JP3882060B2 - 高品質ダイヤモンドの形成方法及びその装置 - Google Patents
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Description
この特徴によれば、前記真空容器内部をプロセス空間とプラズマ生成空間とに分割し、該2つの空間を開口面積が可変可能とされた開口で連通させて該開口の面積を変化させることで、プロセス空間における電子温度を適宜な低温(0.8eV以下)に維持することができ、該プロセス空間にダイヤモンドの形成に有用なラジカル種を選択的に生成させることが可能となって、結果的に高品質のダイヤモンドを安定して製造することができる。
このようにすれば、水素ガスを原料ガス中に含むことで、前記プラズマ生成空間に生成される高温プラズマによって原子状水素が生成され、仮に微量のグラファイト層が形成されても、該原子状水素によって該グラファイト層のみが選択的にエッチングされて除去されるようになるため、より安定して高品質ダイヤモンドを得ることができる。
この特徴によれば、前記真空容器内部をプロセス空間とプラズマ生成空間とに分割し、該2つの空間を開口面積が可変可能とされた開口で連通させて該開口の面積を変化させることで、プロセス空間における電子温度を適宜な低温(0.8eV以下)に維持することができ、該プロセス空間にダイヤモンドの形成に有用なラジカル種を選択的に生成させることが可能となって、結果的に高品質のダイヤモンドを安定して製造することができる。
このようにすれば、水素ガスを原料ガス中に含むことで、前記プラズマ生成空間に生成される高温プラズマによって原子状水素が生成され、仮に微量のグラファイト層が形成されても、該原子状水素によって該グラファイト層のみが選択的にエッチングされて除去されるようになるため、より安定して高品質ダイヤモンドを得ることができる。
このようにすれば、真空容器内部におけるダイヤモンドの形成状況等に応じて、随時原料ガス中の水素ガス濃度を変化させることができる。
このようにすれば、ダイヤモンド生成に有用とされるラジカル種であるCH3ラジカルを、効率良く生成させることができ、ダイヤモンドの形成効率を向上できる。
このようにすれば、前記開口制御手段を簡便に形成することができるばかりか、機構が簡素であるために整備性も向上させることができる。
(実施例)
2 プラズマ装置コントローラ
3 基板温度コントローラ
4 間隙コントローラ
5 電子温度センサ
6 検出器
7 真空装置
8 混合部
11 プラズマ生成装置
12 グリッド電極
13 基板
14 隔壁
15 プラズマ生成空間
16 プロセス空間
17 加熱盤
21 移動装置
22 支持部材
23 間隙
24 開口
25 メタン流量径計
26 メタンタンク
27 供給管
28 水素流量計
29 水素タンク
30 供給管
31 バルブ
32 バルブ
Claims (7)
- 真空容器内部にダイヤモンドを形成する基材並びに原料ガスとを導入するとともに、該容器内部においてプラズマを生成させて前記基材表面に前記原料ガスから生成される高品質ダイヤモンドを形成する高品質ダイヤモンドの形成方法であって、前記真空容器内部を、前記基材を収容するプロセス空間と、プラズマの生成が成されるプラズマ生成空間とに分割するとともに、該2つの空間を開口面積が可変可能とされた開口で連通させ、前記プロセス空間の電子温度を0.8eV以下0.05eV以上の低温に維持することを特徴とする高品質ダイヤモンドの形成方法。
- 前記原料ガス中に少なくとも水素ガスを含む請求項1に記載の高品質ダイヤモンドの形成方法。
- 真空容器と、該真空容器内部を所定レベルの真空とする真空手段と、前記真空容器内部に原料ガスを導入するための原料ガス供給手段と、前記真空容器内部にプラズマを生成させるプラズマ生成手段と、を備え、前記真空容器内部に配置された基材表面に前記原料ガスから生成される高品質ダイヤモンドの形成を行う高品質ダイヤモンドの形成装置であって、前記真空容器内部は、前記基材を収容するプロセス空間とプラズマの生成が成されるプラズマ生成空間とに分割されているとともに、前記プロセス空間内部の電子温度を測定可能な電子温度測定手段を有し、前記2つの空間を連通する連通部を設け、前記電子温度が0.8eV以下0.05eV以上の低温となるように前記連通部の開口面積を制御する開口制御手段を具備することを特徴とする高品質ダイヤモンドの形成装置。
- 前記原料ガス供給手段により供給される原料ガスが、少なくとも水素ガスを含む請求項3記載の高品質ダイヤモンドの形成装置。
- 前記原料ガス中の水素ガス濃度を可変可能に混合する水素ガス混合手段を具備する請求項4に記載の高品質ダイヤモンドの形成装置。
- 前記原料ガスがメタンガスを主成分とする請求項3〜5のいずれかに記載の高品質ダイヤモンドの形成装置。
- 前記開口制御手段が、前記2つの空間を連通する開口と、該開口よりも大径とされて該開口を覆うように配置されるグリッド電極と、該グリッド電極と開口との距離を連続的に変化可能な移動機構により形成されている請求項3〜6のいずれかに記載の高品質ダイヤモンドの形成装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2000/003450 WO2001092611A1 (fr) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | Procede d'elaboration de diamant de haute qualite et dispositif correspondant |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3882060B2 true JP3882060B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=11736083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002500002A Expired - Fee Related JP3882060B2 (ja) | 2000-05-29 | 2000-05-29 | 高品質ダイヤモンドの形成方法及びその装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3882060B2 (ja) |
WO (1) | WO2001092611A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009280875A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Toyo Advanced Technologies Co Ltd | 成膜装置 |
US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US9147581B2 (en) | 2013-07-11 | 2015-09-29 | Lam Research Corporation | Dual chamber plasma etcher with ion accelerator |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06188206A (ja) * | 1992-12-18 | 1994-07-08 | Tdk Corp | プラズマcvd装置 |
JPH08325095A (ja) * | 1995-05-29 | 1996-12-10 | Fujitsu Ltd | ダイヤモンド膜の成長方法および装置 |
JP3041844B2 (ja) * | 1995-08-11 | 2000-05-15 | 住友電気工業株式会社 | 成膜又はエッチング装置 |
-
2000
- 2000-05-29 WO PCT/JP2000/003450 patent/WO2001092611A1/ja active Application Filing
- 2000-05-29 JP JP2002500002A patent/JP3882060B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001092611A1 (fr) | 2001-12-06 |
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