JP3761174B2 - 電源装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
負荷に流れる電流(電源電流や、信号電流等)を検出する技術は広く用いられており、電流の検出結果は、電源装置や信号源の制御などに用いられている。
負荷に流れる電流を検出する手法としては、電源から負荷への電流供給路に電流トランスを設ける手法や、電流供給路に十分抵抗値が低い抵抗器を挿入する手法が一般的である。
【0003】
電流トランスを用いる手法では、電流供給路に電流トランスの一次巻線を挿入して、該電流トランスの二次巻線から、負荷電流に比例した大きさの信号を取り出す。また、抵抗器を用いる手法では、電流供給路に抵抗器を挿入し、該抵抗器の両端間の電圧を計測することによって負荷電流を検出する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上述のいずれの手法においても、電流トランスや抵抗器は、これら自体が電力を消費するため、負荷に流れる電流の大きさが、本来流れるべき電流の大きさと異なった値となる。
このため、電流トランスや抵抗器が負荷に流れる電流に与える影響が無視し得る範囲内に止まるようにするため、電流トランスの消費電力を十分に小さくしたり、抵抗器の抵抗値を十分小さくする必要がある。
【0005】
しかし、電流トランスの感度を高めるためには、電流トランスの二次巻線の巻数を増やす必要があり、電流トランスの二次巻線の巻数が増大すると、二次トランス自体による電力の消費量が増大し、従って負荷に流れる電流の変化が大きくなる。
【0006】
また、負荷への電流供給路に挿入された抵抗器の両端間の電圧は、この抵抗器の抵抗値の大きさに比例して増大する。しかし、この抵抗器が消費する電力も、抵抗値が大きくなるほど増大するので、負荷に流れる電流の変化が大きくなる。
【0007】
また、電流トランスは、電流の供給源からみて誘導性負荷として作用するため、電流の供給源は、電流トランスが形成する誘導性負荷及び駆動する対象の負荷の直列回路に電力を供給することとなる。従って、負荷に流すべき電流のうち周波数が高い成分ほど負荷に供給されにくくなり、負荷に流れる電流の周波数特性の悪化を招く。
【0008】
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、負荷に流れる電流を変化させず、かつ損失が少ない電源装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の第1の観点による電源装置は、一次巻線と、前記一次巻線に誘導結合された二次巻線とを備える変成器と、前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第1のタップを備える第1の検出用巻線と、前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第2のタップを備える第2の検出用巻線と、電流路及び制御端を備え、各自の制御端に供給された信号に応答して各自の電流路を実質的にオン及びオフする第1、第2、第3及び第4のスイッチング手段と、を備え、前記第1及び第4のスイッチング手段の電流路の各一端は前記二次巻線の一端に接続されており、前記第2及び第3のスイッチング手段の電流路の各一端は前記二次巻線の他端に接続されており、前記第1及び第2のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第1のタップは互いに接続されて出力端の一方の極をなし、前記第3及び第4のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第2のタップは互いに接続されて出力端の他方の極をなし、前記第1の検出用巻線の両端のうち、前記一次巻線に電流が流れたとき前記二次巻線の前記一端に発生する電圧と同極性の電圧が発生する方の端は前記第2のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記第1の検出用巻線の他端は前記第1のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記第2の検出用巻線の両端のうち、前記一次巻線に電流が流れたとき前記二次巻線の前記一端に発生する電圧と同極性の電圧が発生する方の端は前記第3のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記第2の検出用巻線の他端は前記第4のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記第1及び第2のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として所定の極性であるとき、各自の前記電流路をオンし、前記第3及び第4のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として前記所定の極性とは逆の極性であるとき、各自の前記電流路をオンする、ことを特徴とする。
【0010】
このような電源装置によれば、第1〜第4のスイッチング手段の電流路の断続は、各検出用巻線に誘起される起電力に基づいて決定される。そして、検出用巻線に誘起される起電力は変成器の二次巻線に流れる電流により誘起される磁束によって誘起されるので、変成器の二次巻線の両端間に接続された負荷に流れる電流は実質的に変化しない。
【0011】
前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が互いに同一であるバイポーラトランジスタより構成され、前記第3及び第4のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が、前記第1及び第2のスイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタの前記ベースの導電型と異なっているバイポーラトランジスタより構成されていてもよい。この場合、各々の前記スイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタが備えるコレクタ及びエミッタは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該バイポーラトランジスタが備える前記ベースは当該スイッチング手段の制御端をなすようにすればよい。
【0012】
前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が互いに同一である電界効果トランジスタより構成され、前記第3及び第4のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が前記第1及び第2のスイッチング手段を構成する電界効果トランジスタと異なった電界効果トランジスタより構成されてもよい。この場合、各々の前記スイッチング手段を構成する前記電界効果トランジスタが備えるドレイン及びソースは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該電界効果トランジスタが備えるゲートは当該スイッチング手段の制御端をなすようにすればよい。
【0013】
また、この発明の第2の観点による電源装置は、一次巻線と、前記一次巻線に誘導結合され自己の両端以外の箇所に接続された第1のタップを備える二次巻線と、を備える変成器と、前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第2のタップを備える検出用巻線と、電流路及び制御端を備え、各自の制御端に供給された信号に応答して各自の電流路を実質的にオン及びオフする第1及び第2のスイッチング手段と、を備え、前記第1のスイッチング手段の電流路の一端は前記二次巻線の一端に接続されており、前記第2のスイッチング手段の電流路の一端は前記二次巻線の他端に接続されており、前記第1及び第2のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第2のタップは互いに接続されて出力端の一方の極をなし、前記第1のタップは前記出力端の他方の極をなし、前記検出用巻線の一端は前記第1のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記検出用巻線の他端は前記第2のスイッチング手段の制御端に接続されており、前記第1及び第2のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として所定の極性であるとき、各自の前記電流路をオンする、ことを特徴とする。
【0014】
このような電源装置によれば、第1及び第2のスイッチング手段の電流路の断続は、検出用巻線に誘起される起電力に基づいて決定される。そして、検出用巻線に誘起される起電力は、変成器の二次巻線に流れる電流により誘起される磁束によって誘起されるので、変成器の二次巻線の両端間に接続された負荷に流れる電流は実質的に変化しない。
【0015】
前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が互いに同一であるバイポーラトランジスタより構成されていてもよい。この場合、各々の前記スイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタが備えるコレクタ及びエミッタは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該バイポーラトランジスタが備える前記ベースは当該スイッチング手段の制御端をなすようにすればよい。
【0016】
前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が互いに同一である電界効果トランジスタより構成されていてもよい。この場合、各々の前記スイッチング手段を構成する前記電界効果トランジスタが備えるドレイン及びソースは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該電界効果トランジスタが備えるゲートは当該スイッチング手段の制御端をなすようにすればよい。
【0017】
前記変成器は、前記一次巻線に流れる電流により誘起される磁束及び前記二次巻線に流れる電流により誘起される磁束が共に通過する位置に配置された第1の磁性体を備えていてもよい。これにより、一次巻線に流れる電流により誘起される磁束が第1の磁性体を通過するようになる。この場合、前記検出用巻線は、前記第1の磁性体の内部を通過する磁束による起電力を実質的に誘起しない位置に配置されていれば、第1の磁性体の内部を通過する磁束によって検出用巻線に誘起される起電力が、容易に軽減される。
【0018】
前記電流検出装置は、前記検出用巻線に起電力を誘起する磁束が通過する位置に配置された第2の磁性体を備えていてもよい。これにより、二次巻線に流れる電流により誘起される磁束が、検出用巻線に効率的に起電力を誘起する。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を、負荷電流検出用の変圧装置、及び整流回路を例とし、図面を参照して説明する。
(第1の実施の形態)
図1は、この発明の第1の実施の形態にかかる負荷電流検出用の変圧装置Tを構成する後述の主鉄心F1及び副鉄心F2の位置関係を模式的に示す斜視図である。
図2は、変圧装置Tの構成を模式的に示す断面図である。
図3は、変圧装置Tの後述する検出用巻線wdが巻装されている態様を、副鉄心F2が形成する後述の筒の一端の側からみた様子を模式的に示す図である。
【0020】
変圧装置Tは、図2に示すように、主鉄心F1と、副鉄心F2と、1次巻線w1と、二次巻線w2と、検出用巻線wdとから構成される。
【0021】
主鉄心F1は、例えば、図1及び図2に示すようなEIコアから構成されている。EIコアは、図示するように、「E」字状のコアと「I」字状のコアとが、「日」字状をなすように組み合わされて構成されている。
【0022】
「E」字状のコアは、直線状のヨーク部5と、ヨーク部5の両端に、ヨーク部5の長手方向に直角に立設され、互いに平行に且つ上下に対峙して配置されている上下一対の外周脚部7及び8と、ヨーク部5の中央に外周脚部7及び8と平行に突設されている中央脚部9と、から構成されている。
「I」字状のコアは、直線状のヨーク部6から構成されている。
【0023】
副鉄心F2は、図1に示すように、筒型となるように湾曲した矩形の板状をなすコアから構成されている。矩形の板状をなすこのコアの両辺は対向して、ギャップを形成している。すなわち、このコアは、ギャップにあたる部分がかけた筒を形成している。そして、このコアは、図示するように、主鉄心F1に接することなく、主鉄心F1の「E」字状のコアの中央脚部9を囲み、且つ、外周脚部7及び8がいずれも囲まないように配置されている。
【0024】
一次巻線w1は、図2に断面図を示すように、主鉄心F1の「E」字状のコアの中央脚部9に巻装されている。
具体的には、一次巻線w1は、図示するように、副鉄心F2を覆わないようにして、中央脚部9のほぼ全面を覆うように、中央脚部9に巻装されている。
【0025】
なお、図2及び後述の図4は、変圧装置Tを、主鉄心F1のヨーク部5及び6の長手方向に平行で、且つ、外周脚部7及び8と中央脚部9との長手方向にも平行な平面で切った断面を示している。図2及び図4において、「◎」印及び「●」印は、一次巻線w1、二次巻線w2及び検出用巻線wdの切り口を示す。
一次巻線w1及び二次巻線w2については、一次巻線w1に電流が流れたとき、同一の巻線の「◎」印の切り口同士は互いに同一極性の電圧を発生し、同一の巻線の「●」印の切り口同士は互いに同一極性の電圧を発生する。
検出用巻線wdについては、二次巻線w2に電流が流れたとき、「◎」印の切り口同士は互いに同一極性の電圧を発生し、「●」印の切り口同士は互いに同一極性の電圧を発生する。
【0026】
検出用巻線wdはソレノイドを形成するように副鉄心F2に巻装されている。ただし、検出用巻線wdが形成するソレノイドは、当該ソレノイドの軸が中央脚部9の長手方向にほぼ沿い、当該ソレノイドの内部に主鉄心F1の中央脚部を含まず、且つ、当該ソレノイドの内部に副鉄心F2を含むよう形成されている。
【0027】
すなわち、図3に示すように、検出用巻線wdの各ターンは、(a)副鉄心F2が形成する筒の外壁をなす面に沿って、中央脚部9の長手方向にほぼ垂直に伸びるように巻かれ、(b)次いで、副鉄心F2のギャップから、副鉄心F2が形成する筒の内側に入って折り返し、(c)次いで、副鉄心F2が形成する筒の内壁に沿って、中央脚部9の長手方向にほぼ垂直に伸び、且つ、巻かれ、(d)次いで、副鉄心F2のギャップから、副鉄心F2が形成する筒の外側に出て折り返す、ように巻かれる。従って、検出用巻線wdに電流が流れた場合、検出用巻線wdのうち副鉄心F2が形成する筒の外側にある部分が発生する磁束と、検出用巻線wdのうちこの筒の内側にある部分が発生する磁束とは、副鉄心F2の内部で実質的に同一方向に通過する。
【0028】
二次巻線w2は、図示するように、検出用巻線wdが巻装された副鉄心F2の外壁のほぼ全面を覆うようにして、副鉄心F2の筒型のコアに巻装されている。
【0029】
図2に示すように、一次巻線w1の両端は、例えば、商用交流電源等の電源を供給するための入力端を形成する。二次巻線w2の両端は、例えば、負荷に電力を供給するための出力端を形成する。検出用巻線wdの両端は、電流検出端子を形成する。
【0030】
次に、図2の変圧装置Tの動作を説明する。
変圧装置Tの出力端間に実質的に負荷が接続されておらず、且つ、電流検出端子の両端に検出用負荷Zdが接続された状態で、変圧装置Tの入力端間(すなわち一次巻線w1の両端間)に単相交流の電源電圧が供給されると、一次巻線w1は、図4に示す分布を有する磁束を発生させる。
【0031】
図示するように、一次巻線w1が発生する磁束は、一次巻線w1が形成するソレノイドの一方の開口部から、このソレノイドの外部を経てこのソレノイドの他方の開口部に至り、更にこのソレノイドの内部を通過して、このソレノイドの一方の開口部に戻る。
従って、一次巻線w1が発生する磁束は、二次巻線w2が形成するソレノイドの内部も通過する。このため、変圧装置Tの出力端間(すなわち、二次巻線w2の両端間)には、一次巻線w1が発生する磁束により二次巻線w2に誘起される電圧が発生する。この電圧は、変圧装置Tの入力端間に印加された単相交流電圧の実効値に比例した実効値を有する単相交流電圧となる。
【0032】
一方、一次巻線w1が発生する磁束の一部は、一次巻線w1が形成するソレノイドの外部を通過する間に、副鉄心F2の内部も通過する。しかし、一次巻線w1が発生する磁束のうち副鉄心F2の内部を通過するものの量は、主鉄心F1の外周脚部7及び8を通過するものの量に比べ無視できる程度である。また、検出用負荷Zdの抵抗値が十分低ければ、電流検出端子の両端間は実質的に短絡されているとみなし得る。
従って、検出用巻線wdには実質的に起電力が誘起されず、電流検出端子の両端間の電圧はほぼ0ボルトとなる。
【0033】
一方、変圧装置Tの出力端間に純抵抗成分を含む負荷が接続されていれば、その負荷及び二次巻線w2には負荷電流が流れ、その負荷は電力を消費する。
すると、二次巻線w2は、各自に流れる電流によって、一次巻線w1が発生する磁束を打ち消すような磁束を発生させる。すなわち、二次巻線w2が発生させる磁束が主鉄心F1の中央脚部9の内部を通過する方向は、一次巻線w1が発生させる磁束が主鉄心F1の中央脚部9の内部を通過する方向と実質的に逆方向である。また、二次巻線w2が発生させる磁束の一部は、副鉄心F2の内部を通過する。
【0034】
この結果、検出用巻線wdには、二次巻線w2に流れる負荷電流の変化量に実質的に比例した大きさの起電力が誘起され、従って、電流検出端子の両端間には、二次巻線w2に流れる負荷電流の変化量に実質的に比例した電圧が発生する。なお、二次巻線w2に流れる電流の変化に対する、検出用巻線wdに流れる電流の変化率は、副鉄心F2の透磁率が大きいほど増大し、また副鉄心F2の、磁束通過方向に垂直な断面の面積が大きいほど、増大する。
【0035】
図2の変圧装置Tの検出用巻線wdに誘起される起電力は、一次巻線w1に流れる電流により誘起されるので、二次巻線w2の両端間に接続された負荷に流れる電流は、検出用巻線wd1に流れる電流による変化を受けることが実質的にない。このため、検出用巻線wdの巻数を十分大きくすることにより、所望の感度で、二次巻線w2の両端間に接続された負荷に流れる電流を検出することができる。
また、検出用巻線wdに流れる電流が二次巻線w2に共通に流れるということがないので、検出用巻線wdに流れる電流によって負荷に流れる電流の周波数特性が悪化するという事態も実質的に生じない。
【0036】
(第2の実施の形態)
図5は、この発明の第2の実施の形態に係る整流回路の構成を模式的に示している。
この整流回路は、図示するように、変圧装置Tと、トランジスタQ1〜Q4とより構成されている。
【0037】
このうち、変圧装置Tは、(1)検出用巻線wdと実質的に同一の検出用巻線wd1及びwd2を備えている点、及び、(2)検出用巻線wd1の中点に接続された中点タップctd1と、検出用巻線wd2の中点に接続された中点タップctd2とを備える点、を除いて、第1の実施の形態におけるものと実質的に同一のものである。
【0038】
トランジスタQ1及びQ2は、いずれも、PNP型バイポーラトランジスタから構成され、トランジスタQ3及びQ4は、いずれも、NPN型バイポーラトランジスタから構成される。トランジスタQ1〜Q4は、いずれも、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。
【0039】
変圧装置Tの一次巻線w1の両端は交流入力端を形成している。変圧装置Tの二次巻線w2の一端はトランジスタQ1のコレクタ及びトランジスタQ4のコレクタに接続され、二次巻線w2の他端はトランジスタQ2のコレクタ及びトランジスタQ3のコレクタに接続されている。
【0040】
変圧装置Tの検出用巻線wd1の一端はトランジスタQ1のベースに接続されており、他端は、トランジスタQ2のベースに接続されている。変圧装置Tの検出用巻線wd2の一端はトランジスタQ3のベースに接続されており、他端はトランジスタQ4のベースに接続されている。
【0041】
ただし、変圧装置Tの検出用巻線wd1の両端のうちトランジスタQ2のベースに接続されている方の端は、一次巻線w1に交流電圧を印加したとき、二次巻線w2のうちトランジスタQ1及びQ4の各コレクタに接続されている方の端と同極性の電圧を発生させるように選ばれている。
また、変圧装置Tの検出用巻線wd2の両端のうちトランジスタQ3のベースに接続されている方の端も、一次巻線w1に交流電圧を印加したとき、二次巻線w2のうちトランジスタQ1及びQ4の各コレクタに接続されている方の端と同極性の電圧を発生させるように選ばれている。
【0042】
変圧装置Tの中点タップctd1と、トランジスタQ1のエミッタと、トランジスタQ2のエミッタとは互いに接続され、この整流回路の出力端の正極を形成している。変圧装置Tの中点タップctd2と、トランジスタQ3のエミッタと、トランジスタQ4のエミッタとは互いに接続され、この整流回路の出力端の負極を形成している。
【0043】
この整流回路の出力端の両極間に負荷が接続された状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に、整流する対象の単相交流電圧を印加すると、変圧装置Tの二次巻線w2の両端間には相互誘導により電圧が誘起される。そして、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ1のコレクタに接続されている方の端の電圧が、二次巻線w2の他方の端の電位に対して正極性となったとする。
【0044】
この時点で、検出用巻線wd1及びwd2の各両端間には、実質的に起電力が生じていない。このため、検出用巻線wd1の両端間は、トランジスタQ1のベース−エミッタ間及びトランジスタQ2のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているとみなし得る。また、検出用巻線wd2の両端間は、トランジスタQ3のベース−エミッタ間及びトランジスタQ4のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているとみなし得る。
【0045】
一方、二次巻線w2のうちトランジスタQ1のコレクタに接続されている方の端からは、トランジスタQ1のコレクタ及びベース、検出用巻線wd1の両端のうちトランジスタQ1のベースに接続されている方の端、中点タップctd1、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、中点タップctd2、検出用巻線wd2の両端のうちトランジスタQ3のベースに接続されている方の端を順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ3のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ1及びQ3のベース電流として流れるため、トランジスタQ1及びQ3はオンし、二次巻線w2に流れる電流は、トランジスタQ1のコレクタ−エミッタ間及びトランジスタQ3のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0046】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wd1の両端には、トランジスタQ1のベースを中点タップctd1に対して低電位とし、トランジスタQ2のベースを中点タップctd1に対して高電位とするような向きの起電力が発生する。また、検出用巻線wd2の両端には、トランジスタQ3のベースを中点タップctd2に対して高電位とし、トランジスタQ4のベースを中点タップctd2に対して低電位とするような向きの起電力が発生する。
【0047】
この結果、トランジスタQ1のベースは、トランジスタQ1のエミッタより低電位で、且つ、トランジスタQ1のコレクタより低電位となる。また、トランジスタQ2のベースは、トランジスタQ2のエミッタより高電位で、且つ、トランジスタQ1のコレクタより高電位となる。
従って、トランジスタQ1のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ1は順バイアスされている。従って、トランジスタQ1はオンする。また、トランジスタQ2は逆バイアスされ、トランジスタQ2はオフする。
【0048】
また、トランジスタQ3のベースは、トランジスタQ3のエミッタより高電位で、且つ、トランジスタQ3のコレクタより高電位となる。また、トランジスタQ4のベースは、トランジスタQ4のエミッタより低電位で、且つ、トランジスタQ4のコレクタより低電位となる。
従って、トランジスタQ3のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ3は順バイアスされており、トランジスタQ3はオンする。また、トランジスタQ4は逆バイアスされ、トランジスタQ4はオフする。
【0049】
すると、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ1に接続されている方の端から、トランジスタQ1のコレクタ及びエミッタ、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ3のエミッタ及びコレクタを順に経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ3に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0050】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ2のコレクタに接続されている方の端の電圧が、二次巻線w2の他方の端の電位に対して正極性となったとする。
このときは、二次巻線w2のうちトランジスタQ2のコレクタに接続されている方の端からは、トランジスタQ2のコレクタ及びベース、検出用巻線wd1の両端のうちトランジスタQ2のベースに接続されている方の端、中点タップctd1、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、中点タップctd2、検出用巻線wd2の両端のうちトランジスタQ4のベースに接続されている方の端を順に経て、二次感染<w2のうちトランジスタQ4のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ2及びQ4のベース電流として流れるため、トランジスタQ2及びQ4はオンし、二次巻線w2を流れる電流は、トランジスタQ2のコレクタ−エミッタ間及びトランジスタQ4のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0051】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、トランジスタQ1のベースを中点タップctd1に対して高電位とし、トランジスタQ2のベースを中点タップctd1に対して低電位とするような起電力が検出用巻線wd1に発生する。また、トランジスタQ3のベースを中点タップctd2に対して低電位とし、トランジスタQ4のベースを中点タップctd2に対して高電位とするような起電力が検出用巻線wd2に発生する。
【0052】
この結果、トランジスタQ1のベースは、トランジスタQ1のエミッタ及びコレクタのいずれよりも高電位となる。また、トランジスタQ2のベースは、トランジスタQ2のエミッタ及びコレクタのいずれよりも低電位となる。
従って、トランジスタQ1のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ1は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ2は順バイアスされ、オンする。
【0053】
また、トランジスタQ3のベースは、トランジスタQ3のエミッタ及びコレクタのいずれよりも低電位となる。また、トランジスタQ4のベースは、トランジスタQ4のエミッタ及びコレクタのいずれよりも高電位となる。
従って、トランジスタQ3のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ3は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ4は順バイアスされ、オンする。
【0054】
この結果、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ2に接続されている方の端から、トランジスタQ2のコレクタ及びエミッタ、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ4のエミッタ及びコレクタを順に経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ4に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0055】
図5の整流回路では、トランジスタQ1〜Q4のオン又はオフを決定する電圧を発生させる変圧装置Tの検出用巻線wd1及びwd2に誘起される起電力は、一次巻線w1に流れる電流により誘起される。このため、二次巻線w2の両端間に接続された負荷に流れる電流は、検出用巻線wd1及びwd2に流れる電流による変化を受けることが実質的にない。
【0056】
なお、この整流回路の交流入力端の両極間に整流する対象の単相交流電圧が印加されていない状態では、検出用巻線wd1の両端間は、トランジスタQ1のベース−エミッタ間及びトランジスタQ2のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているため、トランジスタQ1のベース及びエミッタと、トランジスタQ2のベース及びエミッタとは実質的に同電位となる。また、検出用巻線wd2の両端間は、トランジスタQ3のベース−エミッタ間及びトランジスタQ4のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているため、トランジスタQ3のベース及びエミッタと、トランジスタQ4のベース及びエミッタとは実質的に同電位となる。
従って、この整流回路の出力端の両極間に接続された負荷が起電力を有している等のためこの整流回路の出力端の正極が負極に対して高電位になったとしても、トランジスタQ1〜Q4はいずれもオフ状態を保つ。このため、負荷からこの整流回路へと流れ込む電流は実質的に遮断される。
【0057】
なお、この整流回路の構成は、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタQ1〜Q4は、いずれも、各自のコレクタをエミッタとして機能させ、各自のエミッタをコレクタとして機能させてもよい。
また、トランジスタQ1及びQ2は、図6に示すように、いずれも、ゲート、ドレイン及びソースを備えたpチャネルMOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor)から構成されていてもよい。また、トランジスタQ3及びQ4は、図示するように、いずれも、ゲート、ドレイン及びソースを備えたnチャネルMOSFETから構成されていてもよい。
【0058】
図6の構成で、トランジスタQ1のゲート、ソース及びドレインは、図5の構成において、トランジスタQ1のベース、エミッタ及びコレクタが接続されるべき箇所に接続されている。また、トランジスタQ2〜Q4についても、各自のゲート、ソース及びドレインは、図5の構成において各自のベース、エミッタ及びコレクタが接続されるべき箇所に接続されている。
【0059】
図6の整流回路の出力端の両極間に図示しない負荷が接続されている状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に単相交流電圧を印加し、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ1のドレインに接続されている方の端の電圧が、二次巻線w2の他方の端の電位に対して正極性となったとする。
【0060】
このとき、二次巻線w2のうちトランジスタQ1のドレインに接続されている方の端からは、トランジスタQ1のドレイン、トランジスタQ1のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、トランジスタQ1のソース、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、トランジスタQ3のソース、トランジスタQ3のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、トランジスタQ3のドレインを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ3のドレインに接続されている方の端に至る電流が流れる。
【0061】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、トランジスタQ1のゲートを中点タップctd1に対して低電位とし、トランジスタQ2のゲートを中点タップctd1に対して高電位とするような起電力が検出用巻線wd1に発生する。また、トランジスタQ3のゲートを中点タップctd2に対して高電位とし、トランジスタQ4のゲートを中点タップctd2に対して低電位とするような起電力が検出用巻線wd2に発生する。
【0062】
従って、トランジスタQ1のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ1は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ2は逆バイアスされ、オフする。また、トランジスタQ3のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ3は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ4は逆バイアスされ、オフする。
【0063】
従って、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ1に接続されている方の端から、トランジスタQ1のドレイン及びソース、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ3のソース及びドレインを順に経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ3に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0064】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ2のドレインに接続されている方の端の電圧が、二次巻線w2の他方の端の電位に対して正極性となったとする。
このときは、二次巻線w2のうちトランジスタQ2のドレインに接続されている方の端からは、トランジスタQ2のドレイン、トランジスタQ2のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、トランジスタQ2のソース、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、トランジスタQ4のソース、トランジスタQ4のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、トランジスタQ4のドレインを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ4のドレインに接続されている方の端に至る電流が流れる。
【0065】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、トランジスタQ1のゲートを中点タップctd1に対して高電位とし、トランジスタQ2のゲートを中点タップctd1に対して低電位とするような起電力が検出用巻線wd1に発生する。また、トランジスタQ3のゲートを中点タップctd2に対して低電位とし、トランジスタQ4のゲートを中点タップctd2に対して高電位とするような起電力が検出用巻線wd2に発生する。
【0066】
従って、トランジスタQ1のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ1は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ2は順バイアスされ、オンする。また、トランジスタQ3のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ3は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ4は順バイアスされ、オンする。
【0067】
この結果、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ2に接続されている方の端から、トランジスタQ2のドレイン及びソース、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ4のソース及びドレインを順に経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ4に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0068】
なお、図6の整流回路の交流入力端の両極間に整流する対象の単相交流電圧が印加されていない状態では、この整流回路の出力端の両極間に接続された負荷が起電力を有している等のためにこの整流回路の出力端の正極が負極に対して高電位になったとしても、トランジスタQ1〜Q4はいずれもオフ状態を保つ。このため、負荷からこの整流回路へと流れ込む電流は実質的に遮断される。
【0069】
(第3の実施の形態)
図7は、この発明の第3の実施の形態に係る整流回路の構成を模式的に示している。
この整流回路は、図示するように、変圧装置Tと、トランジスタQ5及びQ6とより構成されている。
【0070】
このうち、変圧装置Tは、(3)二次巻線w2の中点に接続された中点タップctと、検出用巻線wdの中点に接続された中点タップctdとを備える点、を除いて、第1の実施の形態におけるものと実質的に同一のものである。
【0071】
トランジスタQ5及びQ6は、いずれも、PNP型バイポーラトランジスタから構成され、それぞれ、ベース、エミッタ及びコレクタを備える。
【0072】
変圧装置Tの一次巻線w1の両端は交流入力端を形成している。変圧装置Tの二次巻線w2の一端はトランジスタQ5のコレクタに接続され、二次巻線w2の他端はトランジスタQ6のコレクタに接続されている。
【0073】
変圧装置Tの検出用巻線wdの一端はトランジスタQ5のベースに接続されており、他端は、トランジスタQ6のベースに接続されている。
ただし、変圧装置Tの検出用巻線wdの両端のうちトランジスタQ5のベースに接続されている方の端は、一次巻線w1に交流電圧を印加したとき、二次巻線w2のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端と同極性の電圧を発生させるように選ばれている。
【0074】
変圧装置Tの中点タップctdと、トランジスタQ5のエミッタと、トランジスタQ6のエミッタとは互いに接続され、この整流回路の出力端の正極を形成している。変圧装置Tの中点タップctは、この整流回路の出力端の負極を形成している。
【0075】
図7の整流回路の出力端の両極間に図示しない負荷が接続されている状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に単相交流電圧を印加し、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5のコレクタに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して正極性となったとする。
【0076】
このとき、検出用巻線wdには実質的に起電力が生じておらず、検出用巻線wdの両端間は、トランジスタQ5のベース−エミッタ間及びトランジスタQ6のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているとみなし得る。
一方、二次巻線w2のうちトランジスタQ5のコレクタに接続されている方の端からは、トランジスタQ5のコレクタ及びベース、検出用巻線wdの両端のうちトランジスタQ5のベースに接続されている方の端、中点タップctd、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極を順に経て、中点タップctに至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ5のベース電流として流れるため、トランジスタQ5はオンし、二次巻線w2を流れる電流は、トランジスタQ5のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0077】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdの両端には、トランジスタQ5のベースを中点タップctdに対して低電位とし、トランジスタQ6のベースを中点タップctdに対して高電位とするような向きの起電力が発生する。従って、トランジスタQ5のベースは、トランジスタQ5のエミッタ及びコレクタより低電位となる。また、トランジスタQ6のベースは、トランジスタQ6のエミッタ及びコレクタより高電位となる。従って、トランジスタQ5のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ5は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ6は逆バイアスされ、オフする。
【0078】
この結果、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5に接続されている方の端から、トランジスタQ5のコレクタ及びエミッタ、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極を経て、変圧装置Tの中点タップctへと至る電流が流れる。
【0079】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して正極性となったとする。このとき、二次巻線w2の他方の端の電圧は、中点タップctの電位に対して負極性となる。
このときは、二次巻線w2のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端から、トランジスタQ6のコレクタ及びベース、検出用巻線wdの両端のうちトランジスタQ6のベースに接続されている方の端、中点タップctd、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極を順に経て、中点に至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ6のベース電流として流れるため、トランジスタQ6はオンし、二次巻線w2を流れる電流は、トランジスタQ6のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0080】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、トランジスタQ5のベースは、トランジスタQ5のエミッタ及びコレクタより高電位となる。また、トランジスタQ6のベースは、トランジスタQ6のエミッタ及びコレクタより低電位となる。従って、トランジスタQ5のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ5は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ6は順バイアスされ、オンする。
【0081】
この結果、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6に接続されている方の端から、トランジスタQ6のコレクタ及びエミッタ、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極を経て、変圧装置Tの中点タップctへと至る電流が流れる。
【0082】
図7の整流回路では、トランジスタQ5及びQ6のオン又はオフを決定する電圧を発生させる変圧装置Tの検出用巻線wdに誘起される起電力は、一次巻線w1に流れる電流により誘起される。このため、二次巻線w2の両端間に接続された負荷に流れる電流は、検出用巻線wdに流れる電流による変化を受けることが実質的にない。
【0083】
なお、図7の整流回路の交流入力端の両極間に整流する対象の単相交流電圧が印加されていない状態では、この整流回路の出力端の両極間に接続された負荷が起電力を有している等のためにこの整流回路の出力端の正極が負極に対して高電位になったとしても、トランジスタQ5のベース及びエミッタと、トランジスタQ6のベース及びエミッタとは実質的に同電位であるため、トランジスタQ5及びQ6はいずれもオフ状態を保つ。このため、負荷からこの整流回路へと流れ込む電流は実質的に遮断される。
【0084】
なお、この整流回路の構成も、上述のものに限られない。
例えば、トランジスタQ5及びQ6は、図8に示すように、いずれも、NPN型バイポーラトランジスタから構成されていてもよい。この場合、図8に示すように、互いに接続された中点タップctd、トランジスタQ5のエミッタ及びトランジスタQ6のエミッタはこの整流回路の出力端の負極を形成し、中点タップctは、この整流回路の出力端の正極を形成する。なお、その他の構成は図7に示す構成と実質的に同一である。
【0085】
図8の整流回路の出力端の両極間に図示しない負荷が接続されている状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に単相交流電圧を印加し、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5のコレクタに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して負極性となったとする。
このとき、検出用巻線wdには実質的に起電力が生じておらず、検出用巻線wdの両端間は、トランジスタQ5のベース−エミッタ間及びトランジスタQ6のベース−エミッタ間を介して実質的に短絡されているとみなし得る。
すると、中点タップctから、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、中点タップctd、検出用巻線wdの両端のうちトランジスタQ5のベースに接続されている方の端、トランジスタQ5のベース及びコレクタを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ5のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ5のベース電流として流れるため、トランジスタQ5はオンし、二次巻線w2を流れる電流は、トランジスタQ5のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0086】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ5のベースを中点タップctdに対して高電位とし、トランジスタQ6のベースを中点タップctdに対して低電位とするような起電力が発生する。従って、トランジスタQ5のベースは、トランジスタQ5のエミッタ及びコレクタより高電位となる。また、トランジスタQ6のベースは、トランジスタQ6のエミッタ及びコレクタより低電位となる。従って、トランジスタQ5のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ5は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ6は逆バイアスされ、オフする。
従って、変圧装置Tの中点タップctから、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ5のエミッタ及びコレクタを経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0087】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して負極性となったとする。
この場合は、中点タップctから、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、中点タップctd、検出用巻線wdの両端のうちトランジスタQ6のベースに接続されている方の端、トランジスタQ6のベース及びコレクタを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
この電流はトランジスタQ6のベース電流として流れるため、トランジスタQ6はオンし、二次巻線w2を流れる電流は、トランジスタQ6のコレクタ−エミッタ間にも流れるようになる。
【0088】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ6のベースを中点タップctdに対して高電位とし、トランジスタQ5のベースを中点タップctdに対して低電位とするような起電力が発生する。従って、トランジスタQ6のベースは、トランジスタQ6のエミッタ及びコレクタより高電位となる。また、トランジスタQ5のベースは、トランジスタQ5のエミッタ及びコレクタより低電位となる。従って、トランジスタQ6のエミッタをコレクタとし、コレクタをエミッタとしてみたとき、トランジスタQ6は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ5は逆バイアスされ、オフする。
従って、変圧装置Tの中点タップctから、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ6のエミッタ及びコレクタを経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0089】
なお、図8の整流回路の交流入力端の両極間に整流する対象の単相交流電圧が印加されていない状態では、この整流回路の出力端の両極間に接続された負荷が起電力を有していている等のためにこの整流回路の出力端の正極が負極に対して高電位になったとしても、トランジスタQ5のベース及びエミッタと、トランジスタQ6のベース及びエミッタとは実質的に同電位であるため、トランジスタQ5及びQ6はいずれもオフ状態を保つ。このため、負荷からこの整流回路へと流れ込む電流は実質的に遮断される。
【0090】
また、トランジスタQ5及びQ6は、図9に示すように、いずれも、ゲート、ドレイン及びソースを備えたpチャネルMOSFETから構成されていてもよい。また、トランジスタQ5及びQ6は、図10に示すように、いずれも、ゲート、ドレイン及びソースを備えたnチャネルMOSFETから構成されていてもよい。
【0091】
図9の構成においては、トランジスタQ5及びQ6につき、各自のゲート、ソース及びドレインは、図7の構成において各自のベース、エミッタ及びコレクタが接続されるべき箇所に接続されている。図10の構成においては、トランジスタQ5及びQ6につき、各自のゲート、ソース及びドレインは、図8の構成において各自のベース、エミッタ及びコレクタが接続されるべき箇所に接続されている。
【0092】
図9の整流回路の出力端の両極間に図示しない負荷が接続されている状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に単相交流電圧を印加し、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5のドレインに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して正極性となったとする。
このとき、二次巻線w2のうちトランジスタQ5のドレインに接続されている方の端からは、トランジスタQ5のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極を順に経て、中点タップctに至る電流が流れる。
【0093】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ5のゲートを中点タップctdに対して低電位とし、トランジスタQ6のゲートを中点タップctdに対して高電位とするような起電力が発生する。
この結果、トランジスタQ5のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ5は順バイアスされており、オンする。また、トランジスタQ6は逆バイアスされ、オフする。そして、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5に接続されている方の端から、トランジスタQ5のドレイン及びソース、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極を経て、変圧装置Tの中点タップctへと至る電流が流れる。
【0094】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6のドレインに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して正極性となったとする。
このときは、二次巻線w2のうちトランジスタQ6のドレインに接続されている方の端からは、トランジスタQ6のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオード、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極を順に経て、中点タップctに至る電流が流れる。
【0095】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ6のゲートを中点タップctdに対して低電位とし、トランジスタQ5のゲートを中点タップctdに対して高電位とするような起電力が発生する。
この結果、トランジスタQ5のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ5は逆バイアスされており、オフする。また、トランジスタQ6は順バイアスされ、オンする。そして、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6に接続されている方の端から、トランジスタQ6のドレイン及びソース、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極を経て、変圧装置Tの中点タップctへと至る電流が流れる。
【0096】
一方、図10の整流回路の動作を説明すると、図10の整流回路の出力端の両極間に図示しない負荷が接続されている状態で、この整流回路の交流入力端の両極間に単相交流電圧を印加し、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6のドレインに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して負極性となったとする。
すると、中点タップctから、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、トランジスタQ6のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオードを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ6のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
【0097】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ6のゲートを中点タップctdに対して高電位とするような起電力が発生する。
この結果、トランジスタQ5は逆バイアスされ、オフする。また、トランジスタQ6のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ6は順バイアスされており、オンする。従って、変圧装置Tの中点タップctから、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ6のソース及びドレインを経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ6に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0098】
一方、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5のソースに接続されている方の端の電圧が、中点タップctの電位に対して負極性となったとする。
すると、中点タップctから、この整流回路の正極、負荷、この整流回路の負極、トランジスタQ5のドレイン−ソース間に存在する寄生ダイオードを順に経て、二次巻線w2のうちトランジスタQ5のコレクタに接続されている方の端に至る電流が流れる。
【0099】
すると、二次巻線w2に電流が流れたことにより、検出用巻線wdには、トランジスタQ5のゲートを中点タップctdに対して高電位とするような起電力が発生する。
この結果、トランジスタQ5は順バイアスされ、オンする。また、トランジスタQ6のソースをドレインとし、ドレインをソースとしてみたとき、トランジスタQ6は逆バイアスされており、オフする。従って、変圧装置Tの中点タップctから、この整流回路の出力端の正極、負荷、出力端の負極、トランジスタQ5のソース及びドレインを経て、二次巻線w2の両端のうちトランジスタQ5に接続されている方の端へと至る電流が流れる。
【0100】
なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、変圧装置Tの主鉄心F1及び副鉄心F2の形状、材質などは任意である。また、巻線の位置等も適宜変更可能である。さらに、図5〜図10に示した整流回路に限らず、他の構成を採用することができる。
【0101】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、負荷に流れる電流を変化させず、かつ損失が少ない電源装置が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態にかかる負荷電流検出用の変圧装置を構成する主鉄心及び副鉄心の位置関係を模式的に示す斜視図である。
【図2】この発明の第1の実施の形態にかかる負荷電流検出用の変圧装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図3】図2の変圧装置の検出用巻線が巻装されている態様を模式的に示す図である。
【図4】図2の変圧装置の一次巻線及び二次巻線が発生させる磁束の向きを示す図である。
【図5】この発明の第2の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図6】図5の整流回路の変形例の構成を示す回路図である。
【図7】この発明の第3の実施の形態に係る整流回路の構成を示す回路図である。
【図8】図7の整流回路の変形例の構成を示す回路図である。
【図9】図7の整流回路の変形例の構成を示す回路図である。
【図10】図7の整流回路の変形例の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
T 変圧装置
F1 主鉄心
F2 副鉄心
w1 一次巻線
w2 二次巻線
wd、wd1、wd2 検出用巻線
Q1〜Q6 トランジスタ
ct、ctd、ctd1、ctd2 中点タップ

Claims (8)

  1. 一次巻線と、前記一次巻線に誘導結合された二次巻線とを備える変成器と、
    前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第1のタップを備える第1の検出用巻線と、
    前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第2のタップを備える第2の検出用巻線と、
    電流路及び制御端を備え、各自の制御端に供給された信号に応答して各自の電流路を実質的にオン及びオフする第1、第2、第3及び第4のスイッチング手段と、を備え、
    前記第1及び第4のスイッチング手段の電流路の各一端は前記二次巻線の一端に接続されており、
    前記第2及び第3のスイッチング手段の電流路の各一端は前記二次巻線の他端に接続されており、
    前記第1及び第2のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第1のタップは互いに接続されて出力端の一方の極をなし、
    前記第3及び第4のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第2のタップは互いに接続されて出力端の他方の極をなし、
    前記第1の検出用巻線の両端のうち、前記一次巻線に電流が流れたとき前記二次巻線の前記一端に発生する電圧と同極性の電圧が発生する方の端は前記第2のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記第1の検出用巻線の他端は前記第1のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記第2の検出用巻線の両端のうち、前記一次巻線に電流が流れたとき前記二次巻線の前記一端に発生する電圧と同極性の電圧が発生する方の端は前記第3のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記第2の検出用巻線の他端は前記第4のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記第1及び第2のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として所定の極性であるとき、各自の前記電流路をオンし、
    前記第3及び第4のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として前記所定の極性とは逆の極性であるとき、各自の前記電流路をオンする、
    ことを特徴とする電源装置。
  2. 前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が互いに同一であるバイポーラトランジスタより構成され、
    前記第3及び第4のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が、前記第1及び第2のスイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタの前記ベースの導電型と異なっているバイポーラトランジスタより構成され、
    各々の前記スイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタが備えるコレクタ及びエミッタは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該バイポーラトランジスタが備える前記ベースは当該スイッチング手段の制御端をなす、
    ことを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
  3. 前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が互いに同一である電界効果トランジスタより構成され、
    前記第3及び第4のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が前記第1及び第2のスイッチング手段を構成する電界効果トランジスタと異なった電界効果トランジスタより構成され、
    各々の前記スイッチング手段を構成する前記電界効果トランジスタが備えるドレイン及びソースは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該電界効果トランジスタが備えるゲートは当該スイッチング手段の制御端をなす、
    ことを特徴とする請求項1に記載の電源装置。
  4. 一次巻線と、前記一次巻線に誘導結合され自己の両端以外の箇所に接続された第1のタップを備える二次巻線と、を備える変成器と、
    前記二次巻線に誘導結合されており、自己の両端以外の箇所に接続された第2のタップを備える検出用巻線と、
    電流路及び制御端を備え、各自の制御端に供給された信号に応答して各自の電流路を実質的にオン及びオフする第1及び第2のスイッチング手段と、を備え、
    前記第1のスイッチング手段の電流路の一端は前記二次巻線の一端に接続されており、
    前記第2のスイッチング手段の電流路の一端は前記二次巻線の他端に接続されており、
    前記第1及び第2のスイッチング手段の電流路の各他端及び前記第2のタップは互いに接続されて出力端の一方の極をなし、
    前記第1のタップは前記出力端の他方の極をなし、
    前記検出用巻線の一端は前記第1のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記検出用巻線の他端は前記第2のスイッチング手段の制御端に接続されており、
    前記第1及び第2のスイッチング手段は、各自の前記電流路の両端の電圧が各自の制御端の電位を基準として所定の極性であるとき、各自の前記電流路をオンする、
    ことを特徴とする電源装置。
  5. 前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、自己が備えるベースの導電型が互いに同一であるバイポーラトランジスタより構成され、
    各々の前記スイッチング手段を構成する前記バイポーラトランジスタが備えるコレクタ及びエミッタは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該バイポーラトランジスタが備える前記ベースは当該スイッチング手段の制御端をなす、
    ことを特徴とする請求項4に記載の電源装置。
  6. 前記第1及び第2のスイッチング手段は、それぞれ、チャネル型が互いに同一である電界効果トランジスタより構成され、
    各々の前記スイッチング手段を構成する前記電界効果トランジスタが備えるドレイン及びソースは当該スイッチング手段の電流路の両端をなし、当該電界効果トランジスタが備えるゲートは当該スイッチング手段の制御端をなす、
    ことを特徴とする請求項4に記載の電源装置。
  7. 前記変成器は、前記一次巻線に流れる電流により誘起される磁束及び前記二次巻線に流れる電流により誘起される磁束が共に通過する位置に配置された第1の磁性体を備えており、
    前記検出用巻線は、前記第1の磁性体の内部を通過する磁束による起電力を実質的に誘起しない位置に配置されている、
    ことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の電源装置。
  8. 前記検出用巻線に起電力を誘起する磁束が通過する位置に配置された第2の磁性体を備える、
    ことを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載の電源装置。
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