JP3975023B2 - Temperature sensor - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、サーミスタ素子を備える温度センサであって、特に、200℃前後の中温域から1000℃前後の高温域までの広範囲にわたって温度を検出するのに使用される温度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、温度センサとして、サーミスタ素子がステンレス合金製のチューブ又はキャップに収容され、そのサーミスタ素子から延びるシース芯線が前記チューブ又はステンレス合金製のシースに包まれたものがある。この温度センサは、例えば、自動車の排気温度等を検出するために200〜1000℃前後の広い範囲にわたって温度を検出するのに使用される。
【0003】
この種の温度センサとして、例えば、特開平5−264368号公報には、サーミスタ素子を内包するチューブ又はキャップの中、即ちサーミスタ素子の周囲に、MgOやAl2O3等を含むセメントを充填したものが開示されている。或いは、MgOやAl2O3を骨材とし、それらにSiO2、Na2O、K2O等のアルカリ金属よりなるガラス成分を硬化材として添加したセメントを充填したものもある。この種のセメントは、主にサーミスタ素子を振動から保護するために充填される。
【0004】
同じくこの種の温度センサとして、例えば、特開平3−42801号公報及び特開平5−275206号公報には、シース芯線を内包するチューブ又はシースの中に、MgO粉末等を充填材として設けたものが開示されている。この種の充填材は、主にシース芯線の絶縁を確保するために設けられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記前者の温度センサでは、サーミスタ素子の周囲に充填されるセメントがMgOやAl2O3等より構成され、或いは、それらにアルカリ金属よりなるガラス成分が硬化材として添加されており、吸湿性を有するものとなっていた。一方、上記後者の温度センサでは、チューブ又はシースの充填材として用いられるMgO粉末にも吸湿性がある。このため、温度センサの製造過程や完成後の放置期間中にセメントやシース充填材が吸湿することにより、それらの絶縁抵抗が低下し、温度センサの検出特性が悪化するおそれがあった。
【0006】
ここで、自動車の排気温度を検出するのに用いられる温度センサが、例えば、触媒温度の警報用に1000℃前後の高温のみを検出するために用いられることがある。この場合、セメントやシース充填材に吸収される水分は殆ど蒸発することになり、絶縁抵抗の低下もなく、温度センサの検出特性に悪影響はない。又、セメントやシース充填材に水分が残留することにより絶縁抵抗が低下したとしても、サーミスタ素子の出力抵抗、つまりは温度センサの出力抵抗値が絶縁抵抗値に比べて小さければ、温度センサの検出特性に悪影響はないと考えられる。
【0007】
しかしながら、温度センサが、200〜1000℃前後の広範囲にわたって温度を検出するのに用いられた場合、温度センサの検出精度を確保するために、温度に対する温度センサの出力抵抗の傾きを大きくする必要がある。この場合、200℃前後の中温域における温度センサの出力抵抗を100〜200kΩ程度の比較的高い値に設定せざるを得ない。このような出力抵抗値に対して、セメントやシース充填材が常温では問題とならない程度に吸湿していた場合でも、中温域で吸収された水分の蒸発が起こり、セメントやシース充填材の絶縁抵抗を一時的に低下させるおそれがある。このような絶縁抵抗は、サーミスタ素子の抵抗に対して並列に働くことから、温度センサ本来の検出特性に影響を及ぼすおそれがあった。
【0008】
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、中温域での絶縁抵抗の低下による検出精度の低下を抑えることを可能にした温度センサを提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、サーミスタ素子及びそのサーミスタ素子から延びる芯線を金属製の包囲部材で包囲し、サーミスタ素子の周囲の少なくとも一部にセメントを充填してなり、前記サーミスタ素子全体及び前記セメントが温度測定領域に配置される形態を有し、1000℃前後の高温域までの温度を検出する温度センサにおいて、セメントは、Al2O3又はSiO2を主成分とする骨材とガラス成分とを備え、ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント全体重量に対して、0.05〜0.3重量%であることを趣旨とする。
【0010】
上記発明の構成において、セメントを構成するために骨材に添加されるガラス成分にはアルカリ金属元素であるNaが含まれる。このNaは、セメントの硬化に不可欠な成分ではあるが、吸湿性を有することからセメントの絶縁性を低下させる性質がある。しかし、上記発明の構成によれば、ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント全体重量に対して0.05〜0.3重量%と比較的微量であることから、Naによるセメントの硬化を損なうことなくセメントの吸湿性が抑えられる。
【0011】
そのほか、サーミスタ素子及びそのサーミスタ素子から延びる芯線を金属製の包囲部材で包囲し、芯線の周囲の少なくとも一部に充填材を充填した温度センサにおいて、充填材は、SiO2を主成分とする温度センサとするのも好ましい。
【0012】
この温度センサでは、充填材がSiO2を主成分とすることから、例えば、MgOを主成分とする場合よりも、充填材の吸湿性が相対的に低下する。
【0013】
また、サーミスタ素子及びそのサーミスタ素子から延びる芯線を金属製の包囲部材で包囲し、サーミスタ素子の周囲の少なくとも一部にセメントを充填すると共に前記芯線の周囲の少なくとも一部に充填材を充填した温度センサにおいて、セメントは、Al2O3又はSiO2を主成分とする骨材とガラス成分とを備え、ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント全体重量に対して、0.05〜0.3重量%であり、充填材は、SiO2を主成分とする温度センサとするのも好ましい。
【0014】
この温度センサでは、セメントを構成するために骨材に添加されるガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント全体重量に対して、0.05〜0.3重量%と比較的微量であることから、アルカリ金属元素であるNaによるセメントの硬化を損なうことなくセメントの吸湿性が抑えられる。加えて、充填材がSiO2を主成分とすることから、例えば、MgOを主成分とする場合よりも、充填材の吸湿性が相対的に低下する。
【0015】
さらに、芯線の端子と包囲部材との間でセメント及び充填材により構成される絶縁抵抗値を、当該温度センサにより検出される最低温度におけるサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍以上の値に設定した温度センサとするのが好ましい。
【0016】
温度センサにより検出される最低温度において、芯線と包囲部材との間でセメント及び充填材により構成される絶縁抵抗はサーミスタ素子の出力抵抗に対して並列に働き、その絶縁抵抗値が低下することにより、サーミスタ素子の出力抵抗値が小さくなるという悪影響が出る。そして、この悪影響は、セメント及び充填材により構成される絶縁抵抗値がサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍より小さくなることにより出ることが分かった。
従って、上記発明の構成によれば、前記絶縁抵抗値が、当該温度センサにより検出される最低温度におけるサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍以上の値に設定されるので、サーミスタ素子の出力抵抗値が実質的に低下することはない。このことは、例えば、請求項1の発明のようにセメント及び充填材の少なくとも一方の組成を特定してセメント又は充填材の吸湿性を低下させることにより達成される。
【0017】
そのほか、サーミスタ素子及びそのサーミスタ素子から延びる芯線を金属製の包囲部材で包囲し、サーミスタ素子の周囲の少なくとも一部にセメントを充填すると共に芯線の周囲の少なくとも一部に充填材を設け、200℃以上の温度を検出するために使用される温度センサにおいて、芯線の端子と包囲部材との間でセメント及び充填材により構成される絶縁抵抗値を、当該温度センサにより検出される最低温度におけるサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍以上の値に設定した温度センサとするのも好ましい。
【0018】
200℃以上の温度を検出するのに使用される温度センサにより検出される最低温度において、芯線と包囲部材との間でセメント及び充填材により構成される絶縁抵抗はサーミスタ素子の出力抵抗に対して並列に働き、その絶縁抵抗値が低下することにより、サーミスタ素子の出力抵抗値が小さくなるという悪影響が出る。そして、この悪影響は、セメント及び充填材により構成される絶縁抵抗値がサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍より小さくなることにより出ることが分かった。
従って、上記発明の構成によれば、前記絶縁抵抗値が、当該温度センサにより検出される最低温度におけるサーミスタ素子の出力抵抗値の2倍以上の値に設定されるので、サーミスタ素子の出力抵抗値が実質的に低下することはない。このことは、例えば、セメント及び充填材の少なくとも一方を吸湿性の少ない組成に特定したり、包囲部材の材質、厚み、形状等を特定することにより達成される。
【0019】
【発明の実施の形態】
[第1の実施の形態]
以下、この発明の温度センサを具体化した第1の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
【0020】
図1に温度センサ1の部分破断側面図を示す。図2に図1の一部を拡大して示す。この温度センサ1は、自動車の排気通路に設けられて、200℃前後の中温域から1000℃前後の高温域までの広範囲にわたって排気温度を検出するのに使用される。温度センサ1は、サーミスタ素子2を金属チューブ3の中に収容したものである。金属チューブ3は、その先端側3aが閉塞し、基端側3bが開放される。金属チューブ3の基端側3bには、フランジ4がアルゴン溶接される。フランジ4上には、六角ナット部5a及びネジ部5bを有するナット5が回動自在に挿通される。フランジ4の基端側4aには、継手6がアルゴン溶接される。
【0021】
金属チューブ3、フランジ4及び継手6の内部には、一対のシース芯線7を内包するシース8が配置される。金属チューブ3の内部においてシース8の先端側8aへ突出するシース芯線7には、サーミスタ素子2がPt/Rh合金線9を介して接続される。この合金線9は、サーミスタ素子2と同時に焼成されるものである。合金線9及びシース芯線7は互いに抵抗溶接される。金属チューブ3及びシース8等は、本発明の金属製の包囲部材を構成する。
【0022】
金属チューブ3、シース芯線7及びシース8は、SUS310Sを材質とする。フランジ4は、SUS309Sを材質とする。継手6は、SUS304を材質とする。
【0023】
金属チューブ3の先端側3aの内部には、酸化ニッケル製のペレット10が配置される。このペレット10は、万一、金属チューブ3の内部の酸素濃度が低下したときに、そのペレット10から酸素を放出させて酸素濃度の低下を抑えるためのものである。金属チューブ3の先端側3aの内部であってサーミスタ素子2の周囲にはセメント11が充填される。このセメント11は、サーミスタ素子2を振動から保護すると共に、サーミスタ素子2に熱を早く伝えて温度センサ1としての応答性を上げるためのものである。
【0024】
継手6の内部においてシース8の基端側8bへ突出するシース芯線7には、端子12を介して一対のリード線13が接続される。これらリード線13は、耐熱ゴム製の補助リング14に内包される。シース芯線7及びリード線13は互いにかしめ端子12により接続される。補助リング14が継手6の上から丸かしめ又は六角かしめされることにより、両者14,6が気密性を保ちながら互いに接合される。これにより、金属チューブ3、フランジ4及び継手6の内部が密閉空間となる。即ち、サーミスタ素子2が、金属チューブ3、フランジ4及び継手6を金属包囲部材として形成される密閉空間に収容されることになる。
【0025】
シース8の内部であってシース芯線7の周囲には、シース充填材15が充填される。このシース充填材15は、温度センサ1のシース芯線7の絶縁を確保するためのものである。
【0026】
この温度センサ1で特徴的なことは、サーミスタ素子2の周囲に充填されるセメント11の構成と、シース芯線7の周囲に充填されるシース充填材15の構成とにある。この実施の形態で充填されるセメント11は、アルミナ(Al2O3)粉末を主成分とする骨材と、Si及びNaを含むガラス成分とを備え、ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント11の全体重量に対して、0.17重量%に設定されたものである。又、この実施の形態で充填されるシース充填材15は、SiO2粉末より構成されるものである。
【0027】
次の表1に、本実施の形態で使用されるセメント11を構成するために使用される材料の組成を従来のセメントのそれと比較して示す。
【0028】
【表1】
【0029】
従来の未硬化状態のセメントは、骨材としてのアルミナ(Al2O3)粉末(1)に対し、ガラス成分の一つでもある硬化剤としての水ガラス(2)と、コロイダルシリカ(珪酸塩水溶液)(3)を所定量添加し、希釈剤としての水で所定の粘度に調整したものである。ここで、上記水ガラスは、33重量%のSiO2と、16重量%のNa2Oを含む。コロイダルシリカは、20重量%のSiO2と、3重量%以下の有機分を含む。
本実施の形態における未硬化状態のセメント11は、従来のセメントのようにNa含有量の多い水ガラスの使用は避け、ガラス成分(硬化剤)としてコロイダルシリカ(3)のみが使用される。しかしながら、従来のセメントで使用されるコロイダルシリカはセメントとしての硬化に不可欠なアルカリ金属元素を含まないので、その硬化に不可欠なアルカリ金属元素として、本実施の形態では、Naを微量含有するガラス成分(硬化剤)が使用される。このコロイダルシリカは、Si成分及びNa成分として40.5重量%のSiO2と、0.5重量%のNa2Oとを含む。
【0030】
表2に、本実施の形態で使用されるセメント11の各成分の調合割合(重量比)を従来のセメントのそれと比較して示す。この表の中で、Na2Oの含有量は、水及び有機分の蒸発分を除いた固形分中の含有量の計算値を示す。
【0031】
【表2】
【0032】
本実施の形態の温度センサ1を製造するには、予め形成された金属チューブ3、シース8及びフランジ4と、その他の部品2,5〜7,10〜14とを互いに組み付ける。各部品の組み付けに際し、シース8の中には予めシース芯線7の周囲に上記組成よりなるシース充填材15の粉末材料を充填しておく。そして、サーミスタ素子2をシース芯線7に抵抗溶接する。更に、フランジ4がアルゴン溶接された金属チューブ3の先端部分の中に上記組成よりなるセメント11のペースト状の材料を注入して、上述のシース芯線7に抵抗溶接されたサーミスタ素子2を挿入する。その後、組み付けられた温度センサ1を800℃で加熱焼成することにより、水分を蒸発させて固めてセメント11を得る。このようにして、温度センサ1の製造を完了する。
【0033】
表3に、実施例1、実施例2及び実施例3の温度センサのそれぞれにつき、セメント及びシース充填材の加熱絶縁への試験結果を、従来の温度センサのセメント(表1,2に示す。)及びシース充填材(MgO粉末よりなる。)のそれと比較して示す。ここで、実施例3のセメント及びシース充填材は、本実施の形態の温度センサ1のセメント11及びシース充填材15と同じものである。この試験は、温度センサにより検出される最低温度を300℃とし、その300℃において金属チューブとシース芯線端子との間でセメントとシース充填材により構成される絶縁抵抗値、即ち「300℃加熱絶縁抵抗値」を測定することにより行った。抵抗値の測定は、金属チューブとシース芯線端子との間に5Vの電圧を1〜2秒間かけることにより行った。
【0034】
【表3】
【0035】
表3から明らかなように、MgO粉末よりなるシース充填材と、全体重量に対して0.49重量%のNa2O換算量のNa成分を含むセメントとを組み合わせて構成した従来例の温度センサの加熱絶縁抵抗値が最も小さくなることが分かる。この従来例の構成のうちシース充填材のみをSiO2粉末に替えた実施例1では、加熱絶縁抵抗値が約2〜3.5倍に増大したことが分かる。一方、従来例の構成のうちセメントのみを全体重量に対して0.17重量%のNa2O換算量のNa成分を含むものに替えた実施例2では、加熱絶縁抵抗値が約2.5〜3.5倍に増大したことが分かる。更に、SiO2粉末よりなるシース充填材と、全体重量に対して0.17重量%のNa2O換算量のNa成分を含むセメントとを組み合わせて構成した実施例3(本実施の形態)の温度センサの加熱絶縁抵抗値は、従来例のそれの最小値と比べて桁違い(約8〜17倍)に増大した。
【0036】
図3のグラフは、300℃加熱絶縁抵抗値と、300℃におけるサーミスタ素子2の出力抵抗値、即ち温度センサ1の出力抵抗値との相関を示す。300℃加熱絶縁抵抗値が大小(10kΩ〜10000kΩ(10MΩ))となる複数の温度センサを作成し、それら各温度センサにつき300℃における出力抵抗値との相関を試験した。これら加熱絶縁抵抗値の大小は、セメントの組成、シース充填材の組成、又はそれらの吸湿程度を変えることにより設定される。
このグラフから明らかなように、300℃加熱絶縁抵抗値の低い場合、即ちセメント及びシース充填材が吸湿により絶縁劣化を起こした場合、それらの絶縁抵抗が出力抵抗に対して並列に働くことから、出力抵抗値が低下することが分かる。300℃の出力抵抗値は、300℃の加熱絶縁抵抗値が約300kΩ以上になることにより一定となり、加熱絶縁抵抗値の変化による影響を受けることが無くなることが分かる。
【0037】
ところで、この実施の形態では、表3及び図3に示すように、セメント11に含まれるNa成分のNa2O換算量を0.17重量%に設定することにより、300kΩ以上の絶縁抵抗値を得ている。ここで、セメント11に含まれるNa成分のNa2O換算量の許容量を以下のように設定することができる。
即ち、上記のように300℃の加熱絶縁抵抗値が約300kΩ以上になったとき、300℃のサーミスタ素子2の出力抵抗値が一定値を示す。このことから、シース充填材を従来例のMgO粉末を使用したもののままとしたときに、セメントの絶縁抵抗値が約300kΩ以上になる程度のアルカリ含有量を目安にしようとすると、表3のデータからNa2O換算量を概算することができる。この場合、Na2O換算量が0.49重量%のときには、絶縁抵抗値の三つのサンプルが170kΩ、210kΩ及び240kΩを示し、Na2O換算量が0.17重量%のときには、絶縁抵抗値の三つのサンプルが600kΩ、600kΩ及び600kΩを示す。そこで、Na2O換算量が0.49重量%のときの上記三つの絶縁抵抗値の平均値と、Na2O換算量が0.17重量%のときの上記三つの絶縁抵抗値の平均値とから、絶縁抵抗値が約300kΩになるNa2O換算量を案分すると、0.3重量%の値を目安とすることができる。従って、セメント11に含まれるNa成分のNa2O換算量は、0.3重量%を最大許容量として設定することができる。一方、セメント11に含まれるNa成分のNa2O換算量は、0.05重量%以上でないとセメント11が固化しないことから、0.05重量%をNa2O換算量の下限値として設定することができる。
【0038】
以上説明したように本実施の形態の温度センサ1において、セメント11を構成するためにその骨材に添加されるガラス成分には、セメント11の硬化に不可欠な成分ではあるが、吸湿性によりセメント11の絶縁性を低下させるNa成分が含まれる。しかし、この実施の形態では、そのガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント11の全体重量に対して、0.17重量%と比較的微量に設定されることから、Na成分によるセメント11の硬化が損なわれることなくセメント11の吸湿性が抑えられる。このため、温度センサ1が300℃前後の中温域で使用されるときに、セメント11の吸湿による絶縁抵抗値の低下を抑えることができ、その結果としてサーミスタ素子2の出力抵抗値の変化を抑えて温度センサ1の検出精度の低下を抑えることができるようになる。
【0039】
加えて、この温度センサ1によれば、シース充填材15がSiO2粉末より構成されることから、従来例のMgO粉末より構成される場合に比べて、シース充填材15の吸湿性が相対的に低下することになる。このため、上記のセメント11の構成による効果に加え、温度センサ1が300℃前後の中温域で使用されるときに、シース充填材15の吸湿による絶縁抵抗値の低下も抑えることができ、その結果としてサーミスタ素子2の出力抵抗値の変化を抑えて温度センサ1の検出精度の低下を更に抑えることができるようになる。つまり、セメント11とシース充填材15との相乗効果により、中温域での吸湿による絶縁抵抗の低下を更に抑えることができ、温度センサ1としての検出精度の低下を更に抑えることができて、より安定した動作特性を示す温度センサ1を得ることができるようになる。
【0040】
この実施の形態の温度センサ1の構成において、温度センサ1により検出される最低温度、例えば300℃において、シース芯線7と金属チューブ3との間でセメント11及びシース充填材15により構成される絶縁抵抗は、サーミスタ素子2の出力抵抗に対して並列に働き、その絶縁抵抗値が低下することにより、サーミスタ素子2の出力抵抗値が小さくなるという悪影響が出ることがある。そして、この悪影響は、図3に示すように、セメント11及びシース充填材15により構成される絶縁抵抗値がサーミスタ素子2の出力抵抗値(約150kΩ)の約2倍(約300kΩ)より小さくなることにより出ることが分かる。
従って、この温度センサ1の構成によれば、絶縁抵抗値を、同センサ1により検出される最低温度(本実施の形態では、300℃)におけるサーミスタ素子2の出力抵抗値の2倍以上の値に設定しているので、図3に示すように、300℃におけるサーミスタ素子2の出力抵抗値が実質的に低下することがない。このことは、本実施の形態では、セメント11及びシース充填材15の少なくとも一方の組成を、上記のように特定してセメント11又はシース充填材15の吸湿性を低下させることにより達成されるものである。つまり、この実施の形態の温度センサ1によれば、セメント11及びシース充填材15の組成を上記のように設定したことにより、それらによる絶縁抵抗値の低下を抑えることができるようになり、結果として、サーミスタ素子2の出力抵抗値の変化を抑えて温度センサ1の検出精度の低下を抑えることができるのである。
【0041】
[第2の実施の形態]
次に、本発明の温度センサを具体化した第2の実施の形態を図面に従って説明する。尚、本実施の形態を含む以下の各実施の形態において、前記第1の実施の形態の温度センサ1と同一構成については同一符号を付して説明を省略し、異なった点を中心に説明する。
【0042】
図4に本実施の形態の温度センサ21の断面図を示す。図5に図4の一部を拡大して示す。この温度センサ21では、前述した金属チューブ3そのものが省略され、シース8とキャップ22とにより金属チューブが代用される点で前記温度センサ1と構成が異なる。シース8とキャップ22はシース先端部8aにおいてカシメにより仮固定され、円周溶接される。キャップ22の内部には、酸化ニッケルからなるペレット10が埋設されると共にサーミスタ素子2に接するセメント11が充填され、先端が盛り材23により封止される。シース8の内部には、シース芯線7の周囲にシース充填材15が充填される。シース8、キャップ22及び盛り材23はそれぞれSUS310Sを材質とする。セメント11及びシース充填材15に使用される材料の組成は、前記第1の実施の形態のそれと同じである。
【0043】
従って、本実施の形態の温度センサ21でも、セメント11を硬化させる機能を確保しながらセメント11の吸湿性が抑えられ、シース充填材15の吸湿性が相対的に低下することから、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0044】
[第3の実施の形態]
次に、本発明の温度センサを具体化した第3の実施の形態を図面に従って説明する。
【0045】
図6に本実施の形態の温度センサ31の断面図を示す。図7に図6の一部を拡大して示す。この温度センサ31でも、前述した金属チューブそのものが省略され、シース8とキャップ22とにより金属チューブが代用される点で前記温度センサ1と構成が異なる。シース8とキャップ22とは外形が等しく形成され、シース先端部8aとキャップ基端部22aの端面が突き合わせ溶接される。キャップ22の内部には、酸化ニッケルからなるペレット10が埋設されると共にサーミスタ素子2に接するセメント11が充填され、先端が盛り材23により封止される。キャップ22の一部及びシース8の内部には、シース芯線7の周囲にシース充填材15が充填される。シース8、キャップ22及び盛り材23はそれぞれSUS310Sを材質とする。セメント11及びシース充填材15に使用される材料の組成は、前記第1の実施の形態のそれと同じである。
【0046】
従って、本実施の形態の温度センサ31によれば、セメント11を硬化させる機能を確保しながらセメント11の吸湿性が抑えられ、シース充填材15の吸湿性が相対的に低下することから、第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【0047】
尚、この発明は前記各実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱することのない範囲で適宜に変更して実施することもできる。
【0048】
(1)前記各実施の形態では、サーミスタ素子2の周囲に充填されるセメント11を、Al2O3を主成分とする骨材とガラス成分とを備え、ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量がセメント11の全体重量に対して0.17重量%とし、併せて、シース芯線7の周囲に充填されるシース充填材15を、SiO2粉末により構成した。
これに対し、セメント11を第1の実施の形態と同様に構成し、シース充填材15を従来例のMgO粉末により構成してもよい。或いは、セメント11を従来例と同様に構成し、シース充填材15をSiO2粉末より構成してもよい。これによっても、前記第1の実施の形態と同等の作用及び効果を得ることができる。
【0049】
(2)前記各実施の形態では、セメント11のガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量をセメント11の全体重量に対して0.17重量%としたが、このNa2Oの換算量は、0.05〜0.3重量%の値であれば0.17重量%以外の値であってもよい。この場合でも、前記第1の実施の形態と同等の作用及び効果を得ることができる。
【0050】
(3)前記各実施の形態では、300℃を中温域として温度センサにより検出される最低温度として説明したが、200℃前後の温度を中温域として温度センサにより検出される最低温度とすることもできる。
【0051】
(4)前記各実施の形態では、セメント11の骨材をAl2O3を主成分として構成したが、その骨材をSiO2を主成分として構成してもよい。
【0052】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明の構成によれば、セメントの骨材に添加されるガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量がセメント全体重量に対して0.05〜0.3重量%と比較的微量であることから、Naによるセメントの硬化が損なわれることなくセメントの吸湿性が抑えられる。このため、中温域で吸湿による絶縁抵抗の低下を抑えることができ、温度センサとしての検出精度の低下を抑えることができる。
【0053】
【0054】
【0055】
【0056】
【図面の簡単な説明】
【図1】 第1の実施の形態に係り、温度センサを示す部分破断側面図である。
【図2】 同じく、図1の一部を拡大して示す断面図である。
【図3】 同じく、300℃における加熱絶縁抵抗値と出力抵抗値との相関を示すグラフである。
【図4】 第2の実施の形態に係り、温度センサを示す側断面図である。
【図5】 同じく、図4の一部を拡大して示す断面図である。
【図6】 第3の実施の形態に係り、温度センサを示す側断面図である。
【図7】 同じく、図6の一部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
1 温度センサ
2 サーミスタ素子
3 金属チューブ(包囲部材)
8 シース(包囲部材)
11 セメント
15 シース充填材
21 温度センサ
22 キャップ(包囲部材)
31 温度センサ[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a temperature sensor including a thermistor element, and more particularly to a temperature sensor used for detecting a temperature over a wide range from a middle temperature range around 200 ° C. to a high temperature range around 1000 ° C.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a temperature sensor, a thermistor element is accommodated in a stainless steel alloy tube or cap, and a sheath core wire extending from the thermistor element is wrapped in the tube or stainless steel alloy sheath. This temperature sensor is used, for example, to detect the temperature over a wide range of about 200 to 1000 ° C. in order to detect the exhaust temperature of an automobile or the like.
[0003]
As this type of temperature sensor, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 5-264368, a tube or cap containing a thermistor element, that is, a cement containing MgO or Al 2 O 3 is filled around the thermistor element. Are disclosed. Alternatively, there is also a type in which MgO or Al 2 O 3 is used as an aggregate and cement is added thereto with a glass component made of an alkali metal such as SiO 2 , Na 2 O, or K 2 O as a hardener. This type of cement is mainly filled to protect the thermistor element from vibration.
[0004]
Similarly, as this type of temperature sensor, for example, in JP-A-3-42801 and JP-A-5-275206, a tube or sheath containing a sheath core wire is provided with MgO powder or the like as a filler. Is disclosed. This type of filler is provided mainly to ensure insulation of the sheath core wire.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the former temperature sensor, the cement filled around the thermistor element is composed of MgO, Al 2 O 3 or the like, or a glass component made of an alkali metal is added to them as a hardener, and moisture absorption It had a sex. On the other hand, in the latter temperature sensor, the MgO powder used as a filler for the tube or sheath is also hygroscopic. For this reason, when the cement or the sheath filler absorbs moisture during the manufacturing process of the temperature sensor or during the standing period after completion, the insulation resistance of the cement or the sheath filler may be reduced, and the detection characteristics of the temperature sensor may be deteriorated.
[0006]
Here, a temperature sensor used to detect the exhaust temperature of the automobile may be used, for example, to detect only a high temperature around 1000 ° C. for alarming the catalyst temperature. In this case, the water absorbed in the cement or sheath filler is almost evaporated, there is no decrease in insulation resistance, and the detection characteristics of the temperature sensor are not adversely affected. Also, even if the insulation resistance is reduced due to moisture remaining in the cement or sheath filler, if the output resistance of the thermistor element, that is, the output resistance value of the temperature sensor is smaller than the insulation resistance value, the detection of the temperature sensor There seems to be no adverse effect on the characteristics.
[0007]
However, when the temperature sensor is used to detect the temperature over a wide range of about 200 to 1000 ° C., it is necessary to increase the inclination of the output resistance of the temperature sensor with respect to the temperature in order to ensure the detection accuracy of the temperature sensor. is there. In this case, the output resistance of the temperature sensor in the middle temperature range around 200 ° C. must be set to a relatively high value of about 100 to 200 kΩ. Even if the cement or sheath filler absorbs moisture to such an extent that it does not cause a problem at room temperature, the moisture absorbed in the medium temperature range evaporates, and the insulation resistance of the cement or sheath filler May be temporarily reduced. Since such an insulation resistance works in parallel with the resistance of the thermistor element, there is a risk of affecting the original detection characteristics of the temperature sensor.
[0008]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a temperature sensor that can suppress a decrease in detection accuracy due to a decrease in insulation resistance in an intermediate temperature range.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, a first aspect of the present invention, the core wire extending from the thermistor element and the thermistor element surrounded by a surrounding member made of metal, and filled with cement at least partly around the thermistor element In the temperature sensor for detecting the temperature up to a high temperature range of about 1000 ° C. , the cement is mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 . An aggregate and a glass component as components are provided, and the Na 2 O equivalent amount of the Na component contained in the glass component is 0.05 to 0.3% by weight with respect to the total weight of the cement. .
[0010]
In the configuration of the invention, the glass component added to the aggregate to constitute the cement contains Na which is an alkali metal element. This Na is an indispensable component for cement hardening, but has a property of reducing the insulating properties of cement because of its hygroscopic property. However, according to the above structure, since the terms of Na 2 O of Na component contained in the glass component, a relatively small amount as 0.05 to 0.3 wt% based on the total weight cement, Na The hygroscopicity of the cement is suppressed without impairing the hardening of the cement.
[0011]
In addition, in the temperature sensor in which the thermistor element and the core wire extending from the thermistor element are surrounded by a metal surrounding member and at least part of the periphery of the core wire is filled with the filler, the filler is a temperature mainly composed of SiO 2. A sensor is also preferable .
[0012]
In this temperature sensor, since the filler is mainly composed of SiO 2 , for example, the hygroscopicity of the filler is relatively lowered as compared with the case where MgO is the main component.
[0013]
The temperature at which the thermistor element and the core wire extending from the thermistor element are surrounded by a metal surrounding member, and at least part of the periphery of the thermistor element is filled with cement and at least part of the periphery of the core wire is filled with the filler. In the sensor, the cement includes an aggregate mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 and a glass component, and the Na 2 O equivalent amount of the Na component contained in the glass component is 0 with respect to the total weight of the cement. .05~0.3 percent by weight, filler, also preferably a temperature sensor composed mainly of SiO 2.
[0014]
In this temperature sensor, the Na 2 O equivalent amount of the Na component contained in the glass component added to the aggregate to constitute the cement is compared with 0.05 to 0.3% by weight with respect to the total weight of the cement. Therefore, the hygroscopicity of the cement can be suppressed without impairing the hardening of the cement by Na, which is an alkali metal element. In addition, since the filler mainly contains SiO 2 , for example, the hygroscopicity of the filler is relatively lowered as compared with the case where MgO is the main ingredient.
[0015]
Furthermore, the insulation resistance value comprised of cement and filler between the terminal of the core wire and the surrounding member is set to a value more than twice the output resistance value of the thermistor element at the lowest temperature detected by the temperature sensor. A temperature sensor is preferred .
[0016]
At the lowest temperature detected by the temperature sensor, the insulation resistance composed of cement and filler between the core wire and the surrounding member works in parallel with the output resistance of the thermistor element, that the insulation resistance is lowered As a result, the output resistance value of the thermistor element is adversely affected. It has been found that this adverse effect is caused by the fact that the insulation resistance value composed of cement and filler becomes smaller than twice the output resistance value of the thermistor element.
Therefore, according to the configuration of the invention, the insulation resistance value is set to a value that is twice or more the output resistance value of the thermistor element at the lowest temperature detected by the temperature sensor. Is not substantially reduced. This can be achieved, for example, by specifying the composition of at least one of cement and filler to reduce the hygroscopicity of the cement or filler as in the invention of
[0017]
In addition , the thermistor element and the core wire extending from the thermistor element are surrounded by a metal surrounding member, and at least a part of the periphery of the thermistor element is filled with cement, and at least a part of the periphery of the core wire is provided with a filler. In the temperature sensor used for detecting the above temperature, the thermistor element at the lowest temperature detected by the temperature sensor is used as the insulation resistance value composed of cement and filler between the terminal of the core wire and the surrounding member. It is also preferable to use a temperature sensor that is set to a value that is at least twice the output resistance value.
[0018]
At the lowest temperature detected by a temperature sensor used to detect a temperature of 200 ° C. or higher, the insulation resistance composed of cement and filler between the core wire and the surrounding member is relative to the output resistance of the thermistor element. As a result, the output resistance value of the thermistor element is reduced because the insulation resistance value decreases in parallel. It has been found that this adverse effect is caused by the fact that the insulation resistance value composed of cement and filler becomes smaller than twice the output resistance value of the thermistor element.
Therefore, according to the configuration of the invention, the insulation resistance value is set to a value that is twice or more the output resistance value of the thermistor element at the lowest temperature detected by the temperature sensor. Is not substantially reduced. This is achieved, for example, by specifying at least one of cement and filler with a composition having low hygroscopicity, or specifying the material, thickness, shape, and the like of the surrounding member.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of a temperature sensor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0020]
FIG. 1 shows a partially broken side view of the
[0021]
Inside the metal tube 3, the flange 4, and the joint 6, a
[0022]
The metal tube 3, the
[0023]
Inside the
[0024]
A pair of
[0025]
A
[0026]
The
[0027]
Table 1 below shows the composition of the material used to construct the
[0028]
[Table 1]
[0029]
Conventional uncured cement is composed of alumina (Al 2 O 3 ) powder ( 1 ) as an aggregate, water glass ( 2 ) as a curing agent that is also one of glass components, and colloidal silica (silicate). Aqueous solution) ( 3 ) is added in a predetermined amount and adjusted to a predetermined viscosity with water as a diluent. Here, the water glass contains 33 wt% SiO 2 and 16 wt% Na 2 O. Colloidal silica contains 20% by weight of SiO 2 and 3% by weight or less of organic content.
The
[0030]
Table 2 shows the mixing ratio (weight ratio) of each component of the
[0031]
[Table 2]
[0032]
In order to manufacture the
[0033]
Table 3 shows the results of testing the heat insulation of the cement and the sheath filler for each of the temperature sensors of Example 1, Example 2 and Example 3 (shown in Tables 1 and 2). ) And a sheath filler (made of MgO powder). Here, the cement and the sheath filler of Example 3 are the same as the
[0034]
[Table 3]
[0035]
As apparent from Table 3, the temperature sensor of the conventional example in which a combination of a cement comprising a sheath filler consisting MgO powder, 0.49 wt% of terms of Na 2 O of Na component based on the total weight It can be seen that the heating insulation resistance value is the smallest. In Example 1 in which only the sheath filler is replaced with SiO 2 powder in the configuration of this conventional example, it can be seen that the heating insulation resistance value increased by about 2 to 3.5 times. On the other hand, in the conventional example embodiment it was changed with respect to the total weight only cement of configuration of the one containing 0.17 wt% of terms of Na 2 O of Na component Example 2, heat insulation resistance of about 2.5 It can be seen that the increase is about 3.5 times. Furthermore, in Example 3 (this embodiment) configured by combining a sheath filler made of SiO 2 powder and a cement containing Na component in an amount of Na 2 O equivalent to 0.17% by weight with respect to the total weight. The heating insulation resistance value of the temperature sensor increased by orders of magnitude (about 8 to 17 times) compared to the minimum value of that of the conventional example.
[0036]
The graph of FIG. 3 shows the correlation between the 300 ° C. heating insulation resistance value and the output resistance value of the thermistor element 2 at 300 ° C., that is, the output resistance value of the
As is apparent from this graph, when the 300 ° C. heating insulation resistance value is low, that is, when the cement and the sheath filler cause insulation deterioration due to moisture absorption, these insulation resistances work in parallel to the output resistance. It can be seen that the output resistance value decreases. It can be seen that the output resistance value at 300 ° C. becomes constant when the heating insulation resistance value at 300 ° C. is about 300 kΩ or more and is not affected by the change in the heating insulation resistance value.
[0037]
By the way, in this embodiment, as shown in Table 3 and FIG. 3, by setting the Na 2 O conversion amount of the Na component contained in the
That is, as described above, when the heating insulation resistance value at 300 ° C. becomes about 300 kΩ or more, the output resistance value of the thermistor element 2 at 300 ° C. shows a constant value. From this, when the sheath filler is kept using the conventional MgO powder, the data shown in Table 3 is used when the alkali content is such that the insulation resistance value of the cement is about 300 kΩ or more. From this, the amount converted to Na 2 O can be estimated. In this case, when terms of Na 2 O amount is 0.49% by weight, three samples 170kΩ insulation resistance value, shows a 210kΩ and 240Keiomega, when terms of Na 2 O amount is 0.17 wt%, the insulation resistance value These three samples show 600 kΩ, 600 kΩ and 600 kΩ. Therefore, the average value of the three insulation resistance values when the Na 2 O equivalent amount is 0.49% by weight and the average value of the three insulation resistance values when the Na 2 O equivalent amount is 0.17% by weight. Therefore, if the equivalent amount of Na 2 O at which the insulation resistance value is about 300 kΩ is apportioned, a value of 0.3% by weight can be used as a guide. Therefore, the Na 2 O conversion amount of the Na component contained in the
[0038]
As described above, in the
[0039]
In addition, according to the
[0040]
In the configuration of the
Therefore, according to the configuration of the
[0041]
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment in which the temperature sensor of the present invention is embodied will be described with reference to the drawings. In the following embodiments including the present embodiment, the same components as those of the
[0042]
FIG. 4 shows a cross-sectional view of the temperature sensor 21 of the present embodiment. FIG. 5 shows an enlarged part of FIG. The temperature sensor 21 is different from the
[0043]
Therefore, even in the temperature sensor 21 of the present embodiment, the hygroscopicity of the
[0044]
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment embodying the temperature sensor of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0045]
FIG. 6 shows a cross-sectional view of the
[0046]
Therefore, according to the
[0047]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented with appropriate modifications without departing from the spirit of the invention.
[0048]
(1) In each of the above-described embodiments, the
On the other hand, the
[0049]
(2) In the respective embodiments, although the terms of Na 2 O of Na component contained in the glass component of the
[0050]
(3) In each of the embodiments described above, the minimum temperature detected by the temperature sensor is described with 300 ° C. as the middle temperature range, but the temperature around 200 ° C. may be set as the minimum temperature detected by the temperature sensor with the middle temperature range. it can.
[0051]
(4) In each of the above embodiments, the aggregate of the
[0052]
【The invention's effect】
According to the configuration of the invention described in
[0053]
[0054]
[0055]
[0056]
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially broken side view showing a temperature sensor according to the first embodiment.
2 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG.
FIG. 3 is also a graph showing the correlation between the heating insulation resistance value and the output resistance value at 300 ° C.
FIG. 4 is a side sectional view showing a temperature sensor according to a second embodiment.
5 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG.
FIG. 6 is a side sectional view showing a temperature sensor according to a third embodiment.
FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
8 Sheath (enclosure member)
11
31 Temperature sensor
Claims (1)
前記セメントは、Al2O3又はSiO2を主成分とする骨材とガラス成分とを備え、前記ガラス成分に含まれるNa成分のNa2O換算量が、セメント全体重量に対して、0.05〜0.3重量%である
ことを特徴とする温度センサ。A thermistor element and a core wire extending from the thermistor element are surrounded by a metal surrounding member, and at least part of the periphery of the thermistor element is filled with cement, and the entire thermistor element and the cement are arranged in a temperature measurement region. In a temperature sensor that detects a temperature up to a high temperature range of about 1000 ° C. ,
The cement includes an aggregate mainly composed of Al 2 O 3 or SiO 2 and a glass component, and a Na 2 O equivalent amount of the Na component contained in the glass component is about 0. A temperature sensor characterized by being 0.5 to 0.3% by weight.
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