JP3762999B2 - 微細構造形成実験用マスクパターン - Google Patents
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Description
E=Hm−(Hr+D) (1)
この値をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出することができる。このような基準面の高さを基準とした絶対的高さの測定を行うことにより、正確なエッチングレートの算出が可能となる。
12 SiO2マスク
13 加工変質層
Claims (4)
- 単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する微細構造表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための実験を行う際に、前記微細構造形成部分に近接して前記エッチングによる除去が全くなされない基準面を予め形成し、前記基準面を参照してマスク部及びエッチング部のエッチングレートを測定する微細構造形成実験方法において、前記基準面は、エッチングレート測定を行う原子間力顕微鏡の1つの視野内に、前記微細構造形成部分と共に入る位置に複数形成していることを特徴とする微細構造形成実験方法。
- 各基準面または基準面の群に異なる識別子を表示したことを特徴とする請求項1記載の微細構造形成実験方法。
- 単結晶シリコン材料表面にエッチングマスクとして機能する表面を形成し、その後エッチング液を用いてマスク以外の部分を溶解して、ナノメータスケールの微細構造を形成する加工法における、加工条件に関する基礎的データを収集するための微細構造形成実験装置において、
前記微細構造形成部分近傍には、マスク部及びエッチング部のエッチングレートを測定する際に基準面となる、前記エッチングによる除去が全くなされないマスクパターンを予め形成した試料を用い、前記基準面は、エッチングレート測定を行う原子間力顕微鏡の1つの視野内に、前記微細構造形成部分と共に入る位置に複数形成していることを特徴とする微細構造形成実験装置。 - 前記基準面を複数備え、各基準面または基準面の群に異なる識別子を表示したことを特徴とする請求項3記載の微細構造形成実験装置。
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