JP3915354B2

JP3915354B2 - Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device

Info

Publication number: JP3915354B2
Application number: JP35130899A
Authority: JP
Inventors: 勝喜内海; 隆広松尾; 敏行福田; 幸雄山口
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-12-10
Filing date: 1999-12-10
Publication date: 2007-05-16
Anticipated expiration: 2019-12-10
Also published as: JP2001168262A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＱＦＮ（ＱｕａｄＦｌａｔＮｏｎ−ｌｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（ＳｍａｌｌＯｕｔＬｉｎｅＮｏｎ−ｌｅａｄｅｄＰａｃｋａｇｅ）、と称される外部端子となるリード部が片面封止された小型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものであり、特に生産効率を向上させる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】
図１４は、従来のリードフレームの構成を示す図であり、図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】
図１４に示すように、従来のリードフレームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状の複数のリード部１０４とより構成されている。そしてリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して設けられている。図１４（ａ）において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部分を示している。
【０００６】
また、従来のリードフレームは、図１４（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード部１０３によって支持されているが、その吊りリード部１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。
【０００７】
なお、図示していないが、従来のリードフレームの表面には、主としてパラジウム（Ｐｄ）メッキまたは、ハンダメッキが施されているものである。パラジウムメッキについては、下地材が銅（Ｃｕ）であり、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層の３層でメッキ層が形成されている。
【０００８】
次に従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１５は、図１４に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１５（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図である。
【０００９】
図１５に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７により封止されている。そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【００１０】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１１】
まず図１６に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０４とを有したリードフレームを用意する。
【００１２】
そして図１７に示すように、ダイパッド部１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０５を搭載しボンディングする。
【００１３】
次に図１８に示すように、ダイパッド部１０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１４】
次に図１９に示すように、半導体素子１０５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。この封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を露出させるための部材である。
【００１５】
次に図２０に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止する。図２１には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を示している。
【００１６】
次に図２２に示すように、リードフレームのリード部１０４の底面に密着させていた封止シート１０９をピールオフ等により除去する。
【００１７】
次に図２３に示すように、リード部１０４の切断箇所１１０に対して、金型による切断刃１１１でリードカットを行う。
【００１８】
そして図２４に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、封止工程において成型時にリード間に樹脂が形成され、リードフレームに対して樹脂封止した後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたため、その切断工程において、リードカット時の衝撃によりリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落するといった課題があった。また従来の樹脂封止型半導体装置の構造は、リード部の上面だけを封止樹脂で覆われたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃によるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リード部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。また、切断時に発生した樹脂くずが後工程の検査工程で接触不良による検査ミスを誘発させるといった課題もあった。さらに実装基板に搭載するはんだ付け工程での実装不良を起こす課題があった。
【００２０】
またリードカットにおいては、金型切断の代わりに回転ブレードでリード部を切削して切断する場合もあるが、そのブレード切断においては、リード部を切断した際、分離されたリードフレームのフレーム枠が飛散し、生産性の低下等、悪影響を及ぼすという課題もあった。
【００２１】
本発明は前記した従来のリード部の切断方法を改善して課題を解決し、品質のよい小型片面封止型の樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置し末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、前記リード部のフレーム枠近傍に設けられた切断部と、前記切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも前記半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの前記開口部に前記樹脂を充填し、前記切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２４】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍
に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記接続部の樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２５】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記ランナー部に残存させて形成した樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】
また、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断部に対してブレードにより切削を行い、リードカットし、各ユニットを分離する工程では、前記ブレードの回転数あるいは送りスピードは切り込み位置、あるいは切り込み量により可変設定する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程との間には、半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部と前記ランナー部に残存させて形成した樹脂および前記接続部の樹脂の頭頂部とにシートを密着させる工程を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２８】
前記構成により、ブレードにより切断されたフレーム枠が樹脂による接続部で連結され、リード部は切断されていても接続部で各ユニットが接続支持されているので分離せず、切断時において、切断されたフレーム枠の飛散を防止し、生産性の優れた樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できるものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００３１】
図１は本実施形態のリードフレームを示す図で、図１（ａ）は一部分の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３２】
本実施形態のリードフレームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とより構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続して設けられている。図１（ａ）において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）をブレードで切断する切断部５を示している。
【００３３】
また、本実施形態のリードフレームは、図１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部３によって支持されているが、その吊りリード部３に設けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４（４ａ）上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。また半導体装置に樹脂を供給する導入部はランナー部であり、この一部が切断後にフレーム枠を接続する接続部となる。また、リードフレームの他の切断位置にはフレーム枠の接続部に樹脂を供給する開口部１０を適宜設けて封止工程において半導体装置を構成するとともに、樹脂を供給する導入部となる。樹脂による接続部はブレードで切断する切断部５に配置され、切断後にフレーム枠を接続する役割を果たしている。
【００３４】
また図示していないが、本実施形態のリードフレームの表面には、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキが部分的に施されているものである。
【００３５】
なお本実施形態のリードフレームは、図１に示す構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されるものである。また、金型に載置して樹脂封止工程において樹脂を供給するランナー部を広く設けているリードフレームである。
【００３６】
次に本実施形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。
【００３７】
図２に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面と同一面である。すなわち、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６と、そのダイパッド部２に先端部が対向して配置され、複数のリード部４と、半導体素子６の電極とリード部４とを電気的に接続した金属細線７と、ダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の底面および一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂８とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
【００３８】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００３９】
まず図３に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とを各ユニットとして、接続部に樹脂を充填する開口部を有したリードフレームを用意する。
【００４０】
そして図４に示すように、リードフレームの各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接着剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディングする。
【００４１】
次に図５に示すように、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線７により電気的に接続する。
【００４２】
次に図６に示すように、半導体素子６が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部４の底面に封止シート１１を密着させる。この封止シート１１はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護して、リード部４の底面をスタンドオフを有して露出させるとともに開口部を搭通して接続部に樹脂を供給するための機能部材である。
【００４３】
次に図７、図８に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部４の端部（切断部付近）を封止シート１１に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂８をランナー部より注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユニットごとに個別に封止するとともに、接続部にも樹脂を充填する。この接続部にはリードフレーム枠に設けた開口部より樹脂が供給される。また、ランナー部の一部をブレードカットされるカット位置に延長して接続部にする。接続部、ランナー部に形成する樹脂の高さは半導体装置の樹脂高さと同じ高さに金型により成型され、後工程で樹脂シートに半導体装置の樹脂頭頂部とともに接着される。図８は外囲を封止樹脂８で封止した部分図である。ここで接続部、ランナー部、各ユニットの半導体装置の樹脂の高さを略同一高さにそろえるのは、後工程で密着させるシートが安定に密着し、リードカット時の影響を低減するためである。
【００４４】
次に図９に示すように、リードフレームのリード部４の底面に密着させていた封止シート１１をピールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂８の底面からリード部４が３０［μｍ］程度突出（スタンドオフ）して露出しているものである。
【００４５】
そしてリードフレームに対する樹脂封止後の状態は、図１０（ａ）に示すように各ユニットごとに封止樹脂８により樹脂封止されているものであり、各ユニットの周辺には樹脂による接続部が適宜配されている（図示せず）。
【００４６】
図１０（ｂ）は樹脂封止された後の部分平面図であり、封止樹脂８は各ユニット間のランナー部１２とともに、接続部１３−１にも充填され、半導体素子部を充填した後、フレーム枠１に配した開口部（図示せず）から接続部１３にも充填され、切断後のフレーム枠１相互の接続部となる。なお、封止樹脂８による接続部１３には半導体装置部より樹脂を供給することも可能である。
【００４７】
また、ランナー部１２は除去せずにフレーム枠１に接続された状態で保持され、樹脂による接続部１３−１に充填され、切断後のフレーム枠１相互の接続部となる。フレーム枠１外のランナー部１２−１およびカル部は切断して搬送等に好適にする。
【００４８】
次に図１１に示すように、各ユニットごとに樹脂封止された樹脂頭頂部８ａとともに樹脂接続部１３，１３−１の頭頂部、ランナー部にも樹脂シート１４を接着する。この樹脂シート１４は樹脂部を接着して回転ブレード１５によりフレーム枠と半導体装置のリード部４とを切断した後も分離された半導体装置のユニット、縦横に切断されたフレーム枠を安定かつ確実に固定するもので、接着剤を有する樹脂シート１４であり、ブレードでの切断による応力や切断時に使用する水等に耐える接着力を有している。樹脂シート１４の接着力と接続部１３，１３−１頭頂部の面積により接着力が決定される。
【００４９】
次に図１２に示すように、樹脂封止後のリードフレームのリード部４の切断部５に対して、リードフレーム底面側から回転ブレード１５で縦横にリードカットを行い、半導体装置の各ユニットを分離するとともにフレーム枠も分離させる。このリードカットは、樹脂による接続部１３，１３−１の一部を残して切断するものであり、リードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、半導体装置の封止樹脂８の厚みが６００［μｍ］で、総高さが８００［μｍ］ある場合は、接続部１３，１３−１の厚みも約６００［μｍ］で、接続部１３，１３−１を約２００［μｍ］を残してカットし、接続させておくことになる。
【００５０】
また、半導体装置の周辺部のみを切断して外周部のフレーム枠を切断せずにフレーム枠にかかる応力を少なくすることも可能で生産性を向上するとともに接続部の面積も少なくできる。また回転ブレード１５の回転数、送り速度は、切り込み量を適宜リードフレームのカット位置、カット幅、Ｃｕ材（リードフレーム材）の厚み等により設定することにより、ブレードの摩耗を少なくして連続性生産時間を長くして生産性のよい樹脂封止型半導体装置の生産が可能になる。
【００５１】
また、接着力を向上させるため樹脂による接続部１３の幅を広くしたり、または接続部１３を樹脂封止型半導体装置間のフレーム枠の中央部に配することもできる。
【００５２】
そしてカットされなかった接続部１３，１３−１により、フレーム枠間が接続され、樹脂シート１４に接着されフレーム枠の飛散を防止して安定した生産が可能となる。この後、接着力を弱める工程を経て、樹脂封止型半導体装置をジグ等に順じ移載する。また、樹脂接続部１３，１３−１により連結されたフレーム枠は移載されずに樹脂シートに接着されて残される。なお、本実施形態では、接着力をＵＶ（紫外線）照射で弱くするＵＶシートと称されるシートを樹脂シートに使用し、紫外線照射により接着力を弱めている。
【００５３】
そして図１３に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から３０［μｍ］以上のスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得るものである。なお、個々の樹脂封止型半導体装置への分離は、個々のユニットを接続している樹脂による接続部を除去することにより可能である。
【００５４】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されるダイパッド部と、そのダイパッド部に先端が対向して配置し、末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、各リード部のフレーム枠近傍に設けられたリードカット時の切断部と、その切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、各ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、用意したリードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、リードフレームの各リード部と搭載した半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、リードフレームのランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に樹脂を充填し、切断部近傍に樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを樹脂による接続部で接続する工程と、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断部に対してブレードにより切削を行い、切断部に形成した樹脂とともにリードカットし、各ユニットを分離する工程とよりなるものであり、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法での、ブレードカットによる生産性の優れた製造方法である。
【００５５】
また、本発明の要旨を越えない限り種々の変形実施が可能であることは言うまでもない。例えば、封止工程で成型時に樹脂固定部を形成すると品質に影響する樹脂封止型半導体装置の場合は、樹脂シートにあらかじめ作成した樹脂固定部を接着しても良い。
【００５６】
また、片面封止型の樹脂封止型半導体装置であればダイパッド部を樹脂底面より露出した構造の半導体装置においても可能であり、リードをアレー状に配した樹脂封止型半導体装置にも有効である。また、封止シートを使用しない生産も可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、封止工程において、封止樹脂により半導体素子部を封止するとともに、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のフレーム枠の切断箇所に対しても、樹脂を充填することにより封止樹脂による接続部を形成し、封止樹脂の樹脂頭頂部および接続部の頭頂部に対して樹脂シートに接着し、回転ブレードにより切断部を切断することにより、その切断時において、フレーム枠の飛散を防止し、生産性の優れた樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１４】従来のリードフレームを示す図
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１フレーム枠
２ダイパッド部
３吊りリード部
４リード部
５切断部
６半導体素子
７金属細線
８封止樹脂
８ａ頭頂部
９外部端子
１０開口部
１１封止シート
１２ランナー部
１３接続部
１４樹脂シート
１５回転ブレード
１０１フレーム枠
１０２ダイパッド部
１０３吊りリード部
１０４リード部
１０５半導体素子
１０６金属細線
１０７封止樹脂
１０８外部端子
１０９封止シート
１１０切断箇所
１１１切断刃[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a small / thin resin-sealed semiconductor device in which a lead portion serving as an external terminal called QFN (Quad Flat Non-Leaded Package) or SON (Small OutLine Non-Leaded Package) is sealed on one side. In particular, the present invention relates to a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that improves production efficiency.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in order to cope with the downsizing of electronic devices, high-density mounting of semiconductor components such as resin-encapsulated semiconductor devices is required, and along with this, semiconductor components are becoming smaller and thinner. In addition, while being small and thin, the number of pins has been increased, and a high-density small and thin resin-encapsulated semiconductor device has been demanded.
[0003]
Hereinafter, a lead frame used in a conventional QFN type resin-encapsulated semiconductor device will be described.
[0004]
14A and 14B are diagrams showing a configuration of a conventional lead frame, FIG. 14A is a plan view, and FIG. 14B is a cross-sectional view taken along a line A-A1 in FIG. 14A.
[0005]
As shown in FIG. 14, a conventional lead frame includes a frame frame 101 made of a copper (Cu) material, a rectangular die pad portion 102 on which a semiconductor element is placed, and a die pad portion 102. When the semiconductor element is mounted and the suspension lead portion 103 whose end portion is connected to the frame frame 101 and the semiconductor element is mounted, the mounting portion is electrically connected to the mounted semiconductor element and a metal thin wire or the like. And a plurality of beam-shaped lead portions 104 connected to each other. When the lead portion 104 is sealed with the sealing resin, the portion embedded in the sealing resin portion constitutes the inner lead portion 104a, and the portion exposed from the sealing resin portion constitutes the outer lead portion 104b. The inner lead portion 104a and the outer lead portion 104b are integrally and continuously provided. In FIG. 14A, a region indicated by a broken line indicates a region to be sealed with a sealing resin when a semiconductor element is mounted to constitute a resin-encapsulated semiconductor device, and is indicated by a one-dot chain line. The portion indicates a portion where the lead portion 104 (outer lead portion 104b) is cut with a mold after a semiconductor element is mounted and resin-sealed to constitute a resin-sealed semiconductor device.
[0006]
In the conventional lead frame, as shown in FIG. 14B, the die pad portion 102 is supported by the suspension lead portion 103, but the die pad portion 102 leads by the depressed portion provided in the suspension lead portion 103. It is upset so as to be disposed above the upper surface of the portion 104.
[0007]
Although not shown, the surface of the conventional lead frame is mainly plated with palladium (Pd) or solder. For palladium plating, the base material is copper (Cu), and the plating layer is formed of three layers of a nickel (Ni) plating layer, a palladium (Pd) layer, and a gold (Au) layer.
[0008]
Next, a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described. FIG. 15 is a view showing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame shown in FIG. 14, and FIG. 15 (a) is a perspective plan view showing the internal configuration with a broken line, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along the line B-B1 in FIG.
[0009]
As shown in FIG. 15, the semiconductor element 105 is mounted on the die pad portion 102 of the lead frame, and the semiconductor element 105 and the inner lead portion 104 a of the lead portion 104 are electrically connected by a thin metal wire 106. The outer periphery of the semiconductor element 105 and the inner lead portion 104a on the die pad portion 102 is sealed with a sealing resin 107. The bottom surface portion of the lead portion 104 (inner lead portion 104 a) is exposed from the bottom surface of the sealing resin 107 with a standoff to constitute the external terminal 108. Note that the outer lead portion 104 b is exposed from the side surface of the sealing resin 107, but is substantially flush with the side surface of the sealing resin 107.
[0010]
Next, a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device will be described.
[0011]
First, as shown in FIG. 16, a frame frame and a rectangular shape in which a semiconductor element is placed in the frame frame, and an upset die pad portion 102, and a corner portion of the die pad portion 102 are arranged at the tip portion thereof. The beam-shaped lead 104 is electrically connected to the mounted semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire when the semiconductor element is mounted. A lead frame having
[0012]
Then, as shown in FIG. 17, the semiconductor element 105 is mounted on the die pad portion 102 with an adhesive such as silver paste and bonded.
[0013]
Next, as shown in FIG. 18, an electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 105 mounted on the die pad portion 102 and the inner lead portion 104 a of the lead portion 104 are electrically connected by a thin metal wire 106. .
[0014]
Next, as shown in FIG. 19, a sealing sheet 109 is brought into close contact with at least the bottom surface of the lead portion 104 of the lead frame on which the semiconductor element 105 is mounted. The sealing sheet 109 is a member for protecting the sealing resin from entering the bottom surface of the lead portion 104 and exposing the bottom surface of the lead portion 104.
[0015]
Next, as shown in FIG. 20, the lead frame is placed in a mold, and a sealing resin made of an epoxy resin is injected while the lead portion 104 is pressed against the sealing sheet 109 by the mold, The die pad portion 102, the semiconductor element 105, the upper surface region of the lead portion 104 and the connection region of the metal thin wire 106 are sealed as an outer periphery of the lead frame. FIG. 21 shows a state where the outer enclosure is sealed with the sealing resin 107.
[0016]
Next, as shown in FIG. 22, the sealing sheet 109 adhered to the bottom surface of the lead portion 104 of the lead frame is removed by peel-off or the like.
[0017]
Next, as shown in FIG. 23, lead cutting is performed on the cutting portion 110 of the lead portion 104 with a cutting blade 111 using a mold.
[0018]
Then, as shown in FIG. 24, a semiconductor element 105 is mounted on the die pad portion 102 of the lead frame, and the semiconductor element 105 and the inner lead portion 104a of the lead portion 104 are electrically connected by a thin metal wire 106, Is sealed by the sealing resin 107, and the bottom surface portion of the lead portion 104 (inner lead portion 104a) is exposed from the bottom surface of the sealing resin 107 with a standoff to constitute the external terminal 108, The outer lead portion 104b is exposed from the side surface of the sealing resin 107, and a resin-encapsulated semiconductor device having substantially the same surface as the side surface of the sealing resin 107 is obtained.
[0019]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, a resin is formed between the leads during molding in the sealing process, and after the lead frame is resin-sealed, lead cutting is performed with a die cutting blade. Therefore, in the cutting process, there is a problem that a resin chip, a crack, or the like occurs in the sealing resin portion adjacent to the lead portion due to an impact at the time of lead cutting, and the lead portion falls off from the sealing resin portion. In addition, since the structure of the conventional resin-encapsulated semiconductor device is a so-called single-sided encapsulating structure in which only the upper surface of the lead portion is covered with the encapsulating resin, in the lead cut by the cutting blade of the mold, due to the impact, The lead part and the sealing resin part were easily damaged. In addition, there has been a problem that resin waste generated at the time of cutting induces an inspection error due to a contact failure in an inspection process in a subsequent process. Furthermore, there has been a problem that causes mounting defects in the soldering process to be mounted on the mounting board.
[0020]
In lead cutting, the lead portion may be cut by a rotating blade instead of cutting the die, but in cutting the blade, when the lead portion is cut, the frame of the separated lead frame is separated. There were also problems such as scattering and adverse effects such as a decrease in productivity.
[0021]
The present invention solves the above problems by improving the above-described conventional method for cutting a lead portion, and provides a method for manufacturing a high-quality small-size single-side sealed resin-sealed semiconductor device.
[0022]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described conventional problems, a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention includes a die pad portion on which a semiconductor element is mounted, a tip end facing the die pad portion, and a terminal end that is a frame frame. A plurality of connected lead parts, a cutting part provided in the vicinity of the frame of the lead part, and an opening for supplying resin in the vicinity of the cutting part are provided as a single unit. Preparing a lead frame having a runner portion for supplying sealing resin to the substrate, mounting a semiconductor element on a die pad portion of the lead frame, and electrically connecting each lead portion of the lead frame and the semiconductor element A resin is introduced from the runner portion of the lead frame, and at least the upper surface of the semiconductor element and the lead portion is sealed with the resin, and the A resin is formed by leaving the resin in the knurled part, the resin is filled in the opening of the lead frame, a connecting part made of the resin is formed in the vicinity of the cutting part, and each unit is connected by the connecting part made of the resin. Connecting, and While cutting the lead portion with a blade, a part of the connecting portion made of resin formed in the vicinity of the cutting portion is left without being cut, and the units are connected by the connecting portion. A process for producing a resin-encapsulated semiconductor device comprising steps.
[0024]
In addition, resin is introduced from the runner portion of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead portion are sealed with resin, and the resin is formed by leaving the resin in the runner portion, and the lead frame opening Filled with resin and near the cutting part
In the step of forming the connecting portion by the resin and connecting each unit by the connecting portion by the resin, the resin sealing formed by sealing the top height of the resin at the connecting portion and the upper surface of the semiconductor element The height of the top of the head Same This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device formed at a height.
[0025]
In addition, resin is introduced from the runner portion of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead portion are sealed with resin, and the resin is formed by leaving the resin in the runner portion, and the lead frame opening In the step of filling the resin, forming the connecting portion by the resin in the vicinity of the cutting portion, and connecting the units to each other by the connecting portion by the resin, the height of the top of the resin formed by remaining in the runner portion and the semiconductor The height of the top of the resin sealing part formed by sealing the upper surface of the element Same This is a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device formed at a height.
[0026]
In the process of cutting the lead part at the boundary part of each unit of the lead frame after resin sealing with a blade, cutting the lead, and separating each unit, the rotation speed or feed speed of the blade Is a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that is variably set according to the cutting position or the cutting amount.
[0027]
In addition, resin is introduced from the runner portion of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead portion are sealed with resin, and the resin is formed by leaving the resin in the runner portion, and the lead frame opening Filling the resin, forming a connection portion by the resin in the vicinity of the cutting portion, and connecting each unit with the connection portion by the resin; While cutting the lead portion with a blade, a part of the connecting portion made of resin formed in the vicinity of the cutting portion is left without being cut, and the units are connected by the connecting portion. During the process, the sheet is in close contact with the top of the resin sealing part formed by sealing the upper surface of the semiconductor element, the resin formed by remaining in the runner part, and the top of the resin of the connection part A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a step of causing
[0028]
With the above configuration, the frame frame cut by the blade is connected by the connecting portion made of resin, and even if the lead portion is cut, each unit is connected and supported by the connecting portion, so it is not separated and is cut at the time of cutting. Further, it is possible to realize a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having excellent productivity by preventing scattering of the frame frame.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of a method for producing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0030]
First, the lead frame used in the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described.
[0031]
FIG. 1 is a view showing a lead frame of the present embodiment, FIG. 1 (a) is a schematic plan view of a part, and FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along a line C-C1 in FIG. 1 (a).
[0032]
The lead frame of this embodiment includes a frame frame 1 made of a copper (Cu) material, a rectangular die pad portion 2 on which a semiconductor element is placed, and a corner portion of the die pad portion 2 in the frame frame 1. A suspension lead portion 3 supported at the tip portion and having an end portion connected to the frame 1 and, when a semiconductor element is placed, a beam shape that is electrically connected to the placed semiconductor element by a connecting means such as a thin metal wire. The lead portion 4 is configured. When the lead portion 4 is sealed with the sealing resin, the portion embedded in the sealing resin portion constitutes the inner lead portion 4a, and the portion exposed from the sealing resin portion constitutes the outer lead portion 4b. The inner lead portion 4a and the outer lead portion 4b are integrally and continuously provided. In FIG. 1A, a region indicated by a broken line indicates a region sealed with a sealing resin when a semiconductor element is mounted to constitute a resin-encapsulated semiconductor device, and is indicated by a dashed line. The part shows a cutting part 5 for cutting the lead part 4 (outer lead part 4b) with a blade after the semiconductor element is mounted and resin-sealed to constitute a resin-sealed semiconductor device.
[0033]
In the lead frame of this embodiment, as shown in FIG. 1B, the die pad portion 2 is supported by the suspension lead portion 3, but the die pad portion 2 is supported by the depressed portion provided on the suspension lead portion 3. Is upset so as to be disposed above the upper surface of the lead portion 4 (4a). The introduction part for supplying the resin to the semiconductor device is a runner part, and a part of this is a connection part for connecting the frame frame after cutting. In addition, an opening 10 for supplying resin to the connection portion of the frame frame is appropriately provided at another cutting position of the lead frame to constitute a semiconductor device in the sealing process and to be an introduction portion for supplying resin. The connecting portion made of resin is disposed in the cutting portion 5 cut by the blade, and plays a role of connecting the frame frame after cutting.
[0034]
Although not shown, palladium (Pd) plating, specifically, nickel (Ni) plating layer, palladium (Pd) plating layer, gold (Au) plating layer is formed on the surface of the lead frame of this embodiment. The plating layer is composed of three layers, or solder plating of tin-silver (Sn-Ag), tin-bismuth (Sn-Bi) or the like is partially applied.
[0035]
Note that the lead frame of the present embodiment is not a single pattern having the configuration shown in FIG. Further, the lead frame has a wide runner portion that is placed on a mold and supplies resin in a resin sealing process.
[0036]
Next, a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame of this embodiment will be described. 2 is a diagram showing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame shown in FIG. 1, and FIG. 2 (a) is a perspective plan view showing the internal configuration with a broken line, and FIG. ) Is a cross-sectional view taken along a line D-D1 in FIG.
[0037]
As shown in FIG. 2, the semiconductor element 6 is mounted on the die pad portion 2 of the lead frame, and the semiconductor element 6 and the inner lead portion 4 a of the lead portion 4 are electrically connected by a thin metal wire 7. The outer periphery of the semiconductor element 6 and the inner lead portion 4 a on the die pad portion 2 is sealed with a sealing resin 8. The bottom surface portion of the lead portion 4 (inner lead portion 4 a) is exposed from the bottom surface of the sealing resin 8 with a standoff to constitute an external terminal 9. Although the outer lead portion 4 b is exposed from the side surface of the sealing resin 8, it is substantially the same surface as the side surface of the sealing resin 8. That is, the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment includes a semiconductor element 6 mounted on the die pad portion 2, a tip portion facing the die pad portion 2, a plurality of lead portions 4, and a semiconductor element And a metal fine wire 7 in which the electrode 6 and the lead portion 4 are electrically connected to each other, and a die pad portion 2, a semiconductor element 6, and a sealing resin 8 that seals the outer periphery except for the bottom surface and one side surface of the lead portion 4. This is a resin-encapsulated semiconductor device.
[0038]
Next, a method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment will be described.
[0039]
First, as shown in FIG. 3, a frame frame, a rectangular shape in which a semiconductor element is placed in the frame frame, and an upset die pad portion 2, and a corner portion of the die pad portion 2 are arranged at the tip portion thereof. The beam-shaped lead portion 4 is electrically connected to the suspended semiconductor element by a connecting means such as a metal thin wire when the semiconductor element is placed. As a unit, a lead frame having an opening for filling the connecting portion with resin is prepared.
[0040]
Then, as shown in FIG. 4, the semiconductor element 6 is mounted and bonded to the die pad portion 2 of each unit of the lead frame by an adhesive such as silver paste.
[0041]
Next, as shown in FIG. 5, an electrode pad (not shown) on the surface of the semiconductor element 6 mounted on the die pad portion 2 and the inner lead portion 4 a of the lead portion 4 are electrically connected by a thin metal wire 7. .
[0042]
Next, as shown in FIG. 6, the sealing sheet 11 is brought into close contact with at least the bottom surface of the lead portion 4 of the lead frame on which the semiconductor element 6 is mounted. The sealing sheet 11 protects the sealing resin from flowing into the bottom surface of the lead portion 4, exposes the bottom surface of the lead portion 4 with a standoff, passes through the opening, and applies resin to the connection portion. It is a functional member for supplying.
[0043]
Next, as shown in FIGS. 7 and 8, the lead frame is placed in the mold, and the end of the lead part 4 (near the cutting part) is pressed against the sealing sheet 11 by the mold. Sealing resin 8 made of a base resin is injected from the runner portion, and the die pad portion 2, the semiconductor element 6, the upper surface region of the lead portion 4 and the connection region of the fine metal wires 7 are individually sealed as the outer periphery of the lead frame for each unit. At the same time, the connecting portion is filled with resin. Resin is supplied to the connecting portion from an opening provided in the lead frame frame. Further, a part of the runner portion is extended to a cutting position where the blade is cut to form a connection portion. The height of the resin formed in the connection part and the runner part is molded by a mold to the same height as the resin height of the semiconductor device, and is bonded to the resin sheet together with the resin top of the semiconductor device in a subsequent process. FIG. 8 is a partial view in which the outer periphery is sealed with a sealing resin 8. Here, the height of the resin of the semiconductor device of the connection part, the runner part, and each unit is made to be almost the same height, because the sheet to be adhered in the subsequent process is stably adhered, and the influence at the time of lead cutting is reduced. is there.
[0044]
Next, as shown in FIG. 9, the sealing sheet 11 adhered to the bottom surface of the lead portion 4 of the lead frame is removed by peel-off or the like. In this state, the lead portion 4 protrudes (stands off) by about 30 [μm] from the bottom surface of the sealing resin 8 and is exposed.
[0045]
The state after the resin sealing with respect to the lead frame is resin-sealed with a sealing resin 8 for each unit as shown in FIG. Are appropriately arranged (not shown).
[0046]
FIG. 10B is a partial plan view after resin sealing, and the sealing resin 8 is filled in the connection portion 13-1 together with the runner portion 12 between the units, and after filling the semiconductor element portion. The connection portion 13 is also filled from an opening (not shown) disposed in the frame frame 1 and becomes a connection portion between the frame frames 1 after cutting. In addition, it is also possible to supply resin to the connection part 13 by the sealing resin 8 from a semiconductor device part.
[0047]
In addition, the runner portion 12 is held in a state of being connected to the frame frame 1 without being removed, filled in the connection portion 13-1 made of resin, and becomes a connection portion between the frame frames 1 after cutting. The runner portion 12-1 and the cull portion outside the frame 1 are cut to be suitable for conveyance and the like.
[0048]
Next, as shown in FIG. 11, the resin sheet 14 is bonded to the tops and runners of the resin connection parts 13 and 13-1 together with the resin tops 8 a resin-sealed for each unit. The resin sheet 14 adheres the resin part, and after the frame frame and the lead part 4 of the semiconductor device are cut by the rotating blade 15, the separated semiconductor device unit and the frame frame cut vertically and horizontally are stably and surely secured. This is a resin sheet 14 having an adhesive, and has an adhesive strength that can withstand the stress caused by cutting with a blade, water used at the time of cutting, and the like. The adhesive strength is determined by the adhesive strength of the resin sheet 14 and the area of the tops of the connecting portions 13 and 13-1.
[0049]
Next, as shown in FIG. 12, the cut portions 5 of the lead portions 4 of the lead frame after resin sealing are lead-cut vertically and horizontally from the bottom surface side of the lead frame with the rotary blade 15, and each unit of the semiconductor device is cut. The frame is separated as well as the frame. This lead cut is made by cutting a part of the connecting portions 13 and 13-1 made of resin, the lead frame has a thickness of 200 [μm], and the semiconductor device sealing resin 8 has a thickness of 600 [μm]. [μm] and the total height is 800 [μm], the thickness of the connecting portions 13 and 13-1 is also about 600 [μm], and the connecting portions 13 and 13-1 are cut leaving about 200 [μm]. And keep it connected.
[0050]
Further, it is possible to reduce the stress applied to the frame frame without cutting only the peripheral part of the semiconductor device and not cutting the frame frame on the outer peripheral part, thereby improving the productivity and reducing the area of the connection part. The rotation speed and feed speed of the rotary blade 15 are set so that the cutting amount is appropriately set according to the cutting position of the lead frame, the cutting width, the thickness of the Cu material (lead frame material), etc., thereby reducing the wear of the blade. Prolonged production time makes it possible to produce a resin-encapsulated semiconductor device with good productivity.
[0051]
Further, the width of the connecting portion 13 made of resin can be increased in order to improve the adhesive force, or the connecting portion 13 can be arranged at the center portion of the frame frame between the resin-encapsulated semiconductor devices.
[0052]
The connection portions 13 and 13-1 that are not cut connect the frame frames, and are bonded to the resin sheet 14 to prevent scattering of the frame frames, thereby enabling stable production. Thereafter, the resin-encapsulated semiconductor device is transferred to a jig or the like through a process of weakening the adhesive force. Moreover, the frame frame connected by the resin connection parts 13 and 13-1 is left without being transferred and adhered to the resin sheet. In this embodiment, a sheet called a UV sheet that weakens the adhesive force by UV (ultraviolet) irradiation is used for the resin sheet, and the adhesive force is weakened by ultraviolet irradiation.
[0053]
Then, as shown in FIG. 13, a semiconductor element 6 is mounted on the die pad portion 2 of the lead frame, and the semiconductor element 6 and the inner lead portion 4a of the lead portion 4 are electrically connected by a metal thin wire 7 to enclose the envelope. Is sealed with the sealing resin 8, and the bottom surface portion of the lead portion 4 (inner lead portion 4a) is exposed from the bottom surface of the sealing resin 8 with a standoff of 30 [μm] or more, and the external terminal 9, the outer lead portion 4 b is exposed from the side surface of the sealing resin 8, and a resin-encapsulated semiconductor device that substantially forms the same surface as the side surface of the sealing resin 8 is obtained. The separation into individual resin-encapsulated semiconductor devices can be performed by removing the connection portions made of resin that connect the individual units.
[0054]
As described above, the method for manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device according to the present embodiment includes a die pad portion on which a semiconductor element is mounted, and a plurality of lead portions that are arranged so that the tip faces the die pad portion and the end is connected to the frame frame. And a lead cut cutting part provided in the vicinity of the frame of each lead part and an opening for supplying resin in the vicinity of the cutting part as a single unit. The steps of preparing a lead frame having a runner portion for supplying a stop resin, mounting a semiconductor element on a die pad portion of the prepared lead frame, and electrically connecting each lead portion of the lead frame and the mounted semiconductor element Resin is introduced from the runner part of the lead frame and the connecting step, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead part are sealed with resin, and the lead frame Forming the resin by leaving the resin in the runner part, filling the resin in the opening of the lead frame, forming a connection part made of resin in the vicinity of the cutting part, and connecting each unit with a connection part made of resin; The process consists of cutting the lead part at the boundary of each unit of the lead frame after resin sealing with a blade, cutting the lead together with the resin formed on the cut part, and separating each unit. There is a manufacturing method with excellent productivity by blade cutting in a manufacturing method of a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame.
[0055]
It goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the case of a resin-encapsulated semiconductor device that affects quality when the resin fixing part is formed at the time of molding in the sealing process, a resin fixing part prepared in advance may be bonded to the resin sheet.
[0056]
In addition, a single-side sealed resin-sealed semiconductor device can be used in a semiconductor device having a structure in which the die pad portion is exposed from the bottom surface of the resin, and is also effective for a resin-sealed semiconductor device having leads arranged in an array. It is. Further, production without using a sealing sheet is also possible.
[0057]
【The invention's effect】
As described above, in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, in the encapsulating process, the semiconductor element portion is encapsulated with encapsulating resin, and the frame frame at the boundary portion of each unit of the lead frame after resin encapsulation Also, the connection part made of the sealing resin is formed by filling the resin with the cut portion, and the resin top part of the sealing resin and the top part of the connection part are adhered to the resin sheet and cut by the rotating blade. By cutting the portion, the frame frame can be prevented from scattering at the time of cutting, and a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having excellent productivity can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows a lead frame according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 14 shows a conventional lead frame.
FIG. 15 shows a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 16 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device
FIG. 17 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 18 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 19 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 20 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 21 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 22 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 23 is a cross-sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
FIG. 24 is a sectional view showing a conventional method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.
[Explanation of symbols]
1 frame
2 Die pad section
3 Hanging lead
4 Lead part
5 Cutting part
6 Semiconductor elements
7 Fine metal wires
8 Sealing resin
8a The top of the head
9 External terminal
10 opening
11 Sealing sheet
12 runners
13 connections
14 Resin sheet
15 Rotating blade
101 frame
102 Die pad section
103 Suspended lead part
104 Lead part
105 Semiconductor device
106 Metal wire
107 Sealing resin
108 External terminal
109 Sealing sheet
110 Cutting point
111 cutting blade

Claims

A die pad portion on which a semiconductor element is mounted; a plurality of lead portions disposed at opposite ends of the die pad portion and connected to a frame frame; and a cutting portion provided near the frame of the lead portion; A step of preparing a lead frame having a plurality of units, each having an opening for supplying resin in the vicinity of the cutting portion, and having a runner portion for supplying sealing resin between the units; A step of mounting a semiconductor element on a die pad part, a step of electrically connecting each lead part of the lead frame and the semiconductor element, and introducing a resin from a runner part of the lead frame, at least the semiconductor element and the lead part the top surface with sealed with resin, the resin is left to form a resin in the runner section, prior to the opening of the lead frame The resin was packed, the cutting portion to form a connection according to the resin in the vicinity, a step of connecting the units to each other at the connection portion by the resin, while cutting the lead portions by a blade, formed in the vicinity of the cutting portion A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device , comprising: a step of leaving a part of a connection portion made of resin without cutting and connecting the units by the connection portion .

Resin is introduced from the runner part of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead part are sealed with resin, the resin is left in the runner part to form the resin, and the resin is formed in the opening of the lead frame. In the step of filling, forming a connection portion made of the resin near the cut portion, and connecting each unit with the connection portion made of the resin, the height of the top of the resin in the connection portion and the upper surface of the semiconductor element are sealed. method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, the height of the top portion of the resin sealing portion formed and forming at the same height Te.

Resin is introduced from the runner part of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead part are sealed with resin, the resin is left in the runner part to form the resin, and the resin is formed in the opening of the lead frame. In the step of filling, forming the connection portion by the resin in the vicinity of the cutting portion, and connecting each unit with the connection portion by the resin, the height of the top of the resin formed by remaining in the runner portion and the semiconductor element method for producing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, characterized in that forming the height of the top portion of the resin sealing portion formed by sealing the upper surface at the same height.

In the step of cutting the lead portion with the blade, leaving a part of the connecting portion made of resin formed in the vicinity of the cutting portion without cutting, and connecting each unit with the connecting portion , the rotation speed or feed speed of the blade 2. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the value is variably set according to a cutting position or a cutting amount.

Resin is introduced from the runner part of the lead frame, and at least the semiconductor element and the upper surface of the lead part are sealed with resin, the resin is left in the runner part to form the resin, and the resin is formed in the opening of the lead frame. Filling and forming a connecting portion made of the resin in the vicinity of the cutting portion, connecting each unit with the connecting portion made of the resin, and cutting the lead portion with a blade while using the resin formed in the vicinity of the cutting portion some of the connections are left without cutting, between the step of connecting the respective units by the connecting portion, and the top portion of the resin sealing portion upper surface is formed by sealing a semiconductor element 2. The resin-sealed semiconductor according to claim 1, further comprising a step of closely attaching a sheet to a resin formed on the runner portion and a top portion of the resin of the connection portion. Manufacturing method of the device.