JP3982833B2 - 圧縮モールドされた構造物の光ファイバー入力歪除去インタフェース - Google Patents

Description

技術分野
この発明は構造物の分野に係り、特に構造物内に光ファイバーを植設することに関する。
背景技術
複合構造物が、多くの技術たとえばオートクレーブ工程（例えば真空バッグ）、又は閉ざされた、又は部分的に、又はほとんど閉ざされたモールド工程（例えば、ホットプレスを使用すること）ことによって、作成されることは、複合構造物の分野において知られている。“単一の回折格子を使用する歪と温度測定可能な植設された光ファイバーセンサ”と題する、ボトによる米国特許第５，３９９，８５４において論じられているように、光ファイバーが構造物内に植設されていることも知られている。特に、構造物のパイル又は積層（又はレイアップ）間に植設された一つ又はそれ以上の光ファイバーを設置することは知られている。層は、熱設定エポキシレジンによって囲まれた強化フィラメントによって構成される。レイアップは、圧力と熱を該レイアップに供給する工程において強化され、構造物の重合、キュアリングおよび強化を生じる。
もちろん、植設されたファイバーは、光ファイバーが複合構造物に入る点での破壊を防止されなければならない。オートクレーブ工程における複合構造物内のファイバーエントリーを論じているそのような技術は、“複合構造物内への光ファイバーセンサの植設方法”と題する、Ｐ．フェラロ（Ｆｅｒｒａｒｏ）によるイタリア特許Ｎｏ．ＲＭ９３Ａ０００２５３において述べられている。
その工程において、レイアップは下部支持面に配置されており、ファイバーの上部入口点はゴム歪除去層で囲まれている。
それから、真空バギングを用いるオートクレーブ工程を使用して、薄いプラスチック層（又は薄膜又はバッグ）は、レイアップの一側に配置されると共に、レイアップが休止する支持面にシールドされる。バッグがレイアップの外表面に、崩壊するように、バッグと支持面間でレイアップがカプセルに入れられる容量で真空引きされ、レイアップに所定量の圧力を加える。光ファイバーの入口点で、バッグは光ファイバーの入口点で厚いゴムを含有するドーム状の容器を形成し、厚いゴムを構造物の表面にキュアー（同時に構造物自身もキュアーしている）でき、光ファイバーがレイアップに入る（および／若しくは出る）位置でシールを生成する。シール構造は、ファイバーが構造物に入る点で光ファイバーに接合されているレイアップの表面に、厚い例えば０．１インチ（″）の厚のドーム状インタフェースを持っている。そのようなゴムインタフェースは光ファイバーの入口点をシールし、ゴムを介してレジンの流れを減少させ、同様に光ファイバーと複合構造物間の曲げやすい歪除去インタフェースを提し、ゴムの曲りにより、ファイバーの損傷と破壊の可能性を減らす。
そのような厚いゴムインタフェースはオートクレーブ工程において良く働くけれども、そのようなインタフェースは、複合構造物が温圧（すなわち、閉ざされた又はほとんど閉ざされたモールドツールによる圧縮モールド）を使用して製造される時、働かない。
さらに詳しくは、閉じられた又はほとんど閉じられたツールによる温圧は、オートクレーブ工程よりもレイアップに力を及ぼし、レジンをレイアップにおけるファイバー入口を介してレイアップから分泌させる。また、従来の厚いゴムインタフェースがファイバー入口孔に設置され温圧ツールがその孔のまわりに押されると、レジンはレイアップのファイバー入口点とゴムインタフェースのファイバー孔を通してつぶされる。これは、ファイバーの曲りからの応力集中がファイバー破壊に到るファイバー入口点で、光ファイバーのレジン破壊強化部分を生成し、ゴムシール応力除去インタフェースを生じる。
従って、構造物が閉じられた又はほとんど閉じられたモールドツール（例えば、温圧）で圧縮工程を使用して構造物が強化される時に、ゴムシール応力除去インタフェースをファイバー入口点で保持する構造物を合成するために、光ファイバーの入口点でゴムインタフェースを得ることは、望ましいことである。
発明の開示
本発明の目的は、圧縮モールドによって作られる複合構造物の向上したシーリング用の光ファイバー入口歪除去インタフェースを提供することである。
本発明によれば、光ファイバーインタフェースは、構造物接着物質を有する構造物，ファイバー入口点で構造物に入ると共に構造物内に植設されている光ファイバー，構造物に配置されると共にシーリング通過領域を通過するシール手段，シール手段に隣接しかつ連続すると共に歪除去通過領域を通過するファイバーを有する歪除去手段，および歪除去手段を構造物に接着するためのシール手段、によって構成される。
さらに本発明によれば、シール手段は、接着物質がシール通過領域から漏れるの防止するシール層と、歪除去通過領域で通過するファイバーを有しシール層を構造物に接着する接着層、によって構成される。
さらにまた、本発明によれば、シール層は、接着物質が構造物外に漏れるに充分に低い粘性を示す温度よりも低い温度でシール通過領域のファイバーの囲りをシールするために充分にやわらかくなる物質によって構成され、構造物の強化中に、シール通過領域を介して漏れることが防止される。
本発明は、複合構造物が閉じられ又はほとんど閉じられたモールドツール（例えば温圧によって）を有する圧縮モールドを使用して、強化される時、入口点の光ファイバー用の歪除去を複合構造物に供給することによって、従来技術に勝って改良していることを示す。ある構造物に対して、温圧による圧縮モールドは、オートクレーブ作成方法の代りに受け入れできる製作方法である。もちろん、構造物は複合構造物であることを必要としない。この発明は、圧縮モールド方法を使用する時、光ファイバーセンサを構造物（又はレイアップ）と一体化することを、より実施可能にする。さらに発明は圧縮モールド又はレジン移送又はレジン注入工程で動く。
本発明の前述および他の目的、特徴および利点は、添付図面に示すような実施例の説明から、より明白になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による、複合構造物内の光ファイバー入口用のインタフェースの側断面図である。
第２図は、本発明による、複合構造物内の光ファイバー入口用のインタフェースの側断面部分分解図である。
第３図は、本発明による、複合構造物内の光ファイバー入口用のインタフェースの部分断面分解斜視図である。
第４図は、本発明による、複合構造物内の光ファイバー入口用のインタフェースの部分断面分解斜視図である。
第５図は、本発明による、キュアーされたゴムインタフェースを介して強化された複合構造物に入る光ファイバーの斜視図である。
第６図は、本発明による、レイアップ強化工程用の時間に対する温度のグラフである。
第７図は、本発明による、レイアップ強化工程中の温度に対するレイアップにおけるレジンのレオロジック粘性のグラフである。
発明を実施するための最良な形態
第１図を参照すると、複合積層構造物１０（又はレイアップ）は、複数の積み重ねられた層１２（又は積層又はパイル）によって構成されている。層１２の各々は、所定方向に層１２内に植設されたグラファイト又は他の物質から作られた円筒状の強化フィラメント１４によって構成されている。層１２内のフィラメント１４は本質的に互に平行であるが、他の方向であってもよい。フィラメント１４の間と囲りは公知のポリマーマトリックス例えば産業界で知られている熱設定エポキシレジンである。必要ならば、他の物質をフィラメント１４として使用でき、かつ他の熱設定ポリマーマトリックス物質をレジン１６として使用できる。例えば、フィラメント１４はガラス（又はファイバーガラス），ナイロン，布，カーボン，アラミッドＫＥＶＬＡＲＲ（ポリマーフィラメント），又は他の物質で作ることが出来る。レジンの代わりに、本発明で望むならば、構造物接着物質を使用できる。もちろん、フィラメント１４は形状が円筒状である必要もない。そのようなレイアップの例のより詳細な図面と説明は、“単一の回折格子を使用する歪と温度測定ができる植設された光センサ”と題するボト（Ｖｏｔｏ）による米国特許Ｎｏ．５，３９９，８５４と、“光ファイバー格子センサを使用する複合構造物キュアー工程”と題する１９９５年１１月２１日出願の米国特許出願（ＵＴＣ社内整理番号Ｒ−３８５７）において述べられている。
レイアップ１０は、圧縮モールドにおいて又は乾いた布フィラメント編みによって使用するためのレジン１６（又はプリプレグ）で、プリインプリグネイトされたフィラメント１４によって構成され、フィラメント編みは、知られているように、製作（すなわち、レジン注入モールド又はレジン移送モールド）中にレジンが注入される。
前述した米国特許Ｎｏ．５，３９９，８５４と前述した特許出願で論じたように、レイアップ１０が構成されファイバー入口点で入る（又は出る）ようにレイアップ１０が構成されているので、光ファイバー２０はレイアップ１０内の所定の検出位置に配置されている。
ファイバー２０は、約１２５ミクロンの外径を有するシリカ被覆内のゲルマニア拡散されたシリカを有する通信空間モードファイバーによって構成される。
必要ならば、他のファイバーの合成，大きさおよびモードを使用できる。また、望むならば、外部さや又は緩衝層を有するか又は有しないファイバーを使用できる。“分配された空間的に分解する光ファイバーストレンゲージ”と題するメルツ（Ｍｅｌｔｚ）による米国特許Ｎｏ．４，８０６，０１２と、同じく“分配された空間的に分解する光ファイバーストレンゲージと題するメルツによる米国特許Ｎｏ．４，７６１，０７３のものと同様に、ファイバー２０のコアは少なくとも一つの回折素子例えばブラッグ格子を持っている。ファイバー２０内の格子は、前述した米国特許Ｎｏ．５，３９９，８５４と前述の特許出願で論じられているように、ファイバー格子“センサ”と呼ばれる。
レイアップ１０の層１２が理想的に分離された層であることと、最終積層された（強化された又は治された）複合構造物において、層１２が規定されないことは、理解されるべきである。
特に、一つの層からのフィラメント１４は、キュアー工程中にシフトされると共に他の層のフィラメント１４間に再配置され、一つの層のフィラメント１４の間およびその周囲のレジン１６は他の層からのレジン１６と結合され、最終の強化されたレイアップにおける層１２間の明確な境界を除去する。
知られているように、公知の温圧装置は、上部モールドツール３０，下部モールドツール３２，上部温圧板３１および下部温圧板３３によって構成される。板３１，３３は、それぞれ、水圧ピストン３５，３７に接続され、ツール３０，３２に圧力を及ぼす。
特に、上部と下部のツール３２，３０は、それぞれ、矢印３４，３６によって示すように、所定量の圧力が、レイアップ強化工程中の所定の時間に、温圧板３１，３３によって、上部および下部ツール３２，３０に及ぼされ、パイル１２を圧縮する。
また、強化中に、圧力がツール３０，３２に加えられると同時に、レイアップ１０はツール３０，３２とともに、温圧板３１，３３を例えばヒータコイル（図示せず）を用いて加熱することによって、又はオーブのような他の等しい方法によって加熱することによって、上昇した温度環境まで上げられる。
第６図と第７図を参照すると、代表的なレイアップ強化（又はキュアー）温度プロフィルが、前述した特許出願のように、曲線１００（第６図）によって示されていると共に、対応するレジン粘性が曲線１０２（第７図）によって示されている。粘性曲線１０２は約１３０〜３００（°Ｆ）の温度範囲にわたる領域１０４を有し、レジンはレイアップ１０外への漏れを示すほどに低い。３００（°Ｆ）以上の温度で、レジンは、硬化（又はキュアー）を始めると共に、プロフィル１００の端部によって充分に硬化される。かくして、レジンは、強化工程中に、中間温度範囲にわたってその最も低い粘性を示す。低い粘性が生じる温度範囲は使用されるレジン物質のタイプに応じて変わる。
前述したように、温度プロフィル１００と同時に、圧力はツール３０，３２によって、レイアップ１０に及ぼされる。従って、圧力はレイアップ１０内で確立され、レジンが充分低い粘性を持つ領域１０４に温度がある時、および従来技術が使用される時（背景技術の節で論じたように、レジン１４は、ファイバー入口点２４と他の孔からの漏れ（又は放出）る。本発明はそのような漏れを低減する。特定の温度と圧力プロフィルおよびレイアップ強化の範囲は使用されるレジンのタイプに応じて変わる。
また、レイアップ１０に面しているツール３０，３２の側面は、第１図に示すように平坦である必要がなく、その代りに、強化されたレイアップの形に似ている形状例えばある領域では薄く、他の領域では厚いものであってもよい。
ほとんど閉じたモールドツール３０は、直径Ｄ₁例えば約０．５インチ（″）を有する円筒状の孔を持っている。望むならば、他の直径Ｄ₁を使用できる。孔４０において、３つの円形層４２，４４，４６と、遷移層４７（又はパイル），および円筒プラグ４８がある。
光ファイバー２０は、プラグ４８と遷移層４７を通して通過し、ファイバー入口点２４で構造物１０に入る。ファイバー２０はレイアップ１０の表面から角度θでレイアップ１０に入る。角度θは充分小さく例えば約４５度よりも小さく、過度の曲げ応力は、曲り点２６ではファイバー２０がレイアップ１０に沿う平坦な方向に移行する曲り点２６でファイバー２０に作用しない。必要ならば、ファイバーの強度に応じて、他の角度を使用できる。
ファイバー２０が圧力板３１によって壊されるのを防ぐために、ファイバー２０はプラグ４８内に巻き入れられる（後述する）。その代りに、溝４９，４９′がツール３０とプラグ４８に設けられ、ファイバー２０はその中に配置される。その場合において、ファイバー２０は外部の光学処理装置（図示せず）に供給され、前述した特許出願で論じられているように、キュアー工程がモニターされる。
遷移層４７とプラグ４８に関して、層４２は、接着フィルムの薄い層であって、代表的に約０．０１０″の厚さおよび孔４０の直径Ｄ₁に等しい直径を有し、複合レイアップ１０の上側に接している。望むならば、他の厚さと直径も使用できる。接着フィルム４２はレイアップ１０の上部面と隣り合う層４４に接合する（後述されている）。もちろん、もし、レジンが最小粘性を示す温度よりも層４２の溶解温度が低ければ、層４２はファイバー２０の入口点２４のまわりのシールを補助する（他の２つの層４４，４６によって供給されるシールに加えて）。層４２に対して使用できる一つの接着フィルムは３Ｍによって作られたＮｏ．ＡＦ１６３２であるが、必要ならば、他のフィルムも使用できる。
上記接着層４２の上部には、約０．０１０″の厚さおよび孔４０の直径Ｄ₁に等しい直径を有する薄いゴムシール層４４がある。望むならば、他の厚さと直径を使用できる。ゴムがファイバ２０および孔４０周囲のエッジをシールするほど十分に柔らかくなる温度が、レイアップ１０におけるレジン１６がレイアップから漏出する十分に低い粘性になる温度（低粘性点、例えば、レジンが液体になる温度）よりも低いように、シール層４４のゴム材料が選択される。特に、シール層４４は、レジン１６が前述の低粘性点に至る前に、ファイバー２０のまわりの小さな入口孔２４と、層４４の外周縁と孔４０の外表面との間のギャップを満たし、レイアップ１０からのレジンの漏れをブロックする。シール層４４に使用できるゴムの一つのタイプはウレタンであり、シール層４４に使用できる一つのウレタンはＢＦグードリッチパートＮｏ．７４−８５１−１８２であるが、層４４の上部にある層４６の重なり機能は、前に述べたゴムシール層４４よりも厚い光ファイバー２０用のゴム歪除去層を提供することである。
従って、層４６のゴムがレジンの低粘性点であるシールを提供するために充分に柔らかくなる温度である必要はない。
上記厚いゴム層４６の上部は、テフロンのような高温度ポリマーで作られた円筒状のプラグであるところのプラグ４８である。望むならば、レイアップ強化中に歪除去層４６に接着しない他の高温度ポリマーを使用できる。ツール３０の孔４０に圧入するために、プラグ４８の直径は、本質的に、孔４０の直径と同じである。プラグ４８は円筒側壁５０，下部壁５１，および張り出しつば５２によって構成され、張り出しつばはプラグ穴５４を形成する（後述のように）。つば５２は必要ではないが、種々の機能、たとえばプラグ穴５４内に余分な光ファイバー２０を巻き入れるために使用される。また、プラグ４８は縦継目６８（第３図）を持っており、プラグ４８を２つの半分に分割し、レイアップ強化後にプラグ４８の除去を容易にする。
プラグ４８は、上方向の圧力に対して遷移層４７を保持するために使用され、この上方向の圧力はレジン１６、フィラメント１４によって及ぼされるとともに、レイアップ強化中にツール３０，３２によってレイアップ１０に作用される圧縮力によって作用される。テフロンプラグ４８の下部壁５１は、例えば０．０５〜０．１″の底厚Ｔ₁を有し、側壁５０は、例えば０．０５〜０．１″の厚みＴ₂を有する。壁５０の内面の間隔（又は直径）Ｄ₂と、壁５０，５１の厚さＴ₁，Ｔ₂は、層１２内のレジン１６および強化フィラメント１４の上方への力により下部壁５０がプラグ４８のキャビティ５０内へと歪まないような大きさとされている。下部壁５１の厚さＴ₁は、光ファイバー２０を挿入するために使用される空洞針の挿入を可能にするに充分に薄く設計される。プラグ４８は該プラグ４８の頂部がツール３０の上部面と実質的に同一平面上に位置するか、僅かに上方に位置し、かつプラグ４８の底が層４６でとまるような高さ（Ｈ）を持っている。従って、プラグ４８の必要な高さＨは、ツール３０の厚さと、強化温度プロフィルにわたるプラグ４８と遷移層４７の熱膨張の量にしたがって変わる。ツール３０が約０．５″の厚みを有しかつ層４２，４４，４６がそれぞれ、０．０１０″，０．０１０″，０．０６０″の厚みを持っていれば、プラグ４８の高さは約０．４２０″である。ここで論じられているプラグ４８と層４７の物質については、熱膨張はそれ程重要な要素ではない。必要であれば、プラグ４８の他の高さＨと、ツール３０の他の厚さを使用でき、プラグ４８により遷移層４７に対して必要な支持（前述した）が強化工程中に与えられる。
構造物１０，光ファイバー２０，ツール３０，３２，プラグ４８および遷移層４７の全てが第１図に示すように形成されると、全体のアッセンブリーは前述したようなレイアップ強化温度および圧力プロフィルにさらされる。
また、接着フィルム層４２は、望むならば、省略できる。この場合に、層４４は、レイアップ１０の上部面への接着を行うと同様にシールを行う２重の役目を果たす。そのようにして、層４４はレイアップの物質と良く接着する物質によって作られる。
第２図と第５図を参照すると、我々は、強化された構造がフレキシブルな歪除去光ファイバーインタフェース領域８０を供給し、領域８０は、レイアップ構造物１０の表面に接合されると共に、光ファイバが構造物１０に入る付近において光ファイバ２０に接合されること、およびレイアップ強化中にレジン流が光ファイバ２０周囲の入口孔２４を通ってレイアップ１０から流出またはゴム４６内へ流入しないことを、発見している。
第２，３および４図を参照すると、レイアップ２０内にファイバー２０を組立てるための一つの方法は、レイアップ１０を、所定数の層１２を有する第１の部分６０と、所定数の層１２を有する第２の部分６２と、に部分的に組立てるステップによって構成されている。それから、円形状の遷移層４７と円筒状のプラグ４８は上部ツール３０の孔４０に配置される。次に、空洞又は皮下注射針６４が、プラグ４８，遷移層４７，およびレイアップ１０の第１の部分の層１２を通して挿入される。針６４は、レイアップ強化後にプラグの除去を容易にするために、プラグ４８の縦継目６８を介して挿入される。次に、光ファイバー２０は、針６４を通して挿入され、光ファイバー２０に沿う検出領域は領域６０，６２間のレイアップ１０に沿う測定位置に設置される。それから、針６４は除去される。さらに、ファイバー２０は他の針（図示せず）を通して、かつ前述のイタリア特許ＲＭ．ＲＭ９３Ａ０００２５３に示すように、同じ又は異なる遷移層セットを介して配置された他の出口点（図示せず）を介して供給される。それから、レイアップ１０の第１の部分６０は光ファイバーをサンドイッチにして第２の部分６２で組み立てられ、植設されたファイバーはセンサおよびファイバー出入口点を有する完全なレイアップ（強化されていない）を生成する、前述したように、ファイバー２０が構造物２０内に挿入される角度θは、曲折点２６でファイバー２０に過度の曲げ応力が及ぼされないように充分に小さくされるべきである。次に、構造物は、前述したレイアップ強化温度および圧力プロフィルにさらされる。必要ならば、レイアップ１０内に組立てるためにかつ遷移層４７とプラグ４８を介してファイバー２０を供給するために、他の技術を用いることができる。強化工程が完了すると、上部ツール３０はレイアップから除去される。プラグ４８は縦継目に沿って２つの半割部に分割されることが必要な場合もある。
発明は、閉じた又は部分的に又はほとんど閉じたモールドツールを使用するレイアップ強化工程に関連して使用される如く開示されているけれども、発明は、レイアップに充分な圧力を及ぼすどのレイアップ強化工程と等しく働き、レジン（又は他のレイアップ接着物質）をもファイバー入口点でレイアップから漏れさせることは理解されるべきである。
もちろん、レイアップ又は構造物が複合構造物である代りに（すなわち、少なくとも２つの異なる物質で作られている代りに）、構造物から漏らすために、レイアップ強化中に充分に低い粘性を示す単一の物質で構造物を作ることができ、ファイバーを被覆し、かつファイバーをより砕けやすくする。その場合に、レイアップにおける強化フィラメントは使用されない。
また、発明は単一の積層された構造物に使用されることについて述べたけれども、発明は複雑な幾何学的な構造および／若しくは“サンドイッチ”構造たとえばハチの巣状の挿入にも著しく約に立つ。

Claims (25)

1. 構造物接合物質からなる構造物と、
   光ファイバ入口点で前記構造物に入るとともに前記構造物内に設けられる光ファイバと、
   前記構造物の表面上に配設されるとともにシール層を備えるシール手段であって、シール通過領域において前記光ファイバを通過させ、前記シール通過領域において前記光ファイバのまわりをシールするとともに、前記シール通過領域において前記接合物質が前記シール手段から漏出するのを防ぐシール手段と、
   前記シール手段に隣接しかつ連続して配置されるとともに歪除去層を備える歪除去手段であって、歪除去通過領域において前記光ファイバを通過させるとともに、前記光ファイバ入口点の近くで前記光ファイバの歪除去を行うための歪除去手段と、
   を備え、
   前記シール手段により、前記歪除去手段が前記構造物に接合されることを特徴とする光ファイバインタフェース。
2. 前記シール手段が、前記光ファイバを前記歪除去通過領域で通過させ、前記シール層を前記構造物に接合する接着層をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバインタフェース。
3. 前記シール層は、前記接合物質が前記構造物から漏出するほど充分に低い粘性を示す温度よりも低い温度で、前記シール通過領域において前記光ファイバのまわりをシールするように充分に軟らかくなる物質から構成され、これにより、前記構造物の強化中に前記接合物質が前記シール通過領域を通って漏出しないように防止されることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバインタフェース。
4. 前記シール層がゴムによって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバインタフェース。
5. 前記シール層がウレタンによって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバインタフェース。
6. 前記接着層が接着フィルムによって構成されていることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバインタフェース。
7. 前記接着層が、前記光ファイバ入口点から前記接合物質が漏出しないように防止するシールを前記光ファイバ入口点に付与することを特徴とする請求項２に記載の光ファイバインタフェース。
8. 前記歪除去手段がゴムによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバインタフェース。
9. 前記歪除去手段が前記歪除去通過領域で前記光ファイバのまわりをシールすることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバインタフェース。
10. 前記接合物質が熱設定レジンによって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバインタフェース。
11. 前記構造物が複合構造物であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバインタフェース。
12. 光ファイバインタフェースを形成する方法であって、
    構造物接合物質によって構成される構造物を得るステップと、
    孔を有するモールドツールを前記構造物の表面上に配置するステップと、
    前記孔内でかつ前記構造物上にシール物質からなるシール層を配置するステップと、
    前記孔内でかつ前記シール物質上に歪除去層を配置するステップと、
    前記孔内でかつ前記歪除去層上にプラグを配置するステップと、
    前記プラグ、前記歪除去層および前記シール層を介して前記構造物内に光ファイバを挿入するステップであって、前記光ファイバは光ファイバ入口点で前記構造物に入り、プラグ領域で前記プラグを通過し、歪除去通過領域で前記歪除去層を通過すると共に、前記シール通過領域で前記シール層を通過する挿入ステップと、
    レイアップ強化温度プロフィルにわたって前記構造物を加熱するステップであって、前記温度プロフィルの一部にわたって前記接合物質が前記構造物から漏出するほど充分に低い粘性を示す加熱ステップと、
    前記構造物を強化するために、前記加熱ステップを行う際に前記ツールで前記構造物に圧力を加えるステップと、
    を含む光ファイバインタフェース形成方法。
13. 前記光ファイバを通過させるとともに、前記シール層を前記構造物に接合する接着層を前記構造物上に配置するステップをさらに含む請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
14. 前記シール層は、前記接合物質が前記構造物から漏出するほど充分に低い粘性を示す温度よりも低い温度で、前記シール通過領域において前記光ファイバのまわりをシールするように充分に軟らかくなる物質から構成され、これにより、前記加熱および圧力を加えるステップの際に前記接合物質が前記シール通過領域を通って漏出しないように防止されることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
15. 前記シール層がゴムによって構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
16. 前記シール層がウレタンによって構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
17. 前記接着層が接着フィルムによって構成されていることを特徴とする請求項１３に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
18. 前記接着層が、前記光ファイバ入口点から前記接合物質が漏出しないように防止するシールを前記光ファイバ入口点に付与することを特徴とする請求項１３に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
19. 前記歪除去層がゴムによって構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
20. 前記歪除去層が前記歪除去通過領域で前記光ファイバのまわりをシールすることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
21. 前記プラグが、縦継目で接合される２つの部分を備え、前記挿入ステップにおいて前記縦継目を通して前記光ファイバが挿入されることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
22. 前記プラグがポリマーによって構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
23. 前記プラグが４フッ化エチレン樹脂によって構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
24. 前記接合物質が熱設定レジンによって構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。
25. 前記構造物が複合構造物であることを特徴とする請求項１２に記載の光ファイバインタフェース形成方法。

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