JP3776798B2 - 制御発振器 - Google Patents
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Description
発明の背景
本発明は一般に発振器に関し、特に調整可能周波数発振器に関する。
【0002】
調整可能周波数発振器は多様な適用業務で使用される。こうした適用業務には受信機、送信機、データ伝送線路、セルラ電話システム、及び光及びアナログ通信システムが含まれる。こうした適用業務には位相同期ループ(PLL)が含まれることが非常に多い。PLLは受信機のローカル・クロック信号を送信機のクロック信号にロックするために使用されることが多い。PLLでは調整可能周波数発振器が使用され、調整可能クロック信号を生成する。
【0003】
調整可能周波数発振器の設計について、いくつかのアーキテクチャが提案されている。こうしたアーキテクチャは主として、バラクタ・ベース発振器、RC同調発振器、補間発振器、他の可変要素に基づく発振器、または抵抗感知発振器として分類される。上記の分類の発振器は各々いくつかの固有の短所を有する。
【0004】
おそらく最も広範に使用される種類の発振器はバラクタ・ベース発振器である。バラクタ・ベース発振器は可変静電容量を有するLCタンク回路である。LC
電容量Cを変化させることで、共振周波数が変化する。静電容量は一般にバラクタを使用して変化させられる。バラクタは調整可能コンデンサであり、逆バイアス・ダイオードを使用して形成されることが多い。逆バイアス・ダイオードは固有の静電容量を伴うpn接合を有する。固有の静電容量はpn接合の空乏範囲の幅に関連し、この空乏範囲は逆バイアスのレベルによって変化する。従って、pn接合の固有の静電容量はダイオードの逆バイアスを変更することによって修正される。
【0005】
不都合にも、逆バイアスpn接合の静電容量は本質的に非直線的であり、ある程度直線的な挙動を示すのはごく小さな電圧範囲にわたってでしかない。従って、バラクタ適用業務のためには、静電容量が直線的に変化するpn接合の逆バイアス電圧の範囲を決定しなければならない。このためバラクタの静電容量範囲と、ひいては発振周波数の範囲が制限される。この制限のため、バラクタ・ベース発振器を広い範囲にわたって使用するためには、静電容量の変化を増大する複数のバラクタ間の切換による何らかの形態の範囲設定が必要である。しかし、これは回路の複雑さを増大するという犠牲を伴う。
【0006】
さらに、バラクタはそれにかかる電圧に比例する静電容量を有する。発振中バラクタの電荷が増減すると、バラクタにかかる電圧が変化し、比例してバラクタの静電容量が変化する。従って、発振器の共振周波数は発振に連れて変化する。さらに、バラクタは多くの設計で一般的な素子でないため、トランジスタと比較してモデル化が不十分になりがちである。
【0007】
バラクタ・ベース発振器のもう1つの欠点は非直線的な周波数対電圧特性である。バラクタの静電容量Cがそれにかかる電圧に直線的に比例する場合でも、発
る。大部分のPLLモデルと等式は直線発振器についてのみ有効であるため、この非直線性はPLL適用業務で問題になる。この非直線性の問題を緩和する1つの方法は発振器の前の電圧に訂正関数を適用すること(例えばVの二乗及び反転)であるが、これは回路をさらに複雑にし、他の変数を回路に導入する。非直線
的にVに比例することを保証することである。しかし、この近似は狭い範囲のVについてしか有効でない。
【0008】
もう1つの一般的に使用される発振器回路は、RC時定数を伴うRC同調回路に基づくものである。RC回路中のコンデンサの電圧上昇時間と下降時間はRC時定数に関連するので、コンデンサにかかる電圧の変化速度とひいては発振器回路の発振信号出力の通過帯域もRC時定数に関連する。通常のRC同調回路では、可変抵抗が使用されRC時定数を変化させる。いくつかの種類のRC同調回路がリング発振器のような適用業務で見られる。RC同調回路の主な欠点はQ(共振の品質因子)がRC同調回路について不確定であることである。Qがないため、RC同調回路は位相雑音が高く、普通電源雑音の影響を極めて受けやすい。
【0009】
異なった発振周波数を有する2つのLCタンク回路が結合されて1つの発振器を形成し、それによって補間回路を形成することもある。補間回路では、発振信号出力の発振周波数は、各LCタンク回路の出力に異なった重み係数を与えることによって変化する。補間回路を有する発振器は妥当なQ因子を有するが、このQ因子は周波数によって大きく変化し、かつ非直線的である。補間回路の出力周波数が2つの補間LCタンクの1つの共振周波数と同じである場合、Qは高い。しかし、出力周波数が両方のLCタンクの共振周波数と大きく異なる場合、Qは低下する。
【0010】
発振器適用業務のために使用されるもう1つの技術は、可変インピーダンス回路(VIC)を使用してコンデンサの値を変化させることである。この技術はいくつかの問題を有する。第1に、VICはそれ自体が同調回路であり、同調範囲が発振器の範囲に一致する設計を必要とする。このことはまた、実数成分を電流に導入するためコンデンサのQを低下させる。これは回路のQを低下させるため極めて望ましくない。
【0011】
抵抗感知発振器の抵抗感知機構はLCタンク回路のインダクタまたはコンデンサの何れかと直列に抵抗を配置する。この機構は、インダクタまたはコンデンサの2つの端部から取り出した交流電流は互いに位相がずれているという事実を利用している。この機構は発振器のQ(共振の品質因子)を低下させるため、集積回路適用業務では望ましくないものになる。
【0012】
発明の概要
本発明は、電圧または電流によって制御される広い同調範囲を有する制御周波数発振器である。すなわち、電圧源または電流源が使用され、外部入力刺激を供給する。
【0013】
1つの実施形態では、本発明は、誘導性要素と容量性要素を有するLCタンク回路と、LCタンク回路に結合された電流源要素と、LCタンク回路及び電流源要素の両方に結合された位相シフト要素とを備えている。
【0014】
制御発振器回路は外部入力刺激を受信し発振出力信号を生成する。位相シフト要素は、発振出力信号の位相に対して電流源を通じて流れる電流の位相を制御する。外部刺激と発振出力信号はどちらも差動信号のことがある。
【0015】
高いQを維持するために、発振出力信号の位相と電流源を通じて流れる電流の位相の間の位相差を、約90度に保つことが好適である。約90度の位相シフトのため、積分器または微分器が使用される。また、可変抵抗を有するRC回路に結合された位相検出器が使用され、位相シフトを追跡しそれを約90度に維持することもある。
【0016】
制御発振器回路の動作周波数範囲にわたって、発振出力信号の発振周波数は、電流源要素を通じて流れる電流にほぼ直線的に依存する。従って、電流源要素として利得制御可能電流源を使用することで、発振出力信号の発振周波数が変化する。利得を制御するための制御信号は単一端または差動信号である。電流ミラー回路が使用され、利得を制御することもある。
【0017】
複数の発振器段とバッファを有するリング発振器が使用され、本発明の別の実施形態を実現することもある。複数の制御(範囲設定)信号によって制御される範囲設定要素を有する範囲設定を伴う発振器は、本発明のまた別の実施形態である。本発明によれば、リング発振器と範囲設定を伴う発振器の原理が1つの別の実施形態である、範囲設定及びバッファを伴う複数の発振器段を伴うリング発振器で共に使用される。リング発振器ではバッファは必要ない。バッファはループの位相遅延を発振器の周波数と同じにするために使用される。
【0018】
詳細な説明
図1は、電圧制御発振器1の構成図を例示する。発振器には位相シフト要素13が含まれる。電圧刺激2は発振器の正入力端子3と負入力端子5にかかる入力刺激を提供する。インダクタ7の第1端は正入力端子3に結合され、インダクタ7の第2端は負入力端子5に結合される。コンデンサ9はインダクタ7と並列に結合される。インダクタ7とコンデンサ9は共振LCタンク回路を構成し、LCタンク回路は共振周波数を有する。他の要素がない場合、LCタンク回路の共振
【0019】
従属電流源11はインダクタ7及びコンデンサ9と並列に結合される。従属電流源11からの出力の位相は、位相シフト要素13からの位相シフト入力によって決定される。説明される実施形態では、従属電流源11によって生成される電流の位相は、位相シフト入力信号の位相によって制御される。従属電流源11からの出力の大きさは、正または負である利得因子Aによって制御される。従って、正端子から負端子に流れる合計電流は、インダクタ7を通じて流れるインダクタ電流、コンデンサ9を通じて流れるコンデンサ電流、及び従属電流源11を通じて流れる従属電流と言う3つの成分を有する。従属電流はφ度位相シフトされ、利得Aを有する。
【0020】
LC型発振回路における1つの問題点は、動作領域で高いQを維持することである。高いQを有する回路は共振周波数ω0にごく近い周波数で狭い帯域幅を有する傾向があり、その結果出力信号の周波数スペクトルが狭くなる。他方、低いQを有する回路は広い範囲の周波数にわたる通過帯域を有する傾向があり、その結果出力信号の周波数スペクトルが広くなる。従って、潜在的に雑音の影響を受けやすい周波数帯で発振出力信号中の雑音を防止するためには、高いQを有する回路を有することがさらに望ましい。
【0021】
図1の回路について、インダクタ7と直列に抵抗Rが配置されるならば、QはQ=1/((ωn/ω0)R(ω0C+Asin(φ))十ω0Lcos(φ))の形式を有することが実験的に判明している。しかし、上記の等式から見られるように、RはQを低下させる傾向があるので、抵抗値Rを示す抵抗は本発明では使用されない。図13はQ対制御電流角度(位相シフトφ)のグラフを示す。
【0022】
図1の電圧制御発振器1を流れる電流は、ω0が発振器回路の共振周波数である時ω0 2LC+ω0LAsin(φ)−1=0によって特徴づけられる。説明さ
例するので、従属電流に対するω0の同調は、|sin(φ)|がφ=±pi/2で最大点に達する時最大になる。φ=+pi/2または−pi/2の時、ω0
【0023】
時、発振器の共振周波数は、最大同調で利得Aに対してほぼ直線的である。従って、利得Aによって、調整可能周波数発振器の内部で生成される発振出力信号の発振周波数は直線的に調整される。φがほぼ+pi/2または−pi/2に設定される時、Q=1/[(ωn/ω0)R(ω0C+A)]で、Aは正または負の何れかであり、Qは図13に例示されるように高い状態に維持される。
【0024】
従って、本発明の1つの実施形態では、図1の発振器に関する位相シフトはほぼ+pi/2または−pi/2で一定である。従って、前記実施形態の1つの構成では、位相をほぼ+pi/2だけシフトする微分器が位相シフト要素である。前記実施形態の別の構成では、位相をほぼ−pi/2だけシフトする積分器が位相シフト要素である。
【0025】
図2は、アクティブ帰還ループを伴う発振器20を例示する。入力刺激21は入力信号を提供する。インダクタ23とコンデンサ25は、共振周波数、ωn=
生成発振出力信号の発振周波数と、従属電流源27の出力との間の位相差を検出する。位相検出器37は、2つの信号の間の位相差に比例する出力電圧を生成する一般に利用可能な位相検出器の何れか1つである。位相検出器からの出力電圧が使用されて可変抵抗35を調整し、可変抵抗35とコンデンサ33によって形成されるRC同調回路のRC時定数を変更する。可変抵抗35は好適には電圧制御される。電圧制御可変抵抗はFETのことがある。
【0026】
RC同調回路が使用され、従属電流源の出力の位相が、発振器20の発振出力信号の位相に対してφに保持されるように調整されるが、説明される実施形態ではφはほぼ±pi/2に等しい。コンデンサ29と31がRC回路をLCタンク回路と交流結合するために使用され、発振器20の内部生成発振出力信号と従属電流源27の出力との位相差の測定を可能にし、その一方で、LCタンク回路と位相検出器/RC同調回路の間の直流分離を提供し、後者が発振器20の固有の変換関数の影響を受けるのを防止する。
【0027】
図3は、本発明のリング発振器40の構成図を例示する。このリング発振器は2つの発振器段41及び45と、2つのバッファ43及び47を備えている。発振器段41の2対の差動出力信号は、それぞれバッファ43への入力と、発振器段45への逆帰還として供給される。一方、バッファ43の1対の差動出力信号は発振器段45への入力として供給される。また、発振器段45の2対の差動出力信号は、それぞれバッファ47への入力と、発振器段41への帰還として供給される。最後に、リングを完成するために、バッファ47の差動出力が発振器段41への逆入力として供給される。これはリング発振器の1つの実施形態である。リング発振器は任意の数の発振器段を有しうる。本発明の実施形態では、入力信号と帰還信号の間の約90度の位相差が各発振器段で維持される。
【0028】
図8は、図3のリング発振器の発振器段を例示する。抵抗201の第1端はVccに結合される。抵抗201の第2端はインダクタ203及び205の第1端に結合される。第1インダクタ203の第2端はコンデンサ207の第1端に結合され、第2インダクタ205の第2端はコンデンサ207の第2端に結合される。インダクタ203、205及びコンデンサ207はLCタンク回路を構成する。
【0029】
LCタンク回路とVccの間に結合された抵抗201はバイアス抵抗であり、LCタンク回路の基準動作電圧をVcc以下に低下させ、同相動作電圧をシフトする。インダクタ205及び203の第2端はそれぞれ、1対の差動出力帰還信
05及び203の第2端は、それぞれトランジスタ235及び233のゲートにも結合される。
【0030】
インダクタ203及び205の第2端はそれぞれトランジスタ209及び211のドレインにも結合される。トランジスタ209及び211のゲートは、それ
スはトランジスタ213のドレインに結合される。トランジスタ213のゲートは基準電圧、VREFに結合される。トランジスタ213のソースは抵抗215の第1端に結合される。抵抗215の第2端は共通線路216に結合される。
【0031】
トランジスタ213と抵抗215は電流源として動作し、トランジスタ213を通じて流れる電流IDSは、VREFと抵抗215の値によって制御される。従って、VREFが一定である場合、トランジスタ213と抵抗215を通じて流れる電流は動作の全ての時点でほぼ一定である。従って、それぞれトランジスタ20
ンジスタ209及びトランジスタ211を通じて流れるIDS電流の比を決定する。
【0032】
トランジスタ217及び221のドレインはFB OUT信号に結合され、ト
力信号として、図3のリング発振器の別の発振器段に供給される。FB OUT
容量を低下させる。
【0033】
ジスタ219及び221のゲートはFB IN信号に結合される。この1対の差
トランジスタ217及び219のソースはトランジスタ225のドレインに結合される。トランジスタ221及び223のソースはトランジスタ227のドレインに結合される。トランジスタ225及び227のゲートは、それぞれ1対の差
【0034】
トランジスタ225及び227のソースはトランジスタ229のドレインに結合される。トランジスタ229のゲートは基準電圧、VREFに結合される。トランジスタ229のソースは抵抗231の第1端に結合される。トランジスタ231の第2端は共通線路232に結合される。トランジスタ225及び227のソースは劣化される、すなわち、抵抗がトランジスタ225のソースとトランジスタ229のドレインの間、及びトランジスタ227のソースとトランジスタ229のドレインの間に配置される。ソースの劣化は同調ポートを直線化する効果を有する。
【0035】
トランジスタ217、219、221及び223が使用され、発振器段回路200への入力として差動帰還信号を供給する。差動帰還信号は、図3のリング発振器の前記別の発振器段によって生成される。抵抗231を通じて流れる電流の振幅は、それぞれトランジスタ225及び227のゲートに印加される利得信号G及びGの差動対と、VREF及び抵抗231の抵抗値に依存する。
【0036】
トランジスタ233及び235のドレインはVccに結合される。トランジスタ
提供する。この1対の差動出力信号は図3のバッファに入力される。
【0037】
トランジスタ233及び235のソースは、それぞれトランジスタ237及び241のドレインにも結合される。トランジスタ237及び241のゲートはVREFに結合される。トランジスタ237及び241のソースは、それぞれ抵抗239及び243の第1端に結合される。抵抗239及び243の第2端は、それぞれ共通線路240及び244に結合される。
【0038】
図4は、電圧制御完全差動発振器50を例示する。第1インダクタ53、第2インダクタ55及びコンデンサ57は、図8のLCタンク回路と同一のLCタンク回路を構成する。バイアス抵抗51は図8のバイアス抵抗201と同等である。インダクタ55及び53の第2端は、発振器回路50の1対の差動出力信号、
【0039】
トランジスタ59及び61はLCタンク回路に結合され、それらのゲートは、
る。トランジスタ59及び61のソースは、独立電流源63の第1端に結合される。独立電流源63の第2端は共通線路64に結合される。独立電流源63は動作の全ての時点でそれを通じて流れるほぼ一定の電流を有する。
【0040】
独立電流源63を通じて流れる電流がほぼ一定であるので、トランジスタ59を通じて流れる電流とトランジスタ61を通じて流れる電流の合計もほぼ一定である。従って、それぞれトランジスタ59及び61のゲートに印加される差動信
れるIDS電流の比を決定する。
【0041】
トランジスタ65及び69のドレインは第2インダクタ55の第2端に結合されて発振器50の出力信号、OUTを提供し、トランジスタ67及び71は第1
。トランジスタ65、67、69及び71は、発振器回路50への入力として、
B信号に結合される。差動帰還信号は位相シフト要素(図示せず)によって生成され、出力信号に対してφ度だけ位相シフトされる。本発明の1つの実施形態では、φはほぼ±pi/2に設定される。
【0042】
トランジスタ65及び67のソースはトランジスタ73のドレインに結合される。トランジスタ69及び71のソースはトランジスタ75のドレインに結合される。トランジスタ73及び75のゲートはそれぞれ、入力として1対の差動制
タ73及び75のソースは電流源77の第1端に結合される。電流源77の第2端は共通線路78に結合される。A2/4C2<<ωn 2の時、発振器回路50の差動出力信号の発振周波数は制御信号の大きさにほぼ直線的に依存する。Aは制御信号によって制御される利得であり、ωnはLCタンク回路の共振周波数、ωn=
【0043】
図5は、単一端電圧制御発振器80を例示する。発振器80の動作は、図4の完全差動発振器のものと同様である。相違点は、制御信号が単一端であることであり、完全差動発振器50では制御信号は差動信号である。
【0044】
図5の発振器回路80では、バイアス抵抗81、第1及び第2インダクタ83
るトランジスタ89及び91、電流源93、及び共通線路94は、図4の完全差動発振器回路の対応する要素と同一に構成される。
【0045】
トランジスタ95のドレインは第2インダクタ85の第2端に結合され、トランジスタ97のドレインは第1インダクタ83の第2端に結合される。トランジ
号に結合される。差動帰還信号は、図4の位相シフト要素と同一の特性を有する位相シフト要素(図示せず)によって生成される。
【0046】
トランジスタ95及び97のソースはトランジスタ99のドレインに結合される。トランジスタ99のゲートは制御信号の入力を受信する。トランジスタ99のソースは共通線路100に結合される。トランジスタ99を通る電流の振幅は制御信号の大きさに依存する。発振器回路80の差動出力信号の発振周波数は、図4の完全差動発振器と同様、トランジスタ99を通る電流の振幅と、ひいては制御信号の大きさにほぼ直線的に依存する。
【0047】
図6は、電流制御帰還を伴う単一端発振器110を例示する。この発振器110の動作は図4の完全差動発振器50のものと同様である。相違点は帰還回路の利得が、完全差動発振器50の完全差動制御信号でなく電流ミラー回路によって制御されることである。
【0048】
図6の発振器回路110では、バイアス抵抗111、第1及び第2インダクタ
号を受信するトランジスタ119及び121、電流源123、及び共通線路124は、図4の完全差動発振器回路の対応する要素と同一に構成される。差動帰還
圧制御発振器の対応する要素と同一に設定される。
【0049】
トランジスタ125及び127のソースはトランジスタ129のドレインに結合される。トランジスタ129のソースは共通線路130に結合される。トランジスタ129のゲートは、トランジスタ133のゲート及びドレインの両方と電流源131の第2端に結合される。電流源131の第1端は電圧源に結合される。トランジスタ133のソースは共通線路134に結合される。
【0050】
トランジスタ129、133と電流源131は電流ミラー回路を構成するが、そこではトランジスタ129を通じて流れる電流とトランジスタ133を通じて流れる電流の比は一定で、それぞれの寸法の比のみに依存する。トランジスタ133を通じて流れる電流は、電流源131を通じて流れる電流と同一である。従って、電流源131によって供給される電流の大きさを変化させることで、トランジスタ129を通じて流れる電流の大きさは比例して変化する。トランジスタ129を通じて流れる電流は電流源131によって制御される。それぞれトラン
ンジスタ125と127の間でトランジスタ129を通じて流れる電流を比例して分割する。
【0051】
図7は、範囲設定を伴う発振器140を例示する。この範囲設定を伴う発振器140の動作は、図4の完全差動発振器50と同様である。相違点は、範囲設定を伴う発振器140は、各々帰還電流の全部または一部の振幅を制御するために独立して使用される複数の制御(範囲設定)信号によって帰還電流の大きさを変化させることである。しかし、範囲設定を伴う発振器は、図5の単一端電圧制御発振器80と同様の方法で動作する能力を保持している。
【0052】
図7の範囲設定を伴う発振器では、バイアス抵抗135、第1及び第2インダ
号を受信するトランジスタ143及び145、電流源147、及び共通線路148は、図4の完全差動発振器回路の対応する要素と同一に構成される。
【0053】
トランジスタ149、153、159、163及び165のドレインは、第1
、155、157、161及び167のドレインは、第2インダクタ139の第2端からのOUT信号に結合される。トランジスタ149、153、157、161及び165のゲートは、1対の差動帰還信号の一方であるFB信号から入力を受信する。トランジスタ151、155、159、163及び167のゲート
還信号は位相シフト要素(図示せず)によって生成され、出力信号に対してφ度だけ位相シフトされる。
【0054】
トランジスタ149及び151のソースはトランジスタ169のドレインに結合される。トランジスタ169のゲートは範囲設定1信号の入力を受信する。トランジスタ169のソースは独立電流源179の第1端に結合される。独立電流源179の第2端は共通線路180に結合される。
【0055】
トランジスタ153、155、範囲設定2信号を受信するトランジスタ171、独立電流源181、及び共通線路182は、範囲設定1信号に関する対応する要素と同一に構成される。トランジスタ157、159、範囲設定2信号を受信するトランジスタ173、独立電流源183、及び共通線路184は、範囲設定1信号に関する対応する要素と同一に構成される。トランジスタ161、163、範囲設定1信号を受信するトランジスタ175、独立電流源185、及び共通線路186は、範囲設定1信号に関する対応する要素と同一に構成される。トランジスタ165、167、制御信号、CTRLを受信するトランジスタ177、独立電流源187、及び共通線路188は、範囲設定1信号に関する対応する要素と同一に構成される。
【0056】
独立電流源179、181、183及び185は、それぞれのトランジスタ179、181、183及び185がオンである限り、それらを通じて流れるほぼ一定の電流を有する。範囲設定信号1、2、−2及び−1は、それぞれトランジスタ179、181、183及び185をオンまたはオフにするデジタルまたはアナログ信号である。実現される制御システムに応じて、範囲設定信号はトランジスタ169、171、173及び175を、一度にか、または何らかの組合せで起動する。範囲設定を伴う発振器回路は、範囲設定を不能にし、トランジスタ
5の単一端電圧制御発振器80と同一の方法で使用される。図7は、範囲設定を伴う発振器回路の1つの実施形態に過ぎない。追加範囲設定信号と、追加範囲設定信号を発振器回路に組み込む対応する回路要素が使用されることもある。
【0057】
図9は、範囲設定246及び248を伴う2つの発振器段を有するリング発振器245の構成図を例示する。この範囲設定を伴うリング発振器は、2つの発振器段246及び248と、2つのバッファ247及び249を備えている。バッファ250及び251は出力ドライバとして提供される。範囲設定246を伴う
して供給される。一方、バッファ247の1対の差動出力信号は、発振器段248への入力として供給される。さらに、発振器段248の2対の差動出力信号、
の入力及び発振器段246への帰還入力として供給される。最後に、リングを完成するために、バッファ249の1対の異なった出力信号が、逆入力として発振器段246に供給される。これは範囲設定を伴うリング発振器の1つの実施形態である。
【0058】
図10は、範囲設定246(248)を伴う発振器段を例示する。抵抗252の第1端はVccに結合される。抵抗252の第2端は第1インダクタ253の第1端と第2インダクタ255の第1端に結合される。第1インダクタ253の第2端は第1コンデンサ257の第1端に結合され、第2インダクタ255の第2端は第2コンデンサ259の第1端に結合される。第1コンデンサ257の第2端と第2コンデンサ259の第2端はそれぞれ共通線路258及び260に結合される。第1インダクタ253と第1コンデンサ257の対、及び第2インダクタ255と第2コンデンサ259の対はLCタンク回路を構成する。LCタンク回路とVccの間に結合された抵抗252はバイアス抵抗であり、LCタンク回路の基準動作電圧をVcc以下に低下させ、同相動作電圧をシフトする。
【0059】
インダクタ253及び255の第2端は、それぞれトランジスタ261及び263のドレインにも結合される。トランジスタ261及び263のゲートは、そ
3のソースはトランジスタ265のドレインに結合される。トランジスタ265のソースは共通線路267に結合される。トランジスタ265のゲートは基準電圧、VREFに結合される。
【0060】
トランジスタ265は電流源として動作し、トランジスタ265を通じて流れる電流はVREFによってのみ制御される。従って、VREFが一定であれば、トランジスタ265を通じて流れる電流は動作の全ての時点でほぼ一定である。従って、それぞれトランジスタ261及び263のゲートに印加される、差動入力信号
て流れるIDS電流の比を決定する。
【0061】
トランジスタ269及び273のドレインは第2インダクタ255の第2端に結合され、トランジスタ271及び275のドレインは第1インダクタ253の第2端に結合される。トランジスタ271及び273のゲートは、リング中の他の発振器段からのFB IN信号に結合される。トランジスタ269及び275
トランジスタ269及び271のソースはトランジスタ277のドレインに結合される。トランジスタ273及び275のソースはトランジスタ279のドレインに結合される。
【0062】
トランジスタ279及び277のゲートは、それぞれ1対の差動利得制御信号
抗281及び283の第1端に結合される。抵抗281及び283の第2端はトランジスタ285のドレインに結合される。トランジスタ285のゲートはVREFに結合される。トランジスタ285のソースは共通線路287に結合される。
【0063】
インダクタ253及び255の第2端もそれぞれトランジスタ289及び295のゲートに結合される。インダクタ253及び255の第2端からの信号は、
の別の発振器段に供給される。
【0064】
トランジスタ289及び295のドレインはVccに結合される。トランジスタ289及び295のソースはそれぞれトランジスタ291及び297のドレインに結合される。トランジスタ291及び297のゲートはVREFに結合される。トランジスタ291及び297はそれぞれ共通線路293及び299に結合され
囲設定回路268がない場合、範囲設定246(248)を伴う発振器段の動作は図4の発振器段50と同一である。
【0065】
VA2及びTRES信号はそれぞれ第1インダクタ253の第2端、第2インダクタ255の第2端及び抵抗252の第2端に結合される。
【0066】
図11は、図10の範囲設定を伴う発振器段の範囲設定回路268を例示する。トランジスタ331、335、339及び343のドレインはVA2信号に結合されるが、これは図10の第2インダクタ255の第2端からのものである。トランジスタ333、337、341及び345のドレインはVA1信号に結合されるが、これは図10の第1インダクタ253の第2端からのものである。トランジスタ331、335、339及び343のゲートは、多重装置回路330
する。
【0067】
トランジスタ331及び333のソースはトランジスタ347のドレインに結合される。トランジスタ335及び337のソースはトランジスタ351のドレインに結合される。トランジスタ339及び341のソースはトランジスタ355のドレインに結合される。トランジスタ343及び345のソースはトランジスタ359のドレインに結合される。図10の抵抗252の第2端からのTRES信号はトランジスタ349、353、357及び361に結合される。
【0068】
の差動対を受信する。トランジスタ351及び353のゲートは、それぞれ範囲
。
【0069】
トランジスタ347及び349のソースはトランジスタ363のドレインに結合される。トランジスタ351及び353のソースはトランジスタ365のドレインに結合される。トランジスタ355及び357のソースはトランジスタ367のドレインに結合される。トランジスタ359及び361のソースはトランジスタ369のドレインに結合される。トランジスタ363、365、367及び369のゲートは基準電圧、VREFに結合される。トランジスタ363、365、367及び369のソースはそれぞれ共通線路371、373、375及び377に結合される。
【0070】
トランジスタ349、353、357及び361を通じて流れる電流は、範囲設定246(248)を伴う発振器段に供給される帰還電流の大きさに影響しない。その代わり、それらは、トランジスタ347、351、355及び359がオフの時、それぞれトランジスタ363、365、367及び369を通じて電流が流れるようにする。それぞれトランジスタ349、353、357及び36
定回路は、1つの大きな相違点はあるが、図7の範囲設定を伴う発振器140の範囲設定部分とほぼ同じ形で動作する。
【0071】
図7の範囲設定を伴う発振器140と異なって、図11の範囲設定回路268
スタ331、333、335、337、339、341、343及び345のゲートに印加される前にS4信号と共に排他的論理和演算される。従って、帰還電
定される。すなわち、本質的には、S4は残りの範囲設定信号S0〜S3に対する符号信号として動作する。
【0072】
図12Aは多重回路330の構成図を例示するが、これは帰還信号FB IN
用され、帰還電流の極性を制御する。排他的論理和演算回路を使用する結果生じうる容認できない遅延のため、排他的論理和演算回路の代わりに多重装置が使用される。
【0073】
図12Bは多重回路330を例示する。多重装置回路330はパスゲート・ア
表す。
【0074】
図12Bでは、トランジスタ325及び327は、エンハンスト・モードで動作するEFETである。図12Bの他の全てのトランジスタは、デプリーション・モードで動作するDFETである。VGS>0でない場合、IDS電流はEFETを通じて流れない。他方、VGS>Vpである限り、IDS電流はDFETを通じて流れるが、ここでVpはピンチオフ電圧であり、<0になりうる。
【0075】
トランジスタ301及び309のドレインは電圧源、VHIに結合される。トランジスタ301及び309のゲートはそれぞれのソースに結合されるので、トランジスタ301及び309はダイオードとして動作する。トランジスタ301及び309のソースはそれぞれトランジスタ303及び307のゲートにも結合される。トランジスタ303及び307のソースは正入力信号INに結合されるが、これは、前記別の発振器段からの正帰還入力信号、FB INである。トランジスタ301及び309のソースはトランジスタ311及び313のゲートにも
【0076】
トランジスタ301及び309のソースはそれぞれトランジスタ315及び321のドレインにも結合される。トランジスタ315及び321のゲートは、それぞれ共通線路314及び323にも結合される。トランジスタ315及び321のソースは、それぞれトランジスタ325及び327のドレインに結合される。トランジスタ325及び327のゲートは、それぞれ1対の差動符号信号D(
【0077】
トランジスタ325及び327のソースは共通線路329に結合される。トランジスタ315及び321のソースは、それぞれトランジスタ317及び319のソースにも結合される。トランジスタ317及び319のソースはそれぞれのゲートにも結合されるので、トランジスタ317及び319はダイオードとして動作する。トランジスタ317及び319のドレインはVccに結合される。
【0078】
従って、本発明は広い同調範囲を有する電圧または電流制御発振器を提供する。本発明はいくつかの特定の実施形態で説明されたが、多くの付加的修正及び変形が当業者には明らかであろう。従って、本発明は個別に説明された以外の方法でも実施されうることが理解されるだろう。すなわち、本発明の実施形態は全ての面で例示的であって制限的でなく、本発明の範囲は上記の説明ではなく添付の請求項とそれらの同等物によって決定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、位相シフト要素を伴う発振器の構成図を例示する。
【図2】 図2は、アクティブ帰還ループを伴う発振器の構成図を例示する。
【図3】 図3は、各発振器段で入力信号と帰還信号の間の約90度の位相差を伴う2段リング発振器の構成図を例示する。
【図4】 図4は、完全差動信号を伴う図1の発振器を例示する。
【図5】 図5は、単一端制御信号を伴う図1の発振器を例示する。
【図6】 図6は、電流制御帰還を伴う発振器を例示する。
【図7】 図7は、範囲設定を伴う発振器を例示する。
【図8】 図8は、図3のリング発振器の発振器段を例示する。
【図9】 図9は、範囲設定を伴う発振器段を有するリング発振器を例示する。
【図10】 図10は、図9のリング発振器の範囲設定を伴う発振器段を例示する。
【図11】 図11は、図10の範囲設定を伴う発振器段の範囲設定回路を例示する。
【図12A】 図12Aは、図11の範囲設定回路の(排他的論理和演算を実現する)多重装置回路の構成図を例示する。
【図12B】 図12Bは、図11の範囲設定回路の多重装置回路を例示する。
【図13】 図13は、共振の品質因子(Q)対制御電流角度(φ)のグラフを例示する。
Claims (21)
- 外部入力刺激を受信し発振出力信号を生成する制御発振器回路であって、
誘導性要素と容量性要素とを有するLCタンク回路であって、前記入力刺激を受信して前記発振出力信号を提供するLCタンク回路と、
前記発振出力信号を介して前記LCタンク回路に結合された電流源要素であって、その電流源を通して流れる電流信号の強度が前記電流源要素に与えられる制御信号によって制御され、前記電流信号の位相がフィードバック信号によって制御される電流源要素と、
前記LCタンク回路及び前記電流源要素に結合された位相シフト要素であって、前記フィードバック信号を生成し、前記フィードバック信号は前記発振出力信号と比較してその位相をほぼ90°位相シフトしたものであり、それによって前記発振出力信号の位相に対して実質的に前記電流源を通して流れる前記電流信号の位相をほぼ90°に固定する前記位相シフト要素と、を備える制御発振器回路。 - 前記発振出力信号の発振周波数が、前記制御発振器回路の動作周波数範囲にわたって前記電流源要素を通じて流れる前記電流の前記量にほぼ直線的に依存する、請求項1に記載の制御発振器回路。
- 前記入力刺激が電圧源によって提供される、請求項1に記載の制御発振器回路。
- 前記入力刺激が電流源によって提供される、請求項1に記載の制御発振器回路。
- 前記位相シフト要素が積分器である、請求項2に記載の制御発振器回路。
- 前記位相シフト要素が微分器である、請求項2に記載の制御発振器回路。
- 外部入力刺激を受信して発振出力信号を生成する制御発振器回路であって、
誘導性要素と容量性要素とを有するLCタンク回路であって、前記入力刺激を受信して前記発振出力信号を提供するLCタンク回路と、
前記発振出力信号を介して前記LCタンク回路に結合された電流源要素と、
前記LCタンク回路及び前記電流源要素に結合された位相シフト要素であって、フィードバック信号を生成し、そのフィードバック信号を前記電流源要素に与えることで、前記発振出力信号の位相に対して前記電流源を通して流れる電流の位相を制御する位相シフト要素と、を備え、
前記位相シフト要素が、前記電流源を通して流れる電流の位相を前記発振出力信号の位相に対してほぼ90°にシフトさせ、
前記位相シフト要素が、
可変抵抗と容量性要素とを有するRC回路と、
前記RC回路に結合された位相検出器であって、前記電流源を通じて流れる電流の位相と前記発振出力信号の位相との間の位相差を比較して、前記位相差をほぼ90度に保持するために前記可変抵抗を調整する位相検出器と、を備える制御発振器回路。 - 前記入力刺激が差動刺激である、請求項1に記載の制御発振器回路。
- 前記発振出力信号が差動信号である、請求項1に記載の制御発振器回路。
- 外部入力刺激を受信して発振出力信号を生成する制御リング発振器回路であって、
誘導性要素と容量性要素とを有するLCタンク回路であって、前記入力刺激を受信して前記発振出力信号を提供するLCタンク回路と、
前記LCタンク回路に結合される複数の発振器段であって、前記複数の発振器段の各々が前記発振出力信号である複数のリング信号及び位相シフト要素によって生成されたフィードバック信号を受信し、前記出力信号とフィードバック信号との間の位相差が実質的に前記複数の発振器段の各々でほぼ90°に固定され、前記複数の発振器段の各々が前記発振出力信号を介して発振器段の出力に結合される複数の電流源を含み、前記電流源を通して流れる電流の位相が前記フィードバック信号によって制御され、そして前記電流源の各々が複数の範囲設定信号の異なる1つを受信し、前記電流源を通して流れる電流の強度が前記範囲設定信号によって制御される、複数の発振器段と、を備える制御リング発振器回路。 - 前記制御リング発振器回路が、
2つの発振器段と、
2つのバッファと、を備える請求項10に記載の制御リング発振器回路。 - 外部入力刺激を受信して発振出力信号を生成する範囲設定を伴う制御発振器回路であって、
誘導性要素と容量性要素とを有するLCタンク回路であって、前記入力刺激を受信して前記発振出力信号を提供するLCタンク回路と、
前記発振出力信号を介して前記LCタンク回路に結合された電流源要素と、
前記LCタンク回路及び前記電流源要素に結合された位相シフト要素であって、フィードバック信号を生成し、そのフィードバック信号を前記電流源要素に与えることで、前記発振出力信号の位相に対して実質的に前記電流源を通して流れる電流の位相をほぼ90°に固定する位相シフト要素と、
複数の範囲設定信号を受信する範囲設定要素であって、その各々が前記電流源要素を通じて流れる電流の全部または一部の量を制御するために独立して使用される範囲設定要素と、を備える範囲設定を伴う制御発振器回路。 - 前記位相シフト要素が、前記発振出力信号の前記位相に対してほぼ90度前記電流源要素を通じて流れる前記電流の前記位相をシフトする、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記発振出力信号の発振周波数が、前記範囲設定を伴う制御発振器回路の動作周波数範囲にわたって前記電流源要素を通じて流れる前記電流の前記量にほぼ直線的に依存する、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記発振出力信号の発振周波数が、前記範囲設定を伴う制御発振器回路の動作周波数範囲にわたって前記電流源要素を通じて流れる前記電流の前記量にほぼ直線的に依存する、請求項13に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記入力刺激が電圧源によって提供される、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記入力刺激が電流源によって提供される、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記位相シフト要素が積分器である、請求項13に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記位相シフト要素が微分器である、請求項13に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記入力刺激が差動刺激である、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
- 前記発振出力信号が差動信号である、請求項12に記載の範囲設定を伴う制御発振器回路。
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