JP3841452B2 - 半導体処理機器内での半導体ウェーハのすべり転位及び薄膜応力測定システム及び方法 - Google Patents
半導体処理機器内での半導体ウェーハのすべり転位及び薄膜応力測定システム及び方法 Download PDFInfo
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、一般に半導体デバイス製造、特にすべり転位パターン及び薄膜応力の現場(in−situ)測定方法、システム、及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ上に堆積される誘電体層、金属層、及びその他の薄膜材料層内の応力は、半導体デバイス製造における重要なパラメータである。薄膜応力はウェーハ反りを生じることがあり、この反りはデバイス性能、信頼性、及び種々のマイクロリソグラフィックパターニングステップ中の線幅制御に影響することがある。極端な場合、薄膜応力から生じる反りは、デバイス処理中にウェーハを固定し及び取り扱う上で問題を起こすことがある。
【0003】
その上、短時間熱処理(RTP)のような種々の高温(例えば、850℃より高い)プロセス、エピタキシャル成長、熱酸化、熱アニーリング、及びなんらかの低圧化学気相成長(LPCVD)プロセスは、ウェーハ表面において、特にウェーハの縁においてすべり転位線の形成を招くことがある。すべり転位は、温度不均一に起因する半導体基板内の結晶転位の結果であって、熱誘導機械的応力を起こす。このようなすべり転位は、デバイス製造歩留りを低下させ、かつマイクロリソグラフィプロセスステップと干渉することがある。重要なことは、処理/機器パラメータを最適化するために応力及びすべりを特性描写しかつ定量する現場測定能力を持つことである。
【0004】
薄膜応力を評価する利用可能なシステムは、薄膜応力値を抽出するためにウェーハ反り(曲率半径)を測定するのにレーザビームを、通常、採用する。しかしながら、これらのシステムは、半導体処理機器から分離されていることを必要とする大形光学構成要素に、通常、依存する。したがって、これらのシステムは、半導体製造機器、プロセス/機器制御、及び診断に望まれるもののように、現場センシング及び測定応用に使用され得ない。これらの応力測定システムは、また、どちらかと云うと高価であり、かつ非現場独立測定及び検査ツールとして専ら設計されてきた。更に、利用可能な応力測定ツールは、ウェーハ表面全体に対する平均薄膜応力値を提供するだけで、応力分布についての情報を提供しない。
【0005】
X線トポグラフィは、すべり転位マッピングに使用される主要半導体特性描写技術になっている。しかしながら、X線トポグラフィは、ウェーハを半導体プロセス機器から外すことを必要とする非現場材料評価技術である。したがって、X線トポグラフィシステムは、実時間現場すべり転位マッピング情報を提供することができない非現場オフラインツールである。X線トポグラフィシステムは、また、どちらかと云うと高価である。更に、X線露出はデバイス構造に欠陥を発生することがあり、これがエージング及び低信頼性を加速させることがある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題、及び課題を解決するための手段】
したがって、すべり転位マッピング及び応力測定用の低コスト、非侵害性、現場即ち、ウェーハを半導体プロセス機器に置いたままで測定できるセンサに対する要望が起こっている。半導体ウェーハ内の、薄膜応力及びすべり転位の両方の測定、同じくまた、それらの分布マップを測定するシステムが提供され、このシステムは一次レーザビームを発生するレーザ源を含む。少なくとも1つのビームスプリッタが、その一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割し、第1ビームはウェーハ表面の第1点へ及びこれから指向させられる。第2ビームは、ウェーハ表面の第2点へ及びこれから指向させられる。少なくとも1つのビームスプリッタは、ウェーハ表面の第1点からの反射後の第1ビームの部分とウェーハ表面の第2点からの反射後の第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成する。鏡(反射器)又は光ファイバが、これらのビームをシステムを通して指向させるのに使用される。
【0007】
本発明の原理を具体化する応力測定及びすべり転位マッピング装置、システム、及び方法は、現在利用可能のものに優る数々の顕著な利点を有する。本発明の実施例は、半導体ウェーハ内の薄膜応力及びすべり転位の低コスト、現場測定を提供する。本発明のセンサは、短時間熱処理システム及び化学気相成長システムのような、現存する半導体処理機器と両立すると云う技術的利点を提供する。更に、現行のレーザベース技術を、低コスト、現場応力測定に不適当かつ非実用的なものにする大形光学構成要素の必要性が、実質的に除去されている。
【0008】
【実施例】
本発明及びその利点の一層完全な理解のために付図と関連して行われる次の説明をいまから参照する。
【0009】
本発明の好適実施例及びその利点は、これらの図面を参照することによって最も良く理解されるが、これら種々の図面を通して同様又は相当する部品に対しては同様の符号が使用される。
【0010】
図1a及び図1bは、半導体ウェーハ10の2つの拡大断面図である。ウェーハ10はシリコン基板12を含み、この基板は研磨上面16上に薄膜材料の薄膜14を形成されている。ウェーハ10の縁は、全体的に11で指示される。薄膜14から生じる機械的応力の性質次第で、ウェーハ10のウェーハ反りは、圧縮応力に起因する凸面形(図1a)又は引張り応力に起因する凹面形(図1b)のどちらかであり得る。マイクロメートル(μm)で表示されたレベル差(ウェーハ反り)hは、薄膜応力の量、薄膜の厚さ、及び基板の厚さによって決まる。典型的150mm直径シリコンウェーハ10に対して、基板12の厚さは、500〜600μmの程度であると云える。所与の薄膜応力及び薄膜の厚さに対して、ウェーハ反りhの量は、基板12の厚さを減少すると共に増大する。金属薄膜14を備え、薄膜14内に誘電体、金属、又は引張りヘテロ構造を備える標準150mm直径ウェーハ10に対して、ウェーハの厚さhは数μmほどの大きさであり得る。
【0011】
ウェーハ基板12上の薄膜応力に起因するウェーハ反りhは、式(1)によって表される。
【0012】
【数1】
【0013】
ここに、σf は薄膜応力、
ES は基板12に対するヤング率、
VS は基板12に対するポアソン比、
tS は基板12の厚さ、
tf は薄膜14の厚さ、
R は基板の曲率半径。
【0014】
式(1)内で、複合弾性係数項は式(2)によって表現される。
【0015】
【数2】
【0016】
ここで、シリコン基板12は、<100>結晶方向を有すると仮定する。この複合弾性項は、シリコン基板12の<100>面内のどの方向に対しても一定である。
【0017】
次に図2を参照すると、ウェーハ10の縁対中心レベル差(ウェーハ反り)hは、次の誘導に従って式(1)の(延長円19の)曲率半径Rを介して表される。図2に基づき、
【0018】
【数3】
かつ
【0019】
【数4】
【0020】
であるから、したがって、
【0021】
【数5】
【0022】
式(6)及び式(7)の三角関数関係から、
【0023】
【数6】
かつ
【0024】
【数7】
【0025】
したがって、ウェーハ反りhは、次のように表される。
【0026】
【数8】
【0027】
次いで、三角恒等式を使用して、
【0028】
【数9】
【0029】
式(8)は、次のように簡単化される。
【0030】
【数10】
【0031】
かつ最終的に次を得る。
【0032】
【数11】
【0033】
式(1)内のRに式(11)を使用して代入すると、次を得る。
【0034】
【数12】
又は
【0035】
【数13】
【0036】
例えば、150mm直径ウェーハ10に対する薄膜応力σf は5×108 Paであり、薄膜14の厚さtf は(800℃で成長させられた)酸化物の95Å(9.5nm)であり、及び基板12の厚さtS は500μm、すなわち0.5mmであると仮定する。次いで、これらの値を式(13)に代入すると、次を得る。
【0037】
【数14】
【0038】
したがって、式(14)を解いて次を得る。
【0039】
【数15】
【0040】
95Åの薄膜14の厚さtf で以て、ウェーハ反りhは1.776μmになる。換言すれば、ウェーハ反り(中心対縁変位)hは、約1.776μmであることになる。厚目の薄膜14に対して、ウェーハ反りhは、数10μmの程度であると云える。
【0041】
図3は、いくつかの可視すべり転位17を示すウェーハ10の上面図又は底面図である。人間の眼に見えることも又は見えないこともあるすべり転位17は、過剰熱誘導機械的応力を起こすことがある種々の高温処理の結果である。ウェーハ10が極めて数多くの半導体デバイス製造プロセスを受けつつある際、ウェーハ10上の全てのすべり転位の位置及び量を知ることが望ましい。
【0042】
図4は、本発明の概念を具体化する応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステム22の1実施例の概略線図である。システム22は、ウェーハ上の薄膜応力測定又はすべり転位マッピング(同じくまたウェーハ反り測定)のいずれにも使用され、又は応力測定及びすべり転位マッピングの両方を同時に遂行することができる。この実施例において、ウェーハ10は、真空ロードロックチャンバ又は真空計測チャンバ(明示されていない)内に面を上に向け保持されると共に、システム22はウェーハ10の下側に配置される。もし望むならば、このシステムを面下向きウェーハと共に使用することもできる。基板12の後側をシステム22に面してウェーハ10を位置決めすることによって、入射レーザビームへのデバイスパターンの影響を除去することができる。注意を要するのは、システム22についての発明概念に影響を及ぼすことなく、薄膜14(又はウェーハ前側)をシステム22に面してウェーハ10を位置決めできると云うことである。システム22は適当なレーザ源24を含み、このレーザ源は適当な波長の一次レーザビームを供給し、その適当な波長は、例えば、0.85μm、1.30μm、1.55μm、10.6μm、又は6328Å、又は、一般に、400nmから10μmを超える範囲の波長であると云える。
【0043】
この実施例において、レーザ源24によって供給される一次レーザビームは、3つのビームスプリッタ26a、26b、及び26cによって、3つの対応する二次入射ビームに分割される。これらのビームスプリッタによって再指向させられなかった一次入射ビームの部分は、末端鏡32によって反射(又は部分反射)されて参照ビームを供給する。ビームスプリッタ26bへの入射ビームは軸方向ビームを発生し、このビームはウェーハ10の中心点又は近中心点18へ直接送られる。2つの他の二次ビーム、この場合入射ビームスプリッタ26a、26cによって発生されたビームは、円すい形環状鏡28及び円すい形環状鏡30を経由してウェーハ10の2つの縁(又は2つの偏心)点へ指向させられる。注意を要するのは、変形実施例においては、円すい形環状鏡30は、平面鏡によって置換され得ると云うことである。また注意を要するのは、本発明の原理は、単一ビームだけが又は3つ以上のビームがウェーハ10の縁(又は偏心点)へ向けて指向させられるシステムにも適用され得ると云うことである。
【0044】
入射分割ビームは、ウェーハ10から反射される。ビーム/ウェーハ境界点においてウェーハ上にすべり転位線が出現することは、レーザビーム散乱及び低い正反射ビーム強度値の原因となる。更に、(薄膜応力及び熱処理によって起こされる)ウェーハ反りは、1つ以上の反射ビームの有効光路長を変化させ、これが(これらの反射ビームが一緒に又は一次入射ビームと組合わされた後の)干渉ビーム強度値に変化を持たらす。ウェーハ10の中心点18又は縁(又は偏心)点31a及び31bからの反射ビームは、ビームスプリッタ26a〜26cへ向かう分割入射ビームと同じ光路に本質的に沿って戻り走行する。調整可能係数を有する光ビームシャッタ/吸収器27a、27b、及び27cは、入射分割ビーム及び反射分割ビームの光路に沿って使用されることがあって、これらのビームの相対強度を変動させる。ビームスプリッタ26aの後で、反射点31aからの反射ビームは末端鏡32からの反射一次ビームと干渉し、これによって、BEAM1として示される干渉ビームを発生する。BEAM1は、縁(又は偏心)点31aからの反射ビームと末端鏡32から戻り反射されたの参照入射ビームとから生じる干渉じまパターンデータを含む。同様の仕方で、図4のBEAM2及びBEAM3によって表現される干渉ビームが発生される。BEAM3は縁点(又は偏心)点31bと末端鏡32から戻り反射された参照入射ビームとについての干渉じまパターンデータを含み、及びBEAM2は反射中心ビームと末端鏡32からの参照入射ビームの関する干渉じまパターンデータを含む。
【0045】
ウェーハ10上の2つの縁(又は偏心)点31a及び31bからの少なくとも2つのビームを使用することによって、センサシステム22の光軸に垂直な水平面からの僅かな傾斜を有するウェーハ10に起因するどんな測定誤差も打ち消される。これは、例えば、縁(又は偏心)点31a及び31bから取られた干渉じまパターンの直接比較によって、なされ得る。
【0046】
干渉じまパターンデータを含む干渉ビームBEAM1、BEAM2、及びBEAM3は、干渉じまパターン分析システム33によって分析される。干渉じまパターン分析システム33は、ウェーハ10内の薄膜応力(及び/又は熱応力履歴)から生じるウェーハ反りh、同じくまた、ウェーハ10内の全てのすべり転位の完全なマップの両方を抽出することができる。干渉じまパターン分析システム33は、周知の干渉計測学的分析アルゴリズムを使用してウェーハ10内の反り及びすべり転位の両方を検出しかつマップする。干渉計測学的分析アルゴリズムは本発明の発明概念内にないので、このようなアルゴリズムについての完全な説明は免じられる。このようなアルゴリズムにおいて、ウェーハ10の反りhは干渉ビームの振幅を表現する直流(又は低周波)信号の変化として現れると述べることで充分である。ウェーハ10の反りが増大又は減少するに従い、干渉ビームの振幅は、1つ以上の反射ビームに対する有効光路長の変化によって起こされる構成性又は破壊性ビーム干渉効果に起因して影響されることになる。このようにして、ウェーハ反りの増大又は減少が干渉ビームの直流(又は低周波)振幅に影響する。
【0047】
すべり転位は、ウェーハ走査中に干渉ビーム振幅に重畳される交流(又は高周波)信号の擾乱として検出される。干渉ビーム振幅内に観察される交流擾乱効果は、すべり転位線を直接照射する入射レーザビームの過渡散乱によって起こされる。
【0048】
干渉じまパターン分析システム33を良く理解するために、干渉ビームBEAM1、BEAM2、及びBEAM3の簡単な論理分析をここに提示する。干渉じまパターン分析システム33によって受けられると、これらのビームは、次のそれぞれ式(16)〜(18)のように表現される。
【0049】
【数16】
【0050】
【数17】
【0051】
【数18】
【0052】
ここに、
− EB1、EB2、及びEB3は、それぞれ、ビームBEAM1、BEAM2、及びBEAM3の光電界関数である。
− ω はレーザ源ビームの角光周波数である。
− t は時間である。
− αi1、αi2、及びαi3は、(末端鏡32からの反射とその後の、それぞれ、ビームスプリッタ26a、26b、及び26cからの反射とに起因する)参照レーザビームのピーク電界振幅である。
− φO1、φO2、及びφO3は、3つの上述の参照ビームに関連した固定光位相角である。
− β1 、β2 、及びβ3 は、(、それぞれ、ウェーハの第1偏心点、中心点、及び第2偏心点からの)3つの反射レーザビームのピーク電界振幅である。これらの値は、また、ウェーハの正反射率、同じくまた、ビームスプリッタ26a、26b、及び26c、並びにビームシャッタ/吸収器27a、27b、及び27cの透過率に依存する。
− ψ1 、ψ2 、及びψ3 は、3つの上述の反射レーザビームの干渉位相角である。これらの位相角は、反射ビームの有効光路長に関連し、したがって、ウェーハ反り及び/又は薄膜応力によって影響される。
【0053】
EB1、EB2、及びEB3に対する式(16)〜(18)に表示されたように、電界振幅は、相対位相差値(ψ1 、−φO1、ψ2 −φO2、及びψ3 −φO3)に従う(増大又は減少電界振幅に相当する)構成性干渉効果又は破壊性干渉効果を経験し得る。したがって、干渉じま分析システム33は、単に3つの光検出器(明示されていない)を使用して、干渉ビームBEAM1、BEAM2、及びBEAM3の強度(これらのビーム強度は、|EB1|2 、|EB2|2 、及び|EB3|2 に比例する)を測定することができる。測定ビーム強度値は、反りマップデータ及びすべり転移マップデータを抽出するために、干渉じまパターン分析システム33内のコンピュータへ、ディジタル処理用(なおまたシステム33内にある)アナログ−ディジタル変換器を経由して、送られることがある。ビーム強度データは、応力マップ及びすべり転位マップを抽出するために、ウェーハ表面の領域走査用に収集される。これらの強度データは、応力データ及びすべり分布データに関係した必要情報を含む。そのコンピュータ内の信号処理アルゴリズムは、簡単な分析干渉計測の式に基づき、ウェーハ反り(中心に対する変位)対ウェーハ中心からの位置を容易に抽出することができる。すべり転位マップは、収集信号の高周波(いわゆる交流)成分対時間に基づき簡単に得られる。
【0054】
ウェーハ10の応力及びすべり転位の両方の全マップを得るために、偏心点への入射ビームを、種々の半径位置においてウェーハ10の全周にわたってトレースしなければならない。これは、ウェーハ10又は入射ビームを指向させるシステム22の部品のいずれかを回転させるばかりでなく、軸方向へ運動させることを必要とする。ウェーハ10の全周にわたる各全円形走査の後に、偏心点ビームがトレースされる走査円周の半径を変化させるように、ウェーハ10に垂直な軸に沿って環状鏡30を運動させる。図5は、ウェーハ10に対する可能な走査パターンを描く。ウェーハ10又はシステム22(又はその部品)のいずれかを回転させ、かつ環状鏡30を運動させることによって、ウェーハ10の全前面又は全後面を、応力及びすべり転位の両方について、走査することができる。ウェーハ10の走査は、望むだけ多くのトレースを含むことができる。図5に描かれた走査方法論は、ウェーハ10の周を切れ目なく回るトレース1で以て開始する。いったんトレース1が完了すると、環状鏡30を再調節して入射ビームをトレース2上へ指向させる。このプロセスをトレースNまで切れ目なく繰り返す。
【0055】
図6は、ウェーハ10に類似の半導体ウェーハについてシステム22で以てすべり転位を走査している間中に、検出器によって見られた干渉ビームの1つの干渉ビーム強度の代表的定量プロットを描く。水平軸110はマッピング時間を表示し、垂直軸112は干渉ビームの1つ(例えば、BEAM1)の強度を表示する。ウェーハ10マッピングのトレース1中、信号はレベル114によって表示される強度レベルを有する。下向きスパイク116及び118は、偏心入射ビームがウェーハ10上のすべり転位を照射しかつこの入射ビームが散乱されたときに生じる信号レベル114への交流擾乱を表示する。スパイク116及び118は、上向きであることもある。これは、相当する偏心正反射ビームの減衰を持たらす。類似のスパイクは、ウェーハの走査がトレース2へ及びトレースNへと続くに従い、ビームがすべり転位線を照射するとき必ず、起こる。
【0056】
図7は、円形走査と、円すい形環状鏡30の軸位置をステップさせることによって入射偏心レーザビームの半径位置をステップさせること、との組み合わせによる典型的ウェーハ全体走査を描く。水平軸120は、図6について説明されたのと同じである。Z軸122は、例えば、図4の円すい形環状鏡30のウェーハ表面に対する相対位置を表示する。例示プロット124は、図5に示されたウェーハ全体マップに対して使用される組合わせ円形/軸方向走査ルーチンを表示する。したがって、走査トレースが最外トレース、トレース1から最内トレース、トレースNへと漸進するに従って、干渉ビーム強度データが全てのこれらトレースにわたり収集されて、ウェーハ全体マップを構成する。これらの測定値は、上に導出された式に従ってウェーハ10の応力及び反りを計算するのに使用され得る。これらは、また、ウェーハ表面にわたる全てのすべり転位線の完全なマップを構成するのに使用され得る。注意を要するのは、図6及び図7は、本発明のシステムで以て行われ得る半導体ウェーハのすべり転位検出及び応力測定に関するプロットの例に過ぎないと云うことである。
【0057】
可能な代替設計を示すために、図8は、本発明の概念を実現する応力測定及びすべり転位マッピングシステム34を描く。システム34は、図4のシステム22と同じ原理に基づき動作する。システム34の実施例において、レーザ源24は、単一固定ビームスプリッタ36に一次入射ビームを供給する。ビームスプリッタ36への一次入射ビームの部分は(0と1との間に調節可能反射率を有する)末端鏡32へ送られ、他方、第2部分は高さ調節可能回転ビームスプリッタ38へ指向させられる。ビームスプリッタ38への入射ビームの部分はウェーハ10の中心点18へ送られ、他方、第2部分は円すい形環状鏡28を経由してウェーハ10上の縁点又は偏心点31へ指向させられる。ウェーハ10は、真空ロードロックチャンバ又は真空計測チャンバ内において、面を上に向けると共に基板12を後側にしてシステム34へ向けて保持される。しかしながら、ウェーハ10を、本発明の概念に影響することなく、前面薄膜14をセンサシステム34に面して配向することもできる。
【0058】
ウェーハ10の中心点18からの反射ビームの部分とウェーハ10上の縁点又は偏心点31からの反射ビームの部分とが、ビームスプリッタ38によって合成される。縁点又は偏心点31からの反射ビームの残りの部分は、黒体吸収器40へ送られて吸収される。次いで、合成反射ビームは、ビームスプリッタ36へ走行し、ここでこのビームが反射器32からの反射参照ビームと合成される。結果の干渉ビーム、BEAM1は、干渉じま分析システム33内の干渉計測学的分析によってウェーハ10の反りを検出かつ定量し、同じくまた、ウェーハ10内のすべり転位を検出するために、使用される。もし望むならば、オプショナルシャッタ/吸収器39を、偏心反射ビームを阻止又は減衰するために使用してもよい。これらのシャッタ/吸収器要素を、システム33によって送られる制御信号を介して、実時間走査中、結果のBEAM1が次の干渉計測学的合成になるように制御することができる、すなわち、中心反射ビームと末端鏡32からの反射ビームとの合成、又は偏心反射ビームと末端鏡32からの反射ビームとの合成、又は中心反射ビーム同じくまた偏心反射ビームの両方と末端鏡32からの反射ビームとの合成。これらの干渉計測配置の1つ以上が、ウェーハ反りマップ、薄膜応力マップ、及びすべり転位マップを抽出するために使用される。回転かつ高さ調節可能ビームスプリッタ38、吸収器40、及びオプショナルシャッタ/吸収器39を使用すると、ビームスプリッタ38(同じくまた吸収器40及びシャッタ/吸収器39)をウェーハ10表面に対して回転させかつビームスプリッタ38(同じくまた吸収器40、及びシャッタ/吸収器39)をウェーハ10に垂直な面内で運動させることによって示されるように、ウェーハ10の全表面を走査することができる。上述の回転及び軸方向運動によって、ウェーハ10の全表面がトレースされ及び図5に示された例のトレースが得られる。
【0059】
図9は、応力測定及びすべり転位マッピングシステム42の他の実施例を描く。この実施例において、代替ビームスプリッタ形態が円すい形環状鏡28と共に描かれている。図9の実施例において、単一ビームスプリッタ36へ入射するビームの部分が一対のビームスプリッタ44及び46へ指向させられる。ビームスプリッタ44及び46は一緒に、ビームスプリッタ36から受けたビームの部分を3つの入射ビームに分割する。これら結果のビームの1つはウェーハ10の中心点18へ走行し、他方、他の2つのビームは平面鏡49a、49b、及び環状鏡28を経由してウェーハ10のそれぞれの縁(又は偏心)点31a及び31bへ指向させられる。注意するのは、本発明の発明概念に反すことなく、平面鏡49a及び49bを図4の円すい形環状鏡30で置換することができると云うことである。ウェーハ10の中心点18からの反射ビームと縁点31a及び31bからの反射ビームは、ビームスプリッタ44及び46によって合成される。縁点31a及び31bからの反射ビームの残りの部分は、それぞれ、ビームスプリッタ46及び44によって黒体吸収器54及び56へ通過させられ、かつ吸収される。ビームスプリッタ44及び46によって遂行された合成から生じる反射ビームは、立ち代わって、末端鏡32からの参照反射ビームと、ビームスプリッタ36によって合成される。ビームスプリッタ36からの最終結果ビーム、BEAM1は、反りマップ及びすべり転位マップを抽出するために干渉じまパターン分析システム33によって干渉じまパターン分析に使用される。調節可能係数を有する光ビーム減衰器27a、27b、及び27cが、入射ビーム及び反射ビームの強度を変動させるためにこれらのビームの光路に沿って使用されることがある。構成要素44、46、48a、48b、49a、49b、54、56、27a、及び27cを回転させ、かつ円すい形環状鏡28の高さを変動させることによって、図5に例示トレースとして示されたように、ウェーハ10の全表面が走査されると云える。図9に示されたように、光シャッタ/吸収器を干渉じまパターン分析システムによって制御して、偏心反射ビーム、中心反射ビーム、及び末端鏡32から反射された参照ビームの種々の干渉計測学的合成を得ることができる。
【0060】
図10は、光ファイバを使用して実現される応力測定及びすべり転位マッピングシステム60を描く。この実施例において、光ファイバケーブル62が、反射鏡に代わってビームをシステム60全体を通して指向させるために使用される。図10のシステムは、スプリッタ76と、ウェーハ10と、同じくまた、末端鏡32との間に入射ビーム及び反射ビームを指向させるために使用される4つのモジュール64、66、68、及び70を含む。モジュール66は、第1ビームをウェーハ10の中心へ指向させ、かつウェーハ10の中心からの反射ビームを受ける。モジュール64は第2ビームをウェーハ10上の第1縁(又は偏心)点31aへ指向させ、及びモジュール68は第3ビームを第2縁(又は偏心)点31bへ指向させる。モジュール70は、ビームを末端鏡32へ指向させる。これらのモジュールは、また、対応する反射ビームを受ける。
【0061】
これらのモジュールの各々は、スプリッタ76からのビームを指定点へ指向させる能力を有する。各モジュールは、方向性結合器72、ファイバ端末、及び視準レンズ74を含む。方向性結合器72は、それぞれのモジュール内を走行するビームの方向を制御する。ファイバ束が、方向正結合器の代わりに使用されることがある。レンズ74は、そのモジュール内を走行するレーザビームを視準又は適当な標的上へ集束する。レンズ74は、また、ウェーハ10上の適当な位置からの反射を受け、かつこの反射をそのモジュール内へ戻り反射して結合する。モジュール64、66、68、及び70は、全て同じ仕方で動作する。
【0062】
図10のシステム60は、また、スプリッタ76を含む。スプリッタ76は、レーザ源24によって光ファイバケーブル62上へ供給された一次レーザビームを受け、かつ一次レーザビームを4つの二次レーザビームに分割し、これらの二次ビームは光ファイバケーブル62上をモジュール64、66、68、70へ、及びウェーハ10上の適当な位置へ送られる。モジュール64、66、68、及び70からの帰りの際、スプリッタ76は、モジュール70上を帰るビームをモジュール64、66、及び68上を帰るビームのどれか1つ又は全てと合成する。スプリッタ76は、これらの合成からの合成干渉ビーム、BEAM1、又は複数のビームを干渉じまパターン分析システム33へ供給する。モジュールの数同じくまたシステム60内の干渉じまパターン分析システム33へ供給される干渉ビームの数を、本発明の発明概念に影響することなく、変更することができる。
【0063】
図11は、先端真空プロセッサ(以下、AVPと称する)220と統合化された本発明の斜視図である。AVP220は、ロードロックチャンバ168、プロセスチャンバ160、及びプロセス制御コンピュータ176を含む。AVP220の基部222内に、ガスボックス、配電盤、ポンピング制御機能、真空ゲージ、流量計、弁制御装置、及び圧力ゲージを含むが、しかしこれらに限定されない、AVP220のその他の構成要素が収容されている。図8の応力測定及びずべり転位マッピングセンサシステム34は、AVP220のロードロックチャンバ168の部品として示されている。
【0064】
図12は、本発明の応力測定及びすべり転位マッピングシステム34を含む代表的単一ウェーハ環境を確立する半導体製造反応装置140の概略表示である。テキサス・インスツルメント社の自動化真空プロセッサ(AVP)のような、単一ウェーハ短時間熱処理反応装置内に、デバイス処理のために29半導体ウェーハが所在することがある。ガス分配ネットワーク142は、図12の下右手隅において始まり、次の2つのマニホルド、すなわち、図示されていない非プラズマプロセスガスマニホルド、及びプラズママニホルドを含むことがある。非プラズマプロセスガスマニホルドはガス線路144に接続し、このガス線路は反応装置ケーシング146及びプロセスチャンバ壁148を貫通して接地電極150を通り抜け、ガスインジェクタ152内へ達する。プラズママニホルドは、ガス線路152を経由してプロセスプラスマ発生用放電空洞154内へ接続する。プロセスプラマ活性化種は、反応装置ケーシング146及びプロセスチャンバ壁148を通るプラズマ放電管156内を通ってウェーハプロセス環境内へ通過する。ガスインジェクタ152の上方に、かつ低熱質量ピン158に支持されて、半導体ウェーハ10がある。低熱質量ピン158は、プロセスチャンバ160内の接地電極150によって支持される。プロセスチャンバ160は、また、光学石英窓200を含み、この窓は半導体ウェーハ10をタングステン−ハロゲン加熱ランプモジュール202から隔離する。
【0065】
プロセスチャンバ160は、また、ポンプダウンインタフェース162を含み、このインタフェースはプロセスガス及びプラスマをポンピングパッケージ164内へ除去する。加えて、分離ゲート166が、半導体ウェーハ10をロードロックタチャンバ168からプロセスチャンバ160内への通過を可能とする。半導体ウェーハ10のプロセスチャンバ160内への移動を可能とするために、プロセスチャンバ壁148は垂直運動要素(明示されていない)によって支持される。ロードロックチャンバ168内に半導体ウェーハのスタック170があり、これからウェーハ取扱いロボット172が処理に供するために単一半導体ウェーハ10を移動させる。
【0066】
ロードロックチャンバ168及びプロセスチャンバ160を真空下に維持するために、ロードロックチャンバ168は、また、真空インタフェース174を含み、このインタフェースはポンピングパッケージ164を真空に維持可能とする。プロセス制御コンピュータ176は、図12の反応装置内の半導体ウェーハ10の製造を制御する。プロセス制御コンピュータ176からの制御信号は、PID温度/ランプ電力制御装置(以下、PID制御装置と称する)204への信号を含む。PID制御装置204は、ランプモジュール電源206に種々の制御信号を供給する。ランプモジュール電源206は、立ち代わって、タングステン−ハロゲン加熱ランプモジュール202に種々の制御信号を供給する。プロセス制御コンピュータ176は、また、ポンピングパッケージ164に制御真空目標値を送りかつガス分配ネットワーク142にガス吸込み流量信号及びプラズマ吸込み流量信号を送る。放電空洞154におけるプラズマ種の適正な活性化を施すために、プロセス制御コンピュータ176は、マイクロ波源178に制御信号を供給する。
【0067】
タングステン−ハロゲン加熱ランプモジュール202の入力電力を制御するために、プロセス制御コンピュータ176は、(線路210を経由して受信された)温度センサ出力に応答して、線路208を経由してPID制御装置204に電力制御信号を送る。
【0068】
図12は、本発明の現場センサシステムが非侵害的であり、かつ利用可能の半導体処理機器内へ容易に統合化され得ることを示す。ロードロックチャンバ168内の図8の応力測定及びすべり転位マッピングシステム34のウェーハのスタック170に対する配向は、例のため過ぎず、本発明の発明概念を限定することを意図しているのではない。特に、システム34は、ウェーハのスタック170の個々のウェーハの前側へも又は後側へもアクセス可能であると云うように、チャンバ168内のどこにでも位置決めされ得る。
【0069】
【発明の効果】
本発明のシステムは、低コスト、非侵害的、現場応力測定及びすべり転位マッピングシステムを提供する。本発明及びその利点が詳細に説明されたが、もとより、種々の変更、代入、及び代替が、添付の特許請求の範囲によって規定された本発明の精神と範囲に反することなく、これらに施し得る。
【0070】
以上の説明に関して更に以下の項を開示する。
【0071】
(1) 半導体処理機器内での半導体ウェーハ反りの測定システムであって、
一次入射レーザビームを供給するように動作可能のレーザ源と、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割する少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向させられかつ前記第2ビームは前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から指向させられる、前記ビームスプリッタと、
を含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面の前記第1点から反射後の前記第1ビームの部分と前記ウェーハ表面の前記第2点からの反射後の前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能であり、前記干渉じまパターン分析は前記半導体ウェーハ反りの測定用データを提供する、
測定システム。
【0072】
(2) 第1項記載の測定システムにおいて、
干渉じまパターン分析システムであって、
前記少なくとも1つの干渉ビームの強度を測定しかつ前記測定強度を前記干渉ビームの表示信号に変換するように動作可能の少なくとも1つの光検出器と、
前記半導体ウェーハ反りを判定するために前記信号を使用して干渉じまパターン分析を遂行するように動作可能のコンピュータと
を含む前記干渉じまパターン分析システムを更に含む測定システム。
【0073】
(3) 第1項記載の測定システムにおいて、前記ウェーハ表面の前記第1点は前記ウェーハの中心点に実質的に配置され、かつ前記ウェーハ表面の前記第2点は前記ウェーハの偏心領域に配置される、測定システム。
【0074】
(4) 第1項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームの少なくとも1つを指向させるように動作可能の少なくとも1つの可動鏡を更に含む測定システム。
【0075】
(5) 第1項記載の測定システムであって、
前記入射レーザビームから参照レーザビームを生成する末端鏡を更に含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームと前記第2ビームのうちの少なくとも1つのビームの部分を前記参照ビームの部分と共に少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、
測定システム。
【0076】
(6) 第1項記載の測定システムであって、
前記入射レーザビームから参照レーザビームを生成する末端鏡を更に含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分と前記ウェーハ表面から反射後の前記第2ビームの部分と前記参照ビームの部分とを少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、
測定システム。
【0077】
(7) 第1項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームの少なくとも1つを指向させるように動作可能の平面鏡と環状鏡とを更に含む測定システム。
【0078】
(8) 第1項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームの少なくとも1つを指向させるように動作可能の1つの円すい形鏡と環状鏡とを更に含む測定システム。
【0079】
(9) 第1項記載の測定システムにおいて、前記少なくとも1つのビームスプリッタは、前記ウェーハ表面の周を回って前記ビームの少なくとも1つをトレースするように前記ウェーハに対して回転するように更に動作可能の高さ調節可能回転ビームスプリッタであり、前記高さ調節可能回転ビームスプリッタは前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために少なくとも1つのビームがトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能である、測定システム。
【0080】
(10) 第1項記載の測定システムであって、
前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームの少なくとも1つを指向させるように動作可能の少なくとも1つの反射鏡を更に含み、
前記少なくとも1つの反射鏡と協力して働く前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面の周を回って前記ビームの少なくとも1つをトレースするように前記ウェーハに対して回転するように更に動作可能であり、前記高さ調節可能回転ビームスプリッタは前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために少なくとも1つのビームがトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能である、測定システム。
【0081】
(11) 第1項記載の測定システムであって、
前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームの少なくとも1つを指向させるように動作可能の少なくとも1つの反射鏡と、
前記ウェーハ表面の周を回って少なくとも1つのビームをトレースするように前記少なくとも1つのビームスプリッタに対して前記ウェーハを回転させるように動作可能の回転子と
を更に含み、
前記少なくとも1つの反射鏡と協力して働く前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために少なくとも1つのビームがトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能である、測定システム。
【0082】
(12) 第1項記載の測定システムにおいて、前記レーザ源は400nmから10μmの範囲の波長を有する、測定システム。
【0083】
(13) 第1項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から指向させられたレーザビームの強度を減衰させるように動作可能のシャッタ/吸収器を更に含む測定システム。
【0084】
(14) 第1項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から指向させられた各ビームに対するシャッタ/吸収器を更に含み、前記シャッタ/吸収器は前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から指向させられた信号強度を減衰させるように動作可能である、測定システム。
【0085】
(15) 第1項記載の測定システムにおいて、前記第1ビームと前記第2ビームとは光ファイバによって前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から指向させられる、測定システム。
【0086】
(16) 第1項記載の測定システムであって、
前記測定システムを全体を通して前記ビームを指向させるように動作可能の光ファイバケーブルと、
前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームを指向させるように動作可能の方向モジュールであって、
前記モジュール内を走行する前記ビームの方向を制御するように動作可能の方向性結合器と、
ビームを視準しかつ前記ウェーハ表面へ集束するように動作可能の視準レンズであって、前記ウェーハ表面からの前記ビームの反射を受けるように更に動作可能の前記視準レンズと
を含む前記方向モジュールと
を更に含む測定システム。
【0087】
(17) 第1項記載の測定システムであって、
ビームを反射するように動作可能の末端鏡
を更に含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは
前記一次入射レーザビームを前記末端鏡へ指向される参照ビームと残りのビームとに分割するように動作可能の第1ビームスプリッタと、
前記残りのビームを第1ビームと第2ビームとに分割するように動作可能の第2ビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ指向させられ、かつ前記第2ビームは前記ウェーハ表面の第2点へ指向させられる、前記第2ビームスプリッタと
を更に含み、
前記第1ビームスプリッタと前記第2ビームスプリッタとは前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分と前記第2ビームの部分とを前記末端鏡から反射後の前記参照ビームの部分と共に干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、
測定システム。
【0088】
(18) 第1項記載の測定システムであって、
ビームを反射するように動作可能の末端鏡
を更に含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは
前記一次入射レーザビームを第1ビームと第1残りビームとに分割するように動作可能の第1ビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1偏心点へ及び該第1偏心点から指向させられる、前記第1ビームスプリッタと、
前記第1残りビームを第2ビームと第2残りビームとに分割するように動作可能の第2ビームスプリッタであって、前記第2ビームは前記ウェーハ表面の中心点へ及び該中心点から指向させられる、前記第2ビームスプリッタと、
前記第2残りのビームを第3ビームと参照ビームとに分割するように動作可能の第3ビームスプリッタであって、前記第3ビームは前記ウェーハ表面の第2偏心点へ及び該第2偏心点から指向させられ、かつ前記参照ビームは前記末端鏡へ及び該末端鏡から指向させられる、前記第3ビームスプリッタと
を更に含み、
前記第1ビームスプリッタは前記ウェーハ表面の第1偏心点から反射後の反射前記第1ビームの部分を前記末端鏡から反射後の前記参照ビームの部分と共に干渉じまパターン分析用の第1干渉ビームに合成するように更に動作可能であり、前記第2ビームスプリッタは前記ウェーハ表面の中心点から反射後の前記第2ビームの部分を前記末端鏡から反射後の前記参照ビームの部分と共に干渉じまパターン分析用の第2干渉ビームに合成するように更に動作可能であり、
前記第3ビームスプリッタは前記ウェーハ表面の第2偏心点から反射後の反射前記第3ビームの部分を前記末端鏡から反射後の前記参照ビームの部分と共に干渉じまパターン分析用の第3干渉ビームに合成するように更に動作可能である、測定システム。
【0089】
(19) 第1項記載の測定システムであって、
ビームを反射するように動作可能の末端鏡
を更に含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは
前記一次入射レーザビームを第1参照ビームと第1残りビームとに分割するように動作可能の第1ビームスプリッタであって、前記第1参照ビームは前記末端鏡へ指向させられる、前記第1ビームスプリッタと、
前記第1残りビームを第2残りビームと第1ビームとに分割するように動作可能の第2ビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1偏心点へ及び該第1偏心点から指向させられる、前記第2ビームスプリッタと、前記第2残りのビームを第2ビームと第3ビームとに分割するように動作可能の第3ビームスプリッタであって、前記第2ビームは前記ウェーハ表面の中心点へ及び該中心点から指向させられ、かつ前記第3ビームは前記ウェーハの表面の第2偏心点へ及び該第2偏心点から指向させられる、前記第3ビームスプリッタとを更に含み、
前記第1ビームスプリッタと、前記第2ビームスプリッタと、前記第3ビームスプリッタとは前記ウェーハ表面の第1偏心点から反射後の前記第1ビームの部分と、前記ウェーハ表面の中心点から反射後の前記第2ビームの部分と、前記ウェーハ表面の第2偏心点から反射後の前記第3ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、測定システム。
【0090】
(20) 第1項記載の測定システムであって、前記システム全体を通して前記ビームを指向させるように動作可能の光ファイバを更に含む測定システム。
【0091】
(21) 半導体処理機器内での半導体ウェーハ内のすべり転位線と該すべり転位線の分布との測定システムであって、
光検出器と、
一次入射レーザビームを供給するように動作可能のレーザ源と、
前記ウェーハ表面上の少なくとも1つの点へ及び該1つの点から前記一次入射レーザビームの部分を案内するように動作可能の少なくとも1つの可動鏡と
を含み、
前記可動鏡は前記ウェーハ表面の少なくとも1つの部分にわたり前記一次入射レーザビームの前記部分を走査するように使用され、かつ前記ウェーハ表面から反射された前記一次入射レーザビームの前記部分の強度は前記光検出器によって測定され、前記測定強度はすべり転位線の検出用信号を提供する、
測定システム。
【0092】
(22) 第21項記載の測定システムであって、前記半導体ウェーハ内のすべり転位を検出するために前記反射された一次入射レーザビームを使用して干渉じまパターン分析を遂行するように動作可能の干渉じまパターン分析システムを更に含む測定システム。
【0093】
(23) 第21項記載の測定システムであって、前記半導体ウェーハ全体について前記反射された一次入射レーザビームからすべり転位マップを発生するように動作可能のコンピュータを更に含む測定システム。
【0094】
(24) 第21項記載の測定システムであって、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するように動作可能の少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向させられ、かつ前記第2ビームは前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から指向させられる、前記少なくとも1つのビームスプリッタを
更に含み、
前記少なくとも1つの可動鏡は前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記第1ビームの部分と前記第2ビームの部分とを案内するように更に動作可能であり、かつ
前記少なくとも1つの可動鏡は前記ウェーハ表面の少なくとも1つの部分にわたり前記第1ビームの前記部分と前記第2ビームの前記部分とを走査するために使用され、かつ前記ウェーハ表面から反射された前記第1ビームの前記部分の強度と前記第2ビームの前記部分の強度とは前記光検出器によって測定される、
測定システム。
【0095】
(25) 第21項記載の測定システムであって、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するように動作可能の少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向させられる、前記少なくとも1つのビームスプリッタを
更に含み、
前記少なくとも1つの可動鏡は前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から前記第2ビームの少なくとも部分を指向させるように動作可能の平面鏡と環状鏡とを含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは高さ調節可能回転ビームスプリッタであり、かつ前記平面鏡と前記環状鏡と組み合わさって働くものであって、前記ウェーハ表面の周を回って前記第1ビームと第2ビームの少なくとも1つをトレースするように前記ウェーハに対して回転するように更に動作可能であり、前記高さ調節可能ビームスプリッタは前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために少なくとも1つのビームがトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能であり、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは、前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分を前記ウェーハ表面から反射後の前記第2ビームの部分と共に、前記半導体ウェーハ内のすべり転位線を測定するための干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、
測定システム。
【0096】
(26) 第21項記載の測定システムであって、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するように動作可能の少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向させられる、前記少なくとも1つのビームスプリッタを
更に含み、
前記少なくとも1つの可動鏡は前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から前記第2ビームの少なくとも1つの部分を指向させるように動作可能の円すい形鏡と環状鏡とを含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは高さ調節可能回転ビームスプリッタであり、前記円すい形鏡と前記環状鏡と共に働くものであって、前記ウェーハ表面の周を回って前記第1ビームと第2ビームの少なくとも1つをトレースするように前記ウェーハに対して回転するように更に動作可能であり、前記高さ調節可能ビームスプリッタは前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために前記第1ビームと前記第2ビームとの少なくとも1つがトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能であり、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは、前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分を前記ウェーハ表面から反射後の前記第2ビームの部分と共に、前記半導体ウェーハ内のすべり転位線を測定するための干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である、
測定システム。
【0097】
(27) 第21項記載の測定システムであって、
前記ウェーハ表面の周を回って前記一次入射レーザビームをトレースするように前記少なくとも1つの可動鏡に対して前記ウェーハを回転させるように動作可能の回転子を
を更に含み、
前記少なくとも1つの可動鏡は、前記ウェーハ表面全体のトレーシングを可能にするために前記一次入射レーザビームの部分がトレースされる周の半径を種々に変化させるように前記ウェーハに垂直な面内を運動するように更に動作可能である、
測定システム。
【0098】
(28) 第21項記載の測定システムにおいて、前記レーザ源は400nmから10μmの範囲の波長を有する、測定システム。
【0099】
(29) 第21項記載の測定システムであって、前記ウェーハ表面へ指向させられる各ビームに対するビーム減衰器を更に含み、前記減衰器は前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から指向させられる信号の強度を低下させるように動作可能である、
測定システム。
【0100】
(30) 第21項記載の測定システムにおいて、前記少なくとも1つの可動鏡は光ファイバで置換される、測定システム。
【0101】
(31) 第21項記載の測定システムにおいて、前記少なくとも1つの可動鏡は光ファイバで置換され、前記光ファイバは、
前記測定システム全体を通して前記ビームを指向させる光ファイバケーブルと、
前記ウェーハ表面へ及び該ウェーハ表面から前記ビームを指向させるように動作可能の方向モジュールあって、
前記モジュール内を走行する前記ビームの方向を制御するように動作可能の方向性結合器と、
ビームを視準しかつ前記ウェーハ表面へ集束するように動作可能の視準レンズであって、前記ウェーハ表面からの前記ビームの反射を受けるように更に動作可能の前記視準レンズと
を含む前記方向モジュールと
を含む、測定システム。
【0102】
(32) 半導体処理機器内での半導体ウェーハ内の、反りと、すべり転位線と、前記反りと前記転位線との各々の分布との測定システムであって、
一次入射レーザビームを供給するように動作可能のレーザ源と、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するように動作可能の少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向されかつ前記第2ビームは前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から指向される、前記少なくとも1つのビームスプリッタと
を含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面の前記第1点から反射後の前記第1ビームの部分と前記ウェーハ表面の前記第2点からの反射後の前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作し、前記干渉じまパターン分析は前記半導体ウェーハ反りとすべり転位とを測定するためのデータを提供する、
測定システム。
【0103】
(33) 第31項記載の測定システムであって、前記測定システム全体を通して前記ビームを指向させるように動作可能の光ファイバを更に含む測定システム。
【0104】
(34) 第32項記載の測定システムであって、
前記測定システム全体を通して前記ビームを指向させる光ファイバケーブルと、前記ウェーハ表面へ及びから前記ビームを指向させるように動作可能の方向モジュールと
を更に含み、前記方向モジュールは
前記モジュール内を走行する前記ビームの方向を制御するように動作可能の方向性結合器と、
ビームを視準しかつ前記ウェーハ表面へ集束するように動作可能の視準レンズであって、前記ウェーハ表面からの前記ビームの反射を受けるように更に動作可能の前記視準レンズと
を含む、測定システム。
【0105】
(35) 半導体処理機器内での半導体ウェーハ内の反りと、すべり転位線と、前記反りと前記転位線との各々の分布との測定方法であって、
一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するステップと、
前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から前記第1ビームを指向させるステップと、
前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から前記第2ビームを指向させるステップと、
前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分と前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するステップであって、前記干渉じまパターン分析は前記半導体ウェーハ内の反りとすべり転位とを測定するためのデータを提供する、前記合成するステップと
を含む方法。
【0106】
(36) 第35項記載の方法において、前記指向させるステップは反射鏡で以て遂行される、方法。
【0107】
(37) 第35項記載の方法において、前記指向させるステップは光ファイバで以て遂行される、方法。
【0108】
(38) 半導体ウェーハ10内の反りと、薄膜応力と、すべり転位とを測定するシステム22が提供され、前記システムは一次レーザビームを発生するレーザ源24を含む。少なくとも1つのビームスプリッタ26が前記一次レーザビームを第1ビームと第2ビームとに分割し、前記第1ビームはウェーハ表面の第1点へ指向させられ、かつ前記第2ビームはウェーハ表面の第2点へ指向させられる。前記少なくとも1つのビームスプリッタ26は、ウェーハ表面の前記第1点からの反射後の前記第1ビームの部分とウェーハ表面の前記第2点からの反射後の前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】半導体ウェーハの拡大断面図であって、aは凸湾曲の場合の図、bは凹湾曲の場合の図。
【図2】曲率半径を表現する延長想像円と一緒に示された、湾曲半導体ウェーハの断面図。
【図3】ウェーハ縁近くの局在領域における可視すべり転位を伴う半導体ウェーハの上面図。
【図4】干渉じまパターン分析のために3つの入射レーザビームを採用する本発明の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムの略構成線図。
【図5】すべり転位及び応力マップの測定のための走査トレースの例を伴う図3の半導体ウェーハの上面図。
【図6】半導体ウェーハの走査中の干渉レーザビーム強度と走査トレース位置との間の定量的関係を示すプロット図。
【図7】ウェーハ全体マッピング中の反射鏡軸位置「Z」と走査トレース位置との間の代表的関係を示すプロット図。
【図8】干渉じまパターン分析のために高さ調節可能回転ビームスプリッタ及び単一入射レーザビームを採用する本発明の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムの実施例の略構成線図。
【図9】干渉じまパターン分析のために代替ビームスプリッタ形態、円すい形鏡、及び単一レーザビームの3つのビームへの分割を採用する本発明の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムの他の代替実施例の略構成線図。
【図10】レーザビームの伝送に光ファイバを採用する本発明の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムの実施例の略構成線図。
【図11】先端真空プロセッサ(AVP)内へ統合化された図8の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムを示す斜視図。
【図12】短時間熱処理(RTP)反応装置内へ統合化された図8の応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステムを示すブロック図。
【符号の説明】
10 ウェーハ
12 シリコン基板
14 薄膜
18 ウェーハの中心点
22 応力測定及びすべり転位マッピングセンサシステム
24 レーザ源
26a〜26c ビームスプリッタ
27a〜27c 光ビームシャッタ/吸収器
28 円すい形環状鏡
30 円すい形環状鏡
31、31a、31b ウェーハの縁点又は偏心点
32 末端鏡
33 干渉じまパターン分析システム
34 応力測定及びすべり転位マッピングシステム
36 単一固定ビームスプリッタ
38 高さ調節可能回転ビームスプリッタ
39 オプショナルシャッタ/吸収器
40 黒体吸収器
41 オプショナルシャッタ/吸収器
42 応力測定及びすべり転位マッピングシステム
44、46 一対のビームスプリッタ
49a、49b 可動平面鏡
54、56 黒体吸収器
60 応力測定及びすべり転位マッピングシステム
62 光ファイバケーブル
64、66、68、70 (ビームを指向させる)モジュール
72 方向性結合器
74 レンズ
140 半導体製造反応装置
160 プロセスチャンバ
168 ロードロックチャンバ
170 半導体ウェーハのスタック
Claims (2)
- 半導体処理機器内での半導体ウェーハ反りの測定システムであって、
一次入射レーザビームを供給するように動作可能のレーザ源と、
前記一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割する少なくとも1つのビームスプリッタであって、前記第1ビームは前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から指向させられかつ前記第2ビームは前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から指向させられる、前記ビームスプリッタと、
を含み、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは前記ウェーハ表面の前記第1点から反射後の前記第1ビームの部分と前記ウェーハ表面の前記第2点からの反射後の前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するように更に動作可能であり、前記干渉じまパターン分析は前記半導体ウェーハ反りの測定用データを提供し、
前記少なくとも1つのビームスプリッタは、(i)前記少なくとも第1ビームと第2ビームの少なくとも1つのビームが前記ウェーハ表面の円周の周りをトレースするように前記ウェーハに対して相対的に回転し、(ii)前記少なくとも第1ビームと第2ビームの少なくとも1つのビームが前記ウェーハ表面全体をトレースするように円周の半径を変化するよう移動する、
測定システム。 - 半導体処理機器内での半導体ウェーハ内の反りと、すべり転位線と、前記反りと前記転位線との各々の分布との測定方法であって、
一次入射レーザビームを少なくとも第1ビームと第2ビームとに分割するステップと、
前記ウェーハ表面の第1点へ及び該第1点から前記第1ビームを指向させるステップと、
前記ウェーハ表面の第2点へ及び該第2点から前記第2ビームを指向させるステップと、
前記第2点を前記ウェーハ表面上で変化させるステップと、そして
前記ウェーハ表面から反射後の前記第1ビームの部分と前記第2ビームの部分とを干渉じまパターン分析用の少なくとも1つの干渉ビームに合成するステップであって、前記干渉じまパターン分析は前記半導体ウェーハ内の反りとすべり転位とを測定するためのデータを提供する、前記合成するステップと
を含む方法。
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