JP3751435B2 - Resist regeneration system and resist regeneration method - Google Patents

Resist regeneration system and resist regeneration method Download PDF

Info

Publication number
JP3751435B2
JP3751435B2 JP4748798A JP4748798A JP3751435B2 JP 3751435 B2 JP3751435 B2 JP 3751435B2 JP 4748798 A JP4748798 A JP 4748798A JP 4748798 A JP4748798 A JP 4748798A JP 3751435 B2 JP3751435 B2 JP 3751435B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist
regeneration
solvent
weight
viscosity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4748798A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11245226A (en
Inventor
泰晴 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP4748798A priority Critical patent/JP3751435B2/en
Publication of JPH11245226A publication Critical patent/JPH11245226A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3751435B2 publication Critical patent/JP3751435B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02WCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO WASTEWATER TREATMENT OR WASTE MANAGEMENT
    • Y02W30/00Technologies for solid waste management
    • Y02W30/50Reuse, recycling or recovery technologies
    • Y02W30/62Plastics recycling; Rubber recycling

Landscapes

  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Separation, Recovery Or Treatment Of Waste Materials Containing Plastics (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レジストの再生システムおよび再生方法に関し、詳細には、半導体製造に利用されるリソグラフィ等で使用するレジストの再生システムおよび再生方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造に利用されるリソグラフィ等では、レジストを下地面に塗布するコーティング作業が行われる。このコーティング作業は、スピンコート方式のレジスト塗布装置を用いて行われるのが一般的である。スピンコート方式のレジスト塗布装置では、下地面を有する基板がスピンチャックされ、次いで、下地面中央にレジストが数cc滴下される。さらに、基板が回転させられて、下地面中央に滴下されたレジストを、遠心力により、下地面全体に行き渡らせ、下地面にレジストの被膜を形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
このとき、下地面上に被膜として残るレジストは、滴下されたレジストの数パーセントであり、レジストの大部分は、遠心力で基板から飛び出してしまう。この飛び出した(スピンアウトした)レジストは、廃液として回収され、産業廃棄物として廃棄されている。
【0004】
例えば、基板である直径6インチのウエハの表面に厚さ約1μmのレジスト被膜を形成する場合、被膜として使用されるレジストの量は、約0.018立方cmである。また、被膜が液状膜であるときには、被膜として使用されるレジストの量は、この値の数倍になる。しかしながら、下地面であるウエハ面に滴下されたレジストの量は2〜3ccであるので、いずれの場合においても、滴下されたレジストの少なくとも97〜98パーセントが、ウエハ面からスピンアウトされて回収容器に回収され、廃液として廃棄されていることになる。
【0005】
このようにレジストの大部分が有効利用されずに廃棄されている状況は、費用節減、資源の有効利用の観点、更には、廃液による環境汚染の観点からも好ましくない。
【0006】
このため、レジストの有効利用を図ることができる再生システムの出現が望まれる。
【0007】
この発明は、レジストで被膜を形成した後に、下地のエッジや裏面などの洗浄に使用されるエッヂリンス、バックリンスなどの洗浄液が、レジストの溶剤と同じ成分であり、廃液として回収されたレジストは、この洗浄液により希釈されたレジストであることに着目してなされたものである。そして、廃液として回収したレジストから所定量の洗浄液(溶剤)を除去することにより、回収したレジストを再使用可能な状態にして、レジストの有効利用を図ることを意図している。
【0008】
【課題を解決するための手段】
この発明のレジスト再生システムは、レジスト塗布装置から回収したレジストを収容して再生する再生容器と、再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させて溶剤成分の一部分を除去する溶剤除去装置と、溶剤除去装置の作動を制御する制御装置とを備えている。このレジスト再生システムでは、制御装置が、レジストの粘度が再使用可能な目標粘度になるまで、レジストから溶剤成分を除去するように溶剤除去装置を作動させる。
【0009】
このような構成によれば、回収したレジストから溶剤成分の一部分が除去され、回収したレジストの粘度が再使用可能な粘度(目標粘度)まで増大する。
【0010】
この発明を実施するにあたって、再生容器内のレジストの重量を測定する重量測定装置を設け、制御装置が、重量測定装置の測定結果に基づいて、溶剤除去装置を作動させる構成とする
【0011】
このような構成によれば、レジストの重量に基づいて、溶剤除去装置の作動が制御される。
【0012】
この発明を実施するにあたって、制御装置が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重量とレジストの目標粘度とに基づいて、溶剤成分除去後のレジストの目標重量を算出し、レジストの重量がこの目標重量になるように溶剤除去装置を作動させる構成としてもよい。
【0013】
このような構成によれば、溶剤成分除去前のレジストすなわち回収したレジストの粘度を入力すれば、レジストが目標粘度になるまで、自動的に溶剤除去が行われる。
【0014】
この発明を実施するにあたって、溶剤除去装置が、再生容器内のレジストを加熱する加熱装置を備えている構成とするのがよい。
【0015】
このような構成によれば、加熱装置によるレジストの加熱により、溶剤除去が効率良く行われる。
【0016】
また、この発明を実施するあたって、溶剤除去装置が、再生容器内のレジストを攪拌する攪拌装置を備えている構成とするのがよい。
【0017】
このような構成によれば、攪拌装置によるレジストの攪拌により、溶剤除去が効率良く行われる。
【0018】
さらに、この発明を実施するにあたって、再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、再生チャンバ内を排気する排気装置が設けられている構成とするのがよい。
【0019】
このような構成によれば、レジストから溶剤が効率良く除去される。また、排気装置により排気された再生チャンバ内のガスを適宜処理することにより、溶剤ガスがレジスト再生システムを設置した空間内に充満することがなくなる。
【0020】
この発明を実施するにあたって、再生チャンバ内に窒素ガスを供給する窒素ガス源を設けた構成としてもよい。
【0021】
このような構成によれば、再生チャンバ内が、窒素雰囲気となる。この結果、回収したレジストは、再生チャンバ内で、空気に接触することなく再生させられる。このため、レジストへの水分混入が、抑制される。
【0022】
この発明を実施するにあたって、再生容器内のレジストに溶剤を添加する溶剤供給装置を備え、制御装置が、溶剤供給装置の作動を制御する構成としてもよい。この構成では、制御装置が、溶剤除去装置により溶剤成分が除去されたレジストが所定粘度になるまで、レジストに溶剤を添加するように、溶剤供給装置を作動させる。
【0023】
このような構成によれば、溶剤除去後のレジストに対して、溶剤を添加することにより、レジストの粘度調整が、再度、行われるので、より高精度な粘度調整がなされる。
【0024】
この発明を実施するにあたって、制御装置が、重量測定装置の測定結果に基づいて、溶剤供給装置の作動を制御する構成としてもよい。
【0025】
また、この発明を実施するにあたって、制御装置が、溶剤成分の一部分が除去されたレジストの粘度および重量と、溶剤添加後の目標粘度とに基づいて、溶剤添加後のレジスト重量を算出し、レジストの重量が溶剤添加後の目標重量になるように溶剤供給装置を作動させるように構成してもよい。
【0026】
このような構成によれば、溶剤成分の一部分が除去されたレジストの粘度を入力すれば、レジストが所定の粘度になるまで、自動的に溶剤添加が行われる。
【0027】
さらに、この出願の発明の他の態様によれば、レジスト塗布装置から回収したレジストを再生容器に収容し、再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させてレジストの粘度を再使用可能な目標粘度まで増大させるレジスト再生方法が提供される。
【0028】
このような構成によれば、回収したレジストから溶剤成分の一部分が蒸発により除去され、回収したレジストの粘度が再使用可能な粘度(目標粘度)まで増大する。
【0029】
この発明を実施するにあたり、溶剤成分の蒸発を、再生容器内のレジストが目標重量になるまで行う構成とするのがよい。
【0030】
このような構成によれば、再生容器内のレジストの重量に基づいて、溶剤供給装置の作動が制御される。
【0031】
この発明を実施するにあたり、レジストの目標重量が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重量と、レジストの目標粘度とに基づいて算出される構成としてもよい。
【0032】
この発明を実施するにあたり、溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを加熱しながら行なわれる構成としてもよい。
【0033】
このような構成によれば、レジストの加熱により、溶剤除去が効率良く行われる。
【0034】
この発明を実施するにあたり、溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを攪拌しながら行なわれる構成としてもよい。
【0035】
このような構成によれば、レジストの攪拌により、溶剤除去が効率良く行われる。
【0036】
さらに、この発明を実施するにあたり、再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、溶剤成分の蒸発が、再生チャンバ内に窒素ガスを供給しつつ、再生チャンバ内を排気しながら行われる構成としてもよい。
【0037】
このような構成によれば、レジストから溶剤が効率良く除去される。また、再生チャンバ内が、窒素雰囲気となるので、回収したレジストは、再生チャンバ内で、空気に接触することなく再生される。このため、レジストへの水分混入が、抑制される。さらに、排気された再生チャンバ内のガスを適宜処理することにより、溶剤ガスがレジスト再生を実施する空間内に充満することがなくなる。
【0038】
この発明を実施するにあたって、粘度を増大させたレジストに溶剤を添加する構成としてもよい。
【0039】
このような構成によれば、溶剤除去後のレジストに対して、溶剤を添加することにより、レジストの粘度調整が、再度、行われるので、より高精度な粘度調整がなされる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、図面に沿って、この発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、各図は、この発明を理解できる程度に、各構成要素の大きさ、形状および配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがって、この発明は、図面に示された実施の形態に限定されるものではない。
【0041】
<第1の実施の形態>
図1は、この発明の第1の実施の形態のレジスト再生システム100の構成を概略的に示す図面である。
【0042】
レジスト再生システム100は、溶剤除去装置を作動させることにより、廃液として回収したレジストから溶剤成分の一部を蒸発させて、これを除去し、レジストの粘度を増大(増粘)させ、回収したレジストを再使用可能にするシステムである。したがって、増粘中に、レジストの重量は減少していく。レジスト再生システム100では、レジストの重量をモニタしながら、増粘を行い、レジストの重量が目標値(目標重量)まで減少したとき、レジストが所望の粘度(目標粘度)まで増粘されたと判定し、増粘を終了するように構成されている。
【0043】
まず、レジスト再生システム100の構成を説明する。レジスト再生システム100は、廃液として回収したレジストを収容する回収容器10と、回収したレジストの再生を行う再生容器12と、再生したレジストを収容する再生レジスト容器14とを備えている。回収容器10は、図示しない別体のレジスト塗布装置から回収したレジストを収容している。この回収したレジストは、エッジリンス、バックリンスなどで希釈され、その粘度が使用可能な粘度より小さくなっている。再生容器12は、密閉された再生チャンバ16内に配置されている。
【0044】
回収容器10と、再生容器12とは、管路18によって、接続されている。管路18には、回収容器10側から順に、第1ポンプ20と、第1フィルタ22とが、設けられている。したがって、レジスト再生システム100は、回収容器10内のレジストを、第1フィルタ22で濾過しながら、第1ポンプ20によって再生容器12に移送できるように構成されている。
【0045】
再生容器12は、再生チャンバ16内で、ウエイトセンサ24上すなわち重量測定装置に配置されている。レジスト再生システム100は、ウエイトセンサ24により、再生容器12内のレジストRの重量を常にモニタするように構成されている。
【0046】
再生容器12に隣接して、加熱装置26が設けられている。レジスト再生システム100は、加熱装置26により、再生容器12内のレジストRを、所定温度まで加熱できるように構成されている。所定温度とは、例えば、30〜40℃程度の温度である。好ましい加熱装置26としては、例えば、ホットプレート、恒温槽などがある。加熱装置26によるレジストの加熱で、レジストからの溶剤成分の蒸発が促進されることになる。加熱装置26は溶剤除去装置の一部を構成する。
【0047】
さらに、レジスト再生システム100には、再生容器12内のレジストRを攪拌する攪拌装置28が設けられている。攪拌装置28は、レジストR内で回転されるプロペラ状すなわちスクリュー状の攪拌部材28aと攪拌部材28aを回転駆動させる駆動装置28bとを備えている。しかしながら、攪拌装置は他の構成であってもよい。攪拌装置28によるレジストの攪拌で、レジストからの溶剤成分の蒸発が促進されることになる。攪拌装置28は溶剤除去装置の一部を構成する。
【0048】
再生容器12には、再生容器12内のレジストRの温度を測定する温度測定装置30が設けられている。
【0049】
再生容器12と、再生レジスト容器14とは、管路32によって、接続されている。管路32には、再生容器12側から順に、第2ポンプ34と、第2フィルタ36と、冷却装置38とが、設けられている。このように、レジスト再生システム100は、再生容器12内で再生されたレジストを、第2フィルタ36で濾過し、次いで、冷却装置38で室温まで冷却しながら、第2ポンプ34によって再生レジスト容器14に移送できるように構成されている。
【0050】
再生チャンバ16には、排気装置40が取付けられている。排気装置40は、排気ポンプなどの吸引あるいは減圧装置であり、密閉された再生チャンバ16内の溶媒蒸気などの気体を再生チャンバ16外に排出する。この排気装置40の作動により、再生容器12内のレジストRからの溶剤の蒸発が促進されることになる。
【0051】
さらに、再生チャンバ16には、窒素ガス源41が接続されている。窒素ガス源41は、再生チャンバ16内に窒素ガスを供給できるように構成されている。したがって、窒素ガス源41を作動させながら排気装置40を作動させることにより、再生チャンバ16内が、窒素ガスによりパージされることになる。この結果、再生容器12内のレジストの再生が、窒素雰囲気下で行われる。
【0052】
また、レジスト再生システム100には、システム全体の動作を制御する制御装置42が設けられている。
【0053】
制御装置42には、オペレータが制御装置42に必要な数値を入力する入力装置44が接続されている。制御装置42は、第1ポンプ20、第2ポンプ34、加熱装置26、排気装置40、窒素ガス源41に接続され、これらの作動を制御するように構成されている。さらに、制御装置42は、ウエイトセンサ24によってモニタされた再生容器12内のレジストRの重量、および、温度測定装置30によって測定された再生容器12内のレジストRの温度が入力されるように構成されている。
【0054】
制御装置42は、再生容器12に移送されたレジストRの粘度η1および重量W1と、増粘工程によって得たいレジストの粘度(目標粘度)η2とに基づいて、レジストの目標重量W2を算出して、増粘工程を実行し、レジストの重量Wが目標重量W2になったとき、レジストの粘度が目標粘度η2になったと判断して、増粘工程を停止するように構成されている。
【0055】
図2は、制御装置42の主要部の構成を示すブロック図である。制御装置42は、マイクロコンピュータによって構成され、図2に示されるように、目標重量算出部420と、メモリ422と、増粘制御部424とを備えている。
【0056】
目標重量算出部420は、再生容器12に移送されたレジストRの重量W1がウエイトセンサ24から入力され、また、再生容器12に移送されたレジストRの粘度η1およびレジスト再生システム100によって得たいレジストの粘度(目標粘度)η2が、入力装置44を介して、入力されるように構成されている。さらに、目標重量算出部420は、レジストRの重量W1および粘度η1と、目標粘度η2とに基づいて、目標重量W2を算出するように構成されている。
【0057】
メモリ422には、目標重量W2を算出するために必要なデータが記憶されている。
【0058】
増粘制御部424は、入力装置44からの増粘実行指令に応答して、加熱装置26、攪拌装置28などの溶剤除去装置を作動させる増粘実行信号を発して、増粘工程を開始させるように構成されている。さらに、増粘制御部424は、現在の再生容器12内のレジストRの重量Wと、目標重量W2とを比較し、WとW2が等しくなったとき、再生容器12内のレジストRが、目標粘度η2になったと判定し、加熱装置26、攪拌装置28などの溶剤除去装置の作動を停止させ、増粘工程を終了させるように構成されている。
【0059】
次に、レジスト再生システム100が実施するレジスト再生の工程を説明する。まず、制御装置42が、第1ポンプ20を作動させ、回収容器10内のレジストを、管路18を通して再生容器12に移送する。回収容器10内のレジストは、バックリンス、エッヂリンスなどの洗浄液で希釈されて粘度が低下したレジストである。
【0060】
レジスト再生システム100では、制御装置42が、レジスト再生工程中、排気装置40と窒素ガス源41を作動させて、再生チャンバ16内を窒素ガスでパージし、再生チャンバ16内を、窒素雰囲気としている。
【0061】
回収容器10内のレジストは、再生容器12に移送される途中で、第1フィルタ22によって、濾過され、固形の不純物が除去される。なお、この実施の形態では、レジストは、ポジ型のレジストとする。しかしながら、この発明は、ネガ型のレジストにも適用可能である。
【0062】
バックリンス、エッジリンスは、レジストの溶剤と同じ成分である。バックリンス、エッジリンスおよびレジストの溶剤は、例えば、ECA(エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート)、EL(乳酸エチル)、EEP(エチル−3−エトキシプロピオネート)、MMP(メチル−3−メトキシプロピオネート)、MAK(メチルアミルケトン(2−ヘプタノン))、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)である。
【0063】
次いで、増粘工程を実施する。この増粘工程では、制御装置42の制御により、再生容器12内のレジストRを攪拌しながら加熱することによって、レジストを希釈しているバックリンス、エッジリンス等の溶剤成分を回収したレジストから蒸発させ、レジストの粘度を再使用可能な粘度まで増大させる。
【0064】
上述したように、この増粘工程では、再生容器12内のレジストRの重量Wは減少していく。レジスト再生システム100では、制御装置42が再生容器12内のレジストRの重量Wをモニタしながら、増粘工程が実施され、レジストRの重量Wが目標値W2まで減少したとき、レジストRが所望の粘度(目標粘度)η2まで増粘されたと判定され、増粘工程が終了する。
【0065】
次に、制御装置42の制御によって行われる増粘工程の内容を、図3に沿って説明する。図3は、増粘工程において制御装置42が行う制御内容を示すフローチャートである。
【0066】
再生容器12へのレジストの移送が完了すると、ウエイトセンサ24から、再生容器12内のレジストRの重量W1が、制御装置42の目標重量算出部420に入力される(S1)。次いで、オペレータによって測定された再生容器12内のレジストRの粘度η1(cp)と、レジストの目標粘度η2(cp)とが、入力装置44を介して目標重量算出部420に入力される(S2)。
【0067】
次いで、目標重量算出部420で、W1、η1およびη2、さらに、メモリ422内のデータに基づいて、目標重量W2が算出され(S3)、増粘制御部424に送られる。目標重量W2は、増粘工程中に、再生容器12内のレジストRからバックリンスなどの溶剤成分が蒸発させられて、再生容器12内のレジストRの粘度が目標粘度η2になった時の、レジストRの重量である。なお、目標重量W2の算出方法は後述する。再生容器12に移送されたレジストRには、バックリンス等が含まれているので、W1>W2の関係が成立する。
【0068】
入力装置44を介して、増粘開始指令が入力されると、増粘制御部424が、増粘実行信号を発して(S4)、加熱装置26、攪拌装置28などによって構成される溶剤除去装置を作動させて、増粘工程が実行される(S5)。増粘工程は、目標重量W2を目標値として、レジストRの重量Wをモニタしながら行われる。
【0069】
増粘工程中、再生容器12内のレジストRは、加熱装置26と温度測定装置30によって、例えば30℃〜40℃の一定温度に維持されるとともに、攪拌装置28によって攪拌される。また、再生チャンバ16内には、窒素ガス源41から窒素ガスが供給されるとともに、再生チャンバ16内の気体は、排気装置40によって、再生チャンバ16外に排出されている。加熱装置26、攪拌装置28、排気装置40、窒素ガス源41などの作動も制御装置42によって制御されている。
【0070】
増粘工程中、増粘制御部424は、ウエイトセンサ24から送られてくる再生容器12内のレジストRの重量Wを、W2と比較している(S6)。上述したように、増粘工程中には、再生容器12内のレジストRは所定の温度に維持されつつ、攪拌される。したがって、増粘工程中には、レジストを希釈していたバックリンスなどの溶剤成分が蒸発していき、レジストは、その粘度ηが上昇するとともに、重量Wが減少していく。WがW2より大きい間は、増粘が継続される(S5)。レジストRの重量WがW2と等しくなったとき、増粘制御部424は、再生容器12内のレジストRが、目標粘度η2まで増粘されたと判定し、増粘工程を終了させる(S7)。すなわち、加熱装置26、攪拌装置28などの作動が停止させられる。
【0071】
その後、第2ポンプ34が作動させられ、再生容器12内のレジストRは、管路32を介して、再生レジスト容器14に移送される。この途中で、レジストは、第2フィルタ36によって濾過され、さらに、冷却装置38によって室温まで冷却され増粘が完全に停止させられる。全てのレジストが再生レジスト容器14に移送されると再生工程が終了する。
【0072】
レジスト再生システム100では、レジストの目標重量W2の算出は、目標重量算出部420において、以下のように行われる。図4は、この算出に用いられるレジストの粘度(縦軸)と重量(横軸)の関係を示すグラフである。粘度の表示単位はcpであり、重量の表示単位はKgである。
【0073】
このグラフは、再生するレジストと同じ種類のレジスト、溶剤を使用した実験に基づいて作成されたものである。すなわち、このグラフは、粘度の異なるレジスト、例えば2cp、4cp、6cp、8cp、10cp、12cpのレジストを、一定量(例えば10Kg)づつ用意し、それぞれを、加熱・攪拌しながら、粘度および重量を測定し、粘度および重量の変化をプロットしていった検量線(a)〜(f)を示している。
【0074】
レジスト再生システム100では、このグラフに対応するデータが、制御装置42のメモリ422にマップ(あるいはテーブル)として記憶させられている。そして、レジストの粘度の初期値η1、目標粘度η2および、重量の初期値W1が入力されると、目標重量算出部420が、メモリ422に記憶されているこのグラフの内容を参照して、目標重量W2が算出される。
【0075】
例えば、このグラフの検量線(a)によれば、重量の初期値W1が10Kg、粘度の初期値η1が2cpのレジストを、目標粘度η2である粘度6cpまで増粘させるためには、重量Wが6Kgになるまでレジストの増粘工程を続ければ良いことがわかる。このようにして、重量の初期値W1、粘度の初期値η1、および、粘度の目標値η2に基づいて、目標重量W2が算出される。また、重さの初期値W1が10Kgでない場合は、適当な係数を乗ずることにより、目標重量W2を算出することになる。
【0076】
このように構成されたレジスト再生システム100によれば、再生容器12に収容されたレジストRの粘度η1を測定し、このη1と目標粘度η2を入力するだけで、廃液として回収したレジストを所望の粘度まで自動的に増粘することができる。
【0077】
この発明は、上述のW2算出方法を使用するシステムに限定されるものではなく、他のW2算出方法を採用してもよい。例えば、次のようなW2算出方法を用いても良い。
【0078】
レジストの濃度xと粘度y(cp)との関係は、以下の近似式で表される。
【0079】
y=Aexp(Bx) (ただし、AおよびBは定数)
したがって、再生容器12内のレジストの粘度(初期値)η1から、増粘工程前のレジストRの濃度(初期濃度)C1を算出できる。同様に、レジストが目標粘度η2になった時(増粘工程後)のレジストの濃度(目標濃度)C2も算出できる。
【0080】
レジストの濃度Cは、レジスト内にどれだけの固体成分が含まれているかを重量比で表したものであるから、C=Wsolid /W(Wsolid はレジスト内の固体成分重量、Wはレジストの総重量)が成立する。
【0081】
したがって、増粘工程前のレジストについて、C1=W1solid /W1が、増粘工程後のレジストについて、C2=W2solid /W2が、成立する。ここで、W1solid は増粘工程前のレジスト内の固体成分重量であり、W2solid は、増粘工程後のレジスト内の固体成分重量である。増粘工程は、エッジリンス等の液体成分(溶剤成分)をレジストから蒸発させる操作であるため、増粘工程の前後でレジストに含まれる固体成分の重量は変化しない。したがって、W1solid はW2solid と等しい。そして、C1およびC2は、前記近似式から算出され、W1は、ウエイトセンサなどで実測できる。
【0082】
したがって、増粘工程前のレジストに関する式C1=W1solid /W1から、W1solid を算出して、このW1solid の値を、増粘工程後のレジスト関する式C2=W2solid /W2のW2solid に代入することで、目標重量W2を算出できる。
【0083】
この算出方法を採用する場合には、制御装置42のメモリ422に上記近似式を記憶させておく。そして、目標重量算出部420が、入力されたW1、η1およびη2と、メモリ422内の近似式を用いて、上述した過程で目標重量W2を算出することになる。
【0084】
この算出方法によれば、レジストの粘度の初期値η1が、例えば2.36という端数を含む値であったとしても、正確かつ迅速に目標重量W2を算出できる。
【0085】
<第2の実施の形態>
図5は、この発明の第2の実施の形態のレジスト再生システム200の構成を示す概略図である。
【0086】
図5に示されるように、レジスト再生システム200は、基本的には、レジスト再生システム100と同一の構成を有している。レジスト再生システム200は、レジスト再生システム100の構成に加えて、増粘したレジストに溶剤を添加する溶剤供給装置50を備えている。そして、レジスト再生システム200は、レジスト再生システム100で行われる増粘工程と同様の増粘工程によって、レジストを所望粘度より高い粘度まで増粘させた後、このレジストに溶剤を添加することにより、所望粘度のレジストを得る調整工程を行うレジスト再生システムである。以下、この相違点を中心に、レジスト再生システム200の構成および動作を説明する。なお、レジスト再生システム100と共通する構成要素については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【0087】
レジスト再生システム200は、レジスト再生システム100の構成に加えて、溶剤供給装置50を備えている。溶剤供給装置50は、レジストの溶剤と同一成分の有機溶剤を収容している溶剤タンクと、この溶剤タンクに収容されている有機溶剤を管路52を通して再生容器12内のレジストRに送り出すポンプとを含んでいる。溶剤供給装置50は、管路52によって、再生容器12に機械的に接続されている。さらに、溶剤供給装置50は、レジスト再生システム200のシステム全体の動作を制御する制御装置242に電気的に接続され、制御装置242の制御によって、溶剤タンク内の有機溶剤を再生容器12内のレジストRに添加するように構成されている。有機溶剤の添加量は、制御装置242によって、算出される。
【0088】
図6は、制御装置242の主要部の構成を示すブロック図である。図6に示されているように、制御装置242は、レジスト再生システム100の制御装置42と、ほぼ同一の構成を有している。制御装置242が、構成上で、制御装置42と異なる点は、溶剤供給制御部244を備えている点などである。また、制御装置242が、作用上で、制御装置42と異なる点は、増粘工程後のレジストの重量W3および粘度η3、目標粘度η4に基づいて、有機溶剤の添加量wを算出し、溶剤供給装置50を作動させ、レジストの重量が、溶剤添加後の目標重量であるW3+w(W4)になるまで、有機溶剤をレジストに添加させる調整工程を実施させる点である。以下、相違点を中心に、制御装置242の構成を説明する。
【0089】
図6に示されるように、制御装置242は、溶剤供給制御部244と、目標重量算出部246と、メモリ248と、増粘制御部424を備えている。制御装置242の目標重量算出部246、メモリ248および増粘制御部424は、増粘工程に関しては、制御装置42の目標重量算出部420、メモリ422および増粘制御部424と同様に機能するように構成されている。
【0090】
目標重量算出部246は、目標重量算出部420の機能に加えて、増粘工程後のレジストにどれだけの重量wの有機溶剤を添加すれば、レジストが所望の粘度η4になるかを算出する機構を備えている。また、メモリ248には、メモリ422の内容に加えて、有機溶剤の添加量wを算出するために必要なデータが記憶されている。さらに、溶剤供給制御部244は、入力装置44からの調整開始指令に応じて、溶剤供給信号を発して、溶剤供給装置50に、レジストの重量がW3+wすなわち溶剤添加後の目標重量W4になるまで、有機溶剤をレジストに添加させるように構成されている。
【0091】
次に、レジスト再生システム200を用いたレジスト再生の工程を説明する。まず、レジスト再生システム100と同様に、廃液として回収されたレジストの増粘工程が実施される。ただし、レジスト再生システム200では、目標粘度η2は、レジストを再使用するために必要な粘度より大きく設定される。
【0092】
増粘工程が終了し、レジストの温度が室温と同程度まで低下した後、レジストの調整工程が実施される。調整工程では、レジストは加熱されない。したがって、調整工程中、レジストの温度は、室温程度である。調整工程も制御装置242によって、制御される。
【0093】
制御装置242の制御によって行われる調整工程の内容を、図7に沿って説明する。図7は、調整工程において制御装置242が行う制御内容を示すフローチャートである。
【0094】
増粘工程が終了し、レジストの温度が室温と同程度まで低下すると、ウエイトセンサ24から、再生容器12内のレジストRの重量W3が、制御装置242の目標重量算出部246に入力される(S21)。次いで、オペレータによって測定された再生容器12内のレジストRの粘度η3(cp)と、調整工程におけるレジストの目標粘度η4(cp)とが、入力装置44を介して目標重量算出部246に入力される(S22)。ここで、W3、η3は、理論的には、増粘工程の目標重量W2および目標粘度η2と等しいはずであるが、実際には、加熱装置26停止後の余熱等の影響により、W2、η2と異なっている。したがって、調整工程における制御では、増粘工程が終了して室温まで温度が低下したレジストの粘度η3および重量W3を、粘度、重量の初期値として使用する。
【0095】
次いで、目標重量算出部246で、W3、η3およびη4、さらに、メモリ248内のデータに基づいて、溶剤添加後の目標重量W4が算出され(S23)、溶剤供給制御部244に送られる。この溶剤添加後の目標重量W4は、調整工程中に、再生容器12内のレジストRに重量wの有機溶剤が添加されて、再生容器12内のレジストRの粘度が目標粘度η4になった時の、レジストRの重量すなわちW3+wである。溶剤添加後の目標重量W4の算出方法については後述する。
【0096】
入力装置44を介して、調整開始指令が入力されると、溶剤供給制御部244が、溶剤供給信号を発して(S24)、溶剤供給装置50を作動させて、調整工程が実行される(S25)。調整工程は、溶剤添加後の目標重量W4を目標値として、レジストRの重量Wをモニタしながら行われる。
【0097】
調整工程中、溶剤供給制御部244は、ウエイトセンサ24から送られてくる再生容器12内のレジストRの重量Wを、W4と比較している(S26)。上述したように、調整工程中には、溶剤供給装置50により、有機溶剤が再生容器12内のレジストRに添加されるので、再生容器12内のレジストRは、その粘度ηが、徐々に、低下するとともに、その重量Wが増加していく。WがW4より小さい間は、溶剤供給が継続される(S25)。レジストRの重量WがW4と等しくなったとき、溶剤供給制御部244は、再生容器12内のレジストRが、目標粘度η4まで希釈されたと判定し、調整工程を終了させる。(S27)。すなわち、溶剤供給装置50の作動が停止させられる。
【0098】
その後、第2ポンプ34が作動させられ、再生容器12内のレジストRは、管路32を介して、再生レジスト容器14に移送される。この途中で、レジストは、第2フィルタ36によって濾過され、さらに、冷却装置38によって完全に冷却される。全てのレジストが再生レジスト容器14に移送されると再生工程が終了する。なお、レジスト再生システム200では、冷却装置38、あるいは、その作動を省略してもよい。
【0099】
レジスト再生システム200では、レジストの溶剤添加後の目標重量W4の算出は、目標重量算出部246において、以下のように行われる。図8は、この算出に用いられるレジストの粘度(縦軸)と添加される有機溶剤の重量(横軸)の関係を示すグラフである。粘度の表示単位をcpとし、重量の表示単位をgとしてある。
【0100】
このグラフは、再生するレジストと同じ種類のレジスト、溶剤を使用した実験に基づいて、予め作成されたものである。このグラフは、粘度の異なるレジスト、例えば5cp、6cp、7cp、8cp、9cp、10cpのレジストを、一定量(例えば10Kg)づつ用意し、それぞれに、有機溶剤を添加しながら、粘度を測定し、添加された有機溶剤の重量と、レジストの粘度の関係をプロットしていった検量線(g)〜(l)を示している。
【0101】
レジスト再生システム200では、このグラフに対応するデータが、制御装置242のメモリ248にマップ(あるいはテーブル)として記憶されている。そして、増粘工程後のレジストの粘度η3および重量W3と、目標粘度η4とが入力されると、目標重量算出部246が、メモリ248に記憶されている図8のグラフの内容を参照して、添加すべき有機溶剤の重量wを算出する。そして、W3にwを加えて、調整工程におけるレジストの目標重量(溶剤添加後の目標重量)W4が算出される。
【0102】
例えば、このグラフの検量線(j)によれば、重量W3が10Kg、粘度η3が8cpのレジストを、調整工程の目標粘度η4である粘度6cpまで希釈するためには、400gの有機溶剤を添加すれば良いことがわかる。したがって、添加する有機溶剤の重量wは400gであり、W4は、W3+400gと算出される。
【0103】
このようにして、調整工程における重量の初期値W3、粘度の初期値η3、および、粘度の目標値η4に基づいて、溶剤添加後の目標重量W4が算出される。また、重量の初期値W3が10Kgでない場合は、適当な係数を乗ずることにより、溶剤添加後の目標重量W4を算出することになる。
【0104】
このように構成されたレジスト再生システム200によれば、増粘工程において、最終的な目標粘度より粘度を高くしたレジストに、常温で、有機溶剤を添加する調整工程が実施される。したがって、レジストの粘度の高精度な調整が可能となる。
【0105】
レジスト再生システム200においても、溶剤添加後の目標重量W4の算出方法は、上述の算出方法に限定されるものではなく、他の算出方法であってもよい。
【0106】
この発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の変更・変形が可能である。例えば、上記第1および第2の実施の形態では、レジスト再生システムはレジスト塗布装置と別体である。しかしながら、この発明のレジスト再生システムは、レジスト塗布装置と一体的に設けられたものであってもよい。
【0107】
また、上記第1および第2の実施の形態では、レジスト再生システムの溶剤除去装置が加熱装置、攪拌装置を備えている。しかしながら、この発明の溶剤除去装置は、この構成に限定されるものではなく、レジストから溶剤を蒸発させることができるものであれば、どのような構成を備えていても良い。例えば、加熱装置を備え、攪拌装置を備えていない構成であってもよい。
【0108】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、レジストの有効利用を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態のレジスト再生システムの構成を概略的に示す図面である。
【図2】第1の実施の形態のレジスト再生システムの制御装置の主要部の構成を示すブロック図である。
【図3】第1の実施の形態のレジスト再生システムの制御装置が増粘工程において制御装置が行う制御内容を示すフローチャートである。
【図4】第1の実施の形態のレジスト再生システムにおいて、レジストの目標重量の算出に用いられるレジストの粘度と重量の関係を示すグラフである。
【図5】この発明の第2の実施の形態のレジスト再生システムの構成を示す概略図である。
【図6】第2の実施の形態のレジスト再生システムの制御装置の主要部の構成を示すブロック図である。
【図7】第2の実施の形態のレジスト再生システムの制御装置が調整工程において制御装置が行う制御内容を示すフローチャートである。
【図8】第2の実施の形態のレジスト再生システムにおいて、調整工程におけるレジストの目標重量の算出に用いられる、レジストの粘度と有機溶剤の添加量の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
10:回収容器
12:再生容器
14:再生レジスト容器
16:再生チャンバ
18:管路
20:第1ポンプ
22:第1フィルタ
24:ウエイトセンサ
26:加熱装置
28:攪拌装置
28a:攪拌部材
28b:駆動装置
30:温度測定装置
32:管路
34:第2ポンプ
36:第2フィルタ
38:冷却装置
40:排気装置
41:窒素ガス源
42:制御装置
44:入力装置
100:レジスト再生システム
420:目標重量算出部
422:メモリ
424:増粘制御部
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a resist regeneration system and a regeneration method, and more particularly to a resist regeneration system and a regeneration method used in lithography or the like used for semiconductor manufacturing.
[0002]
[Prior art]
In lithography and the like used for semiconductor manufacturing, a coating operation for applying a resist to a base surface is performed. This coating operation is generally performed using a spin coat type resist coating apparatus. In a spin coat type resist coating apparatus, a substrate having a base surface is spin chucked, and then several cc of resist is dropped onto the center of the base surface. Furthermore, the substrate is rotated, and the resist dropped onto the center of the base surface is spread over the entire base surface by centrifugal force to form a resist film on the base surface.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
At this time, the resist remaining as a film on the base surface is a few percent of the dropped resist, and most of the resist jumps out of the substrate by centrifugal force. This jumped out (spun out) resist is recovered as a waste liquid and discarded as an industrial waste.
[0004]
For example, when a resist film having a thickness of about 1 μm is formed on the surface of a 6-inch diameter wafer as a substrate, the amount of resist used as the film is about 0.018 cubic cm. When the coating is a liquid film, the amount of resist used as the coating is several times this value. However, since the amount of the resist dropped onto the wafer surface, which is the base surface, is 2 to 3 cc, in any case, at least 97 to 98 percent of the dropped resist is spun out from the wafer surface and collected in the recovery container. It is collected and discarded as waste liquid.
[0005]
Such a situation in which most of the resist is discarded without being effectively used is not preferable from the viewpoint of cost saving, effective use of resources, and environmental pollution by waste liquid.
[0006]
For this reason, the appearance of a reproduction system capable of effectively using the resist is desired.
[0007]
In this invention, after forming a film with a resist, cleaning liquid such as edge rinse and back rinse used for cleaning the edge and back surface of the base is the same component as the solvent of the resist, and the resist recovered as waste liquid is: This is made by paying attention to the resist diluted with the cleaning liquid. Then, by removing a predetermined amount of cleaning liquid (solvent) from the resist recovered as waste liquid, it is intended to make the recovered resist reusable and effectively use the resist.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The resist regeneration system of the present invention includes a regeneration container that contains and regenerates the resist recovered from the resist coating apparatus, a solvent removal apparatus that evaporates the solvent component from the resist in the regeneration container and removes a part of the solvent component, and a solvent. And a control device for controlling the operation of the removing device. In this resist regeneration system, the controller operates the solvent removal device to remove the solvent component from the resist until the resist viscosity reaches a reusable target viscosity.
[0009]
According to such a configuration, a part of the solvent component is removed from the collected resist, and the viscosity of the collected resist increases to a reusable viscosity (target viscosity).
[0010]
In carrying out this invention, a weight measuring device for measuring the weight of the resist in the regeneration container is provided, and the control device operates the solvent removing device based on the measurement result of the weight measuring device; Do .
[0011]
According to such a configuration, the operation of the solvent removing device is controlled based on the weight of the resist.
[0012]
In carrying out the present invention, the control device calculates the target weight of the resist after removing the solvent component based on the viscosity and weight of the resist before removing the solvent component and the target viscosity of the resist. It is good also as a structure which operates a solvent removal apparatus so that it may become weight.
[0013]
According to such a configuration, if the viscosity of the resist before solvent component removal, that is, the recovered resist is input, the solvent is automatically removed until the resist reaches the target viscosity.
[0014]
In practicing the present invention, it is preferable that the solvent removing device includes a heating device for heating the resist in the regeneration container.
[0015]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by heating the resist with the heating device.
[0016]
In carrying out the present invention, it is preferable that the solvent removing device includes a stirring device for stirring the resist in the regeneration container.
[0017]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by stirring the resist with the stirring device.
[0018]
Furthermore, when carrying out the present invention, it is preferable that the regeneration container is accommodated in a sealed regeneration chamber and an exhaust device for exhausting the interior of the regeneration chamber is provided.
[0019]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed from the resist. Further, by appropriately processing the gas in the regeneration chamber exhausted by the exhaust device, the solvent gas does not fill the space where the resist regeneration system is installed.
[0020]
In carrying out the present invention, a nitrogen gas source for supplying nitrogen gas may be provided in the regeneration chamber.
[0021]
According to such a configuration, the inside of the regeneration chamber becomes a nitrogen atmosphere. As a result, the collected resist is regenerated in the regeneration chamber without coming into contact with air. For this reason, the mixing of moisture into the resist is suppressed.
[0022]
In carrying out the present invention, a solvent supply device for adding a solvent to the resist in the regeneration container may be provided, and the control device may control the operation of the solvent supply device. In this configuration, the control device operates the solvent supply device to add the solvent to the resist until the resist from which the solvent component has been removed by the solvent removing device has a predetermined viscosity.
[0023]
According to such a configuration, the viscosity of the resist is adjusted again by adding a solvent to the resist after the solvent is removed, so that the viscosity is adjusted with higher accuracy.
[0024]
In carrying out the present invention, the control device may be configured to control the operation of the solvent supply device based on the measurement result of the weight measuring device.
[0025]
In carrying out the present invention, the control device calculates the resist weight after the addition of the solvent based on the viscosity and weight of the resist from which a part of the solvent component has been removed and the target viscosity after the addition of the solvent. The solvent supply apparatus may be operated so that the weight of the solvent becomes the target weight after the addition of the solvent.
[0026]
According to such a configuration, when the viscosity of the resist from which a part of the solvent component is removed is input, the solvent is automatically added until the resist has a predetermined viscosity.
[0027]
Furthermore, according to another aspect of the invention of this application, the resist viscosity recovered from the resist coating apparatus is accommodated in a regeneration container, and the solvent viscosity is evaporated from the resist in the regeneration container so that the resist viscosity can be reused. There is provided a method for increasing the resist regeneration.
[0028]
According to such a configuration, a part of the solvent component is removed from the recovered resist by evaporation, and the viscosity of the recovered resist is increased to a reusable viscosity (target viscosity).
[0029]
In practicing the present invention, the solvent component may be evaporated until the resist in the regeneration container reaches the target weight.
[0030]
According to such a configuration, the operation of the solvent supply device is controlled based on the weight of the resist in the regeneration container.
[0031]
In practicing the present invention, the resist target weight may be calculated based on the resist viscosity and weight before solvent component removal and the resist target viscosity.
[0032]
In practicing the present invention, the solvent component may be evaporated while heating the resist in the regeneration container.
[0033]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by heating the resist.
[0034]
In carrying out the present invention, the solvent component may be evaporated while stirring the resist in the regeneration container.
[0035]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by stirring the resist.
[0036]
Further, in carrying out the present invention, the regeneration container may be housed in a sealed regeneration chamber, and the evaporation of the solvent component may be performed while exhausting the regeneration chamber while supplying nitrogen gas into the regeneration chamber. Good.
[0037]
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed from the resist. Further, since the regeneration chamber has a nitrogen atmosphere, the recovered resist is regenerated in the regeneration chamber without coming into contact with air. For this reason, the mixing of moisture into the resist is suppressed. Furthermore, by appropriately processing the exhausted gas in the regeneration chamber, the solvent gas is not filled in the space where the resist regeneration is performed.
[0038]
In practicing the present invention, a solvent may be added to the resist with increased viscosity.
[0039]
According to such a configuration, the viscosity of the resist is adjusted again by adding a solvent to the resist after the solvent is removed, so that the viscosity is adjusted with higher accuracy.
[0040]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, each figure has shown only the magnitude | size, shape, and arrangement | positioning relationship of each component roughly to such an extent that this invention can be understood. Therefore, the present invention is not limited to the embodiment shown in the drawings.
[0041]
<First Embodiment>
FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of a resist regeneration system 100 according to a first embodiment of the present invention.
[0042]
The resist regeneration system 100 operates the solvent removing apparatus to evaporate a part of the solvent component from the resist recovered as a waste liquid, and removes this to increase (thicken) the viscosity of the resist. Is a system that makes it reusable. Therefore, the resist weight decreases during thickening. The resist regeneration system 100 increases the viscosity while monitoring the resist weight. When the resist weight decreases to the target value (target weight), it is determined that the resist has been increased to the desired viscosity (target viscosity). It is configured to end the thickening.
[0043]
First, the configuration of the resist reproduction system 100 will be described. The resist recycling system 100 includes a recovery container 10 for storing a resist recovered as a waste liquid, a recovery container 12 for recovering the recovered resist, and a recycled resist container 14 for storing the recovered resist. The collection container 10 contains the resist collected from a separate resist coating apparatus (not shown). The recovered resist is diluted with edge rinse, back rinse or the like, and its viscosity is smaller than the usable viscosity. The regeneration container 12 is disposed in a sealed regeneration chamber 16.
[0044]
The collection container 10 and the regeneration container 12 are connected by a pipe line 18. The pipe 18 is provided with a first pump 20 and a first filter 22 in order from the collection container 10 side. Therefore, the resist regeneration system 100 is configured such that the resist in the collection container 10 can be transferred to the regeneration container 12 by the first pump 20 while being filtered by the first filter 22.
[0045]
The regeneration container 12 is placed on the weight sensor 24 in the regeneration chamber 16. That is, a weight measuring device Is arranged. The resist regeneration system 100 is configured to always monitor the weight of the resist R in the regeneration container 12 by the weight sensor 24.
[0046]
A heating device 26 is provided adjacent to the regeneration container 12. The resist regeneration system 100 is configured to heat the resist R in the regeneration container 12 to a predetermined temperature by the heating device 26. The predetermined temperature is, for example, a temperature of about 30 to 40 ° C. Examples of the preferable heating device 26 include a hot plate and a thermostatic bath. By heating the resist by the heating device 26, evaporation of the solvent component from the resist is promoted. The heating device 26 constitutes a part of the solvent removing device.
[0047]
Further, the resist regeneration system 100 is provided with a stirring device 28 for stirring the resist R in the regeneration container 12. The stirrer 28 includes a propeller-shaped or screw-shaped stirrer 28a that rotates within the resist R, and a drive unit 28b that rotationally drives the stirrer 28a. However, the stirring device may have other configurations. By the stirring of the resist by the stirring device 28, the evaporation of the solvent component from the resist is promoted. The stirring device 28 constitutes a part of the solvent removing device.
[0048]
The regeneration container 12 is provided with a temperature measuring device 30 that measures the temperature of the resist R in the regeneration container 12.
[0049]
The regeneration container 12 and the regeneration resist container 14 are connected by a pipe line 32. A second pump 34, a second filter 36, and a cooling device 38 are provided in the pipeline 32 in order from the regeneration container 12 side. As described above, the resist regeneration system 100 filters the resist regenerated in the regeneration container 12 by the second filter 36 and then cools the resist to the room temperature by the cooling device 38, and then the regeneration resist container 14 by the second pump 34. It can be transported to.
[0050]
An exhaust device 40 is attached to the regeneration chamber 16. The exhaust device 40 is a suction or decompression device such as an exhaust pump, and discharges a gas such as solvent vapor in the sealed regeneration chamber 16 to the outside of the regeneration chamber 16. By the operation of the exhaust device 40, the evaporation of the solvent from the resist R in the regeneration container 12 is promoted.
[0051]
Further, a nitrogen gas source 41 is connected to the regeneration chamber 16. The nitrogen gas source 41 is configured to supply nitrogen gas into the regeneration chamber 16. Therefore, by operating the exhaust device 40 while operating the nitrogen gas source 41, the inside of the regeneration chamber 16 is purged with nitrogen gas. As a result, the regeneration of the resist in the regeneration container 12 is performed in a nitrogen atmosphere.
[0052]
In addition, the resist regeneration system 100 is provided with a control device 42 that controls the operation of the entire system.
[0053]
Connected to the control device 42 is an input device 44 through which an operator inputs necessary numerical values to the control device 42. The control device 42 is connected to the first pump 20, the second pump 34, the heating device 26, the exhaust device 40, and the nitrogen gas source 41, and is configured to control these operations. Further, the control device 42 is configured so that the weight of the resist R in the regeneration container 12 monitored by the weight sensor 24 and the temperature of the resist R in the regeneration container 12 measured by the temperature measuring device 30 are input. Has been.
[0054]
The control device 42 calculates the target weight W2 of the resist based on the viscosity η1 and weight W1 of the resist R transferred to the regeneration container 12 and the viscosity (target viscosity) η2 of the resist desired to be obtained by the thickening process. The thickening step is executed, and when the resist weight W reaches the target weight W2, it is determined that the resist viscosity has reached the target viscosity η2, and the thickening step is stopped.
[0055]
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of the control device 42. The control device 42 is configured by a microcomputer and includes a target weight calculation unit 420, a memory 422, and a thickening control unit 424, as shown in FIG.
[0056]
The target weight calculation unit 420 receives the weight W1 of the resist R transferred to the regeneration container 12 from the weight sensor 24, the viscosity η1 of the resist R transferred to the regeneration container 12, and the resist desired to be obtained by the resist regeneration system 100. The viscosity (target viscosity) η2 is input via the input device 44. Furthermore, the target weight calculation unit 420 is configured to calculate the target weight W2 based on the weight W1 and viscosity η1 of the resist R and the target viscosity η2.
[0057]
The memory 422 stores data necessary for calculating the target weight W2.
[0058]
In response to the thickening execution command from the input device 44, the thickening control unit 424 issues a thickening execution signal for operating the solvent removal device such as the heating device 26 and the stirring device 28 to start the thickening process. It is configured as follows. Further, the thickening control unit 424 compares the current weight W of the resist R in the regeneration container 12 with the target weight W2, and when W and W2 become equal, the resist R in the regeneration container 12 It is determined that the viscosity η2 has been reached, the operation of the solvent removing device such as the heating device 26 and the stirring device 28 is stopped, and the thickening step is terminated.
[0059]
Next, a resist regeneration process performed by the resist regeneration system 100 will be described. First, the control device 42 operates the first pump 20 to transfer the resist in the collection container 10 to the regeneration container 12 through the pipe line 18. The resist in the collection container 10 is a resist whose viscosity is lowered by being diluted with a cleaning liquid such as back rinse or edge rinse.
[0060]
In the resist regeneration system 100, the control device 42 operates the exhaust device 40 and the nitrogen gas source 41 during the resist regeneration process, purges the interior of the regeneration chamber 16 with nitrogen gas, and makes the interior of the regeneration chamber 16 a nitrogen atmosphere. .
[0061]
The resist in the collection container 10 is filtered by the first filter 22 while being transferred to the regeneration container 12, and solid impurities are removed. In this embodiment, the resist is a positive resist. However, the present invention is also applicable to negative resists.
[0062]
Back rinse and edge rinse are the same components as the resist solvent. Examples of back rinse, edge rinse and resist solvents include ECA (ethylene glycol monoethyl ether acetate), EL (ethyl lactate), EEP (ethyl-3-ethoxypropionate), MMP (methyl-3-methoxypropioate). Nate), MAK (methyl amyl ketone (2-heptanone)), PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate).
[0063]
Next, a thickening step is performed. In this thickening step, the resist R in the regeneration container 12 is heated while stirring under the control of the control device 42, thereby evaporating the solvent components such as back rinse and edge rinse that have diluted the resist from the recovered resist. And increase the viscosity of the resist to a reusable viscosity.
[0064]
As described above, in this thickening step, the weight W of the resist R in the regeneration container 12 decreases. In the resist regeneration system 100, when the controller 42 monitors the weight W of the resist R in the regeneration container 12, a thickening process is performed, and the resist R is desired when the weight W of the resist R decreases to the target value W2. It is determined that the viscosity has been increased to η2 (target viscosity) η2, and the thickening process ends.
[0065]
Next, the content of the thickening process performed by control of the control apparatus 42 is demonstrated along FIG. FIG. 3 is a flowchart showing the contents of control performed by the control device 42 in the thickening process.
[0066]
When the transfer of the resist to the regeneration container 12 is completed, the weight W1 of the resist R in the regeneration container 12 is input from the weight sensor 24 to the target weight calculation unit 420 of the control device 42 (S1). Next, the viscosity η1 (cp) of the resist R in the regeneration container 12 and the target viscosity η2 (cp) of the resist measured by the operator are input to the target weight calculation unit 420 via the input device 44 (S2). ).
[0067]
Next, the target weight calculation unit 420 calculates the target weight W2 based on W1, η1, and η2 and the data in the memory 422 (S3), and sends the target weight W2 to the thickening control unit 424. The target weight W2 is a value obtained when the solvent component such as back rinse is evaporated from the resist R in the regeneration container 12 during the thickening process, and the viscosity of the resist R in the regeneration container 12 becomes the target viscosity η2. This is the weight of the resist R. A method for calculating the target weight W2 will be described later. Since the resist R transferred to the regeneration container 12 includes back rinse and the like, the relationship of W1> W2 is established.
[0068]
When a thickening start command is input via the input device 44, the thickening control unit 424 issues a thickening execution signal (S4), and the solvent removing device configured by the heating device 26, the stirring device 28, and the like. Is activated to execute the thickening step (S5). The thickening step is performed while monitoring the weight W of the resist R with the target weight W2 as a target value.
[0069]
During the thickening step, the resist R in the regeneration container 12 is maintained at a constant temperature of, for example, 30 ° C. to 40 ° C. by the heating device 26 and the temperature measuring device 30 and is stirred by the stirring device 28. Further, nitrogen gas is supplied from the nitrogen gas source 41 into the regeneration chamber 16, and the gas in the regeneration chamber 16 is exhausted outside the regeneration chamber 16 by the exhaust device 40. The operations of the heating device 26, the stirring device 28, the exhaust device 40, the nitrogen gas source 41, and the like are also controlled by the control device 42.
[0070]
During the thickening process, the thickening control unit 424 compares the weight W of the resist R in the regeneration container 12 sent from the weight sensor 24 with W2 (S6). As described above, during the thickening step, the resist R in the regeneration container 12 is stirred while being maintained at a predetermined temperature. Therefore, during the thickening step, solvent components such as back rinse that diluted the resist are evaporated, and the viscosity η of the resist increases and the weight W decreases. While W is larger than W2, thickening is continued (S5). When the weight W of the resist R becomes equal to W2, the thickening control unit 424 determines that the resist R in the regeneration container 12 has been thickened to the target viscosity η2, and ends the thickening process (S7). That is, the operations of the heating device 26 and the stirring device 28 are stopped.
[0071]
Thereafter, the second pump 34 is operated, and the resist R in the regeneration container 12 is transferred to the regeneration resist container 14 via the pipe line 32. In the middle of this, the resist is filtered by the second filter 36 and further cooled to room temperature by the cooling device 38 to stop the thickening completely. When all the resist is transferred to the regenerated resist container 14, the regeneration process is completed.
[0072]
In the resist regeneration system 100, the target weight W2 of the resist is calculated in the target weight calculation unit 420 as follows. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the viscosity (vertical axis) and weight (horizontal axis) of the resist used for this calculation. The unit of viscosity is cp and the unit of weight is Kg.
[0073]
This graph was created based on an experiment using the same type of resist and solvent as the resist to be reproduced. That is, this graph shows that resists having different viscosities, such as resists of 2 cp, 4 cp, 6 cp, 8 cp, 10 cp, and 12 cp, are prepared in a fixed amount (for example, 10 kg), and the viscosity and weight of each are heated and stirred. The calibration curves (a) to (f) are shown in which the viscosity and weight changes were plotted.
[0074]
In the resist reproduction system 100, data corresponding to this graph is stored as a map (or table) in the memory 422 of the control device. When the initial value η1, the target viscosity η2, and the initial weight value W1 of the resist are input, the target weight calculation unit 420 refers to the contents of this graph stored in the memory 422 and sets the target A weight W2 is calculated.
[0075]
For example, according to the calibration curve (a) of this graph, in order to thicken a resist having an initial weight value W1 of 10 kg and an initial viscosity value η1 of 2 cp to a target viscosity η2 of 6 cp, the weight W It can be seen that the resist thickening process may be continued until the amount reaches 6 kg. In this way, the target weight W2 is calculated based on the initial weight value W1, the initial viscosity value η1, and the target viscosity value η2. When the initial weight value W1 is not 10 kg, the target weight W2 is calculated by multiplying by an appropriate coefficient.
[0076]
According to the resist regeneration system 100 configured in this way, the viscosity η1 of the resist R accommodated in the regeneration container 12 is measured, and by inputting the η1 and the target viscosity η2, the resist recovered as waste liquid can be obtained in a desired manner. The viscosity can be increased automatically up to the viscosity.
[0077]
The present invention is not limited to a system that uses the above-described W2 calculation method, and other W2 calculation methods may be adopted. For example, the following W2 calculation method may be used.
[0078]
The relationship between the resist concentration x and the viscosity y (cp) is expressed by the following approximate expression.
[0079]
y = Aexp (Bx) (A and B are constants)
Therefore, the concentration (initial concentration) C1 of the resist R before the thickening step can be calculated from the viscosity (initial value) η1 of the resist in the regeneration container 12. Similarly, the resist concentration (target concentration) C2 when the resist reaches the target viscosity η2 (after the thickening step) can be calculated.
[0080]
The resist concentration C is a weight ratio indicating how much solid component is contained in the resist, so that C = W solid / W (W solid Is the solid component weight in the resist, and W is the total weight of the resist).
[0081]
Therefore, for the resist before the thickening step, C1 = W1 solid / W1 is C2 = W2 for the resist after the thickening step solid / W2 is established. Where W1 solid Is the weight of the solid component in the resist before the thickening step, and W2 solid Is the weight of the solid component in the resist after the thickening step. Since the thickening step is an operation of evaporating liquid components (solvent components) such as edge rinse from the resist, the weight of the solid component contained in the resist does not change before and after the thickening step. Therefore, W1 solid Is W2 solid Is equal to C1 and C2 are calculated from the approximate expression, and W1 can be measured by a weight sensor or the like.
[0082]
Therefore, the formula C1 = W1 for the resist before the thickening step solid / W1 to W1 solid To calculate W1 solid For the resist after the thickening step C2 = W2 solid / W2 W2 solid By substituting into, the target weight W2 can be calculated.
[0083]
When this calculation method is employed, the approximate expression is stored in the memory 422 of the control device 42. Then, the target weight calculation unit 420 calculates the target weight W2 in the above-described process using the input W1, η1, and η2 and the approximate expression in the memory 422.
[0084]
According to this calculation method, even if the initial value η1 of the resist viscosity is a value including a fraction of 2.36, for example, the target weight W2 can be calculated accurately and quickly.
[0085]
<Second Embodiment>
FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of a resist regeneration system 200 according to the second embodiment of the present invention.
[0086]
As shown in FIG. 5, the resist regeneration system 200 basically has the same configuration as the resist regeneration system 100. In addition to the configuration of the resist regeneration system 100, the resist regeneration system 200 includes a solvent supply device 50 for adding a solvent to the thickened resist. Then, the resist regeneration system 200 increases the resist viscosity to a viscosity higher than the desired viscosity by a thickening process similar to the thickening process performed in the resist regeneration system 100, and then adds a solvent to the resist. It is a resist regeneration system that performs an adjustment process for obtaining a resist having a desired viscosity. Hereinafter, the configuration and operation of the resist reproduction system 200 will be described focusing on this difference. In addition, about the component which is common in the resist reproduction | regeneration system 100, the same code | symbol is attached | subjected and the description is abbreviate | omitted.
[0087]
The resist regeneration system 200 includes a solvent supply device 50 in addition to the configuration of the resist regeneration system 100. The solvent supply device 50 includes a solvent tank that stores an organic solvent having the same component as the solvent of the resist, and a pump that sends the organic solvent stored in the solvent tank to the resist R in the regeneration container 12 through the pipe line 52. Is included. The solvent supply device 50 is mechanically connected to the regeneration container 12 by a pipe line 52. Further, the solvent supply device 50 is electrically connected to a control device 242 that controls the operation of the entire system of the resist regeneration system 200. Under the control of the control device 242, the organic solvent in the solvent tank is removed from the resist in the regeneration container 12. It is configured to be added to R. The addition amount of the organic solvent is calculated by the control device 242.
[0088]
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of the control device 242. As shown in FIG. 6, the control device 242 has substantially the same configuration as the control device 42 of the resist regeneration system 100. The control device 242 is different from the control device 42 in configuration in that it includes a solvent supply control unit 244. In addition, the control device 242 is different from the control device 42 in operation in that the addition amount w of the organic solvent is calculated based on the resist weight W3, the viscosity η3, and the target viscosity η4 after the thickening step. The supply device 50 is operated, and the adjustment process for adding the organic solvent to the resist is performed until the weight of the resist reaches the target weight W3 + w (W4) after the addition of the solvent. Hereinafter, the configuration of the control device 242 will be described focusing on the differences.
[0089]
As shown in FIG. 6, the control device 242 includes a solvent supply control unit 244, a target weight calculation unit 246, a memory 248, and a viscosity increase control unit 424. The target weight calculation unit 246, the memory 248, and the thickening control unit 424 of the control device 242 function in the same manner as the target weight calculation unit 420, the memory 422, and the thickening control unit 424 of the control device 42 regarding the thickening process. It is configured.
[0090]
In addition to the function of the target weight calculation unit 420, the target weight calculation unit 246 calculates how much weight w of the organic solvent is added to the resist after the thickening step so that the resist has a desired viscosity η4. It has a mechanism. In addition to the contents of the memory 422, the memory 248 stores data necessary for calculating the addition amount w of the organic solvent. Further, the solvent supply control unit 244 issues a solvent supply signal in response to the adjustment start command from the input device 44, until the weight of the resist reaches the solvent supply device 50 to W3 + w, that is, the target weight W4 after the addition of the solvent. The organic solvent is added to the resist.
[0091]
Next, a resist regeneration process using the resist regeneration system 200 will be described. First, as in the resist regeneration system 100, a thickening process for resist collected as waste liquid is performed. However, in the resist regeneration system 200, the target viscosity η2 is set to be larger than the viscosity necessary for reusing the resist.
[0092]
After the thickening step is completed and the temperature of the resist is lowered to the same level as the room temperature, a resist adjustment step is performed. In the adjustment step, the resist is not heated. Therefore, the temperature of the resist is about room temperature during the adjustment process. The adjustment process is also controlled by the control device 242.
[0093]
The content of the adjustment process performed by control of the control apparatus 242 is demonstrated along FIG. FIG. 7 is a flowchart showing the contents of control performed by the control device 242 in the adjustment process.
[0094]
When the thickening process is completed and the temperature of the resist is lowered to about the room temperature, the weight W3 of the resist R in the regeneration container 12 is input from the weight sensor 24 to the target weight calculation unit 246 of the control device 242 ( S21). Next, the viscosity η3 (cp) of the resist R in the regeneration container 12 measured by the operator and the target viscosity η4 (cp) of the resist in the adjustment process are input to the target weight calculation unit 246 via the input device 44. (S22). Here, W3 and η3 should theoretically be equal to the target weight W2 and the target viscosity η2 of the thickening process, but in reality, W2 and η2 are affected by the effect of residual heat after the heating device 26 is stopped. Is different. Therefore, in the control in the adjustment step, the viscosity η3 and weight W3 of the resist whose temperature has been lowered to room temperature after the thickening step is completed are used as initial values of the viscosity and weight.
[0095]
Next, the target weight calculation unit 246 calculates W3, η3 and η4, and the target weight W4 after addition of the solvent based on the data in the memory 248 (S23), and sends it to the solvent supply control unit 244. The target weight W4 after the addition of the solvent is determined when the organic solvent having a weight w is added to the resist R in the regeneration container 12 during the adjustment process, and the viscosity of the resist R in the regeneration container 12 reaches the target viscosity η4. The weight of the resist R, that is, W3 + w. A method for calculating the target weight W4 after the addition of the solvent will be described later.
[0096]
When an adjustment start command is input via the input device 44, the solvent supply control unit 244 issues a solvent supply signal (S24), operates the solvent supply device 50, and executes the adjustment process (S25). ). The adjustment process is performed while monitoring the weight W of the resist R using the target weight W4 after the addition of the solvent as a target value.
[0097]
During the adjustment process, the solvent supply control unit 244 compares the weight W of the resist R in the regeneration container 12 sent from the weight sensor 24 with W4 (S26). As described above, since the organic solvent is added to the resist R in the regeneration container 12 by the solvent supply device 50 during the adjustment process, the viscosity R of the resist R in the regeneration container 12 gradually increases. As it decreases, its weight W increases. While W is smaller than W4, the solvent supply is continued (S25). When the weight W of the resist R becomes equal to W4, the solvent supply control unit 244 determines that the resist R in the regeneration container 12 has been diluted to the target viscosity η4, and ends the adjustment process. (S27). That is, the operation of the solvent supply device 50 is stopped.
[0098]
Thereafter, the second pump 34 is operated, and the resist R in the regeneration container 12 is transferred to the regeneration resist container 14 via the pipe line 32. In the middle of this, the resist is filtered by the second filter 36 and further completely cooled by the cooling device 38. When all the resist is transferred to the regenerated resist container 14, the regeneration process is completed. In the resist regeneration system 200, the cooling device 38 or its operation may be omitted.
[0099]
In the resist regeneration system 200, the target weight W4 after the solvent addition of the resist is calculated in the target weight calculation unit 246 as follows. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the viscosity of the resist (vertical axis) and the weight of the added organic solvent (horizontal axis) used for this calculation. The unit for displaying viscosity is cp, and the unit for displaying weight is g.
[0100]
This graph is prepared in advance based on an experiment using the same type of resist and solvent as the resist to be regenerated. In this graph, resists having different viscosities, for example, 5 cp, 6 cp, 7 cp, 8 cp, 9 cp, and 10 cp resists are prepared in a certain amount (for example, 10 kg), and the viscosity is measured while adding an organic solvent to each. Calibration curves (g) to (l) are plotted in which the relationship between the weight of the added organic solvent and the viscosity of the resist is plotted.
[0101]
In the resist reproduction system 200, data corresponding to this graph is stored as a map (or table) in the memory 248 of the control device 242. Then, when the viscosity η3 and weight W3 of the resist after the thickening step and the target viscosity η4 are input, the target weight calculation unit 246 refers to the content of the graph of FIG. 8 stored in the memory 248. The weight w of the organic solvent to be added is calculated. Then, w is added to W3, and the resist target weight (target weight after addition of the solvent) W4 in the adjustment step is calculated.
[0102]
For example, according to the calibration curve (j) of this graph, 400 g of organic solvent is added to dilute a resist having a weight W3 of 10 kg and a viscosity η3 of 8 cp to a viscosity of 6 cp, which is the target viscosity η4 of the adjustment process. You can see that Therefore, the weight w of the organic solvent to be added is 400 g, and W4 is calculated as W3 + 400 g.
[0103]
In this manner, the target weight W4 after the addition of the solvent is calculated based on the initial weight value W3, the initial viscosity value η3, and the target viscosity value η4 in the adjustment step. If the initial weight value W3 is not 10 kg, the target weight W4 after the addition of the solvent is calculated by multiplying by an appropriate coefficient.
[0104]
According to the resist regeneration system 200 configured as described above, in the thickening step, the adjustment step of adding an organic solvent to the resist having a viscosity higher than the final target viscosity is performed at room temperature. Therefore, the viscosity of the resist can be adjusted with high accuracy.
[0105]
Also in the resist regeneration system 200, the calculation method of the target weight W4 after the addition of the solvent is not limited to the above calculation method, and may be another calculation method.
[0106]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various changes and modifications can be made within the scope of the matters described in the claims. For example, in the first and second embodiments, the resist recycling system is separate from the resist coating apparatus. However, the resist recycling system of the present invention may be provided integrally with the resist coating apparatus.
[0107]
In the first and second embodiments, the solvent removal device of the resist regeneration system includes the heating device and the stirring device. However, the solvent removing apparatus of the present invention is not limited to this configuration, and may have any configuration as long as the solvent can be evaporated from the resist. For example, the structure provided with the heating apparatus and not provided with the stirring apparatus may be sufficient.
[0108]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the resist can be effectively used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of a resist regeneration system according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a control device of the resist regeneration system according to the first embodiment.
FIG. 3 is a flowchart showing the contents of control performed by the control device in the thickening process by the control device of the resist regeneration system according to the first embodiment;
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the viscosity and weight of a resist used for calculating the target weight of the resist in the resist regeneration system according to the first embodiment.
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a resist regeneration system according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a control device of a resist regeneration system according to a second embodiment.
FIG. 7 is a flowchart showing the contents of control performed by the control device in the adjustment process by the control device of the resist regeneration system according to the second embodiment.
FIG. 8 is a graph showing the relationship between the viscosity of a resist and the amount of an organic solvent used for calculating the target weight of the resist in the adjustment step in the resist regeneration system of the second embodiment.
[Explanation of symbols]
10: Collection container
12: Recycle container
14: Recycled resist container
16: Regeneration chamber
18: Pipe line
20: First pump
22: First filter
24: Weight sensor
26: Heating device
28: Stirrer
28a: stirring member
28b: Drive device
30: Temperature measuring device
32: Pipe line
34: Second pump
36: Second filter
38: Cooling device
40: Exhaust device
41: Nitrogen gas source
42: Control device
44: Input device
100: Resist regeneration system
420: Target weight calculation unit
422: Memory
424: Thickening control unit

Claims (15)

レジスト塗布装置から回収したレジストを収容して再生する再生容器と、
該再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させて該溶剤成分の一部分を除去する溶剤除去装置と、
前記再生容器内の前記レジストの重量を測定する重量測定装置と、
前記溶剤除去装置の作動を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置が、前記重量測定装置の測定結果が目標重量となり、前記レジストの粘度が再使用可能な目標粘度になるまで、該レジストから溶剤成分を除去するように前記溶剤除去装置を作動させることを特徴とするレジスト再生システム。
A recycling container for storing and recycling the resist recovered from the resist coating apparatus;
A solvent removal device for removing a part of the solvent component by evaporating the solvent component from the resist in the regeneration container;
A weight measuring device for measuring the weight of the resist in the regeneration container;
A control device for controlling the operation of the solvent removal device,
Wherein the controller, the measurement results of the weight measuring apparatus is the target weight, the viscosity of the resist until the target viscosity reusable, Ru actuates the solvent remover to remove solvent component from the resist resist playback system which is characterized a call.
請求項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記制御装置が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重量とレジストの目標粘度とに基づいて、溶剤成分除去後のレジストの目標重量を算出し、前記レジストの重量が前記目標重量になるように前記溶剤除去装置を作動させることを特徴とするレジスト再生システム。
The resist regeneration system according to claim 1 ,
The control device calculates the target weight of the resist after removal of the solvent component based on the viscosity and weight of the resist before removal of the solvent component and the target viscosity of the resist so that the weight of the resist becomes the target weight. A resist recycling system, wherein the solvent removing apparatus is operated.
請求項1または請求項2に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記溶剤除去装置が、前記再生容器内のレジストを加熱する加熱装置を備えていることを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist regeneration system according to claim 1 or 2 ,
The resist regeneration system, wherein the solvent removing device includes a heating device for heating the resist in the regeneration container.
請求項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記溶剤除去装置が、前記再生容器内のレジストを攪拌する攪拌装置を備えていることを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist regeneration system according to claim 3 ,
The resist removal system, wherein the solvent removing device includes a stirring device for stirring the resist in the regeneration container.
請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、
前記再生チャンバ内を排気する排気装置を備えていることを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist regeneration system according to any one of claims 1 to 4 ,
The regeneration container is housed in a sealed regeneration chamber;
A resist regeneration system comprising an exhaust device for exhausting the regeneration chamber.
請求項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記再生チャンバ内に窒素ガスを供給する窒素ガス源を備えていることを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist regeneration system according to claim 5 ,
A resist regeneration system comprising a nitrogen gas source for supplying nitrogen gas into the regeneration chamber.
請求項1ないし請求項のいずれか1項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記再生容器内のレジストに溶剤を添加する溶剤供給装置を備え、
前記制御装置が、該溶剤供給装置の作動を制御し、
前記制御装置が、前記溶剤除去装置により溶剤成分が除去されたレジストが所定粘度になるまで該レジストに溶剤を添加するように、前記溶剤供給装置を作動させることを特徴とするレジスト再生システム。
The resist regeneration system according to any one of claims 1 to 6 ,
A solvent supply device for adding a solvent to the resist in the regeneration container;
The control device controls the operation of the solvent supply device;
The resist regeneration system, wherein the control device operates the solvent supply device so as to add the solvent to the resist from which the solvent component has been removed by the solvent removing device until the resist has a predetermined viscosity.
請求項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記制御装置が、前記重量測定装置の測定結果に基づいて、前記溶剤供給装置の作動を制御することを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist reproduction system according to claim 7 ,
The resist regeneration system, wherein the control device controls the operation of the solvent supply device based on a measurement result of the weight measuring device.
請求項に記載のレジスト再生システムにおいて、
前記制御装置が、溶剤成分の一部分が除去されたレジストの粘度および重量と溶剤添加後の目標粘度とに基づいて、溶剤添加後の目標重量を算出し、前記レジストの重量が前記溶剤添加後の目標重量になるように前記溶剤供給装置を作動させることを特徴とするレジスト再生システム。
In the resist regeneration system according to claim 8 ,
The control device calculates a target weight after addition of the solvent based on the viscosity and weight of the resist from which a part of the solvent component has been removed and the target viscosity after addition of the solvent, and the weight of the resist is calculated after the addition of the solvent. A resist regeneration system, wherein the solvent supply device is operated so as to achieve a target weight.
レジスト塗布装置から回収したレジストを再生容器に収容し、
前記再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させてレジストの粘度を再使用可能な目標粘度まで増大させ
記溶剤成分の蒸発が、前記再生容器内のレジストが、重量測定装置の測定結果に基づいて、目標重量になるまで行われることを特徴とするレジスト再生方法。
The resist collected from the resist coating device is stored in a recycling container,
Evaporating the solvent component from the resist in the regeneration container to increase the viscosity of the resist to a reusable target viscosity ;
Resist reproducing method evaporate before Symbol solvent component, the resist of the reproduction vessel, based on the measurement results of the weighing device, characterized in that it is carried out until the target weight.
請求項10に記載のレジスト再生方法において、
前記目標重量が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重量と前記目標粘度とに基づいて算出されることを特徴とするレジスト再生方法。
The resist regeneration method according to claim 10 , wherein
The resist regeneration method characterized in that the target weight is calculated based on the viscosity and weight of the resist before removal of the solvent component and the target viscosity.
請求項11に記載のレジスト再生方法において、
前記溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを加熱しながら行なわれることを特徴とするレジスト再生方法。
The resist regeneration method according to claim 11 ,
2. A resist regeneration method, wherein the solvent component is evaporated while heating the resist in a regeneration container.
請求項12に記載のレジスト再生方法において、
前記溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを攪拌しながら行なわれることを特徴とするレジスト再生方法。
The resist regeneration method according to claim 12 ,
A resist regeneration method, wherein the solvent component is evaporated while stirring the resist in a regeneration container.
請求項12または請求項13に記載のレジスト再生方法において、
前記再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、
前記溶剤成分の蒸発が、前記再生チャンバ内に窒素ガスを供給しつつ、前記再生チャンバ内を排気しながら行われることを特徴とするレジスト再生方法。
The resist regeneration method according to claim 12 or 13 ,
The regeneration container is housed in a sealed regeneration chamber;
The resist regeneration method characterized in that evaporation of the solvent component is performed while exhausting the regeneration chamber while supplying nitrogen gas into the regeneration chamber.
請求項10ないし請求項14のいずれか1項に記載のレジスト再生方法において、
前記粘度を増大させたレジストに溶剤を添加することを特徴とするレジスト再生方法。
The resist regeneration method according to any one of claims 10 to 14 ,
A method of regenerating a resist, comprising adding a solvent to the resist having an increased viscosity.
JP4748798A 1998-02-27 1998-02-27 Resist regeneration system and resist regeneration method Expired - Fee Related JP3751435B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4748798A JP3751435B2 (en) 1998-02-27 1998-02-27 Resist regeneration system and resist regeneration method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4748798A JP3751435B2 (en) 1998-02-27 1998-02-27 Resist regeneration system and resist regeneration method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11245226A JPH11245226A (en) 1999-09-14
JP3751435B2 true JP3751435B2 (en) 2006-03-01

Family

ID=12776487

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4748798A Expired - Fee Related JP3751435B2 (en) 1998-02-27 1998-02-27 Resist regeneration system and resist regeneration method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3751435B2 (en)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100474544B1 (en) * 1999-11-12 2005-03-08 주식회사 하이닉스반도체 Photoresist composition for Top-surface Imaging Process by Silylation
JP4704496B2 (en) * 2002-12-13 2011-06-15 大日本印刷株式会社 Photoreactive compound for color-splitting light transmission structure and color-splitting light transmission structure
JP4580637B2 (en) * 2002-12-13 2010-11-17 大日本印刷株式会社 Adjusted light-reactive compound for color-splitting light transmission structures
JP5249593B2 (en) * 2008-01-28 2013-07-31 東京応化工業株式会社 Resist solution recovery method
JP5297658B2 (en) * 2008-01-28 2013-09-25 東京応化工業株式会社 Resist liquid supply and recovery system
JP5433279B2 (en) * 2009-03-31 2014-03-05 東京応化工業株式会社 Method for producing recycled resist
JP5359772B2 (en) * 2009-10-21 2013-12-04 凸版印刷株式会社 Method for removing moisture in resist and resist coating apparatus
JP6222887B2 (en) * 2011-12-08 2017-11-01 東京応化工業株式会社 Recycled resist manufacturing method and resist recycling method
KR20180001627U (en) * 2016-11-23 2018-05-31 주식회사 루브캠코리아 Decompression device for grease and grease oil additives and fabricating method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11245226A (en) 1999-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3751435B2 (en) Resist regeneration system and resist regeneration method
JP4475664B2 (en) Cleaning liquid for photolithography and method for circulating the same
JP6444698B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI495967B (en) Photoresist stripping solution, stripping liquid recovery system and operation method and stripping liquid recovery method
JP4975790B2 (en) Resist solution supply apparatus, resist solution supply method, program, and computer storage medium
TW201911366A (en) Substrate processing method, substrate processing liquid, and substrate processing apparatus
JP2006303316A (en) Supercritical processing method and device
CN107785292B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2015028987A (en) Developing method, program, computer storage medium and developing apparatus
JP3914722B2 (en) Water-based resist stripping solution management apparatus and water-based resist stripping solution management method
KR102153767B1 (en) Substrate processing method, computer storage medium and substrate processing system
JP5018388B2 (en) Coating, developing device, coating, developing method and storage medium
JPH08203804A (en) Manufacture of flat panel display apparatus
JP4188294B2 (en) Photoresist regeneration process
KR100798590B1 (en) Process for photoresist regeneration and system thereof
JP2992206B2 (en) Substrate processing equipment
JPH0982602A (en) Resist regeneration and apparatus thereof
JP2003151901A (en) Method for treating resist
JPH11156280A (en) Substrate treating device
US6924157B1 (en) Real time particle monitor inside of plasma chamber during resist strip processing
JP6222887B2 (en) Recycled resist manufacturing method and resist recycling method
WO2024085016A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment device
JP2002023388A (en) Organic solvent recovering device and pattern forming method using this device
JP3581274B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPWO2007004612A1 (en) Manufacturing method of substrate in which organic substance concentration in stripper is controlled

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 19980227

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20020206

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050708

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050816

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051011

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081216

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121216

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121216

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131216

Year of fee payment: 8

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees