JP3861280B2

JP3861280B2 - Hermetically sealed electronic components

Info

Publication number: JP3861280B2
Application number: JP2001230782A
Authority: JP
Inventors: 宏嘉松浦
Original assignee: Daishinku Corp
Current assignee: Daishinku Corp
Priority date: 2001-07-31
Filing date: 2001-07-31
Publication date: 2006-12-20
Anticipated expiration: 2021-07-31
Also published as: JP2003046010A

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は水晶振動子等の電子部品に関するものであり、特に無鉛化に対応した気密封止型の電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
金属製のシェルに絶縁ガラスが充填され、当該絶縁ガラスにリード端子が貫通固定された気密ベースを用い、当該気密ベースに円筒状のキャップを圧入する気密封止構成は、例えば特公昭５８−４７０８３号で開示されているように音叉型水晶振動子等で慣用されている。当該気密封止はベース、キャップのいずれか一方あるいは両者の接合部分に軟質金属を形成し、相対的に大きな径の略円柱状のベースに円筒状のキャップを圧入することにより、軟質金属の塑性変形によりシールが行われるものである。
【０００３】
従来の構成は、例えばベースの金属製のシェルの基材はコバールからなり、その表面にニッケルあるいは銅層がメッキ等の手段により形成され、さらにその表面に錫層を形成した構成である。また、キャップは洋白等の鉄ニッケル系合金からなり、少なくともベースと圧接される領域には鉛１：錫９比率の半田が形成されていた。以上の構成により、ベース側の錫やキャップ側の半田層が軟質であるため、両金属が強く密着した状態で圧入されることにより塑性変形し、圧入を容易にしていた。
【０００４】
ところで近年においては、リフローソルダリング環境に対応させる必要がでてきた。すなわち、リフローソルダリングにおいては、２４０〜２６０℃の高温環境により実装基板への搭載を行うため、この圧入部分の金属構成も耐熱性が要求されるようになった。
【０００５】
このような要求に対応するために半田組成を例えば鉛９：錫１と鉛含有量を増加させ融点を上げた半田が用いられてきた。しかしながら、鉛は人体に対して有害な物質であるため世界的にその使用を抑制あるいは禁止する傾向にある。上記半田組成はこのような無鉛化の動向に反するものであり、代替品が求められていた。
【０００６】
このような無鉛化を考慮した構成が特開２００１−６８１９４号に開示されており、この中で無鉛化されたろう材として錫−銀系合金あるいは錫−ビスマス系合金が例示されている。しかしながらこのような合金は表面に酸化層が形成されやすく、軟質金属による気密性能が極端に低下することがあった。また本公開公報には、ろう材の表面に酸化防止用の錫膜を形成した旨も開示されているが、錫膜の融点は２２０℃であり、上述のリフローソルダリング温度よりも融点が低く、気密性低下をまねくおそれがあった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、圧入後の気密性を低下させることなく無鉛化に対応することを１つの目的とするとともに、耐熱性に優れた気密封止を行う電子部品を提供することをもう一つの目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は請求項１に示すように、金属製のシェルに絶縁ガラスが充填され、当該絶縁ガラスにリード端子が貫通固定された気密ベースと、当該ベースに搭載される電子素子と、前記ベースが圧入されることにより前記電子素子を気密封止するキャップとからなる電子部品において、少なくとも前記金属製のシェルには錫層が形成され、当該錫層上に銀層が形成され、当該銀層上に０ . ０５μｍ〜０ . ２μｍの厚さの金層が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
前記錫層は軟質金属であり、圧入時の気密性確保が有効に機能し、前記銀層は錫層で不足している耐熱性を補い、リフローソルダリング等の比較的高い温度条件にさらされた場合でも錫層の軟化を抑制する。また金層は下の銀層の酸化を防止するとともに、良好な延性により圧入をスムーズに進めることができ、また気密性を向上させることができる。
【００１０】
この金層は適切な厚さが必要であり、０ . ０５μｍ以下の厚さでは酸化防止膜としての機能が十分ではなく、ベース表面に酸化層が形成され、圧入時の気密性が低下することがある。また金は高価な金属であるので、厚く形成するとコスト高となる。０ . ２μｍ以上形成しても金の延性による気密性向上に変化がないので、コストと機能確保を勘案すると０ . ０５〜０．２μｍの厚さにすることが好ましい。
【００１１】
また請求項２に示すように、請求項１記載の構成において、前記錫層および銀層および金層の構成をリード端子にも形成してもよい。最上層の金層によりリード端子の酸化を防止でき、実装基板への半田付け性を向上させることができる。
【００１２】
また請求項３示すように、上記各構成において、前記銀層が前記錫層より厚い構成としてもよい。このような構成により、上記各作用効果に加えて銀層が比較的厚い状態であるので、耐熱性を高めることができる。
【００１３】
さらに請求項４に示すように、前記錫層と前記銀層間に錫と銀の合金層が形成されている構成としてもよい。このような構成により、上記各作用効果に加えて当該合金層は錫層および銀層形成後、拡散処理により形成することができる。合金層は錫層単体の場合に比べて融点を高めるとともに、錫のもつ軟質性を兼ね備えているので、耐熱性を高めまた良好な気密性を確保することができる。
【００１４】
次に本発明品と従来品について、各性能について比較確認を行った。確認した性能は、気密性、半田付け性、耐熱（耐リフローソルダリング）性能である。気密性はヘリウムリーク試験により確認した。すなわち、各々メッキ処理したベースに水晶振動素子（電子素子）を搭載し、キャップにて気密封止（圧入）した水晶振動子をヘリウムリーク試験により気密性能を確認した。試験前後で特性変化が所定基準内のものを良品（○）、所定基準外のものを不良品（×）とした。
【００１５】
半田付け性は半田ぬれ性試験により確認した。水晶振動子の外部リード端子を所定条件で半田槽に浸漬し、浸漬部分のぬれ割合（ぬれ面積割合）について観察した。ぬれ割合が８５％以上のものを良品（○）とし、特にぬれ割合が９５％以上のものを優良品（◎）とした。またぬれ割合が７５％以下のものを不良品（×）とした。
【００１６】
また耐熱（耐リフローソルダリング）性能は所定条件（例えばリフローソルダリング環境の２４０〜２６０℃）の加熱による特性変化の有無により確認した。試験前後で特性変化が所定基準内のものを良品（○）、所定基準外のものを不良品（×）とした。
【００１７】
試験結果を表１に示す。
【表１】

いずれの金属膜もベースのシェルおよびリード端子に形成した。従来品１はＰｂ９：Ｓｎ１含有の耐熱半田を１２μｍ形成したもので、従来品２はＳｎを５μｍ、その上にＡｇを３μｍ形成したもの、従来品３はＳｎを５μｍ、その上にＡｇを８μｍ形成したものである。また、本発明品１はＳｎを５μｍ、その上にＡｇを８μｍ、その上にＡｕを０.０２μｍ形成したもの、本発明品２はＳｎを５μｍ、その上にＡｇを８μｍ、その上にＡｕを０.０５μｍ形成したもの、本発明品３はＳｎを５μｍ、その上にＡｇを８μｍ、その上にＡｕを０.１μｍ形成したものである。
【００１８】
上記実験結果から、気密性についてはいずれの試験品についても良好な結果を得ているが、半田付け性については本発明品のみが良好な結果を得ており、特に本発明品２と３は９５％以上の半田ぬれ性を示しており、半田付け性が極めて良好であることを示している。また耐熱性については、Ａｇ膜の薄い従来品２以外は良好な結果を得ている。以上、本発明品はいずれの性能も良好で実用性が高く、特にＡｕ層を０.０５μｍ以上にすると半田付け性が極めて良好になることが理解できる。なお、Ａｕ層を厚くしすぎるとコスト高を招くので、０．２μｍの厚さ以下にすることが好ましい。
【００１９】
【実施例】
本発明の実施例について、図面を参照して説明する。図１は音叉型水晶振動子の分解した内部構造を示す図であり、図２は図１のベース部分の部分拡大図である。
【００２０】
ベース１は、金属製のシェル１０と、当該シェル内に充填された絶縁ガラス１３と、当該絶縁ガラス１３に貫通固定されたリード端子１１，１２とからなる。シェル１０は例えばコバールあるいは鉄ニッケル系合金を基体としており、上下に貫通した円筒形状を有している。リード端子１１，１２は例えばコバールを基体とし線状に加工され、かつ前記シェルに所定の間隔をもって貫通配置されている。絶縁ガラス１３は例えばホウケイ酸ガラスからなり、前記シェル１０とリード端子１１，１２とを各々電気的に独立した状態でガラス焼成技術により一体的に成形される。
【００２１】
この一体成形されたベースを酸洗浄等により金属表面の洗浄や浸炭部分の除去を行い、その後次の金属被膜が形成される。シェルおよびリード端子のコバール表面には、ニッケル層あるいは銅層が２〜６μｍの厚さで形成され、その上面には錫層が３〜１０μｍの厚さで形成される。またその上面には銀層が５〜２０μｍの厚さで形成され、さらにその上面には極薄の金層が０.０５〜０.２μｍの厚さで形成される。これら各金属被膜形成はバレルメッキを用いるとよい。バレルメッキは被膜形成対象物を投入したバレルをメッキ浴に浸漬し、バレルを回転させることにより電解メッキを効率的に行うことができ、またバッチ処理が可能であることから、量産性にも優れている。
【００２２】
このようなメッキ処理により、ベースのシェルおよびリード端子表面に上記各金属層が形成される。そしてリード端子のインナー側１１ａ，１２ａには電子素子である音叉型水晶振動子片が半田等により接合される。音叉型水晶振動子片の主面および側面には図示していないが１対の励振電極が形成されており、それぞれの電極がリード端子部分に引き出されている。
【００２３】
キャップ３は洋白（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金）からなり、有底の円筒状を有している。キャップの外周および内周面にはニッケル層３１がメッキ等の手段により形成されている。なお、当該キャップに形成する金属層は、ニッケルに代えて銅または銀または金を用いてもよいし、ニッケル、銅、銀、金を適宜組み合わせた多層構造であってもよい。キャップの内径は前記ベースのシェル部分よりも若干小さく設計されており、例えば２〜５％小さな内径に設定されている。このようなキャップを真空雰囲気中で前記電子素子である音叉型水晶振動子片を被覆し、キャップ開口部をベースに圧入することにより、ベースとキャップが強く密着しキャップ内部が真空状態に保たれた気密封止を行うことができる。
【００２４】
以上により、リード端子のアウター側１１ｂ、１２ｂには表面に極薄の金層が形成された電子部品を得ることができ、これにより実装基板への半田付けも半田付け性が低下することなく、スムーズな実装を行うことができる。なお電子素子をリード端子に接合する半田および電子部品を実装基板に接合する半田も無鉛のもので、かつ耐熱性に優れた材料を用いることにより、電子部品のトータルとしての無鉛化、耐熱性対応の電子部品を得ることができる。
【００２５】
また、上記構成において錫層と銀層間に両者の合金層を形成してもよい。合金層の形成は例えば錫層、銀層をメッキ形成した後、例えば２１０℃の真空雰囲気中にて数時間の加熱により拡散処理を行うとよい。合金層領域は拡散処理時間により制御することができる。
【００２６】
錫と銀の合金層を形成することにより、錫の持つ軟質性を有するとともに、当該領域の融点を高くすることができ、耐熱性に優れた金属層を得ることができる。なお、金層は上記拡散処理後に形成すればよい。
【００２７】
なお、上記実施例においては、真空封止を行う音叉型水晶振動子を例示したが、不活性ガス雰囲気で他の振動モードの水晶振動子に適用すること可能であるし、他の電子素子の気密封止に適用することも可能である。
【００２８】
【発明の効果】
本発明によれば、前記錫層の軟質性により、圧入時の気密性確保が有効に機能し、金層により銀層の酸化を防止するとともに、良好な延性により圧入をスムーズに進めることができる。よって、圧入後の気密性を低下させることなく無鉛化に対応した気密封止型電子部品を得ることができる。また、コストを低く抑えることができる。
【００２９】
また銀層により耐熱性を向上させることができるので、リフローソルダリング等の比較的高い温度条件にさらされた場合でも錫層の軟化を抑制する。よって、耐熱性も向上させることができる。
【００３０】
また請求項２によれば、上記効果に加えて最上層の金層によりリード端子の酸化を防止でき、実装基板への半田付け性を向上させることができる。
【００３１】
また請求項３によれば、上記各効果に加えて銀層が比較的厚い状態であるので、下層の錫の軟化を抑制し、耐熱性を高めることができる。
【００３２】
さらに請求項４によれば、上記各効果に加えて合金層を形成することにより、耐熱性を高めまた良好な気密性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】音叉型水晶振動子の分解した内部構造を示す図。
【図２】図１のベース部分の部分拡大図。
【符号の説明】
１ベース
１０シェル
１１，１２リード端子
１３絶縁ガラス[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to an electronic component such as a crystal resonator, and more particularly to a hermetically sealed electronic component corresponding to lead-free.
[0002]
[Prior art]
A hermetic sealing configuration in which a metal shell is filled with insulating glass and a lead terminal is fixedly passed through the insulating glass and a cylindrical cap is press-fitted into the hermetic base is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 58-47083. As is disclosed in Japanese Patent No. 2, it is commonly used in tuning fork type crystal resonators. The hermetic sealing is performed by forming a soft metal at one or both of the base and the cap, and pressing the cylindrical cap into a substantially cylindrical base having a relatively large diameter. Sealing is performed by deformation.
[0003]
In the conventional configuration, for example, the base material of the base metal shell is made of Kovar, a nickel or copper layer is formed on the surface by means such as plating, and a tin layer is further formed on the surface. The cap was made of iron-nickel alloy such as white and white, and lead: tin 9 ratio solder was formed at least in the region pressed against the base. With the above configuration, since the tin on the base side and the solder layer on the cap side are soft, the two metals are plastically deformed by being pressed in a state of being in close contact with each other, thereby facilitating the press-fitting.
[0004]
By the way, in recent years, it has become necessary to cope with a reflow soldering environment. That is, in reflow soldering, mounting on a mounting substrate is performed in a high temperature environment of 240 to 260 ° C., and thus the metal structure of the press-fitted portion is required to have heat resistance.
[0005]
In order to meet such demands, for example, lead 9: tin 1 and solder having a higher melting point and a higher melting point have been used. However, since lead is a harmful substance to the human body, its use tends to be suppressed or prohibited worldwide. The solder composition is contrary to the trend of lead-free, and an alternative product has been demanded.
[0006]
Such a configuration in consideration of lead-free is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-68194, and a tin-silver alloy or a tin-bismuth alloy is exemplified as a lead-free brazing material. However, such an alloy tends to form an oxide layer on the surface, and the airtightness due to the soft metal may be extremely lowered. This publication also discloses that an anti-oxidation tin film is formed on the surface of the brazing material, but the melting point of the tin film is 220 ° C., which is lower than the reflow soldering temperature described above. There was a risk of airtightness being lowered.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and has one object to cope with lead-free without reducing the airtightness after press-fitting, and performs airtight sealing with excellent heat resistance. Another object is to provide electronic components.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, an airtight base in which a metal shell is filled with an insulating glass and a lead terminal is fixed to the insulating glass, an electronic device mounted on the base, and the base are provided. In an electronic component comprising a cap that hermetically seals the electronic element by being press-fitted, a tin layer is formed on at least the metal shell, and a silver layer is formed on the tin layer. to 0. 05Myuemu～0. the thickness of the gold layer 2μm is characterized by being formed.
[0009]
The tin layer is a soft metal, which ensures effective airtightness during press-fitting, and the silver layer compensates for the heat resistance lacking in the tin layer and is exposed to relatively high temperature conditions such as reflow soldering. Even when the tin layer is soft, the softening of the tin layer is suppressed. Further, the gold layer can prevent the lower silver layer from being oxidized, can smoothly press-fit with good ductility, and can improve airtightness.
[0010]
The gold layer needs to have an appropriate thickness . If the thickness is 0.05 μm or less, the function as an anti-oxidation film is not sufficient, and an oxide layer is formed on the base surface, resulting in a decrease in airtightness during press-fitting. There is. Also, since gold is an expensive metal, the cost increases if it is formed thick. 0. Since there is no change in the air-tightness improved by gold ductility be formed 2μm or more, it is preferable to 0. The thickness of the 05~0.2μm In consideration of cost and functionality ensured.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the configuration of the tin layer, the silver layer, and the gold layer may be formed also on the lead terminal. The lead gold layer can be prevented from being oxidized by the uppermost gold layer, and the solderability to the mounting board can be improved.
[0012]
According to a third aspect of the present invention, in each of the above structures, the silver layer may be thicker than the tin layer. With such a configuration, since the silver layer is in a relatively thick state in addition to the above effects, the heat resistance can be improved.
[0013]
Furthermore, as shown in a fourth aspect, an alloy layer of tin and silver may be formed between the tin layer and the silver layer. With such a configuration, in addition to the above effects, the alloy layer can be formed by diffusion treatment after the formation of the tin layer and the silver layer. The alloy layer has a melting point higher than that of a single tin layer and also has the softness of tin, so that the heat resistance can be improved and good airtightness can be secured.
[0014]
Next, the present invention product and the conventional product were compared and confirmed for each performance. The confirmed performance is hermeticity, solderability, and heat resistance (reflow soldering resistance) performance. Airtightness was confirmed by a helium leak test. That is, a quartz crystal resonator element (electronic element) was mounted on each plated base, and the hermetic performance of a crystal resonator hermetically sealed (press-fit) with a cap was confirmed by a helium leak test. A product with a characteristic change within a predetermined standard before and after the test was evaluated as a non-defective product (O), and a product with a characteristic change outside the predetermined standard was determined as a defective product (X).
[0015]
Solderability was confirmed by a solder wettability test. The external lead terminal of the crystal resonator was immersed in a solder bath under predetermined conditions, and the wet ratio (wet area ratio) of the immersed portion was observed. A product with a wetting ratio of 85% or more was judged as a good product (◯), and a product with a wetting ratio of 95% or more was judged as a good product (◎). A product with a wetting ratio of 75% or less was defined as a defective product (x).
[0016]
Moreover, the heat resistance (reflow soldering resistance) performance was confirmed by the presence or absence of the characteristic change by the heating of predetermined conditions (for example, 240-260 degreeC of a reflow soldering environment). A product with a characteristic change within a predetermined standard before and after the test was evaluated as a non-defective product (O), and a product with a characteristic change outside the predetermined standard was determined as a defective product (X).
[0017]
The test results are shown in Table 1.
[Table 1]

All the metal films were formed on the base shell and the lead terminals. Conventional product 1 is a Pb9: Sn1-containing heat-resistant solder formed at 12 μm, conventional product 2 is Sn formed at 5 μm, and Ag is formed at 3 μm. Conventional product 3 is Sn at 5 μm, and Ag is 8 μm thereon. Formed. Further, the product 1 of the present invention has Sn of 5 μm, Ag of 8 μm thereon, and Au of 0.02 μm formed thereon. The product of the present invention 2 has Sn of 5 μm, Ag of 8 μm thereon, and Au on it. In this product 3, Sn is 5 μm, Ag is 8 μm thereon, and Au is 0.1 μm formed thereon.
[0018]
From the above experimental results, good results have been obtained for any of the test products with respect to airtightness, but only the present invention products have obtained good results with respect to solderability, and in particular, the present invention products 2 and 3 The solder wettability of 95% or more is shown, indicating that the solderability is very good. As for heat resistance, good results were obtained except for the conventional product 2 having a thin Ag film. As described above, it can be understood that the product of the present invention has good performance and high practicality, and particularly that the solderability becomes extremely good when the Au layer is 0.05 μm or more. Note that if the Au layer is too thick, the cost increases, so it is preferable that the thickness be 0.2 μm or less.
[0019]
【Example】
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an exploded internal structure of a tuning fork type crystal resonator, and FIG. 2 is a partially enlarged view of a base portion of FIG.
[0020]
The base 1 includes a metal shell 10, an insulating glass 13 filled in the shell, and lead

terminals

11 and 12 that are fixed to the insulating glass 13 so as to penetrate therethrough. The shell 10 is made of, for example, Kovar or iron-nickel alloy and has a cylindrical shape penetrating vertically. The

lead terminals

11 and 12 are processed into a linear shape using, for example, Kovar as a base, and are disposed through the shell with a predetermined interval. The insulating glass 13 is made of, for example, borosilicate glass, and the shell 10 and the

lead terminals

11 and 12 are integrally formed by a glass baking technique in an electrically independent state.
[0021]
This integrally formed base is subjected to cleaning of the metal surface or removal of the carburized portion by acid cleaning or the like, and then the next metal film is formed. A nickel layer or a copper layer is formed with a thickness of 2 to 6 μm on the Kovar surface of the shell and the lead terminal, and a tin layer is formed with a thickness of 3 to 10 μm on the upper surface thereof. A silver layer is formed on the upper surface with a thickness of 5 to 20 μm, and an ultrathin gold layer is formed on the upper surface with a thickness of 0.05 to 0.2 μm. These metal coatings may be formed by barrel plating. Barrel plating is excellent in mass productivity because electrolytic plating can be performed efficiently by immersing the barrel into which the film formation target is put in a plating bath and rotating the barrel, and batch processing is possible. ing.
[0022]
By such a plating process, the metal layers are formed on the base shell and the lead terminal surfaces. A tuning fork type crystal resonator piece, which is an electronic element, is joined to the inner sides 11a and 12a of the lead terminals by soldering or the like. Although not shown, a pair of excitation electrodes is formed on the main surface and side surfaces of the tuning fork type crystal resonator element, and each electrode is drawn out to the lead terminal portion.
[0023]
The cap 3 is made of white (Cu—Ni—Zn alloy) and has a bottomed cylindrical shape. A nickel layer 31 is formed on the outer and inner peripheral surfaces of the cap by means such as plating. Note that the metal layer formed on the cap may be made of copper, silver, or gold instead of nickel, or may have a multilayer structure in which nickel, copper, silver, and gold are appropriately combined. The inner diameter of the cap is designed to be slightly smaller than the shell portion of the base, and is set to an inner diameter that is, for example, 2 to 5% smaller. By covering such a cap with a tuning-fork type crystal resonator piece, which is the electronic element, in a vacuum atmosphere, and press-fitting the cap opening into the base, the base and the cap are in close contact and the inside of the cap is kept in a vacuum state Airtight sealing can be performed.
[0024]
As described above, it is possible to obtain an electronic component having an ultrathin gold layer formed on the outer side 11b, 12b of the lead terminal, and without this, soldering to the mounting board is not degraded. Smooth implementation can be performed. The solder that joins electronic elements to the lead terminals and the solder that joins electronic components to the mounting board are also lead-free and use a material that has excellent heat resistance, leading to lead-free and total heat resistance for electronic components. Can be obtained.
[0025]
Moreover, you may form both alloy layers between a tin layer and a silver layer in the said structure. The alloy layer may be formed, for example, by plating a tin layer or a silver layer and then performing diffusion treatment by heating for several hours in a vacuum atmosphere at 210 ° C., for example. The alloy layer region can be controlled by the diffusion treatment time.
[0026]
By forming an alloy layer of tin and silver, it is possible to obtain a metal layer that has the softness of tin, can increase the melting point of the region, and has excellent heat resistance. Note that the gold layer may be formed after the diffusion treatment.
[0027]
In the above embodiment, the tuning fork type crystal resonator that performs vacuum sealing is illustrated. However, the tuning fork type crystal resonator can be applied to a crystal resonator in another vibration mode in an inert gas atmosphere. It is also possible to apply to hermetic sealing.
[0028]
【The invention's effect】
According to the present invention, due to the softness of the tin layer, ensuring airtightness at the time of press-fitting functions effectively, the gold layer prevents oxidation of the silver layer, and press-fitting can proceed smoothly with good ductility. . Therefore, an airtight sealed electronic component corresponding to lead-free can be obtained without reducing the airtightness after press-fitting. Further, the cost can be kept low.
[0029]
Moreover, since heat resistance can be improved by the silver layer, softening of the tin layer is suppressed even when exposed to relatively high temperature conditions such as reflow soldering. Therefore, heat resistance can also be improved.
[0030]
According to the second aspect, in addition to the above effects, oxidation of the lead terminal can be prevented by the uppermost gold layer, and solderability to the mounting substrate can be improved.
[0031]
According to claim 3, in addition to the above effects, since the silver layer is in a relatively thick state, softening of the lower layer tin can be suppressed and heat resistance can be improved.
[0032]
Furthermore, according to the fourth aspect, by forming an alloy layer in addition to the above effects, it is possible to improve heat resistance and ensure good airtightness.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing an exploded internal structure of a tuning fork crystal unit.
FIG. 2 is a partially enlarged view of the base portion of FIG.
[Explanation of symbols]
1 Base 10

Shell

11, 12 Lead terminal 13 Insulating glass

Claims

A metal shell is filled with insulating glass, and a lead terminal is fixed through the insulating glass, an electronic element mounted on the base, and the electronic element is hermetically sealed by being press-fitted into the base. In electronic parts consisting of caps to
At least said metallic shell is formed tin layer, a silver layer is formed on the tin layer, that 0. 05μm~0. 2μm thickness of the gold layer on the silver layer is formed A hermetic sealed electronic component.

2. The hermetically sealed electronic component according to claim 1, wherein the tin layer, the silver layer, and the gold layer are also formed on the lead terminal.

3. The hermetically sealed electronic component according to claim 1, wherein the silver layer is thicker than the tin layer.

4. The hermetically sealed electronic component according to claim 1, wherein an alloy layer of tin and silver is formed between the tin layer and the silver layer.