first embodiment except that the circuit amount (driving circuit thin film transistor 308) sealed with the sealing material 310 is different.
[0050]
[Embodiment 3] This embodiment relates to a configuration in which a spare peripheral circuit (redundant circuit) is provided. FIG. 7 shows a schematic top view of the liquid crystal display panel shown in this embodiment. Since FIG. 7 is a view seen from above, only one glass substrate 701 is shown. However, actually, another glass substrate is bonded to the glass substrate 701 in a pair with the glass substrate 701. In the glass substrate 701, a peripheral drive circuit region 703 and a pixel region 704 arranged in a matrix are disposed inside the sealing material 702. Since the inside of the sealing material 702 is filled with liquid crystal, the thin film transistors arranged in the peripheral driver circuit region 703 and the pixel region 704 are in a state where liquid crystal is present on the upper surfaces thereof.
[0051]
An integrated circuit (IC) constituting various control circuits connected to the peripheral driver circuit is disposed in the sealing material 702 and is just molded by the sealing material 702.
[0052]
Reference numeral 705 denotes a spare peripheral drive circuit area, which is used when a defect occurs in the peripheral drive circuit arranged in the area indicated by 703. Reference numeral 706 denotes an external connection terminal through which a video signal and a necessary signal are input from the circulating unit. The liquid crystal display panel shown in FIG. 7 accommodates all necessary circuits between a pair of glass substrates. In addition, since all of these circuits are sealed with a sealing material or liquid crystal, the reliability can be made extremely high.
[0053]
Further, although the dimensional ratio is not accurate in the drawing, the width of the peripheral drive circuit is about several millimeters. Although the width of the sealing material is determined by the integrated circuit connected to the peripheral driver circuit, the width should be about several mm or less (if the integrated circuit can be reduced, it can be about 1 mm). Can do. Therefore, there is an extremely simple appearance that there is only an edge of about several millimeters to 1 cm around the area where liquid crystal display is actually performed, and it is composed of a pair of glass substrates in appearance except for the external output terminals. can do.
[0054]
A plurality of sets as described above are configured using a pair of large glass substrates, and are divided by a sealing material as shown in FIG. Thus, a plurality of liquid crystal panels can be formed simultaneously.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, by disposing the drive circuit thin film transistor of the active matrix liquid crystal display device inside the sealing material region, it is possible to improve the temperature resistance and contamination resistance of the drive circuit thin film transistor. Further, the active matrix liquid crystal display device can be reduced in size. Further, the voltage drop due to the shortening of the image signal line can be reduced, and the characteristics can be improved.
[0056]
In addition, a plurality of sets of active matrix display substrates are formed on a single glass substrate, and a plurality of liquid crystal panels can be formed at the same time by dividing the panel into a plurality of portions with a sealing material when the panel is assembled.
[0057]
In addition, by disposing the peripheral driver circuit region in the liquid crystal region or the region provided with the sealing material, the peripheral driver circuit region is sealed with the liquid crystal or the sealing material, and the reliability decreases due to the influence of moisture. Can be prevented.
[0058]
Further, by disposing the control integrated circuit connected to the peripheral driver circuit in the sealing material, it is possible to prevent a decrease in reliability due to the influence of moisture. In addition, since a necessary circuit can be arranged between a pair of glass substrates, reliability can be improved, and a miniaturized liquid crystal display device having a simple appearance with no unnecessary unevenness is provided. Obtainable.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic view of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention.
2 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device in Example 1. FIG.
3 is a cross-sectional view of an active matrix liquid crystal display device in Example 2. FIG.
FIG. 4 is a schematic view of a conventional active matrix liquid crystal display device.
5 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a thin film transistor of Example 1. FIG.
FIG. 6 is a configuration diagram of a polarizing plate.
FIG. 7 is a schematic view of an active matrix liquid crystal display device of an example.
FIG. 8 is a schematic view of an active matrix liquid crystal display device according to the present invention.
[Explanation of symbols]
101, 200, 202, 302, 401 Glass substrate
102, 210, 310, 402 Sealing material
103, 208, 308, 403 Driving circuit thin film transistor
104, 207, 307, 404 pixel thin film transistor
201, 301 Polarizing plate
203, 303 Color filter
204, 304 Transparent electrode
205,305 Alignment film
206, 306 Spacer
209, 309 Liquid crystal material
211, 311 microprocessor
501 substrate
502 Base film (silicon oxide)
503 to 505 Active layer (silicon)
506 Gate insulating film (silicon oxide)
507-509 Gate electrode / Gate line
510-512 Weak N-type region
513,514 Photoresist mask
515, 516 Strong N-type region (source / drain)
517 Low concentration impurity region
518 photoresist mask
519 Strong P-type region (source / drain)
520 Interlayer insulator (silicon oxide)
521-525 Metal wiring / electrodes
526 Passivation film (silicon nitride)
527 Pixel electrode (ITO)

Claims

Forming a plurality of liquid crystal panel regions on the first glass substrate, each of which includes a pixel region having a thin film transistor, and a driving circuit having the thin film transistor and driving the thin film transistor in the pixel region;
Applying a sealing material made of acrylic or epoxy and bonding the first glass substrate and the second glass substrate at a predetermined interval so that the adjacent surroundings of the plurality of liquid crystal panel regions are all continuous . Dividing the plurality of liquid crystal panel regions by the sealing material;
And a step of dividing the first glass substrate and the second glass substrate together with the sealing material.

Forming a plurality of liquid crystal panel regions on the first glass substrate, each of which includes a pixel region having a thin film transistor, and a driving circuit having the thin film transistor and driving the thin film transistor in the pixel region;
Applying a sealing material made of acrylic or epoxy and bonding the first glass substrate and the second glass substrate at a predetermined interval so that the adjacent surroundings of the plurality of liquid crystal panel regions are all continuous . Dividing the plurality of liquid crystal panel regions by the sealing material;
A step of dividing the first glass substrate and the second glass substrate together with the sealing material;
And a step of injecting liquid crystal between the first glass substrate and the second glass substrate.

The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the driving circuit is provided inside the sealing material.

3. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the driving circuit is sealed in the sealing material.

5. The width of the sealing material in a region where the first glass substrate and the second glass substrate are separated together with the sealing material according to claim 1, the width of the sealing material in the other region. A method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the width is wider than a width of a stopper.