JP3792126B2 - 小型テラヘルツ放射源 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項１の種概念の定義による、スミス・パーセル効果（Smith Purcell effect）に基づく小型されたテラヘルツ放射源に向けられる。
【０００２】
遠赤外線範囲内のある周波数において、たとえば、Ｃｏ_２レーザによって励起される分子レーザによって、コヒーレント放射が生成されることが基本的に知られている。分子および固体の分光学に対して重要な周波数および波長の多くは、３ｍｍ〜３０μｍ（１００ＧＨｚ〜１０ＴＨｚ）に延在する波長範囲内にある。このテラヘルツ放射の範囲の場合に、その波長範囲内で同調可能であり、ウェーハの半導体チップ上に実装される小型放射源を使用することは、１μＷ〜１Ｗの範囲内の十分な電力出力を示し、環境保護の全ての領域、分析、医学および生物学の材料特性評価、ならびに化学および物理学における分光学的応用形態の技術的な観点から非常に重要である。遠赤外線範囲のコヒーレント放射を生成するための別の方法は、いわゆるスミス・パーセル効果に基づく。それは、「自由電子レーザ」から知られる方法と同じように放射を生成することを提供する。巨視的な電子源および１００〜３００μｍの周期を有する回折格子が、１μＷまでの電力を有する偏向された放射のコヒーレント放射電界を生成するのに利用される。
【０００３】
J. Walsh、K. Woods、S. Yeagerによる論文「Intensity of Smith-Purcell Radiation in the Relativistic Regime」（Department of Physics and Astronomy, Dartmouth College, Hanover, N.H.03755, U.S., pages 277-279）は、そのようなスミス・パーセル放射源の理論を記載しており、さらに、実験結果も提供する。また、J.E. Walsh, J.H. Brownell, J.C. Swartz、およびM.F. Kimmittによる論文「A New Source of THz-FIR Radiation」（LEOS NEWSLETTER, February, 1999, Department of Physics and Astronomy, Dartmouth College, Hanover, New Hampshire 03755-3528 and Department of Physics, Essex University, Colchester, UK, January 7, 1999, pages 11-14）は基本的に、テラヘルツ領域の放射源の設計および動作モードを記載する。これらの知られているテラヘルツ放射源は十分に効率的であるかもしれないが、多くの分析的な応用形態にはまだ不十分であり、また十分な程度まで小型化されていない。
【０００４】
そのため、分析的な応用形態のためのさらに強力な放射源として、さらに小型化された自由電子レーザが望まれる。
【０００５】
それゆえ、本発明の根本的な目的は、知られているアディティブナノリソグラフィ（additive nanolithography）を用いて、半導体チップ上に、スミス・パーセル効果に基づき、小型化された自由電子レーザとして機能し、既存のそのような放射源より実質的に、より強力であり、さらに、実質的な幅広い分野の応用形態、特に分析的な応用形態を容易にすることになる小型化されたテラヘルツ放射源を案出することである。
【０００６】
本発明によるこの目的の達成は、請求項１の特徴を示す部分に記載される。
【０００７】
本発明の目的あるいは実施形態を達成するためのさらに別の手段は、請求項２ないし請求項２３に記載される。
【０００８】
アディティブナノリソグラフィを用いて、そのような小型テラヘルツ放射源を形成することにより、高い方向性ビーム値を有する電界電子源を形成することができる。加速グリッド、集束レンズ、ビーム偏向器および独立した金属ロッドのような、さらに小型化された電子光学構成要素を用いることにより、現在、それらの構成要素を、数百μｍ^２〜１０ｍｍ^２の表面上に小型化された自由電子レーザを構成するために組み立てることができる。この状況において、電子源は、３０Ｖで電子を放射する特性を有し、その際、電子は３０ｅＶのエネルギーを有する。ナノリソグラフィを用いると、電子ビームの集束およびビーム誘導の第２の特徴的な構成要素を、第３の構成要素、すなわち金属格子に対してある限定された距離にある表面に平行に制御することができる。金属格子上のビームの垂直な位置は同じように、超小型化された偏向板あるいはワイヤレンズに偏向電圧を印加することにより調整することができる。１ｍｍ長までの可能な限りの回折格子、すなわち０．１ｍｍ〜０．１μｍの格子定数を有する反射回折格子が、電界電子源を供給するための電気接続構造の製造時に、従来のリソグラフィを用いて製造される、すなわち最も高い分解能の電子ビームリソグラフィによって画定されることができる。
【０００９】
高分解能の二重レジスト技術およびリフトオフが用いられることが有利である。このアプローチは、新しいタイプの技術を用いて、電子源と、ビーム誘導と、回折格子間の高速電子の飛翔による遠赤外線放射の生成とを集積する。この状況では、約２０，０００Ｖまでの加速電圧と、１００〜３００μｍ周期の格子にわたる２０μｍ径の電子ビームとからなる標準的な放射源を与えると、遠赤外線における赤外線放射が、１００μｍ〜１ｍｍ波長で達成される。この放射は、電子が格子の表面プロファイルを通って飛翔することに応答して振動する画像電荷によって生成される。電荷間の間隔を変更することにより、振動双極子が形成され、それは格子に沿ってコヒーレントに振動する。これは、ワイヤ上の個々の電荷のクーロン力の相互作用に起因して生じる。この状況では、電界全体が、ロッドの個々の電荷に対応して、コヒーレントに振動する。このようにして、電磁放射が、格子全体に沿ってコヒーレントに放射される。電子ビームから電磁放射へのエネルギーの伝達は、ほぼ損失することなく垂直方向に行われる。その偏向は、ある一定の変位電流、およびそれゆえ、ある一定の電力を必要とするが、これは完全に、ビームから直接引き出される。このようにして、振動する双極子電荷の連鎖が形成される。また、新しい点は、製造プロセスにおいて、チップ上に電子誘導を集積することと、高空間分解能を有する格子へ直接結合することである。同時に、超小型化によって、１０〜１０００ｅＶのエネルギーを有する低エネルギーの電子を使用できるようにしていることが新しい。また、チップ上に１０ｋＶまでの電子を生成し、小型レンズおよび偏向素子のような、小型化された電子光学構成要素を用いることにより誘導を実施することもできる。
【００１０】
そのような高エネルギーの電子を用いるとき、中間赤外線から可視スペクトル領域までの範囲にある短い波長のための放射も生成される場合がある。共通の基板上に製造することにより、放射源への最も短い距離を介して格子に直接に結合すること、および同じチップ上に格子と放射源とを製造することが確保される。このようにして、従来の設計において、最大１ｍにもなる電極構成の放射線の経路が、１ｍｍ〜１０ｍｍ長未満まで低減される。さらに、非常にコヒーレントで局所的な光源が生成され、放射の時間的および空間的可干渉性に対して利点を有する。電子の全経路が、より大きな度合いまで短くされるので、放射室において超高真空あるいは高真空を用いる必要がなくなる。それは、フリップチップボンディング技術を用いて、シリコン内にエッチングされた窓によって、その系を覆うのに十分である。この窓は、シリコンの連続した薄膜によって閉じられ、それにより中空の空間を与えることができる。１０μｍまでの高さの構成要素が、その中空の空間内に容易に収容される。典型的には、２５０μｍ厚のシリコンウェーハ内に、数ｍｍ径の窓がエッチングされ、１０μｍ〜１００μｍまでの厚さを有する薄膜によって封止される。これは、小型化された構成要素の安定した機械的な封入を可能にする。しかしながら、それは、ミリメータ大の微細加工により製造されることもできる。この状況では、必要とされる真空は約０．０１Ｔｏｒｒである。この場合、この減圧された気体における電子の平均自由行程長は、小型化された構成要素のビーム長と同じ大きさである。これは、ポンプ構造の必要性を排除し、著しく有利である。その構成要素は、既製の封止された素子としてパッケージ化され、接続されることができる。このようにして、半導体チップ上に、テラヘルツ放射源、すなわちミリメータおよびサブミリメータ放射源を製造することができる。適当な導波手段を通して、この放射源を、さらに別の応用形態に結び付けることができる。
【００１１】
小型化あるいは超小型化されたテラヘルツ放射源のさらに別の利点、特徴および実現可能な応用形態、特にその設計および動作モードは、図面に示される典型的な実施形態とともに、以下の説明から導き出されることができる。
【００１２】
ここで、本発明は、図面に示される典型的な実施形態に基づいて説明されることになる。添付の符号の説明において用いられる用語および指定された参照番号が、明細書、特許請求の範囲、要約書および図面において用いられる。
【００１３】
図１は、平面図および側面図において、小型化されたテラヘルツ自由電子レーザのための電極設計を概略的に示す。個別に示される構成要素も、知られているアディティブナノリソグラフィ法を用いて形成される。平面図および側面図の両方に示されるように、小型テラヘルツ放射源の個々の構成要素は、以下の順に示される。最初に、電界エミッタ先端部１が左側に示される。それらは、電気端子あるいは接続部２を介して制御可能電圧源３に接続され、もう一方では、ここでは３つの電極からなる静電レンズ４に接続される。左側の電極は抽出器、あるいは電子源の第１のアノードである。中央に示されるのは、接続部６を有するビーム偏向器５である。それには、光および／または電子ビームリソグラフィが適用され、偏向電圧が印加される。ビーム偏向器５には、金属の格子７が続く。電子ビーム９は、ビーム偏向器５によって偏向されており、この格子を通り抜け、偏向されない電子ビーム１０として、第２のアノード８に衝当する。
【００１４】
図２は、封入体の１つの変形形態を示す。この設計によって、ここでは電界エミッタ先端部１、電子ビーム９／１０を集束するための静電レンズ４、そのビームを水平方向および垂直方向に偏向するためのビーム偏向器５、下側に反射器を有する金属の格子７の形をとる電子源が、電子ビームリソグラフィあるいは光リソグラフィを用いて予め形成される金属導体接続構造上にある、格子領域内にテラヘルツ反射ベースを有する絶縁基板上にアディティブナノリソグラフィを用いるミックス−マッチ技術を用いて、集積されるように構成されるようにでき、また、テラヘルツ放射に対して透過性を有する技術を用いて、真空１３に真空状態を保持するように封入されるようにできる。この設計によって、電界エミッタ１から放射される電子ビーム９は、小型化されたワイヤレンズ４を通して集束されるようになり、集積された偏向板５を通して、格子７の位置に対して向けられ、かつ位置決めされるようになり、それによりテラヘルツ放射が生成され、その強度および波長が変更され、選択されることができる。電界エミッタ、すなわち電界エミッタ先端部１は、電気端子接続部２を介して制御可能電圧源３に接続され、さらに、電気接続部２を介して、静電レンズ４の中央電極に接続される。レンズ４の左側の電極は電子源の第１のアノードであり、中央電極の他の側に配置される静電レンズ４の電極にもなるように、制御可能電圧源３の端子とともに、グランドに接続される。電界エミッタ１を有する電界電子源は、安定化用直列抵抗を有する良導体材料から、アディティブナノリソグラフィを用いて構成されるワイヤであり、電子ビーム９がその表面に平行に現れるように設計される。これは、ワイヤが、導体経路構造の表面上で、接続されない状態で終端するように、直線あるいは曲線的な設計で、コンピュータ制御される堆積リソグラフィを用いて製造されることを意味する。電界電子源は点状の設計を有する。その電界エミッタ先端部（１）上では、低い仕事関数を有する材料が、アディティブナノリソグラフィを用いて堆積され、それにより比較的低い電圧にも応答して、電子が放射されるようにする。
【００１５】
その設計の１つの変形形態は、電子エミッタ１を有する電界電子源に後続して、２つの円柱形のロッドからなる独立した電極、あるいは直立したワイヤリングの形をとる、ビーム偏向器５としての加速グリッドを搭載することを提供する。ここで意図することは、電子が加速され、それに後続して付加的に構成される円形の多極レンズおよび／または円柱形のレンズに向けられるようにし、伝搬する電子ビーム９が、その表面に対して一様な距離で、後続の回折格子７上でさらに偏向されるようにすることである。集束レンズおよびビーム誘導レンズは、電子ビームリソグラフィあるいは光リソグラフィを用いて形成される金属接続構造上にアディティブナノリソグラフィによって実装され、放射されることになるテラヘルツ放射の波長に応じて、０．５〜１０μｍの格子周期で、約１ｍｍ〜１ｃｍの長さを有する回折格子を形成するように、本技術を用いて構成される。
【００１６】
またその設計の１つの変形形態は、複数の電気的に絶縁された回折格子からなる並行構造を提供し、それは、種々の放射源を選択し、種々の放射された波長が選択できるようにすることにより動作状態にすることができる。
【００１７】
電子源からの放射は、制御回路、特に制御可能電圧源３によって、ある一定のレベルに保持され、その後、格子７上を伝搬する電子ビーム１０は、収集用のアノード電極として用いられる第２のアノード８によって捕捉される。
【００１８】
静電レンズ４の第２のアース電極と第２のアノード８との間には電界がかけられ、それを用いて、格子に沿った電子の速度を変更することができる。これは、その波長を正確に調整するために、また周波数スペクトルを生成するためにも用いられる。
【００１９】
小型化、すなわち超小型化されたテラヘルツ放射源の設計の別の典型的な実施形態は、スミス・パーセル効果に基づいており、図２に示される。シリコン薄膜構造を用いて封入体を設けることにより、レーザを生成するために必要とされる真空１３を保持することができる。放射されたレーザＴＨｚ放射１５は、薄膜窓１４を通して外部に放射される。シリコン１１のチップ上に構成され、電界放射源、光学系、格子およびアノードからなる放射エミッタは、この実施形態では、全体を覆うチップ１６のように、シリコン１１から形成される薄膜窓１４によって覆われる。こうして構成された放射エミッタは、ボンディング前に、１ｍｍの平均自由行程長のために十分である１０^−４の圧力まで、真空系によって空気を抜かれる。その後、中空の空間は、電圧源を短絡することなく、熱接合により真空に封止される。被覆用チップ１７内の薄膜窓１４は、反射低減層を用いて処理され、それにより、放出される放射の周波数範囲の場合に、窓１４を通る最大の透過が達成される。
【００２０】
格子領域の真下に構成されるのは、磁性あるいは非磁性材料からなり、適切な周期の所定の間隔を有する金属層あるいは格子ロッドの配列の形をとるＴＨｚ放射反射器であり、その結果、基板の方向に格子７から放出されるＴＨｚ放射１５は、最も高い実現可能な反射率で格子を通って送り返され、それにより放出される放射の強度を強化する。所定の距離で格子７上にビーム誘導を実施することにより、放射源の強度を変更できるようになる。これは、格子の前に偏向素子５を用いることにより、この偏向素子に印加されるＡＣ電圧に応じて、放射される強度を変調することができることを意味する。このようにして、その放射は、ロックイン測定技術の場合に分光する目的のために、変調された形で直接生成されることができる。同じロックイン変調は、電界エミッタ先端部１において抽出電圧を変調することによって実現される場合もある。
【００２１】
ある応用形態の場合、上側をなす表面上にモノクロメータを設置することにより、電圧源を補完することが有利である。そのようなモノクロメータは、この領域上で動作するナノメータ構造あるいはマイクロメータ構造として構成され、その結果、異なる波長で生成されるビームが、種々の方向に放射源から放射される。このようにして、静電原理に準拠した静電システムでは、常に同じ集束状態を生成し、それゆえ一定の動作状態を生成する電子エネルギー上で切替えを行うことにより、種々の周波数の放射が生成されることができ、その放射源は、種々の応用形態の場合に電気的に調整されることができる。
【００２２】
１つの変形形態は、集束レンズ４と格子７の端部との間に電界をかけることを提供し、その場合に、格子の端部には付加的な電極が配置され、その電圧を印加して、飛翔する電子を加速あるいは減速することができる。これにより、格子７を通って飛翔する際に、その電子が受けるエネルギー損失を補償することができる。その上を電子ビーム１０が伝搬する格子７は、ビーム方向に平行に配置される領域に細分され、その領域では、種々の格子定数が実装される。格子７と平行に配置される電極によって、またそれぞれが個々の領域に割り当てられる複数の電子源によってもたらされる水平な静電ビーム誘導によって、ここで、放出される放射が、その波長を切り替えることができる放射として実施されることができるようになる。
【００２３】
格子の格子定数は、ビーム方向に対して横方向に変動し、その結果、ビーム誘導は、その格子を完全に包囲する偏向電界あるいは偏向板によって、その格子にわたって変動する場合があり、集束レンズに後続して配置され、異なる格子定数を有する領域が、その放射のその波長を放射するために選択されることができるようになる。「チャープ格子」、すなわち可変の格子定数を有する格子としてその格子を設計することにより、その波長は、連続的に調整されるようになる。
【００２４】
テラヘルツ放射源の強度は、その格子の上下に、ＴＨｚ放射に対して透過性を有する静電板を設置することにより制御され、それにより、その強度が局所的に選択できるようになる。これは、これらの静電板を、種々の電位の領域を含むように設計することにより、すなわち個別の調整可能なストリップを設けることにより有利に達成される。
【００２５】
図３は別の典型的な実施形態を示しており、２つの薄膜窓１４が被覆用のチップ１７内に設けられる。また、図２の場合のように、被覆用のチップ１７が、シリコン１６からなる絶縁体によって電極および電極接続部から絶縁されることを、はっきりと認めることができる。同時に、これは、また、その構成を封入する際に気密封止を実現するための接合領域７から構成される。また、その構成は、二酸化シリコン層１２を有するシリコン１１の基板を含む。その上には、電界エミッタ１と、レンズ４と、格子７と、第２のアノード８とが配置される。ここで再び、第１のアノードは、静電レンズ４の左側の電極である。また、金属の格子７も配置され、その中から、放射されたテラヘルツ放射１５が現れる。電子ビーム１０は、反射することなく、電気接続部２を有する第２のアノードに衝当する。ＴＨｚ放射１５を集束するために、１つの薄膜窓１４はレンズ１９を設けられる。特別に形成された被覆用のチップ１７に起因して、チャンバ１８および１８’の両方に真空１３が与えられる。その材料を含むゲッターポンプ（図示せず）が、電流が流れるのに応じて１回だけ起動することにより、第２のチャンバ１８’において動作し、両方のチャンバの全体積を必要な動作圧にするように設定されることができる。
【００２６】
さらに別の変形形態（図示せず）では、電気接続部によって活性化されることができるイオンゲッター材料がチップに適用され、次にスミス・パーセル素子に適用される。これらの材料は、接合され、封入された構造を真空にするために用いられる。電子ビームリソグラフィあるいは光リソグラフィによって予め形成された金属導体−接続部構造上でアディティブナノリソグラフィを用いる、そのような製造は、絶縁基板、特に酸化シリコン上に集積された格子構造を含み、格子領域内に集積されたＴＨｚ下側反射器によって、モジュール形式のＴＨｚ放射源として、任意の位置において用いられ、設置される構成要素にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 スミス・パーセル効果に基づく小型テラヘルツ放射源の基本的な設計の平面図および側面図である。
【図２】 動作中に必要な真空を保持するためのシリコン薄膜構造の封入体を示す図である。
【図３】 小型自由電子レーザの２つのチャンバの薄膜による被覆を示す図である。
【符号の説明】
１ 電界エミッタ（先端部）
２ 電気端子あるいは接続部
３ 制御可能電圧源
４ 静電レンズ
５ ビーム偏向器あるいは偏向板
６ ビーム偏向器のための電気接続部
７ 金属格子
８ 第２のアノード
９ 電子ビーム
１０ 反射のない電子ビーム
１１ シリコン（Ｓｉ）
１２ 二酸化シリコン（ＳｉＯ_２）
１３ 真空
１４ シリコンの薄膜窓
１５ 放射されるテラヘルツ放射
１６ その構成の真空状態を保持するような封入体のための絶縁体あるいは接合領域
１７ 被覆用のチップ
１８ １８’ チャンバ
１９ ＴＨｚ放射を集束するためのレンズ

Claims (24)

1. スミス・パーセル効果に基づく小型化されたテラヘルツ放射源であって、集束された電子源から、高エネルギーの電子ビームが、横方向に配置される格子ロッドからなる反射回折格子上を所定の距離をおいて伝送され、その結果、画像電荷が前記格子のプロファイル内で振動するのに応じて、ある波長の電磁波が放射され、該電磁波は、ラインの周期性および電子速度の関数として調整可能であり、前記放射源が、アディティブあるいは知られているナノリソグラフィ法を用いて、半導体チップ上に集積される小型テラヘルツ放射源。
2. 前記放射源の構成要素は、電界エミッタ（１）、静電レンズ（４）、ビーム偏向器（５）、金属の格子（７）および第２のアノード（８）である請求項１に記載の小型テラヘルツ放射源。
3. 前記電子源は、安定化用の直列抵抗を有する良導体材料から、アディティブナノリソグラフィ法を用いて形成されるワイヤとして構成され、前記ワイヤは、コンピュータ制御の堆積リソグラフィを用いて、電界エミッタ先端部（１）において電気端子および接続部（２）のための導体経路構造の表面上に、接続されない状態で終端されるように、直線あるいはまた曲線設計で配置される請求項１または２に記載の小型テラヘルツ放射源。
4. 前記電子源は点状の設計を有し、また、低い仕事関数を有し、比較的低電圧にも応答して電子を放射する材料が、アディティブナノリソグラフィを用いて前記電界エミッタ先端部（１）上に堆積される請求項２または３に記載の小型テラヘルツ放射源。
5. 前記構成要素は、被覆用のチップ（１７）によって真空状態を保持するように封入される請求項１ないし４のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
6. 水平方向および垂直方法に前記電子ビーム（９）を偏向するためのビーム偏向器（５）、および下側に反射器を有する前記金属の格子（７）は、アディティブナノリソグラフィを利用して、あるいは電子ビームリソグラフィまたは光リソグラフィを利用して、ミックス−マッチ技術を用いて、前記格子領域内のＴＨｚ反射器ベースを有する、シリコン（１１）の基板の二酸化シリコン（１２）の層上にある、集積された格子構造を有する予め形成された金属導体接続構造上に集積されるように構成され、その全構成はテラヘルツ放射（１５）に対して透過性を有し、真空状態を保持するように封入され、前記集積された電子源から現れる前記電子ビーム（９）は、小型ワイヤレンズの形をとる、静電レンズ（４）を通して集束され、前記反射回折格子（７）の位置に対して、集積された偏向板（５）によって誘導され、位置決めされるようにでき、それにより、テラヘルツ放射（１５）が、その強度および波長が変更され、選択されることができるように形成される請求項１ないし５のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
7. スミス・パーセル効果に基づく小型化されたテラヘルツ放射源であって、集束された電子源から、高エネルギーの電子ビームが、横方向に配置される格子ロッドからなる反射回折格子上を所定の距離をおいて伝送され、その結果、画像電荷が前記格子のプロファイル内で振動するのに応じて、ある波長の電磁波が放射され、該電磁波は、ラインの周期性および電子速度の関数として調整可能であり、前記電子源の後側に前記電子を加速させるために、２つの円柱状のロッドあるいは直立したワイヤリングからなる独立した電極の形をとる加速グリッドが、前記電子源に後続して配置され、前記加速された電子は、前記加速グリッドに続いて構成される静電レンズ（４）からなる円形の多極レンズあるいは円柱形のレンズに到達し、電子ビームは、表面から一様な距離で、後続する反射回折格子（７）上を、偏向されることなく（１０）伝搬する小型テラヘルツ放射源。
8. 放射されることになる前記テラヘルツ放射（１５）の波長に応じて、約１ｍｍないし１ｃｍの長さと、０．５ないし１０μｍの格子周期とを有する反射回折格子（７）が、電子ビームリソグラフィあるいは光リソグラフィを用いて生成される金属構造上に、アディティブナノリソグラフィを用いて実装される前記静電レンズ（４）および前記ビーム偏向器（５）に続いて配置される請求項２ないし６のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
9. 複数の電気的に絶縁された回折格子が前記金属の格子（７）と並行して配置され、種々の放射される波長を選択するための種々の放射源の選択に応じて動作状態にされることができる請求項２ないし８のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
10. 電極によって活性化されることができるイオンゲッターとしての機能を有する材料が、半導体チップ上と、それに続く前記スミス・パーセル効果に基づく小型化されたテラヘルツ放射源とに適用され、接合、かつ封入される構造内に必要とされる前記真空（１３）を生成し、かつ保持する請求項１ないし９のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
11. 前記電子源からの前記放射を安定化させるために、制御可能電圧源（３）が、電気端子あるいは接続部（２）を介して前記電子源に接続され、前記電界エミッタ先端部（１）から放射される前記ビーム（９）は、第２のアノードとして用いられる前記構成の電極上に収集される請求項２ないし６、８のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
12. 前記波長を正確に調整し、かつ／または所望の周波数スペクトルを生成するために、前記静電レンズ（４）のアース電極と第２のアノードとして動作する前記電極との間に電圧が印加され、前記格子（７）に沿って電子速度を変更する請求項２ないし１１のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
13. 半導体チップ上に構成され、電界エミッタ、すなわち電界エミッタ先端部（１）、および静電レンズ（４）と、格子（７）と、第２のアノード（８）とからなる光学系を備える前記小型テラヘルツ放射源は、シリコン薄膜技術を用いてエッチングされる薄膜窓（１４）によって覆われ、接合動作の前に、真空系において、１ｍｍの平均自由行程長のために十分である、１０^−４Ｔｏｒｒの範囲内の圧力まで空気を抜かれることができ、チャンバ（１８、１８’）は、熱接合を用いて、電源を短絡することなく、封入および／または封止されることができるように、前記真空系内に構成される、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
14. ２つの薄膜窓（１４）が、２つのチャンバ（１８、１８’）のために、前記被覆用のチップ（１７）内に互いに対して隣接して配置され、前記２つの薄膜窓（１４）のうちの一方において、電流が流れるのに応じて１回だけ起動するように、ゲッターポンプが設定され、両方のチャンバ（１８、１８’）の全体積を必要な動作圧にするように設定する請求項５、６、８、９、１０、１１、１２、１３のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
15. 前記被覆用のチップ（１７）内の前記薄膜窓（１４）は、反射を低減するために、付加的に適用される層を設けられる請求項１３または１４に記載の小型テラヘルツ放射源。
16. 前記格子領域の真下には、金属層、あるいは格子ロッドの配列の形をとり、適切な周期の所定の間隔を有し、前記放射されるテラヘルツ放射（１５）の強度を強化するための磁性あるいは非磁性材料からなるテラヘルツ放射反射器が構成される請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
17. 前記放射源の前記強度は、所定の距離にある前記金属の格子（７）上の前記ビーム誘導に応じて変更可能であり、前記放射された強度は、前記格子（７）の前に、付加的な偏向構成要素を用いることにより、この偏向構成要素にＡＣ電圧が印加されるのに応じて変調されるようにできる請求項２ないし１６のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
18. 前記テラヘルツ放射（１５）は、分光学的な目的のための変調された放射として生成されることができ、前記電界エミッタ先端部（１）において抽出電圧を変調することにより、同じロックイン変調が生成されることもできる請求項２ないし６、８、１１、１２のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
19. 前記放射源は、上側をなす表面上に、この領域上で動作するナノメータあるいはマイクロメータ構造の形をとるモノクロメータを設置することにより補完され、異なる波長で生成されることができる前記テラヘルツ放射（１５）は、種々の方向において前記放射源から放射される請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
20. 集束用の前記静電レンズ（４）と、前記格子（７）の端部との間に電界がかけられ、前記第２のアノードの付加的な電極が、印加された電圧を通して、飛翔する電子を加速あるいは減速する前記格子の端部に配置される請求項２ないし６、８、１１、１２のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
21. 前記格子（７）は、ビーム方向に平行に配置され、かつ種々の格子定数が実施される領域に細分され、ビーム誘導および／または波長選択のための横方向偏向素子が、前記格子領域の周囲に取り付けられ、かつ／または複数の電界エミッタが選択的に駆動される請求項２ないし２０のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
22. 前記格子（７）は、前記ビーム方向に対して横方向に、その格子定数が変動し、その結果、前記格子（７）を完全に包囲する偏向電界あるいは偏向板が、前記ビーム偏向器（５）として配置され、異なる格子定数を有する１つの領域が前記テラヘルツ放射（１５）の波長を放射するために、特に可変の格子定数を有する格子（７）の場合に選択されるように、前記格子（７）上の前記ビーム誘導が変更可能であるようにし、前記波長は連続して調整可能である請求項２ないし６、８、１１、１２のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
23. 前記テラヘルツ放射（１５）に対して透過性を有する静電板が、前記格子（７）の上下に強度制御を提供するために配置され、それにより、前記電子ビーム（１０）の位置が、全格子領域において変更されるようにできる請求項２ないし２２のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。
24. 前記放射源は、モジュールの形で利用可能であり、任意の空間的な位置において利用可能な構成要素として設計される請求項１ないし２３のいずれか一項に記載の小型テラヘルツ放射源。

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