JP3875534B2 - 光情報記録装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＤ−Ｒドライブ装置，ＣＤ−ＲＷドライブ装置，ＤＶＤ−Ｒドライブ装置，ＤＶＤ−ＲＷドライブ装置及びＤＶＤ−ＲＡＭドライブ装置などの記録可能な情報記録媒体に対する情報の記録を行う光情報記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光ピックアップに搭載された光源である半導体レーザ（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ、以下「ＬＤ」と略称する）から照射するレーザ光の光変調によって光ディスク（情報記録媒体）に情報の記録を行う光ディスク装置においては、１ビームオーバーライト技術や高密度化のための記録マーク形状制御のため、光変調波形をマルチパルス化，多値レベル化（例えば、図４の（ｃ）の光変調波形を参照）して制御する技術が必須になっており、また、光源の照射光量も所望の値に常に制御する必要がある。
そこで、一般には、光源の出射光量の一部を受光素子でモニタ受光し、そのモニタ受光信号が所定の目標値と一致するようにＬＤの駆動電流を制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御と呼ばれる方法が用いられている。
【０００３】
しかしながら、情報記録の高速化と情報記録媒体に対する高密度化記録を行うためには光変調周波数が高くなり、帯域の限られた受光素子では正確な出射光量をモニタすることは困難になっている。
そのため、通常はモニタ受光信号の低周波成分を検出し、予め算出した平均照射光量に対応する目標値に一致するように制御（この制御を「平均値制御方法」と呼ぶ）したり、照射光量の一定の期間が比較的長い時（モニタ受光信号が整定したレベル）をサンプル（例えば、図４の光波形ではマルチパルス化していないイレースパワーＰｅのレベルをサンプル）し、そのサンプルしたレベルが目標値に一致するように制御（この制御を「サンプルホールド制御方法」と呼ぶ）したりしている。
【０００４】
しかし、このような従来の制御方法では以下の問題が生じる。
（１）より高精度な記録マーク形状制御を行う場合、記録情報に応じてマルチパルス部のデューティ比を変化させるため、正確な平均照射光量の算出が困難であり、従って正確な光量制御が行えない。また、記録線速度によってもマルチパルス部のデューティ比を変化させるので、記録線速度に応じた目標値を保持しておいて速度変化の都度変更しなければならない。
（２）サンプルホールド制御方法においては、今後より高速記録化が求められると、受光素子やサンプルホールド回路の高速化が必要になり、コストアップ，消費電力の増大などの問題の発生や実現そのものが困難になる。
【０００５】
また、半導体レーザの駆動電流−光出力特性の勾配（微分量子効率と呼ぶ）も温度変化などによって大きく変動し、それも出射光量変動の要因になる。その出射光量の変動の不具合を解決するには、所定の２点の照射光量に対するモニタ受光信号のレベルを検出し、そのレベル差から微分量子効率を算出し、その算出結果に応じてＬＤの駆動電流を補正する方法がある。
さらに、微分量子効率の算出は所定のキャリブレーション期間を設けて検出し、その検出結果に応じて制御している。
【０００６】
しかし、光情報記録装置に適用する場合には、連続記録時間が１時間以上にも及ぶこともあり、この間はキャリブレーション期間を挿入できないので、記録前に算出した微分量子効率では大きくずれてしまって不十分である。あるいは、キャリブレーション期間を挿入すると記録動作を妨げてしまう。
そこで、上記のような不具合を解決するものとして、スペース領域を形成するための消去パワー期間中に単パルスによる検出用加熱パルスｐｄを含ませることによって、マルチパルス列を用いた記録中であっても加熱パルスの発光強度を検出できるようにし、その検出結果に基づく適正な発光パワーの制御の下にマルチパルス列によるマーク領域を含む良好な記録が可能になるようにした光情報記録装置（例えば、特開２００１−２３１７３号公報参照）が提案されており、このような光情報記録装置によれば、記録動作中でも記録特性を悪化させることなく微分量子効率を算出することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述のような光情報記録装置では、ＣＰＵによるソフトウェア制御によって微分量子効率を算出するものであり、また微分量子効率の算出結果に応じてパワー設定値を算出して設定し直すという工程を踏むため、制御速度の点などで不十分であったり、ソフトウェア制御に大きな負荷をかける要因となるという問題があった。
この発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、マルチパルス部のデューティ比が変化しても正確に照射光量の制御を行い、また、微分量子効率変動を自動的に補正して駆動電流を制御するようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明は上記の目的を達成するため、次の（１）〜（７）の光情報記録装置を提供する。
（１）光源から発生させた光を情報記録媒体に照射して記録マークの形成を行う光情報記録装置において、上記光源の微分量子効率を検出してスケール信号を出力する微分量子効率検出手段と、変調データに基づいて変調波形信号を生成するものであって、上記スケール信号に基づいて上記変調波形信号のスケールを変更する変調手段と、上記変調データに基づいて上記変調波形信号の平均値を生成して発光目標値にする目標値生成手段と、上記光源の出射光量の一部を受光素子でモニタして生成するモニタ受光信号と上記発光目標値とが一致するようにバイアス電流を制御するバイアス制御手段と、上記変調手段によって生成された変調波形信号の出力電流と上記バイアス電流との和を増幅して上記光源の駆動電流とする電流駆動手段を備え、上記微分量子効率検出手段が、所定の二つの上記光源の照射レベル間の上記モニタ受光信号の差を検出する差分検出手段と、予め設定された比較基準値と上記差分検出手段によって検出された差とを比較する比較手段と、その比較手段の比較結果に基づいて上記スケール信号の増減を行うスケール信号生成手段とからなり、上記モニタ受光信号の差を検出する所定の二つの照射レベルが適宜変更されるものであって、上記比較基準値が変更された二つの照射レベル差に基づいて変更されるようにした光情報記録装置。
【００１１】
（２）上記（１）の光情報記録装置において、上記スケール信号生成手段が、上記比較手段の比較結果に基づいて増減を行った値を平均化してスケール信号として出力する手段である光情報記録装置。
【００１２】
（３）上記（１）の光情報記録装置において、上記発光目標値を増幅する発光目標値増幅手段を設け、その発光目標値増幅手段による増幅の際の増幅率を上記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて予め調整するようにした光源駆動装置。
（４）上記（１）の光情報記録装置において、上記比較基準値のスケール信号を変更するスケール信号変更手段を設け、そのスケール信号変更手段によって変更されるスケール信号を上記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて予め調整するようにした光源駆動装置。
（５）上記（１）の光情報記録装置において、上記比較基準値のスケール信号を変更するスケール信号変更手段と、上記発光目標値を増幅する発光目標値増幅手段を設け、上記スケール信号変更手段によって変更されるスケール信号及び上記発光目標値増幅手段による増幅の際の増幅率を上記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて連動して予め調整するようにした光源駆動装置。
【００１３】
（６）上記（１）又は（２）の光情報記録装置において、上記モニタ受光信号を増幅するゲイン切換えアンプを設け、そのゲイン切換えアンプのゲインに応じて上記発光目標値及び上記比較基準値を変更するようにした光情報記録装置。
（７）上記（１）の光情報記録装置において、上記バイアス制御手段の制御帯域を変更する手段を設けた光情報記録装置。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態を図面に基づいて具体的に説明する。
まず、本発明の一実施形態の光源駆動装置を適用する情報記録再生装置の全体構成及び動作概要を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態の光源駆動装置を適用する情報記録再生装置の全体構成を示すブロック図である。
図１において、情報記録媒体１００は、再生すべき情報が予め記録されたＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＯＭ等の光ディスク、または情報が未記録であってユーザが任意に新規の情報を記録可能なＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＭＤ，ＭＯなどの光ディスクである。
【００２０】
ピックアップ１０１は、光源（例えば半導体レーザ（ＬＤ））１０２からの出射光を情報記録媒体１００に照射して情報の記録を行ったり、情報記録媒体１００からの反射光を受光して受光信号に変換するものであり、光源１０２やその光源１０２を駆動する光源駆動部（公知であり、図示を省略）、反射光を受光して受光信号に変換する受光部１０３などが配置されている。
また、ピックアップ１０１には光源１０２の出射光の一部をモニタするモニタ受光部（同じく公知であり、図示を省略）も配置されており、その出力であるモニタ信号に基づいて光源１０２の出射光量変動を制御する。
【００２１】
さらに、情報記録媒体１００の照射光に対する傾き（「チルト」と呼ぶ）を検知するためのチルト検出受光部（同じく公知であり、図示を省略）などが配置される場合もある。
さらにまた、異なる媒体フォーマットが定められた複数種類の情報記録媒体に対応する情報記録再生装置の場合（例えば、ＤＶＤ及びＣＤ両対応装置など）、それぞれの情報記録媒体に好適な波長の光源を持つ場合があり、それぞれの光源出射時に情報記録媒体からの反射光を受光する受光部やモニタ受光部を別個に備える場合もある。
【００２２】
信号処理部１０４は、ピックアップ１０１に配置された各種受光部からの受光信号が入力され、様々な信号処理が行われる。
例えば、受光信号から情報を再生したり、情報記録媒体１００の回転に伴う面振れやトラックの半径方向の振れなどの変動に対して常に所定の誤差内で光を照射するように制御（フォーカスサーボ制御及びトラックサーボ制御）するために受光信号からサーボエラー信号を生成し、そのサーボエラー信号に従ってピックアップ１０１を制御する。また、記録すべき情報を所定の規則に従って変調し、記録信号として光源１０２（または光源駆動部）に出力したり、光源１０２の出力光量制御を行う。
【００２３】
回転駆動部１０５は、情報記録媒体１００を回転させるものであり、信号処理部１０４によって回転速度が制御（スピンドルサーボ制御）される。
ＣＬＶ回転制御を行う際には、より精度よく回転制御をするために情報記録媒体１００に埋め込まれた回転制御信号をピックアップ１０１を介して検出し、その回転制御信号に基づいて回転制御を行う。
回転制御信号には、例えば再生情報記録媒体などでは記録された情報に所定間隔で配置された同期信号や、記録可能な情報記録媒体では記録トラックが所定の周波数で蛇行したウォブルなどを用いる。
【００２４】
コントローラ１０６は、ホストコンピュータとの記録再生情報の受け渡しやコマンド通信を行って装置全体の制御を行う。
なお、ピックアップ１０１は情報記録媒体半径方向に可動（この動作を「シーク動作」と呼ぶ）させるため、ピックアップ１０１と信号処理部１０４等が搭載されている回路基板とはフレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）基板（またはケーブル）と呼ばれる基板（またはケーブル）で接続されるのが一般であり、光源１０２や受光部１０３等のピックアップ１０１に搭載される部品はこのＦＰＣ基板に実装されることも多い。
【００２５】
次に、上記情報記録再生装置の信号処理部１０４の内部構成及び動作概略について説明する。
図２は、図１に示した信号処理部１０４の内部構成を示すブロック図である。本実施形態の信号処理部１０４は、異なるフォーマットの情報記録媒体へ対応させるために上記光源（ＬＤ）１０２として二つの光源ＬＤ１とＬＤ２を備えており、上記受光部１０３として受光部ＰＤ１〜ＰＤ５を備えており、光源ＬＤ１とＬＤ２の照射光の一部をそれぞれ受光部ＰＤ２及びＰＤ５でモニタする。
【００２６】
受光部ＰＤ１では光源ＬＤ１の照射時に情報記録媒体からの反射光を受光し、受光部ＰＤ４では光源ＬＤ２の照射時に情報記録媒体からの反射光を受光する。
受光部ＰＤ３はチルト量を検知するための受光部である。受光部ＰＤ１とＰＤ３とＰＤ４は、複数に分割された分割受光素子によって受光している。
なお、ピックアップによっては光源ＬＤ１とＬＤ２の出射光を同一の受光部でモニタする場合もある。同様に、情報記録媒体からの反射光を受光する受光部も同一とする場合もある。
【００２７】
受光信号処理部２は、受光部ＰＤ１とＰＤ３とＰＤ４の出力する各受光信号を入力し、各受光信号のオフセット調整及びゲイン調整などの処理を行う。
サーボ信号演算処理部１３は、受光信号処理部２から供給される各受光信号からサーボエラー信号の生成を行う。同時に、オフセット調整，ゲイン調整も行って生成したサーボエラー信号をサーボプロセッサ１４へ供給する。
ＲＦ選択部４は、受光部ＰＤ１及び受光部ＰＤ４の出力する受光信号を入力し、後段の回路に必要な信号を選択あるいは一部加減算などの演算を行って供給する。
【００２８】
ウォブル信号生成部６は、記録可能な情報記録媒体にプリフォーマットされたウォブルを検出するものである。
ウォブル信号処理部１５は、ウォブル信号生成部６の出力する信号から二値化ウォブル信号を抽出し、ＷＣＫ生成部１７及び回転制御部１８へ供給する。また、情報記録媒体毎に所定の規則でウォブルに変調されたアドレス情報を復調し、コントローラ１９へ供給する。
【００２９】
ＲＦ信号処理部／ＰＬＬ部１６は、ＲＦ信号処理部によってＲＦ選択部４から入力された再生ＲＦ信号から二値化ＲＦ信号を生成し、再生している情報記録媒体の変調方式規則に則って復調を行う。またＰＬＬ部（ＰＬＬ回路）によって二値化ＲＦ信号から再生クロックを抽出する。復調したデータはコントローラ１９に供給する。また二値化ＲＦ信号に所定間隔で挿入された同期信号によって回転制御信号を抽出して回転制御部１８へ供給する。
回転制御部１８は、ウォブル信号処理部１５またはＲＦ信号処理部／ＰＬＬ部１６から入力される信号から回転制御を行うためのスピンドルエラー信号を生成し、サーボプロセッサ１４へ供給する。また、情報記録媒体を角速度一定（ＣＡＶ）で回転させる場合は回転制御駆動部（公知であり、図示を省略）から出力されるディスク回転を示す信号（同じく公知であり、図示を省略）に基づいてスピンドルエラー信号を生成する。
【００３０】
サーボプロセッサ１４は、コントローラ１９からの指令に基づき、入力される各種サーボエラー信号からサーボ制御信号を生成し、サーボドライバ２０へ出力する。サーボドライバ２０は入力されるサーボ制御信号に基づいてサーボドライブ信号を生成する。各駆動部は供給されたサーボドライブ信号によってサーボ制御動作を行う。ここでは、フォーカス制御，トラック制御，シーク制御，スピンドル制御及びチルト制御である。
【００３１】
ＷＣＫ生成部１７は、ウォブル信号処理部１５から供給された二値化ウォブル信号に基づいて記録クロック信号ＷＣＫを生成し、ＬＤ変調信号生成部１０とコントローラ１９の各部へ供給する。記録時にはその記録クロック信号ＷＣＫを基準にして記録データの生成などが行われる。
記録時には、コントローラ１９から記録クロック信号ＷＣＫに同期して記録データ信号ＷｄａｔａがＬＤ変調信号生成部１０へ供給される。その記録データ信号Ｗｄａｔａは記録すべき情報が所定の規則に従って変調されている。
【００３２】
ＬＤ変調信号生成部１０は、ＷＣＫ生成部１７から入力される記録クロック信号ＷＣＫ及びコントローラ１９から入力される記録データ信号Ｗｄａｔａから光源ＬＤ１あるいは光源ＬＤ２を変調するためのＬＤ変調信号を生成し、ＬＤ駆動部１２へ供給する。
ＬＤ制御部９は、受光部ＰＤ２あるいは受光部ＰＤ５からのモニタ受光信号を入力し、そのモニタ受光信号に基づいて光源ＬＤ１と光源ＬＤ２の出射光量が所望の値になるようにＬＤ駆動部１２へ対してＬＤ制御信号を供給する（いわゆるＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御を行う）。
ＬＤ駆動部１２は、ＬＤ制御部９から入力されるＬＤ制御信号及びＬＤ変調信号生成部１０から入力されるＬＤ変調信号に基づいて光源ＬＤ１あるいは光源ＬＤ２を電流駆動して発光させる。
また、コントローラ１９からは各部の制御信号が出力される。
【００３３】
次に、上記ＬＤ制御部９及びＬＤ駆動部１２の詳細な実施形態を説明する。
図３は、図２に示したＬＤ制御部９及びＬＤ駆動部１２を集積化したＬＤ駆動集積回路１の構成図である。
図４は、図３に示したＬＤ駆動集積回路１の各部の出力信号の一例を示す波形図である。
図３に示すＬＤ駆動集積回路１は、駆動する光源ＬＤ１及び光源ＬＤ２の近傍に配置されており、ピックアップ１０１に搭載される。
一方、ＬＤ駆動集積回路１にＬＤ変調信号ＷＳＰを供給するＬＤ変調信号生成部１０は、他の信号処理部と共に回路基板に搭載され、両者を接続する信号線はＦＰＣ基板上を伝送される。
【００３４】
また、ＬＤ変調信号生成部１０は、記録クロック信号ＷＣＫを基準にして記録データ信号Ｗｄａｔａから、図４に示すようなＬＤ変調信号ＷＳＰ（ｆ）及びステート信号ＳＴＥＮ（ｅ−１）を生成する。図４では図示を簡便にするために信号ＷＳＰ及びＳＴＥＮの記録データＷｄａｔａに対する遅延は無視して図示している（通常は生成回路の都合上所定クロック遅延する）。またこの時、ＬＤ変調信号ＷＳＰは所要の情報記録媒体に最適なパルス幅制御が行われているものとする。さらにはコマンド信号ＳＴＣＭＤも生成している。
【００３５】
ＬＤ駆動集積回路１は、ＬＤ変調信号生成部１０から供給されるステート信号ＳＴＥＮとコマンド信号ＳＴＣＭＤとからＬＤ照射レベルや照射モードを示すモード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅに変換するコマンドデコーダ（ＣＭＤＤｅｃｏｒｄｅｒ）２２と、同じくＬＤ変調信号生成部１０から供給されるＬＤ変調信号ＷＳＰとステート信号ＳＴＥＮ及びモード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅに基づいてＬＤ照射レベルの制御を行うシーケンサ（Ｓｅｑｕｅｎｃｅｒ）２１と、シーケンサ２１から供給される変調データＤｍｏｄＬ，ＤｍｏｄＨ及び変調信号ＭＯＤに基づいてＬＤ変調電流Ｉｍｏｄを生成する変調部（Ｄａｔａ−Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）２３を備えている。
【００３６】
また、光源の出射光の一部をモニタするモニタ受光部からのモニタ受光信号を入力してオフセット調整及びゲイン調整を行うＰＤアンプ部（ＰＤ−ＡＭＰ）２６と、ＰＤアンプ部２６から供給されるモニタ信号Ｉｍｏｎがシーケンサ２１から供給される目標レベル信号Ｄｔａｒｇｅｔから生成される基準信号Ｉｔａｒｇｅｔと一致するようにバイアス電流Ｉａｐｃを制御するバイアス電流制御部（Ｂｉａｓ−Ｃｏｎｔｒｏｌ）２７と、バイアス電流制御部２７の出力するバイアス電流Ｉｂｉａｓと外部から供給されるバイアス電流Ｉｅｘｔとを選択して電流Ｉｂｉａｓを出力するバイアス電流選択部（ＭＵＸ）２９と、モニタ信号Ｉｍｏｎから駆動している光源ＬＤ（光源ＬＤ１または光源ＬＤ２）の微分量子効率ηを検出してその検出結果に応じてＬＤ変調電流のスケールＳｃａｌｅを制御する微分量子効率制御部（η−Ｃｏｎｔｒｏｌ）２８も備えている。
【００３７】
さらに、高周波重畳信号と高周波重畳時にバイアス電流に印加するオフセット電流Ｉｈｆｍｏｆｓを生成する高周波変調部（ＨＦ−Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）３０と、バイアス電流Ｉｂｉａｓと変調電流Ｉｍｏｄを加算して高周波重畳オフセット電流Ｉｈｆｍｏｆｓを減算する電流加算部２４と、その電流加算部２４から供給される電流を増幅して光源ＬＤ１あるいは光源ＬＤ２の駆動電流ＩＬＤを供給する電流駆動部２５と、コントローラ１９から（あるいはＬＤ変調信号生成部１０を介して）供給される制御コマンドを受けて各部へ制御信号を供給する制御部３３を備えている。
【００３８】
また、図４に示す各部の信号波形は一例であり、ここで想定する情報記録媒体は相変化型記録媒体（例えばＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷなどの光ディスク）とし、記録クロック信号ＷＣＫ（ａ）及び記録データ信号Ｗｄａｔａ（ｂ）に基づき、図４の（ｃ）のような光変調波形で光源ＬＤを発光させて記録マーク（同図の（ｄ））を形成する。
相変化型情報記録媒体は、一般には、ライトパワーＰｗ，イレースパワーＰｅ，ボトムパワーＰｂの三値のマルチパルスで記録マークが形成される。この時、記録パワーレベル及び各パルスのパルス幅・パルス間隔を精度よく制御することによって正確な記録がなされる。
さらに、本実施形態では、図４の（ｃ）において破線枠（ｉ）と（ｉｉ）と（ｉｉｉ）で示すように、先頭パルスや最終パルスあるいは最終ボトムパルス（「クーリングパルス」と呼ぶ）のパワーを設定可能にしている。
【００３９】
通常、情報記録媒体あるいはその記録線速度によってはマークが形成されるとき、隣接のスペース長によって媒体上で熱的影響を受け、マークのエッジが隣接スペース長によってさまざまに変動する場合がある。これを避けるために、従来では隣接のスペース長を考慮して光変調波形の各パルス幅を変えている。
本実施形態のように、加えて、隣接のスペース長を考慮してパワーを変えられるようにすれば、媒体に与える熱量としては隣接スペース長に応じてパルス幅補正をするのと等価になるので、実質的にパルス幅制御分解能の細分化を行っているのと同等になり、高速記録化対応に適したものとなる。
【００４０】
ここで、各部詳細説明の前に、駆動・制御対象となる光源ＬＤについて説明する。
図８は、駆動電流−光出力特性の一例を示す線図である。
通常、光源ＬＤの駆動電流ＩＬＤに対する光出力Ｐｏは次の数１に示す式に基づいて近似することができる。ここで、η：微分量子効率，Ｉｔｈ：閾値電流である。
【００４１】
【数１】
Ｐｏ＝η・（ＩＬＤ−Ｉｔｈ）
【００４２】
所望の光変調波形Ｐ（図８の（ｂ））を得るためには、ＬＤ駆動電流ＩＬＤをバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍの和（Ｉｂ＋Ｉｍ）とした場合、バイアス電流Ｉｂは閾値電流Ｉｔｈにほぼ等しく、変調電流Ｉｍは同図の（ｃ）のようなＰ＝η・Ｉｍになる電流を駆動すればよい。
しかし、一般に、この閾値電流Ｉｔｈと、微分量子効率ηは個体間のばらつきのみならず、温度変化によっても変動するため、所望の光変調波形Ｐを常時得るためには、閾値電流Ｉｔｈ及び微分量子効率ηの変動に伴ってバイアス電流Ｉｂと変調電流Ｉｍを制御することが望ましい。
例えば、図８の（ｉｉ）のように閾値電流がＩｔｈ′に、微分量子効率がη′に変動した場合、所望の光変調波形Ｐを得るためには、バイアス電流Ｉｂ′をＩｔｈ′に、変調電流Ｉｍ′を同図の（ｄ）のようにＰ＝η′・Ｉｍ′となるように制御すればよい。
【００４３】
図３に示したＬＤ駆動集積回路１では、主にバイアス電流制御部２７がバイアス電流の制御機能を、微分量子効率制御部２８が変調電流の制御機能をそれぞれ果たす。
【００４４】
以下、図３に示したＬＤ駆動集積回路１の各部の動作と詳細構成について説明する。
［シーケンサ］
シーケンサ２１は、ＬＤ変調信号ＷＳＰとステート信号ＳＴＥＮに基づいて光源のＬＤ照射レベルの制御を行う。
図５は図３に示したシーケンサ２１の状態遷移図である。
各ステートは光源ＬＤの照射レベルに対応し、ＳＭａ，ＳＭｂの各ステートマシンは各々独立に動作する。そして、ＳＭａ，ＳＭｂの各ステートマシンのそれぞれ現在のステートｓｔａｔｅ０，ｓｔａｔｅ１に従って変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨを出力する。
【００４５】
すなわち、予め各ステートに対応した変調データを設定しておき、それぞれのステートマシンの現在のステートに対応した変調データを選択出力する。
また、記録時にはＬＤ変調信号ＷＳＰが、再生時にはロー（Ｌｏｗ）の信号が変調信号ＭＯＤとして出力される。
なお、図３においては変調信号ＭＯＤはマルチプレクサＭＵＸ６５を経由して変調部２３へ供給されているが、ここでＭＵＸ６５は変調信号ＭＯＤを選択出力しているものとする。
【００４６】
次段の変調部２３では、この変調信号ＭＯＤがロー（Ｌｏｗ）の時は変調データＤｍｏｄＬが、ハイ（Ｈｉｇｈ）の時には変調データＤｍｏｄＨが選択されるので、ＳＭａ内の各ステートはＬＤ変調信号ＷＳＰがロー（Ｌｏｗ）の時の照射レベルに、ＳＭｂ内の各ステートはＷＳＰがハイ（Ｈｉｇｈ）の時の照射レベルに対応する。
例えば、ｓｔａｔｅ０＝ＳＰｂで変調信号ＭＯＤ＝ロー（Ｌｏｗ）の時、光源ＬＤの照射レベルはボトムパワーＰｂとなり、ｓｔａｔｅ１＝ＳＰｍｐで変調信号ＭＯＤ＝ハイ（Ｈｉｇｈ）の時、光源ＬＤの照射レベルはライトパワーＰｗとなる。
【００４７】
なお、ステートマシンＳＭａはＬＤ変調信号ＷＳＰの立ち上がりエッジで状態遷移が行われ、ステートマシンＳＭｂはＬＤ変調信号ＷＳＰの立ち下がりエッジで状態遷移が行われるようにしている。
すなわち、それぞれの出力する変調データが出力選択されていない時に状態の遷移を（変調データの変化を）するようにしているので、変調データ変化時でも光源ＬＤの照射レベルの変動は生じない。
【００４８】
また、先頭パルスＰｔｐや最終パルスＰｌｐあるいは最終ボトムパルスパワーＰｃｌに対応する各変調データは記録データパターンなどに応じて動的に変更可能としている。
すなわち、予め設定しておいた複数個の変調データ（例えばＰｔｐを４値、Ｐｔｐ０〜３）をコマンドデコーダ２２から供給されるパワー選択信号ＰｗｒＳｅｌによって選択する。その選択するパワーレベルはコマンド信号ＳＴＣＭＤによって指示され、コマンドデコーダ２２によってパワー選択信号ＰｗｒＳｅｌに変換される。
【００４９】
次に、各ステートマシンの遷移条件を説明する。
図４の（ｇ−１）と（ｇ−２）は状態遷移の一例であり、ＬＤ変調信号ＷＳＰ（同図の（ｆ））の変化時刻を図のようにｔ０〜ｔ２７とする。また、ステート信号ＳＴＥＮ２はステート信号ＳＴＥＮをＬＤ変調信号ＷＳＰの立下りで取り直したものであり、ステートマシンＳＭａではこれに従い状態遷移を行う。
これにより、ステートマシンＳＭａでの状態遷移の基準となるＷＳＰの立上りに対してステート信号ＳＴＥＮ２のデータ確定時間が十分確保できるので安定した動作が行える。
【００５０】
＊ステートマシンＳＭａ
特に断らない限り、ＬＤ変調信号ＷＳＰの立上りに同期して遷移するものとする。
｛状態ＳＰｒ｝
初期状態。再生時（ライト信号Ｒ／Ｗ＝０（Ｒｅａｄ）の時）はここに滞留する。記録開始（Ｒ／Ｗ立ち上り）で状態Ｐｅに遷移する。この遷移はＬＤ変調信号ＷＳＰに同期しないようにしてもよい。
｛状態ＳＰｅ｝
ステート信号ＳＴＥＮ２＝ハイ（Ｈｉｇｈ）で次の状態に遷移する。通常は状態ＳＰｂに遷移するが（例えば、時刻ｔ３）、後述する特殊条件（Ａ）により状態ＳＰｃｌに遷移することもある（例えば、時刻ｔ２５）。また、記録終了（Ｒ／Ｗ立下り）で状態ＳＰｒに遷移する。
【００５１】
｛状態ＳＰｂ｝
ＳＴＥＮ２＝ロー（Ｌｏｗ）で次の状態に遷移する。図４の波形例では状態ＳＰｃｌに遷移する（例えば、時刻ｔ７）。また、モード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅによっては状態ＳＰｅに遷移する。
｛状態ＳＰｃｌ｝
状態Ｐｅに遷移する（例えば、時刻ｔ９）。
また、状態ＳＰｒ（再生モード）への復帰は、Ｒ／Ｗ＝Ｒａｅｄになった後、最初に状態ＳＰｅに戻った後移行するようにしてもよいし、Ｒ／Ｗ＝Ｒｅａｄにより強制的に移行するようにしてもよい。
【００５２】
＊ステートマシンＳＭｂ
特に断りない限り、ＬＤ変調信号ＷＳＰの立下りに同期して遷移するものとする。
｛状態ＳＰｅ｝
初期状態。ステート信号ＳＴＥＮ＝ハイ（Ｈｉｇｈ）で状態ＳＰｔｐに遷移する（例えば、時刻ｔ２）。
｛状態ＳＰｔｐ｝
ステート信号ＳＴＥＮ＝ハイ（Ｈｉｇｈ）の時、状態ＳＰｍｐに遷移する（時刻ｔ４）。また、ステート信号ＳＴＥＮ＝ロー（Ｌｏｗ）の時、状態ＳＰｌｐに遷移する（時刻ｔ１８）。後述する特殊条件（Ａ）によって状態ＳＰｅに遷移することもある。
【００５３】
｛状態ＳＰｍｐ｝
ステート信号ＳＴＥＮ＝ロー（Ｌｏｗ）の時、状態ＳＰｌｐに遷移する（時刻ｔ６）。ステート信号ＳＴＥＮ＝ハイ（Ｈｉｇｈ）ならばここに滞留。
｛状態ＳＰｌｐ｝
状態ＳＰｅに遷移する（時刻ｔ８）。
また、本実施形態ではコマンドデコーダ２２を介してステートマシンの遷移モードを動的に変更可能としている。
例えば、図４において一点鎖線枠（Ａ）で囲んだ波形（Ｐｔｐ→Ｐｃｌ）を生成する場合は、時刻ｔ（Ａ）の時点でモードを指定し、上述したステートマシンを特殊条件（Ａ）で遷移させればよい。
また、各々のステートマシンの初期化は制御部３３を介してコマンド発行により行ってもよい。これは例えば強制的に初期状態に戻したい場合などに有効である。
【００５４】
［コマンドデコーダ］
コマンドデコーダ２２は、ステート信号ＳＴＥＮとコマンド信号ＳＴＣＭＤとから光源ＬＤの照射レベルや照射モードを指定するモード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅに変換する。そのモード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅには、上述したパワー選択信号ＰｗｒＳｅｌやステートマシンの遷移モード信号が含まれる。
コマンドデコーダ２２は、ステート信号ＳＴＥＮをクロックとし、コマンド信号ＳＴＣＭＤをデータとしてステート信号ＳＴＥＮの両エッジでデータの取り込みを行う。
【００５５】
本実施形態では、コマンド信号ＳＴＣＭＤを３ビット（Ｂｉｔ）とし、ステート信号ＳＴＥＮの立上りエッジで最終パルスパワー選択信号ＰＥＰ（２ｂｉｔ）とＣＬパルス遷移モード信号ＣＬＭｏｄｅ（１ｂｉｔ）を取り込み、ステート信号ＳＴＥＮの立下りエッジで先頭パルスパワー選択信号ＰＴＰ（２ｂｉｔ）を取り込み、それぞれシーケンサ２１へ供給する。
最終パルスパワー選択信号ＰＥＰは最終パルスパワーＰｌｐとクーリングパルスパワーＰｃｌを選択し、ＣＬパルス遷移モード信号ＣＬＭｏｄｅは前述の特殊遷移条件（Ａ）のモードを指定する。また、先頭パルスパワー選択信号ＰＴＰは先頭パルスパワーＰｔｐを選択する。
これらのモード制御信号ＳｅｑＭｏｄｅは本実施形態の振り分けだけでなく、所望の光波形に適合するように定めればよい。
【００５６】
［変調部］
変調部２３は、シーケンサ２１から供給される変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨ及び変調信号ＭＯＤに基づいてＬＤ変調電流Ｉｍｏｄを生成する。
ＰｂＤＡＣ４０は変調データＤｍｏｄＬに基づいて電流を供給する電流出力ＤＡＣ（Ｄ／Ａコンバータ）であり、ＰｔｐＤＡＣ４１は変調データＤｍｏｄＨに基づいて電流を供給する電流出力ＤＡＣである。
スイッチ４２はＭＵＸ６５から供給される選択信号（記録時には変調信号ＭＯＤつまりＬＤ変調信号ＷＳＰが供給される）に従って、ＰｂＤＡＣ４０あるいはＰｔｐＤＡＣ４１の出力電流を選択してＬＤ変調電流Ｉｍｏｄを出力する。ここで、選択信号つまり変調信号ＭＯＤがハイ（Ｈｉｇｈ）ならばＰｔｐＤＡＣ４１の出力を、ロー（Ｌｏｗ）ならばＰｂＤＡＣ４０の出力を選択する。
【００５７】
また、ＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１のフルスケールＩｓｃｌはスケールＤＡＣ（ＳｃａｌｅＤＡＣ）４３から供給され、それは微分量子効率制御部２８から供給されるスケール信号Ｓｃａｌｅに従って設定される。
さらに、スケールＤＡＣ４３のフルスケールＩｆｕｌｌはηＲＥＦから供給され、使用する光源ＬＤの微分量子効率から定めればよい。フルスケールＩｓｃｌの算出・設定方法については後述する。
したがって、ＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１のそれぞれの出力電流Ｉ０とＩ１は次の数２と数３に示す式に基づく演算によって得られる。ここでは、ＰｂＤＡＣ４０，ＰｔｐＤＡＣ４１及びスケールＤＡＣ４３は８ビット（ｂｉｔ）ＤＡＣとしている。
【００５８】
【数２】
Ｉ０＝（ＤｍｏｄＬ／２５５）＊（Ｓｃａｌｅ／２５５）＊Ｉｆｕｌｌ
【００５９】
【数３】
Ｉ１＝（ＤｍｏｄＨ／２５５）＊（Ｓｃａｌｅ／２５５）＊Ｉｆｕｌｌ
【００６０】
また、前述したように変調データＤｍｏｄＬ及びＤｍｏｄＨの変化タイミングはスイッチ４２で選択されていない時となっているので、ＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１の応答速度が十分高速ならばＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１のそれぞれの出力電流Ｉ０とＩ１の変化もスイッチ４２で選択されていない間に行われ、変調電流Ｉｍｏｄの変化は変調信号ＭＯＤの変化タイミングのみによって決まる。
【００６１】
図６は、図３に示した変調部２３の他の構成例を示すブロック図である。
シーケンサ２１からはステートマシンＳＭａとＳＭｂの各ステートに対応する変調データ（ＰｒＤａｔａ〜ＰｌｐＤａｔａ）が供給され、ＰｒＤＡＣ８０ａ，ＰｅＤＡＣ８０ｂ，ＰｂＤＡＣ８０ｃ，ＰｃｌＤＡＣ８０ｄと、ＰｅＤＡＣ８１ａ，ＰｔｐＤＡＣ８１ｂ，ＰｍｐＤＡＣ８１ｃ，ＰｌｐＤＡＣ８１ｄとはそれらの変調データに基づいてそれぞれ電流Ｉ０ａ〜Ｉ０ｄと、Ｉ１ａ〜Ｉ１ｄの各電流を出力する。
スイッチ８２はステートマシンＳＭａの現在のステート示す信号ｓｔａｔｅ０に従って電流Ｉ０ａ〜Ｉ０ｄのうちの１つを選択出力する。同様に、スイッチ８３はステートマシンＳＭｂの現在のステート示す信号ｓｔａｔｅ１に従って電流Ｉ１ａ〜Ｉ１ｄのうちの１つを選択出力する。
【００６２】
スイッチ８２は、図３と同様にして、ＭＵＸ６５から供給される選択信号に従ってスイッチ８２とスイッチ８３からそれぞれ供給される電流Ｉ０又は電流Ｉ１を選択してＬＤ変調電流Ｉｍｏｄを出力する。
また、スケールＤＡＣ４３も図３と同様にＰｒＤＡＣ８０ａ，ＰｅＤＡＣ８０ｂ，ＰｂＤＡＣ８０ｃ，ＰｃｌＤＡＣ８０ｄと、ＰｅＤＡＣ８１ａ，ＰｔｐＤＡＣ８１ｂ，ＰｍｐＤＡＣ８１ｃ，ＰｌｐＤＡＣ８１ｄのフルスケールを決める。この実施形態によれば、スイッチ８４で選択されていない時にスイッチ８２あるいはスイッチ８３に切り換えが行われるので、出力電流Ｉ０とＩ１の変化もスイッチ８４で選択されていない間に行われ、図３の実施形態と同様に、変調電流Ｉｍｏｄの変化は変調信号ＭＯＤの変化タイミングのみによって決まる。
【００６３】
また、出力電流Ｉ０とＩ１の変化速度はスイッチ８２と８３の切り換え速度によって決まり、ＰｒＤＡＣ８０ａ，ＰｅＤＡＣ８０ｂ，ＰｂＤＡＣ８０ｃ，ＰｃｌＤＡＣ８０ｄと、ＰｅＤＡＣ８１ａ，ＰｔｐＤＡＣ８１ｂ，ＰｍｐＤＡＣ８１ｃ，ＰｌｐＤＡＣ８１ｄの応答速度は高速でなくともよい。したがって、高速ＤＡＣの実現が困難な場合などに有効である。
また、出力電流Ｉ０ｂとＩ１ａは同じ電流を出力するのでこれらのＤＡＣを共通化してもよい。
さらに、ＰｒＤＡＣ８０ａは再生時に、ＰｅＤＡＣ８０ｂ，ＰｂＤＡＣ８０ｃ，ＰｃｌＤＡＣ８０ｄは記録時に使用するものであるので、ＰｒＤＡＣ８０ａをＰｅＤＡＣ８０ｂ，ＰｂＤＡＣ８０ｃ，ＰｃｌＤＡＣ８０ｄのうちの１つと共通化してもよい。
【００６４】
図１１は、図３に示した変調部２３のさらに他の構成例を示すブロック図である。図１２は図１１の各部の出力信号を示す波形図である。
図１１に示すように、シーケンサ２１からは変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨに加え、加算データｅｘＤａｔａＬとｅｘＤａｔａＨが供給される。これらの加算データもステートマシンＳＭａとＳＭｂに従って出力される。
Ｐｂ＋ＤＡＣ９０，ＰｂＤＡＣ９１，Ｐｔ＋ＤＡＣ９２，ＰｔＤＡＣ９３はそれらのデータに基づいて電流を出力する。
加算器９４と９５はそれぞれ、Ｐｂ＋ＤＡＣ９０とＰｂＤＡＣ９１の出力電流の加算、Ｐｔ＋ＤＡＣ９２とＰｔＤＡＣ９３の出力電流の加算を行い、それぞれ電流Ｉ０とＩ１を出力する。
【００６５】
スイッチ９６は、変調信号ＭＯＤに従って出力電流Ｉ０とＩ１を選択してＬＤ変調電流Ｉｍｏｄを出力する。また、スケールＤＡＣ４３は図３と同様にしてＰｂ＋ＤＡＣ９０，ＰｂＤＡＣ９１，Ｐｔ＋ＤＡＣ９２，ＰｔＤＡＣ９３のフルスケールを決める。
Ｐｂ＋ＤＡＣ９０とＰｔ＋ＤＡＣ９２は加算分を出力するだけなのでダイナミックレンジを大きくとる必要はなく、そのフルスケールをＰｂＤＡＣとＰｔＤＡＣ９３のフルスケールより小さくし、加算データビット数を低減してもよい。このようにすればデータを保持しておくレジスタのビット数を低減できる。
【００６６】
［電流駆動部］
電流駆動部２５は、電流加算部２４から供給される電流を増幅して光源ＬＤ１あるいは光源ＬＤ２の駆動電流ＩＬＤを供給する。
スイッチ４４は選択信号ＩｏｕｔＳｅｌに従って、入力電流を電流アンプ４５あるいは４６へ供給する。
電流アンプ４５及び４６は、スイッチ４４から供給される電流を所定の増幅率Ａｉで増幅して、光源ＬＤ１あるいは光源ＬＤ２に駆動電流ＩＬＤを供給する。したがって、この時、ＬＤ駆動電流ＩＬＤは次の数４に示す式に基づく演算によって得られる。
【００６７】
【数４】
ＩＬＤ＝Ａｉ＊（Ｉｂｉａｓ＋Ｉｍｏｄ−Ｉｈｆｍｏｆｓ）
【００６８】
但し、Ｉｈｆｍｏｆｓは高周波重畳を行わない時は０となる。また、オフセット電流Ｉｈｆｍｏｆｓを高周波重畳時にオフ、高周波重畳を行わない時に加算するようにしてもよい。
また、Ｉｂ＝Ａｉ＊（Ｉｂｉａｓ−Ｉｈｆｍｏｆｓ），Ｉｍ＝Ａｉ＊Ｉｍｏｄとし、図８に示したように、Ｉｂが閾値電流Ｉｔｈと等しくなるように制御されれば、Ｉｍすなわち変調電流Ｉｍｏｄは光波形に比例した波形になる。
なお、本実施形態では光源ＬＤ１とＬＤ２を同時に照射することは想定していない。
【００６９】
以上からわかるように、光源ＬＤの光変調波形のパルス幅は変調信号ＷＳＰのみによって決まり、ＬＤ変調信号生成部１０の出力の二つの信号間（ＷＳＰ，ＳＴＥＮ）にスキューがあっても光波形には影響を及ぼさず、正確な記録マークが形成できる。
したがって、ＬＤ変調信号生成部１０はＬＤ駆動部１２とは異なる集積回路で構成してもよく、それぞれ要望される回路特性にあった半導体プロセスを選択できるようになり、コスト・性能に見合った装置を構成することができる。
すなわち、ＬＤ変調信号生成部では高速動作及び高集積化が求められるために微細なＣＭＯＳプロセスが好適である。
【００７０】
一方、ＬＤドライバには、１〜数Ｖ程度の動作電圧を持つＬＤが接続されるため、高耐圧プロセス（例えば、５Ｖや３．３Ｖなど）が要求される。
通常、微細なＣＭＯＳプロセスでは高耐圧にすることは困難である（例えば、０．１８μｍＣＭＯＳプロセスでは１．８Ｖ程度の耐圧しかない）が、本実施形態によれば、それぞれを好適なプロセスで構成できるようになる。
【００７１】
［ＰＤアンプ部］
ＰＤアンプ部２６は、光源の出射光の一部をモニタするモニタ受光部からのモニタ受光信号を入力してオフセット調整及びゲイン調整を行う。
モニタ受光部には、受光素子単体（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｄｅｔｅｃｔｏｒなど）でモニタ受光信号が電流として出力されるタイプのものと、電流電圧変換器を内蔵し、モニタ受光信号が電圧として出力されるタイプのものがある。
本実施形態ではどちらのタイプでも対応可能としており、ＭＵＸ４８で選択する。つまり、電流出力型の場合は入力されるモニタ受光信号が電流電圧変換器（Ｉ／Ｖ）４７で電圧に変換したものを、電圧出力型の場合は電流電圧変換器４７を経由しない信号を選択する。
【００７２】
加算器５０はモニタ受光信号のオフセット調整をするものであり、オフセットＤＡＣ（ＯｆｆｓｅｔＤＡＣ）４９から供給されるオフセット電圧を加減算する。
ゲイン切換えアンプ（Ｘ１／Ｘ４／Ｘ８／Ｘ１６ＡＭＰ）５１は、オフセット調整したモニタ受光信号をゲイン切換え信号ＰＤＧａｉｎに従ってゲインを切り換え（例えば、１／４／８／１６倍の４段階切換え）てゲイン調整を行う。
一般に再生光量と記録光量とは大きく異なるので、記録／再生時でゲインを切り換えるようにするとよい。
ＰＤの受光電流Ｉｐｄは、光源ＬＤの出射光Ｐｏに対する光利用効率をα、受光部ＰＤの受光感度をＳとすると、次の数５に示す式に基づく演算によって得られる。
【００７３】
【数５】
Ｉｐｄ＝α・Ｓ・Ｐｏ
【００７４】
また、電流電圧変換器（４７あるいはモニタ受光部内蔵のもの）の変換ゲインをＧｉｖ、ゲイン切換えアンプ５１のゲインをＧｐｄとすると、モニタ信号Ｉｍｏｎは、次の数６に示す式に基づく演算によって得られる。
【００７５】
【数６】
Ｉｍｏｎ＝Ｇｐｄ・Ｇｉｖ・Ｉｐｄ＝Ｇｐｄ・Ｋｐｄ・Ｐｏ
【００７６】
ここで、Ｋｐｄ＝Ｇｉｖ・α・Ｓとなる。なお、オフセットＤＡＣ４９から供給されるオフセット電圧は便宜上省略した。
また、光源ＬＤ１とＬＤ２の出射光をモニタするモニタ受光部を別個に設ける場合は、ＰＤアンプ部２６の入力を２つ設け、それぞれにモニタ受光部から供給されるモニタ受光信号を入力し、照射している光源ＬＤに対応するモニタ受光信号を選択するようにすればよい。
【００７７】
［バイアス電流制御部］
バイアス電流制御部２７は、ＰＤアンプ部２６から供給されるモニタ信号Ｉｍｏｎがシーケンサ２１から供給される目標レベル信号Ｄｔａｒｇｅｔから生成される基準信号Ｉｔａｒｇｅｔと一致するようにバイアス電流Ｉａｐｃを制御する。本実施形態では次の三通りの制御方法から選択できる。
【００７８】
（１）平均値制御方法
二つの目標レベル信号Ｄｔａｒｇｅｔには変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨと同じデータを供給し、Ｐ−ＢＤＡＣ５２とＰ−ＰＤＡＣ５３とスイッチ５４とで発光量に比例した基準信号Ｉｔａｒｇｅｔを生成する。
Ｐ−ＢＤＡＣ５２，Ｐ−ＰＤＡＣ５３及びスイッチ５４の動作は、それぞれＰｂＤＡＣ４０，ＰｔｐＤＡＣ４１及びスイッチ４２の動作と同様である。
ここで、出射光量Ｐｏと基準信号Ｉｔａｒｇｅｔとの比例係数をＫとすると、次の数７に示す関係が得られる。
【００７９】
【数７】
Ｉｔａｒｇｅｔ＝Ｋ・Ｐｏ
【００８０】
また、この比例係数ＫはバイアススケールＤＡＣ（ＢＳｃａｌｅＤＡＣ）７０によってＰ−ＢＤＡＣ５２とＰ−ＰＤＡＣ５３のスケールを設定することによって決定され、予めＫ＝Ｋｐｄになるように設定する。Ｋｐｄは使用する受光部ＰＤの光源ＬＤの出射光Ｐｏに対する光利用効率α，受光感度Ｓのバラツキによって変わるので、初期調整時にこの設定を行うとよい。また、ゲイン切換えアンプ５１のゲインＧｐｄに合わせてバイアススケール設定値ＢｉａｓＳｃａｌｅを変更する。
そして、この基準信号Ｉｔａｒｇｅｔが目標出射光量を示すことになるので、出射光量をモニタしているモニタ信号Ｉｍｏｎが基準信号Ｉｔａｒｇｅｔと一致するようにすればＬＤを目標照射光量で照射させることができる。
【００８１】
誤差アンプ５５は、基準信号Ｉｔａｒｇｅｔとモニタ信号Ｉｍｏｎとの差分信号を増幅して次段に供給する。
Ｓ／Ｈ積分器（Ｓ／ＨＩｎｔｅｇ．）５６は、誤差アンプ５５から供給される増幅された差分信号を積分してバイアス電流Ｉａｐｃを出力する。Ｓ／Ｈ積分器５６は、この制御方法の場合は常に積分動作を行う。
また、ＳＲＳｅｌ信号によって制御速度を変更することができる。これは積分器への充放電電流（例えば、誤差アンプ５５の出力電流）を変更することによって行う。これにより、記録／再生時にそれぞれ制御速度を最適値に設定することが可能となる。また、Ｒ−Ｃｏｎｔは充放電電流の設定可能範囲を設定する。
【００８２】
図１４は、上記バイアス電流制御部２７の動作説明に供する各信号波形の一例を示す図である。同図の（ａ）は発光波形である光波形であり、（ｂ）はモニタ信号Ｉｍｏｎである。使用する受光部ＰＤによって帯域制限を受けているものとする。また、図中の破線部は平均レベルを示す。
同図に示すように、照射パワーやデューティを変化させると平均レベルが変動する。この場合、従来のように予め算出した所定の平均値との誤差制御を行う方法では正確な制御ができなくなる。
また、同図の（ｃ）は基準信号Ｉｔａｒｇｅｔであり、上述したように照射波形に比例した波形になる。その破線部はバイアス制御帯域での信号である。
このように照射波形に比例した基準信号を生成し、これを誤差制御に用いることにより、照射パワーやデューティ変化によって平均レベルが変動する場合でも正確なバイアス制御ができる。
【００８３】
（２）サンプルホールド制御方法
Ｓ／Ｈ積分器５６は、ＡｐｃＳｍｐ信号によってサンプル時（例えば、ＡｐｃＳｍｐ＝Ｈｉｇｈとする）には積分動作を行ってバイアス電流制御を行い、ホールド時には制御値であるバイアス電流Ｉａｐｃをホールドする。
したがって、ホールド時は誤差アンプ５５の出力を積分しないので、誤差アンプ５５の回路オフセットによる制御値のドリフトなどを低減できる。
また、基準信号Ｉｔａｒｇｅｔの生成は上述と同様にしてもよいが、サンプル時の目標照射パワーに相当する一定の基準信号Ｉｔａｒｇｅｔとしてもよい。
本実施形態ではＡｐｃＳｍｐ信号の生成はシーケンサ２１で行い、ＬＤ変調信号とステート信号によって生成する（ステートマシンにより制御する）。
【００８４】
この波形例を図４の（ｉ）に示す。
ＡｐｃＳｍｐ信号はハイ（Ｈｉｇｈ）がサンプル期間を、ロー（Ｌｏｗ）がホールド期間をそれぞれ示す。ＡｐｃＳｍｐ信号の立上りは、ステートｓｔａｔｅ０＝ＳＰｅの時、ステート信号ＳＴＥＮ２＝ロー（Ｌｏｗ）でＬＤ変調信号ＷＳＰの立上りに同期する。また、立下りは次のＬＤ変調信号ＷＳＰの立上りで行う（ステートｓｔａｔｅ０＝ＳＰｅ，ステート信号ＳＴＥＮ２＝Ｈｉｇｈ）。このようにすれば、信号線を新たに追加する必要がない。その他は（１）の制御方法と同様の動作を行う。
【００８５】
（３）ＡＣＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｏｎｔｒｏｌ）制御方法
本実施形態ではＡＰＣ制御を行わず、ＡＣＣ制御を行うこともできる。
誤差アンプ５５をバイパスして、ＡＣＣデータに従ったＰ−ＢＤＡＣ５２の出力をバイアス電流Ｉａｐｃとして出力する。その際、Ｓ／Ｈ積分器５６にＰ−ＢＤＡＣ５２の出力をホールドしておくと、このモードから他の制御モード（上記（１）または（２））に移行する際、積分器の初期値がホールドしていたＡＣＣデータになるので、バイアス電流が不連続とならず、切り換わり時に光源ＬＤが過剰発光したり、消灯したりするのを防ぐことができる。
【００８６】
逆に、ＡＰＣ制御モードからこのＡＣＣモードに切り換える際には、バイアス電流Ｉａｐｃの値をモニタして取得しておき、それをＡＣＣデータとして設定しておけばよい。その制御モードへの切り換えはＡＣＣＳｅｌ信号によって指示する。
本実施形態では、上記バイアス電流制御部２７を用いず、外部からバイアス電流Ｉｅｘｔを印加することも可能にしている。図示は省くが、このとき前述したのと同様に外部バイアス電流ＩｅｘｔをＳ／Ｈ積分器５６にホールドしておくと、内部のバイアス電流制御部２７に切り換える際に移行を確実にかつ速やかに行える。
【００８７】
図７は、図３に示したバイアス電流制御部２７の他の構成例を示すブロック図である。
目標レベル信号Ｄｔａｒｇｅｔ２は前述の変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨを変調信号ＭＯＤでスイッチングして生成したデータであり、バイアスＤＡＣ（ＢｉａｓＤＡＣ）７１によって発光量の平均値である基準信号Ｉｔａｒｇｅｔを生成する。
バイアスＤＡＣ７１は発光量の平均値を生成するのが目的であるので、変調部２３のＰｂＤＡＣ４０，ＰｔｐＤＡＣ４１ほどの高速動作は必要ない。
この実施形態によれば、基準信号Ｉｔａｒｇｅｔ生成部の構成を簡便化でき、ＤＡＣの応答速度も低減できるので、チップサイズや消費電流の低減を図ることができる。
その他のブロックは図３に示したものと同様の動作をし、制御方法も上記（１）〜（３）が同様に適用できる。
【００８８】
［微分量子効率制御部］
微分量子効率制御部２８は、駆動している光源ＬＤ（光源ＬＤ１または光源ＬＤ２）の微分量子効率ηを検出してその検出結果に応じてＬＤ変調電流のスケールＳｃａｌｅを制御する。これは所定の２点間の照射光量の差分を検出して基準値ηｔａｒｇｅｔと比較し、その比較結果に基づいてスケールＳａｃｌｅ値を増減することによって行う。
サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）５７は、基準となる照射光量時（Ｐ１とする）のモニタ信号ＩｍｏｎをＥｔａＳｍｐ信号に従ってサンプル／ホールドする。差分器５８は、サンプルホールド回路５７の出力とモニタ信号Ｉｍｏｎとの差分信号を生成する。
【００８９】
ｅｔａｒｅｆＤＡＣ５９は、基準値ηｔａｒｇｅｔを出力する。
比較器（Ｃｏｍｐ）６１は、差分器５８の出力と基準値ηｔａｒｇｅｔとを比較し、差分器５８の出力が基準値ηｔａｒｇｅｔより小さかったらＵｐ信号を、大きかったらＤｏｗｎ信号をカウンタ（Ｃｏｕｎｔ）６２へ出力する。
この比較器６１の比較タイミングはＣｏｍｐＣＫ信号に従って行われ、ＣｏｍｐＣＫ信号の立上りで比較開始する。
カウンタ６２は、比較器６１の出力する比較結果Ｕｐ／Ｄｏｗｎ信号によってカウンタ値を増減する。そのカウンタ値の更新はＣｏｍｐＣＫ信号の立下りで行う。このカウント値をＳｃａｌｅ信号として変調部２３へ供給し、そのＳｃａｌｅ信号の増減に併せて発光量も増減する。カウンタ６２の初期値には、ＰＳｃａｌｅ（記録時初期値）あるいはＲＳｃａｌｅ（再生時初期値）が設定される。
【００９０】
また、図示は省くがカウント値を平均化する手段を設け、カウント値の移動平均値をＳｃａｌｅ信号にしてもよい。このように、平均化することによって制御値（Ｓｃａｌｅ）の発振を防止できる。さらに、比較器６１に不感帯を設け、両者がほぼ一致するときはＵｐ／Ｄｏｗｎ信号のどちらも出力しないようにしても同様の効果が得られる。
また、ｅｔａｒｅｆＤＡＣ５９のフルスケールは、バイアススケールＤＡＣ７０によって設定される。光源ＬＤの出射光量Ｐｏとモニタ信号Ｉｍｏｎとの関係式は上述の数６で表され、係数Ｋｐｄは使用する受光部ＰＤの光源ＬＤの出射光Ｐｏに対する光利用効率α及び受光感度Ｓのバラツキによって変化する。
【００９１】
つまり、基準値ηｔａｒｇｅｔも装置毎にばらつくが、バイアススケールＤＡＣ７０によってｅｔａｒｅｆＤＡＣ５９のフルスケールを調整することによってバラツキを吸収することができる。したがって、当然係数Ｋｐｄに合わせて基準値ηｔａｒｇｅｔを算出・設定してもよい。
なお、バイアススケールＤＡＣ７０は上述のようにバイアス電流制御部２７の基準信号Ｉｔａｒｇｅｔを調整するものでもあるので、共通に調整でき、調整工程が簡略化できる。
【００９２】
次に、微分量子効率制御方法の一例を説明する。
相変化型記録媒体への記録動作中の制御方法を、図４の波形図に基づいて説明する。
この制御方法は、図４の（ｃ）光波形のようにロングスペース中に所定期間η検出用パワーＰ２で発光させ（破線部（Ｂ））、この期間にＳ／Ｈ回路５７でサンプルする（サンプル信号は（ｊ）のＥｔａＳｍｐ）。
また、その後のイレースパワーＰ１の照射中に比較器６１で基準値との比較を行う（同図の（ｋ）ＣｏｍｐＣＫ）。つまりＰ１とＰ２との差分から微分量子効率ηを検出する。
このη検出用パワーＰ２は、使用する情報記録媒体の種類やイレースパワーＰ１に応じて適宜決めればよく、上記イレースパワーＰ１とη検出用パワーＰ２の差分に応じて基準値ηｔａｒｇｅｔを変更するとよい。また、本実施形態ではＰ１をイレースパワーにしたが、他の照射レベルを用いるようにしてもよい。
【００９３】
通常、ＣＤ−ＲＷなどの相変化型記録媒体はイレースパワーの多少の変動に対しては記録特性をほとんど悪化させない。
また、微分量子効率の変動は温度変化によるものが主因なので、この制御帯域は遅くてもよく、この特殊パワーＰ２での発光頻度も少なくてよいので、この制御方法による記録性能への悪影響はない。
さらに、記録開始直後などのようにＳｃａｌｅの初期値ＰＳｃａｌｅがずれている可能性がある場合のみ、サンプル頻度を増やして制御速度を上げてもよい。このようにすれば、記録性能に影響与えることなく、微分量子効率の変動を自動的に制御し、所望の光量でＬＤを発光させることができる。
【００９４】
また、この制御信号であるＥｔａＳｍｐ信号及びＣｏｍｐＣＫ信号はシーケンサ２１において、ＬＤ変調信号及びステート信号から生成できる。
以下に生成方法を説明する。
まず、ＬＤ変調信号（ＷＳＰ信号）、ステート信号（ＳＴＥＮ信号）は所望のη検出用パワーＰ２の発光タイミングに合わせて、図４の一点鎖線枠（Ｃ）で囲んだ部分のような信号を生成する。
（ｅ−２）ＳＴＥＮ２信号はＷＳＰ信号とＳＴＥＮ信号から生成され、同様に破線のようになる。このときシーケンサ２１のステートマシンＳＭａとＳＭｂは以下に示す状態遷移を行う。
【００９５】
｛ステートマシンＳＭａ｝
状態ＳＰｅの時、ステート信号ＳＴＥＮ２＝ロー（Ｌｏｗ）かつＬＤ変調信号ＷＳＰ↑（「↑」は立上りエッジを表す）ならば（時刻ｔ１３）、状態ＳＰｃｌに遷移する。この時、最終ボトムパルスパワーＰｃｌに対応した変調データは所定期間η検出用パワーＰ２（＝Ｐｅｔａ）のものを出力する。
つまり、この状態（Ｐｅｔａ）でＬＤ変調信号ＷＳＰ＝ロー（Ｌｏｗ）のときに所定期間η検出用パワーＰ２で発光する。
また、これに合わせＥｔａＳｍｐ信号をハイ（Ｈｉｇｈ）（サンプル）とする。そして、次のＬＤ変調信号ＷＳＰ↑で状態ＳＰｅに戻る（時刻ｔ１５）。
また、この状態への遷移に合わせてＣｏｍｐＣＫをハイ（Ｈｉｇｈ）とし、次に状態ＳＰｂに遷移する時にロー（Ｌｏｗ）とする。以降は通常と同じである。
【００９６】
｛ステートマシンＳＭｂ｝
時刻ｔ１２でのＬＤ変調信号ＷＳＰ↓（「↓」は立下りエッジを表す）ではステート信号ＳＴＥＮ＝ロー（Ｌｏｗ）なので、状態ＳＰｅに留まる。時刻ｔ１４でも同様である。時刻ｔ１６でのＬＤ変調信号ＷＳＰ↓にはステート信号ＳＴＥＮ＝ハイ（Ｈｉｇｈ）であるので状態Ｐｔｐに遷移する。以降は通常と同じである。
【００９７】
［高周波変調部］
一般に、光ディスク装置では情報媒体からの戻り光による光源のノイズを抑制するため、再生時には高周波信号で変調を行う、いわゆる高周波重畳を行っている。
高周波変調部３０は、高周波重畳信号ＨＦＭＯＤと高周波重畳時にバイアス電流に印加するオフセット電流Ｉｈｆｍｏｆｓを生成する。
また、本実施形態では高周波変調自体は変調部２３を利用して行うので、高周波重畳時の変調部２３の動作も併せて説明する。
ＶＣＯ６４は、ＦｒｅｑＤＡＣ６３の出力する周波数設定信号に従った周波数の信号ＨＦＭＯＤを発生させる発振器である。
【００９８】
ＭＵＸ６５はＨＦ−ＯＮ信号に従って、この高周波重畳信号ＨＦＭＯＤとシーケンサ２１の出力する変調信号ＭＯＤとを選択出力し、変調部２３に供給する。
ここでは高周波重畳時について説明するのでＨＦＭＯＤ信号が選択されるものとする。
また、ＨＦＢＤＡＣ６６及びバッファアンプ６７で付加するオフセット電流Ｉｈｆｍｏｆｓを生成し、スイッチ６８で印加の有無を設定する。さらに、ＶＣＯ６４は高周波重畳を行わない時（ＨＦ−ＯＮにより指示）は、発振を停止させるようにしておくと不必要な電力消費を抑制できる。
変調部２３は高周波重畳時は以下の動作をする。
【００９９】
変調データＤｍｏｄＬとＤｍｏｄＨにはそれぞれボトムレベルとトップレベルに対応したデータを与え、ＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１はそれぞれＩｂｔｍとＩｔｏｐを出力する。この変調データを変更することによって変調度を変更できる。
そして、スイッチ４２で高周波重畳信号ＨＦＭＯＤに従って変調電流Ｉｍｏｄを生成する。
【０１００】
ＬＤ駆動電流は上記数４に示した式に基づく演算によって得られ、光変調波形は図９に示す線図のようになる（図９では、便宜上電流駆動部の増幅率Ａｉは省略している）。そして、平均光量Ｐａｖｇが目標光量Ｐｔａｒｇｅｔになるようにバイアス電流が制御される。
また、上述の説明と同等にＰｂＤＡＣ４０とＰｔｐＤＡＣ４１のフルスケールはＳｃａｌｅ信号によって設定され、再生中は微分量子効率制御部２８による制御動作は行わないとすると、再生時のＳｃａｌｅ信号の初期値ＲＳｃａｌｅが一定に与えられる。
【０１０１】
［ＤＣ／ＤＣコンバータ］
ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、ＬＤ駆動集積回路１に供給される電源電圧から集積回路の内部電源電圧に変換して各部へ供給する。また内部電源電圧値はＰｗｒＲｅｇ信号によって設定される。
ＬＤ駆動集積回路１を高速動作させるには、Ｃ−ＭＯＳ微細プロセスで実現し、そのプロセスの許容電圧付近で動作させることが望ましい。
また、駆動する光源ＬＤは、通常２〜３Ｖの動作電圧を有し、ＬＤ駆動部には３〜４Ｖの電源電圧が最適である。これよりも大きいと消費電力が増大し、発熱も大きくなるからである。
これらの条件を満足するためには、例えば０．３５ｕｍのＣ−ＭＯＳプロセスを用いて３〜４Ｖの電源電圧で動作させるようにするとよい。
【０１０２】
しかし、情報記録再生装置としてはこの最適電圧が供給されていない場合がある（例えば５Ｖと１２Ｖのみ供給されている）。そのため、別途電圧変換して生成し供給する必要があるが、ＦＣＰ基板を介して供給する電源供給線が増加してしまう。また、ピックアップ部に電圧変換部を設けるには小型化の望まれるピックアップとしてはスペース的に困難である。
一方、動作速度は遅いが５Ｖ耐圧トランジスタを搭載するにはコストアップ無しに容易に可能であり、電圧変換部を構成するにはこのトランジスタで十分である。
【０１０３】
したがって、本実施形態のように電圧変換部（ＤＣ／ＤＣコンバータ３２）をＬＤ駆動集積回路１に内蔵することによって上記課題を解決できる。
さらに、電圧変換部として、ＤＣ／ＤＣコンバータ（いわゆるスイッチングレギュレータ）を用いれば、変換損失を低くすることができ、消費電力及び発熱量を低減することができる。
また、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２はＰｗｒＲｅｇ信号によって内部電源電圧値を設定可能にしているので、最適な電源電圧に設定することができる。
ＤＣ／ＤＣコンバータ３１は、外部との入出力インタフェース用の電圧変換部である。これにより、ＦＰＣ基板の電源供給線を増やすことなく様々なインタフェース電圧に対応することができる。
【０１０４】
上記説明では図４の（ｃ）の光波形を出力する場合の動作について説明したが、ステート信号ＳＴＥＮや設定値などを変更すれば他の光波形を出力することができる。図１０は、その他の出力信号の一例を示す波形図である。
図１０に示すように、記録マークの後でエッジ位置制御を行うのに、最終パルスパワーＰｌｐ及びクーリングパルスパワーＰｃｌの制御を付加するのではなく、イレースの先頭パワーＰｅｐ（図１０の破線部（ｉｖ））制御をパルス幅制御に付加する方法を実現するものである。
ＬＤ変調信号ＷＳＰ，ステート信号ＳＴＥＮは同図のように与えられる。
図４の場合と異なるのはステート信号ＳＴＥＮの立下りタイミングのみである。また、ステートマシンＳＭａとＳＭｂも遷移条件を一部変更するだけで対応可能である。
【０１０５】
したがって、遷移条件に光波形モード設定による条件を追加しておけばよい。つまり、図５のステートマシンＳＭａにおいて、光波形モードにより（ａ）または（ｂ）の遷移を行うようにすればよい。なお、状態ＳＰｌｐには照射パワーＰｅｐが対応する。
このように、ステートマシンの各状態に対応する照射パワーや、遷移条件を変更すれば様々な光波形を発生させることができる。
【０１０８】
次に、上記実施形態におけるこの発明の各請求項の構成要件に係わる部分を明記する。
（１）この発明の請求項１に係わる部分
図３に示す微分量子効率制御部２８が上記微分量子効率検出手段に、同じく図３に示す変調部２３が上記変調手段にそれぞれ相当する。また、図３に示すＰ−ＢＤＡＣ５２とＰ−ＰＤＡＣ５３とスイッチ５４，又は図７に示すＢｉａｓＤＡＣ７１が上記目標値生成手段に、図３又は図７に示すバイアス電流制御部２７が上記バイアス制御手段に、図３に示す電流加算部２４及び電流駆動部２５が上記電流駆動手段にそれぞれ相当する。
図３に示す差分器５８が上記差分検出手段に、同じく図３に示す比較器６１が上記比較手段に、同じく図３に示すカウンタ６２が上記スケール信号生成手段にそれぞれ相当する。
上記段落番号［００９２］の記載内容がその説明である。
上記のように構成することにより、光量制御を正確に行うことができる。
また、光量制御を簡便な構成で正確に行うことができる。
さらに、微分量子効率を算出する二点の照射レベルを記録波形に応じて自由に設定することができ、例えば記録特性になるべく悪影響の無いように検出照射レベルを決定することができる。
【０１０９】
（２）この発明の請求項２に係わる部分
上記段落番号［００９０］の記載内容がその説明である。
上記のように構成することにより、制御値の発振を防止することができる。
（３）この発明の請求項３に係わる部分
図３に示すバイアススケールＤＡＣ７０，Ｐ−ＢＤＡＣ５２とＰ−ＰＤＡＣ５３にその出力に基づいてフルスケールを変更する機能を付加したものが、上記発光目標値増幅手段に相当する。
上記のように構成することにより、使用する受光素子の特性や配置などにばらつきがあっても、正確な発光目標値を得ることができ、また変調データ自体は装置毎に変更する必要はなく、発光目標値の調整を容易に行うことができる。
【０１１０】
（４）この発明の請求項４に係わる部分
図３に示すバイアススケールＤＡＣ７０及びｅｔａｒｅｆＤＡＣ５９にその出力に基づいてフルスケールを変更する機能を付加したものが、上記スケール信号変更手段に相当する。
上記のように構成することにより、使用する受光素子の特性や配置などにばらつきがあっても正確な比較基準値を得ることができ、また、比較基準値の調整を容易に行うことができる。
（５）この発明の請求項５に係わる部分
上記段落番号［００９１］の記載内容がその説明である。
上記のように構成することにより、一度の調整で済み、調整工程を簡素化することができる。
（６）この発明の請求項６に係わる部分
図３に示すゲイン切換えアンプ５１が上記ゲイン切換えアンプに相当する。
上記のように構成することにより、記録／再生時のように照射光量、つまりモニタ受光信号が大きく異なる場合でも、ゲイン切換えによって同程度の信号レベルにできるので、構成回路の実現が容易になる。
（７）この発明の請求項７に係わる部分
図示を省略したが、上記段落番号［００８１］の記載内容がその説明である。
上記のように構成することにより、記録／再生などのモード毎に制御速度を最適値に設定することが可能になる。
【０１１１】
【発明の効果】
以上説明してきたように、この発明の光情報記録装置によれば、マルチパルス部のデューティ比が変化しても正確に照射光量の制御を行い、また、微分量子効率変動を自動的に補正して駆動電流を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の光源駆動装置を適用する情報記録再生装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した信号処理部１０４の内部構成を示すブロック図である。
【図３】図２に示したＬＤ制御部９及びＬＤ駆動部１２が集積化されたＬＤ駆動集積回路１の構成図である。
【図４】図３に示したＬＤ駆動集積回路１の各部の出力信号の一例を示す波形図である。
【図５】図３に示したシーケンサ２１の状態遷移図である。
【図６】図３に示した変調部２３の他の構成例を示すブロック図である。
【図７】図３に示したバイアス電流制御部２７の他の構成例を示すブロック図である。
【図８】駆動電流−光出力特性の一例を示す線図である。
【図９】光変調波形の一例を示す線図である。
【図１０】図３に示したＬＤ駆動集積回路１の各部の出力信号の他の例を示す波形図である。
【図１１】図３に示した変調部２３のさらに他の構成例を示すブロック図である。
【図１２】図１１に示した変調部２３の各部の出力信号を示す波形図である。
【図１３】ＬＤ駆動電流のスイッチタイミングのずれに基づく光波形の乱れの説明に供する線図である。
【図１４】図３に示したバイアス電流制御部２７の動作説明に供する各信号波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
１：ＬＤ駆動集積回路 ２：受光信号処理部
４：ＲＦ選択部 ６：ウォブル信号生成部
９：ＬＤ制御部 １０：ＬＤ変調信号生成部
１２：ＬＤ駆動部 １３：サーボ信号演算処理部
１４：サーボプロセッサ １５：ウォブル信号処理部
１６：ＲＦ信号処理部／ＰＬＬ部
１７：ＷＣＫ生成部 １８：回転制御部
１９：コントローラ ２０：サーボドライバ
２１：シーケンサ（Ｓｅｑｕｅｎｃｅｒ）
２２：コマンドデコーダ（ＣＭＤＤｅｃｏｒｄｅｒ）
２３：変調部（Ｄａｔａ−Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）
２４：電流加算部 ２５：電流駆動部
２６：ＰＤアンプ部（ＰＤ−ＡＭＰ）
２７：バイアス電流制御部（Ｂｉａｓ−Ｃｏｎｔｒｏｌ）
２８：微分量子効率制御部（η−Ｃｏｎｔｒｏｌ）
２９：バイアス電流選択部（ＭＵＸ）
３０：高周波変調部（ＨＦ−Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）
３１，３２：ＤＣ／ＤＣコンバータ
３３：制御部
４０：ＰｂＤＡＣ ４１：ＰｔｐＤＡＣ
４２，４４，５４，９６：スイッチ
４３：スケールＤＡＣ（ＳｃａｌｅＤＡＣ）
４５，４６：電流アンプ ４７：電流電圧変換器（Ｉ／Ｖ）
４８，６５：ＭＵＸ
４９：オフセットＤＡＣ（ＯｆｆｓｅｔＤＡＣ）
５０：加算器
５１：ゲイン切換えアンプ（Ｘ１／Ｘ４／Ｘ８／Ｘ１６ＡＭＰ）
５２：Ｐ−ＢＤＡＣ ５３：Ｐ−ＰＤＡＣ
５５：誤差アンプ
５６：Ｓ／Ｈ積分器（Ｓ／ＨＩｎｔｅｇ．）
５７：サンプルホールド回路（Ｓ／Ｈ）
５８：差分器 ５９：ｅｔａｒｅｆＤＡＣ
６１：比較器（Ｃｏｍｐ） ６２：カウンタ（Ｃｏｕｎｔ）
６３：ＦｒｅｑＤＡＣ ６４：ＶＣＯ
６５：ＭＵＸ
６６：ＨＦＢＤＡＣ ６７：バッファアンプ
７０：バイアススケールＤＡＣ（ＢＳｃａｌｅＤＡＣ）
７１：バイアスＤＡＣ（ＢｉａｓＤＡＣ）
８０ａ：ＰｒＤＡＣ ８０ｂ：ＰｅＤＡＣ
８０ｃ：ＰｂＤＡＣ ８０ｄ：ＰｃｌＤＡＣ
８１ａ：ＰｅＤＡＣ ８１ｂ：ＰｔｐＤＡＣ
８１ｃ：ＰｍｐＤＡＣ ８１ｄ：ＰｌｐＤＡＣ
Ｉ０，Ｉ０ａ〜Ｉ０ｄ，Ｉ１，Ｉ１ａ〜Ｉ１ｄ：電流
８２，８３，８４：スイッチ
９０：Ｐｂ＋ＤＡＣ ９１：ＰｂＤＡＣ
９２：Ｐｔ＋ＤＡＣ ９３：ＰｔＤＡＣ
９４，９５：加算器 ＩＬＤ：駆動電流
１００：情報記録媒体 １０１：ピックアップ
１０２：光源（ＬＤ） １０３：受光部
１０４：信号処理部 １０５：回転駆動部
１０６：コントローラ ＩｏｕｔＳｅｌ：選択信号
ＰＤ１〜ＰＤ５：受光部 ＬＤ１，ＬＤ２：光源

Claims (7)

1. 光源から発生させた光を情報記録媒体に照射して記録マークの形成を行う光情報記録装置において、前記光源の微分量子効率を検出してスケール信号を出力する微分量子効率検出手段と、変調データに基づいて変調波形信号を生成するものであって、前記スケール信号に基づいて前記変調波形信号のスケールを変更する変調手段と、前記変調データに基づいて前記変調波形信号の平均値を生成して発光目標値にする目標値生成手段と、前記光源の出射光量の一部を受光素子でモニタして生成するモニタ受光信号と前記発光目標値とが一致するようにバイアス電流を制御するバイアス制御手段と、前記変調手段によって生成された変調波形信号の出力電流と前記バイアス電流との和を増幅して前記光源の駆動電流とする電流駆動手段とを備え、
   前記微分量子効率検出手段が、所定の二つの前記光源の照射レベル間の前記モニタ受光信号の差を検出する差分検出手段と、予め設定された比較基準値と前記差分検出手段によって検出された差とを比較する比較手段と、該比較手段の比較結果に基づいて前記スケール信号の増減を行うスケール信号生成手段とからなり、
   前記モニタ受光信号の差を検出する所定の二つの照射レベルが適宜変更されるものであって、前記比較基準値が変更された二つの照射レベル差に基づいて変更されるようにしたことを特徴とする光情報記録装置。
2. 請求項１記載の光情報記録装置において、前記スケール信号生成手段が、前記比較手段の比較結果に基づいて増減を行った値を平均化してスケール信号として出力する手段であることを特徴とする光情報記録装置。
3. 請求項１記載の光情報記録装置において、前記発光目標値を増幅する発光目標値増幅手段を設け、該発光目標値増幅手段による増幅の際の増幅率を前記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて予め調整するようにしたことを特徴とする光源駆動装置。
4. 請求項１記載の光情報記録装置において、前記比較基準値のスケール信号を変更するスケール信号変更手段を設け、該スケール信号変更手段によって変更されるスケール信号を前記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて予め調整するようにしたことを特徴とする光源駆動装置。
5. 請求項１記載の光情報記録装置において、前記比較基準値のスケール信号を変更するスケール信号変更手段と、前記発光目標値を増幅する発光目標値増幅手段とを設け、前記スケール信号変更手段によって変更されるスケール信号及び前記発光目標値増幅手段による増幅の際の増幅率を前記受光素子の変換効率又は出射光利用効率に応じて連動して予め調整するようにしたことを特徴とする光源駆動装置。
6. 請求項１又は２記載の光情報記録装置において、前記モニタ受光信号を増幅するゲイン切換えアンプを設け、該ゲイン切換えアンプのゲインに応じて前記発光目標値及び前記比較基準値を変更するようにしたことを特徴とする光情報記録装置。
7. 請求項１記載の光情報記録装置において、前記バイアス制御手段の制御帯域を変更する手段を設けたことを特徴とする光情報記録装置。

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