JP3937853B2 - 発光表示装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、比較的低い電界で電子を放出する材料、特にカーボンナノチューブ、微細カーボンファイバ、ダイヤモンド等の炭素系材料または窒化硼素系材料を電子源に用いた発光表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、微小な電子源を多数並べ、放出された電子で蛍光体を励起して表示を行う発光表示装置の開発が盛んになっている。このような発光表示装置はブラウン管と同等の応答速度と明るさが期待できるうえに、液晶を用いる表示装置と同様の薄型化と軽量化が期待できる。
【0003】
図8に従来例の発光表示装置の一例を示す。陰極パネル810は、高融点金属を先端半径0.1μm以下にまで尖らせた高さ1μm程度のエミッタ811と、このエミッタ先端近傍に電界をかけて電子を引き出すためのゲート812と、エミッタ811とゲート812を電気的に絶縁させるための絶縁層813、エミッタ811に電子を供給するカソード814、そして基板815からなる。また、陽極パネル820はアノード821、蛍光層822そして透明基板823からなる。
【0004】
ゲート812に電圧をかけるとエミッタ811の先端に電界集中が生じて電子が引き出される。引き出された電子はアノード821に掛かる電圧によって加速され、蛍光層822を励起して発光させる。蛍光層822に色純度のよい高エネルギ用の蛍光体を用いるためにはアノード821に6kV程度の加速電圧を必要とし、放電を防ぐためにアノード821とカソード814は1.5mm程度離れた位置に配置する。エミッタ811の先端とゲート電極812の間の距離はおよそ1μm以下であるが、エミッタ811に使われる高融点金属から電子を引き出すためにはエミッタ811の先端に大きな電界集中を生じさせなければならず、ゲート812に大きな電圧を掛ける必要がある。
【0005】
例えば、「発光型ディスプレイ1」(共立出版刊、2001年)の189頁、図4.9(a)によればゲート電圧として少なくとも50V以上必要である。ゲート電圧は低いほうが駆動しやすいので、より低い電界で電子を放出する材料、例えばカーボンナノチューブを電子源に用いた例もある。その場合、高融点金属を用いた図8のエミッタ811の場合とは異なり平坦な構造であっても、ゲート電極に電圧を掛けることにより電子を引き出すことができる。例えば、IDW‘00の1177頁に記載されている報告では、ゲート電極に25V以上掛けることでエミッタから電子が放出され始め、100Vで14mA/cm2のエミッション電流密度が得られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
電子源にカーボンナノチューブ、微細カーボンファイバ、ダイヤモンド等の炭素系材料または窒化硼素を用いることにより、高融点金属の場合とは異なり、鋭利な突起を形成することなく比較的低いゲート電圧で電子を引き出すことが可能となり、駆動が容易な発光表示装置を得ることができる。
【0007】
図2にカーボンナノチューブの電界放出特性の一例を示す。図2から3V/μmの平均電界があれば、500cd/m2程度の輝度を得るのに必要なおよそ10mA/cm2の電流密度が得られることが分かる。高融点金属のエミッタ811から電子を引き出すには50V/μm以上の平均電界が必要であったのに対して非常に低い電界ですむため、ゲート電圧を小さくすることができる。しかし、高融点金属エミッタをそのままカーボンナノチューブに置き換えると、アノードとカソードの間に掛かる電界によって電子が放出されることがある。
【0008】
例えば、図8のアノード821とカソード814の間には4V/μm(=6kV÷1.5mm)の平均電界が発生する。この場合、50V/μm以上の平均電界が必要な高融点金属のエミッタ811から電子は放出されないが、3V/μmの平均電界で済むカーボンナノチューブでは電子が放出される。このため、高融点金属のエミッタの場合とは異なり、カーボンナノチューブを用いた場合はアノードやカソード、その他の電極の設定順序によって不必要な電子放出が生じ、画面上に不要な輝点が現れることがあった。
【0009】
アノードの電圧を低く抑えるか、アノードとカソードの間の距離を大きくすれば、アノードとカソードの間に生じる平均電界を十分小さくすることができ、カーボンナノチューブなどの低電界電子放出材料を用いた場合でも不必要な電子放出を防ぐことができる。例えば前記文献IDW‘00の1177頁に記載されている報告では、アノード電圧を700Vと低く抑え、アノードとカソードの間の距離を1.5mmとしているので、平均電界が0.47V/μmと小さくなり、不要な電子放出が生じることはない。
【0010】
しかし、上記従来例のような低いアノード電圧では(Zn0.2,Cd0.8)S:Ag,Cl+In2O3…赤、ZnO:Zn…緑、ZnS:〔Zn〕+In2O3…青、などの色純度が悪い低エネルギ用の蛍光体しか用いることができない。このため、色再現性のよい発光表示装置を提供することができないという問題があった。
【0011】
アノードとカソードの間の距離を大きくすれば、アノードとカソードの間の平均電界を十分小さくできるために、不要な電子放出を防ぐとともに、Y2O2S:Eu3+…赤、ZnS:Au,Cu,Al…緑、ZnS:Ag…青、などの色純度のよい高エネルギ用の蛍光体を用いることができる。しかし、この場合はアノードとカソードの間の距離が大きいために発光表示装置が厚くなるという問題があった。
【0012】
本発明の目的は、上記の従来技術の持つ課題を解決し、不必要な電子放出とそれに起因する不要な輝点を生じさせることがない、薄型で色再現性のよい発光表示装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明の発光表示装置では、蛍光体を発光させるときのアノード電極の電位をVaon、蛍光体を発光させないときの制御電極の電位およびカソード電極の電位をそれぞれVcoff、Vkoffとした場合に、Vaon、Vcoff、Vkoffの設定および解除の順序を規定した。
【0014】
図1において、アノード電極101とカソード電極102を1.5mm離れた位置に配置し、カソード電極102上にカーボンナノチューブを含む炭素系材料または窒化硼素からなる群から選択された材料を含む電子源103を配設し、カソード電極102の電位を0V、アノード電極101の電位Vaonを高エネルギ蛍光体が使用可能な6kVに設定すると、アノード電極101とカソード電極102の間の平均電界は4V/μmとなり、図2から分かるように電子源103から電子が引き出されるのに十分な電界が生じる。
【0015】
したがって、カソード電極102の電位をVkoffに、または、制御電極104の電位をVcoffに設定する前に、アノード電極101の電位Vaonを設定すると、電子源103から不要に電子が引き出される。これを防ぐために制御電極の電位またはカソード電極の電位の少なくとも一方をそれぞれVcoffまたはVkoffに設定した後に、アノード電極の電位をVaonに設定するようにした。
【0016】
また、アノード電極の電位Vaonを解除する前に制御電極の電位またはカソード電極の電位の少なくとも一方をそれぞれVcoffまたはVkoffに設定し、その後、アノード電極の電位Vaonを解除することで、やはり不要な電子放出とそれに起因する輝点が生じるのを防ぐことができた。
【0017】
図2より、3V/μmの平均電界があれば500cd/m2程度の輝度を得るのに必要な、およそ10mA/cm2の電流密度が得られる。上述したように、図1において、アノード電極101とカソード電極102の間の距離を1.5mmに、カソード電極102の電位を0V、アノード電極101の電位Vaonを高エネルギ蛍光体が使用可能な6kVに設定すると、アノード電極101とカソード電極102の間の平均電界は4V/μmとなる。
【0018】
しかし、これでは図2から分かるように、電子源103から過剰な電子が引き出されて蛍光体や電子源の寿命を短くする原因となる。アノード電極101とカソード電極102の間の距離を大きくすることで、電子源103に掛かる平均電界を小さくできるが、それでは装置の大型化につながる。
【0019】
そこで、蛍光体を発光させるときの制御電極の電位およびカソード電極の電位をそれぞれVcon、Vkonとし、アノード電極−カソード電極間距離およびアノード電極−制御電極間距離をそれぞれDak、Dacとした場合に、(Vcon−Vkon)の値が(Vaon−Vkon)×(Dak−Dac)/Dakの値よりも小さくすれば、装置を大型化することなく、適切な電子量を電子源103から引き出すことができる。例えば、アノード電極101と制御電極104の間の距離が950μmの場合は、制御電極の電位を150Vとすることで、電子源103に掛かる平均電界を3V/μmとすることができ、適正な電流密度を得ることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態を参照して本発明をさらに詳細に説明する。なお、図中における同一の記号は、同一物または類似物を表示するものとする。
【0021】
図3は本発明による発光表示装置の一画素の構成例とその部分拡大図を示した図である。図3において、陽極パネル310は少なくともガラス基板311、蛍光層312、アノード313からなっている。蛍光層はカラー表示を行うために赤(R)、緑(G)、青(B)の三色の領域に分けられており、その間はブラックマトリクスで仕切られている。
【0022】
陰極パネル320は基板301上にカソードライン302と制御ライン304を、絶縁層303を介して直交して設けている。カソードライン302は画素の三色の領域に共通に設けられているのに対して、制御ライン304は各色に対応して備えられている。この画素の表示すべき色に対応して、それぞれの制御ライン304に印加する電位を制御することで色が選択される。制御ライン304には複数の開口部305が設けられており、拡大図に示される通り、開口部305内には電子源306が備えられている。
【0023】
次に図3で説明した画素構成を含めた発光表示装置の部分構成について説明する。図4は発光表示装置の陽極パネル310と陰極パネル320の配置関係を示した部分断面斜視図である。
【0024】
図4において、陽極パネル310と陰極パネル320は、両者の距離が略一定になるように複数の絶縁性のスペーサ401を介して接合され、陽極パネル310と陰極パネル320の間は真空に保たれている。陰極パネル320には複数のカソードライン302と複数の制御ライン304が絶縁層303を介して直交して配置されている。また、制御ライン304には複数の開口部305が配置され、図3の拡大図で説明した通り、開口部305内には電子源306が設けられ、制御ライン304に電圧を印加することで電子源306から放出される電子量を制御する。放出された電子はアノード313に掛かっている電位によって加速されて蛍光層312を励起する。図4には図示していないが、蛍光層312は図3で説明した通り、カラー表示を行うために複数の赤(R)、緑(G)、青(B)の領域に分けられており、その間はブラックマトリクスで仕切られている。
【0025】
次に図3および図4で示した本発明による発光表示装置の作製方法について説明する。ガラスの基板301上に銀ペーストを幅1200μm、ピッチ1270μmで印刷し、大気中において550℃で20分間焼成し、カソードライン302を形成した。この後、5μm以下の長さに粉砕したカーボンナノチューブを重量比で約10%含むペーストをカソードライン302上の電子放出させる所定の位置に印刷し、大気中において530℃で15分間焼成して、厚さ約30μmの電子源306を形成した。
【0026】
次に電子源306が配設されている領域以外のカソードライン302上の所定の領域に絶縁性ペーストを印刷し、これを510℃で20分間焼成して、厚さ約50μmの絶縁層303を形成した。形成した絶縁層303の上にカソードライン302と直交する方向に銀ペーストを幅400μm、ピッチ423μmで印刷し、大気中において490℃で15分間焼成し、制御ライン304を形成した。
【0027】
以上の方法により陰極パネル320を作製した。陽極パネル310はガラス基板311上に、ブラウン管と同様の製造工程によりブラックマトリクス(図示せず)、蛍光層312、アノード313を形成して作製する。
【0028】
図5は本発明による発光表示装置の断面構造の概略を示す。電子放出を行う電子源と蛍光層の間の距離が略一定になるように、スペーサ401を介して陽極パネル310と陰極パネル320を適切な位置に合わせたうえで接合し、陰極パネル320の背面に主にバリウムからなるゲッタ501を取り付ける。表示部全体を真空排気するために陽極パネル310と側面パネル502と背面パネル503を低融点ガラスで封着し、背面パネル503にあらかじめ取り付けてある排気管504から油拡散ポンプを用いて約200℃に加熱しながら100μPa程度まで排気した後、排気管504を封じ切る。その後、ゲッタ501を加熱して背面パネル503内にバリウムゲッタ膜を形成する。以上の工程により発光表示装置を作製できる。
【0029】
図6はカソードライン302、制御ライン304、電子源306を回路として表し、その駆動方法を模式的に示した図である。カソードライン302には走査信号601が加えられ。順次選択されていく。その間、制御ラインに輝度信号602が加えられ、その信号に応じて電子源306からの電子放出量が制御される。
【0030】
図7は、図6で示した回路において、カソードライン、制御ラインおよびアノードに加える電位のタイムスケジュールの一例を示した図である。図7の一番上の矩形波は輝度信号として制御ラインに加えられる電位Vcであり、二番目の矩形波は走査信号としてカソードラインに加えられる電位Vkであり、三番目の矩形波は電子を加速するためのアノードに加えられる電位Vaである。Vcg、Vkg、Vagはそれぞれ、制御ライン電位Vc、カソードライン電位Vk、アノード電位Vaの初期状態の電位を示しており、例えば発光表示装置の電源が切られているときの電位を示す。
【0031】
発光表示装置の電源が入ると、制御ライン電位Vc、カソードライン電位Vk、アノード電位Vaは一旦全てoff状態とするためにそれぞれ、Vcoff、Vkoff、Vaoffの電位に設定される(時間t1)。この後、アノード電位Vaを蛍光層の発光に必要な電位であるVaonに設定する(時間t2)。このとき、制御ライン電位VcがVcoff、カソードライン電位VkがVkoffに設定されたままなので、電子源306から電子が不用意に放出されることはない。その後、制御ライン電位Vcとカソードライン電位VkにそれぞれVconとVkonが加えられ、画像表示を行う(時間t3以降)。
【0032】
発光表示装置の電源をオフ状態とする前には、まず、制御ライン電位Vcとカソードライン電位VkをそれぞれVcoffとVkoffに設定し、電子源からの電子放出を止める(時間tn−3)。その後、アノード電位VaをVaoffに設定する(時間tn−2)。これにより電子源306から電子が不用意に放出されるのを防ぐことができる。最後に制御ライン電位Vc、カソードライン電位Vk、アノード電位VaをそれぞれVcg、Vkg、Vagに設定し、初期状態に戻す(時間tn−1)。
【0033】
以上、本発明によれば、カーボンナノチューブ、微細カーボンファイバ、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン、窒化硼素および炭素含有窒化硼素などの、低電界において電子を放出する材料を電子源として用いても、不必要な電子放出とそれに起因する不要な輝点を生じさせることがなく、薄型で色再現性のよい発光表示装置を提供することができる。
【0034】
【発明の効果】
本発明によれば、カーボンナノチューブ等の数V/μmの低電界において電子を放出する電子源材料を用いると際に、アノード、カソードおよび制御電極に印加する電位の順序を設定することで、不必要な電子放出とそれに起因する不要な輝点を防ぐことができるとともに、薄型で色再現性のよい発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の動作原理を説明するための発光表示装置の模式的断面図。
【図2】本発明に用いる電子源の電子放出特性の一例を示す図。
【図3】本発明による実施例の画素構成の概略を説明するための斜視図。
【図4】本発明による実施例の部分構成の概略を説明するための斜視図。
【図5】本発明による実施例の断面構成の概略を説明するための断面図。
【図6】本発明による実施例の電子放出素子の回路図。
【図7】本発明による実施例の駆動信号の波形図。
【図8】従来例における動作原理を説明するための断面図。
【符号の説明】
101…アノード電極、102…カソード電極、103…電子源、104…制御電極、301…基板、302…カソードライン、303、813…絶縁層、304…制御ライン、305…開口部、306…電子源、310、820…陽極パネル、311…ガラス基板、312、822…蛍光層、313…アノード、320、810…陰極パネル、401…スペーサ、501…ゲッタ、502…側面パネル、503…背面パネル、504…排気管、601…走査信号、602…輝度信号、811…エミッタ、812…ゲート電極、814…カソード電極、815…基板、821…金属膜、823…透明基板。
Claims (3)
- 電子源と、前記電子源に電子を供給するカソード電極と、前記電子源から放出される電子の量を調節する制御電極と、前記電子源から放出された電子を加速させるアノード電極と、前記電子源から放出された電子により励起されて発光する蛍光体を少なくとも有し、蛍光体を発光させるときのアノード電極に印加する電位をVaon、蛍光体を発光させるときには制御電極の電位およびカソード電極の電位をそれぞれVcon、Vkonとするのに対して、制御電極の電位をVcoffにするか、カソード電極の電位をVkoffにすることにより、蛍光体を発光させないように制御することができる発光表示装置において、前記発光表示装置の電源を入れてから前記蛍光体が発光するまでの間で、アノード電極の電位をVaonと異なる状態からVaonの状態に変化させる際には、制御電極の電位がVcoffであるか、もしくはカソード電極の電位がVkoffであるかの、少なくとも一方の状態を満たすことを特徴とする発光表示装置。
- 前記発光表示装置の電源をオフ状態とするときに、アノード電極の電位をVaonからVaonとは異なる状態に変化させる際には、制御電極の電位がVcoffであるか、カソード電極の電位がVkoffであるかの、少なくとも一方の状態を満たすことを特徴とする請求項1に記載の発光表示装置。
- 前記電子源を構成する材料の主成分がカーボンナノチューブ、微細カーボンファイバ、ダイヤモンド、ダイヤモンドライクカーボン、窒化硼素および炭素含有窒化硼素からなる群から選択された電子放出材料の少なくとも1つであることを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の発光表示装置。
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