JP3872533B2 - タングステン−銅複合酸化物の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、タングステン−銅擬合金(pseudoalloy) の製造に関する。より特定的には、この発明は、タングステン−銅擬合金の製造のための先駆体物質としてのタングステン−銅複合酸化物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
タングステン−銅(W−Cu)擬合金は、電気的接触材料及び電極として用いられている。W−Cu擬合金の製造のための基本的な方法には、多孔質タングステン骨格の液状銅による浸透(infiltration)、タングステン及び銅の粉体のブレンドのホットプレス、並びに液相焼結、再圧縮(repressing)、爆発圧縮等を組み込んだ様々な技術がある。W−Cu擬合金の理論密度又はその付近にある該擬合金から物品を製造することができることが望ましい。擬合金は、密度が高ければ高いほど、改善された機械的性質を有することに加えて、より高い熱伝導性を有し、この高い熱伝導性は、エレクトロニクス産業のための冷却用放熱器材料としてのW−Cu擬合金の用途にとって重要である。
【0003】
高密度W−Cu擬合金を製造するための一つの方法は、超微細W−Cu複合粉体を液相焼結することから成る。このような複合粉体は、例えばタングステン及び銅の酸化物のブレンドの水素同時還元によって製造することができる。別の方法は、タングステン酸銅の直接還元である。タングステン酸銅の直接水素還元はW−Cu擬合金に高い度合いの相分散及び均質性を付与し、より優れた熱機械的性質をもたらすということが証明されている。この理由は、タングステン酸銅が、銅とタングステンとが原子レベルで互いに混合される冶金学的環境を提供するからである。
【0004】
銅タングステン青銅{Cux WO3 (x=0.26、0.34及び0.77)の形の非化学量論的W−Cu複合酸化物}、タングステン酸第二銅(CuWO4 )、タングステン酸第一銅(Cu2 WO4 )及びオルトタングステン酸銅(Cu3 WO4 )を含めて、数多くのCu−W−OシステムのW−Cu複合酸化物がある。これらの複合酸化物の銅含有率は、産業にとって特に興味深いW−Cu擬合金においては、10〜50重量%の銅範囲に及ぶ。この点に対する研究の殆どは、タングステン酸第二銅(CuWO4 )を還元してW−Cu擬合金を形成させることに集中している。これは、タングステン酸第二銅の相対銅含有率(即ちタングステンに対する銅含有率)の25.7重量%が技術的に重要な範囲のほぼ真ん中にあるためだと思われる。複合酸化物の相対銅含有率の10〜25%の範囲における調節は、WO3 をCuWO4 に添加することによって達成することができる。
【0005】
CuWO4 を生成させるための一つの技術は、CuSo4 ・5H2 O及びNa2 WO4 又はH2 WO4 及びCuCO3 ・Cu(OH)2 の水性溶液からの水和タングステン酸塩の液沈殿を伴う。しかしながら、沈殿したタングステン酸塩の還元から得られるW−Cu擬合金粉体は圧縮するのが困難であり、従って焼結した擬合金の密度が低いということがわかっている。さらに、溶液沈殿法は時間がかかり、湿式冶金学的パラメーターを制御するのが難しい。
【0006】
別の技術は、等モル割合のCuO及びWO3 の緊密混合物を焼成することによるCuWO4 の固相合成を伴う(タングステン酸第二銅はCuO・WO3 と書くこともできる)。この技術によって製造されたタングステン酸第二銅を還元することによって得られるW−Cu擬合金粉体は、均一の相の分布並びに所望の圧縮及び焼結性を示す。しかしながら、拡散距離を減少させ且つ固体状態反応を強化するためには、焼成前にCuO/WO3 混合物を微粉砕(mill)して緊密混合物を形成させることが必要である。このような緊密混合物は、反応成分を硬質金属又はセラミック微粉砕(milling) 媒体によって乾式又は湿式微粉砕することによって達成される。残念ながら、機械的な衝撃及び摩擦のエネルギーが微粉砕媒体の腐食及び微粉砕される物質の汚染を引き起こすことは避けられない。湿式微粉砕はさらに反応成分と微粉砕媒体との間の望ましくない化学反応を促進することがあり、それによって混合物の汚染が増す。微粉砕工程からの反応成分混合物の汚染は冷却用放熱器材料としてのW−Cu擬合金の使用をひどく害することがある。従って、微粉砕工程は汚染の危険性を増大させ且つ製造プロセスに別の工程を追加させるので、緊密混合物を形成させるために反応成分を微粉砕する必要なしに同様の特徴を有するW−Cu複合酸化物粉体を製造する方法を得ることが望ましいだろう。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、従来技術の欠点を回避することにある。
本発明の別の目的は、反応成分の非微粉砕(unmilled)(微粉砕されていないこと)混合物からW−Cu複合酸化物を製造する方法を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、焼成の際に反応成分を混合することなく固定床中でW−Cu複合酸化物を製造するための方法を提供することにある。
本発明のさらなる目的は、広い範囲の反応成分粒子寸法を許容し得るW−Cu複合酸化物の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
発明の概要
本発明の一つの局面に従えば、所定量のタングステン酸アンモニウムと所定量の銅の酸化物又は水酸化物とをブレンドして非微粉砕混合物を形成させる工程、この非微粉砕混合物を脱水する工程、並びにこの非微粉砕混合物をタングステン−銅複合酸化物を生成させるのに充分な温度においてタングステン−銅複合酸化物を生成させるのに充分な時間焼成する工程を含む、タングステン−銅複合酸化物の製造方法が提供される。
【0009】
本発明の別の局面に従えば、
所定量のタングステン酸アンモニウムと所定量の銅の酸化物又は水酸化物とをブレンドして脱水温度を有する非微粉砕混合物を形成させる工程、
この非微粉砕混合物の脱水温度よりも低い温度を有する炉の中にこの非微粉砕混合物の床を形成させる工程、
炉の温度をタングステン−銅複合酸化物を生成させるのに充分な温度に上昇させる工程(この際、炉の温度は、タングステン−銅複合酸化物が生成する前に非微粉砕混合物が脱水されるのを可能にするのに充分な速度で上昇させる)
並びに
この非微粉砕混合物をタングステン−銅複合酸化物を生成させるのに充分な温度においてタングステン−銅複合酸化物粉体を形成させるのに充分な時間焼成する工程
を含む、タングステン−銅複合酸化物の製造方法が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】
好ましい具体例の説明
本発明を本発明のその他の目的、利点及び可能性と共により一層よく理解するためには、以下の開示及び特許請求の範囲が参照される。
【0011】
本発明者らは、固体状態反応においてタングステン源としてタングステン酸アンモニウムを用いることによって、緊密混合物を形成させるために反応成分を初めに微粉砕することなしにW−Cu複合酸化物を生成させることができるということを見出した。タングステン酸アンモニウムを含有する非微粉砕混合物は、WO3 とCuOとの慣用の微粉砕混合物からW−Cu複合酸化物を製造するのに必要なものと同じ時間及び温度条件下で焼成することができる。微粉砕工程がないということは、反応成分混合物の汚染の可能性を低減させ、従ってW−Cu複合酸化物及び続いて生成する擬合金の汚染の可能性を低減させる。さらに、本発明者らは、反応における銅源として水酸化第二銅Cu(OH)2 を用いた場合には、タングステン源について広い範囲の粒子寸法が許容され得るということを見出した。このことは、反応成分の選択対象がより大きくなるので、プロセスをより経済的なものにする傾向がある。
【0012】
パラタングステン酸アンモニウム(APT)10NH4 5O・12WO3 ・5H2 O及びメタタングステン酸(AMT)6NH4 3O・12WO3 ・xH2 O(ここで、xは0.75〜1.25である)の2つのタングステン酸アンモニウムが特に興味深い。これらのタングステン酸塩は共に米国ペンシルベニア州トワンダ所在のオスラム・シルバニア・インコーポレイテッドから商品として入手できる。これらのタングステン酸アンモニウムの水和度及びアンモニア含有率は変化するが、これらのタングステン酸塩は共に250℃以上の温度において完全に分解して三酸化タングステンWO3 、水及びアンモニアになる。APT又はAMTと銅の酸化物又は水酸化物例えばCuO、Cu2 O又はCu(OH)2 との非微粉砕機械的ブレンドは、制御された熱処理に付すことができ、これによってタングステン酸塩から水及びアンモニアが失われ(且つ銅の水酸化物を用いた場合にはこの銅の水酸化物から水が失われ)且つ800℃においてW−Cu複合酸化物が高収率で直接合成される。反応成分の非微粉砕混合物を用いることができるのは、タングステン酸アンモニウムの熱分解から製造されたばかりのWO3 の高い反応性が有効に利用されることの結果であると信じられる。この高い反応性は製造されたばかりのWO3 の高い表面積及び表面エネルギーからもたらされると信じられる。例えば、APTの表面積は450℃に加熱した後には0.37m2 /gから6.0m2 /gに劇的に増大する。また、775℃において単斜晶から正方晶へと異性相転移することのためにWO3 から得られる追加の反応性もあると信じられる。従って、追加の反応性の利点を得るために、できるだけ相転移の近くで固体状態合成を実施することが望ましいだろう。
【0013】
反応成分の非微粉砕混合物は、反応成分を機械的にブレンドするための標準的なブレンド用装置を用いて形成させることができる(V−ブレンダーが好ましいタイプのブレンダーである)。20〜60分の範囲のブレンド時間を用いたが、30分のブレンド時間が好ましい。
【0014】
反応成分の転化は空気中で実施される。非微粉砕混合物は、溶融(fused) シリカのような耐火性材料{又はインコネル(Inconel) のような高温合金}から作られたトレー中に室温又はほぼ室温において装入され、炉中でゆっくり反応温度又は焼成温度に加熱される。適当な温度勾配を提供するために熱帯域を有する連続ベルト式炉が好ましい。炉には、タングステン酸アンモニウムの分解の際に放出されるアンモニアを中和するためのアンモニアスクラバーを追加するべきである。
【0015】
非微粉砕反応成分混合物を脱水するためには、混合物をゆっくり加熱することが必要である(本明細書においてタングステン酸アンモニウム混合物に対して用いた場合の脱水とは、アンモニア及び水の放出を包含する)。この混合物は、水及びアンモニアの迅速な放出をもたらさない速度で脱水しなければならない。もしも脱水が起こるのが迅速すぎると、反応成分の固定床が乱れ、これは粒子間の距離を増大させ、固体状態合成を妨害する。本発明者らは、混合物を加熱する速度がトレー中の混合物の床深さに反比例することを見出した。約0.25〜約1.0インチの範囲の床深さについては加熱速度を毎分約5℃〜約1℃にすべきであるということが測定によってわかった。約0.5〜約0.75インチの床深さ及び約3℃〜約2℃/分の加熱速度が好ましい。
【0016】
ひとたび焼成温度に達したら、W−Cu複合酸化物が生成するまで混合物をその温度に保つ。CuWO4 の場合には、反応成分のCuWO4 への少なくとも96%の転化率を達成するためには約800℃において約2時間反応成分を焼成すれば充分であることが測定によってわかった。
【0017】
【実施例】
以下、非限定的な実施例を示す。
【0018】
例1〜4
タングステン酸アンモニウムと酸化銅との非微粉砕混合物からタングステン酸第二銅CuWO4 を生成させた。各種反応成分の量及びそれらの表面積を表1に与える。APT及びAMT反応成分の量はタングステン酸塩のWO3 含有率を基準として決定し、それによってCuWO4 生成の前のタングステン酸塩の熱分解からの水及びアンモニアの損失を補償した。反応成分の重量比は、CuWO4 の生成のための脱水の後に反応成分の化学量論的比をもたらすように選択した。この例及び後の例において用いたAMTは、一般式6NH4 3O・12WO3 ・H2 Oを有していた。これらの例についての固体状態反応を表2に示す。
【0019】
反応成分をVブレンダー中で30分間混合することによって反応成分のブレンドを形成させた。非微粉砕反応成分混合物150〜200gの装入物を含有させた溶融シリカトレーを、調節可能温度区画を有する実験室用管状炉中に入れた。固定床中の物質の深さは約3/4インチだった。このトレーを約2〜3℃/分の温度上昇速度をもたらす速度で炉の帯域に通した。焼成温度に達したら、トレーを800℃の焼成温度に2時間保った。次いでこのトレーを放置冷却し、反応生成物をX線回折によって検査して反応成分のCuWO4 への転化率を確認した。反応成分のタングステン第二銅への転化率を表1に与える。全ての場合において、緊密混合物を形成させるために反応成分を微粉砕する必要なく、反応成分のCuWO4 への殆ど完全な転化が達成された。
【0020】
【表1】
【表2】
【0021】
例5〜10
5.0〜25.7%の範囲の複合酸化物中の相対銅含有率を有する多くのW−Cu複合酸化物を調製した(25.7%複合酸化物はCuWO4 である)。メタタングステン酸アンモニウム(1.66m2 /g)及び酸化第一銅Cu2 O(0.18m2 /g)を様々な比で互いにブレンドした。例1〜4と同様に非微粉砕混合物を調製し、脱水し、焼成した。複合酸化物を生成させるために用いた焼成条件は、775℃において2時間だった。各複合酸化物についてのWO3 /CuWO4 の比をX線回折技術を用いて測定した。W−Cu複合酸化物の比及び表面積を表3に与える。反応生成物において検出された酸化物相及びそれらの比は、用いた反応成分の量から計算した期待される結果と一致した。
【0022】
【表3】
【0023】
合成されたW−Cu複合酸化物の走査電子顕微鏡写真によって、低いCuWO4 含有率を有する粉体は中空球状構造を示すということが示された。この中空球状形態はCuWO4 相の量が増加するにつれて漸次減少した。高いCuWO4 含有率においては、球状形態の全体的な崩壊及びCuWO4 結晶の形成が観察された。エネルギー分散X線分析(EDS)によって、合成された複合酸化物の凝集物全体にWO3 相及びCuWO4 相が均一に分散していることがわかった。二相の凝離は何ら検出されなかった。従って、これらの単一の複合酸化物を直接還元して、金属相の均質な分布を有する擬合金を生成することができる。このことは、還元の前にCuWO4 とWO3 とを機械的にブレンドすることによって類似の複合酸化物を製造する方法を越える改善である。このような機械的なブレンドにおいては、擬合金中の金属相の分布の均質性が低くなる傾向があり、擬合金を生成させる方法に追加の工程が必要となる。
【0024】
例11〜15
広範な粒子寸法を有するタングステン酸アンモニウムと−325メッシュ寸法のCuO、Cu2 O又はCu(OH)2 との非微粉砕混合物からタングステン酸第二銅CuWO4 を製造した。例1におけるように反応成分をブレンドし、脱水し、焼成した。反応成分の量は、脱水の間の水及びアンモニアの損失を補った後に等モル比をもたらすように計算した。それぞれの非微粉砕混合物を800℃において2時間焼成した。表4に、反応成分の様々な組合せについてのCuWO4 への転化効率を示す。
【0025】
【表4】
【0026】
表4から、水酸化第二銅がタングステン酸アンモニウムとの反応のための最も広い適用性を有することは明らかである。水酸化物を用いた反応は全て、複合酸化物CuWO4 への高い転化度を示した。このような汎用性は、反応成分物質の選択対象がより大きくなるので、W−Cu複合酸化物を製造するための方法を経済的により望ましいものにする。
【0027】
以上、現時点において本発明の好ましい実施態様と考えられるものを説明したが、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲から逸脱することなく様々な変更を為すことができるということは当業者には明白だろう。
Claims (11)
- 所定量のタングステン酸アンモニウムと所定量の銅の酸化物又は水酸化物とをブレンドして非微粉砕混合物を形成させる工程、この非微粉砕混合物を脱水する工程、並びにこの非微粉砕混合物を焼成してタングステン−銅複合酸化物を生成させる工程を含む、タングステン−銅複合酸化物の製造方法。
- 混合物を空気中で焼成する、請求項1記載の方法。
- タングステン酸アンモニウムがパラタングステン酸アンモニウム又はメタタングステン酸アンモニウムである、請求項1記載の方法。
- 銅の酸化物が酸化第二銅又は酸化第一銅であり且つ銅の水酸化物が水酸化第二銅Cu(OH)2である、請求項1記載の方法。
- 混合物を800℃において2時間焼成する、請求項1記載の方法。
- 所定量のタングステン酸アンモニウムと所定量の銅の酸化物又は水酸化物とをブレンドして非微粉砕混合物を形成させる工程、
この非微粉砕混合物の脱水温度よりも低い温度を有する炉の中にこの非微粉砕混合物の床を形成させる工程、並びに
炉の温度を上昇させてこの非微粉砕混合物を焼成してタングステン−銅複合酸化物を生成させる工程を含み、
前記の非微粉砕混合物の床の深さを6.4mm(0.25インチ)〜25mm(1.0インチ)の範囲とし、且つ前記の炉の温度の上昇を毎分5℃〜1℃の範囲の速度で行なう、タングステン−銅複合酸化物の製造方法。 - 混合物を空気中で焼成する、請求項6記載の方法。
- タングステン酸アンモニウムがパラタングステン酸アンモニウム又はメタタングステン酸アンモニウムである、請求項6記載の方法。
- 銅の酸化物が酸化第二銅又は酸化第一銅であり且つ銅の水酸化物が水酸化第二銅Cu(OH)2である、請求項6記載の方法。
- 混合物を800℃において2時間焼成する、請求項6記載の方法。
- 床深さが13mm(0.5インチ)〜19mm(0.75インチ)の範囲であり且つ温度上昇の速度が毎分3℃〜2℃の範囲である、請求項6記載の方法。
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DE10041194A1 (de) | 2000-08-23 | 2002-03-07 | Starck H C Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Verbundbauteilen durch Pulver-Spritzgießen und dazu geeignete Verbundpulver |
KR100462274B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-12-17 | 주식회사 나노테크 | 텅스텐-구리계 복합분말의 제조방법 및 그 제조된복합분말을 이용한 방열판용 소결 합금의 제조방법 |
US7416697B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-08-26 | General Electric Company | Method for preparing a metallic article having an other additive constituent, without any melting |
KR100490879B1 (ko) * | 2002-11-29 | 2005-05-24 | 국방과학연구소 | 균일한 조직을 갖는 텅스텐-구리(W-Cu) 합금 및 그제조 방법 |
KR100490880B1 (ko) * | 2002-11-30 | 2005-05-24 | 국방과학연구소 | 텅스텐-구리 복합재료의 구리 스며나옴 억제 소결법 |
US7510680B2 (en) * | 2002-12-13 | 2009-03-31 | General Electric Company | Method for producing a metallic alloy by dissolution, oxidation and chemical reduction |
US7531021B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-05-12 | General Electric Company | Article having a dispersion of ultrafine titanium boride particles in a titanium-base matrix |
US20070059319A1 (en) * | 2005-09-15 | 2007-03-15 | Caliper Life Sciences, Inc. | Methods of screening for immuno-adjuvants and vaccines comprising anti-microtubule immuno-adjuvants |
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