JP3879478B2 - Method for forming resist pattern, patterning method using the resist pattern, and method for manufacturing thin film magnetic head - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist pattern which does not give rise to intermixing at the boundary between an upper layer resist layer and a lower layer resist layer and consequently has a good shape, a method of forming this resist pattern, a patterning method of a thin film by using this resist pattern and a method of manufacturing a thin-film magnetic head. SOLUTION: This method of forming the resist pattern including the lower resist pattern and the upper resist pattern comprises forming the lower resist pattern by an integral NQD novolak resist material, a hydrophobic integral NQD novolak resist material or a resist material essentially consisting of a polyhydroxy styrene base resin. The method of forming the resist pattern including the lower resist pattern, the upper resist pattern and a separator pattern disposed between the lower resist pattern and the upper resist pattern comprises forming the lower resist pattern by a positive resist material, NQD novolak resist material, integral type NQD novolak resist material, hydrophobic integral NQD novolak resist material or resist material essentially consisting of a polyhydroxy styrene base resin.

Description

ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数である。
【００３４】
また、本明細書において、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料とは、感光基がノボラック樹脂に直接結合している疎水性のレジスト組成物であり、具体的には、（Ａ）下記構造式（１）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が１０００〜３００００であるノボラック樹脂の水酸基の水素原子の一部を、１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を下記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した高分子化合物、
【００３５】
【化２】

ただし、式（１）において、ｎは１〜４の整数、ｍは０〜３の整数であり、式（２）、（３）及び（４）において、Ｒは炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、又は炭素数７〜２０のアラルキル基である。
又は、
（Ｂ）ノボラック樹脂の水酸基の水素原子を、水素１原子当たり０．０３〜０．３モルの割合で１，２−ＮＱＤスルホニルエステル基で置換し、かつ、残りの水酸基の一部の水素原子を水素１原子当たり０．０１〜０．８モルの割合で上記一般式（２）、（３）又は（４）で示される官能基のうちの１種又は２種以上の置換基で置換した（Ａ）の高分子化合物を含有するレジスト組成物である。
【００３６】
さらに、本明細書において、ポリヒドロキシスチレン系レジスト材料とは、例えば、下記構造式（５）（式（５）中Ｒ^１〜Ｒ^３は水素原子又はメチル基である。Ｒ^２及びＲ^３は、下記の一般式（６）（式（６）中、Ｒ^４、Ｒ^５はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキル基であり、Ｒ^６は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であるか、又は、Ｒ^４及びＲ^５、Ｒ^４及びＲ^６若しくはＲ^５及びＲ^６は環を形成していてもよい。環を形成する場合、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６はそれぞれ独立して炭素数１〜６の直鎖状若しくは分岐上のアルキレン基を示す）で示される基、又は、−ＣＯ_２Ｃ（ＣＨ_３）_３であってもよい。ｘ、ｙはそれぞれ０以上の整数である。ｚは１以上の整数である）で示され、重量平均分子量が１００００〜２５０００である高分子化合物であるベース樹脂と酸発生剤を含有するレジスト材料を指す。酸発生剤としては、ｐ−トルエンスルホンサントリフェニルスルホニウム等があげられる。
【００３７】
【化３】

【００３８】
【化４】

【００３９】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク１２を介してこの下側レジスト層１１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４０】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に第２のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層１３を形成する。
【００４１】
第２のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００４２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク１４を介してこの上側レジスト層１３（及び下側レジスト層１１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００４３】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン１５が得られる。
【００４４】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜１６をスパッタリング等で成膜する。
【００４５】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン１５を溶解し、被パターニング膜１６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜１６´が得られる。
【００４６】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層１１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層１１及び上側レジスト層１３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００４７】
また、下側レジストパターン１１´及び上側レジストパターン１３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００４８】
さらに、下側レジスト層１１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００４９】
図２は本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００５０】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜２０上に第３のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層２１を形成する。
【００５１】
第３のレジスト材料としては、第１のレジスト材料と同様に、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５２】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に第４のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層２３を形成する。
【００５３】
第４のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００５４】
ただし、第３のレジスト材料は第４のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００５５】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク２２を介して下側レジスト層２１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層２３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層２１のみが感光する。
【００５６】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク２４を介して上側レジスト層２３及び下側レジスト層２１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００５７】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｅ）に示すように下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン２５が得られる。
【００５８】
その後、同図（Ｆ）に示すように、被パターニング膜２６をスパッタリング等で成膜する。
【００５９】
次いで、同図（Ｇ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン２５を溶解し、被パターニング膜２６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜２６´が得られる。
【００６０】
一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料及び疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料は、ＮＱＤがノボラック樹脂に結合しており、ノボラックレジスト材料を構成する分子の平均分子量が一体型ではない場合に比べて大きく、耐溶剤性を有している。また、ポリヒドロキシスチレン系樹脂も耐溶剤性を有している。従って、本実施形態のように、下側レジスト層２１として、これらの材料を用いることによって、下側レジスト層２１及び上側レジスト層２３の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００６１】
また、下側レジストパターン２１´及び上側レジストパターン２３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００６２】
さらに、下側レジスト層２１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００６３】
図３は本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００６４】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜３０上に第５のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層３１を形成する。
【００６５】
第５のレジスト材料としては、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料を用いる。
【００６６】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、下側レジスト層３１の表面をアルカリ性水溶液（例えば現像液）で処理し、未感光のＮＱＤがノボラック樹脂の一部とアゾ結合して形成された樹脂層（アルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料又は疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料のアゾ結合層）によるセパレータ層３７を形成する。
【００６７】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、マスク３２を介して下側レジスト層３１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００６８】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、その上に第６のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層３３を形成する。
【００６９】
第６のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００７０】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク３４を介して上側レジスト層３３（及び下側レジスト層３１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００７１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって、同図（Ｆ）に示すように下側レジストパターン３１´、セパレータパターン３７´及び上側レジストパターン３３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン３５が得られる。
【００７２】
その後、同図（Ｇ）に示すように、被パターニング膜３６をスパッタリング等で成膜する。
【００７３】
次いで、同図（Ｈ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン３５を溶解し、被パターニング膜３６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜３６´が得られる。
【００７４】
本実施形態のように、下側レジスト層３１及び上側レジスト層３３の間にセパレータ層３７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００７５】
また、下側レジストパターン３１´及び上側レジストパターン３３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００７６】
さらに、下側レジスト層３１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００７７】
図４は本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００７８】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜４０上に第７のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層４１を形成する。
【００７９】
第７のレジスト材料としては、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８０】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、マスク４２を介して下側レジスト層４１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８１】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、その上に炭素層若しくはＤＬＣ層、例えばポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン若しくはポリエチレンオキシド等の水溶性樹脂層、例えばミリング変質層等の熱変質層、ニッケル、銅若しくは金等の金属膜、アルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜、又は窒化アルミニウム等の窒化膜によるセパレータ層４７を形成する。
【００８２】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、そのセパレータ層４７の上に第８のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層４３を形成する。
【００８３】
第８のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００８４】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク４４を介して上側レジスト層４３（及び下側レジスト層４１）を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【００８５】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにアッシング、ミリング、ミリング及びアッシング、又は酸によるウエットエッチングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン４３´及びセパレータパターン４７´を得る。
【００８６】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン４１´を得、これによって、下側レジストパターン４１´、セパレータパターン４７´及び上側レジストパターン４３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン４５が得られる。セパレータ層４７が水溶性樹脂の場合には、同図（Ｆ）の現像時におけるアルカリ現像液での現像、水洗によりセパレータ層の一部が溶解するため、同図（Ｆ）の現像時に、同時に、セパレータパターン４７´の一部を溶解させ、第７のレジスト材料の現像も行うことによって、２層レジストパターン４５が得られる。
【００８７】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜４６をスパッタリング等で成膜する。
【００８８】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン４５を溶解し、被パターニング膜４６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜４６´が得られる。
【００８９】
本実施形態のように、下側レジスト層４１及び上側レジスト層４３の間にセパレータ層４７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【００９０】
また、下側レジストパターン４１´及び上側レジストパターン４３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【００９１】
さらに、下側レジスト層４１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【００９２】
図５は本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。このスルーホールとしては、例えば、薄膜磁気ヘッドのリード導体と接続パッドとを電気的に接続するためのスルーホール導体が埋め込まれるスルーホールであるが、その他の薄膜素子、半導体素子又はマイクロデバイスの膜をパターニングする場合であっても良い。
【００９３】
まず、同図（Ａ）に示すように、基板又はその上にスルーホールを形成する膜５０上に第９のレジスト材料を塗布し、プリベークして下側レジスト層５１を形成する。
【００９４】
第９のレジスト材料としては、第７のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９５】
次いで、同図（Ｂ）に示すように、その上に露光光に対して透明な例えばアルミナ若しくは酸化シリコン等の酸化膜によるセパレータ層５７を形成する。
【００９６】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、そのセパレータ層５７の上に第１０のレジスト材料を塗布し、プリベークして上側レジスト層５３を形成する。
【００９７】
第１０のレジスト材料としては、第２のレジスト材料と同様に、ポジ型レジスト材料、ＮＱＤノボラックレジスト材料、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料を用いる。
【００９８】
ただし、第９のレジスト材料は第１０のレジスト材料より高感度のものを用いる。
【００９９】
次いで、同図（Ｄ）に示すように、マスク５２を介して下側レジスト層５１を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。この場合、上側レジスト層５３は低感度のため反応せず、より高感度の下側レジスト層５１のみが感光する。
【０１００】
次いで、同図（Ｅ）に示すように、マスク５４を介して上側レジスト層５３及び下側レジスト層５１の両方を波長が２００〜５００ｎｍの光で露光する。
【０１０１】
次いで、必要に応じて加熱処理した後、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥すること、並びにミリング、又はミリング及びアッシングを行うことによって、同図（Ｆ）に示すように、上側レジストパターン５３´及びセパレータパターン５７´を得る。
【０１０２】
さらに、同図（Ｇ）に示すように、アルカリ性現像液で現像し、水洗、乾燥することによって下側レジストパターン５１´を得、これによって、下側レジストパターン５１´、セパレータパターン５７´及び上側レジストパターン５３´からなるＴ字状の断面形状を有する２層レジストパターン５５が得られる。
【０１０３】
その後、同図（Ｈ）に示すように、被パターニング膜５６をスパッタリング等で成膜する。
【０１０４】
次いで、同図（Ｉ）に示すように、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶剤によって２層レジストパターン５５を溶解し、被パターニング膜５６の不要部分をリフトオフすることによって、所望の形状にパターニングされた薄膜５６´が得られる。
【０１０５】
本実施形態のように、下側レジスト層５１及び上側レジスト層５３の間にセパレータ層５７を設けることにより、両レジスト層の界面でインターミキシングが生じないので良好な形状の２層レジストパターンを得ることができる。
【０１０６】
また、下側レジストパターン５１´及び上側レジストパターン５３´が共に露光によって形成されるので、その断面形状を任意の形状に精度良く制御することができる。
【０１０７】
さらに、下側レジスト層５１にＰＭＧＩを用いていないため、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くすることができ、このレジストパターンを用いてリフトオフ法で、例えばスルーホール等のパターニングを行った場合、かなり厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【０１０８】
【実施例】
以下、実施例及び比較例により、本発明をより具体的に説明する。
【０１０９】
比較例
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１１２】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１１４】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１１５】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１１６】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１１７】
この比較例では、この時点で下側レジスト層と上側レジスト層との界面でインターミキシングが発生し、良好な形状の２層レジストパターンが得られなかった。従って、以降の処理を中止した。プリベーク温度を１５０℃以上とすると、インターミキシングは生じなかったが、（ｄ）の露光時に下側レジスト層が感光せず、（ｇ）の現像時に下側レジスト層が現像されなかった。
【０１１８】
実施例１
セパレータ層がなく、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１１９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１２０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１２１】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２２】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１２３】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１２４】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１２５】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１２６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１２７】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１２８】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１２９】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１３０】
なお、図６はこの実施例の（ｇ）で形成した２層レジストパターンの一例を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影したＳＥＭ写真であり、図７はこの２層レジストパターンに厚さ５．５μｍのアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真であり、図８は２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【０１３１】
実施例２
セパレータ層がなく、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１３４】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１３６】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１３７】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１３８】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１３９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１４０】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１４１】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１４２】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１４３】
実施例３
セパレータ層がなく、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０１４４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１４５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１４６】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１４８】
（ｅ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１４９】
（ｆ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１５０】
（ｇ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１５１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの２層レジストパターンが得られた。この場合、上側レジストパターンの下側レジストパターン側のパターンエッジ部分が若干崩れる傾向にあった。
【０１５２】
（ｈ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１５３】
（ｉ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１５４】
（ｊ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１５５】
実施例４
セパレータ層としてアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１５６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１５７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１５８】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１５９】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１６０】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１６１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１６２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１６３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１６４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１６５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１６６】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１６７】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１６８】
実施例５
セパレータ層としてアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１６９】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１７０】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１７１】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７２】
（ｄ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を下側レジスト層の表面に塗布し、３分間放置後、水洗乾燥した。この処理により、下側レジスト層表面にアルカリ環境下における疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストのアゾ結合層を形成した。
【０１７３】
（ｅ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１７４】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１７５】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｅ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１７６】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１７７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１７８】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１７９】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１８０】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１８１】
実施例６
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１８２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１８３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１８４】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１８６】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０１８７】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１８８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０１８９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１９０】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０１９１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０１９２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０１９３】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０１９４】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０１９５】
実施例７
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０１９６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０１９７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０１９８】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０１９９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２００】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２０１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２０２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２０３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２０４】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２０５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２０６】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２０７】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２０８】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２０９】
実施例８
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２１０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２１１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２１２】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２１４】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２１５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２１６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２１７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２１８】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２１９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２２０】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２２１】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２２２】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２２３】
実施例９
セパレータ層として炭素層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２２４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２２５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２２６】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２２７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２２８】
（ｅ）炭素を蒸着して０．００２μｍの厚さの炭素によるセパレータ層を形成した、
蒸着装置：ＳＡＮＹＵ ＤＥＮＳＨＩ社製 ＳＣ−７０８Ｃ／ＤＣＳ。
【０２２９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２３０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２３１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２３２】
（ｉ）アッシング処理により、炭素によるセパレータ層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２３３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２３４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２３５】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２３６】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２３７】
実施例１０
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２３８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２３９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２４０】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２４２】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２４３】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２４４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２４５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２４６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２４７】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２４８】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２４９】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２５０】
実施例１１
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２５１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２５２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

パワー １０００ＷＡｒ流量 ５０ｓｃｃｍガス圧力 ２．０ｍＴｏｒｒ。
【０２５３】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２５５】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２５６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２５７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２５８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２５９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２６０】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２６１】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２６２】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２６３】
実施例１２
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２６４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２６５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２６６】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２６７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２６８】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２６９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２７０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２７１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２７２】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２７３】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２７４】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２７５】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２７６】
実施例１３
セパレータ層として水溶性樹脂層であるポリビニルアセタール層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０２７７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２７８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２７９】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２８１】
（ｅ）積水化学社のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３の１％水溶液を０．３μｍの厚さにスピンコートし、８０℃で９０秒プリベークしてセパレータ層を形成した。
【０２８２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２８３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２８４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２８５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０２８６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０２８７】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０２８８】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０２８９】
実施例１４
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０２９０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０２９１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０２９２】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２９４】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、

【０２９５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０２９６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０２９７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２９８】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０２９９】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３００】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３０１】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３０２】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３０３】
実施例１５
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３０４】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３０５】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３０６】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３０７】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３０８】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、

【０３０９】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３１０】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３１１】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３１２】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３１３】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３１４】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３１５】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３１６】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３１７】
実施例１６
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３１８】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３１９】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３２０】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２１】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３２２】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、

【０３２３】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３２４】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３２５】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３２６】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３２７】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３２８】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３２９】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３３０】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３３１】
実施例１７
セパレータ層としてミリング変質層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３３２】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３３３】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３３４】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３５】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３３６】
（ｅ）以下の条件でミリングを行い、下側レジスト層の表面にミリング変質層によるセパレータ層を形成した、

【０３３７】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３３８】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３３９】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３４０】
（ｉ）アッシング処理により、ミリング変質層の一部を除去した、

（ｊ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３４２】
（ｋ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３４３】
（ｌ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３４４】
（ｍ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３４５】
実施例１８
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３４８】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３５０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、

【０３５１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３５４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、

【０３５５】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、

（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３５６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３５７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３５８】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３５９】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３６０】
実施例１９
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３６１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３６２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３６３】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３６５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、

【０３６６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３６７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３６８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３６９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、

【０３７０】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、

（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３７１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３７２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３７３】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３７４】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３７５】
実施例２０
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０３７６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３７７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３７８】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３７９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３８０】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、

【０３８１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３８２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３８３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３８４】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、

【０３８５】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、

（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３８６】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０３８７】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０３８８】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０３８９】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０３９０】
実施例２１
セパレータ層としてＮｉによる金属層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０３９１】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０３９２】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０３９３】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９４】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３９５】
（ｅ）以下の条件でスパッタリングし、０．０５μｍの厚さのＮｉを下側レジスト層上に成膜した、

【０３９６】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０３９７】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０３９８】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０３９９】
（ｉ）以下の条件でミリングを行い、Ｎｉによるセパレータ層をエッチングした、

【０４００】
（ｊ）アッシング処理により、ミリング変質層を除去した、

（ｋ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４０１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４０２】
（ｌ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０４０３】
（ｍ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０４０４】
（ｎ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４０５】
実施例１８〜２１の変更態様
セパレータ層として、Ｎｉの代わりに、同じ厚さのアルミナ又は窒化アルミニウムを用いた場合にも、これらの実施例１８〜２１と同様の結果が得られた。
【０４０６】
実施例２２
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４０７】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４０８】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０４０９】
（ｃ）下側レジスト層として、ＮＱＤノボラックレジストであるクラリアントジャパン社のＡＺＰ４６２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１０】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４１１】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４１２】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４１３】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４１４】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４１５】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４１６】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０４１７】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０４１８】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４１９】
実施例２３
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４２０】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４２１】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０４２２】
（ｃ）下側レジスト層として、一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９７４０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２３】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４２４】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４２５】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４２６】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４２７】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４２８】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４２９】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０４３０】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０４３１】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４３２】
実施例２４
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層として疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストを用いた場合である。
【０４３３】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４３４】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０４３５】
（ｃ）下側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３６】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４３７】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４３８】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４３９】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４４０】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４４１】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４４２】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０４４３】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０４４４】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４４５】
実施例２５
セパレータ層としてシリル化層を用い、下側レジスト層としてポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストを用いた場合である。
【０４４６】
（ａ）基板としてＳｉを用意した。
【０４４７】
（ｂ）被ミリング膜として、０．５μｍの厚さのＮｉＦｅを基板上に以下の条件でスパッタリングした、

【０４４８】
（ｃ）下側レジスト層として、ポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジストである信越化学工業株式会社のＳＥＰＲ−ＩＸ０２０を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４４９】
（ｄ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝２４８ｎｍ
マスク：ダーク部が１０μｍ幅のラインパターン
ドーズ：２５０ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４５０】
（ｅ）以上の処理を終えた基板と、東京応化社 ＯＡＰ（成分：ＨＭＤＳ（Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌ ｄｉｓｉｌａｚａｎ））の入った時計皿とを２３℃のステンレス製密閉容器に入れ、下側レジスト層の表面が気化したＨＭＤＳに触れるような状態で１時間保持し、下側レジスト層の表面にシリル化層を形成した、
シリル化剤としては、ＨＭＤＳの他に、ＴＭＤＳ（１，１，３，３−Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）、ＤＭＳＤＭＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＤＭＳＤＥＡ（Ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＭＳＤＥＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｙｌｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＭＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、Ｂ［ＤＭＡ］ＤＳ（Ｂｉｓ（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）、又はＨＭＣＴＳ（１，１，３，３，５，５−Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｃｙｃｒｏｔｒｉｓｉｌａｚａｎｅ）等を用いても良い。また、保持温度を１５〜１３０℃としても良い。さらに、保持圧力を加圧又は減圧しても良い。
【０４５１】
（ｆ）上側レジスト層として、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジストである信越化学工業株式会社のＳＩＰＲ−９２８１を６μｍの厚さにスピンコートし、１１０℃で１８０秒プリベークした。
【０４５２】
（ｇ）以下の条件で露光した、
露光装置：Ｎｉｋｏｎ ＮＳＲ−ＴＦＨｉ１２ ＮＡ＝０．４、σ＝０．４、λ＝３６５ｎｍ
マスク：ダーク部が３０μｍ幅のラインパターン（（ｄ）のダーク部と幅方向で中心が一致）
ドーズ：６００ｍＪ／ｃｍ^２
フォーカス：０μｍ。
【０４５３】
（ｈ）アルカリ性水溶液（現像液）である２．３８％−ＴＭＡＨａｑ．を用い、パドル法で５０秒×５回現像し、水洗乾燥した。
【０４５４】
これにより、上側レジストパターンの幅：３０μｍ、下側レジストパターンの幅：１０μｍ、アンダーカットの幅：１０μｍ、アンダーカットの高さ：６μｍの良好な形状の２層レジストパターンが得られた。
【０４５５】
（ｉ）この２層レジストパターンをマスクとして、以下の条件でミリングを行い、被ミリング膜であるＮｉＦｅをエッチングした、

【０４５６】
（ｊ）２層レジストパターンをマスクとして、１μｍの厚さのＡｕを以下の条件でスパッタリングした、

【０４５７】
（ｋ）アセトン中で揺動、浸漬することにより、リフトオフし、ＮｉＦｅ及びＡｕのバリのない連続パターン膜が得られた。
【０４５８】
以上述べた実施形態及び実施例は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０４５９】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、下側レジストパターンと上側レジストパターンとを含むレジストパターンの形成方法は、下側レジストパターンを、一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、疎水性一体型ＮＱＤノボラックレジスト材料、又はポリヒドロキシスチレン系樹脂を主成分とするレジスト材料によって形成するしている。下側レジストパターンにこのような材料を用いることにより、その膜厚を例えば１０μｍ程度まで厚くできると共に、この材料が耐溶剤性を有することから上側レジストパターンとの界面でインターミキシングが生じないので良好な形状のレジストパターンを得ることができる。従って、比較的厚い膜を良好な形状にパターニングすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図２】本発明の第２の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図３】本発明の第３の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図４】本発明の第４の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図５】本発明の第５の実施形態として、リフトオフ法によりスルーホールがパターニングされた薄膜を形成する方法を説明する工程図である。
【図６】本発明の実施例で形成した２層レジストパターンの一例のＳＥＭ写真である。
【図７】図６の２層レジストパターンにアルミナをスパッタリングした状態を示すＳＥＭ写真である。
【図８】図７の２層レジストパターン及びその上のアルミナをリフトオフした状態を示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
１０、２０、３０、４０、５０ 基板
１１、２１、３１、４１、５１ 下側レジスト層
１１´、２１´、３１´、４１´、５１´ 下側レジストパターン
１２、１４、２２、２４、３２、３４、４２、４４、５２、５４ マスク
１３、２３、３３、４３、５３ 上側レジスト層
１３´、２３´、３３´、４３´、５３´ 上側レジストパターン
１５、２５、３５、４５、５５ ２層レジストパターン
１６、２６、３６、４６、５６ 被パターニング膜
１６´、２６´、３６´、４６´、５６´ パターニングされた薄膜
３７、４７、５７ セパレータ層
３７´、４７´、５７´ セパレータパターン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resist pattern, a resist pattern forming method, a patterning method using the resist pattern, and a thin film magnetic head manufacturing method.
[0002]
[Prior art]
When manufacturing a thin film element such as a thin film magnetic head, a semiconductor element, or a microdevice, patterning processing such as milling (dry etching) processing, lift-off processing, or processing combining these is performed a plurality of times. These patterning processes start by forming a photoresist pattern as a mask.
[0003]
There are various types of photoresist patterns, but in recent years, a two-layer resist pattern having a cross-sectional shape of an inverted trapezoid or a T-shape has attracted attention.
[0004]
Japanese Examined Patent Publication No. 7-6058 discloses a method using a polymethylglutarimide (PMGI) layer as a lower layer as an example of a method for forming a two-layer resist pattern that is patterned using solubility in a lower layer developer. ing.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, since PMGI cannot be made with a high viscosity, a thick resist pattern cannot be formed. That is, when a two-layer resist pattern is formed with the PMGI layer as a lower layer, the thickness is less than 3 μm at the maximum. Therefore, when a thin film is formed by the lift-off method using this two-layer resist pattern as a mask, it is impossible to form a thin film having a large film thickness.
[0006]
Further, since the lower layer patterning is performed using the dissolution rate of the resin in the upper layer resist developer, it is very difficult to accurately control the cross-sectional shape of the two-layer resist pattern.
[0007]
Furthermore, when a novolac resin or naphthoquinone diazide (hereinafter referred to as NQD) novolac resist material is used for the lower layer, intermixing occurs at the interface with the lower layer when the upper layer resist is applied, resulting in a resist pattern with a good shape. Couldn't get. If the lower layer is heat-treated until no intermixing occurs, the lower layer's photosensitivity is lost, and a two-layer resist pattern having a T-shaped cross section cannot be obtained.
[0008]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a resist pattern having a larger film thickness, a method for forming such a resist pattern, a method for patterning a thin film using the resist pattern, and a method for manufacturing a thin film magnetic head. It is in.
[0009]
Another object of the present invention is to provide a resist pattern having a highly accurate cross-sectional shape, a resist pattern forming method capable of controlling the cross-sectional shape with high accuracy, a thin film patterning method using this resist pattern, and a thin film magnetic head manufacturing method. It is to provide.
[0010]
Still another object of the present invention is to provide a resist pattern having a good shape without intermixing at the interface between the upper resist layer and the lower resist layer, a method for forming the resist pattern, and a thin film using the resist pattern. An object of the present invention is to provide a patterning method and a method of manufacturing a thin film magnetic head.
[0016]
  According to the present invention, there is provided a method for forming a resist pattern including a lower resist pattern and an upper resist pattern,After laminating a lower resist layer made of an integral NQD novolac resist material, a hydrophobic integral NQD novolac resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin on the substrate, the lower resist layer is After exposing to a predetermined pattern and laminating an upper resist layer on the exposed lower resist layer, the upper resist layer is exposed to a predetermined pattern and then developed, whereby the lower resist pattern and the upper resist pattern TheMethod for forming resist pattern to be formed, thin film patterning method for removing resist pattern after forming thin film by lift-off method using resist pattern formed by this method, and thin film magnetic for forming thin film pattern by this patterning method A method for manufacturing a head is provided.
[0017]
  Furthermore, according to the present invention, there is provided a method of forming a resist pattern including a lower resist pattern and an upper resist pattern, wherein an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or polyhydroxy is formed on a substrate. After laminating a lower resist layer made of a resist material mainly composed of a styrene-based resin and an upper resist layer having a lower sensitivity than the lower resist layer, the lower resist layer and the upper resist layer are formed in two different predetermined patterns. A resist pattern forming method for forming a lower resist pattern and an upper resist pattern by performing stepwise exposure and then developing, forming a thin film by a lift-off method using the resist pattern formed by this method, and then removing the resist pattern Thin film patterning method and pattern The training process, the method of manufacturing the thin film magnetic head for forming a thin film pattern is provided.
[0018]
  By using such a material for the lower resist pattern, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm, and since this material has solvent resistance, no intermixing occurs at the interface with the upper resist pattern. A resist pattern having a simple shape can be obtained. Therefore, it becomes possible to pattern a relatively thick film into a good shape. further,By forming the lower resist pattern and the upper resist pattern by exposure, the cross-sectional shape of the resist pattern can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0029]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a process diagram illustrating a method of forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a first embodiment of the present invention. The through hole is, for example, a through hole in which a through hole conductor for electrically connecting a lead conductor of a thin film magnetic head and a connection pad is embedded, but other thin film elements, semiconductor elements, or films of microdevices. It may be a case of patterning.
[0030]
First, as shown in FIG. 2A, a first resist material is applied on a substrate or a film 10 on which a through hole is to be formed, and prebaked to form a lower resist layer 11.
[0031]
As the first resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin is used.
[0032]
In the present specification, the integrated NQD novolac resist material is a resist composition in which a photosensitive group is directly bonded to a novolac resin, and specifically, one or more represented by the following structural formula (1) The hydrogen atom of the hydroxyl group of the novolak resin having a polystyrene equivalent weight average molecular weight of 1,000 to 10,000 is substituted with 0.03 to 0.27 mol of 1,2-NQD sulfonyl group per hydrogen atom. And a novolak resin obtained as an alkali-soluble resin and a photosensitizer.
[0033]
[Chemical 1]

However, in Formula (1), n is an integer of 1-4 and m is an integer of 0-3.
[0034]
In this specification, the hydrophobic integrated NQD novolak resist material is a hydrophobic resist composition in which a photosensitive group is directly bonded to a novolac resin. Specifically, (A) the following structural formula ( 1) The hydrogen atom of the hydroxyl group of the novolak resin having a repeating unit represented by 1) having a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 1000 to 30000 is substituted with a 1,2-NQD sulfonyl ester group, and the remaining A polymer compound obtained by substituting one or more substituents among functional groups represented by the following general formula (2), (3), or (4) with a partial hydrogen atom of a hydroxyl group;
[0035]
[Chemical formula 2]

However, in Formula (1), n is an integer of 1-4, m is an integer of 0-3, and in Formula (2), (3) and (4), R is a C1-C30 straight chain. A branched, cyclic or cyclic alkyl group, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms.
Or
(B) A hydrogen atom of a hydroxyl group of a novolak resin is substituted with a 1,2-NQD sulfonyl ester group at a ratio of 0.03 to 0.3 mol per hydrogen atom, and a part of hydrogen atoms of the remaining hydroxyl group Was substituted with one or more substituents among the functional groups represented by the general formula (2), (3) or (4) at a ratio of 0.01 to 0.8 mol per hydrogen atom. It is a resist composition containing the polymer compound of (A).
[0036]
Furthermore, in this specification, the polyhydroxystyrene-based resist material means, for example, the following structural formula (5) (R in formula (5)¹~ R³Is a hydrogen atom or a methyl group. R²And R³Is represented by the following general formula (6) (in formula (6), R⁴, R⁵Are each independently a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms;⁶Is a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or R⁴And R⁵, R⁴And R⁶Or R⁵And R⁶May form a ring. When forming a ring, R⁴, R⁵, R⁶Each independently represents a linear or branched alkylene group having 1 to 6 carbon atoms, or —CO₂C (CH₃)₃It may be. x and y are each an integer of 0 or more. z is an integer of 1 or more), and indicates a resist material containing a base resin which is a polymer compound having a weight average molecular weight of 10,000 to 25,000 and an acid generator. Examples of the acid generator include p-toluenesulfone santriphenylsulfonium and the like.
[0037]
[Chemical Formula 3]

[0038]
[Formula 4]

[0039]
Next, as shown in FIG. 2B, the lower resist layer 11 is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 12.
[0040]
Next, as shown in FIG. 3C, a second resist material is applied thereon and prebaked to form the upper resist layer 13.
[0041]
As the second resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin is used.
[0042]
Next, as shown in FIG. 4D, the upper resist layer 13 (and the lower resist layer 11) is exposed to light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 14.
[0043]
Next, after performing heat treatment as necessary, it is developed with an alkaline developer, washed with water, and dried to form a T-shape comprising a lower resist pattern 11 'and an upper resist pattern 13' as shown in FIG. A two-layer resist pattern 15 having a cross-sectional shape is obtained.
[0044]
Thereafter, as shown in FIG. 5F, a patterning film 16 is formed by sputtering or the like.
[0045]
Next, as shown in FIG. 4G, the two-layer resist pattern 15 is dissolved with an organic solvent such as acetone or NMP, and an unnecessary portion of the patterning film 16 is lifted off, whereby the thin film patterned into a desired shape. 16 'is obtained.
[0046]
The integrated NQD novolac resist material and the hydrophobic integrated NQD novolac resist material are larger in the average molecular weight of the molecules constituting the novolak resist material than the case where the NQD is bonded to the novolac resin, and are resistant to solvents. It has sex. Polyhydroxystyrene resins also have solvent resistance. Accordingly, by using these materials as the lower resist layer 11 as in the present embodiment, intermixing does not occur at the interface between the lower resist layer 11 and the upper resist layer 13, and thus a two-layer resist having a good shape. A pattern can be obtained.
[0047]
Further, since both the lower resist pattern 11 ′ and the upper resist pattern 13 ′ are formed by exposure, the cross-sectional shape can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0048]
Further, since PMGI is not used for the lower resist layer 11, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm. When patterning, for example, a through hole is performed by a lift-off method using this resist pattern, It becomes possible to pattern a considerably thick film into a good shape.
[0049]
FIG. 2 is a process diagram for explaining a method of forming a thin film in which through holes are patterned by a lift-off method as a second embodiment of the present invention. The through hole is, for example, a through hole in which a through hole conductor for electrically connecting a lead conductor of a thin film magnetic head and a connection pad is embedded, but other thin film elements, semiconductor elements, or films of microdevices. It may be a case of patterning.
[0050]
First, as shown in FIG. 2A, a third resist material is applied on a substrate or a film 20 for forming a through hole on the substrate, and prebaked to form a lower resist layer 21.
[0051]
As the third resist material, an integrated NQD novolak resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin is used as in the first resist material.
[0052]
Next, as shown in FIG. 4B, a fourth resist material is applied thereon and prebaked to form the upper resist layer 23.
[0053]
As the fourth resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a polyhydroxystyrene resin is used as in the second resist material. A resist material having a main component is used.
[0054]
However, the third resist material is higher in sensitivity than the fourth resist material.
[0055]
Next, as shown in FIG. 3C, the lower resist layer 21 is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 22. In this case, the upper resist layer 23 does not react due to low sensitivity, and only the lower resist layer 21 with higher sensitivity is exposed.
[0056]
Next, as shown in FIG. 4D, both the upper resist layer 23 and the lower resist layer 21 are exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 24.
[0057]
Next, after performing heat treatment as necessary, it is developed with an alkaline developer, washed with water, and dried to form a T-shape comprising a lower resist pattern 21 'and an upper resist pattern 23' as shown in FIG. A two-layer resist pattern 25 having a cross-sectional shape is obtained.
[0058]
Thereafter, as shown in FIG. 2F, a patterning film 26 is formed by sputtering or the like.
[0059]
Next, as shown in FIG. 4G, the two-layer resist pattern 25 is dissolved with an organic solvent such as acetone or NMP, and an unnecessary portion of the patterning film 26 is lifted off, thereby being patterned into a desired shape. 26 'is obtained.
[0060]
The integrated NQD novolac resist material and the hydrophobic integrated NQD novolac resist material are larger in the average molecular weight of the molecules constituting the novolak resist material than the case where the NQD is bonded to the novolac resin, and are resistant to solvents. It has sex. Polyhydroxystyrene resins also have solvent resistance. Accordingly, by using these materials as the lower resist layer 21 as in the present embodiment, intermixing does not occur at the interface between the lower resist layer 21 and the upper resist layer 23, and thus a two-layer resist having a good shape. A pattern can be obtained.
[0061]
In addition, since the lower resist pattern 21 ′ and the upper resist pattern 23 ′ are both formed by exposure, the cross-sectional shape thereof can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0062]
Further, since PMGI is not used for the lower resist layer 21, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm. When patterning, for example, a through hole is performed by a lift-off method using this resist pattern, It becomes possible to pattern a considerably thick film into a good shape.
[0063]
FIG. 3 is a process diagram illustrating a method of forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a third embodiment of the present invention. The through hole is, for example, a through hole in which a through hole conductor for electrically connecting a lead conductor of a thin film magnetic head and a connection pad is embedded, but other thin film elements, semiconductor elements, or films of microdevices. It may be a case of patterning.
[0064]
First, as shown in FIG. 5A, a fifth resist material is applied on the substrate or a film 30 on which a through hole is to be formed, and prebaked to form a lower resist layer 31.
[0065]
As the fifth resist material, an integrated NQD novolac resist material or a hydrophobic integrated NQD novolac resist material is used.
[0066]
Next, as shown in FIG. 4B, the surface of the lower resist layer 31 is treated with an alkaline aqueous solution (for example, a developer), and unexposed NQD is azo-bonded with a part of the novolak resin. A separator layer 37 is formed by a layer (an azo bond layer of an integrated NQD novolac resist material or a hydrophobic integrated NQD novolac resist material in an alkaline environment).
[0067]
Next, as shown in FIG. 3C, the lower resist layer 31 is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 32.
[0068]
Next, as shown in FIG. 4D, a sixth resist material is applied thereon and prebaked to form the upper resist layer 33.
[0069]
As the sixth resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a polyhydroxystyrene resin is used as in the second resist material. A resist material having a main component is used.
[0070]
Next, as shown in FIG. 5E, the upper resist layer 33 (and the lower resist layer 31) is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask.
[0071]
Next, after heat treatment as necessary, the resist is developed with an alkaline developer, washed with water, and dried, so that the lower resist pattern 31 ′, the separator pattern 37 ′, and the upper resist pattern 33 are shown in FIG. A two-layer resist pattern 35 having a T-shaped cross-section consisting of ′ is obtained.
[0072]
Thereafter, as shown in FIG. 5G, a patterning film 36 is formed by sputtering or the like.
[0073]
Next, as shown in FIG. 5H, the two-layer resist pattern 35 is dissolved with an organic solvent such as acetone or NMP, and an unnecessary portion of the film to be patterned 36 is lifted off to form a thin film patterned into a desired shape. 36 'is obtained.
[0074]
By providing the separator layer 37 between the lower resist layer 31 and the upper resist layer 33 as in the present embodiment, intermixing does not occur at the interface between the two resist layers, so that a two-layer resist pattern having a good shape is obtained. be able to.
[0075]
In addition, since both the lower resist pattern 31 ′ and the upper resist pattern 33 ′ are formed by exposure, the cross-sectional shape thereof can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0076]
Further, since PMGI is not used for the lower resist layer 31, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm. When patterning, for example, a through hole is performed by a lift-off method using this resist pattern, It becomes possible to pattern a considerably thick film into a good shape.
[0077]
FIG. 4 is a process diagram for explaining a method of forming a thin film in which through holes are patterned by a lift-off method, as a fourth embodiment of the present invention. The through hole is, for example, a through hole in which a through hole conductor for electrically connecting a lead conductor of a thin film magnetic head and a connection pad is embedded, but other thin film elements, semiconductor elements, or films of microdevices. It may be a case of patterning.
[0078]
First, as shown in FIG. 6A, a seventh resist material is applied on a substrate or a film 40 for forming a through hole on the substrate, and prebaked to form a lower resist layer 41.
[0079]
As the seventh resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin is used.
[0080]
Next, as shown in FIG. 2B, the lower resist layer 41 is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 42.
[0081]
Next, as shown in FIG. 4C, a carbon layer or DLC layer, for example, a water-soluble resin layer such as polyacrylic acid, polyvinyl acetal, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl alcohol, polyethyleneimine or polyethylene oxide, for example, milling alteration A separator layer 47 is formed of a thermally altered layer such as a layer, a metal film such as nickel, copper or gold, an oxide film such as alumina or silicon oxide, or a nitride film such as aluminum nitride.
[0082]
Next, as shown in FIG. 4D, an eighth resist material is applied on the separator layer 47 and prebaked to form the upper resist layer 43.
[0083]
As the eighth resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a polyhydroxystyrene-based resin is used as in the second resist material. A resist material having a main component is used.
[0084]
Next, as shown in FIG. 5E, the upper resist layer 43 (and the lower resist layer 41) is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 44.
[0085]
Next, after heat treatment as necessary, development with an alkaline developer, washing with water, drying, and ashing, milling, milling and ashing, or wet etching with acid are performed, as shown in FIG. Thus, the upper resist pattern 43 ′ and the separator pattern 47 ′ are obtained.
[0086]
Furthermore, as shown in FIG. 5G, development is performed with an alkaline developer, washing with water and drying to obtain a lower resist pattern 41 ′, whereby the lower resist pattern 41 ′, the separator pattern 47 ′ and the upper side are obtained. A two-layer resist pattern 45 having a T-shaped cross-sectional shape made of the resist pattern 43 'is obtained. When the separator layer 47 is a water-soluble resin, part of the separator layer is dissolved by development with an alkaline developer and washing with water during the development shown in FIG. The two-layer resist pattern 45 is obtained by dissolving a part of the separator pattern 47 ′ and developing the seventh resist material.
[0087]
Thereafter, as shown in FIG. 5H, a film to be patterned 46 is formed by sputtering or the like.
[0088]
Next, as shown in FIG. 1I, a thin film patterned into a desired shape by dissolving off the two-layer resist pattern 45 with an organic solvent such as acetone or NMP and lifting off an unnecessary portion of the patterning film 46. 46 'is obtained.
[0089]
By providing the separator layer 47 between the lower resist layer 41 and the upper resist layer 43 as in the present embodiment, intermixing does not occur at the interface between the two resist layers, so that a two-layer resist pattern having a good shape is obtained. be able to.
[0090]
In addition, since the lower resist pattern 41 ′ and the upper resist pattern 43 ′ are both formed by exposure, the cross-sectional shape thereof can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0091]
Further, since PMGI is not used for the lower resist layer 41, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm. When patterning, for example, a through hole is performed by a lift-off method using this resist pattern, It becomes possible to pattern a considerably thick film into a good shape.
[0092]
FIG. 5 is a process diagram illustrating a method of forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a fifth embodiment of the present invention. The through hole is, for example, a through hole in which a through hole conductor for electrically connecting a lead conductor of a thin film magnetic head and a connection pad is embedded, but other thin film elements, semiconductor elements, or films of microdevices. It may be a case of patterning.
[0093]
First, as shown in FIG. 6A, a ninth resist material is applied on the substrate or a film 50 for forming a through hole on the substrate, and pre-baked to form a lower resist layer 51.
[0094]
As with the seventh resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a polyhydroxystyrene resin is used as the ninth resist material. A resist material having a main component is used.
[0095]
Next, as shown in FIG. 2B, a separator layer 57 made of an oxide film such as alumina or silicon oxide that is transparent to the exposure light is formed thereon.
[0096]
Next, as shown in FIG. 4C, a tenth resist material is applied on the separator layer 57 and prebaked to form the upper resist layer 53.
[0097]
As the second resist material, a positive resist material, an NQD novolac resist material, an integrated NQD novolac resist material, a hydrophobic integrated NQD novolac resist material, or a polyhydroxystyrene resin is used as the second resist material. A resist material having a main component is used.
[0098]
However, the ninth resist material is more sensitive than the tenth resist material.
[0099]
Next, as shown in FIG. 3D, the lower resist layer 51 is exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 52. In this case, the upper resist layer 53 does not react due to low sensitivity, and only the lower resist layer 51 with higher sensitivity is exposed.
[0100]
Next, as shown in FIG. 5E, both the upper resist layer 53 and the lower resist layer 51 are exposed with light having a wavelength of 200 to 500 nm through a mask 54.
[0101]
Next, after performing heat treatment as necessary, the upper resist pattern 53 is developed with an alkaline developer, washed with water, dried, and milled or milled and ashed, as shown in FIG. 'And a separator pattern 57' are obtained.
[0102]
Further, as shown in FIG. 5G, the lower resist pattern 51 ′ is obtained by developing with an alkaline developer, washing with water and drying, whereby the lower resist pattern 51 ′, the separator pattern 57 ′ and the upper side are obtained. A two-layer resist pattern 55 having a T-shaped cross-section composed of the resist pattern 53 'is obtained.
[0103]
Thereafter, as shown in FIG. 5H, a film to be patterned 56 is formed by sputtering or the like.
[0104]
Next, as shown in FIG. 1I, a thin film patterned into a desired shape by dissolving the two-layer resist pattern 55 with an organic solvent such as acetone or NMP and lifting off an unnecessary portion of the patterning film 56. 56 'is obtained.
[0105]
By providing the separator layer 57 between the lower resist layer 51 and the upper resist layer 53 as in the present embodiment, intermixing does not occur at the interface between the two resist layers, so that a two-layer resist pattern having a good shape is obtained. be able to.
[0106]
In addition, since the lower resist pattern 51 ′ and the upper resist pattern 53 ′ are both formed by exposure, the cross-sectional shape thereof can be accurately controlled to an arbitrary shape.
[0107]
Further, since PMGI is not used for the lower resist layer 51, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm. When patterning, for example, a through hole is performed by a lift-off method using this resist pattern, It becomes possible to pattern a considerably thick film into a good shape.
[0108]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to Examples and Comparative Examples.
[0109]
Comparative example
This is a case where there is no separator layer and NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0110]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0111]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0112]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0113]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0114]
(E) As an upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0115]
(F) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0116]
(G) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0117]
In this comparative example, intermixing occurred at the interface between the lower resist layer and the upper resist layer at this time, and a two-layer resist pattern having a good shape could not be obtained. Therefore, the subsequent processing was stopped. When the prebaking temperature was 150 ° C. or higher, no intermixing occurred, but the lower resist layer was not exposed during the exposure of (d), and the lower resist layer was not developed during the development of (g).
[0118]
Example 1
This is a case where there is no separator layer and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0119]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0120]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0121]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0122]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0123]
(E) As an upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0124]
(F) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0125]
(G) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0126]
As a result, a two-layer resist pattern having an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained. In this case, the pattern edge portion on the lower resist pattern side of the upper resist pattern tends to be slightly collapsed.
[0127]
(H) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0128]
(I) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0129]
(J) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0130]
6 is an SEM photograph taken with a scanning electron microscope (SEM) of an example of the two-layer resist pattern formed in (g) of this example, and FIG. 7 is a thickness of 5.5 μm on the two-layer resist pattern. FIG. 8 is a SEM photograph showing a state in which the two-layer resist pattern and the alumina thereon are lifted off.
[0131]
Example 2
This is a case where there is no separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0132]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0133]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0134]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0135]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0136]
(E) As an upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0137]
(F) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0138]
(G) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0139]
As a result, a two-layer resist pattern having an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained. In this case, the pattern edge portion on the lower resist pattern side of the upper resist pattern tends to be slightly collapsed.
[0140]
(H) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0141]
(I) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0142]
(J) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0143]
Example 3
This is a case where there is no separator layer and a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0144]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0145]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0146]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0147]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0148]
(E) As an upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0149]
(F) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0150]
(G) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0151]
As a result, a two-layer resist pattern having an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained. In this case, the pattern edge portion on the lower resist pattern side of the upper resist pattern tends to be slightly collapsed.
[0152]
(H) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0153]
(I) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0154]
(J) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0155]
Example 4
This is a case where an azo bond layer of an integrated NQD novolac resist in an alkaline environment is used as the separator layer, and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0156]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0157]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0158]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0159]
(D) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was applied to the surface of the lower resist layer, allowed to stand for 3 minutes, washed with water and dried. By this treatment, an azo bond layer of an integrated NQD novolak resist in an alkaline environment was formed on the lower resist layer surface.
[0160]
(E) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0161]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0162]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (e) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0163]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0164]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0165]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0166]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0167]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0168]
Example 5
This is a case where an azo bond layer of a hydrophobic integrated NQD novolac resist in an alkaline environment is used as the separator layer, and a hydrophobic integrated NQD novolak resist is used as the lower resist layer.
[0169]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0170]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0171]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0172]
(D) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was applied to the surface of the lower resist layer, allowed to stand for 3 minutes, washed with water and dried. By this treatment, an azo bond layer of a hydrophobic integrated NQD novolak resist in an alkaline environment was formed on the surface of the lower resist layer.
[0173]
(E) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0174]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0175]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (e) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0176]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0177]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0178]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0179]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0180]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0181]
Example 6
This is a case where a carbon layer is used as the separator layer and an NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0182]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0183]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0184]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0185]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0186]
(E) A carbon separator was formed by vapor deposition of carbon having a thickness of 0.002 μm.
Vapor deposition apparatus: SC-708C / DCS manufactured by SANYU DENSH.
[0187]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0188]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0189]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0190]
(I) A part of the carbon separator layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0191]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0192]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0193]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0194]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0195]
Example 7
This is a case where a carbon layer is used as the separator layer and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0196]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0197]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0198]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0199]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0200]
(E) A carbon separator was formed by vapor deposition of carbon having a thickness of 0.002 μm.
Vapor deposition apparatus: SC-708C / DCS manufactured by SANYU DENSH.
[0201]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0202]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0203]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0204]
(I) A part of the carbon separator layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0205]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0206]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0207]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0208]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0209]
Example 8
This is a case where a carbon layer is used as the separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0210]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0211]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0212]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0213]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0214]
(E) A carbon separator was formed by vapor deposition of carbon having a thickness of 0.002 μm.
Vapor deposition apparatus: SC-708C / DCS manufactured by SANYU DENSH.
[0215]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0216]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0217]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0218]
(I) A part of the carbon separator layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0219]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0220]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0221]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0222]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0223]
Example 9
This is a case where a carbon layer is used as the separator layer and a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0224]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0225]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0226]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0227]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0228]
(E) A carbon separator was formed by vapor deposition of carbon having a thickness of 0.002 μm.
Vapor deposition apparatus: SC-708C / DCS manufactured by SANYU DENSH.
[0229]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0230]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0231]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0232]
(I) A part of the carbon separator layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0233]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0234]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0235]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0236]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0237]
Example 10
This is a case where a polyvinyl acetal layer which is a water-soluble resin layer is used as a separator layer and an NQD novolac resist is used as a lower resist layer.
[0238]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0239]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0240]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0241]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0242]
(E) A 1% aqueous solution of polyvinyl acetal resin ESREC KW3 from Sekisui Chemical Co., Ltd. was spin-coated to a thickness of 0.3 μm and pre-baked at 80 ° C. for 90 seconds to form a separator layer.
[0243]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0244]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0245]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0246]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0247]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0248]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0249]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0250]
Example 11
This is a case where a polyvinyl acetal layer, which is a water-soluble resin layer, is used as the separator layer, and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0251]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0252]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

Power 1000 WAr flow rate 50 sccm gas pressure 2.0 mTorr.
[0253]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0254]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0255]
(E) A 1% aqueous solution of polyvinyl acetal resin ESREC KW3 from Sekisui Chemical Co., Ltd. was spin-coated to a thickness of 0.3 μm and pre-baked at 80 ° C. for 90 seconds to form a separator layer.
[0256]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0257]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0258]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0259]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0260]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0261]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0262]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0263]
Example 12
This is a case where a polyvinyl acetal layer which is a water-soluble resin layer is used as the separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0264]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0265]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0266]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0267]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0268]
(E) A 1% aqueous solution of polyvinyl acetal resin ESREC KW3 from Sekisui Chemical Co., Ltd. was spin-coated to a thickness of 0.3 μm and pre-baked at 80 ° C. for 90 seconds to form a separator layer.
[0269]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0270]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0271]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0272]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0273]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0274]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0275]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0276]
Example 13
This is a case where a polyvinyl acetal layer, which is a water-soluble resin layer, is used as the separator layer, and a resist mainly composed of a polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0277]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0278]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0279]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0280]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0281]
(E) A 1% aqueous solution of polyvinyl acetal resin ESREC KW3 from Sekisui Chemical Co., Ltd. was spin-coated to a thickness of 0.3 μm and pre-baked at 80 ° C. for 90 seconds to form a separator layer.
[0282]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0283]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0284]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0285]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0286]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0287]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0288]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0289]
Example 14
This is a case where a milling deteriorated layer is used as the separator layer and an NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0290]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0291]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0292]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0293]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0294]
(E) Milling was performed under the following conditions, and a separator layer was formed by a milling altered layer on the surface of the lower resist layer.

[0295]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0296]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0297]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0298]
(I) A part of the milling deteriorated layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0299]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0300]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0301]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0302]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0303]
Example 15
This is a case where a milling deteriorated layer is used as the separator layer and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0304]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0305]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0306]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0307]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0308]
(E) Milling was performed under the following conditions, and a separator layer was formed by a milling altered layer on the surface of the lower resist layer.

[0309]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0310]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0311]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0312]
(I) A part of the milling deteriorated layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0313]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0314]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0315]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0316]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0317]
Example 16
This is a case where a milling deteriorated layer is used as the separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0318]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0319]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0320]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0321]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0322]
(E) Milling was performed under the following conditions, and a separator layer was formed by a milling altered layer on the surface of the lower resist layer.

[0323]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0324]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0325]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0326]
(I) A part of the milling deteriorated layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0327]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0328]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0329]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0330]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0331]
Example 17
This is a case where a milling deteriorated layer is used as the separator layer and a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0332]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0333]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0334]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0335]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0336]
(E) Milling was performed under the following conditions, and a separator layer was formed by a milling altered layer on the surface of the lower resist layer.

[0337]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0338]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0339]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0340]
(I) A part of the milling deteriorated layer was removed by ashing treatment.

(J) Alkaline aqueous solution (developer) 2.38% -TMAHaq. Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0341]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0342]
(K) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0343]
(L) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0344]
(M) A continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained by swinging off and immersing in acetone.
[0345]
Example 18
This is a case where a metal layer made of Ni is used as the separator layer and an NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0346]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0347]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0348]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0349]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0350]
(E) Sputtering was performed under the following conditions, and Ni having a thickness of 0.05 μm was formed on the lower resist layer.

[0351]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0352]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0353]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0354]
(I) Milling was performed under the following conditions, and the Ni separator layer was etched.

[0355]
(J) The milling altered layer was removed by ashing treatment.

(K) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0356]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0357]
(L) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions to etch NiFe as a film to be milled.

[0358]
(M) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0359]
(N) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0360]
Example 19
This is a case where a metal layer made of Ni is used as the separator layer and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0361]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0362]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0363]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0364]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0365]
(E) Sputtering was performed under the following conditions, and Ni having a thickness of 0.05 μm was formed on the lower resist layer.

[0366]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0367]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0368]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0369]
(I) Milling was performed under the following conditions, and the Ni separator layer was etched.

[0370]
(J) The milling altered layer was removed by ashing treatment.

(K) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0371]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0372]
(L) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions to etch NiFe as a film to be milled.

[0373]
(M) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0374]
(N) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0375]
Example 20
This is a case where a metal layer made of Ni is used as the separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0376]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0377]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0378]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0379]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0380]
(E) Sputtering was performed under the following conditions, and Ni having a thickness of 0.05 μm was formed on the lower resist layer.

[0381]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0382]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0383]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0384]
(I) Milling was performed under the following conditions, and the Ni separator layer was etched.

[0385]
(J) The milling altered layer was removed by ashing treatment.

(K) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0386]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0387]
(L) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions to etch NiFe as a film to be milled.

[0388]
(M) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0389]
(N) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0390]
Example 21
This is a case where a metal layer made of Ni is used as the separator layer and a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0390]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0392]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0393]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0394]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0395]
(E) Sputtering was performed under the following conditions, and Ni having a thickness of 0.05 μm was formed on the lower resist layer.

[0396]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0397]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0398]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0399]
(I) Milling was performed under the following conditions, and the Ni separator layer was etched.

[0400]
(J) The milling altered layer was removed by ashing treatment.

(K) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0401]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0402]
(L) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions to etch NiFe as a film to be milled.

[0403]
(M) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0404]
(N) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0405]
Modifications of Examples 18-21
Even when alumina or aluminum nitride having the same thickness was used as the separator layer instead of Ni, the same results as those of Examples 18 to 21 were obtained.
[0406]
Example 22
This is a case where a silylated layer is used as the separator layer and an NQD novolak resist is used as the lower resist layer.
[0407]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0408]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0409]
(C) As a lower resist layer, AZP4620 of Clariant Japan, which is an NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0410]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0411]
(E) The substrate after the above processing and a watch glass containing Tokyo Ohka OAP (component: HMDS (Hexamine Disilazane)) are placed in a 23 ° C. stainless sealed container, and the surface of the lower resist layer is vaporized. Held for 1 hour in a state of touching the HMDS, and a silylated layer was formed on the surface of the lower resist layer.
In addition to HMDS, silylating agents include TMDS (1,1,3,3-tetramethyldisilazane), DMSDMA (Dimethylsilyldimethylthylaminyl), DMSDEA (Dimethylsilyldimethylthymine), TMSDMA (Trimethylthyminylamine). Bis (dimethylamino) methylsilane), B [DMA] DS (Bis (dimethylamino) dimethylsilane), or HMCTS (1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane) may be used.The holding temperature may be 15 to 130 ° C. Furthermore, the holding pressure may be increased or decreased.
[0412]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0413]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0414]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0415]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0416]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0417]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0418]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0419]
Example 23
This is a case where a silylated layer is used as the separator layer and an integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0420]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0421]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0422]
(C) As the lower resist layer, an integral NQD novolak resist, SIPR-9740 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0423]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0424]
(E) The substrate after the above processing and a watch glass containing Tokyo Ohka OAP (component: HMDS (Hexamine Disilazane)) are placed in a 23 ° C. stainless sealed container, and the surface of the lower resist layer is vaporized. Held for 1 hour in a state of touching the HMDS, and a silylated layer was formed on the surface of the lower resist layer.
In addition to HMDS, silylating agents include TMDS (1,1,3,3-tetramethyldisilazane), DMSDMA (Dimethylsilyldimethylthylaminyl), DMSDEA (Dimethylsilyldimethylthymine), TMSDMA (Trimethylthyminylamine). Bis (dimethylamino) methylsilane), B [DMA] DS (Bis (dimethylamino) dimethylsilane), or HMCTS (1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane) may be used.The holding temperature may be 15 to 130 ° C. Furthermore, the holding pressure may be increased or decreased.
[0425]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0426]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0427]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0428]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0429]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0430]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0431]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0432]
Example 24
This is a case where a silylated layer is used as the separator layer and a hydrophobic integrated NQD novolac resist is used as the lower resist layer.
[0433]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0434]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0435]
(C) As a lower resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0436]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0437]
(E) The substrate after the above processing and a watch glass containing Tokyo Ohka OAP (component: HMDS (Hexamine Disilazane)) are placed in a 23 ° C. stainless sealed container, and the surface of the lower resist layer is vaporized. Held for 1 hour in a state of touching the HMDS, and a silylated layer was formed on the surface of the lower resist layer.
In addition to HMDS, silylating agents include TMDS (1,1,3,3-tetramethyldisilazane), DMSDMA (Dimethylsilyldimethylthylaminyl), DMSDEA (Dimethylsilyldimethylthymine), TMSDMA (Trimethylthyminylamine). Bis (dimethylamino) methylsilane), B [DMA] DS (Bis (dimethylamino) dimethylsilane), or HMCTS (1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane) may be used.The holding temperature may be 15 to 130 ° C. Furthermore, the holding pressure may be increased or decreased.
[0438]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0439]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0440]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0441]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0442]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0443]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0444]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0445]
Example 25
This is a case where a silylated layer is used as the separator layer and a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin is used as the lower resist layer.
[0446]
(A) Si was prepared as a substrate.
[0447]
(B) As a milling film, NiFe having a thickness of 0.5 μm was sputtered on the substrate under the following conditions.

[0448]
(C) As a lower resist layer, SEPR-IX020 from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a resist mainly composed of polyhydroxystyrene resin, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0449]
(D) The exposure was performed under the following conditions.
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHEX14 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 248 nm
Mask: Line pattern with 10 μm width in the dark part
Dose: 250mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0450]
(E) The substrate after the above processing and a watch glass containing Tokyo Ohka OAP (component: HMDS (Hexamine Disilazane)) are placed in a 23 ° C. stainless sealed container, and the surface of the lower resist layer is vaporized. Held for 1 hour in a state of touching the HMDS, and a silylated layer was formed on the surface of the lower resist layer.
In addition to HMDS, silylating agents include TMDS (1,1,3,3-tetramethyldisilazane), DMSDMA (Dimethylsilyldimethylthylaminyl), DMSDEA (Dimethylsilyldimethylthymine), TMSDMA (Trimethylthyminylamine). Bis (dimethylamino) methylsilane), B [DMA] DS (Bis (dimethylamino) dimethylsilane), or HMCTS (1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane) may be used.The holding temperature may be 15 to 130 ° C. Furthermore, the holding pressure may be increased or decreased.
[0451]
(F) As the upper resist layer, SIPR-9281 of Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., which is a hydrophobic integrated NQD novolak resist, was spin-coated to a thickness of 6 μm and prebaked at 110 ° C. for 180 seconds.
[0452]
(G) Exposed under the following conditions,
Exposure apparatus: Nikon NSR-TFHi12 NA = 0.4, σ = 0.4, λ = 365 nm
Mask: Line pattern with a dark portion of 30 μm width (center of the dark portion of (d) coincides with the width direction)
Dose: 600mJ / cm²
Focus: 0 μm.
[0453]
(H) 2.38% -TMAHaq. Which is an alkaline aqueous solution (developer). Was developed by paddle method for 50 seconds × 5 times, washed with water and dried.
[0454]
As a result, a two-layer resist pattern having a good shape with an upper resist pattern width of 30 μm, a lower resist pattern width of 10 μm, an undercut width of 10 μm, and an undercut height of 6 μm was obtained.
[0455]
(I) Using this two-layer resist pattern as a mask, milling was performed under the following conditions, and NiFe as a milled film was etched.

[0456]
(J) Using a two-layer resist pattern as a mask, 1 μm thick Au was sputtered under the following conditions:

[0457]
(K) By swinging and immersing in acetone, lift-off was performed, and a continuous pattern film free from burrs of NiFe and Au was obtained.
[0458]
The above-described embodiments and examples are all illustrative of the present invention and are not intended to be limiting, and the present invention can be implemented in various other variations and modifications. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.
[0459]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, a resist pattern forming method including a lower resist pattern and an upper resist pattern includes a lower resist pattern, an integrated NQD novolac resist material, and a hydrophobic integrated NQD novolak. It is formed of a resist material or a resist material containing polyhydroxystyrene resin as a main component. By using such a material for the lower resist pattern, the film thickness can be increased to, for example, about 10 μm, and since this material has solvent resistance, no intermixing occurs at the interface with the upper resist pattern, which is good. A resist pattern having a simple shape can be obtained. Therefore, it becomes possible to pattern a relatively thick film into a good shape.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a process diagram illustrating a method for forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a process diagram illustrating a method for forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a process diagram illustrating a method of forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a process diagram illustrating a method for forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a process diagram illustrating a method of forming a thin film with through holes patterned by a lift-off method as a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an SEM photograph of an example of a two-layer resist pattern formed in an example of the present invention.
7 is a SEM photograph showing a state in which alumina is sputtered onto the two-layer resist pattern of FIG.
8 is an SEM photograph showing a state in which the two-layer resist pattern of FIG. 7 and alumina thereon are lifted off.
[Explanation of symbols]
10, 20, 30, 40, 50 substrate
11, 21, 31, 41, 51 Lower resist layer
11 ', 21', 31 ', 41', 51 'Lower resist pattern
12, 14, 22, 24, 32, 34, 42, 44, 52, 54 Mask
13, 23, 33, 43, 53 Upper resist layer
13 ', 23', 33 ', 43', 53 'Upper resist pattern
15, 25, 35, 45, 55 Two-layer resist pattern
16, 26, 36, 46, 56 Patterned film
16 ', 26', 36 ', 46', 56 'patterned thin film
37, 47, 57 Separator layer
37 ', 47', 57 'Separator pattern

Claims (5)

A method for forming a resist pattern including a lower resist pattern and an upper resist pattern, wherein an integrated naphthoquinone diazide novolac resist material, a hydrophobic integrated naphthoquinone diazide novolak resist material, or a polyhydroxystyrene resin is mainly formed on a substrate. After laminating a lower resist layer made of a resist material as a component , the lower resist layer is exposed to a predetermined pattern, and after laminating an upper resist layer on the exposed lower resist layer, the upper resist layer was exposed in a predetermined pattern, followed by developing a resist pattern formation method, which comprises forming the lower resist pattern and the upper resist pattern. A method for forming a resist pattern including a lower resist pattern and an upper resist pattern, wherein an integrated naphthoquinone diazide novolac resist material, a hydrophobic integrated naphthoquinone diazide novolak resist material, or a polyhydroxystyrene resin is mainly formed on a substrate. After laminating a lower resist layer made of a resist material as a component and an upper resist layer having a lower sensitivity than the lower resist layer, the lower resist layer and the upper resist layer are exposed in two steps with different predetermined patterns. , followed by developing a resist pattern formation method, which comprises forming the lower resist pattern and the upper resist pattern. The upper resist pattern is formed of a positive resist material, a naphthoquinone diazide novolak resist material, an integrated naphthoquinone diazide novolak resist material, a hydrophobic integrated naphthoquinone diazide novolak resist material, or a resist material mainly composed of a polyhydroxystyrene resin. The method according to claim 1 or 2 , characterized in that: A thin film patterning method comprising: patterning a film to be patterned using a resist pattern formed by the method according to claim 1 , and then removing the resist pattern. A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising forming a thin film pattern by the patterning method according to claim 4 .

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