JP3858045B1 - 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】記録素子及び再生素子間のクロスーク、外来ノイズによる再生素子劣化及びエラーの発生を抑制した薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供する。
【解決手段】スライダ基体１及び第１のシールド層３１の間において、第１の絶縁層１６を容量層として発生する寄生容量Ｃ４と、下部磁性層２１及び第２のシールド層３３の間において、第３の絶縁層３４を容量層として発生する寄生容量Ｃ２とが、実質的に等しい。下部磁性層２１とスライダ基体１との間を、好ましくは、１００（Ω）以下の抵抗Ｒ１で接続する。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置に関する。

薄膜磁気ヘッドにおいては、ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)の大容量及び小型化に対応すべく、高感度、高出力のものが要求されている。その要求に対して、薄膜磁気ヘッドの懸命な特性改善が進められている。

薄膜磁気ヘッドは、通常、誘導型記録素子と、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）を用いた再生素子とを近接して積層した複合構造を有する。記録素子は、磁気記録媒体の記録層を長手方向に磁化する面内記録素子と、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子の２つのタイプが知られている。再生素子を構成するＭＲ素子は、スピンバルブ層（以下、ＳＶ膜と称する）を用いたものが主流であるが、一方で、強磁性トンネル接合層（以下、ＴＭＲ層と称する）を用いた薄膜磁気ヘッドは、ＳＶ膜を用いた薄膜磁気ヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できることから、その開発も精力的に行われ、実用化段階に入っている。

ＳＶ膜とＴＭＲ層は、センス電流を流す方向の違いからヘッド構造が異なる。一般に、膜面に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ(Current In Plane)構造、膜面に対して垂直にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)構造(特許文献１参照)と呼ぶ。ＣＰＰ構造は、磁気シールドそのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じない。そのため、高記録密度化においてＣＰＰ構造は大変有利である。

ＴＭＲ層は、基本的に、ＣＰＰ構造となるので、上述した利点が得られる。ＳＶ膜においても、上述したＣＰＰ構造の利点を確保すべく、従来多用されていたＣＩＰ構造から、ＣＰＰ構造への転換が図られつつある。例えば、スペキュラー型やデュアル型などの多層層構造がその例である。

ＣＰＰ構造をとる場合、ＭＲ素子を両側から挟み込むように配置される第１のシールド層及び第２のシールド層を、センス電流を供給するための電極としても兼用する。第１のシールド層はスライダ基体の上に設けられる。スライダ基体は、耐摩耗性に優れたＡｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ（以下、アルティックと称する）で構成されるが、アルティックはＡｌ₂Ｏ₃などと比較して導電率が高い。そこで、スライダ基体の端面に、第１の絶縁層を設け、この第１の絶縁層の上に第１のシールド層を形成する。そして、第１のシールド層と第２のシールド層の間を第２の絶縁層によって埋め、第２の絶縁層の内部にＭＲ素子を配置する。

第２のシールド層の上には、第３の絶縁層が設けられ、第３の絶縁層の上に記録素子が設けられる。記録素子は、コイル、磁気回路及び記録用ギャップとを有する。コイルは、有機絶縁層または無機絶縁層によって、絶縁して支持されている。磁気回路は、コイルに流れる電流によって生じる磁束を導くものであって、第２のシールド層に対して第３の絶縁層を介して対向する磁性層（下部磁性層）と、この磁性層とともに磁気回路を構成する磁性層（第２の磁性層）とを有する。記録用ギャップは、磁気回路の途中に設けられる。

ところで、磁気記録の分野では、これまで、データ転送速度の高速化の要求に対応すべく、書込み周波数の高周波化が図られ、また、高密度記録の要請に応えるべく、記録素子及び再生素子の小型化が図られてきた。現在の薄膜磁気ヘッドは、現状の書込み周波数に追従でき、また、素子形状も、要求される高密度記録に対応できるものである。

しかし、データ転送速度の高速化及び高密度記録化の要求はとどまるところ知らず、現在の薄膜磁気ヘッド、特に、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは、早晩、その要求を満たしえなくなることが予想される。その理由は次のとおりである。

従来のＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドは、導電性を有するスライダ基体と第１のシールド層との間に第１の絶縁層を設け、第１のシールド層と第２のシールド層の間を第２の絶縁層によって埋め、第２のシールド層と記録素子を構成する磁性層（下部磁性層）との間に第３の絶縁層を設け、更に、記録素子のコイルを有機絶縁層または無機絶縁層によって絶縁して支持する構造であるので、薄膜磁気ヘッドには、等価的に次のような寄生容量が形成される。

まず、記録素子のコイルと、磁性層（下部磁性層）との間において、コイルを支持する有機絶縁層または無機絶縁層を容量層とする第１の寄生容量Ｃ１が発生し、磁性層（下部磁性層）と第２のシールド層との間において、第３の絶縁層を容量層として、第２の寄生容量Ｃ２が発生する。また、第２のシールド層と、第１のシールド層との間において、第２の絶縁層を容量層とする第３の寄生容量Ｃ３が発生し、更に、第１のシールド層とスライダ基体との間において、第１の絶縁層を容量層とする第４の寄生容量Ｃ４が発生する。

上記寄生容量回路において、コイルに、高周波書込み電流を流した場合、第１の寄生容量Ｃ１、第２の寄生容量Ｃ２、第３の寄生容量Ｃ３及び第４の寄生容量Ｃ４が、高周波書込み電流によって充電される。

ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは、第２の寄生容量Ｃ２を発生させる第２のシールド層と、第４の寄生容量Ｃ４を発生させる第１のシールド層は、ＭＲ素子の両側にそれぞれ配置されていて、位置が互い異なり、しかも、第２のシールド層と第１のシールド層との間に第３の寄生容量Ｃ３が発生している。

このため、第２のシールド層で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４が互いに異なり、その差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）が、第１のシールド層及び第２のシールド層の間に発生する。この差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）は、書込み電流を流すためにコイルに印加される電圧に対応して振動し、第１のシールド層及び第２のシールド層間にクロストークとして現れる。この書込み電流を流すためにコイルに印加される電圧によるクロストークにより、再生素子が劣化する。しかも、書込み周波数の高周波化が進展すればするほど、書込みのための電圧の変化が急峻になり、クロストーク電圧も高くなるから、書込み電流の高周波化が進むほどに、クロストークの弊害が大きくなり、再生素子の特性を劣化させる。

再生素子の断面積の縮小化された高密度記録対応の磁気ヘッドでは、特にこの弊害が大きくなり、ＳＶ膜では、エレクトロマイグレーションの加速による短寿命化、および、金属間拡散の加速による磁気特性の劣化などの問題も生じる。また、ＴＭＲ素子では、強磁性層間に存在する絶縁層の破壊を招きやすくなる。

更に、第２のシールド層で見た第２の寄生容量Ｃ２と、第１のシールド層で見た第４の寄生容量Ｃ４が互いに異なるため、スライダ基体側から、外来ノイズが侵入しやすくなり、エラーの発生原因となる。

特開平５−２７５７６９号公報

本発明の課題は、記録素子及び再生素子間のクロスークを抑制し、ＴＭＲ素子における絶縁層破壊、ＳＶ膜におけるエレクトロマイグレーションの発生、金属間拡散による磁気特性の劣化等を抑制することができ、且つ、外来ノイズの影響を受けにくい薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供することである。

上述した課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ基体と、再生素子と、記録素子とを含む。前記スライダ基体は、導電性を有し、一端面に第１の絶縁層を有する。

前記再生素子は、第１のシールド層と、第２の絶縁層と、第２のシールド層と、ＭＲ素子とを含み、前記第１のシールド層、第２の絶縁層及び第２のシールド層は、この順序で、前記第１の絶縁層の上で隣接している。前記ＭＲ素子は、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の間に設けられ、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層を電極層とし、周囲が前記第２の絶縁層によって埋められている。

前記記録素子は、コイルと、磁気回路とを有する。前記コイルは、絶縁して支持されている。前記磁気回路は、前記コイルに流れる電流によって生じる磁束を導くものであって、前記第２のシールド層に対して第３の絶縁層を介して対向する磁性層を有する。記録素子は、面内記録素子及び垂直記録素子のいずれであってもよい。

前記スライダ基体及び第１のシールド層の間において、前記第１の絶縁層を容量層として発生する寄生容量と、前記磁性層及び前記第２のシールド層の間において前記第３の絶縁層を容量層として発生する寄生容量とが、実質的に等しい。前記磁性層と前記スライダ基体は、抵抗によって接続されている。抵抗は、好ましくは、１００Ω以下である。

上述したように、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、導電性を有するスライダ基体の上に、第１の絶縁層を設け、第１の絶縁層の上で第１のシールド層、第２の絶縁層及び第２のシールド層を、この順序で、隣接させ、第１のシールド層及び第２のシールド層の間にＭＲ素子を設けてある。第１のシールド層及び第２のシールド層は電極層としても兼用される。この構造によれば、第１のシールド層及び第２のシールド層によって、ＭＲ素子をシールドし、かつ、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ構造の薄膜磁気ヘッドが得られる。ＣＰＰ構造は、第１のシールド層及び第２のシールド層を、電極層として用いるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じない。そのため、高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドが得られる。

記録素子において、コイルに流れる電流によって生じる磁束は、磁気回路によって導かれる。磁気回路は、周知の記録ギャップを含んでおり、記録ギャップにおいて、媒体に対する磁気記録が実行される。磁気回路は、第２のシールド層に対して第３の絶縁層を介して対向する磁性層を有する。この磁性層は一般には、下部磁性層となる。

上述した薄膜磁気ヘッドでは、記録素子のコイルと、下部磁性層との間に、第４の絶縁層を容量層とする第１の寄生容量Ｃ１が発生し、下部磁性層と第２のシールド層との間に、第３の絶縁層を容量層とする第２の寄生容量Ｃ２が発生する。また、第２のシールド層と、第１のシールド層との間に、第２の絶縁層を容量層とする第３の寄生容量Ｃ３が発生し、更に、第１のシールド層とスライダ基体との間に、第１の絶縁層を容量層とする第４の寄生容量Ｃ４が発生する。

これらの寄生容量Ｃ１〜Ｃ４の発生は、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは、その構造上、避けることができないものであり、それゆえ、これに起因して発生するクロストークによるＴＭＲ素子における絶縁層の破壊、さらには、ＳＶ膜におけるエレクトロマイグレーションの加速による短寿命化、および、金属間拡散の加速による磁気特性の劣化などの問題も、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは不可避である。

更に、第２のシールド層で見た第２の寄生容量Ｃ２と、第１のシールド層で見た第４の寄生容量Ｃ４が互いに異なるため、スライダ基体側から、外来ノイズが侵入しやすくなり、エラーが発生するといった問題点もあったことは、既に述べたとおりである。

本発明では、この問題を解決する手段として、スライダ基体及び第１のシールド層の間において、第１の絶縁層を容量層として発生する第４の寄生容量Ｃ４と、下部磁性層及び第２のシールド層の間において第３の絶縁層を容量層として発生する第２の寄生容量Ｃ２とを、実質的に等しい値に選定し、下部磁性層とスライダ基体を、好ましくは、１００Ω以下の抵抗によって接続する。

上記構成によれば、第２のシールド層で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４が実質的に等しくなり、その差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）が実質的に零となる。

このため、書込み電流によるクロストークの発生を抑制し、再生素子の特性を維持することができる。

第２のシールド層で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４が実質的に等しくなり、その差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）が実質的に零となるから、いかなる周波数の外来ノイズがスライダ基体から侵入してきても、この外来ノイズの影響を受けない。このため、外来ノイズによる再生素子の劣化及びエラーを回避できる。

更に、高密度記録化に対応して、再生素子の断面積が縮小化された場合でも、クロストーク電圧上昇を回避できる。このため、ＴＭＲ素子における絶縁層の破壊、ＳＶ膜におけるエレクトロマイグレーションの加速による短寿命化、および、金属間拡散の加速による磁気特性の劣化などの問題も回避できることになる。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ素子は、ＳＶ膜又はＴＭＲ層で構成する。これらは、ＣＰＰ型とする。

本発明は、更に、上述した薄膜磁気ヘッドと、サスペンションとを含む磁気ヘッド装置、この磁気ヘッドと磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置をも開示する。

１．薄膜磁気ヘッド
図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの構造を模式的に示す図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドのより具体的な例を、媒体対向面側から見た図である。図１、図２に図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ基体１と、記録素子２と、再生素子３とを含む。なお、この明細書において、第１、第２、第３などの順序付けは、スライダ基体１を基準にしている。

スライダ基体１は、耐摩耗性に優れたアルティック等からなる。スライダ基体１は、ＡＢＳとなる媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状については、種々のパターン、構造、形状が提案されており、本発明では、何れの幾何学的形状を採用してもよい。アルティックでなるスライダ基体１は、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁材料と比較して、耐磨耗性及び潤滑性に優れているが、導電性が高い。そこで、スライダ基体１の素子形成面には、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂などの無機絶縁材料でなる第１の絶縁層１６を付着させてある。

再生素子３は、第１のシールド層３１と、第２の絶縁層３２と、第２のシールド層３３と、ＭＲ素子３０とを含む。第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３は、例えばＮｉＦｅとＡｕなどの積層層によって構成され、第２の絶縁層３２は、Ａｌ₂Ｏ₃，ＳｉＯ₂などの金属酸化物絶縁材料で構成される。第１のシールド層３１、第２の絶縁層３２及び第２のシールド層３３は、この順序で、第１の絶縁層１６の上で隣接している。

ＭＲ素子３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられ、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３を電極層として、センス電流の供給を受ける。ＭＲ素子３０の周囲は、第２の絶縁層３２によって埋められている。ＭＲ素子３０は、ＳＶ膜又はＴＭＲ層で構成する。これらは、ＣＰＰ型とする。

図３は、ＣＰＰ型ＭＲ素子３０の具体的な層構造を示す断面図である。ＭＲ素子３０は、フリー層３０２を含み、フリー層３０２に隣接する非磁性層３０３を有し、非磁性層３０３の上に、ピンド層３０４が隣接している。ピンド層３０４の上には反強磁性層３０５が設けられている。ピンド層３０４は、反強磁性層３０５との交換結合により、磁化方向が、一方向に固定される。

フリー層３０２、非磁性層３０３、ピンド層３０４及び反強磁性層３０５の層構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０２及びピンド層３０４は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔなどによって構成される。非磁性層３０３は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ層の場合は、Ａｌ₂Ｏ₃層などの絶縁性材料層で構成される。

磁区制御層２０１、２０２は、ＭＲ素子３０の幅方向の両側部に、絶縁層２０３、２０４による間隔を隔てて配置されている。磁区制御層２０１、２０２は、フリー層３０２の磁区を制御する。

第１のシールド層３１及び第２のシールド層３２のそれぞれは、下地層３０１、３０５を介して、ＭＲ素子３０の両面に隣接している。したがって、ＭＲ素子３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＭＲ素子３０を得ることができる。

ＣＰＰ構造のＳＶ膜またはＴＭＲ層は、少なくとも１つのフリー層３０２を含んでおり、フリー層３０２に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。図示実施例のＭＲ素子３０は、磁区制御層２０１、２０２を含んでおり、磁区制御層２０１、２０２は、ＭＲ素子３０の幅方向の両側部に配置され、フリー層３０２の磁区を制御する。

絶縁層２０３、２０４は、磁区制御層２０１、２０２と、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３２との間に層状に介在し、ＭＲ素子３０との間では、両者間を完全に遮断するように形成されている。

再び、図１、図２を参照して説明する。記録素子２は、下部磁性層２１と、第２の磁性層２２と、薄膜コイル２３と、記録記録ギャップ層２４とを含む。下部磁性層２１は、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ，ＣｏＦｅなどのめっき層で構成されており、第１の磁極層２１０と、第１の磁極２１１とを有し、第２のシールド層３３に隣接する第３の絶縁層３４の上に形成されている。第３の絶縁層３４は、例えばＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）などでなる。

第１の磁極２１１は記録媒体に対向する側、即ち、ＡＢＳの側において、第１の磁極層２１０の端部に備えられている。

第２の磁性層２２は、第２の磁極層２２１と、第２の磁極２２２とを有している。第２の磁極層２２１は、第１の磁極層２１０から間隔を隔て形成され、後方に位置する後方結合部２５により、第１の磁極層２１０と磁気的に結合されている。第２の磁極層２２１は、前端が第２の磁極２２２に隣接しており、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ，ＣｏＦｅなどの磁性材料によって構成されている。第２の磁極層２２１の前端は、第２の磁極２２２の媒体対向面から、若干後退した位置にある。第２の磁極２２２は、記録記録ギャップ層２４を介して、第１の磁極２１１と、同一トラック幅を持って対向している（図３参照）。

薄膜コイル２３は、後方結合部２５の周りを周回している。薄膜コイル２３は、第１の磁極層２１０と第２の磁極層２２１との間に生じるインナーギャップ内に充填された絶縁層２６によって支持されている。薄膜コイル２３は、Ｃｕなどのめっき層として構成することができる。

上記構造により、第２の磁極層２２１、第２の磁極２２２、記録記録ギャップ層２４、第１の磁極２１１、第１の磁極層２１０及び後方結合部２５により、薄膜コイル２３に流れる電流によって生じた磁束のための薄膜磁気回路が形成される。

図１及び図２は面内記録素子を示しているが、記録層を膜面に対して垂直方向に磁化する垂直記録素子であってもよい。面内記録素子と垂直記録素子の構造上の違いは、周知のように、主として、ポール部分の構造の違いとして現れる。図４にその一例を示す。図４はABS側から見た図で、主磁極となる第１の磁極層２１０と、ライトシールドを構成する第２の磁極２２２との間にギャップ２４を有する。第２の磁極層２２１は、第２の磁極２２２とともにライトシールドを構成するものである。垂直記録素子の場合、ライトシールドを構成する第２の磁極２２２が、トラック方向に広く横たわっている点で、面内記録素子とは、明確に異なる。

次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの作用効果について説明する。まず、導電性を有するスライダ基体１の上に、第１の絶縁層１６を設け、第１の絶縁層１６の上で第１のシールド層３１、第２の絶縁層３２及び第２のシールド層３３を、この順序で、隣接させ、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間にＭＲ素子３０を設けてある。第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３は電極層としても兼用される。この構造によれば、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３によって、ＭＲ素子３０をシールドし、かつ、膜面に対して垂直にセンス電流を流すＣＰＰ構造の薄膜磁気ヘッドが得られる。ＣＰＰ構造は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３を、電極層として用いるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じない。そのため、高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドが得られる。

記録素子２において、コイル２３に流れる電流によって生じる磁束は、下部磁性層２１及び第２の磁性層２２などの磁気回路によって導かれる。磁気回路は、記録ギャップ２４を含んでおり、記録ギャップ２４において、媒体に対する磁気記録が実行される。

上述した薄膜磁気ヘッドでは、記録素子２のコイル２３と、下部磁性層２１との間に、第４の絶縁層を容量層とする第１の寄生容量Ｃ１が発生し、下部磁性層２１と第２のシールド層３３との間に、第３の絶縁層３４を容量層とする第２の寄生容量Ｃ２が発生する。また、第２のシールド層３３と、第１のシールド層３１との間に、第２の絶縁層３２を容量層とする第３の寄生容量Ｃ３が発生し、更に、第１のシールド層３１とスライダ基体１との間に、第１の絶縁層１６を容量層とする第４の寄生容量Ｃ４が発生する。

これらの寄生容量Ｃ１〜Ｃ４は、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは、その構造上、避けることができないものであり、それゆえ、これに起因して発生するクロストークによるＴＭＲ素子３０における絶縁層の破壊、さらには、ＳＶ膜におけるエレクトロマイグレーションの加速による短寿命化、および、金属間拡散の加速による磁気特性の劣化などの問題も、ＣＰＰ型薄膜磁気ヘッドでは不可避である。更に、第２のシールド層３３で見た第２の寄生容量Ｃ２と、第１のシールド層３１で見た第４の寄生容量Ｃ４が互いに異なるため、スライダ基体側から、外来ノイズが侵入しやすくなり、エラーが発生する。

本発明では、この問題を解決する手段として、スライダ基体１及び第１のシールド層３１の間において、第１の絶縁層１６を容量層として発生する第４の寄生容量Ｃ４と、下部磁性層２１及び第２のシールド層３３の間において第３の絶縁層３４を容量層として発生する第２の寄生容量Ｃ２とを、実質的に等しい値に選定してある。本発明でいう「実質的に等しい値」とは、本発明の実用的な作用効果が発現される幅のある範囲をいうのであり、具体的範囲は、Ｃ２とＣ４との比であるＣ２／Ｃ４の範囲が０．６〜１．４の範囲、好ましくは０．８〜１．２の範囲、より好ましくは０．９〜１．１の範囲である。

上記構成によれば、第２のシールド層３３で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層３１で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４が実質的に等しくなり、その差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）が実質的に零となる。

このため、書込み電流によるクロストークの発生を抑制することができる。また、いかなる周波数の外来ノイズがスライダ基体から侵入してきても、外来ノイズの影響を受けないから、外来ノイズによる再生素子の劣化及びエラーを回避し、信頼性を向上させることができる。

再生素子３の面積が縮小化された場合でも、ＳＶ膜におけるエレクトロマイグレーションの加速による短寿命化、および、金属間拡散の加速による磁気特性の劣化などの問題も回避でき、ＴＭＲ素子３０における絶縁層の破壊も回避できる。

更に、下部磁性層２１とスライダ基体１は、１００Ω以下、特に、０〜１０Ω、さらには、０〜５Ωの抵抗Ｒ１によって接続することが望ましい。抵抗Ｒ１＝０が理想であるが、現実には、０．０１〜１Ω程度の抵抗が存在する。１００Ω以下とすることにより、第２のシールド層３３で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層３１で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４との差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）を、実質的に零の安定した値に維持できる。

従って、いかなる周波数の外来ノイズがスライダ基体から侵入してきても、ノイズの影響を受けないことになるから、外来ノイズによるエラーの発生がなくなり、再生素子の信頼性が高くなる。

次に、データを参照して、本発明の効果を具体的に説明する。まず、図５は、外来ノイズの周波数（ＭＨｚ）と再生信号に含まれるノイズ（Ｖ）との関係を示す図である。図を参照すると、（Ｃ２／Ｃ４）＝３．０とした場合は、最大０．００５（Ｖ）のノイズが発生し、（Ｃ２／Ｃ４）＝２．０とした場合は、最大約０．００３５（Ｖ）のノイズが発生し、（Ｃ２／Ｃ４）＝０．６６とした場合は、実用上、許容できる範囲であるが最大約０．００１８（Ｖ）のノイズが発生している。これに対して、理想的な値である（Ｃ２／Ｃ４）＝１．００とした場合は、ノイズはほとんど発生していない。

寄生容量Ｃ１、Ｃ２は、第１及び第３の絶縁層１６、３４の厚み及び比誘電率、スライダ基体１に対する第１のシールド層３１の重なり面積、第２のシールド層３４と下部磁性層２１との重なり面積の設計によって、互いに等しくなるように、合わせることができる。

好ましくは、下部磁性層２１とスライダ基体１は、１００Ω以下の抵抗Ｒ１（図１、図２等参照）によって接続する。こうすることにより、第２のシールド層３３で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層３１で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４との差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）を、実質的に零の安定した値に維持できる。

図６は、抵抗Ｒ１をパラメータとしたときの（Ｃ２／Ｃ４）の比と、クロストーク電圧との関係を示すグラフである。図を参照すると、抵抗Ｒ１が１０００（Ω）以上では、（Ｃ２／Ｃ４）の比が１の場合も、クロスークが発生する。

これに対して、抵抗Ｒ１が１００（Ω）以下となる範囲では、（Ｃ２／Ｃ４）が「実質的に等しい値」を満たす限り、抵抗値の変化にかかわらず、クロストークは実質的に零を保つ。

図７は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を示す図、図８は図７に示した薄膜磁気ヘッドを、下部磁性層２１の第１の磁極層２１０の面で見た平面図である。図において、図１に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付し、重複説明はこれを省略する。この実施例は、抵抗R1を、適当な第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３を積層することによって構成した具体例を示している。最下層にある第１の抵抗層３５１は、スライダ基体１の上に設けられており、その上に第２及び第３の抵抗層３５２、３５３が順次に積層されている。最上層に位置する抵抗層３５３は、導体層３５４によって、第１の磁極層２１０に接続されている。

第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３は、図7に示すように、第１の磁極層２１０の後方に配置されている。もっとも、第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３の配置位置は任意である。例えば、図９に例示するように、第１の磁極層２１０の側方等、適当な位置に設けることができる。

図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に具体的な実施例を示す図である。図において、図７〜図９に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付し、重複説明はこれを省略する。この実施例においても、抵抗R1を、第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３を積層することによって構成してある。スライダ基体１の面上には、絶縁層１６が設けられており、第１の抵抗層３５１は、絶縁層１６に形成された開口部１６１を通して、スライダ基体１に隣接している。

第１の抵抗層３５１は、第１のシールド層３１と同時のプロセスによって形成されるものであるが、絶縁層１７によって、第１のシールド層３１から電気的に絶縁されている。第１の抵抗層３５１及び第１のシールド層３１との間には、両者に跨って、絶縁層３２１、３２２（図７の第２の絶縁層３２に相当）が形成されている。絶縁層３２１は、第１のシールド層３１の上に形成されており、そのＡＢＳ側の端部には、読取素子３を構成するＭＲ素子３０が備えられている。絶縁層３２２は、ＭＲ素子３０のある部分を除き、絶縁層３２１を覆うように形成されている。

第２の抵抗層３５２は、第１のシールド層３１と同時のプロセスによって形成されるものであるが、絶縁層１８によって、第２のシールド層３３から電気的に絶縁されている。第２の抵抗層３５２及び第２のシールド層３３との間には、両者に跨って、第３の絶縁層３４が形成されている。

第３の抵抗層３５３は、第３の絶縁層３４の後部側において、第２の抵抗層３５２に隣接している。第３の抵抗層３５３は、下部磁性層２１と同時のプロセスによって形成されるものであるが、絶縁層１９によって、下部磁性層２１から分離されている。

第３の抵抗層３５３及び下部磁性層２１の間には、両者に跨って、導体層３５４が形成されている。従って、下部磁性層２１とスライダ基体１との間には、導体層３５４を通して、第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３による抵抗Ｒ１が接続されることになる。

導体層３５４は、非磁性金属材料、例えば、Cu、Ti、Taなどによって構成し、第３の絶縁層１９を跨ぐのに必要な長さに設定する。その理由は次のとおりである。

即ち、図示の実施例では、第１の抵抗層３５１は、第１のシールド層３１と同時のプロセスによって形成され、第２の抵抗層３５２は、第２のシールド層３３と同時のプロセスによって形成され、更に、第３の抵抗層３５３は第１の磁極層２１０と同時のプロセスによって形成される。従って、第１の抵抗層３５１〜第３の抵抗層３５３は、磁性材料で構成されることになる。

このような構成のもとで、もし、導体層３５４を磁性材料で構成したとすると、第１の磁極層２１０から、導体層３５４を通り、第３の抵抗層３５３、第２の抵抗層３５２及び第１の抵抗層３５１に至る磁気回路が形成され、外部磁場に対して第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３が飽和してしまうので、QST（Quasi Static Test)特性が悪くなる。

上述のような問題を回避するため、この実施例では、導体層３５４を、例えば、Cu、Ti、Taなどの非磁性金属材料よって構成してある。同様の観点から、記録ギャップ膜２４の下側（図において）に隣接する高飽和磁束密度材料層４００は、導体層３５４の後方には延長しないように、第３の絶縁層１９の位置で終わらせてある。

更に、下部磁性層２１、第３の抵抗層３５３及び導体層３５４の上には、絶縁層２６１によって絶縁された第１の薄膜コイル２３１、記録ギャップ層２４、第２の磁極２２２及び後方結合部２５などが形成されている。第１の薄膜コイル２３１は有機絶縁層２６２及び無機絶縁層２６３によって覆われている。

第１の薄膜コイル２３１、記録ギャップ層２４、第２の磁極２２２、後方結合部２５及び無機絶縁層２６３は、端面が同一平面を構成するように、例えば、ＣＭＰ処理によって平坦化されており、その平坦化された面上に、絶縁層２６４によって絶縁して、第２の薄膜コイル２３２が形成されている。

第２の薄膜コイル２３２の周りは、ノボラック樹脂のような有機絶縁材料でなる絶縁層２６５によって覆われており、絶縁層２６５の上には、第２の磁性層２２を構成する第２の磁極層２２１が形成されている。第２の磁極層２２１は、保護層２７によって覆われている。

上述した薄膜磁気ヘッドにおいて、第１及び第２の薄膜コイル２３１、２３２と、下部磁性層２１との間に、絶縁層２６１〜２６５を容量層とする第１の寄生容量Ｃ１が発生し、下部磁性層２１と第２のシールド層３３との間に、第３の絶縁層３４を容量層とする第２の寄生容量Ｃ２が発生する。また、第２のシールド層３３と、第１のシールド層３１との間に、第２の絶縁層３２を容量層とする第３の寄生容量Ｃ３が発生し、更に、第１のシールド層３１とスライダ基体１との間に、第１の絶縁層１６を容量層とする第４の寄生容量Ｃ４が発生する（Ｃ１〜Ｃ４については図７など参照）。

ここで、この実施例に係る薄膜磁気ヘッドでは、下部磁性層２１とスライダ基体１との間に、導体層３５４を通して、第１〜第３の抵抗層３５１〜３５３による抵抗Ｒ１が接続されることになるから、第２のシールド層３３で見た第２の寄生容量Ｃ２の端子電圧Ｖ２と、第１のシールド層３１で見た第４の寄生容量Ｃ４の端子電圧Ｖ４との差電圧（Ｖ２〜Ｖ４）を、ほぼ零の安定した値に維持できる。従って、いかなる周波数の外来ノイズがスライダ基体から侵入してきても、ノイズの影響を受けないことになるから、外来ノイズによるエラーの発生がなくなり、再生素子の信頼性が高くなる。

２．薄膜磁気ヘッドの製造方法
次に、図１１〜図２５を参照し、図１０に図示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。まず、図１１に示すように、例えば、AlTiC材料からなるスライダ基体１の上に、A1₂0₃などでなる第１の絶縁層１６を、スパッタ法などによって形成した後、第１の絶縁層１６に、イオンミリングなどの手段によって、開口部１６１を設け、第１の絶縁層１６、及び、開口部１６１の表面に、スパッタなどの手段によって、めっき下地膜となるシード電極膜M1を形成する。更に、シード電極膜M1の表面にレジストフレームRF1を、所定のパターンで形成する。

次に、図１２に示すように、めっき法により、レジストフレームRF1によって覆われていない領域に、第１のシールド層３１及び第１の抵抗層３５１を形成する。第１のシールド層３１及び第１の抵抗層３５１は、めっき法により同時に形成されるので、同一材質で構成されることになる。

次に、レジストフレームRF1を周知の手段によって除去した後、除去後２７０、１７０の底部に存在するシード電極膜M1を、ミリングなどの手段によって除去する。これにより、第１のシールド層３１と、第１の抵抗層３５１が、電気的に分離される。図１３は、シード電極膜M1を除去した後の状態を示している。

次に、除去後２７０、１７０を含む全面に、絶縁層１７及び絶縁層２７１を、スパッタ法などの手段によって形成し、その後、表面をCMP法によって平坦化する。図１４は、CMP法による平坦化後の状態を示している。

次に、図１５に図示するように、第１のシールド層３１の表面に、絶縁層３２１、及び、ＭＲ素子３０を形成する。絶縁層３２１は、外周縁が第１のシールド層３１の表面から絶縁層１７の外側に延びるように形成する。絶縁層３２１及びＭＲ素子３０を形成するに当たっては、まず、ＭＲ素子３０のための多層層を、スパッタ法などの適用によって、第１のシールド層３１の表面に広く形成した後、ドライエッチングによって必要なパターンとし、その後に絶縁層３２１をスパッタするなどの方法が採用できる。

次に、図１６に示すように、絶縁層３２１を覆う絶縁層３２２を、スパッタなどの手段によって形成する。絶縁層３２２は、ＭＲ素子３０の表面には付着しないように、ＭＲ素子３０の後方に、若干、距離をおいて形成する。

次に、図１７に示すように、絶縁層３２２の上に、絶縁層１８を形成するとともに、絶縁層１８の内外に第２のシールド層３３及び第２の抵抗層３５２を形成する。そのプロセスは、図１１〜図１４に示したプロセスと同じである。絶縁層１８は、絶縁層１７と同様の形状となるように、絶縁層１７の上方に形成される。第２のシールド層３３は、絶縁層３２２によって覆われていない開口部をとおして、ＭＲ素子３０と接続され、第１のシールド層３１とともに、ＭＲ素子３０に対する電極層として兼用される。第２の抵抗層３５２は、第１の抵抗層３５１に接続され、絶縁層１８によって第２のシールド層３３から絶縁されている。第２のシールド層３３及び第２の抵抗層３５２は、同一のめっきプロセスによって形成することができる。

次に、図１８に図示するように、第３の絶縁層３４を形成する。第３の絶縁層３４は、外周縁が絶縁層１８の外側に延びるように形成する。第３の絶縁層３４は、スパッタ法などによって、第２のシールド層３３の表面に拡がるように形成した後、ドライエッチングによって必要なパターンとすることによって形成することができる。

次に、図１９に示すように、第３の絶縁層３４の上に、絶縁層１９を形成するとともに、絶縁層１９の内外に、第１の磁極層２１０、及び、第３の抵抗層３５３を形成する。そのプロセスは、図１１〜図１４に示したプロセスと同じである。絶縁層１９は絶縁層１７、１８と同様の形状となるように、絶縁層１８の上方に形成される。第３の抵抗層３５３は、第２の抵抗層３５２に接続され、絶縁層１９によって第１の磁極層２１０から絶縁されている。第１の磁極層２１０及び第３の抵抗層３５３は、同一のめっきプロセスによって形成することができる。

次に、第１の磁極層２１０、第３の絶縁層１９、第３の抵抗層３５３及び絶縁層２７３の表面を、CMP法によって平坦化し、平坦化面上に、スパッタ法などの手段によって、高飽和磁束密度材料層４００を形成し、更にこの高飽和磁束密度材料層４００を、パターニングした後、図２０に示すように、導体層３５４をスパッタ法などによって形成する。この導体層３５４によって第１の磁極層２１０と第３の抵抗層３５３が電気的に接続される。導体層３５４は、既に述べたような問題を回避するため、非磁性金属材料、例えば、Cu、Ti、Taなどによって構成し、第３の絶縁層１９を跨ぐのに必要な長さに限定する。高飽和磁束密度材料層４００も、同様の目的から、後端部が、第３の絶縁層１９の位置で終わるように、パターニングする。

次に、図２１に示すように、第１の磁極層２１０にトレンチ部分４１０を形成し、その内部にＡｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁物４２０を充填し、表面をCMP法などによって平坦化した後、図２２に図示するように、記録ギャップ層２４、第２の磁極２２２、第１の薄膜コイル２３１、第２の磁極２２２及び後方結合部２５などを形成する。第１の薄膜コイル２３１は、絶縁層２６１によって第１の磁極層２１０から電気的に絶縁されており、また、周囲が有機絶縁層２６２及び無機絶縁層２６３によって埋められている。

次に、第１の薄膜コイル２３１、記録ギャップ層２４、第２の磁極２２２、後方結合部２５及び無機絶縁層２６３の表面を、ＣＭＰ処理よって平坦化した後、図２３に図示するように、平坦化された面上に、絶縁層２６４をスパッタ法によって形成し、絶縁層２６４の表面に第２の薄膜コイル２３２を形成する。第２の薄膜コイル２３２は、フレームめっき法によって形成する。

この後、図２４に図示するように、第２の薄膜コイル２３２の周囲に、ノボラック樹脂などでなる有機絶縁層２６５を形成し、更に、図２５に示すように、有機絶縁層２６５の表面に、フレームめっき法によって、第２の磁極層２１１を形成する。最後に保護層２７７（図１０参照）をスパッタ法によって形成する。

上述した製造プロセスは、本発明において適用できるほんの一例であること、及び、ウエハの上で実行されるものであること、更に、垂直薄膜磁気ヘッドの製造方法にも適用できることを、付記しておく。

３．磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置とは、薄膜磁気ヘッドをジンバルに取り付けたヘッド・ジンバル・組立体（Head Gimbal Assembly 以下、ＨＧＡと称する）、ＨＧＡをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体（Head Arm Assembly 以下、ＨＡＡと称する）及び複数のＨＡＡをスタックしたヘッド・スタック組立体（Head Stack Assembly 以下、ＨＳＡと称する）を含む概念である。

図２６は磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。図示の磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る薄膜磁気ヘッド４と、ヘッド支持装置５とを含む。ヘッド支持装置５は、薄膜磁気ヘッド４を支持する。

ヘッド支持装置５は、一端部で薄膜磁気ヘッド４を支持している。ヘッド支持装置５は、金属薄板でなる支持体５１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体を取付け、この可撓体の下面に薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。具体的には、可撓体は、支持体５１の先端を自由端とした舌状片５２４を有する。支持体５１の下面には、例えば半球状の荷重用突起５２５が設けられている。この荷重用突起５２５により、支持体５１の自由端から舌状片５２４へ荷重力が伝えられる。本発明に適用可能なヘッド支持装置５は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置５を広く適用できる。

薄膜磁気ヘッド４は、舌状片５２４の下面に接着等の手段によって取付けられ、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。

本発明に適用可能なヘッド支持装置５は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置５を、広く適用できる。例えば、支持体５１と舌状片５２４とを、タブテープ（ＴＡＢ）等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。

４．磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される。

図２７は、図２６に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、薄膜磁気ヘッド４と、薄膜磁気ヘッド４を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。

アセンブリキャリッジ装置は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(ＶＣＭ)からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。

キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド４を搭載したヘッド支持装置５が固着されている。各ヘッド支持装置５は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド４が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。

以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。

本発明に係る薄膜磁気ヘッドの構造を模式的に示す図である。 図１に示した薄膜磁気ヘッドのより具体的な例を媒体対向面側から見た図である。 ＣＰＰ型ＭＲ素子の具体的な層構造を示す断面図である。 本発明に係る垂直薄膜磁気ヘッドを、媒体対向面側から見た図である。 外来ノイズの周波数（ＭＨｚ）と再生信号に含まれるノイズ（Ｖ）との関係を示す図である。 抵抗Ｒ１をパラメータとしたときの比（Ｃ２／Ｃ４）とクロストーク電圧との関係を示すグラフである。 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を示す図である。 図７に示した薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す平面図である。 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の例を示す平面図である。 本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に具体的な実施例を示す図である。 図１０に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図である。 図１１に示した工程の後の工程を示す図である。 図１２に示した工程の後の工程を示す図である。 図１３に示した工程の後の工程を示す図である。 図１４に示した工程の後の工程を示す図である。 図１５に示した工程の後の工程を示す図である。 図１６に示した工程の後の工程を示す図である。 図１７に示した工程の後の工程を示す図である。 図１８に示した工程の後の工程を示す図である。 図１９に示した工程の後の工程を示す図である。 図２０に示した工程の後の工程を示す図である。 図２１に示した工程の後の工程を示す図である。 図２２に示した工程の後の工程を示す図である。 図２３に示した工程の後の工程を示す図である。 図２４に示した工程の後の工程を示す図である。 磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。 図２６に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。

符号の説明

１ 基体
２ 記録素子
３ 再生素子
１６ 第１の絶縁層
２３ コイル層
２４ 記録ギャップ層
３０ ＭＲ素子
３１ 第１のシールド層
３２ 第２の絶縁層
３３ 第２のシールド層
３４ 第３の絶縁層
Ｃ２、Ｃ４ 寄生容量
Ｒ１ 抵抗
２１０ 第１の磁極層
２１１ 第１の磁極
２２ 第２の磁性層
２２１ 第２の磁極層
２２２ 第２の磁極

Claims (7)

1. スライダ基体と、再生素子と、記録素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、
   前記スライダ基体は、導電性を有し、一端面に第１の絶縁層を有しており、
   前記再生素子は、第１のシールド層と、第２の絶縁層と、第２のシールド層と、磁気抵抗効果素子とを含み、前記第１のシールド層、第２の絶縁層及び前記第２のシールド層は、この順序で、前記第１の絶縁層の上で隣接しており、
   前記磁気抵抗効果素子は、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層の間に設けられたＣＰＰ（Current Perpendicular to Plain）構造の磁気抵抗効果素子であって、前記第１のシールド層及び前記第２のシールド層を電極層とし、ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流す構造をなしているとともに、周囲が前記第２の絶縁層によって埋められており、
   前記記録素子は、コイルと、磁気回路とを有しており、
   前記コイルは、絶縁して支持されており、
   前記磁気回路は、前記コイルに流れる電流によって生じる磁束を導くものであって、前記第２のシールド層に対して第３の絶縁層を介して対向する磁性層を有しており、
   前記スライダ基体及び第１のシールド層の間において、前記第１の絶縁層を容量層として発生する寄生容量と、前記磁性層及び前記第２のシールド層の間において前記第３の絶縁層を容量層として発生する寄生容量とが、実質的に等しくなっており、
   前記磁性層と前記スライダ基体は、短絡されている、
   薄膜磁気ヘッド。
2. 前記スライダ基体及び第１のシールド層の間において、前記第１の絶縁層を容量層として発生する寄生容量をＣ２とし、前記磁性層及び前記第２のシールド層の間において前記第３の絶縁層を容量層として発生する寄生容量をＣ４とした場合において、Ｃ２とＣ４との比であるＣ２／Ｃ４の範囲が、０．６〜１．４の範囲である請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
3. 請求項１または請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記短絡における抵抗値は、１００Ω以下である薄膜磁気ヘッド。
4. 請求項１乃至３の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記磁性層と前記スライダ基体は、短絡されている薄膜磁気ヘッド。
5. 請求項１乃至４の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、前記記録素子は、垂直記録素子である薄膜磁気ヘッド。
6. 薄膜磁気ヘッドと、サスペンションとを含む磁気ヘッド装置であって、
   前記薄膜磁気ヘッドは、請求項１乃至５の何れかに記載されたものでなり、
   前記サスペンションは、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
   磁気ヘッド装置。
7. 磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、
   前記磁気ヘッド装置は、請求項６に記載されたものでなり、
   前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との協働により、磁気記録の記録及び再生を行なう、
   磁気ディスク装置。

Images