JP3820279B2 - 有機発光素子および有機発光ダイオードの製造方法 - Google Patents

有機発光素子および有機発光ダイオードの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3820279B2
JP3820279B2 JP30336695A JP30336695A JP3820279B2 JP 3820279 B2 JP3820279 B2 JP 3820279B2 JP 30336695 A JP30336695 A JP 30336695A JP 30336695 A JP30336695 A JP 30336695A JP 3820279 B2 JP3820279 B2 JP 3820279B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organic
material layer
light emitting
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30336695A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH08225579A (ja
Inventor
ソン・キュー・シ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH08225579A publication Critical patent/JPH08225579A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3820279B2 publication Critical patent/JP3820279B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic System
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D249/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D249/16Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D249/18Benzotriazoles
    • C07D249/20Benzotriazoles with aryl radicals directly attached in position 2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/31504Composite [nonstructural laminate]
    • Y10T428/31678Of metal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、発光ダイオードのような有機電気発光物質(organic electromuminescent materials)に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
有機電気蛍光(EL:electroluminescent)素子は、電力の漏れ(power drain)が少なく全範囲の発色が可能なので、携帯用表示装置への応用には理想的な候補である。
【0003】
典型的な素子は、透明電極と金属電極との間に挟持された有機分子薄層で構成される。バイアスが印加された状態で、相対する極性に荷電された(oppositely charged)キャリアが対向する2接点から注入され、電界によって素子を通過せられる。これら相対する極性に荷電されたキャリアのあるものが放出層内で互いに捕獲し合い、有機放出物質のエネルギ・ギャップに対応した波長の光を放出する。高いEL効率を達成するためには、対向する接点から素子に注入される電子の注入速度とホールの注入速度とを均衡させる必要がある。殆どの場合、n−接点および有機界面に存在する比較的大きなエネルギ・バリアのために、電子の注入はホールの注入よりも難しいことが立証されている。効率的な電子注入のためにエネルギ・バリアを低くするには、多くの場合、カルシウム、マグネシウムなどのような仕事関数の低い金属が電子注入接点として必要とされる。効率的な電子注入のためにエネルギ・バリアを低くすることに代わる方法として、金属−有機物界面(metal-organic interface)において高い電子親和性(electron affinity)を有する有機物質を用いる方法がある。電子親和性が高い有機物質は「最低未占領分子軌道」(LUMO:Lowest-Unoccupied-Molecular-Orbit)エネルギ・レベルが低く、金属−有機物界面における電子注入のためにエネルギ・バリアを低下させるので、電子注入速度が高められ、その結果効率が高くしかも仕事電圧(working voltage)が低い素子が得られる。
【0004】
従来技術では、素子において高いEL効率を示した有機物質の一種は、8−ヒドロキシキノリン(8-hydroxyquinoline)の金属複合体およびその誘導体を基にしたものである(Vanslyke et al.の米国特許第4,539,507および第5,150,006号)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光素子に用いるための高い電子親和性を有する新たな有機金属複合体の一種を提供することである。
【0006】
本発明の他の目的は、発光素子において緑色範囲で発光するための、新たな有機金属複合体の一種を提供することである。
【0007】
本発明の更に他の目的は、上述の発光素子に用いるための有機金属複合体の製造方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上述の問題およびその他の問題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述の目的およびその他の目的の達成は、以下の一般式を有する有機金属複合体の新種によって達成される。
【0009】
【化4】
Figure 0003820279
【0010】
ここでM2は二価金属(divalent metal);および
1〜R8は、各位置における置換可能性を表し、各々水素または炭化水素基、あるいは基官能基を表わす。
【0011】
加えて、上述の新種の有機金属複合体の製造は新規であり、複合体は、有機電気蛍光素子において、電子搬送層(electron transporting layer)または活性放出層(active emissive layer)、あるいはその両方として利用される。
【0012】
【実施例】
本発明は、有機発光素子に用いるための、新たな有機金属複合体の一種を対象にしたものである。かかる有機発光素子は、通常、透明電極および金属電極間に挟持された有機分子の薄層で構成される。
【0013】
図1は、本発明を組み込んだ有機EL素子10の一実施例を示す簡略断面図である。有機EL素子10は基板11を含む。この具体的な実施例では、基板11は、比較的平坦な上表面を有するガラス板とする。導電層12を基板11の平坦な表面上に被着し、比較的均一な電気接点を形成する。ホール搬送物質の第1有機層13を、導電層12の表面上に被着する。更に、発光性物質(emissive material)の第1有機層14を、第1有機層13上に被着する。次に、電子搬送物質の第3有機層15を層14の表面上に被着し、第2導電層16を第3有機層15の上表面に被着し、第2電気接点を形成する。
【0014】
ここで理解すべきは、第2有機層14内で発生される光は、第1有機層13、導電層12および基板11を通して、または第3有機層15および第2導電層16を通してのいずれでも放出可能であるが、本実施例では、基板11はガラスで形成され、一方導電層12は導電性ポリアニリン(PANI)、インジウム−錫−酸化物(ITO)のような有機または無機導体で形成されており、これらの有機または無機導体は可視光に対してほぼ透過性を有するので、放出光は図1の基板11を通って下方向に射出されることである。
【0015】
更に、本実施例では、導電層16は、少なくとも1つの金属が4.0eV未満の仕事関数を有する、広範囲の金属または合金のいずれかで形成される。導電層16に適切な物質を選択することによって、層15,16を構成する物質の仕事関数の調和を取り、必要な動作電圧を低下させ、有機LED10の効率を改善することができる。
【0016】
また、図1において、有機EL素子10では、電位源17によって、層12,16間に電位が印加されている。本実施例では、導電層12はp−型接点であり、導電層16はn−型接点である。電位源17の負端子は導電層16に接続され、正端子は導電層12に接続されている。n−型接点(層16)から注入される電子は、有機層15を通過して有機層14(放出層)に搬送される。p−型接点(層12)から注入されるホールは、有機層13を通過して有機層14(放出層)に搬送され、ここで電子とホールとが再結合し光子が放出される。
【0017】
有機層13は、芳香族第三アミン(aromatic tertiary amines)(米国特許第5,150,006号)のようないずれかの公知のホール搬送有機分子および/またはポリ(フェニレン ビニレン)のようなホール搬送ポリマから成り、ホールを有機層14に搬送し、電子を有機層14に閉じ込めるために用いられる。有機層15は、トリス(8−ヒドロキシキノリノ)アルミニウム(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)(米国特許第4,539,507号)、および本発明で開示される複合体のようないずれかの公知の電子搬送物質から成る。有機層15は、電子を有機層14に搬送し、ホールを有機層14内に閉じ込めるために用いられる。こうして、ホールと電子は、有機層14において再結合し光を放出する、最大の機会を有することになる。
【0018】
一般的に、本発明で開示される複合体は、有機電気蛍光素子において、電子搬送層または活性放出層、あるいはその両方として利用される。開示される複合体が層15の電子搬送物質としてのみ用いられるときは、層14を形成するために放出物質を付加する必要がある。開示される複合体が層14の放出物質としてのみ用いられるときは、層15を形成するために電子搬送物質を付加する必要がある。開示される複合体が放出物質および電子搬送物質の双方として用いられるときは、層14,15は通常結合されて1つの層になる。
【0019】
本発明によれば、有機EL素子10内の有機層14(放出層)および/または15(電子搬送層)は、少なくとも1つの、以下に示す一般式を有する有機金属複合体によって形成される。
【0020】
【化5】
Figure 0003820279
【0021】
ここでM2は二価金属;および
1〜R8は、各位置における置換可能性を表し、各々シアノ、ハロゲン、ハロアルキル、ハロアルコキシ、アルコキル、アミド、アミノ、スルホニル、カルボニル、カルボニロキシ、およびオキシカルボニル等のような水素基または炭化水素基、あるいは官能基を表わす。
【0022】
上述の複合体は、通常以下の反応によって製造される。
【0023】
【化6】
Figure 0003820279
【0024】
ここで、M2は二価金属イオン;
Xはハロゲン化物、硫酸塩(sulfate)、硝酸塩(nitrate)等を含む陰イオン基(anionic group);
n=1または2;および
1〜R8は、各位置における置換可能性を表し、各々水素基または炭化水素基、あるいは官能基を表わす。
【0025】
典型的な反応では、メタノールまたはエタノールのようなアルコール溶剤内に配位子(ligand)Lが懸垂され、不活性雰囲気下で、一等量分の水酸化ナトリウム、ナトリウム・エトキシドのような塩基と共に処理される。
【0026】
均質な溶液を得た後、等量の1/2の二化金属塩(MXn、n=1または2)を溶液に加える。形成する沈殿物は濾過によって収集され、更に昇華によって純化される。
【0027】
有機化学から、配位子L即ちトリアゾル誘導体(triazole derivative)は、高い電子親和性を有する電子不足系(electron deficient system)であることは公知である。従来技術では、トリアゾル誘導体は、キドおよび協力者によって、有機EL素子内の電子搬送層として用いられている (Jpn. J. Appl. Phys. 1993,2, L917.)。トリアゾル誘導体Lの金属イオンとの複合体は、更に高い電子親和性を有する。これらは、有機電気蛍光素子において、電子搬送層または活性放出層、あるいは双方として用いることができる。
【0028】
図2は、順方向バイアスがかけられた単一層有機EL素子の、概略エネルギ・レベル図を示す。線10は真空レベルを表わし、線130,150は金属およびITO層即ち接点のフェルミ・レベルを表わし、線120,140は有機複合体のLUMOおよびHOMOを表わす。φ1およびφ2エネルギ・レベルはITOおよび金属接点の仕事関数であり、一方Alエネルギ・レベルは、物理的にITOと金属接点との間に配置された有機複合体の電子親和性である。高い電子親和性(Al)は、低いLUMOエネルギ・レベルを意味し、これが、電子注入のために、n−型金属接点と有機複合体との間のエネルギ・バリア(φ2−Al)を低下させる。エネルギ・バリアを低下させることによって、効率的な電子注入が可能になり、これは形を変えて、有機EL素子における蛍光効率の向上および動作電圧の低下をもたらすことになる。
【0029】
本発明の要件を満たす種々の配位子の内、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メチルフェニル)ベンゾ−トリアゾル(TP)は最も単純で最も商業的に入手しやすい物質である。TPは、Be2+、Mg2+、Zn2+のような多くの二価金属イオンと複合体を形成し、Be(Tp)2、Mg(Tp)2およびZn(Tp)2を生成する。これらの複合体は、光子または電子の励起により、緑色蛍光(green fluorescent)を呈する。
【0030】
有機EL素子10(図1)の有機層14(放出層)は、一般的に、熱蒸着、電子ビーム蒸着、化学蒸着等によって被着される。先に具現化した有機金属複合体の放出ピークは、有機LEDni用いた場合、510nmないし560nmの範囲であり、これは、CIE1931色度図(chromaticity diagram)における緑から黄緑の範囲に相当する。
【0031】
以下の例を用いて本発明について更に説明する。以下の例は本発明の具体的な実施例を例示することを意図するものであって、その範囲を限定することを意図する訳ではない。
【0032】
以下に示すBe(Tp)2合成手順は、塩が使用可能か否かによって、金属硫化塩(metal sulfate salt)の代わりに金属塩化物または窒化物塩(nitrate salt)を用いる場合もあることを除いて、本発明において開示された二価金属複合体全てを製造するために用いることができる。
【0033】
80mLのメタノールに20mmolのTp(Ciba Geigy Company製) を加えた混合液を、アルゴン雰囲気の下で、20mmolの水酸化ナトリウム・ペレット(Fisher Scientific Company製)を用いて処理する。水酸化ナトリウム・ペレットが全て溶解するまで、混合液を撹拌する。次に、混合液に10mmolの硫酸ベリリウム四水化物(beryllium sulfate tetrahydrate) (Aldrich Chemical Company製)を加える。得られた混合液をレフレックス(reflex)で16時間撹拌し、室温まで冷却する。濾過によって黄色蛍光固体物(yellow fluorescent solid)が収集され、メタノールで洗浄し、真空下で乾燥させると、78%の歩留まりでBe(Tp)2が生成される。
【0034】
60mLのイオン消失水(de-ionized water)/メタノール(1:1)混合液に12mmolの水酸化ナトリウム(Fisher Scientific Company製) を加えた混合液に、不活性雰囲気下で12mmolのTp(Ciba Geigy Company製)を加える。反応混合液を水浴によって暖め、均質な溶液が得られるまで撹拌する。この溶液に、20mLのイオン消失水に6mmolの硫酸ベリリウム四水化物(beryllium sulfate tetrahydrate) (Aldrich Chemical Company製)を加えた溶液を、漏斗を用いて1滴ずつ添加する。得られた黄色蛍光沈殿物を濾過し、イオン消失水およびメタノールで洗浄し、乾燥後85%の歩留まりでBe(Tp)2が生成される。
【0035】
以下の手順は、先に開示された有機金属複合体生成物の純化および特性付け(characterization)のために用いられる。
【0036】
純化すべき固体複合体を、一端が密閉されたクオーツ管の密閉端に配置する。このクオーツ管は、互いにすり合わせ(ground joint)で接続された数個の領域に分割されている。次に、真空系に接続されている一端が密閉されたパイレックス管に、クオーツ管を挿入する。クオーツ管の密閉端は、パイレックス管の密閉端と接触している。次に、拡散ポンプを用いてパイレックス管を10−6torrに減圧し、管状炉(tube furnace)内でパイレックス管の密閉端を加熱する。クオーツ管内で、純粋な生成物が揮発性不純物とは異なる領域に昇華され、こうして純化が達成される。昇華温度は、複合体によって、250℃から350℃の範囲である。
【0037】
一般的に、例1に記載した手順1によって製造される複合体は、昇華後では、手順2よりも全体的な歩留まりは高くなる。
【0038】
純粋な複合体は、紫外線−可視光、赤外線、蛍光スペクトルおよび元素分析によって、分析されかつ特性付けされる。これによって、所望の複合体の構造および組成を確認する。
【0039】
以上のように、発光素子に用いるための新たな有機金属複合体の一種が開示され、これと共に当該開示された有機金属複合体の製造方法および発光素子の製造方法も開示された。この新たな有機金属複合体は、有機EL素子において、電子搬送層または活性放出層、あるいは双方として利用される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による有機EL素子の簡略断面図。
【図2】順方向バイアスをかけた場合の単一層有機EL素子の概略エネルギ・レベル図。
【符号の説明】
10 有機EL素子
11 基板
12 導電層
13 ホール搬送物質層
14 放出層
15 電子搬送物質層
16 第2導電層
17 電位源

Claims (3)

  1. 有機発光素子であって、
    第1導電型を有する第1導電層(12);
    前記第1導電層上に配置された第1キャリア搬送および第2キャリア遮断物質層(13);
    前記第1キャリア搬送および第2キャリア遮断物質層に配置され、以下の一般式を有する有機金属物質層(14)
    Figure 0003820279
    (ここで、
    2 は二価金属イオン;および
    1 〜R 8 は、各位置における置換可能性を表し、各々水素基または炭化水素基、あるいは官能基を表わす);
    前記有機金属物質層上に配置された第2キャリア搬送および第1キャリア遮断物質層(15);ならびに
    前記第2キャリア搬送および第1キャリア遮断物質層上に配置され、第2導電型を有する第2導電層(16);
    から成ることを特徴とする有機発光素子。
  2. 有機発光ダイオードの製造方法であって:
    ほぼ平坦な表面を有するガラス基板(11)を用意する段階;
    前記ガラス基板の平坦な表面上に透明な導電層(12)を被着する段階;
    前記透明導電層上に有機物質のホール搬送層(13)を被着する段階;
    前記ホール搬送層上に有機物質の放出層(14)を被着する段階であって、以下の一般式を有する有機金属から成る前記放出層を被着する段階:
    Figure 0003820279
    (ここで、
    2 は二価金属イオン;および
    1 〜R 8 は、各位置における置換可能性を表し、各々水素基または炭化水素基、ならびに官能基を表わす);および
    前記放出層上に導電接点(15,16)を被着する段階;
    から成ることを特徴とする方法。
  3. 有機発光素子であって:
    ほぼ平坦な表面を有するガラス基板(11);
    前記ガラス基板上に配置された第1透明導電層(12);
    前記第1導電層上に配置されたホール搬送および電子遮断物質層(13);
    前記ホール搬送および電子遮断物質層上に配置された有機活性放出物質層(14);
    前記有機活性放出物質層上に、電子搬送およびホール遮断物質層として配置された有機金属複合体物質層(15)であって、以下の一般式を有する前記有機金属複合体物質層(15):
    Figure 0003820279
    (ここで、
    2 は二価金属イオン;および
    1 〜R 8 は、各位置における置換可能性を表し、各々水素基または炭化水素基、あるいは官能基を表わす);および
    前記有機金属複合体物質層上に配置された第2導電層(16);から成ることを特徴とする有機発光素子。
JP30336695A 1994-11-07 1995-10-30 有機発光素子および有機発光ダイオードの製造方法 Expired - Fee Related JP3820279B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/334,999 US5486406A (en) 1994-11-07 1994-11-07 Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
US334999 1994-11-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08225579A JPH08225579A (ja) 1996-09-03
JP3820279B2 true JP3820279B2 (ja) 2006-09-13

Family

ID=23309794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30336695A Expired - Fee Related JP3820279B2 (ja) 1994-11-07 1995-10-30 有機発光素子および有機発光ダイオードの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5486406A (ja)
EP (1) EP0710655B1 (ja)
JP (1) JP3820279B2 (ja)
KR (1) KR100434626B1 (ja)
DE (1) DE69515099T2 (ja)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665857A (en) * 1994-09-12 1997-09-09 Motorola Conjugated polymer with built-in fluorescent centers and method of manufacture
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US5779937A (en) * 1995-05-16 1998-07-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Organic electroluminescent device
KR980005265A (ko) * 1996-06-06 1998-03-30 빈센트 비. 인그라시아 정공수송층으로 부터 방출되는 유기 전자발광장치
US6004681A (en) * 1996-08-02 1999-12-21 The Ohio State University Research Foundation Light-emitting devices containing network electrode polymers in electron blocking layer
US6623870B1 (en) * 1996-08-02 2003-09-23 The Ohio State University Electroluminescence in light emitting polymers featuring deaggregated polymers
KR19980030142A (ko) * 1996-10-29 1998-07-25 성재갑 신규한 벤즈옥사지논계 발광착물 및 그의 제조방법
US6046543A (en) * 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
JP2000515926A (ja) * 1997-02-22 2000-11-28 エルジー・ケミカル・リミテッド エレクトロルミネセンス素子に使用される有機金属錯体
US6023259A (en) * 1997-07-11 2000-02-08 Fed Corporation OLED active matrix using a single transistor current mode pixel design
JP3788676B2 (ja) * 1997-11-11 2006-06-21 富士写真フイルム株式会社 有機エレクトロルミネツセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネツセンス素子
GB0128074D0 (en) * 2001-11-23 2002-01-16 Elam T Ltd Doped lithium quinolate
KR19990086810A (ko) * 1998-05-30 1999-12-15 성재갑 고융점 착화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR100333950B1 (ko) * 1998-06-23 2002-04-24 김상국 신규한 유기금속발광물질 및 이를 포함하는 유기전기발광소자
KR20000046588A (ko) * 1998-12-31 2000-07-25 김선욱 발광물질로 사용가능한 고분자 금속 착체
KR100430549B1 (ko) * 1999-01-27 2004-05-10 주식회사 엘지화학 신규한 착물 및 그의 제조 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
KR100373203B1 (ko) 1999-03-31 2003-02-25 주식회사 엘지화학 새로운 큐마린계 착물 및 이를 이용한 유기 발광 소자
JP3450304B2 (ja) * 2000-01-13 2003-09-22 松下電器産業株式会社 電極体、それを備えた薄膜el素子及びその製造方法、並びに薄膜el素子を備えた表示装置及び照明装置
EP1255422A4 (en) * 2000-01-13 2006-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd ELECTRODE BODY, THIN FILM ELECTROLUMINESCENT DEVICE COMPRISING THE ELECTRODE BODY, MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY AND ILLUMINATOR COMPRISING THE THIN FILM LIGHT EMITTING DEVICE
US6392257B1 (en) * 2000-02-10 2002-05-21 Motorola Inc. Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same
US6693033B2 (en) 2000-02-10 2004-02-17 Motorola, Inc. Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
JP2004503920A (ja) * 2000-05-31 2004-02-05 モトローラ・インコーポレイテッド 半導体デバイスおよび該半導体デバイスを製造する方法
US6501973B1 (en) 2000-06-30 2002-12-31 Motorola, Inc. Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject
AU2001277001A1 (en) * 2000-07-24 2002-02-05 Motorola, Inc. Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same
US6555946B1 (en) 2000-07-24 2003-04-29 Motorola, Inc. Acoustic wave device and process for forming the same
US6590236B1 (en) 2000-07-24 2003-07-08 Motorola, Inc. Semiconductor structure for use with high-frequency signals
US6493497B1 (en) 2000-09-26 2002-12-10 Motorola, Inc. Electro-optic structure and process for fabricating same
US6638838B1 (en) 2000-10-02 2003-10-28 Motorola, Inc. Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same
US6501121B1 (en) 2000-11-15 2002-12-31 Motorola, Inc. Semiconductor structure
US6559471B2 (en) 2000-12-08 2003-05-06 Motorola, Inc. Quantum well infrared photodetector and method for fabricating same
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG138466A1 (en) * 2000-12-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) * 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US20020096683A1 (en) * 2001-01-19 2002-07-25 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate
US20020139303A1 (en) * 2001-02-01 2002-10-03 Shunpei Yamazaki Deposition apparatus and deposition method
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TWI225312B (en) * 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
TW550672B (en) * 2001-02-21 2003-09-01 Semiconductor Energy Lab Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US6673646B2 (en) 2001-02-28 2004-01-06 Motorola, Inc. Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same
US6709989B2 (en) 2001-06-21 2004-03-23 Motorola, Inc. Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon
US20030010992A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Motorola, Inc. Semiconductor structure and method for implementing cross-point switch functionality
US6531740B2 (en) 2001-07-17 2003-03-11 Motorola, Inc. Integrated impedance matching and stability network
US6646293B2 (en) 2001-07-18 2003-11-11 Motorola, Inc. Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates
US6693298B2 (en) 2001-07-20 2004-02-17 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same
US6498358B1 (en) 2001-07-20 2002-12-24 Motorola, Inc. Structure and method for fabricating an electro-optic system having an electrochromic diffraction grating
US6855992B2 (en) * 2001-07-24 2005-02-15 Motorola Inc. Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same
US6667196B2 (en) 2001-07-25 2003-12-23 Motorola, Inc. Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method
US6589856B2 (en) 2001-08-06 2003-07-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices
US6639249B2 (en) 2001-08-06 2003-10-28 Motorola, Inc. Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device
US6673667B2 (en) 2001-08-15 2004-01-06 Motorola, Inc. Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials
US20030036217A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Motorola, Inc. Microcavity semiconductor laser coupled to a waveguide
US20030071327A1 (en) * 2001-10-17 2003-04-17 Motorola, Inc. Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
EP1520450B1 (en) * 2002-06-06 2017-08-02 UDC Ireland Limited Electroluminescent device
US20040012037A1 (en) * 2002-07-18 2004-01-22 Motorola, Inc. Hetero-integration of semiconductor materials on silicon
US20040069991A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Perovskite cuprate electronic device structure and process
US20040070312A1 (en) * 2002-10-10 2004-04-15 Motorola, Inc. Integrated circuit and process for fabricating the same
US9923148B2 (en) 2002-10-30 2018-03-20 Udc Ireland Limited Electroluminescent device
US6965128B2 (en) * 2003-02-03 2005-11-15 Freescale Semiconductor, Inc. Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices
US7020374B2 (en) * 2003-02-03 2006-03-28 Freescale Semiconductor, Inc. Optical waveguide structure and method for fabricating the same
US20040164315A1 (en) * 2003-02-25 2004-08-26 Motorola, Inc. Structure and device including a tunneling piezoelectric switch and method of forming same
US20070003783A1 (en) * 2003-04-18 2007-01-04 Hitachi Chemical Co Ltd Quinoline copolymer and organic electroluminescent device employing same
US7092206B2 (en) * 2003-06-25 2006-08-15 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head with magnetic layers of differing widths and third pole with reduced thickness
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
DE102004014534A1 (de) 2004-03-23 2005-10-13 Basf Ag Triazolderivate und Verwendung von Triazolderivaten in organischen Leuchtdioden (OLEDs)
US7989644B2 (en) 2005-05-30 2011-08-02 Basf Se Electroluminescent device
EP2112994B1 (en) * 2007-02-23 2011-01-26 Basf Se Electroluminescent metal complexes with benzotriazoles
KR20090082778A (ko) * 2008-01-28 2009-07-31 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR101311933B1 (ko) 2009-12-29 2013-09-27 제일모직주식회사 전도성 고분자 중합체, 전도성 고분자 조성물, 전도성 고분자 조성물막 및 이를 이용한 유기광전소자
JP5404709B2 (ja) * 2011-08-02 2014-02-05 株式会社沖データ 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置
KR102113491B1 (ko) * 2013-12-31 2020-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3127372A (en) * 1960-10-05 1964-03-31 Stabilization of polyolefevs
US3689425A (en) * 1970-06-15 1972-09-05 Sterling Drug Inc Detergent compositions containing novel optical brightening agents
US4391660A (en) * 1981-09-10 1983-07-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Copper containing ballistic additives
JPS6398660A (ja) * 1986-10-15 1988-04-30 Konica Corp 写真感光材料の画像を光に対して安定化する方法
JPH03792A (ja) * 1989-02-17 1991-01-07 Pioneer Electron Corp 電界発光素子
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JPH07133483A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd El素子用有機発光材料及びel素子

Also Published As

Publication number Publication date
DE69515099T2 (de) 2000-10-05
JPH08225579A (ja) 1996-09-03
EP0710655B1 (en) 2000-02-16
EP0710655A1 (en) 1996-05-08
DE69515099D1 (de) 2000-03-23
KR100434626B1 (ko) 2004-09-04
KR960017671A (ko) 1996-06-17
US5486406A (en) 1996-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3820279B2 (ja) 有機発光素子および有機発光ダイオードの製造方法
KR102394907B1 (ko) 신규 보조 리간드를 함유하는 유기 발광재료
EP0700917B1 (en) Light emitting devices comprising organometallic complexes
EP3623443B1 (en) Metal complex with fluorine substitution
JP6316351B2 (ja) ピリジルカルベンリン光発光体
JP4049832B2 (ja) 発光デバイスで使用するために内部蛍光色素を有する蛍光有機金属錯体
EP3457452B1 (de) Oled-anzeige mit verlängerter lebensdauer
EP2554548A1 (en) Materials for organic light emitting diode
KR102541507B1 (ko) 6-실릴기 치환된 이소퀴놀린 리간드를 함유하는 유기발광재료
KR102535794B1 (ko) 인광 유기 금속 착물 및 이의 응용
KR102541509B1 (ko) 3-듀테륨 치환된 이소퀴놀린 리간드를 함유하는 유기발광재료
CN113105507B (zh) 有机发光材料
CN114057800A (zh) 含氟辅助配体的有机发光材料
KR102541508B1 (ko) 3 개의 상이한 리간드를 함유하는 금속 착물
KR102505667B1 (ko) 인광 유기 금속 착물 및 이의 응용
KR20210093180A (ko) 금속 착물, 이를 함유하는 전계 발광소자 및 그 용도
JP4208657B2 (ja) 発光素子
CN111100129B (zh) 有机电致发光材料及器件
KR102032713B1 (ko) 헤테로레프틱 이리듐 착체, 및 상기 화합물을 이용한 발광재료 및 유기 발광소자
CN113321685A (zh) 一种金属配合物、有机电致发光材料及其应用
KR20200049593A (ko) 실리콘을 함유하는 전자 수송재료 및 그 응용
KR20220163901A (ko) 유기 전계발광재료 및 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060221

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060519

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060613

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060619

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100623

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623

Year of fee payment: 5

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110623

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623

Year of fee payment: 6

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120623

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130623

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees