JP3982988B2 - 電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置に関し、詳しくは、電磁ブレーキを用いてクランクシャフトに対するカムシャフトの回転位相を変化させる構成の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電磁ブレーキの摩擦制動によりクランクシャフトに対するカムシャフトの回転遅延を制御することで、クランクシャフトに対するカムシャフトの回転位相を変化させる構成のエンジンの電磁式可変バルブタイミング装置が知られている（特開平１０−１５３１０４号公報参照）。
【０００３】
前記可変バルブタイミング装置においては、電磁ブレーキの制御量を、例えば、目標の回転位相に対応する基本制御量と、目標の回転位相と実際の回転位相との偏差に応じたフィードバック制御量とから決定し、該制御量で電磁ブレーキを構成する電磁コイルに流れる電流を制御していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記構成の電磁式可変バルブタイミング装置においては、温度条件や経時変化などによって、電磁コイルに流す電流の制御信号と実際の回転位相との相関が大きくばらつくため、予め使用環境や使用時間の条件毎に最適な制御ゲインを求めておいて、これをマップに割り付けて記憶させ、そのときの環境条件・使用時間に対応する制御ゲインを前記マップから検索し、該検索した制御ゲインを用いて前記電磁コイルの制御信号を演算するようにしていた。
【０００５】
例えば、電磁コイルの抵抗値が、油温，通電による発熱，ブレーキ部からの熱伝達などにより変化したり、ブレーキ部の特性が、油温，すべり速度の変化，振動などで変化したり、更には、ギヤ機構部の特性がバックラッシの変化や寸法公差変化により変化すると、制御信号と回転位相との相関が変化することになる。このため、油温などの使用環境や使用時間など複数の条件毎に、最適な制御ゲインを実験的に求めて、これをマップ化して記憶させる必要があったものである。
【０００６】
また、前記マップに割り付けることができないばらつき要因に対しては、制御のロバスト性で補償するようにしていた。
従って、従来装置では、制御ゲインのマップを記憶するために多くのメモリ容量を必要とする共に、マップに記憶させる制御ゲインを適合するために多くの工数を要するという問題があると共に、マップに記憶させた制御ゲインが不適切であったり、マップに割り付けることができないばらつき要因に対するロバスト性が確保できないと、目標回転位相の変化に対して実際の回転位相がオーバーシュートしたり、目標の回転位相への追従性が悪化することがあるという問題があった。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、予め制御ゲインを適合させる必要なく、そのときの使用環境や使用時間の条件毎に適合する制御ゲインを設定して制御に反映させることができる電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
そのため請求項１記載の発明は、電磁ソレノイドに供給する電流値の大きさに応じて電磁ブレーキの摩擦制動力を制御し、前記摩擦制動力の大きさに応じてクランクシャフトに対するカムシャフトの回転遅れ量を制御して、クランクシャフトに対するカムシャフトの回転位相を変化させる電磁式可変バルブタイミング装置において、前記電磁ソレノイドに供給する電流値の大きさを制御する制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量を求め、該回転位相の変化量に基づいて前記電磁式可変バルブタイミング装置の制御ゲインを変更する構成とした。かかる構成によると、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）が求められ、使用環境や使用時間の影響で動作感度が変化すると、この動作温度の変化に対応して制御ゲインが変更される。
【００１１】
請求項２記載の発明では、前記制御信号が基準値であるときの基準回転位相を予め記憶し、これらと現在の制御信号及び実際の回転位相から前記変化量を求める構成とした。かかる構成によると、現在の制御信号と基準値との偏差に対する、現在の実回転位相と基準回転位相との偏差から、制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（傾き）が求められる。
【００１２】
請求項３記載の発明では、少なくとも２つの異なる制御信号それぞれに対応する実際の回転位相を検出し、これらに基づいて前記変化量を求める構成とした。かかる構成によると、ある制御信号を与えたときに得られた実際の回転位相のデータを前記制御信号に対応させて記憶させ、異なる制御信号を与えたときの実際の回転位相と、前記記憶しておいた制御信号及び対応する回転位相のデータから、制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（傾き）が求められる。
【００１３】
請求項４記載の発明では、前記変化量の基準値を予め記憶し、該基準値と実際に求められた変化量との比に基づいて前記制御ゲインを補正する構成とした。かかる構成によると、制御ゲインの初期値を適合させたときの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（傾き）と、実際に検出された変化量（傾き）との比から、前記制御ゲインの初期値を、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量に対応する値に補正する。
【００１４】
請求項５記載の発明では、実際の回転位相と目標値との偏差に基づいて前記制御信号をフィードバック制御する構成であって、前記変更される制御ゲインを、前記偏差に対するフィードバックゲインとする構成とした。かかる構成によると、例えば、実際の回転位相と目標値との偏差に基づく比例・積分・微分動作によって制御信号を決定する構成において、比例ゲイン・積分ゲイン・微分ゲインなどのフィードバックゲインが、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量に応じて変更される。
【００１５】
尚、フィードバック制御には、比例・積分・微分動作の他、スライディングモード制御が含まれる。請求項６記載の発明では、前記変更される制御ゲインを、目標の回転位相に応じて設定される制御信号を最終的な制御信号に変換するゲインとする構成とした。
【００１６】
かかる構成によると、例えば、実際の回転位相と目標値との偏差に基づく比例・積分・微分動作によって決定された制御信号を最終的な制御信号に変換するときに用いるゲインが、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量に応じて変更される。
【００１７】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によると、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）が、使用環境や使用時間の影響で変化すると、前記変化量に応じて制御ゲインが変更されるので、予め使用環境や使用時間毎に最適な制御ゲインを求める工数が不要で、かつ、条件毎の最適ゲインを記憶したマップを記憶させる必要がなく、種々の条件変化に対応して常に最適なゲインで回転位相を制御することができ、目標の回転位相への収束性を常に高い状態に維持できるという効果がある。
【００１８】
請求項２記載の発明によると、制御信号の変化に対する回転位相の変化量（動作感度）を、簡便に求めることができるという効果がある。
【００１９】
請求項３記載の発明によると、予め基準とする制御信号及び回転位相のデータを記憶する必要がなく、かつ、そのときの制御信号の変化に対する回転位相の変化量（動作感度）を精度良く求めることができるという効果がある。請求項４記載の発明によると、制御信号の変化に対する回転位相の変化量（動作感度）が基準値である状態に適合する制御ゲインから、前記変化量（動作感度）が変化した状態に適合する制御ゲインを簡便に求めることができるという効果がある。
【００２０】
請求項５記載の発明によると、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）に対応するフィードバックゲインが設定されるので、目標の回転位相に収束させるのに最適なゲインでフィードバック制御を行わせることができるという効果がある。請求項６記載の発明によると、電磁式可変バルブタイミング装置に出力される直前での制御信号の変換ゲインを、電磁ソレノイドの制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）に対応して変更するので、例えば目標の回転位相に対応するフィードフォワード制御信号（基本分）とフィードバック制御信号と（フィードバック補正分）とで制御信号が設定される構成であれば、それぞれの制御信号が適正に変換されることになり、より目標回転位相への収束性を向上させることができるという効果がある。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
図１は実施の形態におけるエンジンのシステム構成図である。
この図１において、車両に搭載されるエンジン１０１の各気筒の燃焼室には、エアクリーナ１０２，吸気通路１０３，モータ１０４ａで開閉駆動される電子制御式スロットル弁１０４を介して空気が吸入される。
【００２２】
各気筒の燃焼室内に燃料（ガソリン）を直接噴射する電磁式の燃料噴射弁１０５が設けられており、該燃料噴射弁１０５から噴射される燃料と吸入空気とによって燃焼室内に混合気が形成される。
燃料噴射弁１０５は、コントロールユニット１３１から出力される噴射パルス信号によりソレノイドに通電されて開弁し、所定圧力に調圧された燃料を噴射する。
【００２３】
そして、噴射された燃料は、吸気行程噴射の場合は燃焼室内に拡散して均質な混合気を形成し、また圧縮行程噴射の場合は点火栓１０６回りに集中的に層状の混合気を形成する。燃焼室内に形成される混合気は、点火栓１０６により着火燃焼する。
但し、エンジン１０１を上記の直接噴射式ガソリンエンジンに限定するものではなく、吸気ポートに燃料を噴射する構成のエンジンであっても良い。
【００２４】
エンジン１０１からの排気は排気通路１０７より排出され、該排気通路１０７には排気浄化用の触媒１０８が介装されている。
また、吸気バルブ１０９を駆動する吸気側カムシャフト１１０には、電磁ブレーキの摩擦制動によりクランクシャフト１１２に対するカムシャフト１１０の回転遅延を制御することで、クランクシャフト１１２に対するカムシャフト１１０の回転位相を変化させ、作動角一定のまま吸気バルブ１０９のバルブタイミングを変更する電磁式可変バルブタイミング装置１１５が備えられている。
【００２５】
尚、電磁式可変バルブタイミング装置１１５は、排気側カムシャフトに備えられる構成であっても良いし、また、排気側カムシャフトと吸気側カムシャフトの双方に備えられる構成であっても良いし、更に、シングルカムに適用される構成であっても良い。
コントロールユニット１３１は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ，Ａ／Ｄ変換器及び入出力インターフェイス等を含んで構成されるマイコンを備え、各種センサからの入力信号を受け、これらに基づいて演算処理して、燃料噴射弁１０５，点火栓１０６及び前記電磁式可変バルブタイミング装置１１５を制御する。
【００２６】
前記各種センサとして、エンジン１０１のクランク角を検出するクランク角センサ１２１、カムシャフト１１０から気筒判別信号を取り出すカムセンサ１２２が設けられており、前記クランク角センサ１２１からの信号に基づきエンジン１０１の回転速度Ｎｅが算出される。
この他、吸気通路１０３のスロットル弁１０４上流側で吸入空気流量Ｑ（質量流量）を検出するエアフローメータ１２３、アクセルペダルの踏込み量（アクセル開度）ＡＰＳを検出するアクセルセンサ１２４、スロットル弁１０４の開度ＴＶＯを検出するスロットルセンサ１２５、エンジン１０１の冷却水温Ｔｗを検出する水温センサ１２６、排気中の酸素濃度に応じて燃焼混合気の空燃比を検出する空燃比センサ１２７、車速ＶＳＰを検出する車速センサ１２８などが設けられている。
【００２７】
ここで、前記電磁式可変バルブタイミング装置１１５の構造を、図２，３に基づいて説明する。
図２，３において、シリンダヘッド１２０に対して回転可能に支持されるカムシャフト１１０の端部１１１の軸周に回転可能にプーリ（又はスプロケット）２が支承される。プーリ２はカムシャフト１１０に対して相対回転可能に支承され、エンジン１０１のクランクシャフト１１２の回転に連動して回転する。
【００２８】
カムシャフト１１０の端部１１１の延長線上には、軸周にギヤが形成される伝達部材３がボルト３１により固定され、プーリ２の回転が、以下に説明する伝達機構を介して伝達部材３に伝えられる。
カムシャフト１１０と同軸に、フランジを有する筒状のドラム４１が設けられ、このドラム４１とプーリ２との間には、ドラム４１の回転位相を遅らせる方向に付勢するコイルばね４２が介装されている。
【００２９】
即ち、プーリ２にはケース部材４４が固定され、コイルばね４２の外周側端部は、このケース部材４４の内周面部分に固定され、コイルばね４２の内周側端部は、ドラム４１の外周面に固定されている。
また、伝達部材３の軸周に形成されたギア３２と、筒状のピストン部材４３の内周に形成されたギア４３３とが、はす歯ギヤによるヘリカル機構により噛み合っている。
【００３０】
ピストン部材４３の外周面の対向する２箇所に、係合部４３１，４３１が突出形成されていて、プーリ２の回転中心部分からカムシャフト１１０の軸方向に延出している爪部材２１，２１の間に前記係合部４３１，４３１が係合している。この係合によりピストン部材４３とプーリ２とは同位相で回転する。
ピストン部材４３の前記係合部４３１，４３１には、ピストン部材４３の軸を中心とする雄ねじ４３２が各々形成され、ドラム４１の内周面には雌ねじ４１１が形成されていて、この両者はねじ作用により噛み合っている。
【００３１】
ドラム軸受部材４５は、伝達部材３の外周とドラム４１の内周との間に介装され、この両者の相対回転を軸受する。このドラム軸受部材４５とドラム４１の内周面との間には、爪受部材７ａが介装されている。
この爪受部材７ａはドラム４１の内周面に支持され、爪部材２１，２１の先端部の外周面側に形成されている段部２２，２２に当接して、カムシャフト１１０の径方向に爪部材２１，２１を係止している。
【００３２】
被吸引部材４６は、その回転中心部分に内歯の平ギヤ４６１が形成され、このギヤ４６１には、伝達部材３の先端部に形成されている平ギヤ３３に噛み合っている。
これにより、被吸引部材４６は伝達部材３に対し、その軸方向に摺動可能に構成されると共に、被吸引部材４６と伝達部材３とは同位相で回転する。
【００３３】
ドラム４１のフランジ部分４１２の側面にはギア４１３が形成され、被吸引部材４６の一方の面４６２に形成されているギア４６３と対峙していて、この両ギアは噛み合うことで、ドラム４１と被吸引部材４６とが回転方向に係合するようにしてある。
第１の電磁ソレノイド５ｂと第２の電磁ソレノイド５ａは、カムシャフト１１０の軸芯線を囲むように、カムシャフト１１０の端部１１１に固定されている伝達部材３や、この伝達部材３を固定しているボルト３１の外周面を囲むように軸受部材６を介して配置されている。
【００３４】
すなわち、スペーサ部材４７が、ボルト３１の頭部３１１と伝達部材３の先端部との間に嵌合固定されていて、このスペーサ部材４７の外周側には、第２の電磁ソレノイド５ａがスペーサ部材４７との間に軸受部材６を介して配置されている。
さらに、第２の電磁ソレノイド５ａと被吸引部材４６の外周側には、電磁ブレーキを構成する第１の電磁ソレノイド５ｂが配置されている。第２の電磁ソレノイド５ａはボルト５１ａにより、ケース８に固定されている。
【００３５】
次に作用について説明する。
カムシャフト１１０の回転位相を進角側に変更するためには、第１の電磁ソレノイド５ｂが発生する磁界によりピストン部材４３をカムシャフト１１０の軸方向に移動することにより行う。
すなわち、まず、第２の電磁ソレノイド５ａの発生磁界により、被吸引部材４６が吸引されて、被吸引部材４６のギア４６３と、ドラム４１のギア４１３とが離れ、ドラム４１がプーリ２に対して相対的に回転できるようにする。
【００３６】
そして、第１の電磁ソレノイド５ｂの発生磁界により、ドラム４１を吸引することで、ドラム４１を第１の電磁ソレノイド５ｂの端面に押し付けて、摩擦制動を作用させる。
これにより、ドラム４１はコイルばね４２の付勢力に抗してプーリ２に対して回転遅れを生じて相対回転し、ねじ４１１とねじ４３２とで噛み合っているピストン部材４３はカムシャフト１１０の軸方向に移動する。
【００３７】
ピストン部材４３と伝達部材３とは前記のヘリカル機構により噛み合っているので、ピストン部材４３の移動により、伝達部材３引いてはカムシャフト１１０の回転位相がプーリ２に対して進角側に変わることになる。
従って、第１の電磁ソレノイド５ｂへの電流値を増大させ、コイルばね４２の付勢力に抗する制動力（滑り摩擦）を増大させるほど、カムシャフト１１０の回転位相が進角側に変更されることになる。
【００３８】
上記のように、電磁ブレーキによる制動力に応じて決まるドラム４１の回転遅れ量によってカムシャフト１１０の回転位相がプーリ２（クランクシャフト１１２）に対して変わるものであり、前記電磁ブレーキによる制動力は、第１の電磁ソレノイド５ｂに供給される電流値をデューティ制御することで制御されるようになっており、前記電流値の制御デューティＤｕｔｙを変化させることで、回転位相の変化量（進角量）を連続的に制御できる。
【００３９】
尚、本実施形態では、電磁ブレーキの制御信号に相当する制御デューティＤｕｔｙ（％）の増大に応じて、前記第１の電磁ソレノイド５ｂに供給される電流値が増大し、該電流値の増大に応じてカムシャフト１１０の回転位相が進角方向に変化するものとする。
前記コントロールユニット１３１は、後述するようにして、第１の電磁ソレノイド５ｂの通電をフィードバック制御してカムシャフト１１０の回転位相を変化させ、目標回転位相に一致すると、第２の電磁ソレノイド５ａへの通電を遮断することで、被吸引部材４６のギア４６３と、ドラム４１のギア４１３とを噛み合わせ、ドラム４１をプーリ２に対してそのときの位相状態で固定し、第１の電磁ソレノイド５ｂへの通電を遮断する。
【００４０】
図４は、コントロールユニット１３１による前記フィードバック制御を示す機能ブロック図である。
図４において、制御コントローラ２０１には、エンジン負荷やエンジン回転速度などの運転条件に応じて設定される目標の回転位相が入力されると共に、前記クランク角センサ１２１及びカムセンサ１２２からの検出信号に基づいて検出される実際の回転位相θが入力される。
【００４１】
そして、前記制御コントローラ２０１は、目標の回転位相に応じて基本デューティを演算する一方、目標の回転位相と実際の回転位相との偏差に基づく比例・積分・微分動作によってフィードバックデューティを演算し、前記基本デューティとフィードバックデューティとの加算値を制御デューティＤｕｔｙとして出力する。
【００４２】
尚、前記フィードバックデューティの演算を、比例・積分・微分動作の組み合わせではなく、比例・積分動作で行わせる構成としても良く、また、スライディングモードを用いて行わせる構成としても良い。
前記制御コントローラ２０１から出力される制御デューティＤｕｔｙは、変換器２０２においてゲインＧにより最終的な制御デューティＤｕｔｙに変換され、該最終的な制御デューティＤｕｔｙにより前記第１の電磁ソレノイド５ｂの電流値が制御される。
【００４３】
一方、動作感度検出部２０３には、前記クランク角センサ１２１及びカムセンサ１２２からの検出信号に基づいて検出される実際の回転位相θ、そのときの最終制御デューティＤｕｔｙ、及び、予め記憶されている基準回転位相θiが入力され、これらに基づいて動作感度を示す単位デューティ当たりの回転位相の変化量を演算する。
【００４４】
電磁ソレノイド５ｂに出力される最終的な制御デューティＤｕｔｙと回転位相との相関は、図５に示すように、制御デューティＤｕｔｙが閾値Ｄｕｔｙ−ｓ以下ではばねの付勢力に対抗できず、回転位相を進角変化させることができないが、制御デューティＤｕｔｙが閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超えると、制御デューティＤｕｔｙ（通電量）の増大に比例して回転位相が進角変化する。
【００４５】
そこで、制御デューティＤｕｔｙと回転位相との基本の相関において、制御デューティＤｕｔｙが閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える領域での傾きで、閾値Ｄｕｔｙ−ｓ以下の領域も制御デューティＤｕｔｙの変化に対して回転位相が変化するものとし、制御デューティＤｕｔｙ＝０（基準の制御信号）における回転位相θ（基準回転位相）を、閾値Ｄｕｔｙ−ｓにおける回転位相を０とする遅角変化量として求め、該回転位相θを前記基準回転位相θiとして記憶させるようにしてある。
【００４６】
従って、閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える制御デューティＤｕｔｙが出力されている状態では、（θ＋θi）／（Ｄｕｔｙ−０）が、単位デューティ当たりの回転位相の変化量（制御デューティと回転位相との相関関数における傾き）を示すことになる。
そこで、前記動作感度検出部２０３では、閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える制御デューティＤｕｔｙが出力されている状態において、（θ＋θi）／Ｄｕｔｙとして単位デューティ当たりの回転位相の変化量（動作感度）を演算する。
【００４７】
尚、図５に示す制御デューティＤｕｔｙと回転位相との基本の相関は、前記変換器２０２における基準ゲインＧや、制御コントローラ２０１におけるフィードバックゲインや基本デューティの適合に用いた相関である。
前記動作感度検出部２０３で演算された単位デューティ当たりの回転位相の変化量（動作感度）は、ゲイン補正係数演算部２０４に出力される。
【００４８】
前記ゲイン補正係数演算部２０４では、前記動作感度検出部２０３で演算された変化量と、基準値記憶部２０５に予め記憶されている変化量の基準値との比（＝演算値／基準値）を演算し、これを補正係数Ｋとして出力する。
前記ゲイン補正係数演算部２０４から出力される補正係数Ｋは、遅延部２０６で遅延されることで、次回の最終的な制御デューティＤｕｔｙの演算が、今回演算された補正係数Ｋで補正されるようにする。
【００４９】
前記遅延部２０６で遅延された補正係数Ｋｚは前記変換器２０２に出力され、予め記憶された基準ゲインＧ／補正係数Ｋｚが、変換器２０２で用いられるゲインＧに設定される。
例えば、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量が増大変化すると、前記補正係数Ｋは１よりも大きな値となり、結果、前記ゲインＧが減少補正され、回転位相に向けて変化させるときにオーバーシュートすることが回避される。
【００５０】
逆に、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量が減少変化すると、前記補正係数Ｋは１よりも小さい値となり、結果、前記ゲインＧが増大補正され、回転位相に向けて変化させるときに応答遅れを回避する。
ところで、上記図４のブロック図に示す実施形態では、変換器２０２で用いられるゲインＧを補正する構成としたが、前記制御コントローラ２０１におけるフィードバックゲインを補正する構成としても良い。
【００５１】
図６は、前記制御コントローラ２０１におけるフィードバックゲインを補正する構成とした第２の実施形態を示す機能ブロック図である。
図６において、前記遅延部２０６で遅延された補正係数Ｋｚが、前記変換器２０２ではなく、前記制御コントローラ２０１に出力される構成とした点のみが、図４に示した第１実施形態と異なる。
【００５２】
前記遅延部２０６で遅延された補正係数Ｋｚが入力される前記制御コントローラ２０１では、比例ゲイン・積分ゲイン・微分ゲインの基準値を前記補正係数Ｋｚで除算して補正設定する。
この場合も、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量が増大変化すると、前記補正係数Ｋは１よりも大きな値となり、結果、前記フィードバックゲイン（比例ゲイン・積分ゲイン・微分ゲイン）が減少補正され、回転位相に向けて変化させるときにオーバーシュートすることが回避される。
【００５３】
逆に、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量が減少変化すると、前記補正係数Ｋは１よりも小さい値となり、結果、前記フィードバックゲイン（比例ゲイン・積分ゲイン・微分ゲイン）が増大補正され、回転位相に向けて変化させるときに応答遅れを回避する。
また、上記第１，第２の実施形態では、制御デューティＤｕｔｙ＝０での回転位相θiを基準として、動作感度を演算させる構成としたが、図７のブロック図に示す第３実施形態のように、閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える制御デューティＤｕｔｙ領域で、制御デューティＤｕｔｙと回転位相との相関を少なくとも２点で求めて、これらのデータに基づいて、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）を求めるようにしても良い。
【００５４】
図７に示す第３の実施形態では、前記基準値記憶部２０５に代えて、最終制御デューティＤｕｔｙと該最終制御デューティＤｕｔｙを与えたときの実際の回転位相とを対として記憶するＤｕｔｙ＆位相記憶部２０７を備える。
そして、閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える制御デューティＤｕｔｙが出力されたときに検出された回転位相の検出値を、制御デューティＤｕｔｙと共に、このＤｕｔｙ＆位相記憶部２０７に記憶させる。
【００５５】
次いで、この記憶されている制御デューティＤｕｔｙと所定以上離れていてかつ閾値Ｄｕｔｙ−ｓを超える制御デューティＤｕｔｙが出力されたときに、Ｄｕｔｙ＆位相記憶部２０７に記憶されているデータ（制御デューティＤｕｔｙ１，回転位相θ１）と、そのときの制御デューティＤｕｔｙ２及び回転位相θ２とに基づき、動作感度検出部２０３において、（θ１−θ２）／（Ｄｕｔｙ１−Ｄｕｔｙ２）として、制御デューティＤｕｔｙの単位変化量に対する回転位相の変化量（動作感度）を演算させる。
【００５６】
尚、電磁式可変バルブタイミング装置１１５は、電磁ブレーキの摩擦制動によりクランクシャフトに対するカムシャフトの回転遅延を制御して、クランクシャフトに対するカムシャフトの回転位相を変化させる構成であれば良く、図２，３に示した構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態におけるエンジンのシステム構成図。
【図２】実施の形態における電磁式可変バルブタイミング装置の断面図。
【図３】実施の形態における電磁式可変バルブタイミング装置の分解斜視図。
【図４】実施の形態における電磁式可変バルブタイミング装置のフィードバック制御の第１実施形態を示すブロック図。
【図５】実施の形態における制御デューティと回転位相との相関を示す線図。
【図６】実施の形態における電磁式可変バルブタイミング装置のフィードバック制御の第２実施形態を示すブロック図。
【図７】実施の形態における電磁式可変バルブタイミング装置のフィードバック制御の第３実施形態を示すブロック図。
【符号の説明】
２…プーリ
３…伝達部材
５ａ…第２の電磁ソレノイド
５ｂ…第１の電磁ソレノイド
４１…ドラム
４２…コイルバネ
４３…ピストン部材
４６…被吸引部材
１１０…カムシャフト
１０１…エンジン
１０３…吸気通路
１０４…スロットル弁
１０５…燃料噴射弁
１１５…電磁式可変バルブタイミング装置
１２０…シリンダヘッド
１２１…クランク角センサ
１２２…カムセンサ
１２３…エアフローメータ
１２６…水温センサ
１２７…空燃比センサ
１３１…コントロールユニット
２０１…制御コントローラ
２０２…変換器
２０３…動作感度検出部
２０４…ゲイン補正係数演算部
２０５…基準値記憶部
２０６…遅延部
２０７…Ｄｕｔｙ＆位相記憶部

Claims (6)

1. 電磁ソレノイドに供給する電流値の大きさに応じて電磁ブレーキの摩擦制動力を制御し、前記摩擦制動力の大きさに応じてクランクシャフトに対するカムシャフトの回転遅れ量を制御して、クランクシャフトに対するカムシャフトの回転位相を変化させる電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置であって、
   前記電磁ソレノイドに供給する電流値の大きさを制御する制御信号の単位変化量に対する回転位相の変化量を求め、該回転位相の変化量に基づいて前記電磁式可変バルブタイミング装置の制御ゲインを変更することを特徴とする電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。
2. 前記制御信号が基準値であるときの基準回転位相を予め記憶し、これらと現在の制御信号及び実際の回転位相から前記変化量を求めることを特徴とする請求項１記載の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。
3. 少なくとも２つの異なる制御信号それぞれに対応する実際の回転位相を検出し、これらに基づいて前記変化量を求めることを特徴とする請求項１記載の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。
4. 前記変化量の基準値を予め記憶し、該基準値と実際に求められた変化量との比に基づいて前記制御ゲインを補正することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。
5. 実際の回転位相と目標値との偏差に基づいて前記制御信号をフィードバック制御する構成であって、前記変更される制御ゲインが、前記偏差に対するフィードバックゲインであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。
6. 前記変更される制御ゲインが、目標の回転位相に応じて設定される制御信号を最終的な制御信号に変換するゲインであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電磁式可変バルブタイミング装置の制御装置。

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