JP3925706B2 - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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本発明は、分布反射型(Distributed Bragg Reflector)半導体レーザ等の透明導波路を有する半導体レーザに関し、特に遠視野像(Far Field Pattern)の劣化を抑えることが可能な半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
分布反射型の半導体レーザは回折格子を反射器として集積しており、当該回折格子に波長選択性があるため、レーザー光波長が選択され、安定した光出力が可能になるものである。
【0003】
図9及び図10は本願出願人の出願に係る「特願平09−274166号(特開平11−112072号公報)」等に記載された、レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された従来の半導体レーザの長手方向の断面図及び短手方向の断面図である。
【0004】
図9及び図10において1は半導体基板、2はn型のクラッド層、3は量子井戸等を用いた活性層、4はブロック層、5はガイド層、6はp型のクラッド層、7はp型のキャップ層、8はSiO2 等の絶縁膜、9はp型の電極、10はn型の電極である。
【0005】
半導体基板1上にはクラッド層2、活性層3、ブロック層4及びガイド層5が順次形成され、当該ガイド層5には図9中”GR01”に示すような回折格子が形成された後、クラッド層6、キャップ層7及び絶縁層8が順次形成される。
【0006】
そして、キャップ層7及び絶縁層8上にはp型の電極9が形成され、半導体基板1の裏面にはn型の電極10が形成される。
【0007】
また、図9等に示す従来例の製造方法を図11、図12及び図13を用いて説明する。図11は製造過程を示す半導体レーザの長手方向の断面図、図12は製造過程を示す半導体レーザの短手方向の断面図、図13は製造過程を示す半導体レーザの平面図である。また、図11〜図13において1〜5及び10は図9と同一符号を付してあり、11はマスクである。
【0008】
先ず、第1回のエピタキシャル成長の工程で半導体基板1上にクラッド層2、活性層3、ブロック層4及びガイド層5を順次形成すると共に、図11中”GR11”に示すような回折格子をガイド層5に形成する。
【0009】
その後、活性導波路となる部分にマスク11を形成した後全面にイオン注入を行う。そして、第2回のエピタキシャル成長の工程でクラッド層6及びキャップ層7を順次形成する。
【0010】
この時、第2回のエピタキシャル成長の工程が同時にアニールの工程となり、活性層3内のイオン注入がなされなかった部分には活性導波路が、イオン注入がなされた部分には低損失の光導波路がそれぞれ形成される。
【0011】
最後に、エッチングによりクラッド層6に溝を形成した後、キャップ層7等の上に絶縁膜8を形成し、キャップ層7及び絶縁膜8上に電極9を、半導体基板1の裏面に電極10をそれぞれ形成する。
【0012】
ここで、図9等に示す従来の半導体レーザの動作を説明する。図9中”AR01”に示す活性領域には電流が注入されこれによりレーザ光が発生し、このレーザ光は図9中”PA01”に示す位相調整領域を介して図9中”DB01”に示すDBR領域に伝播する。
【0013】
図9中”DB01”に示すDBR領域にキャリアを注入してプラズマ効果により導波路の屈折率を低くさせたり、図9中”DB01”に示すDBR領域の温度を制御して導波路の屈折率を制御することにより発振波長を可変にすることができる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、図9等に示す従来例では、図9中”DB01”及び”PA01”に示すDBR領域及び位相調整領域に形成された光導波路の屈折率の差によって生じる反射光や、光導波路内の微妙な凹凸で散乱される散乱光は半導体レーザの短手方向の両端に形成されている光導波路を透過、若しくは、反射等して半導体レーザの出力端まで到達してしまう。
【0015】
このため、このような反射光や散乱光が本来のレーザ光との間で干渉が生じて遠視野像に縞が生じる。例えば、図14は実際の半導体レーザにおける遠視野像の一例を示す特性曲線図であり、図15はシミュレーションによる遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【0016】
すなわち、図14中”CH21”及び図15中”CH31”に示すように遠視野像では反射光や散乱光の干渉による縞が発生、言い換えれば、遠視野像が劣化していることになる。
【0017】
そして、このような遠視野像が劣化したレーザ光を用いて干渉計測等を行う場合には、ノイズが発生して測定が不正確になってしまうと言った問題点があった。
【0018】
このため、従来ではレーザ光を一旦レンズで絞った後ピンホールを通して波面を形成する必要性があったが、この場合には測定装置の光学系等が複雑になってしまうと言った問題点があった。
従って本発明が解決しようとする課題は、遠視野像の劣化を抑えることが可能な半導体レーザ及びその製造方法を実現することにある。
【0019】
【課題を解決するための手段】
このような課題を達成するために、本発明のうち請求項1記載の発明は、
レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザにおいて、
半導体基板と、この半導体基板上に形成される第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上であって前記可変波長領域の長手方向の中心部に光導波路が形成され前記可変波長領域の短手方向の両側に活性導波路が形成される活性層と、この活性層上に形成され一部に回折格子を有するガイド層と、このガイド層上に形成される第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上に形成されるキャップ層と、前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に形成される2つの電極とを備えたことにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0020】
請求項2記載の発明は、
レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザにおいて、
半導体基板と、この半導体基板上に形成される第1のクラッド層と、この第1のクラッド層上であって前記可変波長領域に光導波路が形成される活性層と、この活性層上に形成され一部に回折格子を有するガイド層と、このガイド層上に形成される第2のクラッド層と、この第2のクラッド層上であって前記光導波路の短手方向の両側に形成される金属膜と、前記第2のクラッド層上に形成された前記金属膜以外の部分に形成されるキャップ層と、前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に形成される2つの電極とを備えたことにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0023】
請求項3記載の発明は、
請求項1若しくは請求項2記載の発明である半導体レーザにおいて、
短波長帯レーザに適用したことにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0024】
請求項4記載の発明は、
請求項1若しくは請求項2記載の発明である半導体レーザにおいて、
長波長帯レーザに適用したことにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0026】
請求項5記載の発明は、
レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザの製造方法であって、
半導体基板上に第1のクラッド層、活性層及びガイド層を順次形成する工程と、前記活性領域及び前記可変波長領域の短手方向の両側にマスクを形成した後全面にイオン注入を行う工程と、第2のクラッド層及びキャップ層を順次形成すると共に前記活性層であって前記イオン注入が行われた部分に光導波路をその他の部分に活性導波路をそれぞれ形成する工程と、前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に2つの電極を形成する工程とから成ることにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0027】
請求項6記載の発明は、
請求項5記載の発明である半導体レーザの製造方法において、
前記活性領域及び前記可変波長領域の短手方向の両側以外の領域に収束イオンビーム装置で選択的にイオン注入を行うことにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0028】
請求項7記載の発明は、
レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザの製造方法であって、
半導体基板上に第1のクラッド層、活性層及びガイド層を順次形成する工程と、前記可変波長領域の長手方向の部分にイオン注入を行う工程と、第2のクラッド層及びキャップ層を順次形成すると共に前記活性層であって前記イオン注入が行われた部分に光導波路をその他の部分に活性導波路をそれぞれ形成する工程と、前記光導波路の短手方向の両側に金属膜を形成する工程と、前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に2つの電極を形成する工程とから成ることにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下本発明を図面を用いて詳細に説明する。図1及び図2は本発明に係る半導体レーザの一例を示す長手方向の断面図及びDBR領域の短手方向の断面図である。
【0030】
図1及び図2において1,2,4,5及び10は図9等と同一符号を付してあり、12は量子井戸等を用いた活性層、13a及び13bは吸収領域である。
【0031】
半導体基板1上にはクラッド層2、活性層12、ブロック層4及びガイド層5が順次形成され、当該ガイド層5には図1中”GR41”に示すような回折格子が形成された後、クラッド層6、キャップ層7及び絶縁層8が順次形成される。
【0032】
そして、キャップ層7及び絶縁層8上にはp型の電極9が形成され、半導体基板1の裏面にはn型の電極10が形成される。また、活性層12であって半導体レーザの短手方向の両端には前述の反射光や散乱光を吸収する吸収領域13a及び13bが形成される。
【0033】
また、図1等に示す実施例の製造方法を図3、図4及び図5を用いて説明する。図3は製造過程を示す半導体レーザの長手方向の断面図、図4は製造過程を示す半導体レーザの活性領域の短手方向の断面図、図5は製造過程を示す半導体レーザの平面図である。また、図3〜図5において1,2,4,5,6,7,8,9及び10は図9と同一符号を付してあり、14はマスクである。
【0034】
先ず、第1回のエピタキシャル成長の工程で半導体基板1上にクラッド層2、活性層12、ブロック層4及びガイド層5を順次形成すると共に、図3中”GR51”に示すような回折格子をガイド層5に形成する。
【0035】
その後、透明導波路にする必要性がある図1中”DB41”に示すDBR領域及び図1中”PA41”に示す位相調整領域以外の部分にマスク14を形成した後全面にイオン注入を行う。そして、第2回のエピタキシャル成長の工程でクラッド層6及びキャップ層7を順次形成する。
【0036】
この時、第2回のエピタキシャル成長の工程が同時にアニールの工程となり、活性層3内のイオン注入がなされなかった部分には活性導波路が形成される。また、短手方向の両端に形成されたこのような活性導波路は低損失ではないので光の吸収が生じる吸収領域13a及び13bとして機能する。
【0037】
一方、第2回のエピタキシャル成長の工程が同時にアニールの工程となり、イオン注入がなされた部分、言い換えれば、図1中”DB41”に示すDBR領域及び図1中”PA41”に示す位相調整領域のみに低損失の光導波路がそれぞれ形成される。
【0038】
最後に、エッチングによりクラッド層6に溝を形成した後、導波路以外のキャップ層7等の上に絶縁膜8を形成し、キャップ層7及び絶縁膜8上に電極9を、半導体基板1の裏面に電極10をそれぞれ形成する。
【0039】
ここで、図1等に示す実施例の動作を説明する。但し、図9等に示す従来例と同様の部分の説明は省略する。図1中”AR41”に示す活性領域には電流が注入されこれによりレーザ光が発生し、このレーザ光は図1中”PA41”に示す位相調整領域を介して図1中”DB41”に示すDBR領域に伝播する。
【0040】
この時、図1中”DB41”及び”PA41”に示すDBR領域及び位相調整領域に形成された光導波路の屈折率の差によって生じる反射光や、光導波路内の微妙な凹凸で散乱される散乱光は半導体レーザの短手方向の両端に形成されている吸収領域13a及び13bにおいて減衰するので、従来例のように半導体レーザの出力端まで到達しなくなる。
【0041】
すなわち、本来のレーザ光が反射光や散乱光と干渉することなく、従来例のような遠視野像に縞が生じることがなくなる。例えば、図6及び図7はシミュレーション及び実験による遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【0042】
図6中”CH61”及び図7中”CH71”に示すように遠視野像では反射光や散乱光の干渉による縞が発生せず、縞のない良好な遠視野像を得ることができる。
【0043】
この結果、活性層であって、DBR領域や位相調整領域の半導体レーザの短手方向の両端、言い換えれば、光導波路の両端に吸収領域13a及び13bとして機能する活性導波路を設けることにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0044】
なお、図1等に示す実施例ではマスクを用いて選択的にイオン注入を行っているが、マスクを用いることなく収束イオンビーム装置(FIB:Forcused Ion Beam)で選択的にイオン注入を行っても構わない。例えば、図1中”DB41”及び”PA41”に示すDBR領域及び位相調整領域にのみFIBで選択的にイオン注入を行えば良い。
【0045】
また、イオン注入をしないことにより吸収領域13a及び13b等を形成するのではなく、金属膜等によって選択的に吸収領域を設けても構わない。
【0046】
図8はこのような本発明に係る半導体レーザの他の一例を示す短手方向の断面図である。図8において1〜10は図9等と同一符号を付してあり、15a及び15bは吸収領域を形成する前述の反射光や散乱光を吸収する特性を有する金属膜である。
【0047】
この場合には、半導体レーザの長手方向に平行に形成された2つの金属膜15a及び15bによって前述の反射光や散乱光は減衰するので、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【0048】
また、図1等や図8に示す実施例は”850nm”付近で発振する短波長帯レーザ、同様のリッジ構造を有する長波長帯レーザであるInP系のレーザ及び半導体光素子集積回路(Photonic IC)に適用することができる。
【0049】
また、図1等に示す実施例では半導体レーザの透明導波路の両端に吸収領域を形成しているが、半導体レーザの透明導波路の両側の任意の部分に吸収領域を設ければ良い。
【0050】
また、図1等に示す実施例では活性領域、位相調整領域及びDBR領域の3つの領域を有する半導体レーザが例示されているが、特にこの構造の半導体レーザに限定されるものではない。
【0051】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
請求項1,2,3,4,5,6及び請求項7の発明によれば、半導体レーザの活性層であって短手方向の両端に吸収領域である活性導波路を設けることにより、遠視野像の劣化を抑えることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体レーザの一例を示す長手方向の断面図である。
【図2】本発明に係る半導体レーザの一例を示すDBR領域の短手方向の断面図である。
【図3】製造過程を示す半導体レーザの長手方向の断面図である。
【図4】製造過程を示す半導体レーザの活性領域の短手方向の断面図である。
【図5】製造過程を示す半導体レーザの平面図である。
【図6】シミュレーションによる遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【図7】実験による遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【図8】本発明に係る半導体レーザの他の一例を示す短手方向の断面図である。
【図9】従来の半導体レーザの長手方向の断面図である。
【図10】従来の半導体レーザの短手方向の断面図である。
【図11】製造過程を示す半導体レーザの長手方向の断面図である。
【図12】製造過程を示す半導体レーザの短手方向の断面図である。
【図13】製造過程を示す半導体レーザの平面図である。
【図14】実際の半導体レーザにおける遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【図15】シミュレーションによる遠視野像の一例を示す特性曲線図である。
【符号の説明】
1 半導体基板
2,6 クラッド層
3,12 活性層
4 ブロック層
5 ガイド層
7 キャップ層
8 絶縁膜
9,10 電極
11,14 マスク
13a,13b 吸収領域
15a,15b 金属膜
Claims (7)
- レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザにおいて、
半導体基板と、
この半導体基板上に形成される第1のクラッド層と、
この第1のクラッド層上であって前記可変波長領域の長手方向の中心部に光導波路が形成され前記可変波長領域の短手方向の両側に活性導波路が形成される活性層と、
この活性層上に形成され一部に回折格子を有するガイド層と、
このガイド層上に形成される第2のクラッド層と、
この第2のクラッド層上に形成されるキャップ層と、
前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に形成される2つの電極と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ。 - レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザにおいて、
半導体基板と、
この半導体基板上に形成される第1のクラッド層と、
この第1のクラッド層上であって前記可変波長領域に光導波路が形成される活性層と、
この活性層上に形成され一部に回折格子を有するガイド層と、
このガイド層上に形成される第2のクラッド層と、
この第2のクラッド層上であって前記光導波路の短手方向の両側に形成される金属膜と、
前記第2のクラッド層上に形成された前記金属膜以外の部分に形成されるキャップ層と、
前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に形成される2つの電極と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ。 - 短波長帯レーザに適用したことを特徴とする
請求項1若しくは請求項2記載の半導体レーザ。 - 長波長帯レーザに適用したことを特徴とする
請求項1若しくは請求項2記載の半導体レーザ。 - レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザの製造方法であって、
半導体基板上に第1のクラッド層、活性層及びガイド層を順次形成する工程と、
前記活性領域及び前記可変波長領域の短手方向の両側にマスクを形成した後全面にイオン注入を行う工程と、
第2のクラッド層及びキャップ層を順次形成すると共に前記活性層であって前記イオン注入が行われた部分に光導波路をその他の部分に活性導波路をそれぞれ形成する工程と、
前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に2つの電極を形成する工程と
から成ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 前記活性領域及び前記可変波長領域の短手方向の両側以外の領域に収束イオンビーム装置で選択的にイオン注入を行うことを特徴とする
請求項5記載の半導体レーザの製造方法。 - レーザ光を発生させる機能をする活性領域と波長を変化させる機能をする可変波長領域とが分離された半導体レーザの製造方法であって、
半導体基板上に第1のクラッド層、活性層及びガイド層を順次形成する工程と、
前記可変波長領域の長手方向の部分にイオン注入を行う工程と、
第2のクラッド層及びキャップ層を順次形成すると共に前記活性層であって前記イオン注入が行われた部分に光導波路をその他の部分に活性導波路をそれぞれ形成する工程と、
前記光導波路の短手方向の両側に金属膜を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面及び前記キャップ層上に2つの電極を形成する工程と
から成ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
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