JP3923205B2 - ひずみ補正qcレーザーを備える物質 - Google Patents
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Description
【発明の分野】
本発明は、量子カスケード(QC)レーザーに関するものであり、かつQCレーザーを備える装置およびシステムに関する。
本発明は、米国政府の支援のもとに契約第DAA H0496C0026号に基づいてなされた。米国政府は本発明について特定の権利を有する。
【0002】
【従来技術および発明が解決しようとする課題】
最近、「量子カスケード」または「QC」レーザーと称される新しい種類の半導体レーザーが発明された。例えば、米国特許第5,457,709号、第5,509,025号および第5,570,386号を参照。これらはすべて参照により本明細書に組み込まれている。また、米国特許出願一連番号第08/825,286号(1997年3月27日出願)および第08/744,292号(1996年11月6日出願)を参照。これらは両方とも参照により本明細書に組み込まれている。
【0003】
ここでいう「量子カスケード」または「QC」レーザーとは、光導波管を形成する多層構造を有する単極半導体レーザーであり、比較的小さい有効屈折率の閉込め領域と閉込め領域の間に比較的大きい有効屈折率のコア領域を含む。コア領域は複数の名目上(nominally)同一のリピートユニットを備え、各リピートユニットは活性領域とキャリア注入領域とを備える。活性領域は、高キャリアエネルギー状態および低キャリアエネルギー状態を提供するように選択された層構造を有し、高エネルギー状態から低エネルギー状態へのキャリア遷移によって波長λの光子が放出される。キャリア注入領域は、所定のリピートユニットの活性領域の低エネルギー状態から、隣接する(下流の)リピートユニットの活性領域の高エネルギー状態へのキャリア遷移を容易にするように選択された層構造を有する。よって、キャリアは、層構造を介して移動しながら、高エネルギー状態から低エネルギー状態への連続的な遷移を経て、その結果、波長λの複数の光子が産み出される。光子エネルギー(およびλ)は、リピートユニットの構造上および組成上の内容に依存し、またかけられた電界および/または分布帰還の要素に依存する。
【0004】
従来技術のQCレーザーは幅広いスペクトル領域の波長で放射するように設計することができるが、いわゆる第一大気ウィンドウ(first atmospheric window)(約3〜5μm)の波長で放射するように設計することができるQCレーザーが利用できることが望ましい。このようなレーザーは、例えば微量のガス(HClなど)の感知などの多様な適用のために重要である。
【0005】
QCレーザーは量子閉込めによって産み出されるエネルギーレベルの間のキャリア遷移に基づくので、得られる放射は、活性領域の2つの半導体材料の間の伝導帯不連続性のサイズによって短い波長側で制限される。従来技術のQCレーザーは、一般的にIn0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48Asに基づき、これはInPに格子整合されるとともに、伝導帯不連続性ΔEc=520meVを有する。このシステムでは、T≧300Kの温度で約250meV(〜0.48ΔEc)の最大光子エネルギーが実現される。
【0006】
3〜5μmの大気ウィンドウを十分にカバーするためには、従来技術のQCレーザーで利用できるよりも大きい伝導幅不連続性とのヘテロ接合を有するQCレーザーが利用できることが望ましい。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は一般的にQCレーザーに関し、かつQCレーザーを備える物質に関する。
特に、このQCレーザーは、格子定数a0を有する半導体基板の上に配された多層半導体構造を備える。この構造は、光導波管を形成するとともに、下部閉込め領域と、下部閉込め領域の上に配されたコア領域と、コア領域の上に配された上部閉込め領域とを備える。頻繁に、基板は下部閉込め領域を形成する。
【0008】
コア領域は複数の名目上同一のリピートユニットを備え、各リピートユニットは活性領域とキャリア注入領域とを備える。活性領域は、第一半導体材料および第二半導体材料の層をそれぞれ交互に備える層構造を有するとともに、高キャリアエネルギー状態および低キャリアエネルギー状態を提供するように選択され、高キャリアエネルギー状態から低キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移によって波長λの光子が放出される。第一半導体材料は格子定数a1を有し、第二半導体材料は格子定数a2を有する。
【0009】
キャリア注入領域は、リピートユニットの活性領域の低キャリアエネルギー状態から、隣接する(下流の)リピートユニットの活性領域の高キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移を容易にするように選択された層構造を有する。
また、QCレーザーは、電流が多層半導体構造の中を流れることを容易にするように選択された接点を備える。
【0010】
重要なことは、第一半導体材料および第二半導体材料が、a1>a2、典型的にはa1>a0>a2である格子定数(a0は基板材料(典型的にはInP)の格子定数である)を有するように選択され、さらに第一半導体組成と第二半導体組成との間の伝導帯エネルギー不連続性ΔEcが絶対値で520meVよりも大きくなるように選択されることである。
【0011】
後でわかるように、それぞれa0よりも大きくかつa0よりも小さい格子定数を有する層を交互に提供することによって、ひずみを補正することができ、比較的大きいΔEcを有するがために比較的短い波長λの放射線を放射できるQCレーザーの成長を容易にする。
【0012】
典型的には、層の厚さは、リピートユニット全体にわたってひずみが実質的になくなるように選択される。さらに層の厚さは、典型的には、応力/ひずみによって引き起こされる欠陥の形成のための臨界厚さよりも小さくなるように選択される。この臨界厚さは所定の第一半導体組成および第二半導体組成について容易に決定することができ、典型的には5nmよりも大きい。
【0013】
例えば、InxGa1-xAsは、x>0.53の場合にInPの格子定数よりも大きい格子定数を有し、かつInyAl1-yAsは、y<0.52の場合にInPの格子定数よりも小さい格子定数を有する。
【0014】
ここで問題の半導体は、典型的には、立方対称性を有する。よって本明細書において「格子定数」は、立方ユニットセルの縁(edge)の長さをいう。
【0015】
a1>a0>a2の場合は、例えば
|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|<0.2(δa1/a0)Σt1であることが望ましく、
|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|≦0.10(δa1/a0)Σt1
であることがより望ましい。
【0016】
さらに望ましいのは、上記式の右辺がほぼ0であることである。上記の式では、δa1=a1−a0であり、δa2=a2−a0であり、Σt1は所定のリピートユニットの第一半導体材料の層の厚さの合計であり、Σt2はこれに対応する第二半導体材料の層の厚さの合計であり、縦棒は絶対値を意味する。上記の基準はあくまで例であり、リピートユニットに対して必要なひずみ補正を確保するために他の基準を考案することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1では、実線曲線11は、InP基板の上で成長したInxGa1-xAs/InyAl1-yAsのひずみ補正された二重層に対して、伝導帯不連続性ΔEcをモデル・ソリッド(model-solid)理論(C. G. Van de Walle、Phys. Review B39、p.1871(1988年)参照)を用いて計算したxの関数として示す。InGaAs層の厚さは、二重層の厚さ全体の40%であると想定されている。破線12は、格子整合された組成における不連続性の公知の値によって測定された、不連続性の計算値を示す(x=0.53に相当する)。図1からわかるように、 InxGa1-xAs/InyAl1-yAsのxが増えるにつれてΔEcも増える。例えば、In0.7Ga0.3As/In0.4Al0.6Asの組成の二重層の場合は、ΔEc=0.74eVである。
【0018】
図2は、9.6x104V/cmの印加された電界における、本発明によるQCレーザーのリピートユニットの伝導帯端および関連する特徴を示す。正確さを期するために、リピートユニットは、注入バリヤ210から注入バリヤ211まで延在すると想定されている。また、図2は該当する波動関数の二乗係数(moduli squared)を示している。エネルギーレベル3から2への波線は、レーザーの作用による移動を示している。また図2は、活性領域24およびキャリア注入領域25を示し、後者は当業者には公知である「ミニギャップ」22および「漏斗注入器」23を提供するチャープ(chirped)規則格子を有する。例えば、J. Faist等のApplied Physics Letters(応用物理学レター)、Vol. 68(26)、p.3680、1996年6月を参照。これは参照により本明細書に組み込まれている。ミニギャップは、高エネルギーレベル3から連続体へとキャリアが逃げるのを抑制し、漏斗注入器は、下流のリピートユニットのエネルギーレベル1からエネルギーレベル3へのキャリア遷移を容易にする。
【0019】
本発明による例示的なQCレーザーの以下の層構造は、分子線エピキタシ法(MBE)によって析出(deposited)される。
【0020】
【表1】
【0021】
SLは「規則格子(superlattice)」を意味する。厚さの単位はすべてnmであり、ドーパントレベルはすべて「キャリア/cm3」である。段階的な遷移(graded transition)層またはデジタル格子などの従来の特徴は、上記の層の配列順序では示されていない。
【0022】
規則格子は、厚さが3nmのIn0.4Al0.6Asバリヤ層の間の厚さ2nmのIn0.7Ga0.3Asウェル層で構成される。注入バリヤ210から始まって交互のウェル層とバリヤ層となる、活性領域/注入領域の1つのリピートユニットの層の順序配列(ナノメーターによる)が以下に示されている。バリヤ層の組成はIn0.4Al0.6Asであり、ウェル層の組成はIn0.7Ga0.3Asである。星状の層はSiで2.5x1017cm-3の厚さにドープされている。残りの層は意図的にはドープされていない。
【0023】
【表2】
【0024】
上記の層構造は、a1>a0>a2の要件を満たしており、第一半導体材料および第二半導体材料はそれぞれIn0.7Ga0.3AsおよびIn0.4Al0.6Asである。実際、この構造は実質的にひずみ補正されており、各リピートユニットは以下の要件を容易に満たす。
|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|≦0.1(δa1/a0)Σt1
【0025】
図2では、エネルギー状態および電子波動関数は、公知の方法で単一帯モデルでシュレーディンガー方程式を解くことによって計算され、エネルギーに依存する有効質量によって非放物線がもたらされる。非放物線の係数γの値は、In0.7Ga0.3Asの場合に1.53x10-18とされ、有効質量の値は、In0.7Ga0.3Asの場合には0.035mo、In0.4Al0.6Asの場合には0.0896moとされた。ここで、moは自由電子の質量である。
【0026】
レーザーの移動は典型的にはレベル3からレベル2で起こり、計算された移動エネルギーE23は392meVであり、λ=3.16μmに相当する。活性領域は、しきい値電界(96kV/cm)において活性領域の3.5nmおよび3.0nmの厚さの量子ウェルの基底状態は反交差(anti-crossed)するように設計されているので、光学フォノンのエネルギー(〜34meV)と共振するエネルギー分離を達成し、その結果n=2の状態の寿命は短い(〜0.4ps)ものになる。レベル3から低いレベルへの電子拡散時間は、大きいモメンタム移動と関連する光学フォノンの放出を含むので、約1.7psの比較的長いものになる。
【0027】
図3は、上記の層構造の直径が125μmのメサ装置についてのエレクトロルミネセンスのデータを示す。データは10Kと300Kで取られ、層材料の優れた結晶と界面の品質を示している。観察されたルミネセンスのピークは、第一大気ウィンドウの波長帯の十分に範囲内である。
【0028】
上記のようなMBEによって生産された層構造を有するウエハは、従来の湿式化学エッチングおよびSi3N4(350nm)の絶縁体によって、幅が10〜14μmのメサエッチングされたリッジ導波管へと加工される。非合金Ti/Auのオーム接点(0.4μm)が最上部層およびInP基板の上に形成された。続いてウエハは3mm幅のバーに裂かれ、切断面(facets)はコーティングしない状態のままにされた。続いてこのバーは、Heフロー低温槽の温度制御された(10〜320K)冷ヘッド(cold head)の上に、層構造を上にして取り付けられた。続いてレーザーは、4.5kHzの繰返し率で50nsの電流パルスで駆動された。
【0029】
図4は、例示的なレーザーの1つの切断面からの、パルス電流操作における光パワー対駆動電流の関係を示す。レーザーの放射波長は、10Kでは3.49μmで、270Kでは3.58μmであった。図4の破線曲線は、275Kにおける代表的な電流対電圧の特徴である。レーザー光を発する(lasing)際のしきい値電圧は、典型的には6.5V(10Kの場合)と8.5V(275Kの場合)の間である。
【0030】
図5は、CW操作における例示的なレーザーの光パワー対電流の関係を示し、図6は、CW操作における光パワー対波長の関係を示している。後者の数値は、しきい値より上のシングルモード操作を示す。
【0031】
本発明によるレーザーは、例えば、第一大気ウィンドウにおける吸収分光学用の装置の放射源として有利に用いることができる。例えば、H. I. Schiff等の「Air Monitoring by Spectroscopic Techniques(分光技術による空気モニタリング)」、編集者M. W. Sigrist、Wiley Interscience、1994年を参照。
【0032】
本発明によるレーザーは、気体測定種の倍音共振をターゲットとする中赤外鉛塩(lead salt)レーザーまたは近赤外半導体レーザーを現在用いている適用を含む、多くの適用において本発明のレーザーを有用なものとすると信じるところの特性を有する。例えば、本発明によるレーザーは、例えば、環境適用、自動車排気センサー、燃焼診断、工業プロセス制御、医療適用、または航空機もしくは自動車の衝突回避レーダーなどのための微量ガス分析に有利に用いることができる。
【0033】
一般的に、本発明によるレーザーは、ポイントセンシング装置およびリモートセンシング装置で有利に用いることができ、CWモードおよびパルスモードで用いることができる。
【0034】
図7は、例示的なポイントセンシング装置90の略図であり、ここで符号91は本発明によるレーザーを示す。典型的には、このレーザーは、粗波長同調用の温度制御台(図示されていない)に取り付けられる。レーザーからの中赤外線921は、従来の気体セル93(またはマルチパスセル)を通過し、外に出た放射線922は従来の検出器94につきあたる。検出器の電気出力はロックイン増幅器95に(適切な変調信号、例えば変調信号生成器983からの1.2kHzの正弦波と共に)供給され、ロックイン増幅器の出力はデータの分析およびフォーマットのためにコンピュータ96に供給される。続いてこのデータは適切な方法で表示および/または格納される。レーザーは適切な電流でポンプされる。例えば、ランプ電流生成器981からの低周波数電流ランプ(例えば250ms期間)と、バイアス電流生成器982からの短バイアスパルス(例えば5nsパルス幅、2μs期間)と、変調電流生成器983からの変調信号とは結合器97に供給され、その結果として生じる電流ランプは、重畳電流パルスおよび正弦波と共にレーザーに適用される。電流ランプは、レーザーの温度を所定の範囲にわたるものとする(sweep)のに役立ち、パルスによって短いレーザーパルスが放射される。パルス波長はゆっくりと波長の範囲にわたり、波長の関数としての吸収が決定される。よって、波長の範囲内に吸収線を有する気体がセルの中に存在することが容易に検出され、その気体を識別することができる。当業者であればわかるように、図7にはいくつかの従来の特徴が示されていない。例えば、測定の設定は典型的にはコンピュータによって制御され、さらにコンピュータとの間の入出力を必要とする。
【0035】
図8は、例示的なリモートセンシングシステム100の略図であり、ここで放出源101(例えば工場)はガス排気雲102を放出する。レーザー103は、排気雲を通って拡散する中赤外線を放射し、反射(例えばコーナー反射器105による)を受ける。続いて、反射された放射線107は検出器108によって検出される。レーザーは、適切な方法で、例えば図7に関連して説明した方法でポンプすることができ、検出器の出力は適切な方法で、例えばこれも上記の方法で利用することができる。ミラーまたは他の適切な反射器をコーナー反射器105の代わりに用いることができる。反射器は、航空機や、監視されている煙突を含む高位の対象物の上に置くことができる。一般的に、レーザーおよび検出器が見通し配置(line-of-sight disposition)に配されることが計画される。
【0036】
一般的に、レーザーは保護および制御のために適切なハウジングの中に取り付けられる。パッケージは、典型的には、冷却手段(例えば、水冷、熱電冷却)と、温度制御用フィードバックループで用いられる温度感知手段(例えば、熱電対)と、ポンプ電流をレーザーに流す手段とを備える。レーザーは、従来の方法で冷却手段に取り付けられる。選択可能なこととして、ハウジングは、レーザー出力を制限するための検出手段を含んでもよい。ハウジングは、典型的には、レーザー放射のために透過であるウィンドウを有し、典型的には真空にされるか、または不活性ガスで満たされる。米国特許出願一連番号第08/852,646号を参照。これは参照により本明細書に組み込まれている。
【0037】
当業者であれば容易に理解できるように、吸収分光学または同様の適用で有利に用いられべき本発明によるQCレーザーには、単一モード操作を確保するためのフィードバック手段が備えられる。かかるフィードバック手段は、典型的には、米国特許出願一連番号第08/852,646号で詳細に説明されるブラッグ格子である。図9は、分布帰還(DFB)機構を有する、本発明による例示的なQCレーザー900の略図である。符号910、920および930は、下部閉込め領域と、複数のリピートユニットを有するQC活性領域と、最上面に格子を有する上部閉込め領域とを示す。符号940と950は、金属化層を示す。波矢印は、出力の放射を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】InP上のひずみ補正されたInGaAs/InAlAsの二重層についてのΔEc対InxGa1-xAsのインジウム含有量の計算曲線を示している。
【図2】伝導帯端と、エネルギーレベルと、ミニギャップと、漏斗注入器とを含む、コア領域の1つのリピートユニットの該当する諸局面を示す。
【図3】エレクトロルミネセンス対波長および光子エネルギーについての例示的なデータを示す。
【図4】パルス電流操作における、光パワー対駆動電力、ならびに代表的な電流−電圧の特徴についての例示的なデータを示す。
【図5】CW操作における光パワー対電流の関係を示す。
【図6】CW操作における光パワー対波長の関係を示す。
【図7】本発明に従ったレーザー、すなわち吸収分光学のための装置を備える例示的な装置の略図である。
【図8】本発明に従ったレーザー、すなわち吸収分光学のための装置を備える例示的な装置の略図である。
【図9】本発明に従ったDFB QCレーザーの略図である。
Claims (10)
- 格子定数a0を有する半導体基板の上に配された多層半導体構造を備える量子カスケードレーザからなる装置であって、
a) 該多層半導体構造が、下部閉込め領域と、下部閉込め領域の上に配されたコア領域と、コア領域の上に配された上部閉込め領域とを備える光導波管を形成し、
b) 該コア領域が、複数の名目上同一のリピートユニットを備えており、各リピートユニットが活性領域とキャリア注入領域とを備え、該活性領域が、第1半導体材料と第2半導体材料の層を交互に備える層構造を有するとともに、高キャリアエネルギー状態および低キャリアエネルギー状態を提供するように選択されており、高キャリアエネルギー状態から低キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移の結果、波長λの光子が放出され、該キャリア注入領域が、該活性領域の低キャリアエネルギー状態から、隣接する下流のリピートユニットの活性領域の高キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移を容易にするように選択された層構造を有し、
c) 該量子カスケードレーザは、電流が多層半導体構造の中を流れることを容易にするように選択された接点を備えており、
d)第1半導体材料が格子定数a1>a0を有するように選択され、第2半導体材料が格子定数a2<a0を有するように選択され、さらに該第1半導体材料と該第2半導体材料との間の伝導帯エネルギー不連続性ΔEcが絶対値で520meVを超えるように選択され、
e) 該第1半導体材料と該第2半導体材料及びリピートユニットの層の厚さは、|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|が0.2(δa1/a0)Σt1以下であるように選択され、ここでδa1=a1−a0、δa2=a2−a0、Σt1とΣt2は所定のリピートユニットの第1半導体材料層と第2半導体材料層のそれぞれの厚さの合計であり、縦棒が絶対値を表すことを特徴とする装置。 - 第1半導体材料と第2半導体材料及び層の厚さが、|(δa1/a0)Σt1+(δa2/a0)Σt2|が0.1(δa1/a0)Σt1以下であるように選択される請求項1記載の装置。
- 量子カスケードレーザがさらに分布帰還機構を備える請求項1記載の装置。
- 分布帰還機構が、閉鎖領域に配されたブラッグ格子である請求項3記載の装置。
- 装置が、測定種による赤外線の吸収を測定する測定システムであり、
該測定システムが、請求項1記載の量子カスケードレーザを備えるシングルモード赤外線レーザ放射の源を備え、さらに、ある量の該測定種を介してそれを通過した後のシングルモード赤外線レーザ放射を検出する検出器を備える請求項1記載の装置。 - 該測定種が、測定セルに配された気体である請求項5記載の測定システム。
- 該測定種が非密封気体である請求項5記載の測定システム。
- 該電流接点に接続された電源をさらに備え、
シングルモードレーザ放射の波長がレーザ加熱電流に従って変化するように、該電源がレーザ加熱電流をレーザに提供する請求項1記載の装置。 - 格子定数a0を有する半導体基板の上に配された多層半導体構造を備える量子カスケードレーザからなる装置であって、
a) 該多層半導体構造が、下部閉込め領域と、該下部閉込め領域の上に配されたコア領域と、コア領域の上に配された上部閉込め領域とを備える光導波管を形成し、
b) 該コア領域が、複数の名目上同一のリピートユニットを備えており、各リピートユニットが活性領域とキャリア注入領域とを備え、該活性領域が、第1半導体材料と第2半導体材料の層を交互に備える層構造を有するとともに、高キャリアエネルギー状態および低キャリアエネルギー状態を提供するように選択されており、高キャリアエネルギー状態から低キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移の結果、波長λの光子が放出され、キャリア注入領域が、活性領域の低キャリアエネルギー状態から、隣接する下流のリピートユニットの活性領域の高キャリアエネルギー状態へのキャリア遷移を容易にするように選択された層構造を有し、
c) 量子カスケードレーザは、電流が多層半導体構造の中を流れることを容易にするように選択された接点を備えており、
d)第1半導体材料が格子定数a1>a0を有するように選択され、第2半導体材料が格子定数a2<a0を有するように選択され、さらに該第1半導体材料と該第2半導体材料との間の伝導帯エネルギー不連続性ΔEcが絶対値で520meVを超えるように選択され、
e) 該第1半導体材料と該第2半導体材料及びリピートユニットの層の厚さが、歪を該リピートユニット全体にわたって相殺するように選択されることを特徴とする装置。 - 請求項9に記載の装置において、さらに、層の厚さが、応力/歪によって引き起こされる欠陥の形成のための臨界厚さよりも小さくなるように選択される装置。
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