JPH11245226A - Resist regenerating system and resist regenerating method - Google Patents

Resist regenerating system and resist regenerating method

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JPH11245226A
JPH11245226A JP4748798A JP4748798A JPH11245226A JP H11245226 A JPH11245226 A JP H11245226A JP 4748798 A JP4748798 A JP 4748798A JP 4748798 A JP4748798 A JP 4748798A JP H11245226 A JPH11245226 A JP H11245226A
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JP
Japan
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resist
solvent
regenerating
weight
viscosity
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Yasuharu Ota
泰晴 太田
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Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a regenerative system and a regenerative method which can attempt the effective utilization of a resist. SOLUTION: This resist regenerating system 100 is equipped with a regeneration container 12 for regenerating a resist recovered from a resist applicator, a solvent removing apparatuses 26, 28 for evaporating the solvent component of the resist R in the container 12 to remove part of the solvent component, and a controller 24 for controlling the operation of the apparatuses 26, 28, which are operated to remove the solvent component from the resist until the viscosity of the resist reaches a target value which allows the resist to be used again by the controller 24.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、レジストの再生
システムおよび再生方法に関し、詳細には、半導体製造
に利用されるリソグラフィ等で使用するレジストの再生
システムおよび再生方法に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a resist reproducing system and a reproducing method, and more particularly to a resist reproducing system and a reproducing method used in lithography and the like used in semiconductor manufacturing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造に利用されるリソグラフィ等
では、レジストを下地面に塗布するコーティング作業が
行われる。このコーティング作業は、スピンコート方式
のレジスト塗布装置を用いて行われるのが一般的であ
る。スピンコート方式のレジスト塗布装置では、下地面
を有する基板がスピンチャックされ、次いで、下地面中
央にレジストが数cc滴下される。さらに、基板が回転
させられて、下地面中央に滴下されたレジストを、遠心
力により、下地面全体に行き渡らせ、下地面にレジスト
の被膜を形成している。
2. Description of the Related Art In lithography and the like used in semiconductor manufacturing, a coating operation for applying a resist to a base surface is performed. This coating operation is generally performed using a spin coating type resist coating apparatus. In a spin coating type resist coating apparatus, a substrate having an underlayer is spin-chucked, and then several cc of resist is dropped at the center of the underlayer. Furthermore, the substrate is rotated, and the resist dropped at the center of the base surface is spread over the entire base surface by centrifugal force to form a resist coating on the base surface.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このとき、下地面上に
被膜として残るレジストは、滴下されたレジストの数パ
ーセントであり、レジストの大部分は、遠心力で基板か
ら飛び出してしまう。この飛び出した(スピンアウトし
た)レジストは、廃液として回収され、産業廃棄物とし
て廃棄されている。
At this time, the resist remaining as a film on the base surface is only a few percent of the dropped resist, and most of the resist jumps out of the substrate due to centrifugal force. The resist that jumps out (spins out) is collected as a waste liquid and is discarded as industrial waste.

【0004】例えば、基板である直径6インチのウエハ
の表面に厚さ約1μmのレジスト被膜を形成する場合、
被膜として使用されるレジストの量は、約0.018立
方cmである。また、被膜が液状膜であるときには、被
膜として使用されるレジストの量は、この値の数倍にな
る。しかしながら、下地面であるウエハ面に滴下された
レジストの量は2〜3ccであるので、いずれの場合に
おいても、滴下されたレジストの少なくとも97〜98
パーセントが、ウエハ面からスピンアウトされて回収容
器に回収され、廃液として廃棄されていることになる。
For example, when a resist film having a thickness of about 1 μm is formed on the surface of a wafer having a diameter of 6 inches as a substrate,
The amount of resist used as a coating is about 0.018 cubic cm. When the coating is a liquid film, the amount of the resist used as the coating is several times this value. However, since the amount of the resist dropped on the wafer surface as the base surface is 2 to 3 cc, in any case, at least 97 to 98
The percent is spinned out from the wafer surface, collected in the collection container, and discarded as waste liquid.

【0005】このようにレジストの大部分が有効利用さ
れずに廃棄されている状況は、費用節減、資源の有効利
用の観点、更には、廃液による環境汚染の観点からも好
ましくない。
[0005] The situation in which most of the resist is discarded without being effectively used is not preferable from the viewpoint of cost reduction, effective use of resources, and environmental pollution due to waste liquid.

【0006】このため、レジストの有効利用を図ること
ができる再生システムの出現が望まれる。
[0006] For this reason, the emergence of a reproduction system capable of effectively utilizing the resist is desired.

【0007】この発明は、レジストで被膜を形成した後
に、下地のエッジや裏面などの洗浄に使用されるエッヂ
リンス、バックリンスなどの洗浄液が、レジストの溶剤
と同じ成分であり、廃液として回収されたレジストは、
この洗浄液により希釈されたレジストであることに着目
してなされたものである。そして、廃液として回収した
レジストから所定量の洗浄液(溶剤)を除去することに
より、回収したレジストを再使用可能な状態にして、レ
ジストの有効利用を図ることを意図している。
According to the present invention, after a film is formed with a resist, a cleaning solution such as an edge rinse and a back rinse used for cleaning an edge and a back surface of a base is the same component as a solvent of the resist and is recovered as a waste liquid. The resist is
It is made by paying attention to the fact that the resist is diluted by the cleaning liquid. Then, by removing a predetermined amount of a cleaning liquid (solvent) from the resist collected as a waste liquid, the collected resist is made reusable, and the resist is effectively used.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この発明のレジスト再生
システムは、レジスト塗布装置から回収したレジストを
収容して再生する再生容器と、再生容器内のレジストか
ら溶剤成分を蒸発させて溶剤成分の一部分を除去する溶
剤除去装置と、溶剤除去装置の作動を制御する制御装置
とを備えている。このレジスト再生システムでは、制御
装置が、レジストの粘度が再使用可能な目標粘度になる
まで、レジストから溶剤成分を除去するように溶剤除去
装置を作動させる。
According to the present invention, there is provided a resist regenerating system comprising: a regenerating container for storing and regenerating a resist recovered from a resist coating apparatus; and a part of the solvent component evaporating a solvent component from the resist in the regenerating container. And a control device for controlling the operation of the solvent removing device. In this resist regeneration system, the controller operates the solvent removing device to remove the solvent component from the resist until the viscosity of the resist reaches the reusable target viscosity.

【0009】このような構成によれば、回収したレジス
トから溶剤成分の一部分が除去され、回収したレジスト
の粘度が再使用可能な粘度(目標粘度)まで増大する。
According to such a configuration, a part of the solvent component is removed from the recovered resist, and the viscosity of the recovered resist increases to a reusable viscosity (target viscosity).

【0010】この発明を実施するにあたって、再生容器
内のレジストの重量を測定する重量測定装置を設け、制
御装置が、重量測定装置の測定結果に基づいて、溶剤除
去装置を作動させる構成としてもよい。
In practicing the present invention, a weight measuring device for measuring the weight of the resist in the recycling container may be provided, and the control device may operate the solvent removing device based on the measurement result of the weight measuring device. .

【0011】このような構成によれば、レジストの重量
に基づいて、溶剤除去装置の作動が制御される。
According to such a configuration, the operation of the solvent removing device is controlled based on the weight of the resist.

【0012】この発明を実施するにあたって、制御装置
が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重量とレジ
ストの目標粘度とに基づいて、溶剤成分除去後のレジス
トの目標重量を算出し、レジストの重量がこの目標重量
になるように溶剤除去装置を作動させる構成としてもよ
い。
In practicing the present invention, the controller calculates the target weight of the resist after removing the solvent component based on the viscosity and weight of the resist before removing the solvent component and the target viscosity of the resist, and calculates the weight of the resist. May be configured to operate the solvent removing device so that the target weight becomes the target weight.

【0013】このような構成によれば、溶剤成分除去前
のレジストすなわち回収したレジストの粘度を入力すれ
ば、レジストが目標粘度になるまで、自動的に溶剤除去
が行われる。
According to such a configuration, if the viscosity of the resist before removing the solvent component, that is, the viscosity of the recovered resist is input, the solvent is automatically removed until the resist reaches the target viscosity.

【0014】この発明を実施するにあたって、溶剤除去
装置が、再生容器内のレジストを加熱する加熱装置を備
えている構成とするのがよい。
In practicing the present invention, it is preferable that the solvent removing device includes a heating device for heating the resist in the recycling container.

【0015】このような構成によれば、加熱装置による
レジストの加熱により、溶剤除去が効率良く行われる。
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by heating the resist by the heating device.

【0016】また、この発明を実施するあたって、溶剤
除去装置が、再生容器内のレジストを攪拌する攪拌装置
を備えている構成とするのがよい。
In practicing the present invention, it is preferable that the solvent removing device includes a stirring device for stirring the resist in the regeneration container.

【0017】このような構成によれば、攪拌装置による
レジストの攪拌により、溶剤除去が効率良く行われる。
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by stirring the resist by the stirring device.

【0018】さらに、この発明を実施するにあたって、
再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、再生チ
ャンバ内を排気する排気装置が設けられている構成とす
るのがよい。
Further, in practicing the present invention,
It is preferable that the regeneration container is housed in a closed regeneration chamber, and an exhaust device for exhausting the interior of the regeneration chamber is provided.

【0019】このような構成によれば、レジストから溶
剤が効率良く除去される。また、排気装置により排気さ
れた再生チャンバ内のガスを適宜処理することにより、
溶剤ガスがレジスト再生システムを設置した空間内に充
満することがなくなる。
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed from the resist. Also, by appropriately treating the gas in the regeneration chamber exhausted by the exhaust device,
Solvent gas does not fill the space where the resist regeneration system is installed.

【0020】この発明を実施するにあたって、再生チャ
ンバ内に窒素ガスを供給する窒素ガス源を設けた構成と
してもよい。
In practicing the present invention, a configuration may be adopted in which a nitrogen gas source for supplying nitrogen gas is provided in the regeneration chamber.

【0021】このような構成によれば、再生チャンバ内
が、窒素雰囲気となる。この結果、回収したレジスト
は、再生チャンバ内で、空気に接触することなく再生さ
せられる。このため、レジストへの水分混入が、抑制さ
れる。
According to such a configuration, the inside of the regeneration chamber is in a nitrogen atmosphere. As a result, the recovered resist is regenerated in the regeneration chamber without coming into contact with air. For this reason, mixing of moisture into the resist is suppressed.

【0022】この発明を実施するにあたって、再生容器
内のレジストに溶剤を添加する溶剤供給装置を備え、制
御装置が、溶剤供給装置の作動を制御する構成としても
よい。この構成では、制御装置が、溶剤除去装置により
溶剤成分が除去されたレジストが所定粘度になるまで、
レジストに溶剤を添加するように、溶剤供給装置を作動
させる。
In practicing the present invention, a solvent supply device for adding a solvent to the resist in the regeneration container may be provided, and the control device may control the operation of the solvent supply device. In this configuration, the control device controls until the resist from which the solvent component has been removed by the solvent removal device has a predetermined viscosity.
The solvent supply device is operated so as to add a solvent to the resist.

【0023】このような構成によれば、溶剤除去後のレ
ジストに対して、溶剤を添加することにより、レジスト
の粘度調整が、再度、行われるので、より高精度な粘度
調整がなされる。
According to such a configuration, the viscosity of the resist is adjusted again by adding the solvent to the resist from which the solvent has been removed, so that the viscosity can be adjusted with higher precision.

【0024】この発明を実施するにあたって、制御装置
が、重量測定装置の測定結果に基づいて、溶剤供給装置
の作動を制御する構成としてもよい。
In practicing the present invention, the control device may be configured to control the operation of the solvent supply device based on the measurement result of the weight measurement device.

【0025】また、この発明を実施するにあたって、制
御装置が、溶剤成分の一部分が除去されたレジストの粘
度および重量と、溶剤添加後の目標粘度とに基づいて、
溶剤添加後のレジスト重量を算出し、レジストの重量が
溶剤添加後の目標重量になるように溶剤供給装置を作動
させるように構成してもよい。
Further, in practicing the present invention, the control device determines a viscosity based on the viscosity and weight of the resist from which a part of the solvent component has been removed and a target viscosity after the addition of the solvent.
The weight of the resist after the addition of the solvent may be calculated, and the solvent supply device may be operated so that the weight of the resist becomes the target weight after the addition of the solvent.

【0026】このような構成によれば、溶剤成分の一部
分が除去されたレジストの粘度を入力すれば、レジスト
が所定の粘度になるまで、自動的に溶剤添加が行われ
る。
According to such a configuration, if the viscosity of the resist from which a part of the solvent component is removed is inputted, the solvent is automatically added until the resist has a predetermined viscosity.

【0027】さらに、この出願の発明の他の態様によれ
ば、レジスト塗布装置から回収したレジストを再生容器
に収容し、再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発さ
せてレジストの粘度を再使用可能な目標粘度まで増大さ
せるレジスト再生方法が提供される。
Further, according to another aspect of the invention of the present application, the resist recovered from the resist coating apparatus is housed in a regenerating container, and the solvent component is evaporated from the resist in the regenerating container to reuse the viscosity of the resist. Provided is a method for regenerating a resist which increases the viscosity to a target viscosity.

【0028】このような構成によれば、回収したレジス
トから溶剤成分の一部分が蒸発により除去され、回収し
たレジストの粘度が再使用可能な粘度(目標粘度)まで
増大する。
According to such a configuration, a part of the solvent component is removed from the recovered resist by evaporation, and the viscosity of the recovered resist increases to a reusable viscosity (target viscosity).

【0029】この発明を実施するにあたり、溶剤成分の
蒸発を、再生容器内のレジストが目標重量になるまで行
う構成とするのがよい。
In practicing the present invention, it is preferable that the solvent component is evaporated until the resist in the regeneration container reaches the target weight.

【0030】このような構成によれば、再生容器内のレ
ジストの重量に基づいて、溶剤供給装置の作動が制御さ
れる。
According to such a configuration, the operation of the solvent supply device is controlled based on the weight of the resist in the regeneration container.

【0031】この発明を実施するにあたり、レジストの
目標重量が、溶剤成分除去前のレジストの粘度および重
量と、レジストの目標粘度とに基づいて算出される構成
としてもよい。
In practicing the present invention, the target weight of the resist may be calculated based on the viscosity and weight of the resist before removing the solvent component and the target viscosity of the resist.

【0032】この発明を実施するにあたり、溶剤成分の
蒸発が、再生容器内のレジストを加熱しながら行なわれ
る構成としてもよい。
In practicing the present invention, the solvent component may be evaporated while heating the resist in the regeneration container.

【0033】このような構成によれば、レジストの加熱
により、溶剤除去が効率良く行われる。
According to this structure, the solvent is efficiently removed by heating the resist.

【0034】この発明を実施するにあたり、溶剤成分の
蒸発が、再生容器内のレジストを攪拌しながら行なわれ
る構成としてもよい。
In practicing the present invention, the solvent component may be evaporated while stirring the resist in the regeneration container.

【0035】このような構成によれば、レジストの攪拌
により、溶剤除去が効率良く行われる。
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed by stirring the resist.

【0036】さらに、この発明を実施するにあたり、再
生容器が密閉された再生チャンバに収容され、溶剤成分
の蒸発が、再生チャンバ内に窒素ガスを供給しつつ、再
生チャンバ内を排気しながら行われる構成としてもよ
い。
Further, in carrying out the present invention, the regeneration container is housed in a closed regeneration chamber, and the solvent component is evaporated while supplying nitrogen gas into the regeneration chamber and exhausting the interior of the regeneration chamber. It may be configured.

【0037】このような構成によれば、レジストから溶
剤が効率良く除去される。また、再生チャンバ内が、窒
素雰囲気となるので、回収したレジストは、再生チャン
バ内で、空気に接触することなく再生される。このた
め、レジストへの水分混入が、抑制される。さらに、排
気された再生チャンバ内のガスを適宜処理することによ
り、溶剤ガスがレジスト再生を実施する空間内に充満す
ることがなくなる。
According to such a configuration, the solvent is efficiently removed from the resist. Further, since the inside of the reproduction chamber is in a nitrogen atmosphere, the collected resist is reproduced in the reproduction chamber without coming into contact with air. For this reason, mixing of moisture into the resist is suppressed. Furthermore, by appropriately treating the exhausted gas in the regeneration chamber, the solvent gas does not fill the space in which the resist regeneration is performed.

【0038】この発明を実施するにあたって、粘度を増
大させたレジストに溶剤を添加する構成としてもよい。
In practicing the present invention, a configuration may be adopted in which a solvent is added to the resist whose viscosity has been increased.

【0039】このような構成によれば、溶剤除去後のレ
ジストに対して、溶剤を添加することにより、レジスト
の粘度調整が、再度、行われるので、より高精度な粘度
調整がなされる。
According to such a configuration, the viscosity of the resist is adjusted again by adding the solvent to the resist from which the solvent has been removed, so that the viscosity can be adjusted with higher precision.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】以下、図面に沿って、この発明の
実施の形態を詳細に説明する。なお、各図は、この発明
を理解できる程度に、各構成要素の大きさ、形状および
配置関係を概略的に示してあるに過ぎない。したがっ
て、この発明は、図面に示された実施の形態に限定され
るものではない。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The drawings merely schematically show the sizes, shapes, and arrangements of the components so that the present invention can be understood. Therefore, the present invention is not limited to the embodiment shown in the drawings.

【0041】<第1の実施の形態>図1は、この発明の
第1の実施の形態のレジスト再生システム100の構成
を概略的に示す図面である。
<First Embodiment> FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of a resist reproducing system 100 according to a first embodiment of the present invention.

【0042】レジスト再生システム100は、溶剤除去
装置を作動させることにより、廃液として回収したレジ
ストから溶剤成分の一部を蒸発させて、これを除去し、
レジストの粘度を増大(増粘)させ、回収したレジスト
を再使用可能にするシステムである。したがって、増粘
中に、レジストの重量は減少していく。レジスト再生シ
ステム100では、レジストの重量をモニタしながら、
増粘を行い、レジストの重量が目標値(目標重量)まで
減少したとき、レジストが所望の粘度(目標粘度)まで
増粘されたと判定し、増粘を終了するように構成されて
いる。
The resist regenerating system 100 removes a part of the solvent component from the resist recovered as waste liquid by operating the solvent removing device, and removes the solvent.
This is a system that increases the viscosity of the resist (increases the viscosity) so that the collected resist can be reused. Therefore, during thickening, the weight of the resist decreases. In the resist reproduction system 100, while monitoring the weight of the resist,
When thickening is performed and the weight of the resist decreases to a target value (target weight), it is determined that the resist has been thickened to a desired viscosity (target viscosity), and the thickening is terminated.

【0043】まず、レジスト再生システム100の構成
を説明する。レジスト再生システム100は、廃液とし
て回収したレジストを収容する回収容器10と、回収し
たレジストの再生を行う再生容器12と、再生したレジ
ストを収容する再生レジスト容器14とを備えている。
回収容器10は、図示しない別体のレジスト塗布装置か
ら回収したレジストを収容している。この回収したレジ
ストは、エッジリンス、バックリンスなどで希釈され、
その粘度が使用可能な粘度より小さくなっている。再生
容器12は、密閉された再生チャンバ16内に配置され
ている。
First, the configuration of the resist reproduction system 100 will be described. The resist regenerating system 100 includes a collecting container 10 for storing the resist collected as a waste liquid, a regenerating container 12 for regenerating the collected resist, and a regenerating resist container 14 for storing the regenerated resist.
The collection container 10 stores the resist collected from a separate resist coating device (not shown). The recovered resist is diluted by edge rinse, back rinse, etc.
Its viscosity is lower than the usable viscosity. The regeneration container 12 is disposed in a closed regeneration chamber 16.

【0044】回収容器10と、再生容器12とは、管路
18によって、接続されている。管路18には、回収容
器10側から順に、第1ポンプ20と、第1フィルタ2
2とが、設けられている。したがって、レジスト再生シ
ステム100は、回収容器10内のレジストを、第1フ
ィルタ22で濾過しながら、第1ポンプ20によって再
生容器12に移送できるように構成されている。
The collection container 10 and the regeneration container 12 are connected by a pipe 18. A first pump 20 and a first filter 2 are sequentially connected to the pipe 18 from the collection container 10 side.
2 are provided. Therefore, the resist regeneration system 100 is configured such that the resist in the collection container 10 can be transferred to the regeneration container 12 by the first pump 20 while being filtered by the first filter 22.

【0045】再生容器12は、再生チャンバ16内で、
ウエイトセンサ24上に配置されている。レジスト再生
システム100は、ウエイトセンサ24により、再生容
器12内のレジストRの重量を常にモニタするように構
成されている。
The regeneration container 12 is placed in the regeneration chamber 16
It is arranged on the weight sensor 24. The resist regeneration system 100 is configured to constantly monitor the weight of the resist R in the regeneration container 12 by the weight sensor 24.

【0046】再生容器12に隣接して、加熱装置26が
設けられている。レジスト再生システム100は、加熱
装置26により、再生容器12内のレジストRを、所定
温度まで加熱できるように構成されている。所定温度と
は、例えば、30〜40℃程度の温度である。好ましい
加熱装置26としては、例えば、ホットプレート、恒温
槽などがある。加熱装置26によるレジストの加熱で、
レジストからの溶剤成分の蒸発が促進されることにな
る。加熱装置26は溶剤除去装置の一部を構成する。
A heating device 26 is provided adjacent to the regeneration container 12. The resist regeneration system 100 is configured so that the heating device 26 can heat the resist R in the regeneration container 12 to a predetermined temperature. The predetermined temperature is, for example, a temperature of about 30 to 40 ° C. Preferred examples of the heating device 26 include a hot plate and a thermostat. By heating the resist by the heating device 26,
Evaporation of the solvent component from the resist is promoted. The heating device 26 constitutes a part of the solvent removing device.

【0047】さらに、レジスト再生システム100に
は、再生容器12内のレジストRを攪拌する攪拌装置2
8が設けられている。攪拌装置28は、レジストR内で
回転されるプロペラ状すなわちスクリュー状の攪拌部材
28aと攪拌部材28aを回転駆動させる駆動装置28
bとを備えている。しかしながら、攪拌装置は他の構成
であってもよい。攪拌装置28によるレジストの攪拌
で、レジストからの溶剤成分の蒸発が促進されることに
なる。攪拌装置28は溶剤除去装置の一部を構成する。
Further, the resist regenerating system 100 includes a stirring device 2 for stirring the resist R in the regenerating container 12.
8 are provided. The stirring device 28 includes a propeller-shaped or screw-shaped stirring member 28a that is rotated in the resist R, and a driving device 28 that rotationally drives the stirring member 28a.
b. However, the stirring device may have another configuration. Stirring of the resist by the stirrer 28 promotes evaporation of the solvent component from the resist. The stirring device 28 constitutes a part of the solvent removing device.

【0048】再生容器12には、再生容器12内のレジ
ストRの温度を測定する温度測定装置30が設けられて
いる。
The recycle container 12 is provided with a temperature measuring device 30 for measuring the temperature of the resist R in the recycle container 12.

【0049】再生容器12と、再生レジスト容器14と
は、管路32によって、接続されている。管路32に
は、再生容器12側から順に、第2ポンプ34と、第2
フィルタ36と、冷却装置38とが、設けられている。
このように、レジスト再生システム100は、再生容器
12内で再生されたレジストを、第2フィルタ36で濾
過し、次いで、冷却装置38で室温まで冷却しながら、
第2ポンプ34によって再生レジスト容器14に移送で
きるように構成されている。
The recycled container 12 and the recycled resist container 14 are connected by a pipe 32. A second pump 34 and a second pump 34 are sequentially connected to the pipe 32 from the regeneration container 12 side.
A filter 36 and a cooling device 38 are provided.
As described above, the resist regeneration system 100 filters the resist regenerated in the regeneration container 12 with the second filter 36, and then cools the resist to the room temperature with the cooling device 38.
The second pump 34 is configured to be able to transfer to the regenerated resist container 14.

【0050】再生チャンバ16には、排気装置40が取
付けられている。排気装置40は、排気ポンプなどの吸
引あるいは減圧装置であり、密閉された再生チャンバ1
6内の溶媒蒸気などの気体を再生チャンバ16外に排出
する。この排気装置40の作動により、再生容器12内
のレジストRからの溶剤の蒸発が促進されることにな
る。
An exhaust device 40 is attached to the regeneration chamber 16. The evacuation device 40 is a suction or decompression device such as an evacuation pump.
The gas such as the solvent vapor in 6 is discharged out of the regeneration chamber 16. By the operation of the exhaust device 40, evaporation of the solvent from the resist R in the regeneration container 12 is promoted.

【0051】さらに、再生チャンバ16には、窒素ガス
源41が接続されている。窒素ガス源41は、再生チャ
ンバ16内に窒素ガスを供給できるように構成されてい
る。したがって、窒素ガス源41を作動させながら排気
装置40を作動させることにより、再生チャンバ16内
が、窒素ガスによりパージされることになる。この結
果、再生容器12内のレジストの再生が、窒素雰囲気下
で行われる。
Further, a nitrogen gas source 41 is connected to the regeneration chamber 16. The nitrogen gas source 41 is configured to supply nitrogen gas into the regeneration chamber 16. Therefore, by operating the exhaust device 40 while operating the nitrogen gas source 41, the inside of the regeneration chamber 16 is purged by the nitrogen gas. As a result, the regeneration of the resist in the regeneration container 12 is performed in a nitrogen atmosphere.

【0052】また、レジスト再生システム100には、
システム全体の動作を制御する制御装置42が設けられ
ている。
The resist reproduction system 100 includes:
A control device 42 for controlling the operation of the entire system is provided.

【0053】制御装置42には、オペレータが制御装置
42に必要な数値を入力する入力装置44が接続されて
いる。制御装置42は、第1ポンプ20、第2ポンプ3
4、加熱装置26、排気装置40、窒素ガス源41に接
続され、これらの作動を制御するように構成されてい
る。さらに、制御装置42は、ウエイトセンサ24によ
ってモニタされた再生容器12内のレジストRの重量、
および、温度測定装置30によって測定された再生容器
12内のレジストRの温度が入力されるように構成され
ている。
The control device 42 is connected to an input device 44 through which an operator inputs necessary numerical values to the control device 42. The control device 42 includes the first pump 20 and the second pump 3
4, connected to the heating device 26, the exhaust device 40, and the nitrogen gas source 41, and configured to control the operation thereof. Further, the control device 42 determines the weight of the resist R in the regeneration container 12 monitored by the weight sensor 24,
The temperature of the resist R in the regeneration container 12 measured by the temperature measuring device 30 is input.

【0054】制御装置42は、再生容器12に移送され
たレジストRの粘度η1および重量W1と、増粘工程に
よって得たいレジストの粘度(目標粘度)η2とに基づ
いて、レジストの目標重量W2を算出して、増粘工程を
実行し、レジストの重量Wが目標重量W2になったと
き、レジストの粘度が目標粘度η2になったと判断し
て、増粘工程を停止するように構成されている。
The controller 42 determines the target weight W2 of the resist R based on the viscosity η1 and the weight W1 of the resist R transferred to the regeneration container 12 and the viscosity (target viscosity) η2 of the resist to be obtained in the thickening step. The thickening process is performed, and when the weight W of the resist reaches the target weight W2, it is determined that the viscosity of the resist has reached the target viscosity η2, and the thickening process is stopped. .

【0055】図2は、制御装置42の主要部の構成を示
すブロック図である。制御装置42は、マイクロコンピ
ュータによって構成され、図2に示されるように、目標
重量算出部420と、メモリ422と、増粘制御部42
4とを備えている。
FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a main part of the control device 42. The control device 42 is configured by a microcomputer, and as shown in FIG. 2, a target weight calculation unit 420, a memory 422, and a thickening control unit 42.
4 is provided.

【0056】目標重量算出部420は、再生容器12に
移送されたレジストRの重量W1がウエイトセンサ24
から入力され、また、再生容器12に移送されたレジス
トRの粘度η1およびレジスト再生システム100によ
って得たいレジストの粘度(目標粘度)η2が、入力装
置44を介して、入力されるように構成されている。さ
らに、目標重量算出部420は、レジストRの重量W1
および粘度η1と、目標粘度η2とに基づいて、目標重
量W2を算出するように構成されている。
The target weight calculator 420 determines that the weight W1 of the resist R transferred to the regeneration container 12 is the weight sensor 24.
The viscosity η1 of the resist R transferred to the regeneration container 12 and the viscosity (target viscosity) η2 of the resist desired to be obtained by the resist regeneration system 100 are input via the input device 44. ing. Further, the target weight calculator 420 calculates the weight W1 of the resist R.
The target weight W2 is calculated based on the viscosity η1 and the target viscosity η2.

【0057】メモリ422には、目標重量W2を算出す
るために必要なデータが記憶されている。
The memory 422 stores data necessary for calculating the target weight W2.

【0058】増粘制御部424は、入力装置44からの
増粘実行指令に応答して、加熱装置26、攪拌装置28
などの溶剤除去装置を作動させる増粘実行信号を発し
て、増粘工程を開始させるように構成されている。さら
に、増粘制御部424は、現在の再生容器12内のレジ
ストRの重量Wと、目標重量W2とを比較し、WとW2
が等しくなったとき、再生容器12内のレジストRが、
目標粘度η2になったと判定し、加熱装置26、攪拌装
置28などの溶剤除去装置の作動を停止させ、増粘工程
を終了させるように構成されている。
The thickening control section 424 responds to the thickening execution command from the input device 44 and responds to the heating device 26 and the stirring device 28.
The thickening process is started by issuing a thickening execution signal for operating a solvent removing device such as the above. Further, the thickening control unit 424 compares the current weight W of the resist R in the regeneration container 12 with the target weight W2, and
Are equal, the resist R in the regeneration container 12 is
It is configured to determine that the target viscosity η2 has been reached, stop the operation of the solvent removing device such as the heating device 26 and the stirring device 28, and end the thickening process.

【0059】次に、レジスト再生システム100が実施
するレジスト再生の工程を説明する。まず、制御装置4
2が、第1ポンプ20を作動させ、回収容器10内のレ
ジストを、管路18を通して再生容器12に移送する。
回収容器10内のレジストは、バックリンス、エッヂリ
ンスなどの洗浄液で希釈されて粘度が低下したレジスト
である。
Next, the steps of resist regeneration performed by the resist regeneration system 100 will be described. First, the control device 4
2 operates the first pump 20 to transfer the resist in the collection container 10 to the regeneration container 12 through the pipe 18.
The resist in the collection container 10 is a resist whose viscosity has been reduced by being diluted with a cleaning liquid such as a back rinse or an edge rinse.

【0060】レジスト再生システム100では、制御装
置42が、レジスト再生工程中、排気装置40と窒素ガ
ス源41を作動させて、再生チャンバ16内を窒素ガス
でパージし、再生チャンバ16内を、窒素雰囲気として
いる。
In the resist regeneration system 100, during the resist regeneration step, the controller 42 activates the exhaust device 40 and the nitrogen gas source 41 to purge the interior of the regeneration chamber 16 with nitrogen gas and to purge the interior of the regeneration chamber 16 with nitrogen. Atmosphere.

【0061】回収容器10内のレジストは、再生容器1
2に移送される途中で、第1フィルタ22によって、濾
過され、固形の不純物が除去される。なお、この実施の
形態では、レジストは、ポジ型のレジストとする。しか
しながら、この発明は、ネガ型のレジストにも適用可能
である。
The resist in the recovery container 10 is the
During the transfer to the second filter 2, the first filter 22 filters the solid to remove solid impurities. In this embodiment, the resist is a positive resist. However, the present invention is also applicable to a negative resist.

【0062】バックリンス、エッジリンスは、レジスト
の溶剤と同じ成分である。バックリンス、エッジリンス
およびレジストの溶剤は、例えば、ECA(エチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート)、EL(乳酸
エチル)、EEP(エチル−3−エトキシプロピオネー
ト)、MMP(メチル−3−メトキシプロピオネー
ト)、MAK(メチルアミルケトン(2−ヘプタノ
ン))、PGMEA(プロピレングリコールモノメチル
エーテルアセテート)である。
The back rinse and the edge rinse are the same components as the solvent for the resist. Solvents for back rinse, edge rinse and resist are, for example, ECA (ethylene glycol monoethyl ether acetate), EL (ethyl lactate), EEP (ethyl-3-ethoxypropionate), MMP (methyl-3-methoxypropionate) Nate), MAK (methyl amyl ketone (2-heptanone)), and PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate).

【0063】次いで、増粘工程を実施する。この増粘工
程では、制御装置42の制御により、再生容器12内の
レジストRを攪拌しながら加熱することによって、レジ
ストを希釈しているバックリンス、エッジリンス等の溶
剤成分を回収したレジストから蒸発させ、レジストの粘
度を再使用可能な粘度まで増大させる。
Next, a thickening step is performed. In this thickening step, the resist R in the regeneration container 12 is heated while being stirred, under the control of the controller 42, so that the solvent components such as back rinse and edge rinse that dilute the resist are evaporated from the recovered resist. To increase the viscosity of the resist to a reusable viscosity.

【0064】上述したように、この増粘工程では、再生
容器12内のレジストRの重量Wは減少していく。レジ
スト再生システム100では、制御装置42が再生容器
12内のレジストRの重量Wをモニタしながら、増粘工
程が実施され、レジストRの重量Wが目標値W2まで減
少したとき、レジストRが所望の粘度(目標粘度)η2
まで増粘されたと判定され、増粘工程が終了する。
As described above, in this thickening step, the weight W of the resist R in the regeneration container 12 decreases. In the resist regeneration system 100, while the controller 42 monitors the weight W of the resist R in the regeneration container 12, the thickening process is performed, and when the weight W of the resist R decreases to the target value W2, the resist R becomes a desired one. Viscosity (target viscosity) η2
Is determined to have been increased, and the thickening step ends.

【0065】次に、制御装置42の制御によって行われ
る増粘工程の内容を、図3に沿って説明する。図3は、
増粘工程において制御装置42が行う制御内容を示すフ
ローチャートである。
Next, the content of the thickening step performed under the control of the controller 42 will be described with reference to FIG. FIG.
It is a flowchart which shows the control content which the control apparatus performs in a thickening process.

【0066】再生容器12へのレジストの移送が完了す
ると、ウエイトセンサ24から、再生容器12内のレジ
ストRの重量W1が、制御装置42の目標重量算出部4
20に入力される(S1)。次いで、オペレータによっ
て測定された再生容器12内のレジストRの粘度η1
(cp)と、レジストの目標粘度η2(cp)とが、入
力装置44を介して目標重量算出部420に入力される
(S2)。
When the transfer of the resist to the regenerating container 12 is completed, the weight W1 of the resist R in the regenerating container 12 is calculated from the weight sensor 24 by the target weight calculating unit 4 of the control unit 42.
20 (S1). Next, the viscosity η1 of the resist R in the regeneration container 12 measured by the operator
(Cp) and the target viscosity η2 (cp) of the resist are input to the target weight calculator 420 via the input device 44 (S2).

【0067】次いで、目標重量算出部420で、W1、
η1およびη2、さらに、メモリ422内のデータに基
づいて、目標重量W2が算出され(S3)、増粘制御部
424に送られる。目標重量W2は、増粘工程中に、再
生容器12内のレジストRからバックリンスなどの溶剤
成分が蒸発させられて、再生容器12内のレジストRの
粘度が目標粘度η2になった時の、レジストRの重量で
ある。なお、目標重量W2の算出方法は後述する。再生
容器12に移送されたレジストRには、バックリンス等
が含まれているので、W1>W2の関係が成立する。
Next, the target weight calculator 420 calculates W1,
Based on η1 and η2 and the data in the memory 422, the target weight W2 is calculated (S3) and sent to the thickening control unit 424. The target weight W2 is a value obtained when a solvent component such as a back rinse is evaporated from the resist R in the regeneration container 12 during the thickening process, and the viscosity of the resist R in the regeneration container 12 reaches the target viscosity η2. This is the weight of the resist R. The method of calculating the target weight W2 will be described later. Since the resist R transferred to the regeneration container 12 contains back rinse and the like, the relationship of W1> W2 is established.

【0068】入力装置44を介して、増粘開始指令が入
力されると、増粘制御部424が、増粘実行信号を発し
て(S4)、加熱装置26、攪拌装置28などによって
構成される溶剤除去装置を作動させて、増粘工程が実行
される(S5)。増粘工程は、目標重量W2を目標値と
して、レジストRの重量Wをモニタしながら行われる。
When a thickening start command is input via the input device 44, the thickening control section 424 issues a thickening execution signal (S4), and is constituted by the heating device 26, the stirring device 28 and the like. The thickening step is performed by operating the solvent removing device (S5). The thickening step is performed while monitoring the weight W of the resist R using the target weight W2 as a target value.

【0069】増粘工程中、再生容器12内のレジストR
は、加熱装置26と温度測定装置30によって、例えば
30℃〜40℃の一定温度に維持されるとともに、攪拌
装置28によって攪拌される。また、再生チャンバ16
内には、窒素ガス源41から窒素ガスが供給されるとと
もに、再生チャンバ16内の気体は、排気装置40によ
って、再生チャンバ16外に排出されている。加熱装置
26、攪拌装置28、排気装置40、窒素ガス源41な
どの作動も制御装置42によって制御されている。
During the thickening process, the resist R
Is maintained at a constant temperature of, for example, 30 ° C. to 40 ° C. by the heating device 26 and the temperature measuring device 30 and is stirred by the stirring device 28. The regeneration chamber 16
Inside, a nitrogen gas is supplied from a nitrogen gas source 41, and the gas in the regeneration chamber 16 is exhausted outside the regeneration chamber 16 by the exhaust device 40. The operations of the heating device 26, the stirring device 28, the exhaust device 40, the nitrogen gas source 41, and the like are also controlled by the control device 42.

【0070】増粘工程中、増粘制御部424は、ウエイ
トセンサ24から送られてくる再生容器12内のレジス
トRの重量Wを、W2と比較している(S6)。上述し
たように、増粘工程中には、再生容器12内のレジスト
Rは所定の温度に維持されつつ、攪拌される。したがっ
て、増粘工程中には、レジストを希釈していたバックリ
ンスなどの溶剤成分が蒸発していき、レジストは、その
粘度ηが上昇するとともに、重量Wが減少していく。W
がW2より大きい間は、増粘が継続される(S5)。レ
ジストRの重量WがW2と等しくなったとき、増粘制御
部424は、再生容器12内のレジストRが、目標粘度
η2まで増粘されたと判定し、増粘工程を終了させる
(S7)。すなわち、加熱装置26、攪拌装置28など
の作動が停止させられる。
During the thickening process, the thickening control section 424 compares the weight W of the resist R in the recycling container 12 sent from the weight sensor 24 with W2 (S6). As described above, during the thickening step, the resist R in the regeneration container 12 is stirred while being maintained at a predetermined temperature. Therefore, during the thickening step, the solvent components such as the back rinse that have diluted the resist evaporate, and the viscosity η of the resist increases and the weight W decreases. W
Is greater than W2, the thickening is continued (S5). When the weight W of the resist R becomes equal to W2, the thickening control unit 424 determines that the resist R in the regeneration container 12 has been thickened to the target viscosity η2, and ends the thickening step (S7). That is, the operations of the heating device 26, the stirring device 28, and the like are stopped.

【0071】その後、第2ポンプ34が作動させられ、
再生容器12内のレジストRは、管路32を介して、再
生レジスト容器14に移送される。この途中で、レジス
トは、第2フィルタ36によって濾過され、さらに、冷
却装置38によって室温まで冷却され増粘が完全に停止
させられる。全てのレジストが再生レジスト容器14に
移送されると再生工程が終了する。
Thereafter, the second pump 34 is operated, and
The resist R in the reproduction container 12 is transferred to the reproduction resist container 14 via the pipe 32. During this process, the resist is filtered by the second filter 36, and further cooled to room temperature by the cooling device 38, whereby the thickening is completely stopped. When all the resists have been transferred to the regenerated resist container 14, the regenerating process ends.

【0072】レジスト再生システム100では、レジス
トの目標重量W2の算出は、目標重量算出部420にお
いて、以下のように行われる。図4は、この算出に用い
られるレジストの粘度(縦軸)と重量(横軸)の関係を
示すグラフである。粘度の表示単位はcpであり、重量
の表示単位はKgである。
In the resist reproduction system 100, the target weight W2 of the resist is calculated in the target weight calculator 420 as follows. FIG. 4 is a graph showing the relationship between the viscosity (vertical axis) and the weight (horizontal axis) of the resist used for this calculation. The display unit of viscosity is cp, and the display unit of weight is Kg.

【0073】このグラフは、再生するレジストと同じ種
類のレジスト、溶剤を使用した実験に基づいて作成され
たものである。すなわち、このグラフは、粘度の異なる
レジスト、例えば2cp、4cp、6cp、8cp、1
0cp、12cpのレジストを、一定量(例えば10K
g)づつ用意し、それぞれを、加熱・攪拌しながら、粘
度および重量を測定し、粘度および重量の変化をプロッ
トしていった検量線(a)〜(f)を示している。
This graph is created based on an experiment using the same type of resist and solvent as the resist to be regenerated. That is, this graph shows that resists having different viscosities, for example, 2 cp, 4 cp, 6 cp, 8 cp,
The resist of 0 cp and 12 cp is applied to a certain amount (for example, 10K
g) Each of them was prepared, and the viscosity and weight were measured while heating and stirring each, and the calibration curves (a) to (f) in which the changes in viscosity and weight were plotted are shown.

【0074】レジスト再生システム100では、このグ
ラフに対応するデータが、制御装置42のメモリ422
にマップ(あるいはテーブル)として記憶させられてい
る。そして、レジストの粘度の初期値η1、目標粘度η
2および、重量の初期値W1が入力されると、目標重量
算出部420が、メモリ422に記憶されているこのグ
ラフの内容を参照して、目標重量W2が算出される。
In the resist reproduction system 100, data corresponding to this graph is stored in the memory 422 of the control device 42.
Is stored as a map (or table). Then, the initial value η1 of the viscosity of the resist and the target viscosity η
When the weight 2 and the initial value W1 of the weight are input, the target weight calculation unit 420 calculates the target weight W2 with reference to the contents of this graph stored in the memory 422.

【0075】例えば、このグラフの検量線(a)によれ
ば、重量の初期値W1が10Kg、粘度の初期値η1が
2cpのレジストを、目標粘度η2である粘度6cpま
で増粘させるためには、重量Wが6Kgになるまでレジ
ストの増粘工程を続ければ良いことがわかる。このよう
にして、重量の初期値W1、粘度の初期値η1、およ
び、粘度の目標値η2に基づいて、目標重量W2が算出
される。また、重さの初期値W1が10Kgでない場合
は、適当な係数を乗ずることにより、目標重量W2を算
出することになる。
For example, according to the calibration curve (a) of this graph, in order to increase the viscosity of a resist having an initial weight W1 of 10 kg and an initial viscosity η1 of 2 cp to a target viscosity η2 of 6 cp. It can be seen that the thickening step of the resist should be continued until the weight W becomes 6 kg. In this way, the target weight W2 is calculated based on the initial weight value W1, the initial viscosity value η1, and the target viscosity value η2. When the initial value W1 of the weight is not 10 kg, the target weight W2 is calculated by multiplying by an appropriate coefficient.

【0076】このように構成されたレジスト再生システ
ム100によれば、再生容器12に収容されたレジスト
Rの粘度η1を測定し、このη1と目標粘度η2を入力
するだけで、廃液として回収したレジストを所望の粘度
まで自動的に増粘することができる。
According to the thus configured resist regenerating system 100, the viscosity η1 of the resist R contained in the regenerating container 12 is measured, and the η1 and the target viscosity η2 are simply input, and the resist recovered as waste liquid is obtained. Can be automatically increased to a desired viscosity.

【0077】この発明は、上述のW2算出方法を使用す
るシステムに限定されるものではなく、他のW2算出方
法を採用してもよい。例えば、次のようなW2算出方法
を用いても良い。
The present invention is not limited to a system using the above-described W2 calculation method, but may employ another W2 calculation method. For example, the following W2 calculation method may be used.

【0078】レジストの濃度xと粘度y(cp)との関
係は、以下の近似式で表される。
The relationship between the concentration x of the resist and the viscosity y (cp) is represented by the following approximate expression.

【0079】 y=Aexp(Bx) (ただし、AおよびBは定数) したがって、再生容器12内のレジストの粘度(初期
値)η1から、増粘工程前のレジストRの濃度(初期濃
度)C1を算出できる。同様に、レジストが目標粘度η
2になった時(増粘工程後)のレジストの濃度(目標濃
度)C2も算出できる。
Y = Aexp (Bx) (where A and B are constants) Therefore, from the viscosity (initial value) η1 of the resist in the regeneration container 12, the concentration (initial concentration) C1 of the resist R before the thickening step is calculated. Can be calculated. Similarly, the resist has the target viscosity η
The resist concentration (target concentration) C2 when the value of the resist reaches 2 (after the thickening step) can be calculated.

【0080】レジストの濃度Cは、レジスト内にどれだ
けの固体成分が含まれているかを重量比で表したもので
あるから、C=Wsolid /W(Wsolid はレジスト内の
固体成分重量、Wはレジストの総重量)が成立する。
Since the resist concentration C represents the weight ratio of the solid components contained in the resist, C = W solid / W (W solid is the weight of the solid components in the resist, W is the total weight of the resist).

【0081】したがって、増粘工程前のレジストについ
て、C1=W1solid /W1が、増粘工程後のレジスト
について、C2=W2solid /W2が、成立する。ここ
で、W1solid は増粘工程前のレジスト内の固体成分重
量であり、W2solid は、増粘工程後のレジスト内の固
体成分重量である。増粘工程は、エッジリンス等の液体
成分(溶剤成分)をレジストから蒸発させる操作である
ため、増粘工程の前後でレジストに含まれる固体成分の
重量は変化しない。したがって、W1solid はW2
solid と等しい。そして、C1およびC2は、前記近似
式から算出され、W1は、ウエイトセンサなどで実測で
きる。
Therefore, C1 = W1 solid / W1 holds for the resist before the thickening step, and C2 = W2 solid / W2 holds for the resist after the thickening step. Here, W1 solid is the weight of the solid component in the resist before the thickening step, and W2 solid is the weight of the solid component in the resist after the thickening step. Since the thickening step is an operation of evaporating a liquid component (solvent component) such as an edge rinse from the resist, the weight of the solid component contained in the resist does not change before and after the thickening step. Therefore, W1 solid is W2
Equivalent to solid . C1 and C2 are calculated from the approximation formula, and W1 can be measured by a weight sensor or the like.

【0082】したがって、増粘工程前のレジストに関す
る式C1=W1solid /W1から、W1solid を算出し
て、このW1solid の値を、増粘工程後のレジスト関す
る式C2=W2solid /W2のW2solid に代入するこ
とで、目標重量W2を算出できる。
[0082] Thus, from the equation C1 = W1 solid / W1 relates thickening process before registration, W1 solid is calculated, and the value of the W1 solid, after thickening step registration relates formula C2 = W2 solid / W2 By substituting into W2 solid , the target weight W2 can be calculated.

【0083】この算出方法を採用する場合には、制御装
置42のメモリ422に上記近似式を記憶させておく。
そして、目標重量算出部420が、入力されたW1、η
1およびη2と、メモリ422内の近似式を用いて、上
述した過程で目標重量W2を算出することになる。
When this calculation method is adopted, the above-mentioned approximate expression is stored in the memory 422 of the control device 42.
Then, the target weight calculator 420 calculates the input W1, η
The target weight W2 is calculated in the above-described process using 1 and η2 and the approximate expression in the memory 422.

【0084】この算出方法によれば、レジストの粘度の
初期値η1が、例えば2.36という端数を含む値であ
ったとしても、正確かつ迅速に目標重量W2を算出でき
る。
According to this calculation method, even if the initial value η1 of the viscosity of the resist is a value including, for example, a fraction of 2.36, the target weight W2 can be calculated accurately and quickly.

【0085】<第2の実施の形態>図5は、この発明の
第2の実施の形態のレジスト再生システム200の構成
を示す概略図である。
<Second Embodiment> FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a resist reproducing system 200 according to a second embodiment of the present invention.

【0086】図5に示されるように、レジスト再生シス
テム200は、基本的には、レジスト再生システム10
0と同一の構成を有している。レジスト再生システム2
00は、レジスト再生システム100の構成に加えて、
増粘したレジストに溶剤を添加する溶剤供給装置50を
備えている。そして、レジスト再生システム200は、
レジスト再生システム100で行われる増粘工程と同様
の増粘工程によって、レジストを所望粘度より高い粘度
まで増粘させた後、このレジストに溶剤を添加すること
により、所望粘度のレジストを得る調整工程を行うレジ
スト再生システムである。以下、この相違点を中心に、
レジスト再生システム200の構成および動作を説明す
る。なお、レジスト再生システム100と共通する構成
要素については、同一の符号を付し、その説明を省略す
る。
As shown in FIG. 5, the resist regenerating system 200 basically includes a resist regenerating system 10.
0 has the same configuration. Resist regeneration system 2
00 is in addition to the configuration of the resist regeneration system 100,
A solvent supply device 50 for adding a solvent to the thickened resist is provided. Then, the resist reproduction system 200
A thickening step similar to the thickening step performed in the resist regeneration system 100, after thickening the resist to a viscosity higher than the desired viscosity, and then adding a solvent to the resist to obtain a resist having a desired viscosity. This is a resist reproduction system that performs the following. Hereinafter, focusing on this difference,
The configuration and operation of the resist reproduction system 200 will be described. Note that the same components as those in the resist reproduction system 100 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0087】レジスト再生システム200は、レジスト
再生システム100の構成に加えて、溶剤供給装置50
を備えている。溶剤供給装置50は、レジストの溶剤と
同一成分の有機溶剤を収容している溶剤タンクと、この
溶剤タンクに収容されている有機溶剤を管路52を通し
て再生容器12内のレジストRに送り出すポンプとを含
んでいる。溶剤供給装置50は、管路52によって、再
生容器12に機械的に接続されている。さらに、溶剤供
給装置50は、レジスト再生システム200のシステム
全体の動作を制御する制御装置242に電気的に接続さ
れ、制御装置242の制御によって、溶剤タンク内の有
機溶剤を再生容器12内のレジストRに添加するように
構成されている。有機溶剤の添加量は、制御装置242
によって、算出される。
The resist regenerating system 200 includes a solvent supply device 50 in addition to the components of the resist regenerating system 100.
It has. The solvent supply device 50 includes a solvent tank containing an organic solvent of the same component as the solvent of the resist, and a pump for sending the organic solvent contained in the solvent tank to the resist R in the regeneration container 12 through the pipe 52. Contains. The solvent supply device 50 is mechanically connected to the regeneration container 12 by a pipe 52. Further, the solvent supply device 50 is electrically connected to a control device 242 that controls the operation of the entire system of the resist regenerating system 200, and controls the organic solvent in the solvent tank in the regenerating container 12 under the control of the control device 242. It is configured to be added to R. The amount of the organic solvent added is determined by the control device 242.
Is calculated by

【0088】図6は、制御装置242の主要部の構成を
示すブロック図である。図6に示されているように、制
御装置242は、レジスト再生システム100の制御装
置42と、ほぼ同一の構成を有している。制御装置24
2が、構成上で、制御装置42と異なる点は、溶剤供給
制御部244を備えている点などである。また、制御装
置242が、作用上で、制御装置42と異なる点は、増
粘工程後のレジストの重量W3および粘度η3、目標粘
度η4に基づいて、有機溶剤の添加量wを算出し、溶剤
供給装置50を作動させ、レジストの重量が、溶剤添加
後の目標重量であるW3+w(W4)になるまで、有機
溶剤をレジストに添加させる調整工程を実施させる点で
ある。以下、相違点を中心に、制御装置242の構成を
説明する。
FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a main part of control device 242. As shown in FIG. 6, the control device 242 has substantially the same configuration as the control device 42 of the resist reproduction system 100. Control device 24
2 differs from the control device 42 in the configuration, for example, in that a solvent supply control unit 244 is provided. Further, the operation of the control device 242 is different from the control device 42 in that the addition amount w of the organic solvent is calculated based on the weight W3 of the resist after the thickening process, the viscosity η3, and the target viscosity η4. The point is that the supply device 50 is operated to perform an adjustment step of adding an organic solvent to the resist until the weight of the resist reaches the target weight W3 + w (W4) after the addition of the solvent. Hereinafter, the configuration of the control device 242 will be described focusing on the differences.

【0089】図6に示されるように、制御装置242
は、溶剤供給制御部244と、目標重量算出部246
と、メモリ248と、増粘制御部424を備えている。
制御装置242の目標重量算出部246、メモリ248
および増粘制御部424は、増粘工程に関しては、制御
装置42の目標重量算出部420、メモリ422および
増粘制御部424と同様に機能するように構成されてい
る。
As shown in FIG.
Are a solvent supply controller 244 and a target weight calculator 246.
, A memory 248, and a thickening control unit 424.
Target weight calculation unit 246 and memory 248 of control device 242
The thickening control unit 424 is configured to function similarly to the target weight calculating unit 420, the memory 422, and the thickening control unit 424 of the control device 42 with respect to the thickening process.

【0090】目標重量算出部246は、目標重量算出部
420の機能に加えて、増粘工程後のレジストにどれだ
けの重量wの有機溶剤を添加すれば、レジストが所望の
粘度η4になるかを算出する機構を備えている。また、
メモリ248には、メモリ422の内容に加えて、有機
溶剤の添加量wを算出するために必要なデータが記憶さ
れている。さらに、溶剤供給制御部244は、入力装置
44からの調整開始指令に応じて、溶剤供給信号を発し
て、溶剤供給装置50に、レジストの重量がW3+wす
なわち溶剤添加後の目標重量W4になるまで、有機溶剤
をレジストに添加させるように構成されている。
The target weight calculating section 246 has the function of adding the weight w of the organic solvent to the resist after the thickening step to obtain the desired viscosity η4 in addition to the function of the target weight calculating section 420. Is provided. Also,
The memory 248 stores, in addition to the contents of the memory 422, data necessary for calculating the addition amount w of the organic solvent. Further, the solvent supply control unit 244 issues a solvent supply signal in response to an adjustment start command from the input device 44, and sends a solvent supply signal to the solvent supply device 50 until the resist weight becomes W3 + w, that is, the target weight W4 after the addition of the solvent. The organic solvent is added to the resist.

【0091】次に、レジスト再生システム200を用い
たレジスト再生の工程を説明する。まず、レジスト再生
システム100と同様に、廃液として回収されたレジス
トの増粘工程が実施される。ただし、レジスト再生シス
テム200では、目標粘度η2は、レジストを再使用す
るために必要な粘度より大きく設定される。
Next, the steps of regenerating the resist using the resist regenerating system 200 will be described. First, similarly to the resist regeneration system 100, a step of thickening the resist collected as a waste liquid is performed. However, in the resist regenerating system 200, the target viscosity η2 is set to be larger than the viscosity required for reusing the resist.

【0092】増粘工程が終了し、レジストの温度が室温
と同程度まで低下した後、レジストの調整工程が実施さ
れる。調整工程では、レジストは加熱されない。したが
って、調整工程中、レジストの温度は、室温程度であ
る。調整工程も制御装置242によって、制御される。
After the thickening step is completed and the temperature of the resist is lowered to about the same as room temperature, a resist adjusting step is performed. In the adjustment step, the resist is not heated. Therefore, during the adjustment process, the temperature of the resist is about room temperature. The adjustment process is also controlled by the control device 242.

【0093】制御装置242の制御によって行われる調
整工程の内容を、図7に沿って説明する。図7は、調整
工程において制御装置242が行う制御内容を示すフロ
ーチャートである。
The contents of the adjustment process performed under the control of the control device 242 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a flowchart illustrating the control performed by the control device 242 in the adjustment process.

【0094】増粘工程が終了し、レジストの温度が室温
と同程度まで低下すると、ウエイトセンサ24から、再
生容器12内のレジストRの重量W3が、制御装置24
2の目標重量算出部246に入力される(S21)。次
いで、オペレータによって測定された再生容器12内の
レジストRの粘度η3(cp)と、調整工程におけるレ
ジストの目標粘度η4(cp)とが、入力装置44を介
して目標重量算出部246に入力される(S22)。こ
こで、W3、η3は、理論的には、増粘工程の目標重量
W2および目標粘度η2と等しいはずであるが、実際に
は、加熱装置26停止後の余熱等の影響により、W2、
η2と異なっている。したがって、調整工程における制
御では、増粘工程が終了して室温まで温度が低下したレ
ジストの粘度η3および重量W3を、粘度、重量の初期
値として使用する。
When the thickening step is completed and the temperature of the resist is lowered to about the same as the room temperature, the weight W3 of the resist R in the regeneration container 12 is obtained from the weight sensor 24 to the control unit 24.
2 is input to the target weight calculation unit 246 (S21). Next, the viscosity η3 (cp) of the resist R in the regeneration container 12 measured by the operator and the target viscosity η4 (cp) of the resist in the adjustment process are input to the target weight calculation unit 246 via the input device 44. (S22). Here, W3 and η3 should theoretically be equal to the target weight W2 and the target viscosity η2 of the thickening step, but actually, W3, η3 are affected by the residual heat after the heating device 26 is stopped.
η2. Therefore, in the control in the adjusting step, the viscosity η3 and the weight W3 of the resist whose temperature has been lowered to room temperature after the thickening step is completed are used as initial values of the viscosity and the weight.

【0095】次いで、目標重量算出部246で、W3、
η3およびη4、さらに、メモリ248内のデータに基
づいて、溶剤添加後の目標重量W4が算出され(S2
3)、溶剤供給制御部244に送られる。この溶剤添加
後の目標重量W4は、調整工程中に、再生容器12内の
レジストRに重量wの有機溶剤が添加されて、再生容器
12内のレジストRの粘度が目標粘度η4になった時
の、レジストRの重量すなわちW3+wである。溶剤添
加後の目標重量W4の算出方法については後述する。
Next, the target weight calculator 246 calculates W3,
Based on η3 and η4 and the data in the memory 248, the target weight W4 after the addition of the solvent is calculated (S2
3), is sent to the solvent supply control unit 244. The target weight W4 after the addition of the solvent is determined when the weight w of the organic solvent is added to the resist R in the regeneration container 12 and the viscosity of the resist R in the regeneration container 12 reaches the target viscosity η4 during the adjustment process. Is the weight of the resist R, that is, W3 + w. A method for calculating the target weight W4 after the addition of the solvent will be described later.

【0096】入力装置44を介して、調整開始指令が入
力されると、溶剤供給制御部244が、溶剤供給信号を
発して(S24)、溶剤供給装置50を作動させて、調
整工程が実行される(S25)。調整工程は、溶剤添加
後の目標重量W4を目標値として、レジストRの重量W
をモニタしながら行われる。
When an adjustment start command is input via the input device 44, the solvent supply control section 244 issues a solvent supply signal (S24), activates the solvent supply device 50, and executes the adjustment process. (S25). In the adjusting step, the target weight W4 after addition of the solvent is set as a target value, and the weight W
Is performed while monitoring.

【0097】調整工程中、溶剤供給制御部244は、ウ
エイトセンサ24から送られてくる再生容器12内のレ
ジストRの重量Wを、W4と比較している(S26)。
上述したように、調整工程中には、溶剤供給装置50に
より、有機溶剤が再生容器12内のレジストRに添加さ
れるので、再生容器12内のレジストRは、その粘度η
が、徐々に、低下するとともに、その重量Wが増加して
いく。WがW4より小さい間は、溶剤供給が継続される
(S25)。レジストRの重量WがW4と等しくなった
とき、溶剤供給制御部244は、再生容器12内のレジ
ストRが、目標粘度η4まで希釈されたと判定し、調整
工程を終了させる。(S27)。すなわち、溶剤供給装
置50の作動が停止させられる。
During the adjustment process, the solvent supply control section 244 compares the weight W of the resist R in the regeneration container 12 sent from the weight sensor 24 with W4 (S26).
As described above, during the adjustment step, the organic solvent is added to the resist R in the regeneration container 12 by the solvent supply device 50, so that the resist R in the regeneration container 12 has a viscosity η.
However, the weight W gradually increases and the weight W increases. While W is smaller than W4, the supply of the solvent is continued (S25). When the weight W of the resist R becomes equal to W4, the solvent supply control unit 244 determines that the resist R in the regeneration container 12 has been diluted to the target viscosity η4, and ends the adjustment process. (S27). That is, the operation of the solvent supply device 50 is stopped.

【0098】その後、第2ポンプ34が作動させられ、
再生容器12内のレジストRは、管路32を介して、再
生レジスト容器14に移送される。この途中で、レジス
トは、第2フィルタ36によって濾過され、さらに、冷
却装置38によって完全に冷却される。全てのレジスト
が再生レジスト容器14に移送されると再生工程が終了
する。なお、レジスト再生システム200では、冷却装
置38、あるいは、その作動を省略してもよい。
Thereafter, the second pump 34 is operated, and
The resist R in the reproduction container 12 is transferred to the reproduction resist container 14 via the pipe 32. On the way, the resist is filtered by the second filter 36 and further completely cooled by the cooling device 38. When all the resists have been transferred to the regenerated resist container 14, the regenerating process ends. In the resist regeneration system 200, the cooling device 38 or the operation thereof may be omitted.

【0099】レジスト再生システム200では、レジス
トの溶剤添加後の目標重量W4の算出は、目標重量算出
部246において、以下のように行われる。図8は、こ
の算出に用いられるレジストの粘度(縦軸)と添加され
る有機溶剤の重量(横軸)の関係を示すグラフである。
粘度の表示単位をcpとし、重量の表示単位をgとして
ある。
In the resist reproducing system 200, the target weight W4 after the addition of the solvent to the resist is calculated in the target weight calculator 246 as follows. FIG. 8 is a graph showing the relationship between the viscosity of the resist used for this calculation (vertical axis) and the weight of the added organic solvent (horizontal axis).
The display unit of viscosity is cp, and the display unit of weight is g.

【0100】このグラフは、再生するレジストと同じ種
類のレジスト、溶剤を使用した実験に基づいて、予め作
成されたものである。このグラフは、粘度の異なるレジ
スト、例えば5cp、6cp、7cp、8cp、9c
p、10cpのレジストを、一定量(例えば10Kg)
づつ用意し、それぞれに、有機溶剤を添加しながら、粘
度を測定し、添加された有機溶剤の重量と、レジストの
粘度の関係をプロットしていった検量線(g)〜(l)
を示している。
This graph is prepared in advance based on an experiment using a resist and a solvent of the same type as the resist to be regenerated. This graph shows that resists having different viscosities, for example, 5 cp, 6 cp, 7 cp, 8 cp, and 9 c
p, 10 cp of resist in a fixed amount (for example, 10 kg)
Calibration curves (g) to (l) were prepared by measuring the viscosity while adding an organic solvent to each, and plotting the relationship between the weight of the added organic solvent and the viscosity of the resist.
Is shown.

【0101】レジスト再生システム200では、このグ
ラフに対応するデータが、制御装置242のメモリ24
8にマップ(あるいはテーブル)として記憶されてい
る。そして、増粘工程後のレジストの粘度η3および重
量W3と、目標粘度η4とが入力されると、目標重量算
出部246が、メモリ248に記憶されている図8のグ
ラフの内容を参照して、添加すべき有機溶剤の重量wを
算出する。そして、W3にwを加えて、調整工程におけ
るレジストの目標重量(溶剤添加後の目標重量)W4が
算出される。
In the resist reproduction system 200, data corresponding to this graph is stored in the memory 24 of the control device 242.
8 is stored as a map (or table). When the viscosity η3 and the weight W3 of the resist after the thickening step and the target viscosity η4 are input, the target weight calculation unit 246 refers to the contents of the graph of FIG. And the weight w of the organic solvent to be added is calculated. Then, w is added to W3 to calculate a target weight (target weight after addition of the solvent) W4 of the resist in the adjustment step.

【0102】例えば、このグラフの検量線(j)によれ
ば、重量W3が10Kg、粘度η3が8cpのレジスト
を、調整工程の目標粘度η4である粘度6cpまで希釈
するためには、400gの有機溶剤を添加すれば良いこ
とがわかる。したがって、添加する有機溶剤の重量wは
400gであり、W4は、W3+400gと算出され
る。
For example, according to the calibration curve (j) of this graph, in order to dilute a resist having a weight W3 of 10 kg and a viscosity η3 of 8 cp to a viscosity of 6 cp, which is a target viscosity η4 of the adjustment step, 400 g of an organic compound is required. It can be seen that a solvent may be added. Therefore, the weight w of the organic solvent to be added is 400 g, and W4 is calculated as W3 + 400 g.

【0103】このようにして、調整工程における重量の
初期値W3、粘度の初期値η3、および、粘度の目標値
η4に基づいて、溶剤添加後の目標重量W4が算出され
る。また、重量の初期値W3が10Kgでない場合は、
適当な係数を乗ずることにより、溶剤添加後の目標重量
W4を算出することになる。
Thus, the target weight W4 after the addition of the solvent is calculated based on the initial value W3 of the weight, the initial value η3 of the viscosity, and the target value η4 of the viscosity in the adjusting step. If the initial weight value W3 is not 10 kg,
By multiplying by an appropriate coefficient, the target weight W4 after the addition of the solvent is calculated.

【0104】このように構成されたレジスト再生システ
ム200によれば、増粘工程において、最終的な目標粘
度より粘度を高くしたレジストに、常温で、有機溶剤を
添加する調整工程が実施される。したがって、レジスト
の粘度の高精度な調整が可能となる。
According to the resist regenerating system 200 configured as described above, in the thickening step, an adjusting step of adding an organic solvent to a resist having a viscosity higher than the final target viscosity at room temperature is performed. Therefore, the viscosity of the resist can be adjusted with high accuracy.

【0105】レジスト再生システム200においても、
溶剤添加後の目標重量W4の算出方法は、上述の算出方
法に限定されるものではなく、他の算出方法であっても
よい。
Also in the resist reproduction system 200,
The method of calculating the target weight W4 after the addition of the solvent is not limited to the above-described calculation method, and may be another calculation method.

【0106】この発明は、上記実施の形態に限定される
ものではなく、特許請求の範囲に記載された事項の範囲
内で種々の変更・変形が可能である。例えば、上記第1
および第2の実施の形態では、レジスト再生システムは
レジスト塗布装置と別体である。しかしながら、この発
明のレジスト再生システムは、レジスト塗布装置と一体
的に設けられたものであってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various changes and modifications can be made within the scope of the items described in the claims. For example, the first
In the second and third embodiments, the resist regeneration system is separate from the resist coating device. However, the resist regeneration system of the present invention may be provided integrally with the resist coating device.

【0107】また、上記第1および第2の実施の形態で
は、レジスト再生システムの溶剤除去装置が加熱装置、
攪拌装置を備えている。しかしながら、この発明の溶剤
除去装置は、この構成に限定されるものではなく、レジ
ストから溶剤を蒸発させることができるものであれば、
どのような構成を備えていても良い。例えば、加熱装置
を備え、攪拌装置を備えていない構成であってもよい。
In the first and second embodiments, the solvent removing device of the resist regenerating system is a heating device,
A stirring device is provided. However, the solvent removing device of the present invention is not limited to this configuration, and any device capable of evaporating the solvent from the resist can be used.
Any configuration may be provided. For example, a configuration that includes a heating device and does not include a stirring device may be used.

【0108】[0108]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、レジ
ストの有効利用を図ることができる。
As described above, according to the present invention, the resist can be effectively used.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施の形態のレジスト再生シ
ステムの構成を概略的に示す図面である。
FIG. 1 is a drawing schematically showing a configuration of a resist reproduction system according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1の実施の形態のレジスト再生システムの制
御装置の主要部の構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a control device of the resist reproduction system according to the first embodiment.

【図3】第1の実施の形態のレジスト再生システムの制
御装置が増粘工程において制御装置が行う制御内容を示
すフローチャートである。
FIG. 3 is a flowchart showing the control performed by the control device in the thickening step by the control device of the resist regeneration system according to the first embodiment.

【図4】第1の実施の形態のレジスト再生システムにお
いて、レジストの目標重量の算出に用いられるレジスト
の粘度と重量の関係を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing the relationship between the viscosity and the weight of the resist used for calculating the target weight of the resist in the resist regeneration system according to the first embodiment.

【図5】この発明の第2の実施の形態のレジスト再生シ
ステムの構成を示す概略図である。
FIG. 5 is a schematic diagram showing a configuration of a resist reproduction system according to a second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施の形態のレジスト再生システムの制
御装置の主要部の構成を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a main part of a control device of a resist reproduction system according to a second embodiment.

【図7】第2の実施の形態のレジスト再生システムの制
御装置が調整工程において制御装置が行う制御内容を示
すフローチャートである。
FIG. 7 is a flowchart illustrating the control performed by the control device in the adjustment process by the control device of the resist reproduction system according to the second embodiment.

【図8】第2の実施の形態のレジスト再生システムにお
いて、調整工程におけるレジストの目標重量の算出に用
いられる、レジストの粘度と有機溶剤の添加量の関係を
示すグラフである。
FIG. 8 is a graph showing a relationship between the viscosity of a resist and the amount of an organic solvent used for calculating a target weight of a resist in an adjustment step in the resist regeneration system of the second embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:回収容器 12:再生容器 14:再生レジスト容器 16:再生チャンバ 18:管路 20:第1ポンプ 22:第1フィルタ 24:ウエイトセンサ 26:加熱装置 28:攪拌装置 28a:攪拌部材 28b:駆動装置 30:温度測定装置 32:管路 34:第2ポンプ 36:第2フィルタ 38:冷却装置 40:排気装置 41:窒素ガス源 42:制御装置 44:入力装置 100:レジスト再生システム 420:目標重量算出部 422:メモリ 424:増粘制御部 10: Recovery Container 12: Regeneration Container 14: Regeneration Resist Container 16: Regeneration Chamber 18: Pipe Line 20: First Pump 22: First Filter 24: Weight Sensor 26: Heating Device 28: Stirring Device 28a: Stirring Member 28b: Drive Device 30: Temperature measurement device 32: Pipe line 34: Second pump 36: Second filter 38: Cooling device 40: Exhaust device 41: Nitrogen gas source 42: Control device 44: Input device 100: Resist regeneration system 420: Target weight Calculation unit 422: Memory 424: Thickening control unit

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 レジスト塗布装置から回収したレジスト
を収容して再生する再生容器と、 該再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させて該溶
剤成分の一部分を除去する溶剤除去装置と、 前記溶剤除去装置の作動を制御する制御装置とを備え、 前記制御装置が、前記レジストの粘度が再使用可能な目
標粘度になるまで、該レジストから溶剤成分を除去する
ように前記溶剤除去装置を作動させることを特徴とする
レジスト再生システム。
1. A regenerating container for containing and regenerating a resist recovered from a resist coating device, a solvent removing device for evaporating a solvent component from the resist in the regenerating container to remove a part of the solvent component, A control device for controlling the operation of the removing device, wherein the control device operates the solvent removing device to remove the solvent component from the resist until the viscosity of the resist reaches a reusable target viscosity. A resist reproduction system, characterized in that:
【請求項2】 請求項1に記載のレジスト再生システム
において、 前記再生容器内のレジストの重量を測定する重量測定装
置を備え、 前記制御装置が、前記重量測定装置の測定結果に基づい
て、前記溶剤除去装置を作動させることを特徴とするレ
ジスト再生システム。
2. The resist regenerating system according to claim 1, further comprising: a weight measuring device for measuring a weight of the resist in the regenerating container, wherein the control device is configured to determine the weight of the resist based on a measurement result of the weight measuring device. A resist regeneration system characterized by operating a solvent removing device.
【請求項3】 請求項2に記載のレジスト再生システム
において、 前記制御装置が、溶剤成分除去前のレジストの粘度およ
び重量とレジストの目標粘度とに基づいて、溶剤成分除
去後のレジストの目標重量を算出し、前記レジストの重
量が前記目標重量になるように前記溶剤除去装置を作動
させることを特徴とするレジスト再生システム。
3. The resist regeneration system according to claim 2, wherein the control device is configured to set a target weight of the resist after removing the solvent component based on a viscosity and a weight of the resist before removing the solvent component and a target viscosity of the resist. Wherein the solvent removal device is operated so that the weight of the resist becomes the target weight.
【請求項4】 請求項1ないし請求項3のいずれか1項
に記載のレジスト再生システムにおいて、 前記溶剤除去装置が、前記再生容器内のレジストを加熱
する加熱装置を備えていることを特徴とするレジスト再
生システム。
4. The resist regenerating system according to claim 1, wherein the solvent removing device includes a heating device for heating the resist in the regenerating container. Resist regeneration system.
【請求項5】 請求項4に記載のレジスト再生システム
において、 前記溶剤除去装置が、前記再生容器内のレジストを攪拌
する攪拌装置を備えていることを特徴とするレジスト再
生システム。
5. The resist regenerating system according to claim 4, wherein the solvent removing device includes a stirring device for stirring the resist in the regenerating container.
【請求項6】 請求項1ないし請求項5のいずれか1項
に記載のレジスト再生システムにおいて、 前記再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、 前記再生チャンバ内を排気する排気装置を備えているこ
とを特徴とするレジスト再生システム。
6. The resist regenerating system according to claim 1, further comprising an exhaust device that accommodates the regenerating container in a closed regenerating chamber and exhausts the interior of the regenerating chamber. A resist reproduction system.
【請求項7】 請求項6に記載のレジスト再生システム
において、 前記再生チャンバ内に窒素ガスを供給する窒素ガス源を
備えていることを特徴とするレジスト再生システム。
7. The resist regeneration system according to claim 6, further comprising a nitrogen gas source for supplying a nitrogen gas into the regeneration chamber.
【請求項8】 請求項1ないし請求項7のいずれか1項
に記載のレジスト再生システムにおいて、 前記再生容器内のレジストに溶剤を添加する溶剤供給装
置を備え、 前記制御装置が、該溶剤供給装置の作動を制御し、 前記制御装置が、前記溶剤除去装置により溶剤成分が除
去されたレジストが所定粘度になるまで該レジストに溶
剤を添加するように、前記溶剤供給装置を作動させるこ
とを特徴とするレジスト再生システム。
8. The resist regeneration system according to claim 1, further comprising: a solvent supply device for adding a solvent to the resist in the regeneration container, wherein the control device is configured to supply the solvent with the solvent. Controlling the operation of the device, wherein the control device operates the solvent supply device so as to add a solvent to the resist from which the solvent component has been removed by the solvent removal device until the resist has a predetermined viscosity. Resist reproduction system.
【請求項9】 請求項8に記載のレジスト再生システム
において、 前記制御装置が、前記重量測定装置の測定結果に基づい
て、前記溶剤供給装置の作動を制御することを特徴とす
るレジスト再生システム。
9. The resist reproduction system according to claim 8, wherein the control device controls the operation of the solvent supply device based on a measurement result of the weighing device.
【請求項10】 請求項9に記載のレジスト再生システ
ムにおいて、 前記制御装置が、溶剤成分の一部分が除去されたレジス
トの粘度および重量と溶剤添加後の目標粘度とに基づい
て、溶剤添加後の目標重量を算出し、前記レジストの重
量が前記溶剤添加後の目標重量になるように前記溶剤供
給装置を作動させることを特徴とするレジスト再生シス
テム。
10. The resist regenerating system according to claim 9, wherein the control device is configured to control the post-addition of the solvent based on the viscosity and weight of the resist from which a part of the solvent component has been removed and the target viscosity after the addition of the solvent. A resist regeneration system, wherein a target weight is calculated and the solvent supply device is operated so that the weight of the resist becomes the target weight after the addition of the solvent.
【請求項11】 レジスト塗布装置から回収されたレジ
ストを再生するレジスト再生方法において、 レジスト塗布装置から回収したレジストを再生容器に収
容し、 前記再生容器内のレジストから溶剤成分を蒸発させてレ
ジストの粘度を再使用可能な目標粘度まで増大させるこ
とを特徴とするレジスト再生方法。
11. A resist regenerating method for regenerating a resist recovered from a resist coating device, comprising: storing a resist recovered from the resist coating device in a regenerating container; evaporating a solvent component from the resist in the regenerating container; A method for regenerating a resist, comprising increasing the viscosity to a target viscosity that can be reused.
【請求項12】 請求項11に記載のレジスト再生方法
において、 前記溶剤成分の蒸発が、前記再生容器内のレジストが目
標重量になるまで行われることを特徴とするレジスト再
生方法。
12. The method for regenerating a resist according to claim 11, wherein the evaporation of the solvent component is performed until the resist in the regeneration container reaches a target weight.
【請求項13】 請求項12に記載のレジスト再生方法
において、 前記目標重量が、溶剤成分除去前のレジストの粘度およ
び重量と前記目標粘度とに基づいて算出されることを特
徴とするレジスト再生方法。
13. The method for regenerating a resist according to claim 12, wherein the target weight is calculated based on a viscosity and a weight of the resist before removing a solvent component and the target viscosity. .
【請求項14】 請求項13に記載のレジスト再生方法
において、 前記溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを加熱し
ながら行なわれることを特徴とするレジスト再生方法。
14. The method for regenerating a resist according to claim 13, wherein the evaporation of the solvent component is performed while heating the resist in the regenerating container.
【請求項15】 請求項14に記載のレジスト再生方法
において、 前記溶剤成分の蒸発が、再生容器内のレジストを攪拌し
ながら行なわれることを特徴とするレジスト再生方法。
15. The resist regenerating method according to claim 14, wherein the evaporation of the solvent component is performed while stirring the resist in the regenerating container.
【請求項16】 請求項14または請求項15に記載の
レジスト再生方法において、 前記再生容器が密閉された再生チャンバに収容され、 前記溶剤成分の蒸発が、前記再生チャンバ内に窒素ガス
を供給しつつ、前記再生チャンバ内を排気しながら行わ
れることを特徴とするレジスト再生方法。
16. The method for regenerating a resist according to claim 14, wherein the regenerating container is housed in a closed regenerating chamber, and the evaporation of the solvent component supplies nitrogen gas into the regenerating chamber. And performing the process while evacuating the inside of the regeneration chamber.
【請求項17】 請求項11ないし請求項16のいずれ
か1項に記載のレジスト再生方法において、 前記粘度を増大させたレジストに溶剤を添加することを
特徴とするレジスト再生方法。
17. The method for regenerating a resist according to claim 11, wherein a solvent is added to the resist having the increased viscosity.
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