JP3931681B2

JP3931681B2 - High frequency switch, composite high frequency component, and mobile communication device using the same

Info

Publication number: JP3931681B2
Application number: JP2002040615A
Authority: JP
Inventors: 孝治降谷; 規巨中島
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-02-18
Filing date: 2002-02-18
Publication date: 2007-06-20
Anticipated expiration: 2018-11-20
Also published as: JP2002314455A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関し、特に、３つの異なる通信システムに利用可能な高周波スイッチ、複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、移動体通信装置として、複数の周波数帯域、例えば１．８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Digital Cellular System)及びＰＣＳ(Personal Communication Services)と９００ＭＨｚ帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile communications)とで動作が可能なトリプルバンド携帯電話器が提案されている。
【０００３】
図６は、従来のトリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳ、それらと周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとした場合の一例を示したものである。
【０００４】
トリプルバンド携帯電話器のフロントエンド部は、アンテナ１、ダイプレクサ２、３ポートを備えた第１乃至第３のスイッチ３〜５、第１及び第２のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭの送信信号を結合し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＧＳＭに受信信号を分配する役目を担う。第１の高周波スイッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰＣＳの受信部側とを切り換え、第２の高周波スイッチ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘｐ側とを切り換え、第３の高周波スイッチ５は、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換える役目を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの送受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させ、第２のフィルタ７は、ＧＳＭの送受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させる役目を担う。
【０００５】
ここで、トリプルバンド携帯電話器の動作について、まず、ＤＣＳの場合を説明する。送信の際には、第１の高周波スイッチ３にてＰＣＳと共通の送信部Ｔｘｄｐを接続して送信部Ｔｘｄｐからの送信信号を第１のフィルタ６に送り、第１のフィルタ６を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＤＣＳ、ＰＣＳ側の第１のフィルタ６に送り、第１の高周波スイッチ３にて受信部側をオンにして第１のフィルタ６を通過した受信信号を第２の高周波スイッチ４に送り、第２の高周波スイッチ４にてＤＣＳの受信部Ｒｘｄを接続して第２の高周波スイッチ４を通過した受信信号をＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送る。なお、ＰＣＳを用いる場合にも同様の動作にて送受信される。
【０００６】
続いて、ＧＳＭの場合を説明する。送信の際には、第３の高周波スイッチ５にて送信部Ｔｘｇを接続して送信部Ｔｘｇからの送信信号を第２のフィルタ７に送り、第２のフィルタ７を通過した送信信号をダイプレクサ２で合波し、アンテナ１から送信する。受信の際には、アンテナ１から受信した受信信号をダイプレクサ２で分波し、アンテナ１からの受信信号をＧＳＭ側の第２のフィルタ７に送り、第３の高周波スイッチ５にて受信部Ｒｘｇを接続して第２のフィルタ７を通過した受信信号を受信部Ｒｘｇに送る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の従来の移動体通信装置の１つであるトリプルバンド携帯電話器によれば、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システム側で２つの高周波スイッチを備えているため、受信部に２つの高周波スイッチの挿入損失が発生し、挿入損失が大きくなるという問題があった。
【０００８】
また、高周波スイッチの占有面積が大きくなり、回路基板が大型化し、その結果、トリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）が大型化するという問題もあった。
【０００９】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、挿入損失を低減し、かつ回路の小型化が可能な複合高周波部品及びそれを用いた移動体通信装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述する問題点を解決するため本発明の高周波スイッチは、第１及び第２の近接した周波数帯の送受信信号と第３の周波数帯の送受信信号とに分岐するための第１のインダクタと第１のコンデンサとを含んで構成されるダイプレクサと、このダイプレクサを介してアンテナに接続される第１のポートと、前記第１及び第２の周波数帯の送信信号を送信するための送信部に接続される第２のポートと、前記第１の周波数帯の受信信号を受信するための受信部に接続される第３のポートと、前記第２の周波数帯の受信信号を受信するための受信部に接続される第４のポートと、第１の制御端子と、第２の制御端子と、を備えてなる高周波スイッチであって、前記第１のポートと前記第２のポートの間には、前記第１のポートにカソードが接続され、かつ前記第２のポートにアノードが接続されるように第１のダイオードが接続され、前記第１のポートと前記第３のポートの間には、前記第３のポートにアノードが接続され、かつカソードが抵抗を介して接地されるように第１の別のダイオードが接続され、前記第１のポートと前記第４のポートの間には、前記第１のポートにカソードが接続され、かつ前記第４のポートにアノードが接続されるように第１のさらに別のダイオードが接続されており、前記第１のダイオードのアノードには第２のインダクタを介して前記第１の制御端子が設けられ、前記第１の別のダイオードのアノードと前記第１のポートとの間には第２の別のインダクタが接続され、前記第１のさらに別のダイオードのアノードには第２のさらに別のインダクタを介して前記第２の制御端子が設けられ、前記第１の制御端子に印加される電圧は、前記第２のインダクタ、前記第１のダイオード、および前記第２の別のインダクタを介して前記第２の別のダイオードに印加され、前記第２の制御端子に印加される電圧は、前記第２のさらに別のインダクタ、前記第１のさらに別のダイオード、および前記第２の別のインダクタを介して前記第１の別のダイオードに印加され、前記第１及び第２の制御端子に印加される電圧を制御することにより、前記第１のポートを前記第２乃至第４のポートのいずれかに切り換えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の複合高周波部品は、本発明の高周波スイッチの第１のポートまたは第２のポートのいずれかに、フィルタを接続したことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の複合高周波部品は、前記高周波スイッチ、前記フィルタ、及び前記ダイプレクサが複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の移動体通信装置は、上記に記載の高周波スイッチ、または複合高周波部品を用いたことを特徴とする。
【００１４】
本発明の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減することが可能となる。
【００１５】
本発明の移動体通信装置によれば、受信部の挿入損失を低減する複合高周波部品を用いるため、３つの通信システムに対応したフロントエンド部の特性を向上させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本発明の高周波スイッチ及び複合高周波部品の第１の実施例の回路図である。第１乃至第３の通信システムであるＤＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）に対応したフロントエンド部の一部を構成する複合高周波部品１０は、ダイプレクサ１１、４ポートを有する第１の高周波スイッチ１２、３ポートを有する第２の高周波スイッチ１３、第１及び第２のフィルタ１４，１５からなる。
【００１７】
そして、ダイプレクサ１１の第１のポートＰ１１にはアンテナ１が、第２のポートＰ１２には第１のフィルタ１４の第１のポートＰ４１が、第３のポートＰ１３には第２のフィルタ１５の第１のポートＰ５１がそれぞれ接続される。
【００１８】
また、第１のフィルタ１４の第２のポートＰ４２には第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１が接続され、第１の高周波スイッチ１２の第２のポートＰ２２にはＤＣＳとＰＣＳとの共通の送信部Ｔｘｄｐが、第３のポートＰ２３にはＤＣＳの受信部Ｒｘｄが、第４のポートＰ２４にはＰＣＳの受信部Ｒｘｐがそれぞれ接続される。
【００１９】
さらに、第２のフィルタ１５の第２のポートＰ５２には第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１が接続され、第２の高周波スイッチ１３の第２のポートＰ３２にはＧＳＭの送信部Ｔｘｇが、第３のポートＰ３３にはＧＳＭの受信部Ｒｘｇがそれぞれ接続される。
【００２０】
ダイプレクサ１１は、第１のインダクタンス素子である第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、及び第１のキャパシタンス素子である第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５で構成される。
【００２１】
そして、第１のポートＰ１１と第２のポートＰ１２との間に第１のコンデンサＣ１１，Ｃ１２が直列接続され、それらの接続点が第１のインダクタＬ１１及び第１のコンデンサＣ１３を介して接地される。
【００２２】
また、第１のポートＰ１１と第３のポートＰ１３との間に第１のインダクタＬ１２と第１のコンデンサＣ１４とからなる並列回路が接続され、その並列回路の第３のポートＰ１３側が第１のコンデンサＣ１５を介して接地される。
【００２３】
第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。
【００２４】
そして、第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダイオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００２５】
また、第１のダイオードＤ１１の第２のポートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。
【００２６】
さらに、第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介して接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２のコンデンサＣ２３との接続点には第２の制御端子Ｖｃ２が設けられる。
【００２７】
また、第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４との間に第２のインダクタＬ２４が接続され、第２のインダクタＬ２４の第４のポートＰ２４側は第１のダイオードＤ１３及び第２のコンデンサＣ２４を介して接地され、第１のダイオードＤ１３のカソードと第２のコンデンサＣ２４との接続点には第３の制御端子Ｖｃ３が設けられる。
【００２８】
さらに、第１のポートＰ２１は第２のインダクタＬ２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地され、第２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２５との接続点は、抵抗Ｒを介して接地される。
【００２９】
第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。
【００３０】
そして、第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側になるように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダイオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００３１】
また、第２のダイオードＤ２１の第２のポートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接続点には第４の制御端子Ｖｃ４が設けられる。
【００３２】
さらに、第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介して接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３のコンデンサＣ３３との接続点には第５の制御端子Ｖｃ５が設けられる。
【００３３】
第１のフィルタ１４は、第４のインダクタンス素子である第４のインダクタＬ４１、及び第４のキャパシタンス素子である第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４２で構成される。
【００３４】
そして、第１のポートＰ４１と第２のポートＰ４２との間に第４のインダクタＬ４１が直列接続され、第４のインダクタＬ４１には第４のコンデンサＣ４１が並列に接続される。また、第４のインダクタＬ４１の第２のポートＰ４２側は第４のコンデンサＣ４２を介して接地される。
【００３５】
第２のフィルタ１５は、第５のインダクタンス素子である第５のインダクタＬ５１、及び第５のキャパシタンス素子である第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５２で構成される。
【００３６】
そして、第１のポートＰ５１と第２のポートＰ５２との間に第５のインダクタＬ５１が直列接続され、第５のインダクタＬ５１には第５のコンデンサＣ５１が並列に接続される。また、第５のインダクタＬ５１の第２のポートＰ５２側は第５のコンデンサＣ５２を介して接地される。
【００３７】
図２は、図１の回路構成を有する複合高周波部品の要部分解斜視図である。複合高周波部品１０は、セラミック多層基板１６を含み、セラミック多層基板１６には、図示していないが、ダイプレクサ１１を構成する第１のインダクタＬ１１，Ｌ１２、第１のコンデンサＣ１１〜Ｃ１５、第１の高周波スイッチ１２の第２のインダクタＬ２１，Ｌ２３〜Ｌ２５、第２のコンデンサＣ２１，Ｃ２２，Ｃ２５、第２の高周波スイッチ１３の第３のインダクタＬ３１，Ｌ３３、第３のコンデンサＣ３１，Ｃ３２、第１のフィルタ１４を構成する第４のインダクタＬ４１、第４のコンデンサＣ４１，Ｃ４２、第２のフィルタ１５を構成する第５のインダクタＬ５１、第５のコンデンサＣ５１，Ｃ５２がそれぞれ内蔵される。
【００３８】
また、セラミック多層基板１６の表面には、チップ部品からなる第１の高周波スイッチ１２を構成する第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタＬ２２、第２のコンデンサＣ２３，Ｃ２４、第２の高周波スイッチ１３を構成する第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタＬ３２、第３のコンデンサＣ３３がそれぞれ搭載される。
【００３９】
さらに、セラミック多層基板１６の側面から底面に架けて、１２個の外部端子Ｔａ〜Ｔｌがスクリーン印刷などでそれぞれ形成される。これらの外部端子Ｔａ〜Ｔｌのうち、５個の外部端子Ｔａ〜Ｔｅはセラミック多層基板１１の一方長辺側、５個の外部端子Ｔｇ〜Ｔｋはセラミック多層基板１１の他方長辺側、残りの２個の外部端子Ｔｆ，Ｔｌはセラミック多層基板１１の相対する短辺のそれぞれの側にスクリーン印刷などにより形成される。
【００４０】
そして、外部端子Ｔａ〜Ｔｌは、それぞれ、ダイプレクサ１１のポートＰ１１、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３の第２及び第３のポートＰ２２，Ｐ２３，Ｐ３２，Ｐ３３、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３の第１〜第５の制御端子Ｖｃ１，Ｖｃ２，Ｖｃ３，Ｖｃ４，Ｖｃ５、並びにグランド用の端子となる。
【００４１】
また、セラミック多層基板１６上には、セラミック多層基板１６の表面を覆うように金属キャップ１７が被せられる。この際、金属キャップ１７と、ラミック多層基板１６の相対する短辺のそれぞれの側に設けられるグランド用の端子となる外部端子Ｔｆ，Ｔｌとは接続される。
【００４２】
ここで、図１の回路構成を有する複合高周波部品１０の動作について説明する。まず、ＤＣＳあるいはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波スイッチ１２、第１のフィルタ１４及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００４３】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００４４】
次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に１Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に０Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第２の高周波スイッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００４５】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００４６】
次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、及び第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００４７】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１４を遮断している。
【００４８】
次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００４９】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００５０】
次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第４の制御端子Ｖｃ４に０Ｖを、第５の制御端子Ｖｃ５に１Ｖをそれぞれ印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレクサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２の高周波スイッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００５１】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖを、第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００５２】
上述の第１の実施例の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させることが可能となる。
【００５３】
また、複合高周波部品をなす２つの高周波スイッチを５つのダイオードで構成することができるため、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現することができる。
【００５４】
さらに、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１乃至第３の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第４及び第５の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備えるＤＣＳ、ＰＣＳの送信時には、４ポートを有する第１の高周波スイッチを構成する３つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高調波歪みを低減させることができる。
【００５５】
また、複合高周波部品をなすダイプレクサ、第１及び第２の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、それぞれの部品の整合特性、減衰特性、あるいはアイソレーション特性を確保することができ、それに伴い、ダイプレクサと第１及び第２の高周波スイッチとの間の整合回路が不要となる。
【００５６】
したがって、複合高周波部品の小型化が可能となる。ちなみに、ダイプレクサ、第１及び第２の高周波スイッチ、並びに第１及び第２のフィルタを６．３ｍｍ×５ｍｍ×２ｍｍの大きさのセラミック多層基板に一体化することが可能となった。
【００５７】
さらに、ダイプレクサが、第１のインダクタ、第１のコンデンサで構成され、第１の高周波スイッチが、第１のダイオード、第２のインダクタ、第２のコンデンサで構成され、第２の高周波スイッチが、第２のダイオード、第３のインダクタ、第３のコンデンサで構成され、第１のフィルタが、第４のインダクタ、第４のコンデンサで構成され、第２のフィルタが、第５のインダクタ、第５のコンデンサで構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
【００５８】
また、波長短縮効果により、第１〜第５のインダクタとなるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
【００５９】
図３は、本発明の高周波スイッチ及び複合高周波部品の第２の実施例の回路図である。複合高周波部品２０は、ダイプレクサ１１、第１及び第２の高周波スイッチ１２，１３、第１及び第２のフィルタ１４，１５からなる。
【００６０】
このうち、ダイプレクサ１１、第１及び第２のフィルタ１４，１５の構成は、図１の第１の実施例の複合高周波部品１０と同じであり、詳細な説明は省略する。
【００６１】
第１の高周波スイッチ１２は、第１のスイッチング素子である第１のダイオードＤ１１〜Ｄ１３、第２のインダクタンス素子である第２のインダクタＬ２１〜Ｌ２５、及び第２のキャパシタンス素子である第２のコンデンサＣ２１〜Ｃ２５で構成される。
【００６２】
そして、第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１１が接続され、第１のダイオードＤ１１には第２のインダクタＬ２１と第２のコンデンサＣ２１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００６３】
また、第１のダイオードＤ１１の第２のポートＰ２２側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２２及び第２のコンデンサＣ２２を介して接地され、第２のインダクタＬ２２と第２のコンデンサＣ２２との接続点には第１の制御端子Ｖｃ１が設けられる。
【００６４】
さらに、第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３との間に第２のインダクタＬ２３が接続され、第２のインダクタＬ２３の第３のポートＰ２３側は第１のダイオードＤ１２及び第２のコンデンサＣ２３を介して接地され、第１のダイオードＤ１２のカソードと第２のコンデンサＣ２３との接続点は抵抗Ｒを介して接地される。
【００６５】
また、第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４との間にカソードが第１のポートＰ２１側になるように第１のダイオードＤ１３が接続され、第１のダイオードＤ１３には第２のインダクタＬ２４と第２のコンデンサＣ２４とからなる直列回路が並列に接続される。
【００６６】
また、第１のダイオードＤ１３の第４のポートＰ２４側、すなわちアノードは第２のインダクタＬ２５及び第２のコンデンサＣ２５を介して接地され、第２のインダクタＬ２５と第２のコンデンサＣ２５との接続点には第２の制御端子Ｖｃ２が設けられる。
【００６７】
第２の高周波スイッチ１３は、第２のスイッチング素子である第２のダイオードＤ２１，Ｄ２２、第３のインダクタンス素子である第３のインダクタＬ３１〜Ｌ３３、及び第３のキャパシタンス素子である第３のコンデンサＣ３１〜Ｃ３３で構成される。
【００６８】
そして、第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２との間にカソードが第１のポートＰ３１側になるように第２のダイオードＤ２１が接続され、第２のダイオードＤ２１には第３のインダクタＬ３１と第３のコンデンサＣ３１とからなる直列回路が並列に接続される。
【００６９】
また、第２のダイオードＤ２１の第２のポートＰ３２側、すなわちアノードは第３のインダクタＬ３２及び第３のコンデンサＣ３２を介して接地され、第３のインダクタＬ３２と第３のコンデンサＣ３２との接続点には第３の制御端子Ｖｃ３が設けられる。
【００７０】
さらに、第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３との間に第３のインダクタＬ３３が接続され、第３のインダクタＬ３３の第３のポートＰ３３側は第２のダイオードＤ２２及び第３のコンデンサＣ３３を介して接地され、第２のダイオードＤ２２のカソードと第３のコンデンサＣ３３との接続点は抵抗Ｒを介して接地される。
【００７１】
ここで、図３の回路構成を有する複合高周波部品２０の動作について説明する。まず、ＤＣＳあるいはＰＣＳ（１．８ＧＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に１Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第２のポートＰ２２とを接続することにより、ＤＣＳあるいはＰＣＳの送信信号が第１の高周波スイッチ１２、第１のフィルタ１４及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳ、ＰＣＳの送信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００７２】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００７３】
次いで、ＧＳＭ（９００ＭＨｚ帯）の送信信号を送信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に１Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第２のポートＰ３２とを接続することにより、ＧＳＭの送信信号が第２の高周波スイッチ１３、第２のフィルタ１５及びダイプレクサ１１を通過し、アンテナ１から送信される。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの送信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００７４】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００７５】
次いで、ＤＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第３のポートＰ２３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＤＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、及び第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＤＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００７６】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００７７】
次いで、ＰＣＳの受信信号を受信する場合には、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に１Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２の第１のポートＰ２１と第４のポートＰ２４とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＰＣＳの受信信号がダイプレクサ１１、第１のフィルタ１４、第１の高周波スイッチ１２を通過し、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐに送られる。この際、第１のフィルタ１４はＰＣＳの受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減衰させている。
【００７８】
なお、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第３の高周波スイッチ１３を遮断している。
【００７９】
次いで、ＧＳＭの受信信号を受信する場合には、第２の高周波スイッチ１３において第３の制御端子Ｖｃ３に０Ｖを印加して第２の高周波スイッチ１３の第１のポートＰ３１と第３のポートＰ３３とを接続することにより、アンテナ１から受信されたＧＳＭの受信信号がダイプレクサ１１、第２のフィルタ１５、及び第２の高周波スイッチ１３を通過し、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇに送られる。この際、第２のフィルタ１５はＧＳＭの受信信号を通過させ、３次高調波を減衰させている。
【００８０】
なお、第１の高周波スイッチ１２において第１の制御端子Ｖｃ１に０Ｖを、第２の制御端子Ｖｃ２に０Ｖをそれぞれ印加して第１の高周波スイッチ１２を遮断している。
【００８１】
上述の第２の実施例の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１及び第２の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第３の制御電源で制御しているため、第１の高周波スイッチの後段のＤＣＳ、及び第２の高周波スイッチの後段のＧＳＭの受信時には、第１の高周波スイッチが備える第１及び第２の制御電源、及び第２の高周波スイッチが備える第３の制御電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させることができる。
【００８２】
図４は、本発明の複合高周波部品の第３の実施例のブロック図である。複合高周波部品３０は、第１の実施例の複合高周波部品１０（図１）と比較して第１及び第２のフィルタ１４，１５の配置位置が異なる。
【００８３】
すなわち、第１のフィルタ１４が第１の高周波スイッチ１２の後段の送信部側であるＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ側に、第２のフィルタ１５が第２の高周波スイッチ１３の後段の送信部側であるＧＳＭの送信部Ｔｘｇとの間にそれぞれ配置される。
【００８４】
上述の第３の実施例の複合高周波部品によれば、フィルタが高周波スイッチの後段の送信部側、すなわち高周波スイッチと送信部との間に配置されるため、送信の際に、送信部にある高出力増幅器の歪みをこのフィルタで減衰させることができる。したがって、受信側の挿入損失を改善することができる。
【００８５】
図５は、移動体通信機であるトリプルバンド携帯電話器の構成の一部を示すブロック図であり、１．８ＧＨｚ帯のＤＣＳ及びＰＣＳと９００ＭＨｚ帯のＧＳＭとを組み合わせた一例を示したものである。トリプルバンド携帯電話器４０は、アンテナ１及び複合高周波部品１０（図１）を備える。
【００８６】
そして、複合高周波部品１０のポートＰ１１にはアンテナ１が、ポートＰ２２，Ｐ２３，Ｐ２４，Ｐ３２，Ｐ３３には、ＤＣＳ、ＰＣＳの共通の送信部Ｔｘｄｐ、ＰＣＳの受信部Ｒｘｐ、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ、ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ、ＧＳＭの受信部Ｒｘｇが、それぞれ接続される。
【００８７】
上述のトリプルバンド携帯電話器によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【００８８】
なお、複合高周波部品１０に複合高周波部品２０，３０（図２、図３）を用いても同様の効果が得られる。
【００８９】
【発明の効果】
本発明の複合高周波部品によれば、４ポートを有する第１の高周波スイッチと３ポートを有する第２の高周波スイッチとの２つの高周波スイッチで構成しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの受信経路に第１の高周波スイッチのみを備え、その結果、受信部の挿入損失を低減させることが可能となる。
【００９０】
また、複合高周波部品をなす２つの高周波スイッチを５つのダイオードで構成することができるため、複合高周波部品の小型化及び低コスト化を実現することができる。
【００９１】
本発明の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１乃至第３の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第４及び第５の制御電源で制御しているため、近接した周波数を備える第１及び第２の通信システムの送信時には、４ポートを有する第１の高周波スイッチを構成する３つのダイオードが全てオンになり、その結果、複合高周波部品の高調波歪みを低減させることができる。
【００９２】
本発明の複合高周波部品によれば、第１の高周波スイッチのオン・オフを第１及び第２の制御電源、第２の高周波スイッチのオン・オフを第３の制御電源で制御しているため、第１の高周波スイッチの後段の第１及び第２の通信システムのいずれか一方、及び第２の高周波スイッチの後段の第３の通信システムの受信時には、第１の高周波スイッチが備える第１及び第２の制御電源、及び第２の高周波スイッチが備える第３の制御電源に印加する印加電圧が０Ｖになり、その結果、複合高周波部品の消費電流を低減させることができる。
【００９３】
本発明の複合高周波部品によれば、第１及び第２のフィルタの少なくとも１つが高周波スイッチの後段の送信部側に配置されるため、送信部に構成する高出力増幅器による送信信号の歪みを減衰させることができる。したがって、受信部の挿入損失を改善することができる。
【００９４】
本発明の複合高周波部品によれば、複合高周波部品をなすダイプレクサ、高周波スイッチ及びフィルタを、セラミックスからなる複数のシート層を積層してなるセラミック多層基板に一体化するため、ダイプレクサと高周波スイッチとの間の整合調整が容易となり、ダイプレクサと高周波スイッチとの間、及び高周波スイッチとフィルタとの間に整合調整を行なう整合回路を設ける必要がなくなる。
【００９５】
したがって、部品点数を減らすことができるため、複数の信号経路を有するマイクロ波回路を形成する回路基板の小型化が可能となる。
【００９６】
本発明の複合高周波部品によれば、ダイプレクサが、第１のインダクタンス素子、第１のキャパシタンス素子で構成され、第１乃至第３の高周波スイッチが、第１及び第２のスイッチング素子、第２のインダクタンス素子、第２のキャパシタンス素子で構成され、第１及び第２のフィルタが、第３のインダクタンス素子、第３のキャパシタンス素子で構成されるとともに、それらがセラミック多層基板に内蔵、あるいは搭載され、セラミック多層基板の内部に形成される接続手段によって接続されるため、複合高周波部品が１つのセラミック多層基板で構成でき、さらに小型化が実現できる。加えて、部品間の配線による損失を改善することができ、その結果、複合高周波部品全体の損失を改善することが可能となる。
【００９７】
また、波長短縮効果により、各インダクタンス素子となるストリップライン電極の長さを短縮することができるため、これらのストリップライン電極の挿入損失を向上させることができる。その結果、複合高周波部品の小型化及び低損失化を実現することができる。
【００９８】
本発明の移動体通信装置によれば、小型でかつ低損失の複合高周波部品を用いているため、この複合高周波部品を搭載する移動体通信装置の小型化及び高性能化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複合高周波部品に係る第１の実施例の回路図である。
【図２】図１の複合高周波部品の要部分解斜視図である。
【図３】本発明の複合高周波部品に係る第２の実施例の回路図である。
【図４】本発明の複合高周波部品に係る第３の実施例のブロック図である。
【図５】図１の複合高周波部品を用いた移動体通信機の構成の一部を示すブロック図である。
【図６】一般的なトリプルバンド携帯電話器（移動体通信装置）のフロントエンド部の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１０，２０，３０複合高周波部品
１１ダイプレクサ
１２，１３第１、第２の高周波スイッチ
１４，１５第１、第２のフィルタ
１６セラミック多層基板
４０移動体通信機（トリプルバンド携帯電話器）
Ｃ１１〜Ｃ１５，Ｃ２１〜Ｃ２５，Ｃ３１〜Ｃ３３，Ｃ４１，Ｃ４２，Ｃ５１，Ｃ５２第１〜第５のキャパシタンス素子
Ｄ１１〜Ｄ１３，Ｄ２１，Ｄ２２第１、第２のスイッチング素子
Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ２１〜Ｌ２５，Ｌ３１〜Ｌ３３，Ｌ４１，Ｌ５１第１〜第５のインダクタ素子
Ｔｘｄｐ，Ｔｘｇ送信部
Ｒｘｄ，Ｒｘｐ，Ｒｘｇ受信部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a high-frequency switch, a composite high-frequency component, and a mobile communication device using the same, and more particularly to a high-frequency switch that can be used in three different communication systems, a composite high-frequency component, and a mobile communication device using the same.
[0002]
[Prior art]
Currently, mobile communication devices include DCS (Digital Cellular System) and PCS (Personal Communication Services) using multiple frequency bands, for example, 1.8 GHz band, and GSM (Global System for Mobile communications) using 900 MHz band. A triple-band mobile phone capable of operating has been proposed.
[0003]
FIG. 6 is a block diagram showing a front end portion of a conventional triple-band mobile phone. The first and second communication systems having close frequencies are different from those in the 1.8 GHz band DCS and PCS, and the frequency is different from them. An example in which the third communication system is 900 MHz band GSM is shown.
[0004]
The front end portion of the triple-band mobile phone includes antenna 1, diplexer 2, first to third switches 3 to 5 having three ports, and first and second filters 6 and 7. The diplexer 2 combines DCS, PCS, or GSM transmission signals when transmitting, and distributes the received signals to the DCS, PCS, or GSM when receiving. The first high frequency switch 3 switches between the DCS and PCS transmitter side and the DCS and PCS receiver side, and the second high frequency switch 4 switches between the DCS receiver Rxd side and the PCS receiver Rxp side. The switching and third high-frequency switch 5 plays a role of switching between the GSM transmitting unit Txg side and the receiving unit Rxg side. The first filter 6 passes the DCS and PCS transmission / reception signals and attenuates the second and third harmonics, and the second filter 7 passes the GSM transmission and reception signals and passes the third harmonics. It plays a role to attenuate.
[0005]
Here, the operation of the triple band mobile phone will be described first in the case of DCS. At the time of transmission, a transmission unit Txdp common to the PCS is connected by the first high-frequency switch 3, a transmission signal from the transmission unit Txdp is sent to the first filter 6, and transmission that has passed through the first filter 6 The signals are multiplexed by the diplexer 2 and transmitted from the antenna 1. At the time of reception, the received signal received from the antenna 1 is demultiplexed by the diplexer 2, and the received signal from the antenna 1 is sent to the first filter 6 on the DCS and PCS side and received by the first high frequency switch 3. The reception signal that has passed through the first filter 6 with the unit side turned on is sent to the second high-frequency switch 4, and the second high-frequency switch 4 connects the DCS reception unit Rxd with the second high-frequency switch 4. The passed reception signal is sent to the reception unit Rxd of the DCS. In addition, when using PCS, it transmits / receives by the same operation | movement.
[0006]
Next, the case of GSM will be described. At the time of transmission, the transmission unit Txg is connected by the third high frequency switch 5, the transmission signal from the transmission unit Txg is sent to the second filter 7, and the transmission signal that has passed through the second filter 7 is transmitted to the diplexer 2. Are combined and transmitted from the antenna 1. At the time of reception, the reception signal received from the antenna 1 is demultiplexed by the diplexer 2, the reception signal from the antenna 1 is sent to the second filter 7 on the GSM side, and the reception unit Rxg is received by the third high frequency switch 5. And the received signal that has passed through the second filter 7 is sent to the receiver Rxg.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, according to the triple-band mobile phone which is one of the conventional mobile communication devices described above, since the first and second communication systems having close frequencies have two high-frequency switches, There is a problem that insertion loss of two high-frequency switches occurs in the portion, and the insertion loss increases.
[0008]
In addition, the area occupied by the high-frequency switch is increased, the circuit board is increased in size, and as a result, the triple-band mobile phone (mobile communication device) is increased in size.
[0009]
The present invention has been made to solve such problems, and provides a composite high-frequency component capable of reducing insertion loss and miniaturizing a circuit, and a mobile communication device using the same. With the goal.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, the high-frequency switch of the present invention is A diplexer including a first inductor and a first capacitor for branching into a transmission / reception signal in the first and second adjacent frequency bands and a transmission / reception signal in the third frequency band; Through the diplexer To antenna First port to be connected When , For transmitting transmission signals of the first and second frequency bands Second port connected to the transmitter When , For receiving a reception signal of the first frequency band Third port connected to the receiver When , For receiving a reception signal of the second frequency band Fourth port connected to the receiver A high-frequency switch comprising a first control terminal and a second control terminal, , Between the first port and the second port, The first port has a cathode connected to the first port and an anode connected to the second port. A diode is connected, and between the first port and the third port, The first port has an anode connected to the third port and a cathode grounded through a resistor. Another diode is connected , Between the first port and the fourth port, The first port has a cathode connected to the first port and an anode connected to the fourth port. Another diode is connected, The anode of the first diode is provided with the first control terminal via a second inductor, and a second separate terminal is provided between the anode of the first another diode and the first port. The second control terminal is provided via the second further inductor at the anode of the first further diode, and the voltage applied to the first control terminal is , Applied to the second other diode via the second inductor, the first diode, and the second other inductor, and the voltage applied to the second control terminal is Two further inductors, the first further diode, and the second further inductor applied to the first further diode; Said First and second The first port is switched to one of the second to fourth ports by controlling the voltage applied to the control terminal.
[0011]
The composite high frequency component of the present invention is characterized in that a filter is connected to either the first port or the second port of the high frequency switch of the present invention.
[0012]
The composite high frequency component of the present invention , The high-frequency switch, the filter, and the diplexer are integrated with a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of sheet layers.
[0013]
The mobile communication device of the present invention is characterized by using the above-described high-frequency switch or composite high-frequency component.
[0014]
According to the composite high-frequency component of the present invention, the high-frequency component includes two high-frequency switches, a first high-frequency switch having four ports and a second high-frequency switch having three ports. Only the first high-frequency switch is provided in the reception path of the second communication system, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
[0015]
According to the mobile communication device of the present invention, since the composite high frequency component that reduces the insertion loss of the receiving unit is used, the characteristics of the front end unit corresponding to the three communication systems can be improved.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of a high-frequency switch and composite high-frequency component according to the present invention. A composite high-frequency component 10 constituting a part of a front end unit corresponding to DCS (1.8 GHz band), PCS (1.8 GHz band), and GSM (900 MHz band), which are the first to third communication systems, is a diplexer. 11 includes a first high-frequency switch 12 having four ports, a second high-frequency switch 13 having three ports, and first and second filters 14 and 15.
[0017]
The first port P11 of the diplexer 11 has the antenna 1, the second port P12 has the first port P41 of the first filter 14, and the third port P13 has the second filter 15 of the second filter 15. 1 port P51 is connected to each other.
[0018]
The first port P21 of the first high-frequency switch 12 is connected to the second port P42 of the first filter 14, and the DCS and PCS are connected to the second port P22 of the first high-frequency switch 12. The common transmitter Txdp is connected to the third port P23, and the DCS receiver Rxd is connected to the fourth port P24, and the PCS receiver Rxp is connected to the fourth port P24.
[0019]
Furthermore, the first port P31 of the second high-frequency switch 13 is connected to the second port P52 of the second filter 15, and the GSM transmitter Txg is connected to the second port P32 of the second high-frequency switch 13. However, the GSM receiving unit Rxg is connected to the third port P33.
[0020]
The diplexer 11 includes first inductors L11 and L12 that are first inductance elements, and first capacitors C11 to C15 that are first capacitance elements.
[0021]
The first capacitors C11 and C12 are connected in series between the first port P11 and the second port P12, and their connection point is grounded via the first inductor L11 and the first capacitor C13. The
[0022]
A parallel circuit composed of a first inductor L12 and a first capacitor C14 is connected between the first port P11 and the third port P13, and the third port P13 side of the parallel circuit is connected to the first port P11. It is grounded through a capacitor C15.
[0023]
The first high-frequency switch 12 includes first diodes D11 to D13 that are first switching elements, second inductors L21 to L25 that are second inductance elements, and a second capacitor that is a second capacitance element. It is composed of C21 to C25.
[0024]
The first diode D11 is connected between the first port P21 and the second port P22 such that the cathode is on the first port P21 side, and the second inductor L21 is connected to the first diode D11. And a second capacitor C21 are connected in parallel.
[0025]
The second port P22 side of the first diode D11, that is, the anode is grounded through the second inductor L22 and the second capacitor C22, and the connection point between the second inductor L22 and the second capacitor C22. Is provided with a first control terminal Vc1.
[0026]
Further, the second inductor L23 is connected between the first port P21 and the third port P23, and the third port P23 side of the second inductor L23 is the first diode D12 and the second capacitor C23. The second control terminal Vc2 is provided at the connection point between the cathode of the first diode D12 and the second capacitor C23.
[0027]
Further, the second inductor L24 is connected between the first port P21 and the fourth port P24, and the fourth port P24 side of the second inductor L24 is the first diode D13 and the second capacitor C24. The third control terminal Vc3 is provided at the connection point between the cathode of the first diode D13 and the second capacitor C24.
[0028]
Further, the first port P21 is grounded via the second inductor L25 and the second capacitor C25, and the connection point between the second inductor L25 and the second capacitor C25 is grounded via the resistor R. .
[0029]
The second high-frequency switch 13 includes second diodes D21 and D22 that are second switching elements, third inductors L31 to L33 that are third inductance elements, and a third capacitor that is a third capacitance element. It is comprised by C31-C33.
[0030]
The second diode D21 is connected between the first port P31 and the second port P32 so that the cathode is on the first port P31 side, and the second inductor D31 is connected to the second inductor D31. And a third capacitor C31 are connected in parallel.
[0031]
Further, the second port P32 side of the second diode D21, that is, the anode is grounded via the third inductor L32 and the third capacitor C32, and a connection point between the third inductor L32 and the third capacitor C32. Is provided with a fourth control terminal Vc4.
[0032]
Further, the third inductor L33 is connected between the first port P31 and the third port P33, and the third port L33 side of the third inductor L33 is the second diode D22 and the third capacitor C33. The fifth control terminal Vc5 is provided at the connection point between the cathode of the second diode D22 and the third capacitor C33.
[0033]
The first filter 14 includes a fourth inductor L41, which is a fourth inductance element, and fourth capacitors C41, C42, which are fourth capacitance elements.
[0034]
A fourth inductor L41 is connected in series between the first port P41 and the second port P42, and a fourth capacitor C41 is connected in parallel to the fourth inductor L41. The second port P42 side of the fourth inductor L41 is grounded via the fourth capacitor C42.
[0035]
The second filter 15 includes a fifth inductor L51, which is a fifth inductance element, and fifth capacitors C51, C52, which are fifth capacitance elements.
[0036]
A fifth inductor L51 is connected in series between the first port P51 and the second port P52, and a fifth capacitor C51 is connected in parallel to the fifth inductor L51. Further, the second port P52 side of the fifth inductor L51 is grounded via the fifth capacitor C52.
[0037]
FIG. 2 is an exploded perspective view of a main part of the composite high-frequency component having the circuit configuration of FIG. The composite high frequency component 10 includes a ceramic multilayer substrate 16, which is not shown, but includes first inductors L <b> 11 and L <b> 12, first capacitors C <b> 11 to C <b> 15, and first capacitors that are not shown. The second inductors L21, L23 to L25 of the high-frequency switch 12, the second capacitors C21, C22, C25, the third inductors L31, L33 of the second high-frequency switch 13, the third capacitors C31, C32, the first A fourth inductor L41, fourth capacitors C41, C42 constituting the filter 14 and a fifth inductor L51, fifth capacitors C51, C52 constituting the second filter 15 are incorporated therein.
[0038]
Further, on the surface of the ceramic multilayer substrate 16, the first diodes D11 to D13, the second inductor L22, the second capacitors C23 and C24, and the second high frequency components constituting the first high frequency switch 12 made of chip parts. Second diodes D21 and D22, a third inductor L32, and a third capacitor C33 constituting the switch 13 are mounted.
[0039]
Further, twelve external terminals Ta to Tl are formed by screen printing or the like from the side surface to the bottom surface of the ceramic multilayer substrate 16. Among these external terminals Ta to Tl, five external terminals Ta to Te are on one long side of the ceramic multilayer substrate 11, and five external terminals Tg to Tk are the other long side of the ceramic multilayer substrate 11, and the remaining The two external terminals Tf and Tl are formed on each side of the opposing short sides of the ceramic multilayer substrate 11 by screen printing or the like.
[0040]
The external terminals Ta to Tl are respectively connected to the port P11 of the diplexer 11, the second and third ports P22, P23, P32, P33 of the first and second high-frequency switches 12 and 13, and the first and second ports. The first to fifth control terminals Vc1, Vc2, Vc3, Vc4, and Vc5 of the high-frequency switches 12 and 13 and the ground terminal.
[0041]
A metal cap 17 is placed on the ceramic multilayer substrate 16 so as to cover the surface of the ceramic multilayer substrate 16. At this time, the metal cap 17 is connected to the external terminals Tf and Tl serving as ground terminals provided on the opposite short sides of the multilayer multilayer substrate 16.
[0042]
Here, the operation of the composite high-frequency component 10 having the circuit configuration of FIG. 1 will be described. First, when transmitting a DCS or PCS (1.8 GHz band) transmission signal, the first high-frequency switch 12 uses 1V for the first control terminal Vc1, 1V for the second control terminal Vc2, By applying 1 V to the control terminal Vc3 of the first and connecting the first port P21 and the second port P22 of the first high-frequency switch 12, the DCS or PCS transmission signal is transmitted to the first high-frequency switch 12, The signal passes through the first filter 14 and the diplexer 11 and is transmitted from the antenna 1. At this time, the first filter 14 passes the DCS and PCS transmission signals to attenuate the second harmonic and the third harmonic.
[0043]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc 4 and 1 V is applied to the fifth control terminal Vc 5 to cut off the second high frequency switch 13.
[0044]
Next, when transmitting a GSM (900 MHz band) transmission signal, the second high-frequency switch 13 applies 1 V to the fourth control terminal Vc4 and 0 V to the fifth control terminal Vc5, respectively. By connecting the first port P31 and the second port P32 of the high frequency switch 13, the GSM transmission signal passes through the second high frequency switch 13, the second filter 15, and the diplexer 11, and is transmitted from the antenna 1. Is done. At this time, the second filter 15 passes the GSM transmission signal and attenuates the third harmonic.
[0045]
In the first high frequency switch 12, 0 V is applied to the first control terminal Vc 1, 0 V is applied to the second control terminal Vc 2, and 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to cut off the first high frequency switch 12. is doing.
[0046]
Next, when receiving a DCS reception signal, the first high-frequency switch 12 has 0V at the first control terminal Vc1, 0V at the second control terminal Vc2, and 1V at the third control terminal Vc3. By applying and connecting the first port P21 and the third port P23 of the first high-frequency switch 12, the DCS received signal received from the antenna 1 is converted into the diplexer 11, the first filter 14, and the first filter 14. 1 is sent to the DCS receiver Rxd. At this time, the first filter 14 passes the DCS reception signal to attenuate the second harmonic and the third harmonic.
[0047]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc 4 and 1 V is applied to the fifth control terminal Vc 5 to shut off the second high frequency switch 14.
[0048]
Next, when receiving a PCS reception signal, the first high-frequency switch 12 has 0V at the first control terminal Vc1, 1V at the second control terminal Vc2, and 0V at the third control terminal Vc3. By applying and connecting the first port P21 and the fourth port P24 of the first high-frequency switch 12, the received signal of the PCS received from the antenna 1 becomes the diplexer 11, the first filter 14, the first The high-frequency switch 12 is sent to the PCS receiver Rxp. At this time, the first filter 14 passes the PCS reception signal and attenuates the second harmonic and the third harmonic.
[0049]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the fourth control terminal Vc 4 and 1 V is applied to the fifth control terminal Vc 5 to cut off the second high frequency switch 13.
[0050]
Next, when receiving a GSM reception signal, the second high frequency switch 13 applies 0 V to the fourth control terminal Vc4 and 1 V to the fifth control terminal Vc5, respectively. By connecting the first port P31 and the third port P33, the GSM reception signal received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the second filter 15, and the second high-frequency switch 13, and the GSM To the receiver Rxg. At this time, the second filter 15 passes the GSM reception signal and attenuates the third harmonic.
[0051]
In the first high frequency switch 12, 0 V is applied to the first control terminal Vc 1, 0 V is applied to the second control terminal Vc 2, and 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to cut off the first high frequency switch 12. is doing.
[0052]
According to the composite high-frequency component of the first embodiment described above, since it is composed of two high-frequency switches, a first high-frequency switch having four ports and a second high-frequency switch having three ports, the frequencies close to each other Only the first high-frequency switch is provided in the reception path of the first and second communication systems including the above, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
[0053]
In addition, since the two high-frequency switches constituting the composite high-frequency component can be configured with five diodes, the composite high-frequency component can be reduced in size and cost.
[0054]
Further, since the first high-frequency switch is turned on / off by the first to third control power supplies and the second high-frequency switch is turned on / off by the fourth and fifth control power supplies, the adjacent frequencies are controlled. When transmitting the DCS and PCS provided, all three diodes constituting the first high-frequency switch having four ports are turned on, and as a result, the harmonic distortion of the composite high-frequency component can be reduced.
[0055]
In addition, in order to integrate the diplexer, the first and second high-frequency switches, and the first and second filters forming the composite high-frequency component into a ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of ceramic sheet layers, The matching characteristics, attenuation characteristics, or isolation characteristics of the components can be ensured, and accordingly, a matching circuit between the diplexer and the first and second high-frequency switches becomes unnecessary.
[0056]
Therefore, the composite high frequency component can be miniaturized. Incidentally, the diplexer, the first and second high frequency switches, and the first and second filters can be integrated into a ceramic multilayer substrate having a size of 6.3 mm × 5 mm × 2 mm.
[0057]
Further, the diplexer includes a first inductor and a first capacitor, the first high-frequency switch includes a first diode, a second inductor, and a second capacitor, and the second high-frequency switch includes: The second filter is composed of a second diode, a third inductor, and a third capacitor. The first filter is composed of a fourth inductor and a fourth capacitor. The second filter is composed of a fifth inductor and a fifth capacitor. The capacitor is built in or mounted on the ceramic multilayer substrate and connected by connecting means formed inside the ceramic multilayer substrate, so that the composite high-frequency component can be configured with one ceramic multilayer substrate, Miniaturization can be realized. In addition, loss due to wiring between components can be improved, and as a result, the overall loss of the composite high-frequency component can be improved.
[0058]
Moreover, since the length of the stripline electrodes serving as the first to fifth inductors can be shortened due to the wavelength shortening effect, the insertion loss of these stripline electrodes can be improved. As a result, it is possible to reduce the size and loss of the composite high-frequency component.
[0059]
FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the high-frequency switch and composite high-frequency component of the present invention. The composite high frequency component 20 includes a diplexer 11, first and second high frequency switches 12 and 13, and first and second filters 14 and 15.
[0060]
Among these, the configuration of the diplexer 11 and the first and second filters 14 and 15 are the same as those of the composite high-frequency component 10 of the first embodiment of FIG. 1, and detailed description thereof is omitted.
[0061]
The first high-frequency switch 12 includes first diodes D11 to D13 that are first switching elements, second inductors L21 to L25 that are second inductance elements, and a second capacitor that is a second capacitance element. It is composed of C21 to C25.
[0062]
The first diode D11 is connected between the first port P21 and the second port P22 such that the cathode is on the first port P21 side, and the second inductor L21 is connected to the first diode D11. And a second capacitor C21 are connected in parallel.
[0063]
The second port P22 side of the first diode D11, that is, the anode is grounded through the second inductor L22 and the second capacitor C22, and the connection point between the second inductor L22 and the second capacitor C22. Is provided with a first control terminal Vc1.
[0064]
Further, the second inductor L23 is connected between the first port P21 and the third port P23, and the third port P23 side of the second inductor L23 is the first diode D12 and the second capacitor C23. The connection point between the cathode of the first diode D12 and the second capacitor C23 is grounded via a resistor R.
[0065]
The first diode D13 is connected between the first port P21 and the fourth port P24 so that the cathode is on the first port P21 side, and the second inductor L24 is connected to the first diode D13. And a second capacitor C24 are connected in parallel.
[0066]
The fourth port P24 side of the first diode D13, that is, the anode is grounded via the second inductor L25 and the second capacitor C25, and the connection point between the second inductor L25 and the second capacitor C25. Is provided with a second control terminal Vc2.
[0067]
The second high-frequency switch 13 includes second diodes D21 and D22 that are second switching elements, third inductors L31 to L33 that are third inductance elements, and a third capacitor that is a third capacitance element. It is comprised by C31-C33.
[0068]
The second diode D21 is connected between the first port P31 and the second port P32 so that the cathode is on the first port P31 side, and the second inductor D31 is connected to the second inductor D31. And a third capacitor C31 are connected in parallel.
[0069]
Further, the second port P32 side of the second diode D21, that is, the anode is grounded via the third inductor L32 and the third capacitor C32, and a connection point between the third inductor L32 and the third capacitor C32. Is provided with a third control terminal Vc3.
[0070]
Furthermore, a third inductor L33 is connected between the first port P31 and the third port P33, and the third port L33 side of the third inductor L33 is the second diode D22 and the third capacitor C33. The connection point between the cathode of the second diode D22 and the third capacitor C33 is grounded via a resistor R.
[0071]
Here, the operation of the composite high-frequency component 20 having the circuit configuration of FIG. 3 will be described. First, when transmitting a transmission signal of DCS or PCS (1.8 GHz band), 1 V is applied to the first control terminal Vc1 and 0 V is applied to the second control terminal Vc2 in the first high-frequency switch 12, respectively. By connecting the first port P21 and the second port P22 of the first high-frequency switch 12, the DCS or PCS transmission signal passes through the first high-frequency switch 12, the first filter 14, and the diplexer 11. And transmitted from the antenna 1. At this time, the first filter 14 passes the DCS and PCS transmission signals to attenuate the second harmonic and the third harmonic.
[0072]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to shut off the second high frequency switch 13.
[0073]
Next, when transmitting a GSM (900 MHz band) transmission signal, 1 V is applied to the third control terminal Vc3 in the second high frequency switch 13 and the first port P31 of the second high frequency switch 13 and the second By connecting the second port P32, a GSM transmission signal passes through the second high-frequency switch 13, the second filter 15, and the diplexer 11, and is transmitted from the antenna 1. At this time, the second filter 15 passes the GSM transmission signal and attenuates the third harmonic.
[0074]
In the first high-frequency switch 12, 0V is applied to the first control terminal Vc1 and 0V is applied to the second control terminal Vc2, respectively, thereby blocking the first high-frequency switch 12.
[0075]
Next, when receiving a DCS reception signal, the first high-frequency switch 12 applies 0 V to the first control terminal Vc1 and 0 V to the second control terminal Vc2, respectively. By connecting the first port P21 and the third port P23, a DCS reception signal received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the first filter 14, and the first high-frequency switch 12, and the DCS. To the receiver Rxd. At this time, the first filter 14 passes the DCS reception signal to attenuate the second harmonic and the third harmonic.
[0076]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to shut off the second high frequency switch 13.
[0077]
Next, when receiving a PCS reception signal, the first high-frequency switch 12 applies 0 V to the first control terminal Vc1 and 1 V to the second control terminal Vc2, respectively. By connecting the first port P21 and the fourth port P24, the reception signal of the PCS received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the first filter 14, and the first high-frequency switch 12, and the PCS It is sent to the receiving unit Rxp. At this time, the first filter 14 passes the PCS reception signal and attenuates the second harmonic and the third harmonic.
[0078]
In the second high frequency switch 13, 0 V is applied to the third control terminal Vc 3 to shut off the third high frequency switch 13.
[0079]
Next, in the case of receiving a GSM reception signal, 0 V is applied to the third control terminal Vc3 in the second high frequency switch 13, and the first port P31 and the third port P33 of the second high frequency switch 13 are applied. , The GSM reception signal received from the antenna 1 passes through the diplexer 11, the second filter 15, and the second high-frequency switch 13, and is sent to the GSM reception unit Rxg. At this time, the second filter 15 passes the GSM reception signal and attenuates the third harmonic.
[0080]
In the first high-frequency switch 12, 0V is applied to the first control terminal Vc1 and 0V is applied to the second control terminal Vc2, respectively, thereby blocking the first high-frequency switch 12.
[0081]
According to the composite high frequency component of the second embodiment described above, the first high frequency switch is turned on / off by the first and second control power supplies, and the second high frequency switch is turned on / off by the third control power supply. Therefore, when receiving the DCS downstream of the first high-frequency switch and the GSM downstream of the second high-frequency switch, the first and second control power sources included in the first high-frequency switch, and the second The applied voltage applied to the third control power supply included in the high frequency switch becomes 0 V, and as a result, the current consumption of the composite high frequency component can be reduced.
[0082]
FIG. 4 is a block diagram of a third embodiment of the composite high frequency component of the present invention. The composite high frequency component 30 is different in the arrangement position of the first and second filters 14 and 15 compared to the composite high frequency component 10 (FIG. 1) of the first embodiment.
[0083]
That is, the first filter 14 is on the DCS and PCS common transmission unit Txdp side, which is the subsequent transmission unit side of the first high-frequency switch 12, and the second filter 15 is the transmission unit on the subsequent stage of the second high-frequency switch 13. And the GSM transmitter Txg, which is the part side.
[0084]
According to the composite high-frequency component of the third embodiment described above, the filter is disposed on the transmission unit side after the high-frequency switch, that is, between the high-frequency switch and the transmission unit. The distortion of the high power amplifier can be attenuated by this filter. Therefore, insertion loss on the receiving side can be improved.
[0085]
FIG. 5 is a block diagram showing a part of the configuration of a triple band mobile phone which is a mobile communication device, and shows an example of a combination of 1.8 GHz band DCS and PCS and 900 MHz band GSM. is there. The triple band mobile phone 40 includes the antenna 1 and the composite high frequency component 10 (FIG. 1).
[0086]
The antenna 1 is provided at the port P11 of the composite high-frequency component 10, the transmitters Txdp common to the DCS and PCS are provided at the ports P22, P23, P24, P32, and P33, the receiver Rxp of the PCS, the receiver Rxd of the DCS, A GSM transmission unit Txg and a GSM reception unit Rxg are connected to each other.
[0087]
According to the above-described triple-band mobile phone, since a small and low-loss composite high-frequency component is used, it is possible to achieve downsizing and high performance of a mobile communication device equipped with this composite high-frequency component.
[0088]
The same effect can be obtained even if the composite high-frequency components 20 and 30 (FIGS. 2 and 3) are used as the composite high-frequency component 10.
[0089]
【The invention's effect】
According to the composite high-frequency component of the present invention, the high-frequency component includes two high-frequency switches, a first high-frequency switch having four ports and a second high-frequency switch having three ports. Only the first high-frequency switch is provided in the reception path of the second communication system, and as a result, the insertion loss of the reception unit can be reduced.
[0090]
In addition, since the two high-frequency switches constituting the composite high-frequency component can be configured with five diodes, the composite high-frequency component can be reduced in size and cost.
[0091]
According to the composite high-frequency component of the present invention, the first high-frequency switch is turned on / off by the first to third control power supplies, and the second high-frequency switch is turned on / off by the fourth and fifth control power supplies. Therefore, at the time of transmission of the first and second communication systems having close frequencies, all three diodes constituting the first high-frequency switch having four ports are turned on. As a result, the harmonics of the composite high-frequency component are turned on. Wave distortion can be reduced.
[0092]
According to the composite high frequency component of the present invention, the first high frequency switch is turned on / off by the first and second control power supplies, and the second high frequency switch is turned on / off by the third control power supply. The first high-frequency switch includes the first and second communication systems at the time of reception by one of the first and second communication systems following the first high-frequency switch and the third communication system following the second high-frequency switch. The applied voltage applied to the second control power supply and the third control power supply included in the second high-frequency switch becomes 0 V, and as a result, the current consumption of the composite high-frequency component can be reduced.
[0093]
According to the composite high-frequency component of the present invention, since at least one of the first and second filters is arranged on the transmission unit side of the subsequent stage of the high-frequency switch, the distortion of the transmission signal by the high-power amplifier configured in the transmission unit is attenuated. Can be made. Therefore, the insertion loss of the receiving unit can be improved.
[0094]
According to the composite high-frequency component of the present invention, the diplexer, the high-frequency switch, and the filter forming the composite high-frequency component are integrated with the ceramic multilayer substrate formed by laminating a plurality of sheet layers made of ceramics. The matching adjustment between the diplexer and the high-frequency switch and between the high-frequency switch and the filter need not be performed.
[0095]
Therefore, since the number of parts can be reduced, the circuit board for forming the microwave circuit having a plurality of signal paths can be downsized.
[0096]
According to the composite high frequency component of the present invention, the diplexer includes the first inductance element and the first capacitance element, and the first to third high frequency switches include the first and second switching elements, the second switching element, and the second switching element. Inductance element, composed of a second capacitance element, the first and second filters are composed of a third inductance element, a third capacitance element, they are built in or mounted on a ceramic multilayer substrate, Since they are connected by connecting means formed inside the ceramic multilayer substrate, the composite high-frequency component can be constituted by one ceramic multilayer substrate, and further miniaturization can be realized. In addition, loss due to wiring between components can be improved, and as a result, the overall loss of the composite high-frequency component can be improved.
[0097]
In addition, due to the wavelength shortening effect, it is possible to shorten the length of the stripline electrode serving as each inductance element, so that the insertion loss of these stripline electrodes can be improved. As a result, it is possible to reduce the size and loss of the composite high-frequency component.
[0098]
According to the mobile communication device of the present invention, since a small and low-loss composite high-frequency component is used, the mobile communication device on which the composite high-frequency component is mounted can be reduced in size and performance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment according to a composite high-frequency component of the present invention.
FIG. 2 is an exploded perspective view of a main part of the composite high-frequency component shown in FIG.
FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment according to the composite high frequency component of the present invention.
FIG. 4 is a block diagram of a third embodiment according to the composite high frequency component of the present invention.
FIG. 5 is a block diagram showing a part of the configuration of a mobile communication device using the composite high-frequency component of FIG.
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a front end unit of a general triple band mobile phone (mobile communication device).
[Explanation of symbols]
10, 20, 30 Complex high-frequency components
11 Diplexer
12, 13 First and second high-frequency switches
14, 15 First and second filters
16 Ceramic multilayer substrate
40 Mobile communication equipment (triple band mobile phone)
C11 to C15, C21 to C25, C31 to C33, C41, C42, C51, C52 First to fifth capacitance elements
D11 to D13, D21, D22 First and second switching elements
L11, L12, L21 to L25, L31 to L33, L41, L51 First to fifth inductor elements
Txdp, Txg transmitter
Rxd, Rxp, Rxg receiver

Claims

A diplexer configured to include a first inductor and a first capacitor for branching into a transmission / reception signal in the first and second adjacent frequency bands and a transmission / reception signal in the third frequency band; and a first port connected to the antenna via a second port connected to the transmission unit for transmitting a transmission signal of the first and second frequency band, receiving the first frequency band a third port connected to the receiver for receiving signals, and a fourth port connected to the receiver for receiving a reception signal of the second frequency band, a first control terminal A high-frequency switch comprising a second control terminal ,
Between the first port and the second port, a first diode is connected such that a cathode is connected to the first port and an anode is connected to the second port ; between the first port and the third port, an anode connected to said third port, and the first further diode as the cathode is grounded through the resistor is connected, the first A first further diode is connected between one port and the fourth port so that a cathode is connected to the first port and an anode is connected to the fourth port. The anode of the first diode is provided with the first control terminal via a second inductor, and the second diode is provided between the anode of the first another diode and the first port. Another inductor connected The anode of the first further diode is provided with the second control terminal via a second further inductor, and the voltage applied to the first control terminal is the second control terminal. The voltage applied to the second other diode via the inductor, the first diode, and the second further inductor, and the voltage applied to the second control terminal is the second further The voltage applied to the first and second control terminals is controlled via an inductor, the first further diode, and the second further inductor, and controls the voltage applied to the first and second control terminals. Thus, the high-frequency switch is characterized in that the first port is switched to any one of the second to fourth ports.

A composite high frequency component comprising a filter connected to either the first port or the second port of the high frequency switch according to claim 1.

Before Symbol high frequency switch, the filter, and the composite high frequency component according to claim 2, wherein the diplexer, characterized in that it is integrated into the ceramic multi-layer substrate formed by laminating a plurality of sheet layers.

A mobile communication device comprising the high-frequency switch according to claim 1 or the composite high-frequency component according to claim 2.