JP3978507B2 - Bump inspection method and apparatus - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ワークの表面に形成されたバンプ(突起)を検査する方法及び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップの実装において、実装密度の向上、多ピンの接続を目的として、ワイヤボンディングに変わり、バンプを用いることが行われている。バンプ接続の場合には、リード線の接続に比べて実装時間の短縮が図れること、リード線の接続に比べて実装面積が小さくなること、リード線の接続に比べて信号到達時間が短縮できるという利点を有するからである。
ところで、このバンプを用いる実装においては、リードフレーム等の実装基板の対応箇所に多数のバンプを一括接着することから、バンプの表面形状、形成位置、幅、高さが適切であることが要請される。半導体集積回路の高集積化及び微細化が進んだ今日においては、尚更である。
そこで、今日、半導体ウエハや半導体チップ等の半導体基板のバンプを検査するためのバンプ検査システム又はバンプ検査装置が種々提案されている。
【0003】
【発明が解明しようとする課題】
しかしながら、半導体基板に形成されるバンプの種類としてはボールバンプ、ストレートバンプ等があり、これら種類のバンプの高さや形状を迅速かつ正確に検出できるバンプ検査方法及び装置は存在しなかった。
【0004】
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、バンプの高さや形状を迅速かつ正確に検出できるバンプ検査方法及び装置を提供することを目的としている。
【0005】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載のバンプ検査方法は、ワークの表面に形成されたバンプを検査するにあたり、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とする。
この場合の「マスク」は反射光を観測する観測光学系の焦平面位置又はその近傍に位置させることが好ましい。また、例えば、正反射成分の光情報を得るには、観測光学系の光軸の近傍部分が透光部、その周辺部分が遮光部であるマスクが使用され、一方、反射成分の光情報を得るには、観測光学系の光軸の近傍部分が遮光部、その周辺部分が透光部であるマスクが使用される。さらに、スリット光の照射によりバンプ高さ又は形状を検出するには、例えば周知の光切断法が使用される。なお、この場合、各バンプに対して一条のスリット光を照射してもよいが、互いに平行な二条以上のスリット光を照射するようにしてもよい。さらに、バンプ全てにスリット光を一度に照射するようにしてもよい。
なお、「設計上でのバンプ位置」とは、バンプをワークに形成する際の設計において定められたバンプ位置を言う。
また、バンプ位置を検出したり、バンプ高さ又は形状を検出するための照射パターンの形成はデジタルミラーデバイスや透明液晶を使用することが好ましい。
【0006】
このようなバンプ検査方法によれば、ワークの表面に照射し、そこで反射した光のうちの正反射成分又は乱反射成分から実際のバンプ位置を検出し、そのバンプ位置を基準にスリット光を照射しているので、バンプ高さ又は形状を正確に検出することができる。また、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にない場合にはバンプ不良とすることもできる。一方、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にある場合や、実際のバンプ位置と設計上でのバンプ位置とのずれが許容範囲内にはないが、バンプ形成プロセスの解析のために必要な場合には、実際のバンプ位置にてバンプ高さや形状を検出することができる。
【0007】
請求項2記載のバンプ検査方法は、請求項1記載のバンプ検査方法において、前記バンプが、上部が球状のバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該バンプの寸法よりも小さくし、正反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする。「上部が球状のバンプ」とは、特に限定はされないが、ボールバンプやマッシュルームバンプ等を言う。
【0008】
このバンプ検査方法によれば、ワークの表面にその法線方向から光を照射すると、上部が球状のバンプの場合には、反射光のうちの正反射成分は当該バンプの頂部で反射したものとなるので、主に正反射成分の光情報を得ることにより、実際のバンプ位置を正確に検出することができる。
なお、上部が球状のバンプの場合に、光のビーム寸法をバンプの寸法よりも大きくすると、バンプの頂部からの正反射成分の光情報のみならず、ワークの表面からの正反射成分の光情報までが検出されるので、画像処理が煩雑となる。
【0009】
請求項3記載のバンプ検査方法は、請求項1記載のバンプ検査方法において、前記バンプがストレートバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該ストレートバンプの寸法よりも大きくし、乱反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする。「ストレートバンプ」とは、例えば金バンプのように表面が平らではあるが、ワーク表面よりも粗面となっているバンプを言う。この場合の「光のビーム寸法」はバンプ位置ずれの許容範囲を考慮して定めることが好ましい。例えば、バンプ位置ずれの許容範囲を超えた場合には、バンプの頂部からの正反射成分が検出できないようなビーム寸法としておけば、容易に、バンプ不良かどうかを判定することができる。
【0010】
このバンプ検査方法によれば、ワークの表面にその法線方向から光を照射すると、ストレートバンプの場合には、反射光のうちの乱反射成分は当該バンプの上面で反射したものとなるので、主に乱反射成分の光情報を得ることにより、実際のバンプ位置を正確に検出することができる。ちなみに、ワークの表面で反射した光は、ワークが半導体ウェーハの場合に正反射成分となる。
【0011】
請求項4記載のバンプ検査装置は、ワークの表面に形成されたバンプを検査するバンプ検査装置において、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とする。この場合、各バンプに対して一条のスリット光を照射してもよいが、互いに平行な二条以上のスリット光を照射するような構成としてもよい。さらに、バンプ全て(あるいはバンプ不良のものを除いたバンプ全て)にスリット光を一度に照射するようにしてもよい。
【0012】
このようなバンプ検査装置によれば、ワークの表面に照射し、そこで反射した光のうちの正反射成分又は乱反射成分から実際のバンプ位置を検出し、そのバンプ位置を基準にスリット光を照射しているので、バンプ高さ又は形状を正確に検出することができる。
【0013】
請求項5記載のバンプ検査装置は、請求項4記載のバンプ検査装置において、照射パターンを空間光変調器によって形成するように構成されていることを特徴とする。ここで「空間光変調器」としては、例えばデジタルミラーデバイスや透明液晶が考えられる。
【0014】
この空間光変調器を使用することにより、照射パターンを簡単に変更することが可能となる。
【0015】
請求項6記載のバンプ検査装置は、請求項5記載のバンプ検査装置において、前記スリット光を照射する光学系がシャインプルーフ光学系を構成していることを特徴とする。
【0016】
光学系をシャインプルーフ光学系とすることで、ワークの表面全体で焦点を合わせることが可能となり、より正確に、バンプ高さ及び形状を検出することができる。
【0017】
なお、前記バンプ検査方法又は装置においてスリット光を照射するにあたり、ワークの表面に対して斜め方向から幅広又は幅狭のスリット光を選択的に照射することも可能である。この場合、幅広のスリット光の幅をバンプの幅又は直径よりも大きくなるように設定し、幅狭のスリット光の幅をバンプの幅又は直径よりも小さくなるように設定することが好ましい。さらに、幅狭のスリット光の場合、平行な複数のスリット光を同一のバンプに当てることが好ましい。このようにすることで、同一のバンプの複数箇所を同時に検査できるので、検査時間の短縮と精度の向上が図れる。
【0018】
このような構成では、バンプの種類に応じてワークの表面に幅広又は幅狭のスリット光を照射するようにする。この場合、幅広のスリット光を当てた場合、バンプの影が形成される。この影の長さ等を計測することにより、バンプ高さを計測することができる。この幅広のスリット光は特に制限はされないがボールバンプを検査する場合に特に有効である。
一方、幅狭のスリット光をバンプ配列部分に当てた場合、バンプ上面に対応する明部とベース面に対応する明部とでは位置がずれることになる。この位置ずれ量はバンプ高さを反映している。この幅狭のスリット光は特に制限はされないがストレートバンプを検査する場合に特に有効である。
【0019】
また、前記バンプ検査方法又は装置においては、ワークのバンプ配列方向に沿って延びるスリット光を照射することが好ましい。このようにすることで、配列された複数のバンプを同時に検査することができる。
【0020】
さらに、前記バンプ検査方法又は装置においては、スリット光の反射光を観測する観測光学系は受光部としてラインセンサを含んで構成されていることが好ましい。この場合ラインセンサの延在方向はスリット光の延在方向と直交する方向となっていて、ラインセンサをスリット光の延在方向に移動させてバンプの検査をすることが好ましい。このバンプ検査装置によれば、ラインセンサ(1次元センサ)によって受光しているので、2次元センサを用いる場合に比べて迅速に検査が行えることになる。
【0021】
【発明の実施の形態】
1.バンプ測定装置の構成
本発明に係るバンプ測定装置は、図1〜図3に示すように、任意の投射パターンを保持可能なDMD(デジタルミラーデバイス)100と、DMD100を照明するDMD照明光学系200と、被検面500上のバンプ位置を測定するためのバンプ位置測定用光学系300と、バンプ高さを測定するためのバンプ高さ測定用光学系400とを備えている。この場合のDMD100とDMD照明用光学系200は、バンプ位置を求めるバンプ位置検出装置と、バンプ高さを求める装置とで兼用することもできる。この場合には、例えば、DMD100全体の角度を変えるなりして、バンプ位置を求める場合と、バンプ高さを求める場合とで、バンプ位置測定用光学系300と、バンプ高さ光学系400との切換えができるような構成とすればよい。
【0022】
2.DMD100の構成
図1〜図3に示すDMD100は、2次元的に配列した各ピクセルが微小なミラーから構成され、各ピクセル毎にメモリ素子による静電界作用によって微小ミラーの傾きが制御可能で、微小ミラーの光の反射角度を変化させることによってオン/オフ状態を作る反射形表示素子であり、任意の投射パターンを保持可能となっている。
【0023】
3.DMD照明用光学系200の構成
図1に示すDMD照明用光学系200は、ランプ201、反射鏡202、集光レンズ203、インテグレータロッド204及びコンデンサレンズ205を備えている。
ランプ201としては、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ等が使用される。反射鏡202としては、楕円反射鏡が使用され、この楕円反射鏡の一つの焦点にランプ201が設けられる。ランプ201からの光はこの反射鏡202によって反射されて平行光となる。集光レンズ203は反射鏡202からの光を集光させてインテグレータロッド204に導く。インテグレータロッド204は光束を平均化させる。コンデンサレンズ205はインテグレータロッド204からの光を平行光とする。この平行光によってDMD100を照明する。
【0024】
4.バンプ位置測定用光学系300の構成
図4に示すバンプ位置測定用光学系300は、投影レンズ301、結像レンズ302、対物レンズ303、ハーフミラー304、結像レンズ305、全反射ミラー306、結像レンズ307、マスク308、結像レンズ309及びCCD310を備えている。
投影レンズ301はDMD100を光を平行光にして投影するものであり、結像レンズ302は投影レンズ301からの光を結像させるためのものである。また、対物レンズ303は結像レンズ302からの光を平行光にして被検面500に照射すると共に、被検面500で反射した光を結像するものであり、ハーフミラー304は対物レンズ303からの光を照射光と分岐するものである。さらに、結像レンズ305はハーフミラー304からの光を受光するもので、全反射ミラー306は結像レンズ305からの光の向きを偏向するものである。また、結像レンズ307は全反射ミラー306からの光を結像させるためのものであり、マスク308は結像レンズ307からの光の一部を遮断するためのもので結像レンズ307の焦点位置(絞り面)に設けられる。さらに、結像レンズ309はマスク308からの光を平行光にするためのもので、CCD310は結像レンズ309からの光を受光して電気信号に変換するものである。CCD310は2次元センサとして構成されていることが好ましい。
【0025】
5.マスク308の構成
マスク308としては、図4に示すように、ボールバンプ用マスク308aとストレートバンプ用マスク308bが使用される。ボールバンプ用マスク308aは中心が透光部で周辺が遮光部となっていて、被検面500での乱反射成分を遮断する。一方、ストレートバンプ用マスク308bは中心が遮光部で周辺が透光部となっていて、被検面500での正反射成分を遮断する。この場合、ボールバンプ用マスク308aとストレートバンプ用マスク308bとの2種のマスクを用意し、これらを必要に応じて切り換えて使用してもよいが、透明液晶板によってマスクパターンを変えることによりボールバンプ用マスク308aとストレートバンプ用マスク308bとを構成してもよい。
なお、マッシュルームバンプ用マスクの場合はボールバンプ用マスクと同じ構成とすればよい。
【0026】
6 バンプ位置測定原理
(1)ボールバンプの場合
図5(a)に示すように、ボールバンプ600は上部が球状となっているため、ワーク(例えば半導体ウェーハ)の被検面500に対してその法線方向から光を当てるとその頂部に当たった光は正反射し、その他の場所に当たった光は乱反射する。したがって、ボールバンプ600に照射され、そこで反射した光のうち正反射成分のみを観測すれば、ボールバンプ600の頂部位置ひいてはバンプ位置が検出できることになる。この場合、ボールバンプ600の大きさ(径乃至は寸法)よりも小さい光束(スポット光)をボールバンプ600に当てることが好ましい。ボールバンプ600が形成されている被検面500の表面は平面であり、比較的に平滑なので、その平面に当たった光が正反射成分として同時に検出されるのを防止するためである。
マッシュルームバンプの場合も同様である。
【0027】
(2)ストレートバンプの場合
図5(b)に示すように、ストレートバンプ700の上面はほぼ平面ではあるがその上面は荒れている(粗度が高い)ため、その上面に当たった光は乱反射成分する。一方、被検面500の表面からの反射光は正反射成分となるので、その境界を検出することでバンプ位置が検出できることになる。この場合は、ストレートバンプ700の大きさ(寸法)よりも大きい光束(エリア光)をストレートバンプ700に当てることが好ましい。
【0028】
7.バンプ高さ測定用光学系400の構成
図3に示すバンプ高さ測定用光学系400は、投影レンズ401、対物レンズ402、結像レンズ403及びCCD404を備えている。
投影レンズ401はDMD100からの光を平行光にして被検面500に照射するものである。DMD100、投影レンズ401及び被検面500はシャインプルーフ光学系を構成する。シャインプルーフ光学系としたのは、DMD100の各部から被検面500の対応位置までの光路長を合わせるためである。対物レンズ402は被検面500からの光を結像するものであり、結像レンズ403は対物レンズ402からの光を受光するものである。また、CCD404は結像レンズ403からの光を受光して電気信号に変換するものである。この場合のCCD404はラインセンサとして構成することが好ましい。なお、対物レンズ402と結像レンズ403との間の絞り位置には絞り405が設けられ、これらは両側テレセントリック光学系を構成している。そして、このテレセントリック光学系においては開口角を狭くし、これにより焦点深度を深くしている。
【0029】
8.バンプの高さ測定原理の一例
バンプ位置測定用光学系300で得られたバンプ位置データに基づき被検面500上に形成されているバンプの配列ピッチをコンピュータによる画像処理によって求める。
【0030】
次いで、バンプの種類に応じて幅広のスリット光にするか、幅狭のスリット光にするかを選択する。具体的にはバンプの種類がボールバンプ又はマッシュルームバンプの場合には幅広のスリット光を選択し、その他の場合、つまりバンプの種類がストレートバンプの場合には幅狭のスリット光を選択する。また、バンプの配列ピッチが既に求められているので、その配列ピッチから1次元センサ(ラインセンサ:CCD404によって構成されている。)の走査スピードをコンピュータによって演算する。
【0031】
そして、この場合、幅広のスリット光を選択した場合には、DMD100の制御によりバンプの径の2倍程度の幅広のスリット光を図6に示すように入射角θ(例えば45°)をもって被検面500に照射してバンプ高さ測定用光学系400で反射角θ(例えば45°)をもって被検面500の光像を取り込む。この際に1次元センサをスリット光の延在方向に移動させる。
【0032】
このときの様子が図6及び図7に示されている。ただし、図6及び図7は説明の便宜上ストレートバンプを例に示してある。このときにはバンプ600に当たった光によってバンプ600の影ができる。この影の長さからコンピュータによってバンプの高さを求める。なお、バンプがボールバンプ700の場合には、バンプ700に当たった光によってバンプ700の影ができる一方で、バンプ700の頂点が輝点となるので、影の長さ及び輝点の位置からコンピュータによってバンプの高さを求めることができる。
【0033】
なお、図7(a)はバンプの図7(b)のA−A線に沿う断面図を示し、山の部分はバンプ、谷の部分は被検面500のベース面を示している。
【0034】
一方、幅狭のスリット光を選択した場合には、DMD100の制御によりバンプ600の径の4分の1程度の幅狭の光を図8に示すように入射角θ(例えば45°)をもって被検面500に照射し、バンプ高さ測定用光学系400で反射角θ(例えば45°)をもって被検面500の光像を取り込む。この際に1次元センサ32をスリット光の延在方向に移動させる。
【0035】
このときの様子が図8及び図9に示されている。ただし、図8及び図9は説明の便宜上ストレートバンプ600を例に示してある。このときには図8及び図9(b)に示すように、スリット光のうちバンプ600に当たった部分と被検面500の表面(ベース)に当たった部分とで光像(明部)に位置ずれができ、この位置ずれ量はバンプ高さを反映している。したがって、光像の位置ずれ量を計測することによって、バンプ高さを求めることができる。
【0036】
なお、図9(a)はバンプの図9(b)のA−A線に沿う断面図を示し、谷の部分は被検面500の表面を示している。
【0037】
9.バンプの検査プロセスの一例
(1)ボールバンプの場合
まず、設計上でのバンプ位置データをコンピュータに読み込む(S1)。バンプ位置データに基づいて被検面500の設計上でのバンプ位置にスポット光を照射する(S2)。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてDMD100のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面500からの反射光のうち正反射成分の光情報から実際のバンプ位置をコンピュータの処理装置にて求める。次いで、設計上のバンプ位置と実際のバンプ位置とのずれ量をコンピュータの処理装置にて演算してバンプの良、不良を判定する。バンプ不良が発見された場合、ワーク全体を不良とし、そのワークについてバンプ高さの検出を止めてもよいが、良バンプのみの高さを測定してもよい。この場合には、良バンプのバンプ位置データに基づいて被検面500の良バンプにスリット光を照射する。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてDMD100のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面500からの反射光である光情報からコンピュータの処理装置にてバンプ高さを演算する。
一方、不良バンプのバンプ高さをも検出する場合には、不良バンプの実際のバンプ位置データに基づいて被検面500の不良バンプにスリット光を照射する。この場合のスポット光の照射パターンはコンピュータの処理装置にてDMD100のミラーを制御することによって形成される。そして、被検面500からの反射光である光情報からコンピュータの処理装置にてバンプ高さを演算する。
なお、ボールバンプではなくてマッシュルームバンプの場合にも同様にしてバンプ検査を行う。
【0038】
(2)ストレートバンプの場合
ストレートバンプの場合も、スポット光の代わりにエリア光が照射される点を除いて、ほぼ同様なプロセスでバンプ検査が行われる。
【0039】
9.バンプ検査システムの一例の構成
図10には、前記バンプ測定装置が組み込まれたバンプ検査システムが示されている。
このバンプ検査システムは、バンプ位置測定装置800とバンプ高さ測定装置900とを備えている。このバンプ検査システムにおいては、バンプ位置測定装置800及びバンプ高さ測定用光学系900のDMD100はDMDコントローラ2100、2200を介してホストコンピュータ1000によって制御されるようになっている。また、CCD310、404はCCDコントローラ1100、1200を介して画像処理ユニット1300に接続され、画像処理ユニット1300はホストコンピュータ1000に接続されている。同図において、符号1400はXYθステージであり、XYθステージコントローラ1500を介してホストコンピュータ1000に接続されている。また、符号1600はXZステージであり、XZステージコントローラ1700を介してホストコンピュータ1000に接続されている。また、符号1800はモニタであり、符号1900はCRTである。
【0040】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、かかる実施形態に限定されるものでなく、その要旨を変更しない範囲で、種々の変形が可能であることはいうまでもない。
【0041】
【発明の効果】
本発明の代表的なものの効果を説明すれば、バンプ位置を求めて、その後にバンプ高さを求めているので、バンプ高さを正確に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態に係るDMD照明用光学系の構成図である。
【図2】実施形態に係るバンプ位置測定用光学系の構成図である。
【図3】実施形態に係るバンプ高さ測定用光学系の構成図である。
【図4】実施形態に係るマスクの構成図である。
【図5】実施形態に係るバンプ位置測定原理を示す図である。
【図6】幅広のスリット光を当てた場合の作用を示す図である。
【図7】幅広のスリット光を当てた場合のバンプの影の出方を説明するための図である。
【図8】幅狭のスリット光を当てた場合の作用を示す図である。
【図9】幅狭のスリット光を当てた場合の光像を説明するための図である。
【図10】バンプ検査システムの構成図である。
100 DMD
200 DMD照明用光学系
300 バンプ位置測定用光学系
400 バンプ高さ測定用光学系
500 被検面
600 ボールバンプ
700 ストレートバンプ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and apparatus for inspecting bumps (projections) formed on the surface of a workpiece.
[0002]
[Prior art]
In mounting a semiconductor chip, bumps are used instead of wire bonding for the purpose of improving mounting density and connecting multiple pins. In the case of bump connection, the mounting time can be shortened compared to the lead wire connection, the mounting area can be reduced compared to the lead wire connection, and the signal arrival time can be shortened compared to the lead wire connection. This is because it has advantages.
By the way, in mounting using this bump, a large number of bumps are bonded together at corresponding locations on a mounting substrate such as a lead frame, so that the surface shape, formation position, width, and height of the bump are required to be appropriate. The This is even more so in today's highly integrated and miniaturized semiconductor integrated circuits.
Therefore, various bump inspection systems or bump inspection apparatuses for inspecting bumps of semiconductor substrates such as semiconductor wafers and semiconductor chips have been proposed today.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, types of bumps formed on the semiconductor substrate include ball bumps, straight bumps, and the like, and there has not been a bump inspection method and apparatus that can detect the height and shape of these types of bumps quickly and accurately.
[0004]
The present invention has been made in view of such problems, and an object of the present invention is to provide a bump inspection method and apparatus that can detect the height and shape of a bump quickly and accurately.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
The bump inspection method according to claim 1, when inspecting the bump formed on the surface of the workpiece, the bump position on the design of the surface of the workpiece is irradiated with light from the normal direction of the surface of the workpiece, The actual bump position is detected from the light information obtained through the mask for the specular reflection component or the irregular reflection component of the reflected light, and the slit light is irradiated from the oblique direction to the actual bump position on the surface of the workpiece, and from the reflected light. The bump height or shape is detected from the obtained optical information.
In this case, the “mask” is preferably positioned at or near the focal plane position of the observation optical system for observing the reflected light. Further, for example, to obtain the optical information of the specular reflection component is observed vicinity of the optical axis of the optical system is transparent portion, the peripheral portion thereof are used mask is shielding portion, whereas, the optical information of the turbulent reflection component In order to obtain the above, a mask having a light shielding portion in the vicinity of the optical axis of the observation optical system and a light transmitting portion in the peripheral portion thereof is used. Furthermore, in order to detect bump height or shape by irradiation of slit light, for example, a well-known light cutting method is used. In this case, a single piece of slit light may be applied to each bump, but two or more pieces of slit light parallel to each other may be applied. Furthermore, all the bumps may be irradiated with slit light at once.
The “design bump position” refers to a bump position determined in the design when the bump is formed on the workpiece.
Moreover, it is preferable to use a digital mirror device or a transparent liquid crystal for forming the irradiation pattern for detecting the bump position or detecting the bump height or shape.
[0006]
According to such a bump inspection method, the actual bump position is detected from the regular reflection component or the irregular reflection component of the light reflected on the surface of the workpiece, and slit light is irradiated based on the bump position. Therefore, the bump height or shape can be accurately detected. Further, when the deviation between the actual bump position and the designed bump position is not within the allowable range, it is possible to determine that the bump is defective. On the other hand, if the deviation between the actual bump position and the design bump position is within the allowable range, or the deviation between the actual bump position and the design bump position is not within the allowable range, bump formation When necessary for process analysis, bump height and shape can be detected at the actual bump position.
[0007]
The bump inspection method according to claim 2, wherein, in the bump inspection method according to claim 1, when the bump is a bump having a spherical upper portion, the beam size of light irradiated from the normal direction is set to be larger than the size of the bump. The actual bump position is detected from light information that is made smaller and is a regular reflection component. The “spherical bumps on the upper part” are not particularly limited, but refer to ball bumps, mushroom bumps, and the like.
[0008]
According to this bump inspection method, when the surface of the workpiece is irradiated with light from the normal direction, when the upper part is a spherical bump, the specular reflection component of the reflected light is reflected at the top of the bump. Therefore, the actual bump position can be accurately detected mainly by obtaining optical information of the specular reflection component.
If the upper part is a spherical bump and the light beam size is larger than the bump size, not only the specular reflection component light information from the top of the bump but also the specular reflection component optical information from the workpiece surface. Thus, the image processing becomes complicated.
[0009]
The bump inspection method according to claim 3, wherein in the bump inspection method according to claim 1, when the bump is a straight bump, the beam size of light irradiated from the normal direction is made larger than the size of the straight bump. An actual bump position is detected from optical information which is a diffuse reflection component. “Straight bump” refers to a bump having a flat surface, such as a gold bump, but having a rougher surface than the workpiece surface. In this case, the “light beam dimension” is preferably determined in consideration of an allowable range of bump position deviation. For example, when the allowable range of the bump position deviation is exceeded, it is possible to easily determine whether the bump is defective or not by setting the beam size so that a regular reflection component from the top of the bump cannot be detected.
[0010]
According to this bump inspection method, when light is irradiated on the surface of the workpiece from the normal direction, in the case of a straight bump, the irregular reflection component of the reflected light is reflected on the upper surface of the bump. In addition, the actual bump position can be accurately detected by obtaining the light information of the irregular reflection component. Incidentally, the light reflected by the surface of the workpiece becomes a regular reflection component when the workpiece is a semiconductor wafer.
[0011]
The bump inspection apparatus according to claim 4, wherein the bump inspection apparatus inspects the bump formed on the surface of the work, and irradiates light on the design bump position on the surface of the work from the normal direction of the surface of the work. Then, the actual bump position is detected from the light information obtained through the mask for the regular reflection component or the irregular reflection component of the reflected light, and the actual bump position on the surface of the workpiece is irradiated with slit light from an oblique direction, A bump height or shape is detected from light information obtained from reflected light. In this case, although a single piece of slit light may be applied to each bump, a configuration in which two or more pieces of slit light parallel to each other may be applied. Furthermore, all the bumps (or all the bumps except those with defective bumps) may be irradiated with slit light at a time.
[0012]
According to such a bump inspection apparatus, the actual bump position is detected from the regular reflection component or the irregular reflection component of the light reflected on the surface of the workpiece, and the slit light is irradiated based on the bump position. Therefore, the bump height or shape can be accurately detected.
[0013]
A bump inspection apparatus according to a fifth aspect is the bump inspection apparatus according to the fourth aspect, wherein the irradiation pattern is formed by a spatial light modulator. Here, as the “spatial light modulator”, for example, a digital mirror device or a transparent liquid crystal can be considered.
[0014]
By using this spatial light modulator, the irradiation pattern can be easily changed.
[0015]
A bump inspection apparatus according to a sixth aspect is the bump inspection apparatus according to the fifth aspect, wherein the optical system for irradiating the slit light constitutes a Shine proof optical system.
[0016]
By using a shine-proof optical system as the optical system, it becomes possible to focus on the entire surface of the workpiece, and the bump height and shape can be detected more accurately.
[0017]
In addition, when irradiating slit light in the bump inspection method or apparatus, it is also possible to selectively irradiate wide or narrow slit light from an oblique direction on the surface of the workpiece. In this case, it is preferable that the width of the wide slit light is set to be larger than the width or diameter of the bump, and the width of the narrow slit light is set to be smaller than the width or diameter of the bump. Furthermore, in the case of narrow slit light, it is preferable to apply a plurality of parallel slit lights to the same bump. In this way, since a plurality of locations on the same bump can be inspected simultaneously, the inspection time can be shortened and the accuracy can be improved.
[0018]
In such a configuration, the surface of the workpiece is irradiated with wide or narrow slit light according to the type of bump. In this case, when a wide slit light is applied, a shadow of the bump is formed. By measuring the length of the shadow and the like, the bump height can be measured. The wide slit light is not particularly limited, but is particularly effective when inspecting ball bumps.
On the other hand, when narrow slit light is applied to the bump array portion, the bright portion corresponding to the upper surface of the bump and the bright portion corresponding to the base surface are misaligned. This misalignment amount reflects the bump height. The narrow slit light is not particularly limited, but is particularly effective when inspecting a straight bump.
[0019]
Moreover, in the said bump inspection method or apparatus, it is preferable to irradiate the slit light extended along the bump arrangement direction of a workpiece | work. By doing so, it is possible to inspect a plurality of arranged bumps simultaneously.
[0020]
Furthermore, in the bump inspection method or apparatus, it is preferable that the observation optical system for observing the reflected light of the slit light includes a line sensor as a light receiving unit. In this case, the extending direction of the line sensor is a direction orthogonal to the extending direction of the slit light, and it is preferable to inspect the bump by moving the line sensor in the extending direction of the slit light. According to this bump inspection apparatus, since light is received by the line sensor (one-dimensional sensor), inspection can be performed more quickly than in the case of using a two-dimensional sensor.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
1. Configuration of Bump Measuring Device As shown in FIGS. 1 to 3, a bump measuring device according to the present invention includes a DMD (digital mirror device) 100 that can hold an arbitrary projection pattern, and a DMD illumination optical system 200 that illuminates the DMD 100. And a bump position measuring optical system 300 for measuring the bump position on the test surface 500 and a bump height measuring optical system 400 for measuring the bump height. In this case, the DMD 100 and the DMD illumination optical system 200 can be used both as a bump position detecting device for obtaining the bump position and a device for obtaining the bump height. In this case, for example, when the bump position is obtained by changing the angle of the entire DMD 100 and when the bump height is obtained, the bump position measuring optical system 300 and the bump height optical system 400 are What is necessary is just to set it as the structure which can be switched.
[0022]
2. Configuration of DMD 100 In the DMD 100 shown in FIGS. 1 to 3, each pixel arranged two-dimensionally is composed of a minute mirror, and the tilt of the minute mirror can be controlled by an electrostatic field effect by a memory element for each pixel. This is a reflective display element that creates an on / off state by changing the reflection angle of light from a mirror, and can hold an arbitrary projection pattern.
[0023]
3. Configuration of DMD Illumination Optical System 200 The DMD illumination optical system 200 shown in FIG. 1 includes a lamp 201, a reflecting mirror 202, a condenser lens 203, an integrator rod 204, and a condenser lens 205.
As the lamp 201, a halogen lamp, a metal halide lamp, a xenon lamp, or the like is used. An elliptical reflecting mirror is used as the reflecting mirror 202, and a lamp 201 is provided at one focal point of the elliptical reflecting mirror. Light from the lamp 201 is reflected by the reflecting mirror 202 to become parallel light. The condenser lens 203 collects the light from the reflecting mirror 202 and guides it to the integrator rod 204. The integrator rod 204 averages the luminous flux. The condenser lens 205 converts the light from the integrator rod 204 into parallel light. The DMD 100 is illuminated by this parallel light.
[0024]
4). Configuration of Bump Position Measuring Optical System 300 A bump position measuring optical system 300 shown in FIG. 4 includes a projection lens 301, an imaging lens 302, an objective lens 303, a half mirror 304, an imaging lens 305, a total reflection mirror 306, a connection lens. An image lens 307, a mask 308, an imaging lens 309, and a CCD 310 are provided.
The projection lens 301 projects the DMD 100 with the light as parallel light, and the imaging lens 302 is for imaging the light from the projection lens 301. The objective lens 303 converts the light from the imaging lens 302 into parallel light and irradiates the test surface 500, and forms an image of the light reflected by the test surface 500. The half mirror 304 is the objective lens 303. The light from diverges from the irradiation light. Further, the imaging lens 305 receives light from the half mirror 304, and the total reflection mirror 306 deflects the direction of light from the imaging lens 305. The imaging lens 307 is for imaging the light from the total reflection mirror 306, and the mask 308 is for blocking a part of the light from the imaging lens 307, and the focal point of the imaging lens 307. It is provided at the position (aperture surface). Further, the imaging lens 309 is for converting the light from the mask 308 into parallel light, and the CCD 310 receives the light from the imaging lens 309 and converts it into an electrical signal. The CCD 310 is preferably configured as a two-dimensional sensor.
[0025]
5). As the constituent mask 308 of the mask 308, as shown in FIG. 4, a ball bump mask 308a and a straight bump mask 308b are used. The ball bump mask 308a has a light transmitting part at the center and a light shielding part at the periphery, and blocks irregular reflection components on the test surface 500. On the other hand, the straight bump mask 308b has a light shielding portion at the center and a light transmitting portion at the periphery, and blocks the specular reflection component on the test surface 500. In this case, two types of masks, a ball bump mask 308a and a straight bump mask 308b, may be prepared and switched as necessary. However, by changing the mask pattern with a transparent liquid crystal plate, A bump mask 308a and a straight bump mask 308b may be configured.
Note that the mushroom bump mask may have the same configuration as the ball bump mask.
[0026]
6 Bump Position Measurement Principle (1) In Case of Ball Bump As shown in FIG. 5 (a), the ball bump 600 has a spherical shape at the top, so that the test surface 500 of a workpiece (for example, a semiconductor wafer) When light is applied from the normal direction, the light hitting the top part is specularly reflected, and the light hitting other places is irregularly reflected. Therefore, by observing only the specular reflection component of the light irradiated to the ball bump 600 and reflected there, the top position of the ball bump 600 and the bump position can be detected. In this case, it is preferable to apply a light beam (spot light) smaller than the size (diameter or dimension) of the ball bump 600 to the ball bump 600. This is because the surface of the test surface 500 on which the ball bump 600 is formed is a flat surface and is relatively smooth, so that the light hitting the flat surface is prevented from being simultaneously detected as a regular reflection component.
The same applies to mushroom bumps.
[0027]
(2) In the case of a straight bump As shown in FIG. 5 (b), the upper surface of the straight bump 700 is almost flat but the upper surface is rough (the roughness is high), so that the light hitting the upper surface is diffusely reflected. Ingredients. On the other hand, since the reflected light from the surface of the test surface 500 becomes a regular reflection component, the bump position can be detected by detecting the boundary. In this case, it is preferable to apply a light beam (area light) larger than the size (dimension) of the straight bump 700 to the straight bump 700.
[0028]
7). Configuration of Bump Height Measuring Optical System 400 A bump height measuring optical system 400 shown in FIG. 3 includes a projection lens 401, an objective lens 402, an imaging lens 403, and a CCD 404.
The projection lens 401 irradiates the test surface 500 with the light from the DMD 100 as parallel light. The DMD 100, the projection lens 401, and the test surface 500 constitute a Scheimpflug optical system. The reason why the Scheimpflug optical system is used is to adjust the optical path length from each part of the DMD 100 to the corresponding position of the test surface 500. The objective lens 402 forms an image of light from the test surface 500, and the imaging lens 403 receives the light from the objective lens 402. The CCD 404 receives light from the imaging lens 403 and converts it into an electrical signal. In this case, the CCD 404 is preferably configured as a line sensor. A stop 405 is provided at the stop position between the objective lens 402 and the imaging lens 403, and these constitute a double-sided telecentric optical system. In this telecentric optical system, the aperture angle is narrowed, thereby increasing the depth of focus.
[0029]
8). Example of Bump Height Measurement Principle Based on bump position data obtained by the bump position measuring optical system 300, the arrangement pitch of bumps formed on the test surface 500 is obtained by image processing by a computer.
[0030]
Next, it is selected whether to use a wide slit light or a narrow slit light according to the type of bump. Specifically, when the bump type is a ball bump or mushroom bump, a wide slit light is selected. In other cases, that is, when the bump type is a straight bump, a narrow slit light is selected. Since the bump arrangement pitch has already been obtained, the scanning speed of the one-dimensional sensor (line sensor: constituted by the CCD 404) is calculated by the computer from the arrangement pitch.
[0031]
In this case, when a wide slit light is selected, a wide slit light about twice the diameter of the bump is controlled with the incident angle θ (for example, 45 °) as shown in FIG. The surface 500 is irradiated, and the optical image of the test surface 500 is captured with the reflection angle θ (for example, 45 °) by the bump height measurement optical system 400. At this time, the one-dimensional sensor is moved in the extending direction of the slit light.
[0032]
The situation at this time is shown in FIGS. However, FIGS. 6 and 7 show straight bumps as an example for convenience of explanation. At this time, the shadow of the bump 600 is formed by the light hitting the bump 600. The height of the bump is obtained from the length of the shadow by a computer. In the case where the bump is the ball bump 700, the shadow of the bump 700 is formed by the light hitting the bump 700, while the vertex of the bump 700 becomes a bright spot, so the computer calculates from the shadow length and the position of the bright spot. Can be used to determine the height of the bump.
[0033]
7A shows a cross-sectional view of the bump taken along the line AA in FIG. 7B. The peak portion indicates the bump, and the valley portion indicates the base surface of the test surface 500. FIG.
[0034]
On the other hand, when narrow slit light is selected, light having a width of about one quarter of the diameter of the bump 600 is controlled with the incident angle θ (for example, 45 °) as shown in FIG. The test surface 500 is irradiated, and the optical image of the test surface 500 is captured with a reflection angle θ (for example, 45 °) by the bump height measurement optical system 400. At this time, the one-dimensional sensor 32 is moved in the extending direction of the slit light.
[0035]
The situation at this time is shown in FIGS. However, FIG. 8 and FIG. 9 show the straight bump 600 as an example for convenience of explanation. At this time, as shown in FIG. 8 and FIG. 9B, the position of the slit light in the optical image (bright part) is shifted between the part that hits the bump 600 and the part that hits the surface (base) of the test surface 500. This positional deviation amount reflects the bump height. Therefore, the bump height can be obtained by measuring the positional deviation amount of the optical image.
[0036]
9A shows a cross-sectional view of the bump taken along the line AA in FIG. 9B, and the valley portion shows the surface of the test surface 500. FIG.
[0037]
9. Example of Bump Inspection Process (1) In Case of Ball Bump First, design bump position data is read into a computer (S1). Based on the bump position data, spot light is irradiated to the bump position in the design of the surface 500 to be inspected (S2). In this case, the spot light irradiation pattern is formed by controlling the mirror of the DMD 100 by a computer processing device. Then, the actual bump position is obtained by the processing device of the computer from the light information of the specular reflection component of the reflected light from the test surface 500. Next, a deviation amount between the designed bump position and the actual bump position is calculated by a computer processing device to determine whether the bump is good or bad. When a defective bump is found, the entire workpiece may be regarded as defective, and detection of the bump height may be stopped for the workpiece, but the height of only good bumps may be measured. In this case, slit light is applied to the good bumps on the test surface 500 based on the bump position data of the good bumps. In this case, the spot light irradiation pattern is formed by controlling the mirror of the DMD 100 by a computer processing device. Then, the bump height is calculated by the processing device of the computer from the optical information that is the reflected light from the test surface 500.
On the other hand, when the bump height of the defective bump is also detected, slit light is irradiated to the defective bump on the test surface 500 based on the actual bump position data of the defective bump. In this case, the spot light irradiation pattern is formed by controlling the mirror of the DMD 100 by a computer processing device. Then, the bump height is calculated by the processing device of the computer from the optical information that is the reflected light from the test surface 500.
Note that the bump inspection is performed in the same manner when the mushroom bump is used instead of the ball bump.
[0038]
(2) In the case of a straight bump In the case of a straight bump, the bump inspection is performed in substantially the same process except that the area light is irradiated instead of the spot light.
[0039]
9. Configuration of an Example of Bump Inspection System FIG. 10 shows a bump inspection system in which the bump measuring device is incorporated.
This bump inspection system includes a bump position measuring device 800 and a bump height measuring device 900. In this bump inspection system, the DMD 100 of the bump position measuring device 800 and the bump height measuring optical system 900 is controlled by the host computer 1000 via the DMD controllers 2100 and 2200. The CCDs 310 and 404 are connected to the image processing unit 1300 via the CCD controllers 1100 and 1200, and the image processing unit 1300 is connected to the host computer 1000. In the figure, reference numeral 1400 denotes an XYθ stage, which is connected to the host computer 1000 via an XYθ stage controller 1500. Reference numeral 1600 denotes an XZ stage, which is connected to the host computer 1000 via the XZ stage controller 1700. Reference numeral 1800 is a monitor, and reference numeral 1900 is a CRT.
[0040]
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that a various deformation | transformation is possible for this invention in the range which is not limited to this embodiment and does not change the summary.
[0041]
【The invention's effect】
Explaining the effect of the representative one of the present invention, since the bump position is obtained and then the bump height is obtained, the bump height can be accurately detected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical system for DMD illumination according to an embodiment.
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical system for bump position measurement according to the embodiment.
FIG. 3 is a configuration diagram of an optical system for bump height measurement according to the embodiment.
FIG. 4 is a configuration diagram of a mask according to the embodiment.
FIG. 5 is a diagram showing a bump position measurement principle according to the embodiment.
FIG. 6 is a diagram illustrating an operation when a wide slit light is applied.
FIG. 7 is a diagram for explaining how a bump shadow appears when a wide slit light is applied.
FIG. 8 is a diagram showing an operation when narrow slit light is applied.
FIG. 9 is a diagram for explaining an optical image when narrow slit light is applied.
FIG. 10 is a configuration diagram of a bump inspection system.
100 DMD
200 DMD illumination optical system 300 Bump position measurement optical system 400 Bump height measurement optical system 500 Test surface 600 Ball bump 700 Straight bump

Claims (6)

ワークの表面に形成されたバンプを検査するにあたり、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とするバンプ検査方法。  In inspecting the bump formed on the surface of the workpiece, the design bump on the surface of the workpiece is irradiated with light from the normal direction of the surface of the workpiece, and the regular reflection component or irregular reflection of the reflected light is irradiated. The actual bump position is detected from the light information obtained through the mask of the component, the slit light is irradiated from the oblique direction to the actual bump position on the surface of the workpiece, and the bump height or shape is obtained from the light information obtained from the reflected light. Detecting a bump. 前記バンプが、上部が球状のバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該バンプの寸法よりも小さくし、正反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする請求項1記載のバンプの検査方法。  When the bump is a bump having a spherical upper part, the beam size of light irradiated from the normal direction is made smaller than the size of the bump, and the actual bump position is detected from the optical information which is a specular reflection component. The bump inspection method according to claim 1, wherein: 前記バンプがストレートバンプの場合、前記法線方向から照射する光のビーム寸法を当該ストレートバンプの寸法よりも大きくし、乱反射成分である光情報から実際のバンプ位置を検出することを特徴とする請求項1記載のバンプの検査方法。  When the bump is a straight bump, the beam size of light irradiated from the normal direction is made larger than the dimension of the straight bump, and an actual bump position is detected from optical information that is a diffuse reflection component. Item 1. A bump inspection method according to Item 1. ワークの表面に形成されたバンプを検査するバンプ検査装置において、前記ワークの表面における設計上でのバンプ位置に当該ワークの表面の法線方向から光を照射し、その反射光のうちの正反射成分又は乱反射成分をマスクを通して得た光情報から実際のバンプ位置を検出し、前記ワークの表面の実際のバンプ位置に斜め方向からスリット光を照射し、その反射光から得た光情報からバンプ高さ又は形状を検出することを特徴とするバンプ検査装置。  In the bump inspection apparatus for inspecting the bump formed on the surface of the work, the bump position on the design of the work surface is irradiated with light from the normal direction of the surface of the work, and regular reflection of the reflected light The actual bump position is detected from the light information obtained through the mask for the component or the diffuse reflection component, the actual bump position on the surface of the workpiece is irradiated with slit light from an oblique direction, and the bump height is determined from the light information obtained from the reflected light. A bump inspection apparatus for detecting a thickness or a shape. 照射パターンを空間光変調器によって形成するように構成されていることを特徴とする請求項4記載のバンプ検査装置。  The bump inspection apparatus according to claim 4, wherein the irradiation pattern is formed by a spatial light modulator. 前記スリット光を照射する光学系がシャインプルーフ光学系を構成していることを特徴とする請求項5記載のバンプ検査装置。  6. The bump inspection apparatus according to claim 5, wherein the optical system for irradiating the slit light constitutes a Scheimpflug optical system.
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