JP3723794B2 - Electrode structure of plasma surface treatment equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、プラズマによって被処理物のエッチング、成膜、表面改質、洗浄等の表面処理を行なうプラズマ表面処理装置におけるプラズマ発生用の電極の構造に関し、特に所謂リモート式のプラズマ表面処理装置における電極構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
プラズマ表面処理装置では、一対の電極間(プラズマ空間)に処理ガスを導入するとともに電界を印加してプラズマを発生させ、これを被処理物に当てて所望の表面処理を行なう。一対の電極は、例えば2つの金属導体平板を平行に配置してなり、これら平板どうしの対向面には、セラミック等からなる固体誘電体が溶射等で被膜されている(例えば、特許文献1参照)。
また、一対の電極の外に被処理物を配置し、これに向けてプラズマ化した処理ガスを吹き付ける所謂リモート式のプラズマ表面処置装置も公知である(例えば、特許文献2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−236676号公報(第5頁段落0049、第9図)
【特許文献2】
特開平11−251304号公報(第1頁、第2図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
従来のプラズマ表面処理装置では、一対の電極間に処理ガスを通すとともにプラズマ化させるための空間を確保するために、電極間の間隔を所定に維持するスペーサ等の間隔維持手段が別途必要であった。また、電極間のプラズマ空間ひいてはその下流端の処理ガス吹き出し口が、例えばスリット状に延びている場合には、この延び方向に処理ガスを分散、均一化させたうえでプラズマ空間に導入するための分散、均一化手段が別途必要であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明は、対向配置された一対の電極どうし間のプラズマ空間に処理ガスを導入するとともに印加電界によりプラズマ化(活性化)して被処理物(基材、ワーク)へ吹き出す所謂リモート式のプラズマ表面処理装置において、上記一対の電極の各々が、電極本体と、この電極本体の少なくとも他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層としての誘電板とを備え、双方の誘電板が、合掌状態に突き合わされるとともに双方の電極本体によって挟まれ、少なくとも一方の誘電板の突き合わせ面に上記プラズマ空間となる凹溝が形成されており、一対の誘電板における被処理物側を向くべき先端面どうしの境に上記凹溝が開口して、上記プラズマ空間の下流端の吹き出し口を形成していることを特徴とする。これによって、電極間の間隔を所定に維持するための別途の間隔維持手段が不要となり、部品点数を少なくでき、構造のコンパクト化を図ることができる。
【0006】
更に、上記一対の誘電板の間に、上記処理ガスを上記境に沿う方向に均一化させるガス均一化路が形成されていることが望ましい。これによって、別途のガス均一化手段も不要となり、部品点数の一層の削減を図ることができる。この場合、一対の誘電板を被処理物とは逆側を向く基端側へ電極本体より延出させ、この延出部に上記ガス均一化路を形成し、このガス均一化路に上記空間が連なるようにしてもよい。更に、上記延出部には、互いの対向面にガス均一化路を半割りにした凹部を形成し、一対の延出部どうしを突き合わせ、上記半割り凹部を合わせることによって、ガス均一化路が形成されるようにしてもよい。
【0007】
上記凹溝が、上記電極の被処理物とは逆側を向くべき基端部から被処理物側へ向くべき先端部へ近づくにしたがって上記一対の誘電板の先端面どうしの境に沿って広がるように枝分かれしていることが望ましい。これによって、処理ガスを上記空間の通過過程で分散させて吹き出すことができ、構成の一層のコンパクト化を図ることができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
図1及び図2は、本発明の第1実施形態に係るプラズマ表面処理装置M1を示したものである。装置M1は、処理ガス源1と、パルス電源2(電界印加手段)と、電極ユニット10とを備えている。処理ガス源1には、プラズマ表面処理の目的に応じた処理ガスが貯えられている。パルス電源4(電界印加手段)は、電極本体21にパルス電圧を出力するようになっている。このパルスの立上がり時間及び/又は立下り時間は、10μs以下、電界強度は1〜1000kV/cm、周波数は0.5kHz以上であることが望ましい。
【0009】
詳細な図示は省略するが、電極ユニット10は、ノズルヘッドに収容された状態で架台に支持されている。電極ユニット10の下方には、大面積の板状の基材(被処理物)Wがセットされており、、この基材Wに成膜、エッチング、表面改質等の表面処理が施されるようになっている。
【0010】
電極ユニット10は、互いに別体をなす一対の電極20,30で構成され、これら電極20,30が、前後(図1において左右)に対向するとともに、突き合されて一体化されている。電極20,30は、それぞれ導電金属製の電極本体21,31と、この電極本体31における他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層としての誘電板25とを備えている。後側の電界印加電極20の本体21は、断面四角形状をなして左右(図1において紙面と直交する方向)へ長く延びている。この電界印加電極本体21に、上記パルス電源2が給電線2aを介して接続されている。前側の接地電極30の本体31は、上記電界印加電極本体21と同一形状をなして左右に長く延びている。この接地電極本体31から接地線3aが延び、接地されている。
【0011】
電界印加電極20の誘電板25は、セラミック等の固体誘電体の板で構成され、長尺の電極本体21に合わせて左右に長く延びている。図2に示すように、誘電板25には、上端縁の中央部から出発して下方(被処理物側へ向くべき先端部)に向かうにしたがって左右長手方向に(誘電板25,35の先端面どうしの境に沿って)広がるように複数段階にわたって枝分かれするツリー状の溝25xと、このツリー状溝25xの末端の多数の枝に連なる凹部25yとが形成されている。凹部25yは、誘電板25の略全長にわたって延びるとともに下端面へ達している。ツリー溝25xと凹部25yとによって、「プラズマ空間となるべき凹溝」が構成されている。
【0012】
同様に、接地電極30の誘電板35は、固体誘電体の板で構成され、接地電極本体31に合わせて左右に長く延びている。詳細な図示は省略するが、誘電板32にも、電界印加電極20の誘電板25と同一形状のツリー状溝35x及び凹部35yが形成されている(図1参照)。
【0013】
そして、双方の誘電板25,35が、合掌状態に突き合されて互いに貼り合わされるとともに、双方の電極本体21,31によって前後両側から挟まれている。これにより、誘電板25,35のツリー状溝25x,35xどうしが合わさってツリー状通路(ガス均一化路、ガス分散路)10xが形成されている。ツリー状通路10xの上流端は、誘電板25,35の上面どうしの境に開口され、供給口10xINとなっている。この供給口10xINにガス供給管1aを介して上記処理ガス源1が接続されている。
また、凹部25y,35yどうしが合わさって、上記通路10xに連なるガス吹出し通路10yが形成されている。通路10yの下端は、ケース本体22,32の下面どうしの境へ開口し、吹き出し口10yOUTを構成している。
これら通路10x,10yは、略全体が電極本体21,31の間に介在され、「プラズマ空間」となっている。
【0014】
上記構成のプラズマ表面処理装置M1の動作を説明する。
処理ガス源1からの処理ガスは、ガス供給管1aを経て、供給口10xINからツリー状通路10xに導入される。そして、このツリー状通路10xによって長手方向へ順次均一に分散されながら下へ向かい、通路10yへ流れて行く。一方、パルス電源2によって電極本体21,31間に電界が印加される。これによって、通路10x、10y内でグロー放電が発生する。この結果、処理ガスが、ツリー状通路10xでの分散流通の過程で順次プラズマ化され、ガス吹き出し通路10yにおいても更にプラズマ化された後、下端の吹き出し口10yOUTから基材Wへ向けて吹出される。これによって、基材Wの長手方向に一度に、しかも均一に所望の表面処理を施すことができる。
【0015】
このように、装置M1によれば、誘電板25,35どうしを合掌状態で突き当て、更にこれを電極本体21,31で挟持したことによって、電極本体21,31間の間隔を所定に維持することができる。したがって、別途の間隔維持手段が不要であり、部品点数を削減でき、構造のコンパクト化を図ることができる。また、誘電板25,35どうしを合掌させることによって、ガス通路10x,10yを構成することができ、この通路10x、10y内において処理ガスを分散、均一化させながらプラズマ化させることができる。したがって、別途のガス分散・均一化手段が不要であり、部品点数の一層の削減を図ることができ、構成の一層のコンパクト化を図ることができる。
【0016】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において、既述の実施形態と同様の構成に関しては、図面に同一符号を付して説明を簡略化する。
図3及び図4は、本発明の第2実施形態を示したものである。この実施形態に係るプラズマ表面処理装置M2では、上記装置M1と同様に、電極ユニット20が、互いに別体をなす一対の電界印加電極20及び接地電極30で構成され、これら電極20,30どうしが、突き合されることによって一体化されている。各電極20,30は、長尺の電極本体21,31と誘電ケース22,32を備えている。
【0017】
電界印加電極20の誘電ケース22は、長尺の電極本体21に合わせて左右に長く延びるケース本体23と蓋24を備えている。これらケース本体23及び蓋245は、セラミック等の固体誘電体で構成されている。ケース本体23には、接地電極30とは逆側の背面へ開口する内部空間23aが形成されている。この内部空間23aに、電界印加電極本体21が着脱可能に収容され、内部空間23aの背面開口が蓋24で塞がれている。ケース本体23において、内部空間23aの奥壁を構成するとともに接地電極30と対向すべき対向壁25A(誘電板)には、上記第1実施形態と同様のツリー状溝25x及び凹部25yが形成されている(図4)。
なお、誘電ケース22は、電界印加電極本体21を包む固体誘電体層としての機能を有している。したがって、対向壁25Aは、電界印加電極本体21の接地電極30との対向面に設けられるべき固体誘電体層としての機能を有している。給電線2aは、ケース本体23を通して引き出してもよく、蓋24を通して引き出してもよい。
【0018】
同様に、接地電極30の誘電ケース32は、接地電極本体31に合わせて左右に長く延びる固体誘電体製のケース本体33及び蓋34を備えている。ケース本体33には、電界印加電極20とは逆側の背面へ開口する内部空間33aが形成されている。内部空間33aには接地電極本体31が着脱可能に収容され、内部空間33aの背面開口が蓋34で塞がれている。ケース本体33において、内部空間33aの奥壁を構成するとともに電界印加電極20と対向すべき対向壁35A(誘電板)には、上記対向壁25Aと同様のツリー状溝35x及び凹部35yが形成されている(図3参照)。
なお、誘電ケース32は、接地電極本体31を包む固体誘電体層としての機能を有している。したがって、対向壁35Aは、接地電極本体31の電界印加電極20との対向面に設けられるべき固体誘電体層としての機能を有している。接地線3aは、ケース本体33を通して引き出してもよく、蓋34を通して引き出してもよい。
【0019】
そして、双方の電極20,30の対向面どうし、すなわち、対向壁25A,35Aどうしが、合掌状態に突き合されて互いに貼り合わされている。(対向壁25A,35Aが、電極本体21,31によって前後両側から挟まれた状態になっている。)これにより、対向壁25A,35Aのツリー状溝25x,35xどうしが合わさってツリー状通路(ガス均一化路、ガス分散路)10xが形成され、凹部25y,35yどうしが合わさって、上記通路10xに連なるガス吹出し通路10yが形成されている。
【0020】
この第2実施形態に係るプラズマ表面処理装置M2によれば、各電極本体21,31の全体が、固体誘電体層としての誘電ケース22,32で覆われているため、互いの対向面では勿論、背面やエッジにおいても異常放電を防止できる。また、ケース22,32に膜等の汚れが付着した場合には、電極本体21,31を取り出し、ケース22,32だけを例えば強酸等の薬液に漬ける等して洗浄することができ、メンテナンスを容易化できる。
【0021】
図5及び図6は、本発明の第3実施形態を示したものである。この実施形態に係るプラズマ表面処理装置M3では、ケース本体23,33が、それぞれ電極本体21,31より上へ延出されている。一対のケース本体23,33のこれら上側延出部どうしによってガス均一化部11が構成され、下側部どうしによって電極対向配置部12が構成されている。
【0022】
電界印加側のケース本体23の上側部(ガス均一化部11)は、水平な隔壁26によって仕切られた上下2つの半割り膨張室23b,23dを有して、大略E字状の断面をなしている。半割り膨張室23b,23dは、接地側のケース本体33へ向けて開口されている。同様に、接地側のケース本体33の上側部(ガス均一化部11)は、水平隔壁36によって仕切られるとともに電界印加側ケース本体23へ向けて開口する上下2つの半割り膨張室33b,33dを有している。
【0023】
電界印加側のケース本体23の下側部(電極対向配置部12)には、接地電極30とは逆側の背面へ開口する内部空間23aが形成されている。内部空間23aには電界印加電極本体21が着脱可能に収容され、内部空間23aの背面開口が蓋24で塞がれている。ケース本体23において、内部空間23aの奥壁を構成するとともに接地電極30と対向すべき対向壁25A(誘電板)には、電極30との対向面に凹部(凹溝)25aが形成されている。凹部25aは、ケース本体23の略全長にわたって延びるとともにケース本体23の下端面(被処理物を向くべき先端面)へ達している。
【0024】
同様に、接地側のケース本体33の下側部(電極対向配置部12)には、電界印加電極20とは逆側の背面へ開口する内部空間33aが形成されている。内部空間33aには接地電極本体31が着脱可能に収容され、内部空間33aの背面開口が蓋34で塞がれている。ケース本体33において、内部空間33aの奥壁を構成するとともに電界印加電極20と対向すべき対向壁35A(誘電板)には、電極20との対向面に凹部35aが形成されている。凹部35aは、ケース本体33の略全長にわたって延びるとともにケース本体33の下端面(被処理物を向くべき先端面)へ達している。
【0025】
そして、一対のケース本体23,33の上側及び左右両側の対向縁どうしが、突き合されている。これにより、双方のガス均一化部11において、上側の半割り膨張室23b,33bどうしが合わさって第1膨張室11bが形成され、下側の半割り膨張室23d,33dどうしが合わさって下側の第2膨張室11dが形成されている。これら膨張室11b,11dは、それぞれ左右に延びるとともに、前後幅方向にも広がり、十分に大きな容積を有している。
【0026】
一対のケース本体23,33の上板には、互いの対向縁の長手方向の中央部に供給口11aが形成されている。この供給口11aにガス供給管1aを介して上記処理ガス源1が接続されている。また、供給口11aに第1膨張室11bが連なっている。
【0027】
一対のケース本体23,33の隔壁26,36の対向縁どうし間にはスリット状の隙間11c(圧損形成路)が形成されている。この隙間11cを介して上下の膨張室11b,11dどうしが連なっている。
一対のケース本体23,33において、ガス均一化部11と電極対向配置部12との境板27,37の対向縁どうし間にはスリット状の隙間11e(プラズマ空間への導入路)が形成されている。この隙間11eを介して、第2膨張室11dが後記プラズマ空間12aに連なっている。供給口11a、膨張室11b、隙間11c、膨張室11d、隙間11eによって「ガス均一化路」が構成されている。
【0028】
更に、双方のケース本体23,33の電極対向配置部12において、凹部25a,35aどうしが合わさってプラズマ空間12aが形成されている。プラズマ空間12aは、ケース本体23,33の下面へ開口し、左右に細長い吹き出し口12aOUTを構成している。
【0029】
第3実施形態のプラズマ表面処理装置M3では、処理ガス源1からの処理ガスが、ガス供給管1aを経て供給口11aへ供給される。そして、第1膨張室11bに導入されて膨張(高コンダクタンス化)された後、隙間11cで絞られて圧損を生じ(低コンダクタンス化され)、次に第2膨張室11dに導入されて再び膨張される。更に、隙間11eで絞られて再び圧損を生じる。このように、膨張と絞りを交互に加えることにより、処理ガスを左右長手方向に十分に均一化させた後、プラズマ空間12aへ導入することができる。そして、電極本体21,31間に電界を印加することによって、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマ化された処理ガスが、下端の吹き出し口12aOUTから基材Wへ吹き付けられる。
【0030】
装置M3によれば、ケース22,32にガス均一化部11が一体に組み込まれているので、別途のガス均一化手段が不要であり、部品点数の一層の削減を図ることができる。
なお、ガス均一化部の膨張室は、第1、第2の二段だけに限られず、3段以上設けてもよい。これら膨張室どうしを連ねる圧損形成路は、隙間11c,11eのようなスリット状に代えて、スポット(貫通小孔)状になるように構成していもよい。
【0031】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。
例えば、「プラズマ空間となる凹溝」は、少なくとも一方の誘電板の対向面に形成されていればよく、他方の誘電板の対向面はフラットになっていてもよい。或いは、途中までは一方の誘電板に形成され、そこから先は他方の誘電板に形成されていてもよい。
本発明は、常圧下、減圧下の何れのプラズマ表面処理にも適用できる。
【0032】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ表面処理装置における電極間の間隔を所定に維持するための別途の間隔維持手段が不要となり、部品点数を少なくでき、構造のコンパクト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図2】図1のII−IIに沿う上記装置の電極ユニットの電界印加電極誘電板の正面図である。
【図3】本発明の第2実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図4】図3のIV−IVに沿う上記第2実施形態に係る装置の電極ユニットの電界印加電極誘電ケースの正面図である。
【図5】本発明の第3実施形態に係るプラズマ表面処理装置の概略構成を示す側面断面図である。
【図6】図5のVI−VIに沿う上記第3実施形態に係る装置の電極ユニットの電界印加電極誘電ケースの正面図である。
【符号の説明】
M1,M2,M3 プラズマ表面処理装置
W 基材(被処理物)
10x ツリー状通路(プラズマ空間)
10y ガス吹き出し通路(プラズマ空間)
11 ガス均一化部
12a プラズマ空間
21,31 電極本体
25,35 誘電板
25A,35A 対向壁(誘電板)
25a 凹部(凹溝)
25x ツリー状溝(凹溝)
25y 凹部(凹溝)[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to the structure of an electrode for plasma generation in a plasma surface treatment apparatus that performs surface treatment such as etching, film formation, surface modification, and cleaning of an object to be processed by plasma, and particularly in a so-called remote type plasma surface treatment apparatus. The present invention relates to an electrode structure.
[0002]
[Prior art]
In a plasma surface treatment apparatus, a treatment gas is introduced between a pair of electrodes (plasma space) and an electric field is applied to generate plasma, which is applied to an object to be treated to perform a desired surface treatment. The pair of electrodes includes, for example, two metal conductor flat plates arranged in parallel, and a solid dielectric made of ceramic or the like is coated on the opposing surfaces of these flat plates by thermal spraying or the like (see, for example, Patent Document 1). ).
A so-called remote type plasma surface treatment apparatus is also known in which an object to be processed is arranged outside a pair of electrodes and a processing gas that is turned into plasma is sprayed toward the object (for example, see Patent Document 2).
[0003]
[Patent Document 1]
JP 11-236676 A (paragraph 0049 on page 5, FIG. 9)
[Patent Document 2]
JP 11-251304 A (first page, FIG. 2)
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional plasma surface processing apparatus, in order to secure a space for passing the processing gas between the pair of electrodes and generating the plasma, a space maintaining means such as a spacer for maintaining a predetermined space between the electrodes is required separately. It was. In addition, when the plasma space between the electrodes and the processing gas blowout port at the downstream end thereof extend in a slit shape, for example, the processing gas is dispersed and uniformed in this extending direction and then introduced into the plasma space. Separately, a means for dispersing and homogenizing was necessary.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention introduces a processing gas into a plasma space between a pair of opposed electrodes and plasmaizes (activates) it by an applied electric field to form an object to be processed (base material, In the so-called remote-type plasma surface treatment apparatus that blows off to a workpiece, each of the pair of electrodes is a dielectric plate as a solid dielectric layer provided on the opposing surface of the electrode body and at least the other electrode of the electrode body The two dielectric plates are abutted in a palmed state and sandwiched between both electrode bodies, and a concave groove serving as the plasma space is formed on the abutting surface of at least one of the dielectric plates. The concave groove is opened at the boundary between the front end surfaces of the plate that should face the workpiece, forming a blowout port at the downstream end of the plasma space. This eliminates the need for a separate spacing maintaining means for maintaining the spacing between the electrodes at a predetermined level, thereby reducing the number of parts and making the structure compact.
[0006]
Further, it is desirable that a gas homogenization path for uniformizing the processing gas in the direction along the boundary is formed between the pair of dielectric plates. This eliminates the need for a separate gas uniformizing means, and can further reduce the number of parts. In this case, a pair of dielectric plates are extended from the electrode body to the base end side facing away from the object to be processed, the gas uniformizing path is formed in the extending portion, and the space in the gas uniformizing path is formed. May be continued. Furthermore, the extension part is formed with a recess in which the gas homogenization path is divided in half on the opposing surfaces, the pair of extension parts are butted together, and the gas splitting path is aligned. May be formed.
[0007]
The concave groove expands along the boundary between the distal end surfaces of the pair of dielectric plates as it approaches the distal end portion that should face the workpiece side from the base end portion that should face the opposite side of the electrode. It is desirable that the branches be branched like this. As a result, the processing gas can be dispersed and blown out in the process of passing through the space, and the configuration can be made more compact.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
1 and 2 show a plasma surface treatment apparatus M1 according to a first embodiment of the present invention. The apparatus M1 includes a processing gas source 1, a pulse power source 2 (electric field applying means), and an
[0009]
Although detailed illustration is omitted, the
[0010]
The
[0011]
The
[0012]
Similarly, the
[0013]
The two
Further, the
The
[0014]
The operation of the plasma surface treatment apparatus M1 having the above configuration will be described.
Process gas from the process gas source 1, via the
[0015]
As described above, according to the device M1, the
[0016]
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same configurations as those of the above-described embodiments are denoted by the same reference numerals in the drawings, and the description is simplified.
3 and 4 show a second embodiment of the present invention. In the plasma surface treatment apparatus M2 according to this embodiment, as in the apparatus M1, the
[0017]
The
The
[0018]
Similarly, the
The
[0019]
And the opposing surfaces of both the
[0020]
According to the plasma surface treatment apparatus M2 according to the second embodiment, the
[0021]
5 and 6 show a third embodiment of the present invention. In the plasma surface treatment apparatus M3 according to this embodiment, the case
[0022]
The upper part (gas homogenization part 11) of the
[0023]
An
[0024]
Similarly, an
[0025]
The opposing edges of the upper and left and right sides of the pair of
[0026]
On the upper plate of the pair of case
[0027]
Between the opposing edges of the
In the pair of
[0028]
Further, in the electrode facing
[0029]
In the plasma surface processing apparatus M3 of the third embodiment, the processing gas from the processing gas source 1 is supplied to the
[0030]
According to the apparatus M3, since the
In addition, the expansion chamber of the gas homogenizer is not limited to the first and second two stages, and may be provided with three or more stages. The pressure loss forming path that connects these expansion chambers may be configured to have a spot (through small hole) shape instead of a slit shape such as the
[0031]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
For example, the “concave groove serving as the plasma space” may be formed on the opposing surface of at least one of the dielectric plates, and the opposing surface of the other dielectric plate may be flat. Alternatively, it may be formed on one dielectric plate until halfway and the other portion is formed on the other dielectric plate.
The present invention can be applied to any plasma surface treatment under normal pressure or reduced pressure.
[0032]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, there is no need for a separate distance maintaining means for maintaining a predetermined distance between the electrodes in the plasma surface treatment apparatus, the number of parts can be reduced, and the structure can be made compact. Can do.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a side sectional view showing a schematic configuration of a plasma surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a front view of an electric field applying electrode dielectric plate of the electrode unit of the above apparatus along II-II in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a side sectional view showing a schematic configuration of a plasma surface treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
4 is a front view of an electric field applying electrode dielectric case of the electrode unit of the device according to the second embodiment along IV-IV in FIG. 3; FIG.
FIG. 5 is a side sectional view showing a schematic configuration of a plasma surface treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.
6 is a front view of an electric field applying electrode dielectric case of the electrode unit of the device according to the third embodiment along VI-VI in FIG. 5; FIG.
[Explanation of symbols]
M1, M2, M3 Plasma surface treatment equipment W Base material (object to be treated)
10x tree-shaped passage (plasma space)
10y Gas blowout passage (plasma space)
11
25a Concave (concave groove)
25x Tree-shaped groove (concave groove)
25y recess (concave groove)
Claims (4)
上記一対の電極の各々が、電極本体と、この電極本体を収容する固体誘電体からなる誘電ケースとを備え、この誘電ケースの他方の電極と対向する対向壁が、上記電極本体の他方の電極との対向面に設けられた固体誘電体層を構成しており、
双方の誘電ケースの対向壁どうしが突き合わされ、少なくとも一方の誘電ケースの対向壁の突き合わせ面に上記プラズマ空間となる凹部が形成され、一対の対向壁における被処理物側を向くべき先端面どうしの境に上記凹部が開口していることを特徴とするプラズマ表面処理装置の電極構造。In a plasma surface treatment apparatus that introduces a processing gas into a plasma space between a pair of electrodes arranged opposite to each other and turns it into a plasma and blows it out to a workpiece,
Each of the pair of electrodes includes an electrode main body and a dielectric case made of a solid dielectric material that accommodates the electrode main body , and an opposing wall facing the other electrode of the dielectric case is the other electrode of the electrode main body. A solid dielectric layer provided on the opposite surface of the
The opposing walls of both dielectric cases are abutted, and a concave portion serving as the plasma space is formed on the abutting surface of the opposing walls of at least one of the dielectric cases, and the tip surfaces of the pair of opposing walls that should face the workpiece side An electrode structure of a plasma surface treatment apparatus, wherein the recess is opened at a boundary .
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