JP3892489B2 - 希土類珪酸塩単結晶の加工方法 - Google Patents
希土類珪酸塩単結晶の加工方法 Download PDFInfo
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、シンチレータ等に用いられる希土類珪酸塩単結晶の加工方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
珪酸ガドリニウム単結晶等の希土類珪酸塩単結晶は、シンチレータ、蛍光体等として広く用いられている。
この単結晶系に属する珪酸ガドリニウム単結晶等は、シンチレータ等に用いられる場合、一般に円柱あるいは直方体の形状のものが使用される。実際には更に、1面〜全面を鏡面研磨し、鏡面研磨を施した一面を除いて反射材を塗布あるいは巻き付けた状態で、反射材の無い面を光電子増倍管に密着させて使用される。この単結晶はへき開性が強く(100)面に沿って割れ易い等の性質を持ち、比較的脆弱な結晶である。そのため、結晶育成冷却時や加工時に割れが発生し易い。しかしながら、この珪酸ガドリニウム等の希土類珪酸塩単結晶を円柱状に加工する方法において、これまでb軸([010]軸)とc軸([001]軸)の間の任意の結晶方向を円柱の軸方向にして側面の円筒研削をしていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この従来法では、円筒研削時に側面に割れ及び剥がれが発生する場合があり、平滑な側面が安定して得られないという問題があった。
本発明は、希土類珪酸塩単結晶を円柱状に加工する場合に、円柱の軸方向にする結晶方向を選択して側面の円筒研削を行うことにより、割れや剥がれの無い平滑な側面が得られる方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明者らは、希土類珪酸塩単結晶を円筒研削する場合の円柱軸方向結晶方位と側面の割れ発生状況の関係について検討した。その結果、c軸([001]軸)からの傾きの角度が15〜65°の範囲内の方向を円柱の軸方向にして円筒研削を行うことにより結晶の側面からの割れや剥がれを確実に防止できると共に、底面の割れを防止できることを見だすことによって、本発明は成されたものである。そして、円柱の軸方向は(100)面に平行であることが好ましい。
【0005】
【作用】
希土類珪酸塩単結晶を円柱状に加工する場合において、c軸([001]軸)からの傾きの角度が0〜65°の範囲内の方向を円柱の軸方向にして円筒研削を行うことにより結晶の割れや剥がれを防止できる原因は次のように考えられる。希土類珪酸塩単結晶の材料力学特性を調べた結果、希土類珪酸塩単結晶には塑性変形を示す方向があることがわかった。その塑性変形は、単結晶のへき開面((100)面)に垂直方向に荷重し[001]軸方向に引っ張りの応力が作用する場合に発生する。また、へき開割れの破壊靱性値は(010)面よりも(001)−17°面([001]軸を法線方向とする面)の方が約1桁小さく、へき開割れは(010)面側からよりも(001)−17°面側から発生し易いこともわかった。
希土類珪酸塩単結晶のこれらの材料特性から、円筒研削する場合に[010]軸方向を円柱の軸方向にすると、[001]軸方向が円柱の径方向になるために、へき開面に沿って割れや剥がれが非常に発生し易いと考えられる。そこで、[001]軸方向が円柱の径方向から[010]軸方向あるいは[100]軸方向にずれるほど側面の割れや剥がれは発生しなくなると考えられるが、実際には一定角度以上ずれることにより割れの発生は防止することができる。すなわち、c軸([001]軸)から傾きの角度が0〜65°の範囲内の方向を円柱の軸方向に選択して円筒研削を行うことによって、側面の割れや剥がれを確実に防止することができた。
また更に、円柱の底面を鏡面研磨する場合には、底面と(001)−17°面のなす角が小さい加工方向の時、へき開((100)面)割れが発生し易いことから、[001]軸からの傾きの角度が15°以上である方向を円柱の軸方向にすることがよい。
へき開面((100)面)と円柱の軸方向の関係については、加工後の円柱形試料の外部からの力学的衝撃に対する強度の観点から、円柱の軸方向は(100)面に平行にするのが最もよい。
【0006】
珪酸ガドリニウム単結晶以外の、化1の一般式
【化1】
R2 SiO5
(但し、RはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Scから選ばれて成る1種以上の希土類元素)
で示される希土類珪酸塩単結晶についても、結晶の力学特性は同様であり、同様の結果となる。
更に、これらの希土類珪酸塩単結晶にCe等の希土類元素やCr等の鉄属遷移金属をドープした場合も、効果は同様である。
以上の希土類珪酸塩単結晶は、珪酸ガドリニウム単結晶の結晶構造と同じ結晶構造を持ち、その構造は空間群P2/cに属する。
【0007】
比較例1
セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶(Ce:Gd2SiO5)の場合の例を説明する。φ20×40mm3の円柱状の試料を加工した。目的とするサイズの試料が十分採取できる大きさの結晶ブロックについて、任意の方向に40mmの間隔で円柱の2底面側を切り出した。次に、なるべく底面(断面)がφ20mmの円に近づくよう(多角形)に側面を縦に切り落とした。そして、円筒研削機を用いて側面の加工を行ったところ、円柱の側面(対向する2カ所)に軸方向に割れ及び剥がれが発生した(図3)。そこで、この試料を切断しながら方位を調べた結果、円柱の軸方向はb軸([010]軸)からc軸([001]軸)方向に10°傾いた方向であった
【0008】
比較例2
セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶(Ce:Gd2SiO5)の場合の例を説明する。φ20×40mm3の円柱状の試料を加工した。目的とするサイズの試料が十分採取できる大きさの結晶ブロックについて、X線カット面検査機を用いて、c軸([001]軸)方向を軸方向にして、まず40mmの間隔で円柱の2底面側を切り出した。次に、なるべく底面(断面)がφ20mmの円に近づくよう(多角形)に側面を縦に切り落とした。そして、円筒研削機を用いて側面の加工を行い、割れの無い円柱状試料を採取することができた。しかし、その後、円柱の両端面の鏡面研磨を行ったところ、へき開割れが一部に見られた。(図1)。
【0009】
実施例1
セリウム付活珪酸ガドリニウム単結晶((Ce:Gd2SiO5)の場合の例を説明する。φ20×40mm3の円柱状の試料を加工した。目的とするサイズの試料が十分採取できる大きさの結晶ブロックについて、X線カット面検査機を用いて、c軸([001]軸)からb軸([010]軸)に45°ずらして方向を軸方向にして、40mmの間隔で円柱の2底面側を切り出した。次に、なるべく底面がφ20mmの円に近づくよう(多角形)に側面を縦に切り落とした。そして、円筒研削機を用いて側面の加工を行い、割れの無い円柱状試料を採取することができた。その後、両端面の鏡面研磨をしたが、割れは発生しなかった(図2)。
【0010】
【発明の効果】
本発明の加工方法により、確実に割れの無い円柱状試料を採取することができる。また、あらかじめ種結晶(引上軸)の方向を把握していれば、面倒な方位だしをすること無く加工することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】比較例2において加工した結晶の斜視図。
【図2】実施例1において加工した結晶の斜視図。
【図3】比較例1において加工した結晶の斜視図。
Claims (2)
- 希土類珪酸塩単結晶を円柱状に加工する方法において、c軸([001]軸)からの傾きの角度が15〜65°の範囲内の方向を円柱の軸方向にして円筒研削を行うことを特徴とする希土類珪酸塩単結晶の加工方法。
- さらに円柱の軸方向は(100)面に平行である請求項1に記載の希土類珪酸塩単結晶の加工方法。
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JP05967194A JP3892489B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 希土類珪酸塩単結晶の加工方法 |
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JP2006300806A Division JP4518069B2 (ja) | 2006-11-06 | 2006-11-06 | シンチレータ用希土類珪酸塩単結晶 |
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JPH07266201A JPH07266201A (ja) | 1995-10-17 |
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JP (1) | JP3892489B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012171306A1 (zh) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | 安阳市凤凰光伏科技有限公司 | 铸造法生产类似单晶硅锭晶种制作方法 |
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CN1295386C (zh) * | 2003-11-21 | 2007-01-17 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 硅酸钆单晶体的生长方法 |
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1994
- 1994-03-30 JP JP05967194A patent/JP3892489B2/ja not_active Expired - Lifetime
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