JP3865876B2 - 半導体素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、静電気による素子の破壊を回避するために複数の端子間に短絡体を備える半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子は、端子間に静電気が印加されると破壊されてしまうことがあることは周知である。静電気による半導体素子の破壊は、薄いゲート酸化膜を有するMOS系の素子の場合に特に問題となっている。そこで、端子間を導電性のスポンジ等を用いて短絡しておき、端子を同じ電位とすることによって破壊を回避している。半導体素子と制御基板に形成されている回路とを接続させる際には、スポンジ等を端子から取り外し、端子と制御基板とを半田によって固定する。
【0003】
半導体素子に対する制御基板の高さの決定は、例えば、図12及び図13に例示されるようになされている。図12及び図13は、端子2,3を有する従来の半導体装置の構造を例示する断面図である。半導体素子1自体には、端子2,3が接続される制御基板6の高さを決定する機能がない。そこで、図12に例示されるように、半導体素子1が載置されるヒートシンク100に一体的に形成されているアームによって制御基板6を支持させることによって高さを決定している。又は、図13に例示されるように、ヒートシンク100上にスペーサ101を設けて支持及び高さの決定を行わせている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記の記載から明らかであるように、スポンジ等が取り外されてから制御基板に接合されるまでの間は、端子は互いに短絡されていない。従って、この期間に静電気が印加された場合には半導体素子が破壊されてしまうおそれがあるという問題点がある。
【0005】
この問題点を解決するための技術が、実開平2−88247号公報(引例1)及び実開平7−29854号公報(引例2)に開示されている。引例1の第3図にて図示されているように、端子7,8を短絡する金属線11を穴12のところで押す等して機械的に破断している。この場合には、金属線11を破断するための特別の作業が必要であるという問題点がある。
【0006】
一方引例2においては、当該引例の図4及び図5に図示されているように、導体1によって短絡されている端子E1,Gそれぞれにファストン端子Fを実装する際に、この実装の動作をもって導体1を切断している。この場合には端子E1,Gとファストン端子Fの接続と端子E1,Gの開放とが同時になされるため、静電気によるIGBTの破壊は回避される。
【0007】
しかし、本願明細書に既述のように制御基板6に端子2,3を取り付ける場合には、ファストン端子Fを端子E1,Gにかぶせる引例2の技術は応用できないという問題点がある。また、引例1,2においては、制御基板の高さの決定と端子間の開放とを一体的になす構成は開示されていない。
【0008】
本発明は、以上の問題点に鑑み、短絡が解消されてから制御基板に接続されるまでの時間が短い複数の端子を有する半導体素子を提供することを目的とする。更に、制御基板の高さの決定と複数の端子の開放とが一体的になされる半導体素子を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体素子は、主面上に隙間を隔てて突出して形成されている複数の端子と、前記複数の端子から前記隙間の側へ延びて形成されている複数の接触片とを備え、前記複数の接触片同士が接触することにより前記複数の端子が電気的に接続される半導体素子であって、前記主面上に前記複数の端子を囲んで設けられており、所望の高さを有する第一の枠と、前記複数の端子が接続される制御基板が載置される上端面を有し、前記第一の枠に嵌合し、前記第一の枠に導かれながら前記主面上方から該主面の側へと下降することが可能な第二の枠とを備え、前記第二の枠は、前記接触片同士の接触位置に平面視で対応する位置に、前記主面方向に突出した絶縁性の突起が設けられており、前記第二の枠が下降することに伴い、前記突起が互いに接触している前記接触片同士の間に侵入することにより、前記複数の端子間の電気的な接続が開放される。
【0010】
請求項2に記載の半導体素子は、請求項1に記載の半導体素子であって、前記第二の枠は、前記制御基板が載置される前には、前記複数の端子のうちの少なくともいずれか一つよりも高い。
【0014】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
本実施の形態においては、従来技術と同一の構成、構造には同一の参照符号を付して説明を行う。図1及び図2は、本実施の形態に従う半導体装置の構造をそれぞれ例示する断面矢視図及び平面図である。図1においては、図2において示されているI-I切断線における断面が例示されている。両図に例示されるように、半導体素子1の主面からは、2本の端子2,3が突き出ている。
【0015】
端子2,3にはそれぞれ一体的に接触片2a,3aが形成されており、接触片2a,3aは図1の状態においては互いに接触している。このような接触によって、端子2,3は接触片2a,3aを介して電気的に導通しており、静電気が印加されても同電位のままとなる。従って、半導体素子1は静電気の印加によっては破壊されない。
【0016】
半導体素子1の主面には、端子2,3を半導体素子1の主面上において取り囲む枠4が固定されている。枠4の内側には、天井に突起5aを有する枠5がはめられている。枠5の側壁は弾性のある材料で形成されており、図1に図示されている矢印の向きに枠5の即壁から枠4の側壁へと弾性力が与えられている。この弾性力によって、枠5は、半導体素子1の主面の上方において宙に浮いた状態にて静止している。端子2,3は、枠4,5の内部に収容されることによって、外部からの衝撃等から保護されている。
【0017】
枠5の上には、端子2,3に接続される回路が形成されている制御基板6が、図3に例示されるように載置される。図3は、制御基板6が載置された状態の半導体装置の構造を例示する断面図である。図1の状態においては宙に静止している枠5は、制御基板6が載置された後に半導体素子1へと向かう向きに押し込まれる。
【0018】
図2に例示されるように、枠5には開口5bが設けられている。図1の状態においては枠5の内部に収容されている端子2,3は、枠5の下降によって開口5bを通過し、枠5の上部へと抜け出る。図3に例示されるように制御基板6にも開口6aが設けられており、端子2,3はこの開口6aを更に突き抜けて制御基板6の上面から突出する。
【0019】
制御基板6が載置された枠5の下降と共に突起5aが下降すると、突起5aの尖った先端は接触片2a,3aの間に侵入する。突起5aの接触片2a,3aに対する位置合わせは、枠5が枠4の側壁に沿った状態にて下降することによってなされている。即ち、枠4,5は互いに係合すること(端子2,3の長手方向に直交する方向における動きを互いに制限し合うこと)によって、突起5aを接触片2a,3aの継ぎ目へと案内するという役割を果たす。
【0020】
突起5aは侵入と共に、弾性を有する接触片2a,3aを押し開いて図3に例示されるように互いから隔離させる。突起5aは絶縁性の材料によって形成されており、端子2,3の電気的な導通は突起5aによって破られ、端子2,3間が開放される。
【0021】
制御基板6の図3の断面における長さは枠4の側壁の間隔よりも大きく、制御基板6が枠4へと到達した時点で、制御基板6及び枠5の下降は枠4によって止められてしまう。これにともない、突起5aは接触片2a,3aを電気的に隔離させた状態にて停止する。この状態にて、端子2,3と制御基板6とを半田付けする。
【0022】
接触片2a,3aが制御基板6に接触することは好ましくない。そこで、図3の状態における接触片2a,3aの先端の高さが枠4の高さよりも低くなるように、接触片2a,3aの大きさは予め調整されている。
【0023】
また、上述の例においては枠4の側壁の高さを枠5の側壁の高さよりも大きくとり、枠4の側壁の高さをもって制御基板6の高さを決定しているが、逆の構成を採用することも可能である。即ち、枠5の側壁の高さを枠4の側壁よりも大きくとり、枠5の側壁が半導体素子1の主面に到達することによって制御基板6の高さが決定されるという構成である。この場合にも、枠4,5の各々の側壁同士が互いに規制し合うことによって突起5aの接触片2a,3aに対する位置合わせがなされることに変わりはない。この位置合わせの機能は、図1〜図3においては枠4の内部にはめられている枠5を枠4の外側に設けても達成される。
【0024】
以上のようにして、端子2,3が制御基板6に接続される直前まで、端子2,3同士を短絡しておくことが可能となる。導電性スポンジ等を用いる従来の場合よりも遅くまで端子2,3が短絡している状態が保持されるため、静電気による破壊の危険がその分小さくなる。
【0025】
また、使用前の端子2,3を保護すると共に突起5aを接触片2a,3aの継ぎ目へと互いの係合によって導く枠4,5のうちのいずれかの側壁の高さによって、制御基板6の高さに関する位置決めがなされる。枠5と制御基板6とを一体的に半導体素子1へと押し込むことによって短絡の解消及び位置決めが付随的になされ、これらの行為をそれぞれなさなければならない場合に比べて作業の煩わしさが少ない。従って、半導体装置の組立の効率が向上される。
【0026】
先端が尖っている突起5a及び図1に例示されるようにかぶと虫の角状に突起5aを受け入れる接触片2a,3aの形状は、端子2,3間の開放に適した形状としての例示である。従って、他の形状を採用することも勿論可能である。また、上記の例においては非破壊的に端子2,3間を開放しているが、破壊的な構成を採用しても良い。例えば、端子2,3間を互いに短絡する導線を、枠5の天井に設けられたギロチンによって切断する構成が考えられる。
【0027】
請求項1に記載の案内枠は、図1に例示される枠4,5を含む概念である。また、請求項1に記載の載置台は、制御基板6が載置される枠5の上面を含む概念である。開放体及び短絡体はそれぞれ、突起5a及び接触片2a,3aを含む概念である。
【0028】
実施の形態2.
以下、既に説明の行われたものと同一の構成、構造には同一の参照符号を付し、説明は省略する。図4及び図5は、本実施の形態に従う半導体素子1の構造を例示する側面図及び上面図である。半導体素子1の主面から突出している端子7,8は、導電性の溶融材10によって短絡されている。溶融材10としては、例えば糸半田又はヒューズを用いることが可能である。
【0029】
まず、図6に例示される制御基板6の開口6aに端子7,8を差し込む。そして、実施の形態1と同様にして制御基板6と端子7,8とを、半田を加熱して接続する。この加熱の際についでに、端子7,8へと十分に熱を伝えてやる。すると、この熱は端子7,8から溶融材10へと伝導され、溶融材10を端子7,8に接触する部分から溶かし始める。溶融材10は根元の部分を溶かされてしまうことによって、根元部分の若干量を残存させたまま端子7,8から脱落してしまう。図6は、溶融材10が脱落した構造を例示する側面図である。同図に例示されるように、溶融材10の脱落によって端子7,8間は開放される。
【0030】
本実施の形態においては、端子7,8の制御基板6への接続に付随して端子7,8が開放される。従って、端子7,8間を開放するために特別な作業を行わなければならないという煩わしさがない。更に、端子7,8と制御基板が接続されることと、端子7,8間が開放されることとが同一の工程においてなされる。接続と開放との間にタイムラグが生じない。実施の形態1の構成においては端子2,3間が開放される時点と制御基板6への接続が行われる時点とが一致しないため、本実施の形態の構成の方が静電気による破壊の防止という点では優れる。
【0031】
尚、以上の説明においては端子7,8を短絡する部材として半田を溶融させる熱によって溶融する溶融材10が用いられているが、他の態様にて端子7,8間を短絡の後に開放する材料を用いることも可能である。例えば、半田を溶融させる程度の熱によって溶断又は昇華する材料が挙げられる。
【0032】
請求項3に記載の溶融接着物及び短絡体はそれぞれ、端子7,8と制御基板6とを接続する半田、及び溶融材10を含む概念である。
【0033】
実施の形態3.
図7及び図8はそれぞれ、本実施の形態に従う半導体素子1の構造を例示する断面矢視図及び平面図である。同図に示される半導体素子1は、図4及び図5に例示される実施の形態2の半導体素子1に、図1及び図2に例示される実施の形態1と同様の枠が付加されたものである。以下、相違点についてのみ説明を行う。
【0034】
半導体素子1の端子7,8が突出する主面上方には、図1及び図2に例示される枠4と、図1及び図2に例示される枠5から突起5aが取り除かれたものである枠9とが設けられている。制御基板6が配置される前には、枠4,9は端子7,8を自身の内部に収めることによって保護する。
【0035】
枠9上に制御基板6が載置され半導体素子1へと押し下げられた場合には、枠9及び制御基板6の下降は枠4の側壁によって停止され、制御基板6の高さが決定される。図9は、制御基板6の高さが決定された構造を例示する断面矢視図である。開口6aを貫通している端子7,8と制御基板6との接続を半田の加熱によって行い、実施の形態2と同じ原理によって根元を溶融させ、溶融材10を端子7,8間から取り除く。
【0036】
本実施の形態においては、制御基板6が配置されるまで、互いに係合する枠4,9によって端子7,8を保護し、破損を回避している。また、枠4,9のうち高さがより高い一方の高さをもって制御基板6の高さを決定している。これらのような効果を達成するためには、例えば図10及び図11に例示される形態の枠14を用いても良い。図10及び図11は、蛇腹状の枠14を主面に備える半導体素子1の構造を例示する断面矢視図である。
【0037】
蛇腹状の枠14は高さの設定が自在であり、制御基板6が載置される前は図10に例示されるように端子7,8よりも高くしておく。枠14の内部に収納されることによって、端子7,8は保護される。
【0038】
制御基板6を載置するときは、図11に例示されるように枠14を端子7,8よりも低くすれば良い。これ以上縮まらないという長さにまで枠14を押し縮めることによって、制御基板6をある所望の高さとすることができる。従って、枠14によっても、図9に例示される枠4,9と同じ効果が得られる。端子7,8の周囲を取り囲み、高さの変化が自在な枠ならば、本実施の形態の枠として採用することができる。
【0039】
【発明の効果】
請求項1に記載の構成によれば、所望の高さを有する第一の枠によって第二の枠の下降が制限されることによって制御基板が高さを決められる際に、複数の端子間の短絡が解消される。このようにして短絡の解消が高さの決定に必然的に付随することによって、短絡が解消されてから制御基板に接続されるまでの期間を短くすることができる。更に、端子間の短絡を解消する独立の作業を要求する引例1の技術と比べて、本願の構成の方が手間がかからない。従って、半導体素子を制御基板に実装する効率が向上される。
【0040】
請求項2に記載の構成によれば、第二の枠の内部に少なくとも1つの端子が収納されることになり、この端子の保護が第二の枠によってなされる。これによって、端子の破壊が未然に防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図2】 実施の形態1に従う半導体素子の構造の一例を示す平面図である。
【図3】 実施の形態1に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図4】 実施の形態2に従う半導体素子の構造の一例を示す側面図である。
【図5】 実施の形態2に従う半導体素子の構造の一例を示す平面図である。
【図6】 実施の形態2に従う半導体素子の構造の一例を示す側面図である。
【図7】 実施の形態3に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図8】 実施の形態3に従う半導体素子の構造の一例を示す平面図である。
【図9】 実施の形態3に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図10】 実施の形態3に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図11】 実施の形態3に従う半導体素子の構造の一例を示す断面矢視図である。
【図12】 従来の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【図13】 従来の半導体装置の構造の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 半導体素子、2,3,7,8 端子、2a,3a 接触片、4,5,9 ,14 枠、5a 突起、10 溶融材。
Claims (2)
- 主面上に隙間を隔てて突出して形成されている複数の端子と、前記複数の端子から前記隙間の側へ延びて形成されている複数の接触片とを備え、前記複数の接触片同士が接触することにより前記複数の端子が電気的に接続される半導体素子であって、
前記主面上に前記複数の端子を囲んで設けられており、所望の高さを有する第一の枠と、
前記複数の端子が接続される制御基板が載置される上端面を有し、前記第一の枠に嵌合し、前記第一の枠に導かれながら前記主面上方から該主面の側へと下降することが可能な第二の枠とを備え、
前記第二の枠は、
前記接触片同士の接触位置に平面視で対応する位置に、前記主面方向に突出した絶縁性の突起が設けられており、
前記第二の枠が下降することに伴い、前記突起が互いに接触している前記接触片同士の間に侵入することにより、前記複数の端子間の電気的な接続が開放される、半導体素子。 - 請求項1に記載の半導体素子であって、前記第二の枠は、
前記制御基板が載置される前には、前記複数の端子のうちの少なくともいずれか一つよりも高い、半導体素子。
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