JP3812816B2 - 磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み出しを行う磁気抵抗効果(MR)素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ハードディスクドライブ(HDD)の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に答えるべく、現行製品である巨大磁気抵抗効果(GMR)素子を有するGMRヘッドの懸命な特性改善が進んでおり、一方では、GMRヘッドの2倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果(TMR)素子を有するTMRヘッドの開発も精力的に行われている。
【0003】
TMRヘッドと一般的なGMRヘッドとでは、センス電流が流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なGMRヘッドのように、積層面(膜面)に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をCIP(CurrentIn Plane)構造と、TMRヘッドのように膜面に対して垂直にセンス電流を流すヘッド構造をCPP(Current Perpendicular to Plane)構造とそれぞれ呼んでいる。
【0004】
近年、CIP構造ではなく、CPP構造を有するGMRヘッドが開発されている。例えば、特開平5−275769号公報には、このようなCPP構造のGMRヘッドが記載されている。また、特開平4−360009号公報、特開平5−90026号公報、特開平9−129445号公報には、非磁性層(Cu、Ag、Au等)を介して積層された複数の磁性層による反強磁性結合型磁性多層膜を有するCPP構造のGMRヘッドが記載されている。
【0005】
最近のCPP構造のGMRヘッドとしては、CIP構造のGMRヘッドの場合と同様のスピンバルブ磁性多層膜(スペキュラー型磁性多層膜、デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を含む)を有するものも検討されている。
【0006】
このようなCPP構造のGMRヘッドやTMRヘッドを形成する場合、従来はリフトオフ法やコンタクトホール法等が用いられていた。
【0007】
図1は、リフトオフ法によってCPP構造のGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【0008】
同図(A)に示すように、まず、図示しない基板上に形成された絶縁膜10上に、下部電極膜11及びMR多層膜12´を順次積層する。
【0009】
次いで、同図(B)に示すように、その上に2層のフォトレジストパターン13を形成し、同図(C)に示すように、イオンミリングによってMR多層膜12´をパターニングしてMR多層体12を得る。
【0010】
次いで、同図(D)に示すように絶縁膜14´を成膜し、同図(E)に示すようにフォトレジストパターン13を剥離して、即ち、リフトオフによって絶縁膜14を得る。
【0011】
その後、同図(F)に示すように、その上に上部電極膜15を成膜する。
【0012】
図2は、コンタクトホール法によってCPP構造のGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【0013】
同図(A)に示すように、まず、図示しない基板上に形成された絶縁膜20上に、下部電極膜21及びMR多層膜22´を順次積層する。
【0014】
次いで、同図(B)に示すように、その上にフォトレジストパターン23を形成し、同図(C)に示すように、イオンミリングによってMR多層膜22´をパターニングしてMR多層体22を得る。
【0015】
次いで、同図(D)に示すように、フォトレジストパターン23を剥離した後、絶縁膜24´を成膜する。
【0016】
次いで、同図(E)に示すように、コンタクトホールに対応する開口26aを有するフォトレジストパターン26を絶縁膜24´上に形成する。
【0017】
次いで、同図(F)に示すように、絶縁膜24´のイオンミリングを行ってMR多層体22上にコンタクトホール24aを有する絶縁膜24を得た後、このフォトレジストパターン26を剥離する。
【0018】
その後、同図(G)に示すように、その上に上部電極膜25を成膜する。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】
図1に示すリフトオフ法においては、2層のフォトレジストパターン13の段差部分の側壁に絶縁膜14´が付着し、その段差部分をまたいで絶縁膜14´がつながらないようにすること必要がある。このため、通常は、2層のフォトレジストパターンを用いてひさし状のアンダーカットを形成するなどによりリフトオフ性を向上させている。
【0020】
しかしながら、フォトレジストパターン13のアンダーカット量が少ないと、2層のフォトレジストパターン13の基部13aの側壁に絶縁膜が堆積し、リフトオフ後のフォトレジストパターン13が存在した位置周辺部に不要な堆積物であるバリが発生する。アンダーカット量を増やすことで、このようなバリの発生は抑えられるが、アンダーカット部分である基部13aのレジスト幅が著しく細くなり、パターン崩れ等の発生する恐れがある。
【0021】
また、図1(E)に示すように、アンダーカット部分に回りこんだ絶縁膜14がMR多層体12の上面にオーバーラップし、トラック幅が不明確になることから、トラック幅の微細化に限度が生ずる。リフトオフ法でのオーバーラップはおよそ100nmであるため、最近のTMR素子、GMR素子のように、トラック幅が200nm以下、例えば100nmのレベルになってくると、もはやGMR素子、TMR素子としての機能は全く期待できない。
【0022】
図2に示すコンタクトホール法においては、レジストパターンに関する2回のフォトプロセスが行われるため、これによって生ずるアライメントずれから発生するオーバーラップがおおよそ30nm程度となる。これは、リフトオフ法の場合と同様に、到底無視できる程度の大きさではない。
【0023】
一般に、TMR素子、GMR素子のMR多層体においては、フリー層はそのMR多層体の中ほどに位置し、その幅がトラック幅を規定している。そのため、MR多層体を従来のフォトレジストをマスクとして、イオンミリングで形成した場合、そのMR多層体のすそが広がってしまい、実効トラック幅の増大を招く。理想的には、MR多層体の側壁は、基板面に対して垂直であることが望ましく、これを実現する方法としてはハードマスクを用いたイオンミリングや、反応性イオンエッチング(RIE)法等が存在する。しかしながら、これらはいずれも、原理的にリフトオフ法には利用することができない。
【0024】
以上述べたように、従来技術によると、トラック幅が200nm以下のCPP構造のGMRヘッドやTMRヘッドを実現することは極めて困難であり、これらを回避しうる新規手法を確立することが求められている。
【0025】
従って、本発明の目的は、トラック幅が200nm以下であり積層面に垂直方向に電流が流れるMR素子を容易に製造することができる、MR素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【0026】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、下部電極膜上にMR多層膜及び第1の化学的機械的研磨ストップ膜を順次積層し、積層した第1の化学的機械的研磨ストップ膜上にマスクを形成して第1の化学的機械的研磨ストップ膜及びMR多層膜をパターニングすることによって、積層面に垂直方向に電流が流れるMR積層体を形成し、第1の化学的機械的研磨(CMP)ストップ膜及び下部電極膜上に絶縁膜を積層し、積層した絶縁膜上に第2のCMPストップ膜を積層し、MR積層体上の第1のCMPストップ膜と第2のCMPストップ膜とを終点制御に用いて絶縁膜をCMPにより除去し、このCMPの後、第1のCMPストップ膜及び第2のCMPストップ膜の全部を除去し、MR積層体上及び絶縁膜上に上部電極膜を形成するMR素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【0027】
リフトオフ法ではなく、MR積層体上の第1のCMPストップ膜と下部電極膜との上に絶縁膜を積層し、MR積層体上の第1のCMPストップ膜が露出してその一部が除去されるまでこの第1のCMPストップ膜上の絶縁膜をCMPにより除去することにより、MR積層体及びその回りの絶縁膜を形成している。即ち、MR積層体上の第1のCMPストップ膜と第2のCMPストップ膜とを終点制御に用いて絶縁膜をCMPにより除去している。
【0028】
この手法を用いると、逆テーパを有しない通常のストレートなレジストパターンを用いることが可能なため、リフトオフ法を用いて形成した場合より微細なMR積層体を形成することが可能となる。
【0029】
また、MR積層体をミリングする時にすそ引きが発生するのを低減できるRIEやハードマスク等が活用できるため、MR積層体の形状の改善にも大きく寄与することができる。
【0030】
さらに、絶縁膜のバリやオーバーラップ等の発生は起こり得ず、より厳密なトラック幅の定義が可能となるので、トラック幅が200nm以下であり積層面に垂直方向に電流が流れるMR素子を容易に製造することができる。
【0031】
さらにまた、絶縁膜を成膜後、MR積層体周辺に凹みが生じ、ここに入り込んだ上部電極膜を通る磁界がMR積層体に侵入し、MR特性を悪化させる一因となるが、本発明によれば、CMPを用いることでその凹部が解消されるのでMR特性の向上も期待できる。
【0043】
CMPが、低研磨レートでありかつ低残段差の精密化学的機械的研磨であることが好ましい。この精密CMPの研磨レートが、50nm/min以下であることが好ましい。
【0044】
精密CMPが、コロイダルシリカ、酸化セリウム、コランダム、窒化ボロン、ダイアモンド、酸化クロム、酸化鉄、フュームドシリカ、アルミナ及びゼオライトのうちの一種又はその一種を含む混合物からなるスラリーを使用することが好ましい。
【0045】
さらに、精密CMPが、平均粒径が100nm以下のスラリーを使用することが好ましい。
【0047】
MR積層体が、TMR積層体であるか、又はCPP構造のGMR積層体であることが好ましい。
【0048】
【発明の実施の形態】
図3は、本発明の一実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【0049】
まず、同図(A)に示すように、図示しない基板上に形成された絶縁膜30上に、磁気シールド膜を兼用する下部電極膜31及びMR多層膜32´を順次積層する。
【0050】
次いで、同図(B)に示すように、その上にストレート形状の側壁を有するフォトレジストパターン33を形成する。
【0051】
次いで、同図(C)に示すように、このフォトレジストパターン33をマスクとして用いたIBE、RIE、反応性イオンビームエッチング(RIBE)又はスパッタリングにより、35〜55nm程度の膜厚のMR多層膜32´をパターニングし、その上表面がジャンクションとなるMR多層体32を得る。
【0052】
このMR多層体32は、TMR多層体、CPP構造のGMR多層体、反強磁性結合型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、スペキュラー型スピンバルブ磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、又はデュアルスピンバルブ型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体等で例えば構成されている。
【0053】
次いで、同図(D)に示すように、マスクであるフォトレジストパターン33を除去することなくそのまま残しておき、ジャンクション部が凸状となった50〜100nm程度の膜厚の例えばAl2O3又はSiO2等の絶縁膜34´を全面に成膜する。この絶縁膜34´の膜厚は、確実な絶縁を行うため、MR多層体32の膜厚と同等かそれより厚くすることが望ましい。
【0054】
その後、同図(E)に示すように、精密CMPを行って、MR多層体32のジャンクション部の上にあるフォトレジストパターン33の途中、即ち、フォトレジストパターン33が僅かに残った状態まで絶縁膜34´を研磨し、絶縁膜34を得る。
【0055】
この場合の精密CMPとは、通常のCMP処理よりも極めて精密に制御された精密CMP処理である。精密CMP処理は、精度の良い制御を可能にするために研磨レートが50nm/min以下、好ましくは20nm/min以下、より好ましくは10nm/min以下の低研磨レートでありかつ低残段差のドライ又はウェットのCMPである。研磨レートが50nm/minを超えると高精度の制御が困難となる。そのためには、コロイダルシリカ、酸化セリウム、コランダム、窒化ボロン、ダイアモンド、酸化クロム、酸化鉄、フュームドシリカ、アルミナ及びゼオライトのうちの一種又はその一種を含む混合物からなる、平均粒径が100nm以下、好ましくは50nm以下、より好ましくは10nm以下のスラリーを使用する。スラリーの平均粒径が100nmを超えると高精度の制御が困難となる。定板の回転速度は、1rpm〜10000rpmである。この回転速度が1rpm未満の場合は、研磨速度が遅くなりすぎて生産性が悪くなる。また、回転速度が10000rpmを超えると高精度の制御が困難となる。
【0056】
この研磨処理の終了は、研磨処理時間を管理することによって行う。
【0057】
次いで、同図(F)に示すように、残ったフォトレジストパターン33´を溶剤で剥離する。
【0058】
その後、同図(G)に示すように、絶縁膜34及びMR多層体32上に磁気シールド膜を兼用する上部電極膜35を成膜する。
【0059】
フォトレジストパターン33の代わりにハードマスクを用いても良い。
【0060】
図4はこのようにして形成されたTMRヘッドの層構造の一例を概略的に示す断面図である。
【0061】
同図に示すように、絶縁膜30上に磁気シールド膜を兼用する下部電極膜31が約2000nmの膜厚に積層され、その上に、約10〜20nmの膜厚の下地層32aと、約10〜20nmの膜厚のピン層32bと、約5〜6nmの膜厚のピンド層32cと、約1nmの膜厚のトンネルバリア層32dと、約4〜6nmの膜厚のフリー層32eと、約5〜10nmの膜厚のキャップ層32fとが順次積層されてなるMR積層体32が形成され、その上に磁気シールド膜を兼用する上部電極膜35が約2000nmの膜厚に積層される。絶縁膜34は、MR積層体32の周囲を取り囲むように形成される。
【0062】
キャップ層32fは、タンタル、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、タングステン、パラジウム、白金及び金のうちの一種又はその一種を含む合金からなることが好ましい。
【0063】
このように本実施形態によれば、MR積層体32及び下部電極膜31上にマスクであるフォトレジストパターン33を除去することなくそのまま残した状態で、絶縁膜34´を積層し、精密CMPを行って、MR多層体32のジャンクション部の上にあるフォトレジストパターン33の途中まで絶縁膜34´を研磨し、その後、フォトレジストパターン33の残りを剥離することにより、MR積層体32及びその回りの絶縁膜34を形成している。
【0064】
この手法を用いると、逆テーパを有しない通常のストレートなレジストパターン又はハードマスクを用いることが可能なため、リフトオフ法を用いて形成した場合より微細なMR積層体を形成することが可能となる。また、MR積層体32をミリングする時にすそ引きが発生するのを低減できるRIEやハードマスク等が活用できるため、MR積層体32の形状の改善にも大きく寄与することができる。さらに、絶縁膜34のバリやオーバーラップ等の発生は起こり得ず、より厳密なトラック幅の定義が可能となるので、トラック幅が200nm以下のMR素子を容易に製造することができる。具体的には、トラック幅が100nmの良好な出力特性を有するTMR素子を製造することが可能となる。
【0065】
さらに、絶縁膜34´を成膜後、MR積層体32周辺に凹みが生じ、ここに入り込んだ上部電極膜を通る磁界がMR積層体32に侵入し、MR特性を悪化させる一因となるが、本実施形態によれば、CMPを用いることでその凹部が解消されるのでMR特性の向上も期待できる。
【0066】
CMP処理における終点制御は、多くの場合、研磨処理時間を管理して行っている。精密CMPを行う場合、この終点管理を極めて精密に行う必要があるが、本実施形態では、この終点管理をより容易にするために、ミリング後にフォトレジストパターン33を剥離せずに絶縁膜を成膜し、CMPではフォトレジストパターン33の中ほどまで研磨し、残レジストを溶剤で剥離除去している。即ち、本実施形態では、フォトレジストパターン33の膜厚の範囲内でCMPを終了させればよいので、終点管理が多少不正確でもかまわないという利便が得られるのである。
【0067】
図5は、本発明の他の実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【0068】
まず、同図(A)に示すように、図示しない基板上に形成された絶縁膜50上に、磁気シールド膜を兼用する下部電極膜51、MR多層膜52´及びCMPストップ膜56´を順次積層する。
【0069】
CMPストップ膜56´としては、CMPされる材料より研磨されにくいものを用いる。これにより、CMP中にこのCMPストップ膜が露出することによって研磨レートが極端に減少して実質的に研磨が終了してしまうか、又は研磨に必要なトルクが増大するなどしてCMPの終了位置を知ることができる。例えば、絶縁膜54´がSiO2の場合はCMPストップ膜56´として研磨レートのより小さいAl2O3を用い、絶縁膜54´がAl2O3の場合はCMPストップ膜56´として研磨レートのより小さいDLCを用いれば良い。
【0070】
次いで、同図(B)に示すように、その上にストレート形状の側壁を有するフォトレジストパターン53を形成する。
【0071】
次いで、同図(C)に示すように、このフォトレジストパターン53をマスクとして用いたIBE、RIE、RIBE又はスパッタリングにより、CMPストップ膜56´及びMR多層膜52´をパターニングし、CMPストップ膜56及びその上表面がジャンクションとなるMR多層体52を得る。
【0072】
このMR多層体52は、TMR多層体、CPP構造のGMR多層体、反強磁性結合型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、スペキュラー型スピンバルブ磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、又はデュアルスピンバルブ型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体等で例えば構成されている。
【0073】
次いで、同図(D)に示すように、マスクであるフォトレジストパターン53を除去する。
【0074】
次いで、同図(E)に示すように、ジャンクション部が凸状となった絶縁膜54´を全面に成膜し、さらにその上にCMPストップ膜57´を全面成膜する。このCMPストップ膜57´は、CMPストップ膜56´のストップ膜としての機能を補うために設けられているものであり、その上面がCMPストップ膜56´の上面とほぼ同じ平面レベルとなるように形成される。CMPストップ膜57´の材質は、CMPストップ膜56´と同じである。
【0075】
その後、同図(F)に示すように、精密CMPを行って、MR多層体52のジャンクション部の上の部分の絶縁膜54´を、CMPストップ膜56が露出するまで研磨除去する。
【0076】
この場合の精密CMPとは、通常のCMP処理よりも極めて精密に制御された精密CMP処理である。精密CMP処理は、精度の良い制御を可能にするために研磨レートが50nm/min以下、好ましくは20nm/min以下、より好ましくは10nm/min以下の低研磨レートでありかつ低残段差のドライ又はウェットのCMPである。研磨レートが50nm/minを超えると高精度の制御が困難となる。そのためには、コロイダルシリカ、酸化セリウム、コランダム、窒化ボロン、ダイアモンド、酸化クロム、酸化鉄、フュームドシリカ、アルミナ及びゼオライトのうちの一種又はその一種を含む混合物からなる、平均粒径が100nm以下、好ましくは50nm以下、より好ましくは10nm以下のスラリーを使用する。スラリーの平均粒径が100nmを超えると高精度の制御が困難となる。定板の回転速度は、1rpm〜10000rpmである。この回転速度が1rpm未満の場合は、研磨速度が遅くなりすぎて生産性が悪くなる。また、回転速度が10000rpmを超えると高精度の制御が困難となる。
【0077】
この研磨処理の終了は、研磨処理時間を管理することによって行う。
【0078】
次いで、同図(G)に示すように、IBE、RIE、RIBE又はスパッタリングにより、CMPストップ膜56及び57´を除去する。
【0079】
その後、同図(H)に示すように、絶縁膜54及びMR多層体52上に磁気シールド膜を兼用する上部電極膜55を成膜する。
【0080】
フォトレジストパターン53の代わりにハードマスクを用いても良い。
【0081】
なお、CMPストップ膜56及び57´と絶縁膜54´のCMPにおける選択比が、4以上であることが望ましい。
【0082】
本実施形態における各膜、各層の膜厚、構成材料等は図3の実施形態の場合と同様である。
【0083】
本実施形態によれば、MR積層体52及び絶縁膜54´上にCMPストップ膜56及び57´をそれぞれ積層しておき、精密CMPを行って、MR多層体52のジャンクション部の上にあるCMPストップ膜57´及び絶縁膜54´を、CMPストップ膜56が露出するまで研磨し、その後、これらCMPストップ膜56及び57´を除去することにより、MR積層体52及びその回りの絶縁膜54を形成している。
【0084】
この手法を用いると、逆テーパを有しない通常のストレートなレジストパターン又はハードマスクを用いることが可能なため、リフトオフ法を用いて形成した場合より微細なMR積層体を形成することが可能となる。また、MR積層体52をミリングする時にすそ引きが発生するのを低減できるRIEやハードマスク等が活用できるため、MR積層体52の形状の改善にも大きく寄与することができる。さらに、絶縁膜54のバリやオーバーラップ等の発生は起こり得ず、より厳密なトラック幅の定義が可能となるので、トラック幅が200nm以下のMR素子を容易に製造することができる。具体的には、トラック幅が100nmの良好な出力特性を有するTMR素子を製造することが可能となる。
【0085】
さらに、絶縁膜54´を成膜後、MR積層体52周辺に凹みが生じ、ここに入り込んだ上部電極膜を通る磁界がMR積層体52に侵入し、MR特性を悪化させる一因となるが、本実施形態によれば、CMPを用いることでその凹部が解消されるのでMR特性の向上も期待できる。
【0086】
特に本実施形態では、CMPストップ膜56及び57´を用いることにより、ウエハ面内での研磨量の均一性を確保することが可能となる。
【0087】
図6は、本発明のさらに他の実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【0088】
まず、同図(A)に示すように、図示しない基板上に形成された絶縁膜60上に、磁気シールド膜を兼用する下部電極膜61、MR多層膜62´及びミリングストップ膜67´を順次積層する。
【0089】
次いで、同図(B)に示すように、その上にストレート形状の側壁を有するフォトレジストパターン63を形成する。
【0090】
次いで、同図(C)に示すように、このフォトレジストパターン63をマスクとして用いたIBE、RIE、RIBE又はスパッタリングにより、ミリングストップ膜67´及びMR多層膜62´をパターニングし、ミリングストップ膜67及びその上表面がジャンクションとなるMR多層体62を得る。
【0091】
ミリングストップ膜67としては、ミリングされる材料中に含まれておらず、使用する終点検出装置によって容易かつ高感度で検出される材料を用いる。このためには、遷移元素を用いることが望ましい。これに限定されるものではないが、より具体的な例として、例えば、コバルト、タンタル、ロジウム、ルテニウム、オスミウム、タングステン、パラジウム、白金及び金のうちの一種又はその一種を含む合金を用いる。
【0092】
このMR多層体62は、TMR多層体、CPP構造のGMR多層体、反強磁性結合型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、スペキュラー型スピンバルブ磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体、又はデュアルスピンバルブ型磁性多層膜を有するCPP構造のGMR多層体等で例えば構成されている。
【0093】
次いで、同図(D)に示すように、ジャンクション部が凸状となった絶縁膜64´´を全面に成膜する。
【0094】
その後、同図(E)に示すように、精密CMPを行って、MR多層体62のジャンクション部の上の部分の絶縁膜64´´を、ミリングストップ膜67が露出する手前まで研磨除去する。
【0095】
この場合の精密CMPとは、通常のCMP処理よりも極めて精密に制御された精密CMP処理である。精密CMP処理は、精度の良い制御を可能にするために研磨レートが50nm/min以下、好ましくは20nm/min以下、より好ましくは10nm/min以下の低研磨レートでありかつ低残段差のドライ又はウェットのCMPである。研磨レートが50nm/minを超えると高精度の制御が困難となる。そのためには、コロイダルシリカ、酸化セリウム、コランダム、窒化ボロン、ダイアモンド、酸化クロム、酸化鉄、フュームドシリカ、アルミナ及びゼオライトのうちの一種又はその一種を含む混合物からなる、平均粒径が100nm以下、好ましくは50nm以下、より好ましくは10nm以下のスラリーを使用する。スラリーの平均粒径が100nmを超えると高精度の制御が困難となる。定板の回転速度は、1rpm〜10000rpmである。この回転速度が1rpm未満の場合は、研磨速度が遅くなりすぎて生産性が悪くなる。また、回転速度が10000rpmを超えると高精度の制御が困難となる。
【0096】
このCMP処理の終了は、研磨処理時間を管理することによって行う。
【0097】
次いで、同図(F)に示すように、IBE、RIE、RIBE又はスパッタリングにより、ミリングストップ膜67上の絶縁膜64´を除去する。このミリングストップ膜67はその後も除去することなく残しておく。このミリングにおける終点検出は、例えば2次イオン質量分析器(SIMS)を用いて行っても良い。
【0098】
その後、同図(G)に示すように、絶縁膜64及びミリングストップ膜67上に磁気シールド膜を兼用する上部電極膜65を成膜する。
【0099】
フォトレジストパターン63の代わりにハードマスクを用いても良い。
【0100】
本実施形態における各膜、各層の膜厚、構成材料等は図3の実施形態の場合と同様である。
【0101】
本実施形態によれば、MR積層体62上にミリングストップ膜67を積層し、精密CMPを行って、MR多層体62のジャンクション部の上にある絶縁膜64´をミリングストップ膜67の手前まで研磨し、その後、残りの絶縁膜をミリングで除去することにより、MR積層体62及びその回りの絶縁膜64を形成している。
【0102】
この手法を用いると、逆テーパを有しない通常のストレートなレジストパターン又はハードマスクを用いることが可能なため、リフトオフ法を用いて形成した場合より微細なMR積層体を形成することが可能となる。また、MR積層体62をミリングする時にすそ引きが発生するのを低減できるRIEやハードマスク等が活用できるため、MR積層体62の形状の改善にも大きく寄与することができる。さらに、絶縁膜64のバリやオーバーラップ等の発生は起こり得ず、より厳密なトラック幅の定義が可能となるので、トラック幅が200nm以下のMR素子を容易に製造することができる。具体的には、トラック幅が100nmの良好な出力特性を有するTMR素子を製造することが可能となる。
【0103】
さらに、絶縁膜64´´を成膜後、MR積層体62周辺に凹みが生じ、ここに入り込んだ上部電極膜を通る磁界がMR積層体62に侵入し、MR特性を悪化させる一因となるが、本実施形態によれば、CMPを用いることでその凹部が解消されるのでMR特性の向上も期待できる。
【0104】
CMP処理における終点制御は、多くの場合、研磨処理時間を管理して行っている。精密CMPを行う場合、この終点管理を極めて精密に行う必要があるが、本実施形態では、この終点管理をより容易にするために、ミリングストップ膜67をジャンクション部に形成しておき、CMPでは絶縁膜64´の中ほどまで研磨し、残りの絶縁膜64´は、ミリングストップ膜67が露出するまでミリングによって除去している。即ち、本実施形態では、絶縁膜64´の膜厚の範囲内でCMPを終了させればよいので、終点管理が多少不正確でもかまわないという利便が得られるのである。
【0105】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【0106】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、リフトオフ法ではなく、MR積層体及び下部電極膜上に絶縁膜を積層し、MR積層体の上表面上に存在する被覆膜が露出するまで又は露出する手前までこの被覆膜上の絶縁膜をCMPにより除去することにより、MR積層体及びその回りの絶縁膜を形成している。
【0107】
この手法を用いると、逆テーパを有しない通常のストレートなレジストパターンを用いることが可能なため、リフトオフ法を用いて形成した場合より微細なMR積層体を形成することが可能となる。また、MR積層体をミリングする時にすそ引きが発生するのを低減できるRIEやハードマスク等が活用できるため、MR積層体の形状の改善にも大きく寄与することができる。さらに、絶縁膜のバリやオーバーラップ等の発生は起こり得ず、より厳密なトラック幅の定義が可能となるので、トラック幅が200nm以下であり積層面に垂直方向に電流が流れるMR素子を容易に製造することができる。
【0108】
さらにまた、絶縁膜を成膜後、MR積層体周辺に凹みが生じ、ここに入り込んだ上部電極膜を通る磁界がMR積層体に侵入し、MR特性を悪化させる一因となるが、本発明によれば、CMPを用いることでその凹部が解消されるのでMR特性の向上も期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】リフトオフ法によってCPP構造のGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【図2】コンタクトホール法によってCPP構造のGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【図4】図3の実施形態によって形成されたTMRヘッドの層構造の一例を概略的に示す断面図である。
【図5】本発明の他の実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【図6】本発明のさらに他の実施形態としてTMRヘッド又はCPP構造を有するGMRヘッドを形成する一部工程を示す断面図である。
【符号の説明】
10、14、14´、20、24、24´、30、34、34´、50、54、54´、60、64、64´、64´´ 絶縁膜
11、21、31、51、61 下部電極膜
12、22、32、52、62 MR多層体
12´、22´、32´、52´、62´ MR多層膜
13、23、26、33、53、63 フォトレジストパターン
13a 基部
15、25、35、55、65 上部電極膜
32a 下地層
32b ピン層
32c ピンド層
32d トンネルバリア層
32e フリー層
32f キャップ層
56、56´、57、57´ CMPストップ膜
67、67´ ミリングストップ膜
Claims (7)
- 下部電極膜上に磁気抵抗効果多層膜及び第1の化学的機械的研磨ストップ膜を順次積層し、該積層した第1の化学的機械的研磨ストップ膜上にマスクを形成して該第1の化学的機械的研磨ストップ膜及び該磁気抵抗効果多層膜をパターニングすることによって、積層面に垂直方向に電流が流れる磁気抵抗効果積層体を形成し、該第1の化学的機械的研磨ストップ膜及び前記下部電極膜上に絶縁膜を積層し、該積層した絶縁膜上に第2の化学的機械的研磨ストップ膜を積層し、前記磁気抵抗効果積層体上の前記第1の化学的機械的研磨ストップ膜と前記第2の化学的機械的研磨ストップ膜とを終点制御に用いて前記絶縁膜を化学的機械的研磨により除去し、該化学的機械的研磨の後、前記第1の化学的機械的研磨ストップ膜及び前記第2の化学的機械的研磨ストップ膜の全部を除去し、前記磁気抵抗効果積層体上及び前記絶縁膜上に上部電極膜を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記化学的機械的研磨が、低研磨レートでありかつ低残段差の精密化学的機械的研磨であることを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
- 前記精密化学的機械的研磨の研磨レートが、50nm/min以下であることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。
- 前記精密化学的機械的研磨が、コロイダルシリカ、酸化セリウム、コランダム、窒化ボロン、ダイアモンド、酸化クロム、酸化鉄、フュームドシリカ、アルミナ及びゼオライトのうちの一種又はその一種を含む混合物からなるスラリーを使用することを特徴とする請求項2又は3に記載の製造方法。
- 前記精密化学的機械的研磨が、平均粒径が100nm以下のスラリーを使用することを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記磁気抵抗効果積層体が、トンネル磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記磁気抵抗効果積層体が、垂直方向電流通過型巨大磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の製造方法。
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