JP3982396B2

JP3982396B2 - Optical sensor, card-type information recording medium, and information processing system using the same

Info

Publication number: JP3982396B2
Application number: JP2002342105A
Authority: JP
Inventors: 貴幸近藤; 和彦天野; 光敏宮坂
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2002-11-26
Filing date: 2002-11-26
Publication date: 2007-09-26
Anticipated expiration: 2022-11-26
Also published as: JP2004173826A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学式センサ、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
本人照合のために、指紋検出センサを用いる技術が提案されている。特許文献１には抵抗感知型指紋検出センサが、特許文献２には光電式指紋検出センサが、特許文献３には圧電式指紋検出センサが、特許文献４には静電容量式指紋検出センサがそれぞれ開示されている。
【０００３】
しかし、本人照合を指紋だけに頼ると、その本人が生存していない場合にも指紋を採取できるので、犯罪に悪用される懸念がある。そこで、特許文献５には、読み取りローラ上を走査される指の指紋を光学的に読み取ると共に、その近傍に設けた脈拍センサにより脈拍を検出する技術が開示されている。また、特許文献６には、圧力センサを用いて脈拍をモニターする技術や赤外線センサで生体から放出される熱（体温）をモニターする技術が開示されており、特許文献７には血液の酸素濃度や脈拍等の血液情報を光学的に検出する技術が開示されている。
【０００４】
図▲１▼
特開平３−６７９１号公報
図▲２▼
特開平４−２７１４７７号公報
図▲３▼
特開平５−６１９６５号公報
図▲４▼
特開平１１−１１８４１５号公報
図▲５▼
特開２００１−１８４４９０号公報
図▲６▼
特開平６−１８７４３０号公報
図▲７▼
特開平７−３０８３０８号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
上記特許文献で開示されている光学式センサには、ローラやプリズムが用いられているため、例えば携帯用カード等にセンサ機能を搭載させるための小型・薄型化を実現することが困難である。また、指紋照合以外の本人照合手段として、脈拍を検出する場合、脈拍はパルスであるので偽造がた易いという問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、本人照合精度が高く、小型・薄型化が実現可能な光学式センサ、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の光学式センサは、シート状基板に発光素子及び受光素子が設けられた光学式センサであって、前記発光素子及び受光素子の少なくともいずれか一方は、半導体基板に形成され、且つフィルムに貼付された状態で前記半導体基板から切り離されて前記シート状基板に接合された半導体素子からなり、前記シート状基板は、前記発光素子の発光波長に対して透過性を有し、前記シート状基板の一方の面に、前記発光素子の発光波長に対して透過性を有する指紋検出装置が設けられ、前記シート状基板の他方の面に、前記指紋検出装置と対向して前記発光素子及び前記受光素子が設けられることを特徴とするものである。
【０００８】
従って、本発明では、発光素子から、例えば検知対象者の指に光を照射し、その反射光や透過光を受光素子で受光することで、検知対象者の脈波を検出することができる。脈波の形状は生存する人間固有のものであり、脈波から抽出される指標もまた、生存する人間固有のものである。この点、脈波自体でなく、その一成分である例えば脈拍等のパルスを直接検出しようとした場合、そのようなパルスは人為的に生成可能である。一方、脈波の波形を偽造することは極めて困難であり、かつ、その脈波中のいずれかの指標をも偽造することは不可能に近い。よって、本発明の一態様によれば、本人照合精度が極めて向上し、本人照合結果の信頼性が向上する。また、本発明では、同一の指より指紋と脈波とを検出することができるため、指紋及び脈波の双方を偽造することが極めて困難となるので、本人照合の信頼性がより増大する。また、本発明では、半導体素子を微小タイル形状に切り離し、フィルムにマウントしてハンドリングできるので、ハンドリングできる半導体素子のサイズを従来の実装技術のものより小さくすることが可能になり、小型且つ薄型の光学式センサを得ることができる。
【０００９】
また、本発明では、前記受光素子が化合物半導体デバイスであって、フォト・ダイオード、フォト・トランジスタ、ＭＳＭ構造素子のうちの少なくとも一つを有することが好ましい。
【００１０】
また、本発明では、前記発光素子が化合物半導体デバイスであって、面発光レーザを有することが好ましい。この場合、前記面発光レーザの出力値を検出する検出装置と、該検出装置の検出結果に基づいて前記レーザの出力を制御する制御装置とを有することが好ましい。これにより、本発明では、検知対象者に向けて出射されるレーザ光の強度を調整（抑制）することができるため、いわゆるアイセーフ対策として安全性を向上させることが可能になる。
【００１１】
また、前記面発光レーザから出射されたレーザ光を拡散させる拡散装置を有する構成も採用可能である。この場合、検知対象者に向けて出射されたレーザ光を散乱させコヒーレンシーを低下させることができるため、アイセーフ対策として安全性を向上させることが可能になる。拡散装置としては、前記レーザ光の光路に配置された光拡散板や、屈折率の異なる材質の粒子が分散された前記シート状基板や、表面に凹凸が設けられた前記シート状基板を有することが好ましい。
【００１２】
また、本発明では、前記シート状基板が前記発光素子の発光波長に対して透過性を有することが好ましい。この場合、検知対象者と対向する面と逆側に発光素子を接合することが可能になり、シート状基板を介して検知対象者の脈波を検出することができる。この構成においては、さらにシート状基板が可視光を遮光する光学特性を有することが好ましい。これにより、可視光に起因する受光性能の悪影響を排除して、脈波の検出精度を向上させることが可能になる。
【００１３】
また、本発明では、前記シート状基板に指紋検出装置が設けられることが好ましい。これにより、本発明では検知対象者の指紋情報と脈波情報とを照合することで本人照合精度を一層向上させることが可能になる。
【００１４】
一方、本発明のカード型情報記録媒体は、上記の光学式センサを有することを特徴としている。従って、本発明では本人照合精度が高く、小型・薄型化のカード型情報記録媒体を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の情報処理システムは、上記のカード型情報記録媒体と、前記カード型情報記録媒体の情報に基づいて所定の処理を行う情報処理装置とを有することを特徴としている。従って、本発明では、小型・薄型化のカード型情報記録媒体を用いた本人照合精度の高い情報処理システムを構築することが可能になる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光学式センサ、カード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムの実施の形態を、図１ないし図３２を参照して説明する。ここでは、本発明を、本人照合装置を内蔵したカード型情報記録媒体及びそれを用いた情報処理システムに適用した例を用いて説明する。
【００１７】
（カード型情報記録媒体）
例えば集積回路（ＩＣ）を含むＩＣカードとして、メモリカード、Ｉ／Ｏ（入出力回路）カード、ＩＳＯ準拠のカードなどが知られている。本実施形態は、これらのクレジットカード、キャッシュカード等として用いられる各種カードに本人照合装置を内蔵させたものである。
【００１８】
一例として、本実施形態のカード型情報記録媒体の例を、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）及び図２（Ａ）（Ｂ）に示す。図１（Ａ）に示すカードは基板１０上にメモリ１２を有し、図１（Ｂ）に示すカードはメモリ１２に加えさらにＣＰＵ１４を有し、図１（Ｃ）に示すカードはメモリ１２及びＣＰＵ１４に加えさらにＩ／Ｏ１６を有する。図２（Ａ）に示すカードは図１（Ｃ）に示すカードに表示部２０及び表示駆動部２２をさらに加えたものである。図２（Ｂ）に示すカードは図２（Ａ）に示すカードにさらに電源例えば太陽電池２４を付加したものである。この他、カードに内蔵される構成は種々変形でき、例えば図２（Ｂ）以外のカードにも電源例えば太陽電池２４を内蔵させても良い。ここで、図１（Ａ）〜図１（Ｃ）及び図２（Ａ）（Ｂ）に示すいずれのカードにも本人照合装置３０が内蔵されている。
【００１９】
（情報処理システム）
図３は、カード型情報記録媒体１００と情報処理装置１５０とから構成される情報処理システムを示している。本実施形態のカード型情報記録媒体１００のセンシング領域に、カード所有者が指を触れると、カード型情報記録媒体１００がカード所有者の指紋と脈波とを検出し、本人照合装置３０にて本人照合が実施される。この照合動作は、カード型情報記録媒体１００が電源を内蔵していれば、情報処理装置１５０から電力の供給を受けずに実施できる。カード型情報記録媒体１００が電源を内蔵していなければ、情報処理装置１５０の給電部１３２から電力の供給を受けて実施できる。
【００２０】
情報処理装置１５０は、カード型情報記録媒体１００にてカード所有者が登録された本人であると認証された後に、カード型情報記録媒体１００から、本人照合に用いた情報以外の各種情報を読み取って処理する。カード型情報記録媒体１００からの認証結果の出力形態として、カード型情報記録媒体１００が表示部２０（図２（Ａ）（Ｂ）参照）を有するのであれば、その表示部２０に「カード使用可能」などの使用許可情報を表示すればよい。情報処理装置１５０を操作するオペレータは、その表示を確認した後に情報処理を開始できる。あるいは、カード型情報記録媒体１００にて本人であると認証された後に、カード型情報記録媒体１００からパスワード等が出力されて、情報処理装置１５０に入力されるようにしても良い。こうすると、オペレータを介在させずに情報処理装置１５０での処理が開始される。情報処理装置１５０は、カード発行会社のホスト機器１２０の端末機器として機能し、カード型情報記録媒体１００からのパスワードを、ホスト機器１２０からの情報に基づいて照合する機能を有するものでも良い。
【００２１】
いずれの場合も、カード型情報記録媒体１００は真正なる本人以外は使用不能のとなるので、カードの紛失、盗難があっても、カードの盗用が防止される。しかも、指紋、脈波などの個人情報は、カード型情報記録媒体１００から外部に読み出されることがないので、個人情報の流出も防止できる。
【００２２】
図４は、カード型情報記録媒体１００に内蔵される本人照合装置３０のブロック図である。図４において、この本人照合装置３０には、カード所有者の固有情報を検出する指紋検出センサ４０と、カード所有者の脈波を検出する脈波検出センサ（光学式センサ）５０とが設けられている。これらの各センサ４０，５０の詳細については後述する。指紋検出センサ４０にカード所有者の指が接触されたことを感知して、本人照合装置３０を起動させる起動スイッチ４２を設けることもできる。特に、カード型情報記録媒体１００が電源を内蔵している場合には、起動スイッチ４２を設ける意義がある。また、本人照合装置３０には、脈波検出センサ５０にて検出された脈波を処理して、少なくとも一つの指標を抽出する指標抽出部６０が設けられている。
【００２３】
指紋検出センサ４０からの指紋情報と、指標抽出部６０からの抽出情報とは、照合部７０に入力される。この照合部７０は、比較情報記憶部８０に記憶された比較情報と検出情報とを照合するものである。比較情報記憶部８０は、指紋検出センサ４０からの指紋情報と比較される第１の比較情報が記憶される第１の比較情報記憶部８２と、指標抽出部６０からの指標と比較されると第２の比較情報が記憶される第２の比較情報記憶部８４とを有する。また、照合部７０からの照合結果に基づいて、カード所有者が真正であるからカードの使用を許可する信号、例えばパスワードを出力するパスワード出力部９０が設けられている。なお、照合部７０からの信号は、カード型情報記録媒体１００のＣＰＵ１４にも入力され、例えば図２（Ａ）（Ｂ）に示す表示部２０にカードの使用を許可する旨の表示、例えば「カード使用可能」などのメッセージの表示、あるいはその旨の点灯または点滅表示などを制御する。
【００２４】
次に、本人照合装置３０を構成する指紋検出センサ４０及び脈波検出センサ５０について説明する。図５に、これら指紋検出センサ４０及び脈波検出センサ５０の構造例を示す。この図に示す本人照合装置３０は、シート状基板としてのプラスチックシート１１の一方の面（表面）に指紋検出センサ４０が設けられ、他方の面（裏面）に脈波検出センサ５０が設けられた構成となっている。プラスチックシート１１は、後述する発光素子５１の発光波長に対して透過性を有しており、例えばポリオレフィンやポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等で形成されている。なお、シート状基板としては、上記プラスチックに限られず、ガラスやＳｉ等で形成してもよい。
【００２５】
（指紋検出センサ）
図６に指紋検出センサ４０の一例を示す。この指紋検出センサ４０は、本出願人により出願された特願２００２−５８０７１号に開示されたものと同じである。図６において、Ｍ本（Ｍは２以上の整数）の電源線２００と、Ｎ本（Ｎは２以上の整数）の出力線２０２とを有する。Ｍ本の電源線２００とＮ本の出力線２０２の各交点には静電容量検出素子２０４が設けられている。図６に示す静電容量検出素子２０４は、指が接触した時の閉回路として図示されており、指の凹凸パターンに依存して変化する可変容量ＣＦと、信号増幅素子例えば信号増幅ＭＩＳ型薄膜半導体装置（以下信号増幅用ＴＦＴと略記する）２０６とを有する。静電容量検出素子２０４に指が接触していない時には、可変容量ＣＦの接地端側はオープン状態である。なお、可変容量ＣＦについては後述する。
【００２６】
Ｍ本の電源線２００の各々は、対応する行に沿って配列されたＮ個の信号増幅用ＴＦＴ２０６のドレインＤに接続されている。また、Ｍ本の電源線２００の各々は、Ｍ個の電源用パスゲート２１０の各々を介して共通電源線２１２に接続されている。すなわち、電源用パスゲート２１０はＭＩＳ型薄膜半導体装置にて形成され、そのソースＳは電源線２００に接続され、そのドレインＤは共通電源線２１２に接続されている。電源選択回路２２０内には、上述のＭ個の電源用パスゲート２１０及び共通電源線２１２に加えて、電源用シフトレジスタ２２２が設けられている。電源用シフトレジスタ２２２の電源選択用出力線２２４に、Ｍ個の電源用パスゲート２１０の各ゲートＧが接続されている。
【００２７】
Ｎ本の出力線２０２各々は、対応する列に沿って配列されたＭ個の信号増幅用ＴＦＴ２０６のソースＳに接続されている。また、Ｎ本の出力線２０２の各々は、Ｎ個の出力信号用パスゲート２３０の各々を介して共通出力線２３２に接続されている。すなわち、出力信号用パスゲート２３０はＭＩＳ型薄膜半導体装置にて形成され、そのドレインＤは出力線２０２に接続され、そのソースＳは共通出力線２３２に接続されている。出力信号選択回路２４０内には、上述のＮ個の出力信号用パスゲート２３０及び共通出力線２３２に加えて、出力信号用シフトレジスタ２４２が設けられている。出力信号用シフトレジスタ２４２の出力選択用出力線２４４に、出力信号用パスゲート２３０のゲートＧが接続されている。
【００２８】
図７は、図６に示す静電容量検出素子２０４の断面図であり、指が接触されていない状態が図示されている。この静電容量検出素子２０４は、上述の信号増幅素子である信号増幅用ＴＦＴ２０６に加えて、信号検出素子２０８を有する。図７において、絶縁層２５０上には、ソース領域２５２Ａ、ドレイン領域２５２Ｂ及びその間のチャネル領域２５２Ｃを有する半導体膜２５２が形成されている。半導体膜２５２上にはゲート絶縁膜２５４が形成され、このゲート絶縁膜２５４を挟んでチャネル領域２５２Ｃと対向する領域にゲート電極２５６が形成されている。この半導体膜２５２、ゲート絶縁膜２５４及びゲート電極２５６で、信号増幅用ＴＦＴ２０６が構成される。なお、電源用パスゲート２１０及び出力信号用パスゲート２３０も、信号増幅用ＴＦＴ２０６と同様にして形成される。この信号用ＴＦＴ２０６は第一層間絶縁膜２６０により被われている。第一層間絶縁膜２６０上には、図６に示す出力線２０２に相当する第一配線層２６２が形成されている。この第一配線層２６２は信号用ＴＦＴ２０６のソース領域２５２Ａに接続されている。
【００２９】
第一配線層２６２は第二層間絶縁膜２６４により被われている。この第二層間絶縁膜２６４上には、図６に示す電源線２００に相当する第二配線層２６６が形成されている。この第二配線層２６６は、信号増幅用ＴＦＴ２０６のドレイン領域２５２Ｂに接続されている。なお、図７とは異なる構造として、第二配線層２６６を第一層間絶縁膜２６０上に形成し、第一配線層２６２を第二層間絶縁膜２６４上に形成してもよい。
【００３０】
第二層間絶縁膜２６４上にはさらに、容量検出電極２７０が形成され、それを被って容量検出誘電体膜２７２が形成されている。容量検出誘電体膜２７２は、指紋検出センサ４０の最表面に位置して保護膜としても機能し、この容量検出誘電体膜２７２に指が接触される。この容量検出電極２７０及び容量検出誘電体膜２７２により、信号検出素子２０８が構成される。
【００３１】
（製造工程）
本実施形態のカード型情報記録媒体１００は、図８に示すように、上述の指紋検出センサ４０を含む薄膜ディバイス４００が、柔軟性のあるプラスチックシート１１上に形成されるが、薄膜ディバイス４００を、直接にプラスチックシート１１上に形成することは困難である。そこで、指紋検出センサ４０は先ず、図８に示すように、例えば第１製造基板４３０上に形成される。その一例として、第１製造基板４３０をガラス基板とした時には、その上に形成したアモルファスシリコン層をレーザ結晶化して多結晶シリコン層とし、それにより図７に示した半導体膜２５２を形成できる。その後は、通常の薄膜半導体製造プロセスを実施することで、第１製造基板４３０上に、指紋検出センサ４０を含む薄膜ディバイス４００が形成される。
【００３２】
ここで、薄膜ディバイス４００は、その上下面の向きを維持した状態で、プラスチックシート１１に転写される必要がある。そこで、第１製造基板４３０及び薄膜ディバイス４００は一旦、第２製造基板４５０に接合され、その後第１製造基板４３０が剥離される。最後に、第２製造基板４５０及び薄膜ディバイス４００がプラスチックシート１１上に転写され、その後第２製造基板４５０が剥離される。こうして、プラスチックシート１１上に薄膜ディバイス４００が形成される。
【００３３】
このとき、指紋検出センサ４０と対向して脈波検出センサ５０を配置することができる。こうすると、指紋検出センサ４０の容量検出誘電体膜２７２に指をさせれば、その同一の指より指紋と脈波とを検出することができる。こうすると、指紋及び脈波の双方を偽造することが極めて困難となるので、本人照合の信頼性がより増大する。このように、指紋検出センサ４０と脈波検出センサ５０とを対向配置する場合には、プラスチックシート１１及び指紋検出センサ４０の構成部材が、脈波検出センサ５０からの発光波長に対して透明である（透過性を有する）必要がある。このために、図７に示す第１，第２配線層２６２，２６６及び容量検出電極２７０を透明電極（例えばＩＴＯ）にて形成すればよい。
【００３４】
なお、上記薄膜ディバイス４００をプラスチックシート１１に転写する技術の詳細は、本願出願人による転写技術（特開平１０−１２５９３１、特開平１０−１７７１８７、特開平１１−２０３６０、特開平１１−２６７３３、特開平１１−２６７３４、特開平１１−７４５３３、特開平１１−３１２８１１）に詳述されているため、ここでは簡略化した。
【００３５】
（指紋検出動作）
指紋検出は、図７に示す容量検出誘電体膜２７２に指を接触させることで実施される。このとき、指紋検出センサ４０の起動スイッチ（例えば感圧スイッチ）４２が作動し（図４参照）、カード型情報記録媒体１００内の電源が作動して、自動的に、指紋検出センサ４０に電源が供給される。あるいは、カード型情報記録媒体１００を図２の情報処理装置１５０にセットし、情報処理装置１５０の給電部１３２より電源が供給されても良い。
【００３６】
本実施形態では、図６に示すＭ本のうち選択された１本の電源線２００に電源電圧を供給し、かつ、そのときの信号を、Ｎ本のうち選択された１本の出力線２０２から検出することで、Ｍ×Ｎ個の静電容量検出素子２０４から順次信号を取り出している。指紋検出動作は大別して、（１）指紋パターンの山（凸部）が容量検出誘電体膜２７２に接触する場合と、（２）指紋パターンの谷（凹部）が容量検出誘電体膜２７２に対向する場合とがある。
【００３７】
（１）指紋パターンの山（凸部）が容量検出誘電体膜２７２に接触する場合
図９に、この場合の静電容量検出素子２０４の等価回路を示す。符号３００は人体の指紋の山に相当し、図７の容量検出電極２７０と誘電体膜２７２を挟んで対向する接地電極３００が形成されている。ここで、電源電圧Ｖｄｄは共通電源線２１２より供給される。符号Ｃ_Ｔは、信号増幅用ＴＦＴ２０６のトランジスタ容量であり、符号Ｃ_Ｄは検出電極２７０と接地電極（指）３００との間の容量である。
【００３８】
ここで、信号増幅用ＴＦＴ２０６のゲート電極長をＬ（μｍ）、ゲート電極幅をＷ（μｍ）、ゲート絶縁膜の厚みをｔｏｘ（μｍ）、ゲート絶縁膜の比誘電率をεｏｘ、真空の誘電率をεｏとする。このとき、トランジスタ容量Ｃ_Ｔは、
Ｃ_Ｔ＝εｏ・εｏｘ・Ｌ・W／ｔｏｘ
となる。
【００３９】
また、容量検出電極２７０の面瀬Ｓ（μｍ^２）、容量検出誘電体膜２７２の厚みをｔｄ（μｍ）、容量検出誘電体膜の比誘電率をεｄとする。このとき、容量Ｃ_Ｄは、
Ｃ_Ｄ＝εｏ・εｄ・Ｓ／ｔｄ
となる。
【００４０】
図９の等価回路において、信号増幅用ＴＦＴ２０６のゲートに印加される電圧Ｖ_ＧＴは、
Ｖ_ＧＴ＝Ｖｄｄ／（１＋Ｃ_Ｄ／Ｃ_Ｔ）…（１）
となる。
容量Ｃ_Ｄをトランジスタ容量Ｃ_Ｔよりも充分に大きく設定しておけば（例えばＣ_Ｄ＞１０×Ｃ_Ｔ）、（１）式の分母は無限大となり、
Ｖ_ＧＴ≒０…（２）
と近似される。
この結果、信号増幅用ＴＦＴ２０６は、そのゲートにほとんど電圧がかからないためオフ状態となる。よって、信号増幅用ＴＦＴ２０６のソース−ドレイン間に流れる電流Ｉは極めて小さくなる。この電流Ｉを測定することで、測定箇所が指紋パターンの山（凸部）であることが判定できる。
【００４１】
（２）指紋パターンの谷（凹部）が容量検出誘電体膜２７２に対向する場合
図１０に、この場合の静電容量検出素子２０４の等価回路を示す。符号３０２が人体の指紋の谷に相当する。この場合は、図９に示す容量Ｃ_Ｄに加えて、誘電体膜２７２と指紋の谷との間に、空気を誘電体とする新たな容量Ｃ_Ａが形成される。
図１０の等価回路において、信号増幅用ＴＦＴ２０６のゲートに印加される電圧Ｖ_ＧＶは、
Ｖ_ＧＶ＝Ｖｄｄ／｛［１＋（１／Ｃ_Ｔ）］×１／［（１／Ｃ_Ｄ）＋（１／Ｃ_Ａ）］｝…（３）
となる。
【００４２】
容量Ｃ_Ｄをトランジスタ容量Ｃ_Ｔよりも充分に大きく設定しておけば（例えばＣ_Ｄ＞１０×Ｃ_Ｔ）、（３）式は、
Ｖ_ＧＶ≒Ｖｄｄ／［１＋（Ｃ_Ａ／Ｃ_Ｔ）］…（４）
と近似される。
さらに、トランジスタ容量Ｃ_Ｔを、指紋の谷により形成される容量Ｃ_Ａよりも充分に大きくしておけば（例えばＣ_Ｔ＞１０×Ｃ_Ａ）、（４）式は、
Ｖ_ＧＶ≒Ｖｄｄ…（５）
と近似される。
この結果、信号増幅用ＴＦＴ２０６は、そのゲートに電源電圧Ｖｄｄがかかるためオン状態となる。よって、信号増幅用ＴＦＴ２０６のソース−ドレイン間に流れる電流Ｉは極めて大きくなる。この電流Ｉを測定することで、測定箇所が指紋パターンの谷（凹部）であることが判定できる。
【００４３】
このように、図６に示す可変容量ＣＦは、指紋の山が容量検出誘電体膜２７２に接触した時は容量Ｃ_Ｄとなり、指紋の谷が容量検出誘電体膜２７２に対向としたときは容量Ｃ_Ｄと容量Ｃ_Ａとの和となり、指紋の凹凸に従って容量が変化する。この指紋の凹凸に従った容量変化に基づく電流を検出することで、指紋の山または谷を検出できる。
以上の動作を、Ｍ×Ｎ個の静電容量検出素子２０４にて時分割で実施することで、指紋パターンを検出することが可能となる。
【００４４】
ここで、電源電圧Ｖｄｄに正電源を用いる場合には、ゲート電圧がゼロ近傍でドレイン電流が流れないエンハンスメント型Ｎ型トランジスタにて、信号増幅用ＴＦＴ２０６を形成すればよい。Ｃ_Ｄ＞１０×Ｃ_Ｔを満たす場合には、信号増幅用ＴＦＴ２０６の伝達特性におけるドレイン電流が最小値となるゲート電圧（最小ゲート電圧）をＶｍｉｎとしたとき、０＜Ｖｍｉｎ＜０．１×Ｖｄｄを満たせばよい。電源電圧Ｖｄｄに負電源を用いる場合には、ゲート電圧がゼロ近傍でドレイン電流が流れないエンハンスメント型Ｐ型トランジスタにて、信号増幅用ＴＦＴ２０６を形成すればよい。Ｃ_Ｄ＞１０×Ｃ_Ｔを満たす場合には、信号増幅用ＴＦＴ２０６の伝達特性におけるドレイン電流が最小値となるゲート電圧（最小ゲート電圧）をＶｍｉｎとしたとき、０．１×Ｖｄｄ＜Ｖｍｉｎ＜０を満たせばよい。
【００４５】
（脈波検出センサ及び指標抽出部）
脈波検出センサ５０は発光素子５１（発光ダイオード、面発光レーザ、有機ＥＬなど）と受光素子５２（フォトトランジスタ、フォトダイオード、有機フォトダイオードなど）とを用いて構成することができる（図５参照）。ここでは、発光素子５１として面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用い、受光素子５２としてフォトダイオードを用いる場合の例で説明する。
発光素子５１より放射された光は、プラスチックシート１１と指紋検出センサ４０を透過して、その上に接触している指へ進入する。指の中で光は吸収及び散乱され、その一部が指紋検出センサ４０とプラスチックシート１１とを透過して受光素子５２へ到達する。指の中での光の吸収および散乱は、脈動によって変化する血液の量におおよそ比例して変化する。従って、発光素子５１から放射する光量を一定にしておけば、受光素子５２で検知する光量の変動から脈波を求めることが可能になる。
【００４６】
発光素子からの発光波長は、血液中のヘモグロビンの吸収波長ピーク付近に選定されることが好ましい。受光レベルが血流量に応じて変化するので、脈波（例えば容積脈波）波形を検出することができる。このような発光素子としては、面発光レーザの他に、ＩｎＧａＮ系（インジウム−ガリウム−窒素系）の青色ＬＥＤなどを用いることができ、発光波長は３５０〜６００ｎｍ（ピーク波長は４５０ｎｍ付近）である。受光素子としては、例えばＧａＡｓＰ系（ガリウム−砒素−リン系）のフォトトランジスタなどを用いることができ、主要感度領域は３００〜６００ｎｍである。
この構成により、血液量の変動に対する受光レベルの変化が大きくなるため脳波の検出精度が高まる（すなわち、Ｓ／ＮのＳを高めることができる）。
一方、プラスチックシート１１に、外光（可視光）を吸収し赤外光を透過する光学特性を持たせ、発光素子の発光波長を赤外光にする構成も好適である。
この構成により、外光（可視光）は受光素子へ到達しないので、外光に起因するノイズ等の外乱を排除（遮断）することができる。すなわち、Ｓ／ＮのＮを下げることで、Ｓ／Ｎを高めて脈波の検出精度を向上させることができる。
【００４７】
発光素子５１及び受光素子５２は、共に微小タイル状素子であり、接着剤等によりプラスチックシート１１の片面に接着されている。微小タイル状素子とは、微小なタイル形状（板形状）の半導体デバイスであり、例えば、厚さ１μｍから２０μｍ、縦横の大きさ数十μｍから数百μｍの四角形板状部材である。これらの微小タイル状素子の製造方法については後で説明する。なお、微小タイル状素子の形状は四角形に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。
【００４８】
図１１（ａ）に示すように、微小タイル状素子１は、接着剤３を介してプラスチックシート１１の片面に接着されている。なお、この図においては、図５に対して上下を逆にして図示している。そして、微小タイル状素子１のデバイスと基板１１に設けられている電子回路とはメタル配線４で接続されている。接着剤３は、例えば、樹脂からなり、絶縁性及び透明性を有していることが好ましい。
【００４９】
なお、メタル配線４（及び後述するメタル配線５）は、図示しないインクジェットヘッド（液滴吐出ヘッド）から金属を含む液滴を吐出することで金属パターン等を形成する液滴吐出方式で形成することが好ましい。これにより、フォトリソグラフィ、エッチング等で金属パターンを形成する場合に比較して、構成材料の量を軽減でき、設計変更などにも容易に対応できるため、製造コストを低減することが可能になる。
【００５０】
なお、発光素子５１としては、上記図１１（ａ）に示した構成の他に、自動出力制御（ＡＰＣ：Auto Power Control）回路付きの構成を採ることも可能である。以下、半導体集積回路を用いたＡＰＣ回路付き面発光レーザ（発光素子）の構成例について図１１（ｂ）乃至図１３を参照して詳述する。図１１（ｂ）は、発光素子５１の概略断面図である。なお、この図においても、図５に対して上下を逆にして図示している。
【００５１】
この発光素子５１は、プラスチックシート１１上に微小タイル状素子１及び微小タイル状素子２とを有して構成されている。微小タイル状素子１及び微小タイル状素子２は、接着剤３を介して重ねられて貼り合わせられ、プラスチックシート１１の片側面に接着剤３で接着されている。そして、微小タイル状素子２のデバイスと基板１１に設けられている電子回路とはメタル配線５で接続されている。なお、接着剤３が絶縁性を持つものとすることで、メタル配線４、５におけるショートを確実に回避することができる。
【００５２】
次に、図１２を参照してより具体的に説明する。
すなわち、発光素子５１は、透明なプラスチックシート１１と、面発光レーザ２１が形成されている微小タイル状素子１と、フォトダイオード（検出装置）２３が形成されている微小タイル状素子２とを有して構成されている。プラスチックシート１１と微小タイル状素子１及び微小タイル状素子２とを接着する接着剤３は、透明性及び絶縁性を有している。ここで、微小タイル状素子１と微小タイル状素子２とは、互いに逆の配置にしてもよい。
【００５３】
微小タイル状素子１の面発光レーザ２１からは、プラスチックシート１１に向かってレーザ光（波長λ_０）が放射されるとともに、微小タイル状素子２に向かってもレーザ光（波長λ_０）が放射される。そして、微小タイル状素子２のフォトダイオード２３は、面発光レーザ２１の発光軸上に配置されている。したがって、微小タイル状素子２に向けて放射されたレーザ光（波長λ_０）はフォトダイオード２３に入射し、面発光レーザ２１から放射されたレーザ光（波長λ_０）の出力（発光量）がフォトダイオード２３によって検出される。プラスチックシート１１に向かって放射されたレーザ光（波長λ_０）は、脈波検出に用いられる。
【００５４】
図１３は自動出力制御回路付き面発光レーザの自動出力制御回路を示す回路図である。
微小タイル状素子１の面発光レーザ２１から放射されたレーザ光の一部は、微小タイル状素子２のフォトダイオード２３に入射する。そこで、フォトダイオード２３には面発光レーザ２１のレーザ出力に対応した電流が流れる。光モニター回路（制御装置）３１は、フォトダイオード２３を流れる電流の大きさに応じた出力制御信号をドライバ回路３２へ出力する。ここで、光モニター回路３１は、所定の基準値とフォトダイオード２３を流れる電流の大きさとを比較して、その電流が所望の一定値となるように、即ち面発光レーザ２１のレーザ出力が所望の一定値となるように、出力制御信号を生成する。この出力制御信号に応じたレーザ出力となるようにドライバ回路３２は面発光レーザ２１を駆動させる。
【００５５】
これらにより、面発光レーザ２１のレーザ出力は、周囲温度の変化及び経時変化などにかかわらず所望の一定値に保たれる。そして、光モニター回路３１及びドライバ回路３２をプラスチックシート１１、微小タイル状素子１又は微小タイル状素子２に設けることで、１つの基板に面発光レーザと自動出力制御回路（ＡＰＣ）を設けることができるので、面発光レーザ装置を大幅に小型化することが可能となるとともに、製造工程が簡素となって製造コストを低減することが可能となる。
【００５６】
次に、上記発光素子５１におけるフォトダイオード２３を有する微小タイル状素子２からの反射光（戻り光）による雑音を低減する構成例について図１４乃び図１５を参照して説明する。図１４は図１２に示す発光素子５１における微小タイル状素子２の変形例を示す概略断面図である。
微小タイル状素子２は、タイル状部材における一方面側（上面側）に設けられたフォトダイオード受光部２３ａと、フォトダイオード受光部２３ａの上面の周端部に設けられた第１電極２３ｂと、タイル状部材におけるフォトダイオード受光部２３ａと同一面に設けられた第２電極２３ｃと、タイル状部材における他方面側（下面側）に設けらた回折格子型反射層（DBR :Distributed Bragg Reflector）２３ｄとで構成されている。
【００５７】
回折格子型反射層２３ｄは、回折格子を反射器として集積したものであり、波長選択性があり、微小タイル状素子１の面発光レーザ２１から放射されたレーザ光（波長λ_０）に対する反射率が１０パーセント以下であり、そのレーザ光（波長λ_０）に対して非反射（Anti Reflection）層として作用する。したがって、微小タイル状素子２に回折格子型反射層２３ｄを設けることにより、微小タイル状素子２からのレーザ光（波長λ_０）の反射が抑えられ、雑音を低減することができる。なお、回折格子型反射層２３ｄは、タイル状部材における下面側ではなく上面側に設けてもよい。
【００５８】
図１５は図１４に示す微小タイル状素子２を改良した概略断面図である。これらの微小タイル状素子２の相違点は、回折格子型反射層２３ｅが設けられている点である。回折格子型反射層２３ｅは、フォトダイオード受光部２３ａの上面に設けられている。この構成により、微小タイル状素子２は、微小タイル状素子１から放射されたレーザ光（波長λ_０）に対して、下面のみならず上面でも反射を抑えることができ、さらに雑音を低減することができる。
【００５９】
（微小タイル状素子の製造方法）
次に、上記微小タイル状素子の製造方法について図１６乃至図２４を参照して説明する。本製造方法では、微小タイル状素子としての化合物半導体デバイス（化合物半導体素子）をシート状基板となるプラスチックシート１１上に接合する場合について説明するが、半導体デバイスの種類及びシート状基板の種類に関係なく本方法を適用することができる。なお、本実施形態における「半導体基板」とは、半導体物資から成る物体をいうが、板形状の基板に限らず、どのような形状であっても半導体物資であれば「半導体基板」に含まれる。
【００６０】
＜第１工程＞
図１６は、微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。図１６において、基板１１０は、半導体基板であり、例えばガリウム・ヒ素化合物半導体基板とする。基板１１０における最下位層には、犠牲層１１１を設けておく。犠牲層１１１は、アルミニウム・ヒ素（ＡｌＡｓ）からなり、厚さが例えば数百ｎｍの層である。
例えば、犠牲層１１１の上層には機能層１１２を設ける。機能層１１２の厚さは、例えば１μｍから１０（２０）μｍ程度とする。そして、機能層１１２において半導体デバイス（半導体素子）１１３を作成する。半導体デバイス１１３としては、例えば上述した発光ダイオード（ＬＥＤ）、面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）、フォトダイオード（ＰＤ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などが挙げられる。これらの半導体デバイス１１３は、何れも基板１１０上に多層のエピタキシャル層を積層して素子が形成されたものである。また、各半導体デバイス１１３には、電極も形成し、動作テストも行う。
【００６１】
＜第２工程＞
図１７は、微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。本工程においては、各半導体デバイス１１３を分割するように分離溝１２１を形成する。分離溝１２１は、少なくとも犠牲層１１１に到達する深さをもつ溝とする。例えば、分離溝１２１の幅及び深さともに、１０μｍから数百μｍとする。また、分離溝１２１は、後述するところの選択エッチング液が当該分離溝１２１を流れるように、行き止まりなく繋がっている溝とする。さらに、分離溝１２１は、碁盤のごとく格子状に形成することが好ましい。
また、分離溝１２１相互の間隔を数十μｍから数百μｍとすることで、分離溝１２１によって分割・形成される各半導体デバイス１１３のサイズを、数十μｍから数百μｍ四方の面積をもつものとする。分離溝１２１の形成方法としては、フォトリソグラフィとウェットエッチングによる方法、またはドライエッチングによる方法を用いる。また、クラックが基板に生じない範囲でＵ字形溝のダイシングで分離溝１２１を形成してもよい。
【００６２】
＜第３工程＞
図１８は、微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１を基板１１０の表面（半導体デバイス１１３側）に貼り付ける。中間転写フィルム１３１は、表面に粘着剤が塗られたフレキシブルな帯形状のフィルムである。
【００６３】
＜第４工程＞
図１９は、微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。本工程においては、分離溝１２１に選択エッチング液１４１を注入する。本工程では、犠牲層１１１のみを選択的にエッチングするために、選択エッチング液１４１として、アルミニウム・ヒ素に対して選択性が高い低濃度の塩酸を用いる。
【００６４】
＜第５工程＞
図２０は、微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。本工程においては、第４工程での分離溝１２１への選択エッチング液１４１の注入後、所定時間の経過により、犠牲層１１１のすべてを選択的にエッチングして基板１１０から取り除く。
【００６５】
＜第６工程＞
図２１は、微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。第５工程で犠牲層１１１が全てエッチングされると、基板１１０から機能層１１２が切り離される。そして、本工程において、中間転写フィルム１３１を基板１１０から引き離すことにより、中間転写フィルム１３１に貼り付けられている機能層１１２を基板１１０から引き離す。
これらにより、半導体デバイス１１３が形成された機能層１１２は、分離溝１２１の形成及び犠牲層１１１のエッチングによって分割されて、所定の形状（例えば、微小タイル形状）の半導体素子（上記実施形態の「微小タイル状素子」）とされ、中間転写フィルム１３１に貼り付け保持されることとなる。ここで、機能層の厚さが例えば１μｍから８μｍ、大きさ（縦横）が例えば数十μｍから数百μｍであるのが好ましい。
【００６６】
＜第７工程＞
図２２は、微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。本工程においては、（微小タイル状素子１６１が貼り付けられた）中間転写フィルム１３１を移動させることで、プラスチックシート１１の所望の位置に微小タイル状素子１６１をアライメントする。ここで、最終基板１７１の所望の位置には、微小タイル状素子１６１を接着するための接着剤１７３を塗布しておく。
【００６７】
＜第８工程＞
図２３は、微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。本工程においては、プラスチックシート１１の所望の位置にアライメントされた微小タイル状素子１６１を、中間転写フィルム１３１越しに裏押しピン１８１で押しつけてプラスチックシート１１に接合する。ここで、所望の位置には接着剤１７３が塗布されているので、そのプラスチックシート１１の所望の位置に微小タイル状素子１６１が接着される。
【００６８】
＜第９工程＞
図２４は、微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す概略断面図である。本工程においては、中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させて、微小タイル状素子１６１から中間転写フィルム１３１を剥がす。
中間転写フィルム１３１の粘着剤は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性のものにしておく。ＵＶ硬化性の粘着剤とした場合は、裏押しピン１８１を透明な材質にしておき、裏押しピン１８１の先端から紫外線（ＵＶ）を照射することで中間転写フィルム１３１の粘着力を消失させる。熱硬化性の接着剤とした場合は、裏押しピン１８１を加熱すればよい。あるいは第６工程の後で、中間転写フィルム１３１を全面紫外線照射するなどして粘着力を全面消失させておいてもよい。粘着力が消失したとはいえ実際には僅かに粘着性が残っており、微小タイル状素子１６１は非常に薄く軽いので中間転写フィルム１３１に保持される。
【００６９】
＜第１０工程＞
本工程は、図示していない。本工程においては、加熱処理などを施して、微小タイル状素子１６１をプラスチックシート１１に本接合する。
【００７０】
＜第１１工程＞
本工程においては、図１１に示すように、微小タイル状素子１６１の電極とプラスチックシート１１上の回路を配線１９１により電気的に繋ぎ、一つのＬＳＩチップなどの半導体集積回路を完成させる。なお、プラスチックシート１１上には、図５に示すように、指紋検出センサ４０、脈波検出センサ５０に接続されるドライバー、受光アンプやＣＰＵ等の素子４０ａ、５０ａを、ＴＦＴやＳｉ−ＩＣで設けることも可能である。この場合、各センサ４０、５０と各素子４０ａ、５０ａとを接続する配線を、上述したインクジェットヘッドから金属を含む液滴を吐出して形成することで、構成材料の量を軽減でき、設計変更などにも容易に対応できるため、製造コストを低減することが可能になる。また、配線１９１もインクジェット方式で形成することが好ましい。
なお、シート状基板としては、プラスチックシートのみならず、シリコン半導体、または石英基板を適用してもよい。
【００７１】
＜第１２工程＞
本工程においては、図２４に示すように上記工程によってプラスチックシート１１の上に形成された微小タイル状素子１６１の上面に、図１１に示すようにさらに微小タイル状素子を重ねて貼り付ける。この微小タイル状素子の更なる貼付は、上記第１工程から第１１工程を繰り返すことで行う。これらにより、簡易かつ迅速に、所定の基板上に複数枚の微小タイル状素子を重ねて貼り付けることができる。この後、各素子が接合されたプラスチックシート１１の表面に絶縁コーティングを施す。
【００７２】
図２５は、上記の製造方法で製造された脈波検出センサ５０にて検出された脈波の１拍分の波形を示している。図２５に示すように、この脈波には下記の特徴がある。
（１）１拍分の脈波に順次変極点Ｐ１〜Ｐ５が現われる。
（２）変極点Ｐ１〜Ｐ５は、波高ｙ１〜ｙ５を有する。
（３）脈波開始時刻ｔ０を基準として、各変極点Ｐ１〜Ｐ５が出現するまでの時間はＴ１〜Ｔ５であり、次の１拍の脈波が開始するまでの経過時間（周期）はＴ６である。
本実施形態では、このような変極点Ｐ１〜Ｐ５の波高ｙ１〜ｙ５の少なくとも一つか、あるいは時刻ｔ０から変極点Ｐ１〜Ｐ５のいずれかが生ずるまでの時間Ｔ１〜Ｔ５または周期Ｔ６の少なくとも一つを、指標抽出部６０が抽出することができる。
【００７３】
このような脈波は、生体から発せられる生体信号であり、それを処理して抽出した指標も生体独自のものである。よって、このような指標を抽出できれば、偽造された指型などをモニタしたものでなく、確かに生存するカード所有者の指をモニタしたものであることが判明する。この点、脈波自体でなく、その一成分である例えば脈拍等のパルスを直接検出しようとした場合、そのようなパルスは人為的に生成可能である。本実施形態では、人為的に偽造が困難な脈波を検出し、それを処理して抽出される指標を比較しているので、カードの盗用は確実に防止される。
【００７４】
上述した指標は、図２６に示す指標抽出部６０にて抽出できる。低域遮断フィルタ６１は、脈波検出センサ５０にて検出された脈波のうち、所定のカットオフ周波数よりも低域の周波数を遮断し、高域周波数のみを取り出す。遮断された低周波数帯域には、副交感神経系機能である例えば呼吸性の変動（例えば０．１５Ｈｚ）や、交感神経系機能である例えば筋ポンプ作用のマイヤーウェーブ（例えば０．１Ｈｚ）など、自律神経機能を反映する成分が含まれている。さらにこの低周波数帯域には、体動に伴う周波数成分も含まれている。低域遮断フィルタ６１は、心臓の拍動に基づく脈波波形を阻害する不要な低周波数帯域を除去できる。
低域遮断フィルタ６１は、低域遮断周波数を０．４〜０．５Ｈｚの範囲中の値とすることが好ましい。０．４〜０．５Ｈｚを越える周波数を遮断すると、心臓の拍動に基づく脈波波形の特徴が失われてしまうからである。
【００７５】
ＲＡＭ６２はワーキングメモリとして機能し、低域遮断フィルタ６１の出力が記憶される。微分回路６３は、低域遮断フィルタ６１の出力波形を時間微分する。微分値として０が出力された点が変極点Ｐ１〜Ｐ５となる。波高抽出部６４Ａは、ＲＡＭ６２内の波形の中から、微分回路６３からの微分値０に対応する変極点Ｐ１〜Ｐ５の波高ｙ１〜ｙ５の少なくとも一つを、指標として抽出する。時間抽出部６４Ｂは、時刻ｔ０から変極点Ｐ１〜Ｐ５に至るまでの時間Ｔ１〜Ｔ５の少なくとも一つを、指標として抽出する。なお、波高抽出部６４Ａ及び時間抽出部６４Ｂのいずれか一方のみを設けるものでも良い。
【００７６】
また、図２６に代えて、図２７に示す指標抽出部６０を用いても良い。図２７では、波高抽出部６４Ａに代えて波高比率抽出部６５Ａが、時間抽出部６４Ｂに代えて時間比率抽出部６５Ｂが設けられている。波高比率抽出部６５Ａは、波高ｙ１〜ｙ５のうちの任意の２つの波高比率、例えばｙ２／ｙ１，ｙ３／ｙ１，ｙ４／ｙ１，ｙ５／ｙ１などのうち少なくとも一つの波高比率を指標として求める。時間比率抽出部６５Ｂは、時間Ｔ１〜Ｔ６のうちの任意の２つの時間比率、例えばＴ１／Ｔ６，Ｔ２／Ｔ６，Ｔ３／Ｔ６，Ｔ４／Ｔ６，Ｔ５／Ｔ６などのうち少なくとも一つの時間比率を指標として求める。特に、時間Ｔ２あるいは時間Ｔ４は駆出時間と称されるもので、時間比率Ｔ２／Ｔ６またはＴ４／Ｔ６が生体を現す指標として好適である。なお、本来の駆出時間Ｔ２に相当するピークＰ２は個人差または同一人でも体調によって現れない場合があり、その場合にはピークＰ４が早めに現われるので、ピークＰ４に達する時間Ｔ４を駆出時間としても差し支えない。また、波高比率抽出部６５Ａ及び時間抽出部６５Ｂのいずれか一方のみを設けるものでも良い。このような比率を指標とすれば、波高そのもの、あるいは時間そのものを指標とする場合と比較して、脈波波形中の相対値が求められるので、精度が高まる。
【００７７】
図２８（Ａ）は検出された脈波の原波形、図２８（Ｂ）は図２８（Ａ）の速度波形（一次微分波形）、図２８（Ｃ）は図２８（Ａ）の加速度波形（二次微分波形）をそれぞれ示す波形図である。図２８（Ｃ）の加速度波形は、図２９に示すように、より明確な変極点ａ〜ｅを有する。そこで、加速度波形の変極点ａ〜ｅのうちの任意の２つの変極点の波高比率もまた、指標として利用することができる。
【００７８】
このような波高比率として、例えばｂ／ａ，ｃ／ａ，ｄ／ａ，ｅ／ａなどは、年齢に依存して変化する指標である。この中でも特に、波高比率ｂ／ａ，ｄ／ａが年齢依存率が顕著であるので、各種年齢のカード所有者の生体指標として好適であり、照合精度が高まる。また、これらの指標の中には男女の性別を反映するものもあり、性別チェックにも利用できる。
【００７９】
このような波高比率は、図３０に示す指標抽出部６０にて抽出可能である。図３０に示すように、脈波検出センサ５０にて検出された脈波は低域遮断フィルタ６１を通過し、一次微分回路６６で一次微分され、さらに二次微分回路６７にて二次微分され、ＲＡＭ６２に記憶される。波高比率抽出部６８は、ＲＡＭ６２に記憶された二次微分波形（図２９に示す加速度波形）から、例えば波高比率ｂ／ａを抽出する。
【００８０】
他の指標の例として、下記のものを挙げることができる。すなわち、脈波検出センサ５０の発光素子と受光素子との間の光伝達経路には、カード所有者の皮膚内の血管床が存在する。このため、脈波検出センサ５０の出力信号を増幅する必要がある。例えばＡ／Ｄ変換器のダイナミックレンジの範囲内で、ＡＧＣ（オート・ゲイン・コントロール）機能により、一定以上の振幅レベルが得られるように信号増幅することができる。ＡＧＣ機能により設定された増幅倍率は、血管年齢と同等の個人指標となり得る。
よって、この場合は、脈波検出センサ５０の出力を増幅する増幅器が、脈波を増幅処理して、そのときの増幅倍率を指標として抽出する指標抽出手段として機能する。
【００８１】
（本人照合装置での動作）
図３１は、本人照合装置３０の動作フローチャートである。本実施形態では、まず指紋検出センサ４０にて指紋情報を検出している（ステップ１）。この指紋情報の検出動作は、カード型情報記録媒体１００が電源を内蔵している場合には、図３の情報処理装置１５０とは非接続で、カード型情報記録媒体１００単体で実施してもよい。カード型情報記録媒体１００が電源を内蔵しているかいないかに拘わらず、カード型情報記録媒体１００を図３の情報処理装置１５０にセットして、情報処理装置１５０内の給電部１３２よりカード型情報記録媒体１００に電源を供給して、指紋検出を行っても良い。
【００８２】
検出された指紋情報は照合部７０に入力される。この照合部７０には、指紋情報と比較される第１の比較情報が、比較情報記憶部８０の第１の比較情報記憶部８２より入力される。そして、照合部７０にて指紋情報と第１の比較情報とが比較される。第１の比較情報は、登録された本人固有の指紋情報である。よって、カード所有者がカードに登録された本人であれば、照合部７０にて両者が一致した判断できる（ステップ２がＹＥＳ）。
【００８３】
ここで、ステップ２の判断がＮＯであれば、真正なるカード所有者が操作していないことになる。そこで、照合部７０は不一致信号を出力する。カード型情報記録媒体１００が表示部２０（図２（Ａ）（Ｂ）参照）を備えている場合には、この不一致信号は図２（Ａ）（Ｂ）に示すＣＰＵ１４に入力される。ＣＰＵ１４は、表示駆動部２２を制御して、表示部２０にカードが使用できない旨の表示、例えば「使用不能」の文字などを表示する（ステップ３）。この不一致信号はパスワード出力部９０にも入力され、パスワード出力部９０はパスワードに代えて、カード所有者が真正でないのでカードが使用不能である旨の信号を出力する（ステップ４）。これにより、カード型情報記録媒体１００の使用が禁止される。
【００８４】
また、指紋情報が不一致であると、以降の照合動作は実施されない。ここで、指紋検出は、後述の通り例えば静電容量の検出原理を用いると消費電力が少なくて済む一方で、脈波を上述の通り光学的に検出すると比較的多くの電力を消費する。よって、指紋が不一致である時には、消費電力が多い脈波検出動作を実施しないようにしている。
【００８５】
ステップ２の判断がＹＥＳであると、照合部７０からの一致信号に基づいて、脈波検出センサ５０でのセンシングが開始され、脈波が検出される（ステップ５）。次に、指標抽出部６０にて、上述した各種指標のうちの少なくとも一つが抽出される（ステップ６）。この照合部７０には、抽出された指標と、比較情報記憶部８０の第２の比較情報記憶部８４からの第２の比較情報とが入力される。そして、照合部７０にて指標と第２の比較情報とが比較される（ステップ７）。第２の比較情報は、登録された本人の脈波の指標である。よって、抽出された指標が登録された本人のものであれば、照合部７０にて両者が一致した判断できる（ステップ７がＹＥＳ）。なお、第２の比較情報は許容幅をもって記憶されており、抽出された指標がその許容幅内であれば一致と判断される。
【００８６】
このように、脈波は生体から発せられる生体信号であり、それを処理して抽出した指標も生体独自のものである。よって、このような指標が記憶情報と一致していれば、確かに生存するカード所有者の指をモニタしたものであることが判明する。また、指標によっては、登録された本人の年齢、性別などを反映するため、年齢チェック及び／または性別チェックも実施することができる。
【００８７】
ステップ７の判断がＮＯであれば、ステップ３及び／またはステップ４が実施されるので、カードの盗用が防止される。
ステップ７の判断がＹＥＳであれば、真正でかつ生存しているカード所有者が操作したことになる。そこで、照合部７０は一致信号を出力する。カード型情報記録媒体１００が表示部２０を備えている場合には、この一致信号は図２（Ａ）（Ｂ）に示すＣＰＵ１４に入力される。ＣＰＵ１４は、表示駆動部２２を制御して、表示部２０にカードが使用できる旨の表示、例えば「使用可能」の文字などを表示する（ステップ８）。この一致信号はパスワード出力部９０にも入力され、パスワード出力部９０はパスワードを出力する（ステップ９）。これにより、カード型情報記録媒体１００での照合動作が完了する。
【００８８】
（履歴情報記憶部及び情報更新部）
図４に示すように、本人照合装置３０には、指標抽出部６０にて抽出された指標の履歴情報を記憶する履歴情報記憶部１３０と、その履歴情報に基づいて、比較情報記憶部８０の第２の比較情報記憶部８２に記憶されている第２の比較情報を更新する情報更新部１４０とをさらに設けることができる。
【００８９】
脈波から抽出される指標の中には、上述した通り、年齢依存性などのように経時的に変化する指標がある。このため、常に一定の指標を第２の比較情報として記憶していると、時の経過により本人の指標とは異なるものとなってしまう。そこで、脈波検出センサ５０にて脈波を検出する度に、抽出された指標を履歴情報として履歴情報記憶部１３０に記憶させる。この履歴情報記憶部１３０には、例えば過去複数回に検出された複数の指標が履歴情報として記憶される。情報更新部１４０は、その履歴情報に基づいて、例えば過去複数回に検出された指標の移動平均を演算し、その移動平均値を第２の比較情報として更新する。こうして、指標と比較される第２の比較情報は最新の情報に更新される。よって、照合エラーを低減できる。
【００９０】
このように本実施の形態では、指紋検出センサ４０のみならず、脈波検出センサ５０により本人照合を実施しているので、より本人照合精度を高くすることができることに加えて、半導体基板から切り離された微小タイル状素子をプラスチックシート１１上に接合して脈波検出センサ５０を形成しているので、ハンドリング性が向上してプラスチックシート１１上に容易、且つ迅速に半導体素子を実装できるとともに、小型で薄型の脈波検出センサ５０及びカード型情報記録媒体を得ることが可能になる。
【００９１】
また、本実施の形態では、自動出力制御により面発光レーザの出力を制御しているので、本人照合対象である検知対象者に向けて出射されるレーザ光の強度を調整（抑制）することができるため、いわゆるアイセーフ対策として安全性を向上させることが可能になる。
【００９２】
図３２（Ａ）〜（Ｃ）は、別のアイセーフ対策を採った本発明の光学式センサの実施形態をそれぞれ示す図である。これらの図において、図１１及び図１２に示した第１の実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。なお、本実施形態では、発光素子５１のみを図示し、受光素子５２については図示を省略する。
【００９３】
図３２においては、アイセーフ対策として、発光素子５１における面発光レーザ２１から出射されたレーザ光を拡散させる拡散装置を設けている。図３２（Ａ）に示す脈波検出センサ５０では、プラスチックシート１１と面発光レーザ２１との間に拡散装置としての光拡散板５３がレーザ光の光路に位置して設けられている。この光拡散板５３としては、例えばシリカ樹脂顔料を分散させたアクリル等の透明な板体を用いることができる。
【００９４】
図３２（Ｂ）に示す脈波検出センサ５０においては、基材と屈折率の異なる材質の粒子が分散されたプラスチックシート１１が拡散装置として用いられている。また、図３２（Ｃ）に示す脈波検出センサ５０においては、レーザ光の光路上の表面に凹凸１１ａが形成されたプラスチックシート１１が拡散装置として用いられている。なお、プラスチックシート１１ではなく、上記図３２（Ａ）で示した拡散板５３の代わりに、表面に凹凸を形成した透明な板体を設置してもよい。これらの拡散装置を設けることにより、検知対象者に向けて出射されたレーザ光を散乱させコヒーレンシーを低下させることができるため、アイセーフ対策として安全性を一層向上させることが可能になる。
【００９５】
なお、上記実施の形態では、発光素子５１及び受光素子５２をプラスチックシート１１の裏面側（指紋検出センサ４０の配置面と逆側）に設ける構成としたが、同じ側（面）に設ける構成であってもよい。
【００９６】
また、上記実施の形態では、発光素子５１及び受光素子５２のいずれもを、第１〜第１２工程で形成された微小タイル状素子で構成するものとして説明したが、いずれか一方のみを微小タイル状素子で構成し、他方を他の素子で構成することも可能である。例えば、微小タイル状素子で構成された発光素子５１としては、上記面発光レーザの他に発光ダイオード（ＬＥＤ）を用いることができ、他の素子で構成された発光素子５１としては、有機ＥＬ（エレクトロ・ルミネッセンス）装置を用いることができる。有機ＥＬ装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。
【００９７】
一方、第１〜第１２工程で形成された微小タイル状素子で構成された受光素子５２としては、上記フォトダイオードの他にフォトトランジスタ、ＭＳＭ（Metal Semiconductor Metal；金属−半導体−金属）構造素子を用いることができる。ＭＳＭ構造素子は、半導体上に櫛形電極を配列した構造を有しており、例えばフォトダイオードとして用いることができる。また、他の素子で構成された受光素子５２としては、上記指紋検出センサ４０と同様の製造方法で製造される薄膜Ｓｉ−ＰＤ（フォトダイオード）、薄膜Ｓｉ−ＰＴｒ（フォトトランジスタ）、薄膜Ｓｉ−ＭＳＭ構造素子を用いることができ、これらはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ成膜）か多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ転写）で形成することが可能である。
【００９８】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、本発明の光学式センサは本人照合装置以外にも、発光素子及び受光素子を備えた各種検出装置に適用可能である。また、本発明の光学式センサは必ずしもカード型情報記録媒体に限らず、他の携帯型電子機器、設置型電子機器などに搭載しても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体の概略説明図である。
【図２】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１とは異なる本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体の概略説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体及び情報処理装置から構成される情報処理システムのブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係るカード型情報記録媒体に内蔵される本人照合装置のブロック図である。
【図５】指紋検出センサ、脈波検出センサが形成されたプラスチックシートの正面図である。
【図６】指紋検出センサの概略説明図である。
【図７】図６に示す容量検出素子の断面図である。
【図８】カード型情報記録媒体の製造工程を示す概略説明図である。
【図９】指紋の山を接触させた時の静電容量検出素子の等価回路図である。
【図１０】指紋の谷を接触させた時の静電容量検出素子の等価回路図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はそれぞれ発光素子の概略断面図である。
【図１２】発光素子の具体例を示す概略断面図である。
【図１３】面発光レーザの自動出力制御回路を示す回路図である。
【図１４】微小タイル状素子の変形例を示す概略断面図である。
【図１５】微小タイル状素子の変形例を示す概略断面図である。
【図１６】微小タイル状素子の製造方法の第１工程を示す図である。
【図１７】微小タイル状素子の製造方法の第２工程を示す図である。
【図１８】微小タイル状素子の製造方法の第３工程を示す図である。
【図１９】微小タイル状素子の製造方法の第４工程を示す図である。
【図２０】微小タイル状素子の製造方法の第５工程を示す図である。
【図２１】微小タイル状素子の製造方法の第６工程を示す図である。
【図２２】微小タイル状素子の製造方法の第７工程を示す図である。
【図２３】微小タイル状素子の製造方法の第８工程を示す図である。
【図２４】微小タイル状素子の製造方法の第９工程を示す図である。
【図２５】脈波の波形の特徴を説明するための波形図である。
【図２６】指標を抽出する指標抽出部の一例を示すブロック図である。
【図２７】指標を抽出する指標抽出部の他の例を示すブロック図である。
【図２８】（Ａ）〜（Ｃ）は検出された脈波の波形図である。
【図２９】加速度波形の特徴を説明するための概略説明図である。
【図３０】波高比率を抽出する指標抽出部のブロック図である。
【図３１】図３に示す本人照合装置の動作タイミングチャートである。
【図３２】（Ａ）〜（Ｃ）は、拡散装置を有する脈波検出センサ５０を示す図である。
【符号の説明】
１０基板、１１プラスチックシート（シート状基板、拡散装置）、１１ａ凹凸、２３フォトダイオード（検出装置）、３１光モニター回路（制御装置）、５０脈波検出センサ（光学式センサ）、５１発光素子、５２受光素子、５３光拡散板（拡散装置）、１１０半導体基板[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical sensor, a card type information recording medium, and an information processing system using the same.
[0002]
[Prior art]
A technique using a fingerprint detection sensor has been proposed for personal verification. Patent Document 1 discloses a resistance-sensitive fingerprint detection sensor, Patent Document 2 includes a photoelectric fingerprint detection sensor, Patent Document 3 includes a piezoelectric fingerprint detection sensor, and Patent Document 4 includes a capacitance fingerprint detection sensor. Each is disclosed.
[0003]
However, if relying solely on fingerprints for collation is not possible, the fingerprint can be collected even if the person is not alive. Therefore, Patent Document 5 discloses a technique for optically reading a fingerprint of a finger scanned on a reading roller and detecting a pulse by a pulse sensor provided in the vicinity thereof. Patent Document 6 discloses a technique for monitoring a pulse using a pressure sensor and a technique for monitoring heat (body temperature) emitted from a living body using an infrared sensor, and Patent Document 7 discloses an oxygen concentration in blood. And a technique for optically detecting blood information such as a pulse.
[0004]
Figure ▲ 1 ▼
JP-A-3-6791
Figure ▲ 2 ▼
JP-A-4-271477
Figure ▲ 3 ▼
JP-A-5-61965
Figure ▲ 4 ▼
JP-A-11-118415
Figure ▲ 5 ▼
JP 2001-184490 A
Fig. 6
JP-A-6-187430
Figure ▲ 7 ▼
JP 7-308308 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, the following problems exist in the conventional technology as described above.
Since the optical sensor disclosed in the above-mentioned patent document uses a roller or a prism, it is difficult to realize a reduction in size and thickness for mounting a sensor function on a portable card or the like, for example. Further, when detecting a pulse as a person verification means other than the fingerprint verification, there is a problem that the pulse is a pulse and therefore it is easy to forge.
[0006]
The present invention has been made in consideration of the above points. An optical sensor, a card-type information recording medium, and an information processing system using the optical sensor that have high personal identification accuracy and can be reduced in size and thickness. The purpose is to provide.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention employs the following configuration.
The optical sensor of the present invention is an optical sensor in which a light emitting element and a light receiving element are provided on a sheet-like substrate, and at least one of the light emitting element and the light receiving element is formed on a semiconductor substrate and is formed on a film. The sheet-like substrate is made of a semiconductor element that is separated from the semiconductor substrate and bonded to the sheet-like substrate in a state of being attached, and the sheet-like substrate has transparency to the emission wavelength of the light-emitting element, and the sheet-like substrate A fingerprint detection device having transparency to the emission wavelength of the light emitting element is provided on one surface of the light emitting element, and the light emitting element and the light receiving surface are opposed to the fingerprint detection device on the other surface of the sheet-like substrate. An element is provided.
[0008]
Therefore, in the present invention, for example, the pulse wave of the detection target person can be detected by irradiating light from the light emitting element onto, for example, the finger of the detection target person and receiving the reflected light or transmitted light with the light receiving element. The shape of the pulse wave is unique to the surviving human, and the index extracted from the pulse wave is also specific to the surviving human. In this regard, when a pulse such as a pulse, which is one component of the component, is detected directly instead of the pulse wave itself, such a pulse can be artificially generated. On the other hand, it is extremely difficult to forge the pulse wave waveform, and it is almost impossible to forge any index in the pulse wave. Therefore, according to one aspect of the present invention, the personal verification accuracy is greatly improved, and the reliability of the personal verification result is improved. Further, in the present invention, since the fingerprint and the pulse wave can be detected from the same finger, it is extremely difficult to forge both the fingerprint and the pulse wave, and the reliability of the person verification is further increased. Further, in the present invention, since the semiconductor element can be separated into a fine tile shape and mounted on a film for handling, the size of the semiconductor element that can be handled can be made smaller than that of the conventional mounting technology, and is small and thin. An optical sensor can be obtained.
[0009]
In the present invention, it is preferable that the light receiving element is a compound semiconductor device and includes at least one of a photo diode, a photo transistor, and an MSM structure element.
[0010]
In the present invention, it is preferable that the light emitting element is a compound semiconductor device and has a surface emitting laser. In this case, it is preferable to include a detection device that detects an output value of the surface emitting laser and a control device that controls the output of the laser based on a detection result of the detection device. Thereby, in this invention, since the intensity | strength of the laser beam radiate | emitted toward a detection subject can be adjusted (suppression), it becomes possible to improve safety as what is called an eye safe measure.
[0011]
A configuration having a diffusing device that diffuses laser light emitted from the surface emitting laser can also be employed. In this case, since it is possible to scatter laser light emitted toward the person to be detected and reduce coherency, it is possible to improve safety as an eye-safe measure. The diffusion device includes a light diffusing plate disposed in the optical path of the laser light, the sheet-like substrate in which particles of a material having a different refractive index are dispersed, and the sheet-like substrate having irregularities on the surface. Is preferred.
[0012]
Moreover, in this invention, it is preferable that the said sheet-like board | substrate has transparency with respect to the light emission wavelength of the said light emitting element. In this case, the light emitting element can be bonded to the opposite side of the surface facing the detection target person, and the pulse wave of the detection target person can be detected via the sheet-like substrate. In this configuration, it is preferable that the sheet-like substrate further has an optical characteristic of shielding visible light. As a result, it is possible to eliminate the adverse effect of the light receiving performance caused by visible light and improve the detection accuracy of the pulse wave.
[0013]
In the present invention, it is preferable that a fingerprint detection device is provided on the sheet-like substrate. Thereby, in this invention, it becomes possible to further improve a person's collation precision by collating fingerprint information and pulse wave information of a detection subject.
[0014]
On the other hand, a card type information recording medium of the present invention is characterized by having the above-mentioned optical sensor. Therefore, according to the present invention, it is possible to obtain a card-type information recording medium with high personal identification accuracy and reduced in size and thickness.
[0015]
An information processing system according to the present invention includes the card-type information recording medium and an information processing apparatus that performs predetermined processing based on information on the card-type information recording medium. Therefore, according to the present invention, it is possible to construct an information processing system with high personal identification accuracy using a small and thin card type information recording medium.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of an optical sensor, a card-type information recording medium, and an information processing system using the same according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, the present invention will be described using an example in which the present invention is applied to a card-type information recording medium incorporating a personal verification device and an information processing system using the same.
[0017]
(Card type information recording medium)
For example, as an IC card including an integrated circuit (IC), a memory card, an I / O (input / output circuit) card, an ISO-compliant card, and the like are known. In the present embodiment, a personal verification device is incorporated in various cards used as these credit cards, cash cards and the like.
[0018]
As an example, an example of the card type information recording medium of the present embodiment is shown in FIGS. 1 (A) to 1 (C) and FIGS. 2 (A) and 2 (B). The card shown in FIG. 1A has a memory 12 on a substrate 10, the card shown in FIG. 1B has a CPU 14 in addition to the memory 12, and the card shown in FIG. In addition to the CPU 14, it further has an I / O 16. The card shown in FIG. 2A is obtained by adding a display unit 20 and a display driving unit 22 to the card shown in FIG. The card shown in FIG. 2B is obtained by adding a power source such as a solar cell 24 to the card shown in FIG. In addition, the structure built in the card can be variously modified. For example, a power supply such as a solar battery 24 may be built in a card other than FIG. Here, the personal verification device 30 is built in any of the cards shown in FIGS. 1 (A) to 1 (C) and FIGS. 2 (A) and 2 (B).
[0019]
(Information processing system)
FIG. 3 shows an information processing system including a card type information recording medium 100 and an information processing apparatus 150. When the cardholder touches the sensing area of the card type information recording medium 100 of the present embodiment, the card type information recording medium 100 detects the cardholder's fingerprint and pulse wave, and the person verification device 30 Identity verification is performed. This verification operation can be performed without receiving power from the information processing apparatus 150 if the card-type information recording medium 100 has a built-in power supply. If the card-type information recording medium 100 does not have a built-in power supply, it can be implemented by receiving power from the power supply unit 132 of the information processing apparatus 150.
[0020]
The information processing apparatus 150 reads various information other than the information used for the personal verification from the card type information recording medium 100 after the card type information recording medium 100 is authenticated as the registered owner. To process. As an output form of the authentication result from the card type information recording medium 100, if the card type information recording medium 100 has the display unit 20 (see FIGS. 2A and 2B), the display unit 20 displays “card use”. Use permission information such as “possible” may be displayed. An operator who operates the information processing apparatus 150 can start information processing after confirming the display. Alternatively, a password or the like may be output from the card type information recording medium 100 after being authenticated by the card type information recording medium 100 and input to the information processing apparatus 150. As a result, processing in the information processing apparatus 150 is started without intervention of an operator. The information processing apparatus 150 may function as a terminal device of the host device 120 of the card issuing company, and may have a function of collating the password from the card type information recording medium 100 based on information from the host device 120.
[0021]
In any case, since the card-type information recording medium 100 cannot be used by anyone other than the genuine person, even if the card is lost or stolen, the card is prevented from being stolen. In addition, since personal information such as fingerprints and pulse waves is not read out from the card type information recording medium 100, leakage of personal information can be prevented.
[0022]
FIG. 4 is a block diagram of the personal verification device 30 built in the card type information recording medium 100. In FIG. 4, the personal verification device 30 is provided with a fingerprint detection sensor 40 for detecting cardholder's unique information and a pulse wave detection sensor (optical sensor) 50 for detecting the cardholder's pulse wave. ing. Details of these sensors 40 and 50 will be described later. An activation switch 42 that activates the person verification device 30 by sensing that the finger of the cardholder is in contact with the fingerprint detection sensor 40 may be provided. In particular, when the card type information recording medium 100 has a built-in power supply, it is meaningful to provide the start switch 42. Further, the person verification device 30 is provided with an index extraction unit 60 that processes the pulse wave detected by the pulse wave detection sensor 50 and extracts at least one index.
[0023]
Fingerprint information from the fingerprint detection sensor 40 and extraction information from the index extraction unit 60 are input to the collation unit 70. The collation unit 70 collates the comparison information stored in the comparison information storage unit 80 with the detection information. When the comparison information storage unit 80 is compared with the first comparison information storage unit 82 that stores the first comparison information to be compared with the fingerprint information from the fingerprint detection sensor 40, and the index from the index extraction unit 60. And a second comparison information storage unit 84 in which second comparison information is stored. Further, a password output unit 90 for outputting a signal for permitting use of the card, for example, a password based on the verification result from the verification unit 70 is provided. Note that the signal from the collation unit 70 is also input to the CPU 14 of the card type information recording medium 100, and for example, a display indicating that the card is permitted to be displayed on the display unit 20 shown in FIGS. Controls the display of a message such as “Card can be used” or the display of lighting or blinking to that effect.
[0024]
Next, the fingerprint detection sensor 40 and the pulse wave detection sensor 50 constituting the personal verification device 30 will be described. FIG. 5 shows structural examples of the fingerprint detection sensor 40 and the pulse wave detection sensor 50. The personal verification device 30 shown in this figure is provided with a fingerprint detection sensor 40 on one surface (front surface) of a plastic sheet 11 as a sheet-like substrate and a pulse wave detection sensor 50 on the other surface (back surface). It has a configuration. The plastic sheet 11 has transparency with respect to the emission wavelength of the light emitting element 51 described later, and is made of, for example, polyolefin, polyethylene terephthalate (PET), or the like. Note that the sheet-like substrate is not limited to the plastic, and may be formed of glass, Si, or the like.
[0025]
(Fingerprint detection sensor)
FIG. 6 shows an example of the fingerprint detection sensor 40. The fingerprint detection sensor 40 is the same as that disclosed in Japanese Patent Application No. 2002-58071 filed by the present applicant. In FIG. 6, there are M (M is an integer of 2 or more) power supply lines 200 and N (N is an integer of 2 or more) output lines 202. A capacitance detection element 204 is provided at each intersection of the M power lines 200 and the N output lines 202. The electrostatic capacitance detection element 204 shown in FIG. 6 is illustrated as a closed circuit when a finger is in contact with the variable capacitance CF that changes depending on the uneven pattern of the finger, and a signal amplification element such as a signal amplification MIS type thin film. A semiconductor device (hereinafter abbreviated as a signal amplification TFT) 206. When the finger is not in contact with the capacitance detecting element 204, the ground end side of the variable capacitor CF is in an open state. The variable capacitor CF will be described later.
[0026]
Each of the M power supply lines 200 is connected to the drains D of the N signal amplification TFTs 206 arranged along the corresponding row. Further, each of the M power supply lines 200 is connected to the common power supply line 212 via each of the M power supply pass gates 210. That is, the power supply pass gate 210 is formed of a MIS type thin film semiconductor device, its source S is connected to the power supply line 200, and its drain D is connected to the common power supply line 212. In the power supply selection circuit 220, in addition to the M power supply pass gates 210 and the common power supply line 212, a power supply shift register 222 is provided. The gates G of the M power supply pass gates 210 are connected to the power supply selection output line 224 of the power supply shift register 222.
[0027]
Each of the N output lines 202 is connected to the sources S of M signal amplification TFTs 206 arranged along a corresponding column. Each of the N output lines 202 is connected to the common output line 232 through each of the N output signal pass gates 230. That is, the output signal pass gate 230 is formed of a MIS type thin film semiconductor device, the drain D is connected to the output line 202, and the source S is connected to the common output line 232. In the output signal selection circuit 240, an output signal shift register 242 is provided in addition to the N output signal pass gates 230 and the common output line 232 described above. The gate G of the output signal pass gate 230 is connected to the output selection output line 244 of the output signal shift register 242.
[0028]
FIG. 7 is a cross-sectional view of the capacitance detection element 204 shown in FIG. 6 and illustrates a state in which a finger is not touched. The capacitance detection element 204 includes a signal detection element 208 in addition to the signal amplification TFT 206 which is the signal amplification element described above. In FIG. 7, over the insulating layer 250, a semiconductor film 252 having a source region 252A, a drain region 252B, and a channel region 252C therebetween is formed. A gate insulating film 254 is formed over the semiconductor film 252, and a gate electrode 256 is formed in a region facing the channel region 252C with the gate insulating film 254 interposed therebetween. The semiconductor film 252, the gate insulating film 254, and the gate electrode 256 constitute a signal amplification TFT 206. The power supply pass gate 210 and the output signal pass gate 230 are also formed in the same manner as the signal amplification TFT 206. The signal TFT 206 is covered with a first interlayer insulating film 260. A first wiring layer 262 corresponding to the output line 202 shown in FIG. 6 is formed on the first interlayer insulating film 260. The first wiring layer 262 is connected to the source region 252A of the signal TFT 206.
[0029]
The first wiring layer 262 is covered with a second interlayer insulating film 264. A second wiring layer 266 corresponding to the power supply line 200 shown in FIG. 6 is formed on the second interlayer insulating film 264. The second wiring layer 266 is connected to the drain region 252B of the signal amplification TFT 206. As a structure different from that in FIG. 7, the second wiring layer 266 may be formed on the first interlayer insulating film 260, and the first wiring layer 262 may be formed on the second interlayer insulating film 264.
[0030]
A capacitance detection electrode 270 is further formed on the second interlayer insulating film 264, and a capacitance detection dielectric film 272 is formed over the capacitance detection electrode 270. The capacitance detection dielectric film 272 is located on the outermost surface of the fingerprint detection sensor 40 and also functions as a protective film, and a finger is brought into contact with the capacitance detection dielectric film 272. The capacitance detection electrode 270 and the capacitance detection dielectric film 272 constitute a signal detection element 208.
[0031]
(Manufacturing process)
In the card-type information recording medium 100 of the present embodiment, as shown in FIG. 8, the thin film device 400 including the above-described fingerprint detection sensor 40 is formed on the flexible plastic sheet 11. It is difficult to form directly on the plastic sheet 11. Therefore, the fingerprint detection sensor 40 is first formed on, for example, the first manufacturing substrate 430 as shown in FIG. As an example, when the first manufacturing substrate 430 is a glass substrate, the amorphous silicon layer formed thereon is laser crystallized to form a polycrystalline silicon layer, whereby the semiconductor film 252 shown in FIG. 7 can be formed. Thereafter, the thin film device 400 including the fingerprint detection sensor 40 is formed on the first manufacturing substrate 430 by performing a normal thin film semiconductor manufacturing process.
[0032]
Here, the thin film device 400 needs to be transferred to the plastic sheet 11 while maintaining the orientation of the upper and lower surfaces thereof. Therefore, the first manufacturing substrate 430 and the thin film device 400 are once bonded to the second manufacturing substrate 450, and then the first manufacturing substrate 430 is peeled off. Finally, the second manufacturing substrate 450 and the thin film device 400 are transferred onto the plastic sheet 11, and then the second manufacturing substrate 450 is peeled off. Thus, the thin film device 400 is formed on the plastic sheet 11.
[0033]
At this time, the pulse wave detection sensor 50 can be disposed to face the fingerprint detection sensor 40. In this way, if a finger is placed on the capacitance detection dielectric film 272 of the fingerprint detection sensor 40, the fingerprint and the pulse wave can be detected from the same finger. This makes it extremely difficult to forge both the fingerprint and the pulse wave, thereby further increasing the reliability of the personal verification. As described above, when the fingerprint detection sensor 40 and the pulse wave detection sensor 50 are disposed to face each other, the plastic sheet 11 and the constituent members of the fingerprint detection sensor 40 are transparent to the emission wavelength from the pulse wave detection sensor 50. There must be (permeability). For this purpose, the first and second wiring layers 262 and 266 and the capacitance detection electrode 270 shown in FIG. 7 may be formed of a transparent electrode (for example, ITO).
[0034]
The details of the technique for transferring the thin film device 400 to the plastic sheet 11 are described in the following transfer techniques by the applicant of the present application (Japanese Patent Laid-Open Nos. 10-125931, 10-177187, 11-20360, 11-26733, Since it is described in detail in Kaihei 11-26734, JP-A-11-74533, and JP-A-11-312811), it is simplified here.
[0035]
(Fingerprint detection operation)
Fingerprint detection is performed by bringing a finger into contact with the capacitance detection dielectric film 272 shown in FIG. At this time, the activation switch (for example, pressure sensitive switch) 42 of the fingerprint detection sensor 40 is activated (see FIG. 4), the power supply in the card type information recording medium 100 is activated, and the fingerprint detection sensor 40 is automatically supplied with power. Is supplied. Alternatively, the card type information recording medium 100 may be set in the information processing apparatus 150 of FIG. 2 and power may be supplied from the power supply unit 132 of the information processing apparatus 150.
[0036]
In the present embodiment, a power supply voltage is supplied to one power supply line 200 selected from the M lines shown in FIG. 6, and the signal at that time is output from one output line 202 selected from the N lines. , The signals are sequentially taken out from the M × N capacitance detection elements 204. Fingerprint detection operations are broadly divided into (1) a case where a peak (convex portion) of a fingerprint pattern is in contact with the capacitance detection dielectric film 272, and (2) a valley (concave portion) of the fingerprint pattern is opposed to the capacitance detection dielectric film 272. There is a case to do.
[0037]
(1) When a crest (convex portion) of a fingerprint pattern contacts the capacitance detection dielectric film 272
FIG. 9 shows an equivalent circuit of the capacitance detection element 204 in this case. Reference numeral 300 corresponds to a fingerprint crest of a human body, and a ground electrode 300 is formed opposite to the capacitance detection electrode 270 of FIG. 7 with the dielectric film 272 interposed therebetween. Here, the power supply voltage Vdd is supplied from the common power supply line 212. Code C _T Is the transistor capacitance of the signal amplification TFT 206, and the symbol C _D Is a capacitance between the detection electrode 270 and the ground electrode (finger) 300.
[0038]
Here, the gate electrode length of the signal amplification TFT 206 is L (μm), the gate electrode width is W (μm), the gate insulating film thickness is tox (μm), the relative dielectric constant of the gate insulating film is εox, and the vacuum dielectric is Let εo be the rate. At this time, the transistor capacitance C _T Is
C _T = Εo · εox · L · W / tox
It becomes.
[0039]
Further, the surface S of the capacitance detection electrode 270 (μm ² ), The thickness of the capacitance detection dielectric film 272 is td (μm), and the relative dielectric constant of the capacitance detection dielectric film is εd. At this time, the capacity C _D Is
C _D = Εo · εd · S / td
It becomes.
[0040]
In the equivalent circuit of FIG. 9, the voltage V applied to the gate of the signal amplification TFT 206. _GT Is
V _GT = Vdd / (1 + C _D / C _T ) ... (1)
It becomes.
Capacity C _D Transistor capacity C _T (For example, C _D > 10 × C _T ), (1) denominator is infinite,
V _GT ≒ 0 ... (2)
Is approximated by
As a result, the signal amplification TFT 206 is turned off because almost no voltage is applied to its gate. Therefore, the current I flowing between the source and drain of the signal amplification TFT 206 is extremely small. By measuring this current I, it can be determined that the measurement location is a peak (convex portion) of the fingerprint pattern.
[0041]
(2) When the valley (concave portion) of the fingerprint pattern faces the capacitance detection dielectric film 272
FIG. 10 shows an equivalent circuit of the capacitance detection element 204 in this case. Reference numeral 302 corresponds to a valley of a human body fingerprint. In this case, the capacity C shown in FIG. _D In addition to the above, a new capacitance C using air as a dielectric between the dielectric film 272 and the valley of the fingerprint _A Is formed.
In the equivalent circuit of FIG. 10, the voltage V applied to the gate of the signal amplification TFT 206. _GV Is
V _GV = Vdd / {[1+ (1 / C _T )] × 1 / [(1 / C _D ) + (1 / C _A )]} ... (3)
It becomes.
[0042]
Capacity C _D Transistor capacity C _T (For example, C _D > 10 × C _T ), (3)
V _GV ≒ Vdd / [1+ (C _A / C _T ]] ... (4)
Is approximated by
Furthermore, transistor capacitance C _T , The capacitance C formed by the valley of the fingerprint _A (For example, C _T > 10 × C _A ), (4)
V _GV ≈ Vdd (5)
Is approximated by
As a result, the signal amplification TFT 206 is turned on because the power supply voltage Vdd is applied to its gate. Therefore, the current I flowing between the source and drain of the signal amplification TFT 206 becomes extremely large. By measuring this current I, it can be determined that the measurement location is a valley (concave portion) of the fingerprint pattern.
[0043]
As described above, the variable capacitance CF shown in FIG. 6 has the capacitance C when the crest of the fingerprint comes into contact with the capacitance detection dielectric film 272. _D When the valley of the fingerprint faces the capacitance detection dielectric film 272, the capacitance C _D And capacity C _A And the capacitance changes according to the unevenness of the fingerprint. By detecting the current based on the capacitance change according to the unevenness of the fingerprint, the peak or valley of the fingerprint can be detected.
A fingerprint pattern can be detected by performing the above operation in a time-sharing manner with the M × N capacitance detection elements 204.
[0044]
Here, when a positive power supply is used as the power supply voltage Vdd, the signal amplification TFT 206 may be formed of an enhancement type N-type transistor in which the drain current does not flow when the gate voltage is near zero. C _D > 10 × C _T In the case of satisfying the above, when the gate voltage (minimum gate voltage) at which the drain current in the transfer characteristic of the signal amplification TFT 206 becomes the minimum value is Vmin, 0 <Vmin <0.1 × Vdd may be satisfied. When a negative power supply is used for the power supply voltage Vdd, the signal amplification TFT 206 may be formed of an enhancement type P-type transistor in which the drain current does not flow when the gate voltage is near zero. C _D > 10 × C _T In the case of satisfying the above, it is only necessary to satisfy 0.1 × Vdd <Vmin <0, where Vmin is a gate voltage (minimum gate voltage) at which the drain current in the transfer characteristic of the signal amplification TFT 206 has a minimum value.
[0045]
(Pulse wave detection sensor and index extraction unit)
The pulse wave detection sensor 50 can be configured using a light emitting element 51 (light emitting diode, surface emitting laser, organic EL, etc.) and a light receiving element 52 (phototransistor, photodiode, organic photodiode, etc.) (see FIG. 5). ). Here, an example in which a surface emitting laser (VCSEL) is used as the light emitting element 51 and a photodiode is used as the light receiving element 52 will be described.
The light emitted from the light emitting element 51 passes through the plastic sheet 11 and the fingerprint detection sensor 40 and enters the finger in contact therewith. Light is absorbed and scattered in the finger, and part of the light passes through the fingerprint detection sensor 40 and the plastic sheet 11 and reaches the light receiving element 52. The absorption and scattering of light in the finger varies roughly in proportion to the amount of blood that changes due to pulsation. Therefore, if the light amount emitted from the light emitting element 51 is kept constant, the pulse wave can be obtained from the fluctuation of the light amount detected by the light receiving element 52.
[0046]
The emission wavelength from the light emitting element is preferably selected in the vicinity of the absorption wavelength peak of hemoglobin in blood. Since the light reception level changes according to the blood flow volume, a pulse wave (for example, volume pulse wave) waveform can be detected. As such a light emitting element, in addition to a surface emitting laser, an InGaN-based (indium-gallium-nitrogen-based) blue LED or the like can be used, and an emission wavelength is 350 to 600 nm (a peak wavelength is around 450 nm). . As the light receiving element, for example, a GaAsP-based (gallium-arsenic-phosphorus-based) phototransistor can be used, and the main sensitivity region is 300 to 600 nm.
With this configuration, the change in the light reception level with respect to the fluctuation of the blood volume increases, so that the detection accuracy of the electroencephalogram is increased (that is, S of S / N can be increased).
On the other hand, a configuration in which the plastic sheet 11 has an optical characteristic of absorbing external light (visible light) and transmitting infrared light, and a light emission wavelength of the light emitting element is also preferable.
With this configuration, since external light (visible light) does not reach the light receiving element, disturbances such as noise caused by external light can be eliminated (blocked). That is, by reducing N of S / N, S / N can be increased and pulse wave detection accuracy can be improved.
[0047]
Both the light emitting element 51 and the light receiving element 52 are micro tile elements, and are bonded to one side of the plastic sheet 11 with an adhesive or the like. The micro tile-shaped element is a micro tile-shaped (plate-shaped) semiconductor device, for example, a rectangular plate-shaped member having a thickness of 1 μm to 20 μm and a vertical and horizontal size of several tens μm to several hundred μm. A method for manufacturing these micro tile elements will be described later. Note that the shape of the micro tile element is not limited to a quadrangle, and may be another shape.
[0048]
As shown in FIG. 11A, the micro tile element 1 is bonded to one surface of a plastic sheet 11 with an adhesive 3. In this figure, it is shown upside down with respect to FIG. The device of the micro tile element 1 and the electronic circuit provided on the substrate 11 are connected by a metal wiring 4. The adhesive 3 is made of, for example, a resin and preferably has insulating properties and transparency.
[0049]
The metal wiring 4 (and metal wiring 5 described later) is formed by a droplet discharge method in which a metal pattern or the like is formed by discharging droplets containing metal from an inkjet head (droplet discharge head) (not shown). Is preferred. As a result, the amount of constituent materials can be reduced and design changes can be easily handled as compared with the case where a metal pattern is formed by photolithography, etching, or the like, and thus manufacturing costs can be reduced.
[0050]
In addition to the configuration shown in FIG. 11A, the light emitting element 51 may have a configuration with an automatic output control (APC) circuit. Hereinafter, a configuration example of a surface emitting laser (light emitting element) with an APC circuit using a semiconductor integrated circuit will be described in detail with reference to FIGS. FIG. 11B is a schematic cross-sectional view of the light emitting element 51. In this figure as well, FIG. 5 is shown upside down.
[0051]
The light emitting element 51 includes a micro tile element 1 and a micro tile element 2 on a plastic sheet 11. The micro tile-like element 1 and the micro tile-like element 2 are overlapped and bonded together with an adhesive 3, and are adhered to one side of the plastic sheet 11 with the adhesive 3. The device of the micro tile element 2 and the electronic circuit provided on the substrate 11 are connected by a metal wiring 5. In addition, by making the adhesive agent 3 have an insulating property, a short circuit in the metal wirings 4 and 5 can be surely avoided.
[0052]
Next, a more specific description will be given with reference to FIG.
That is, the light emitting element 51 includes the transparent plastic sheet 11, the micro tile element 1 on which the surface emitting laser 21 is formed, and the micro tile element 2 on which the photodiode (detection device) 23 is formed. Configured. The adhesive 3 that bonds the plastic sheet 11 to the micro tile-shaped element 1 and the micro tile-shaped element 2 has transparency and insulating properties. Here, the micro tile-shaped element 1 and the micro tile-shaped element 2 may be arranged opposite to each other.
[0053]
Laser light (wavelength λ) is emitted from the surface emitting laser 21 of the micro tile element 1 toward the plastic sheet 11. ₀ ) And the laser beam (wavelength λ) toward the fine tile-shaped element 2. ₀ ) Is emitted. The photodiode 23 of the micro tile element 2 is disposed on the light emitting axis of the surface emitting laser 21. Therefore, the laser light (wavelength λ) emitted toward the micro tile element 2 ₀ ) Enters the photodiode 23 and is emitted from the surface emitting laser 21 (wavelength λ). ₀ ) Output (light emission amount) is detected by the photodiode 23. Laser light (wavelength λ) emitted toward the plastic sheet 11 ₀ ) Is used for pulse wave detection.
[0054]
FIG. 13 is a circuit diagram showing an automatic output control circuit of a surface emitting laser with an automatic output control circuit.
Part of the laser light emitted from the surface emitting laser 21 of the micro tile element 1 is incident on the photodiode 23 of the micro tile element 2. Therefore, a current corresponding to the laser output of the surface emitting laser 21 flows through the photodiode 23. The optical monitor circuit (control device) 31 outputs an output control signal corresponding to the magnitude of the current flowing through the photodiode 23 to the driver circuit 32. Here, the optical monitor circuit 31 compares a predetermined reference value and the magnitude of the current flowing through the photodiode 23 so that the current becomes a desired constant value, that is, the laser output of the surface emitting laser 21 is desired. The output control signal is generated so as to be a constant value. The driver circuit 32 drives the surface emitting laser 21 so as to obtain a laser output corresponding to the output control signal.
[0055]
As a result, the laser output of the surface emitting laser 21 is maintained at a desired constant value regardless of changes in ambient temperature and changes with time. Then, by providing the optical monitor circuit 31 and the driver circuit 32 on the plastic sheet 11, the micro tile element 1 or the micro tile element 2, a surface emitting laser and an automatic output control circuit (APC) can be provided on one substrate. Therefore, the surface emitting laser device can be significantly reduced in size, and the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
[0056]
Next, a configuration example for reducing noise due to reflected light (returned light) from the micro tile-shaped element 2 having the photodiode 23 in the light emitting element 51 will be described with reference to FIGS. FIG. 14 is a schematic sectional view showing a modification of the micro tile element 2 in the light emitting element 51 shown in FIG.
The micro tile-like element 2 includes a photodiode light receiving portion 23a provided on one side (upper surface side) of the tile-shaped member, a first electrode 23b provided on a peripheral end portion of the upper surface of the photodiode light receiving portion 23a, A second electrode 23c provided on the same surface as the photodiode light receiving portion 23a in the tile-shaped member, and a diffraction grating type reflection layer (DBR: Distributed Bragg Reflector) 23d provided on the other surface side (lower surface side) of the tile-shaped member. It consists of and.
[0057]
The diffraction grating type reflection layer 23d is an integrated diffraction grating as a reflector, has wavelength selectivity, and is a laser beam (wavelength λ) emitted from the surface emitting laser 21 of the micro tile element 1. ₀ ) Is 10% or less, and the laser beam (wavelength λ) ₀ ) Acts as an anti-reflection layer. Therefore, the laser light (wavelength λ) from the micro tile element 2 is provided by providing the micro tile element 2 with the diffraction grating type reflection layer 23d. ₀ ) Is suppressed, and noise can be reduced. The diffraction grating type reflective layer 23d may be provided on the upper surface side instead of the lower surface side of the tile-shaped member.
[0058]
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view obtained by improving the micro tile element 2 shown in FIG. The difference between these micro tile elements 2 is that a diffraction grating type reflection layer 23e is provided. The diffraction grating type reflection layer 23e is provided on the upper surface of the photodiode light receiving portion 23a. With this configuration, the micro tile-like element 2 is configured so that the laser light (wavelength λ) emitted from the micro tile-like element 1 is ₀ ), Reflection can be suppressed not only on the lower surface but also on the upper surface, and noise can be further reduced.
[0059]
(Manufacturing method of micro tile element)
Next, a method for manufacturing the micro tile element will be described with reference to FIGS. In the present manufacturing method, a case where a compound semiconductor device (compound semiconductor element) as a micro tile-like element is bonded onto a plastic sheet 11 serving as a sheet-like substrate will be described, but it is related to the type of semiconductor device and the type of sheet-like substrate. The method can be applied without any problem. The “semiconductor substrate” in the present embodiment refers to an object made of a semiconductor material, but is not limited to a plate-shaped substrate, and any shape of a semiconductor material is included in the “semiconductor substrate”. .
[0060]
<First step>
FIG. 16 is a schematic cross-sectional view showing a first step of a method for manufacturing a micro tile element. In FIG. 16, a substrate 110 is a semiconductor substrate, for example, a gallium arsenide compound semiconductor substrate. A sacrificial layer 111 is provided as the lowest layer in the substrate 110. The sacrificial layer 111 is made of aluminum arsenic (AlAs) and has a thickness of, for example, several hundreds of nanometers.
For example, the functional layer 112 is provided on the sacrificial layer 111. The thickness of the functional layer 112 is, for example, about 1 μm to 10 (20) μm. Then, a semiconductor device (semiconductor element) 113 is formed in the functional layer 112. Examples of the semiconductor device 113 include the above-described light emitting diode (LED), surface emitting laser (VCSEL), photodiode (PD), high electron mobility transistor (HEMT), and heterobipolar transistor (HBT). Each of these semiconductor devices 113 is formed by laminating a plurality of epitaxial layers on the substrate 110. Each semiconductor device 113 is also provided with an electrode and an operation test is performed.
[0061]
<Second step>
FIG. 17 is a schematic cross-sectional view showing a second step of the method for manufacturing the micro tile element. In this step, the separation groove 121 is formed so as to divide each semiconductor device 113. The separation groove 121 is a groove having a depth that reaches at least the sacrificial layer 111. For example, both the width and depth of the separation groove 121 are 10 μm to several hundred μm. In addition, the separation groove 121 is a groove that is connected without a dead end so that a selective etching solution described later flows through the separation groove 121. Further, the separation grooves 121 are preferably formed in a lattice shape like a grid.
Further, by setting the interval between the separation grooves 121 to several tens μm to several hundreds μm, the size of each semiconductor device 113 divided and formed by the separation grooves 121 has an area of several tens μm to several hundreds μm square. Shall. As a method for forming the separation groove 121, a method using photolithography and wet etching, or a method using dry etching is used. Further, the separation groove 121 may be formed by dicing the U-shaped groove as long as no crack is generated in the substrate.
[0062]
<Third step>
FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a third step of the method for manufacturing the micro tile element. In this step, the intermediate transfer film 131 is attached to the surface of the substrate 110 (the semiconductor device 113 side). The intermediate transfer film 131 is a flexible band-shaped film having a surface coated with an adhesive.
[0063]
<4th process>
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view showing a fourth step in the method for manufacturing a micro tile element. In this step, a selective etching solution 141 is injected into the separation groove 121. In this step, in order to selectively etch only the sacrificial layer 111, a low concentration hydrochloric acid having high selectivity with respect to aluminum / arsenic is used as the selective etching solution 141.
[0064]
<5th process>
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view showing a fifth step of the method for manufacturing the micro tile element. In this step, all of the sacrificial layer 111 is selectively etched and removed from the substrate 110 over a predetermined time after the selective etching solution 141 is injected into the separation groove 121 in the fourth step.
[0065]
<6th process>
FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a sixth step of the method for manufacturing the micro tile element. When all of the sacrificial layer 111 is etched in the fifth step, the functional layer 112 is separated from the substrate 110. In this step, the functional layer 112 attached to the intermediate transfer film 131 is separated from the substrate 110 by separating the intermediate transfer film 131 from the substrate 110.
As a result, the functional layer 112 on which the semiconductor device 113 is formed is divided by the formation of the separation groove 121 and the etching of the sacrificial layer 111, so that a semiconductor element having a predetermined shape (for example, a micro tile shape) (see “ A small tile-like element)) and is stuck and held on the intermediate transfer film 131. Here, the thickness of the functional layer is preferably 1 μm to 8 μm, for example, and the size (vertical and horizontal) is preferably several tens μm to several hundred μm, for example.
[0066]
<Seventh step>
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing a seventh step of the method for manufacturing the micro tile element. In this step, the micro tile element 161 is aligned with a desired position of the plastic sheet 11 by moving the intermediate transfer film 131 (with the micro tile element 161 attached). Here, an adhesive 173 for adhering the micro tile-shaped element 161 is applied to a desired position of the final substrate 171.
[0067]
<Eighth process>
FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing an eighth step of the method of manufacturing the micro tile element. In this step, the micro tile-shaped element 161 aligned at a desired position of the plastic sheet 11 is pressed by the back pressing pin 181 through the intermediate transfer film 131 and joined to the plastic sheet 11. Here, since the adhesive 173 is applied to the desired position, the micro tile-shaped element 161 is adhered to the desired position of the plastic sheet 11.
[0068]
<9th process>
FIG. 24 is a schematic cross-sectional view showing a ninth step of the method for manufacturing the micro tile element. In this step, the adhesive force of the intermediate transfer film 131 is lost, and the intermediate transfer film 131 is peeled off from the micro tile-shaped element 161.
The adhesive for the intermediate transfer film 131 is UV curable or thermosetting. When the UV curable adhesive is used, the back pressing pin 181 is made of a transparent material, and the adhesive force of the intermediate transfer film 131 is lost by irradiating ultraviolet rays (UV) from the tip of the back pressing pin 181. When a thermosetting adhesive is used, the back pressing pin 181 may be heated. Alternatively, after the sixth step, the adhesive force may be completely lost by irradiating the entire surface of the intermediate transfer film 131 with ultraviolet rays. Although the adhesive force has disappeared, in reality, the adhesiveness remains slightly, and the micro tile-shaped element 161 is very thin and light and is held by the intermediate transfer film 131.
[0069]
<10th process>
This step is not shown. In this step, heat treatment or the like is performed, and the fine tile-shaped element 161 is finally bonded to the plastic sheet 11.
[0070]
<11th process>
In this step, as shown in FIG. 11, the electrodes of the micro tile element 161 and the circuit on the plastic sheet 11 are electrically connected by wiring 191 to complete a semiconductor integrated circuit such as one LSI chip. On the plastic sheet 11, as shown in FIG. 5, elements 40 a and 50 a such as a driver, a light receiving amplifier and a CPU connected to the fingerprint detection sensor 40 and the pulse wave detection sensor 50 are made of TFT or Si-IC. It is also possible to provide it. In this case, the wiring for connecting the sensors 40 and 50 and the elements 40a and 50a is formed by ejecting liquid droplets containing metal from the above-described inkjet head, thereby reducing the amount of constituent materials and changing the design. Therefore, manufacturing costs can be reduced. The wiring 191 is also preferably formed by an inkjet method.
As the sheet-like substrate, not only a plastic sheet but also a silicon semiconductor or a quartz substrate may be applied.
[0071]
<Twelfth step>
In this step, as shown in FIG. 24, the fine tile-shaped element is further laminated and pasted on the upper surface of the fine tile-shaped element 161 formed on the plastic sheet 11 by the above-described process. The further pasting of the micro tile element is performed by repeating the first to eleventh steps. Thus, a plurality of micro tile elements can be stacked and pasted on a predetermined substrate simply and quickly. Thereafter, an insulating coating is applied to the surface of the plastic sheet 11 to which each element is bonded.
[0072]
FIG. 25 shows a waveform of one pulse of the pulse wave detected by the pulse wave detection sensor 50 manufactured by the above manufacturing method. As shown in FIG. 25, this pulse wave has the following characteristics.
(1) Inflection points P1 to P5 appear sequentially in the pulse wave for one beat.
(2) Inflection points P1 to P5 have wave heights y1 to y5.
(3) With reference to the pulse wave start time t0, the time until each inflection point P1 to P5 appears is T1 to T5, and the elapsed time (cycle) until the next one pulse wave starts is T6. It is.
In the present embodiment, at least one of the wave heights y1 to y5 of the inflection points P1 to P5, or at least one of the times T1 to T5 or the period T6 from the time t0 until any of the inflection points P1 to P5 occurs. Can be extracted by the index extraction unit 60.
[0073]
Such a pulse wave is a biological signal emitted from a living body, and an index extracted by processing it is unique to the living body. Therefore, if such an index can be extracted, it is proved that it is not a monitor of a forged finger mold or the like, but a monitor of a cardholder's finger that surely survives. In this regard, when a pulse such as a pulse, which is one component of the component, is detected directly instead of the pulse wave itself, such a pulse can be artificially generated. In this embodiment, a pulse wave that is artificially difficult to counterfeit is detected, and an index extracted by processing the pulse wave is compared. Therefore, theft of the card is reliably prevented.
[0074]
The index described above can be extracted by the index extraction unit 60 shown in FIG. The low-frequency cutoff filter 61 blocks a frequency lower than a predetermined cutoff frequency from the pulse wave detected by the pulse wave detection sensor 50, and extracts only the high-frequency. In the cut-off low frequency band, autonomous changes such as parasympathetic nervous system functions such as respiratory fluctuations (for example, 0.15 Hz) and sympathetic nervous system functions such as myer waves (for example, 0.1 Hz) for muscle pump action. Contains components that reflect nerve function. Further, the low frequency band includes frequency components associated with body movement. The low-frequency cutoff filter 61 can remove an unnecessary low-frequency band that obstructs the pulse wave waveform based on the heartbeat.
The low-frequency cutoff filter 61 preferably has a low-frequency cutoff frequency in the range of 0.4 to 0.5 Hz. This is because if the frequency exceeding 0.4 to 0.5 Hz is cut off, the characteristics of the pulse wave waveform based on the heartbeat are lost.
[0075]
The RAM 62 functions as a working memory and stores the output of the low-frequency cutoff filter 61. The differentiation circuit 63 performs time differentiation on the output waveform of the low-frequency cutoff filter 61. Points at which 0 is output as differential values are inflection points P1 to P5. The wave height extraction unit 64A extracts at least one of the wave heights y1 to y5 of the inflection points P1 to P5 corresponding to the differential value 0 from the differentiation circuit 63 from the waveform in the RAM 62 as an index. The time extraction unit 64B extracts at least one of the times T1 to T5 from the time t0 to the inflection points P1 to P5 as an index. Only one of the wave height extraction unit 64A and the time extraction unit 64B may be provided.
[0076]
Moreover, it may replace with FIG. 26 and may use the parameter | index extraction part 60 shown in FIG. In FIG. 27, a wave height ratio extracting unit 65A is provided instead of the wave height extracting unit 64A, and a time ratio extracting unit 65B is provided instead of the time extracting unit 64B. The wave height ratio extraction unit 65A obtains any two wave height ratios among the wave heights y1 to y5, for example, at least one wave height ratio among y2 / y1, y3 / y1, y4 / y1, y5 / y1, and the like as an index. The time ratio extraction unit 65B calculates any two time ratios of the times T1 to T6, for example, at least one time ratio of T1 / T6, T2 / T6, T3 / T6, T4 / T6, T5 / T6, and the like. As an indicator. In particular, the time T2 or the time T4 is called an ejection time, and the time ratio T2 / T6 or T4 / T6 is suitable as an index representing the living body. It should be noted that the peak P2 corresponding to the original ejection time T2 may not appear due to individual differences or physical condition, and in this case, the peak P4 appears earlier, so the time T4 reaching the peak P4 is the ejection time. It does not matter. Further, only one of the wave height ratio extraction unit 65A and the time extraction unit 65B may be provided. If such a ratio is used as an index, the relative value in the pulse waveform can be obtained as compared with the case where the wave height itself or time itself is used as an index, so that the accuracy is improved.
[0077]
28A is the original waveform of the detected pulse wave, FIG. 28B is the velocity waveform (first derivative waveform) of FIG. 28A, and FIG. 28C is the acceleration waveform (FIG. 28A). It is a wave form diagram which shows each (secondary differential waveform). The acceleration waveform in FIG. 28C has clearer inflection points a to e as shown in FIG. Therefore, the wave height ratio of any two inflection points among the inflection points a to e of the acceleration waveform can also be used as an index.
[0078]
As such a wave height ratio, for example, b / a, c / a, d / a, e / a, and the like are indices that change depending on age. Among these, the wave height ratios b / a and d / a are particularly suitable as a biometric index for cardholders of various ages because the age-dependent rate is significant, and the collation accuracy is improved. Some of these indicators reflect the gender of men and women and can be used for gender checks.
[0079]
Such a wave height ratio can be extracted by the index extraction unit 60 shown in FIG. As shown in FIG. 30, the pulse wave detected by the pulse wave detection sensor 50 passes through the low-frequency cutoff filter 61, is first-order differentiated by the primary differentiation circuit 66, and is secondarily differentiated by the secondary differentiation circuit 67. Are stored in the RAM 62. The wave height ratio extraction unit 68 extracts, for example, the wave height ratio b / a from the secondary differential waveform (acceleration waveform shown in FIG. 29) stored in the RAM 62.
[0080]
Examples of other indicators include the following. That is, in the light transmission path between the light emitting element and the light receiving element of the pulse wave detection sensor 50, a blood vessel bed in the cardholder's skin exists. For this reason, it is necessary to amplify the output signal of the pulse wave detection sensor 50. For example, within the dynamic range of the A / D converter, the signal can be amplified by an AGC (auto gain control) function so as to obtain a certain amplitude level or more. The amplification factor set by the AGC function can be an individual index equivalent to the blood vessel age.
Therefore, in this case, the amplifier that amplifies the output of the pulse wave detection sensor 50 functions as an index extraction unit that amplifies the pulse wave and extracts the amplification factor at that time as an index.
[0081]
(Operation on the personal verification device)
FIG. 31 is an operation flowchart of the person verification device 30. In the present embodiment, fingerprint information is first detected by the fingerprint detection sensor 40 (step 1). When the card type information recording medium 100 has a built-in power supply, this fingerprint information detection operation is not connected to the information processing apparatus 150 in FIG. Good. Regardless of whether the card type information recording medium 100 has a built-in power supply or not, the card type information recording medium 100 is set in the information processing apparatus 150 of FIG. Fingerprint detection may be performed by supplying power to the recording medium 100.
[0082]
The detected fingerprint information is input to the collation unit 70. The comparison unit 70 receives first comparison information to be compared with fingerprint information from the first comparison information storage unit 82 of the comparison information storage unit 80. Then, the collation unit 70 compares the fingerprint information with the first comparison information. The first comparison information is registered fingerprint information unique to the person. Therefore, if the card owner is the person registered in the card, the collation unit 70 can determine that the two match (step 2 is YES).
[0083]
Here, if the determination in step 2 is NO, the authentic cardholder has not operated. Therefore, the matching unit 70 outputs a mismatch signal. When the card-type information recording medium 100 includes the display unit 20 (see FIGS. 2A and 2B), the mismatch signal is input to the CPU 14 shown in FIGS. The CPU 14 controls the display driving unit 22 to display a display on the display unit 20 indicating that the card cannot be used, for example, “unusable” characters (step 3). This mismatch signal is also input to the password output unit 90, and the password output unit 90 outputs a signal indicating that the card cannot be used because the cardholder is not authentic in place of the password (step 4). Thereby, the use of the card type information recording medium 100 is prohibited.
[0084]
If the fingerprint information does not match, the subsequent verification operation is not performed. Here, for fingerprint detection, as described later, for example, if the detection principle of electrostatic capacitance is used, less power is consumed. On the other hand, if pulse waves are detected optically as described above, a relatively large amount of power is consumed. Therefore, when the fingerprints do not match, the pulse wave detection operation with high power consumption is not performed.
[0085]
If the determination in step 2 is YES, sensing by the pulse wave detection sensor 50 is started based on the coincidence signal from the collation unit 70, and a pulse wave is detected (step 5). Next, the index extraction unit 60 extracts at least one of the various indexes described above (step 6). The collation unit 70 receives the extracted index and the second comparison information from the second comparison information storage unit 84 of the comparison information storage unit 80. Then, the collation unit 70 compares the index with the second comparison information (step 7). The second comparison information is an index of the registered person's pulse wave. Therefore, if the extracted index is that of the registered person, the collation unit 70 can determine that both match (step 7 is YES). Note that the second comparison information is stored with an allowable range, and if the extracted index is within the allowable range, it is determined that they match.
[0086]
Thus, a pulse wave is a biological signal emitted from a living body, and an index extracted by processing it is unique to the living body. Therefore, if such an index matches the stored information, it is proved that the finger of the cardholder who surely survives is monitored. In addition, depending on the index, an age check and / or gender check can be performed to reflect the registered person's age, sex, and the like.
[0087]
If the determination in step 7 is NO, step 3 and / or step 4 are performed, so that card theft is prevented.
If the determination in step 7 is YES, it means that the cardholder who is authentic and alive has operated. Therefore, the collation unit 70 outputs a coincidence signal. When the card type information recording medium 100 includes the display unit 20, the coincidence signal is input to the CPU 14 shown in FIGS. The CPU 14 controls the display driving unit 22 to display a display to the effect that the card can be used on the display unit 20, for example, “usable” characters (step 8). This coincidence signal is also input to the password output unit 90, and the password output unit 90 outputs the password (step 9). Thereby, the collation operation in the card type information recording medium 100 is completed.
[0088]
(History information storage unit and information update unit)
As shown in FIG. 4, the personal verification device 30 includes a history information storage unit 130 that stores the history information of the index extracted by the index extraction unit 60, and a comparison information storage unit 80 based on the history information. An information update unit 140 that updates the second comparison information stored in the second comparison information storage unit 82 can be further provided.
[0089]
Among the indexes extracted from the pulse wave, as described above, there are indexes that change with time, such as age dependency. For this reason, if a constant index is always stored as the second comparison information, it will differ from the person's index over time. Therefore, every time a pulse wave is detected by the pulse wave detection sensor 50, the extracted index is stored in the history information storage unit 130 as history information. In the history information storage unit 130, for example, a plurality of indices detected in the past a plurality of times are stored as history information. Based on the history information, the information update unit 140 calculates, for example, a moving average of the indices detected a plurality of times in the past, and updates the moving average value as second comparison information. Thus, the second comparison information compared with the index is updated to the latest information. Therefore, collation errors can be reduced.
[0090]
As described above, in the present embodiment, not only the fingerprint detection sensor 40 but also the pulse wave detection sensor 50 is used for verifying the identity, so that the accuracy of identity verification can be further increased and the semiconductor substrate is separated from the semiconductor substrate. Since the pulse wave detection sensor 50 is formed by bonding the micro tile-shaped element formed on the plastic sheet 11, the handling property is improved and the semiconductor element can be easily and quickly mounted on the plastic sheet 11. A small and thin pulse wave detection sensor 50 and a card-type information recording medium can be obtained.
[0091]
In this embodiment, since the output of the surface emitting laser is controlled by automatic output control, it is possible to adjust (suppress) the intensity of the laser beam emitted toward the detection target person who is the subject of identification. Therefore, safety can be improved as a so-called eye-safe measure.
[0092]
FIGS. 32A to 32C are diagrams each showing an embodiment of the optical sensor of the present invention in which another eye-safe measure is taken. In these drawings, the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 11 and 12 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted. In the present embodiment, only the light emitting element 51 is illustrated, and the light receiving element 52 is not illustrated.
[0093]
In FIG. 32, as an eye-safe measure, a diffusion device for diffusing laser light emitted from the surface emitting laser 21 in the light emitting element 51 is provided. In the pulse wave detection sensor 50 shown in FIG. 32A, a light diffusing plate 53 as a diffusing device is provided between the plastic sheet 11 and the surface emitting laser 21 so as to be positioned in the optical path of the laser light. As the light diffusion plate 53, for example, a transparent plate body such as acrylic in which a silica resin pigment is dispersed can be used.
[0094]
In the pulse wave detection sensor 50 shown in FIG. 32B, a plastic sheet 11 in which particles of a material having a refractive index different from that of a base material is used as a diffusion device. In addition, in the pulse wave detection sensor 50 shown in FIG. 32C, a plastic sheet 11 having irregularities 11a formed on the surface on the optical path of the laser light is used as a diffusion device. Instead of the plastic sheet 11, instead of the diffusion plate 53 shown in FIG. 32A, a transparent plate having a surface with irregularities may be installed. By providing these diffusing devices, it is possible to scatter laser light emitted toward the person to be detected and reduce coherency. Therefore, it is possible to further improve safety as an eye-safe measure.
[0095]
In the above embodiment, the light emitting element 51 and the light receiving element 52 are provided on the back side of the plastic sheet 11 (opposite to the arrangement surface of the fingerprint detection sensor 40). However, the light emitting element 51 and the light receiving element 52 are provided on the same side (surface). There may be.
[0096]
In the above embodiment, the light emitting element 51 and the light receiving element 52 are described as being configured by the micro tile-like elements formed in the first to twelfth steps, but only one of them is the micro tile. It is also possible to configure the other element with another element. For example, a light emitting diode (LED) can be used in addition to the surface emitting laser as the light emitting element 51 composed of micro tile elements, and an organic EL (light emitting element 51) composed of other elements can be used. An electroluminescence device can be used. The organic EL device has a structure in which a thin film containing a fluorescent inorganic and organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and excitons are obtained by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. It is an element that generates (exciton) and emits light by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated.
[0097]
On the other hand, as the light receiving element 52 composed of the micro tile-like elements formed in the first to twelfth steps, in addition to the photodiode, a phototransistor and an MSM (Metal Semiconductor Metal) structure element are used. Can be used. The MSM structure element has a structure in which comb-shaped electrodes are arranged on a semiconductor, and can be used as, for example, a photodiode. In addition, as the light receiving element 52 composed of other elements, a thin film Si-PD (photodiode), a thin film Si-PTr (phototransistor), and a thin film Si- manufactured by the same manufacturing method as the fingerprint detection sensor 40 are used. MSM structure elements can be used, and these can be formed of amorphous silicon (a-Si film formation) or polycrystalline silicon (p-Si transfer).
[0098]
In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention. For example, the optical sensor of the present invention can be applied to various detection devices including a light emitting element and a light receiving element in addition to the personal verification device. The optical sensor of the present invention is not necessarily limited to the card type information recording medium, and may be mounted on other portable electronic devices, installation type electronic devices, and the like.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A to 1C are schematic explanatory diagrams of a card-type information recording medium according to an embodiment of the present invention.
2A and 2B are schematic explanatory views of a card type information recording medium according to an embodiment of the present invention different from FIG.
FIG. 3 is a block diagram of an information processing system including a card type information recording medium and an information processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a block diagram of a personal verification device built in a card type information recording medium according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a front view of a plastic sheet on which a fingerprint detection sensor and a pulse wave detection sensor are formed.
FIG. 6 is a schematic explanatory diagram of a fingerprint detection sensor.
7 is a cross-sectional view of the capacitance detection element shown in FIG.
FIG. 8 is a schematic explanatory view showing a manufacturing process of a card type information recording medium.
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of a capacitance detection element when a fingerprint crest is brought into contact with it.
FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of a capacitance detection element when a valley of a fingerprint is brought into contact with it.
FIGS. 11A and 11B are schematic cross-sectional views of a light emitting element, respectively.
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view illustrating a specific example of a light-emitting element.
FIG. 13 is a circuit diagram showing an automatic output control circuit of a surface emitting laser.
FIG. 14 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of a micro tile element.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of a micro tile element.
FIG. 16 is a diagram showing a first step in a method for manufacturing a micro tile element.
FIG. 17 is a diagram showing a second step of the method of manufacturing the micro tile element.
FIG. 18 is a diagram showing a third step of the method of manufacturing the micro tile element.
FIG. 19 is a diagram showing a fourth step in the method of manufacturing a micro tile element.
FIG. 20 is a diagram showing a fifth step of the method of manufacturing a micro tile element.
FIG. 21 is a diagram showing a sixth step of the method of manufacturing the micro tile element.
FIG. 22 is a diagram showing a seventh step of the method of manufacturing a micro tile element.
FIG. 23 is a diagram showing an eighth step of the method of manufacturing the micro tile element.
FIG. 24 is a diagram showing a ninth step of the method of manufacturing a micro tile element.
FIG. 25 is a waveform diagram for explaining the characteristics of the waveform of a pulse wave.
FIG. 26 is a block diagram illustrating an example of an index extraction unit that extracts an index.
FIG. 27 is a block diagram illustrating another example of an index extraction unit that extracts an index.
28A to 28C are waveform diagrams of detected pulse waves.
FIG. 29 is a schematic explanatory diagram for explaining the characteristics of an acceleration waveform.
FIG. 30 is a block diagram of an index extraction unit that extracts a crest ratio.
FIG. 31 is an operation timing chart of the personal verification device shown in FIG. 3;
32A to 32C are diagrams showing a pulse wave detection sensor 50 having a diffusion device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Board | substrate, 11 Plastic sheet | seat (sheet-like board | substrate, diffusion apparatus), 11a unevenness | corrugation, 23 Photodiode (detection apparatus), 31 Optical monitor circuit (control apparatus), 50 Pulse wave detection sensor (optical sensor), 51 Light emitting element, 52 light receiving element, 53 light diffusion plate (diffusion device), 110 semiconductor substrate

Claims

An optical sensor in which a light emitting element and a light receiving element are provided on a sheet-like substrate,
At least one of the light-emitting element and the light-receiving element is formed of a semiconductor element that is formed on a semiconductor substrate and is separated from the semiconductor substrate in a state of being attached to a film and bonded to the sheet-like substrate.
The sheet-like substrate has transparency to the emission wavelength of the light emitting element,
On one surface of the sheet-like substrate, a fingerprint detection device having transparency to the emission wavelength of the light emitting element is provided,
The optical sensor, wherein the light emitting element and the light receiving element are provided on the other surface of the sheet-like substrate so as to face the fingerprint detection device.

The optical sensor according to claim 1,
The optical sensor is a compound semiconductor device and includes at least one of a photo diode, a photo transistor, and an MSM structure element.

The optical sensor according to claim 1 or 2,
The light emitting element is a compound semiconductor device and has a surface emitting laser.

The optical sensor according to claim 3, wherein
A detection device for detecting an output value of the surface-emitting laser;
An optical sensor comprising: a control device that controls the output of the laser based on a detection result of the detection device.

The optical sensor according to claim 3, wherein
An optical sensor comprising a diffusion device for diffusing laser light emitted from the surface emitting laser.

The optical sensor according to claim 5, wherein
The diffusing device includes a light diffusing plate disposed in an optical path of the laser light.

The optical sensor according to claim 5, wherein
The diffusion device includes the sheet-like substrate in which particles of materials having different refractive indexes are dispersed.

The optical sensor according to claim 5, wherein
The optical device is characterized in that the diffusion device includes the sheet-like substrate having an uneven surface.

The optical sensor according to any one of claims 1 to 8,
The said sheet-like board | substrate has an optical characteristic which shields visible light, The optical sensor characterized by the above-mentioned.

A card-type information recording medium comprising the optical sensor according to claim 1.

The card-type information recording medium according to claim 10,
An information processing system comprising: an information processing device that performs predetermined processing based on information of the card-type information recording medium.