JP3708570B2 - Non-defective product identification method for semiconductor elements - Google Patents

Non-defective product identification method for semiconductor elements Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、半導体素子の生産工程における個々の半導体素子の良否の判別方法に係り、より詳細には、各ロットについて、検査項目毎の測定値の統計値を演算すると共に、演算結果と予め設定された基準値とから良否の判別基準値を算出することにより、ロット毎に最適となる判別基準値でもって良否の判別を行う半導体素子の良品判別方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の生産工程において、図6に示すウエハ21上に形成された半導体素子211〜213,・・・の良否を判別する場合、図5に示すような特性検査装置が用いられている。また、半導体素子211〜213,・・・の良否の判別には、ロットが異なる場合にも同一の判別基準値が用いられている。
【0003】
詳細に説明すると、特性検査装置は、計測コントローラ1、計測器2、ハンドラコントローラ3、ローダ部4、テストヘッド部5、アンローダ部6を備えており、図7に示す手順に従って判別が行われる。つまり、ウエハ21は、ローダ部4によって搬送され、テストヘッド部5の所定位置に載置される(ステップS81)。次いで、プローブピンと半導体素子211〜213,・・・との位置関係を、所定の位置関係とするため、テストヘッド部5に載置されたウエハ21の位置決めを行う(ステップS82)。
【0004】
この後、例えば、半導体素子211の電極にプローブピンが接続され(ステップS83)、半導体素子211について、計測器2により所定の検査項目の測定が行われる(ステップS84)。また測定値は計測コントローラ1に送出され、メモリ11に記憶される(ステップS85)。そしてメモリ11に記憶された測定値は、全てのロットに共通する値であり、半導体素子211〜213,・・・の良否の基準となる判別基準値と比較される。また比較結果である良否の判別結果がメモリ11に記憶される(ステップS86)。
【0005】
メモリ11に記憶された判別結果が不良品を示す場合、半導体素子211が不良品であることを示すため、半導体素子211の表面に赤いインクを付着する(ステップS87)。そして後、プローブピンを半導体素子211の電極から離し(ステップS88)、プローブピンを、次の半導体素子、例えば半導体素子212に移動させる(ステップS89,S90)。
【0006】
以下では、ステップS83〜S90の動作が、半導体素子212,213,・・・の全てについて繰り返される。そして所定の繰り返しが終了すると、ウエハ21は、アンローダ部6によってテストヘッド部5から取り外され、次なる工程に搬送される(ステップS91)。
【0007】
上記した判別を行うためには、複数の検査項目についての測定と判別とが行われるが、ここでは1種の検査項目についてのみ注目して説明を行う。図8は、3種のロットa,b,cについての、各ロット毎の検査項目jにおける測定値の度数分布、平均値AVaj,AVbj,AVcj、およひ判別基準値との関係を示している。このとき用いられる判別基準値は、全てのロットa,b,cについて共通となっており、値LLojは、判別基準値の最小値、値ULojは、判別基準値の最大値を示している。
【0008】
このため、ロットaおよびロットbについては、全数が良品と判別されることになる。またロットcについては、測定値が値LLoj以下となった素子(斜線93に対応する素子)についてのみ、不良品であると判別される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図8に示すように、ロットaの半導体素子の測定値は、検査項目jに関して、平均値AVajの近傍に大部分が分布することになるが、一部については、平均値AVajから離れた部分に集中して分布することがある(91参照)。つまり、測定値が91により示される分布に対応する半導体素子は、ロットaが、同一材料、同一条件の元で形成された素子であるにも関わらず、大部分の素子群が示す測定値とは異なった測定値を示す素子群となっている。
【0010】
すわなち、分布91に対応する半導体素子群は、何からの異常を有する可能性が極めて高いと考えられる素子群である。このことは、ロットbの分布92に対応する素子群についても同様となる。
【0011】
このため、全てのロットに共通の判別基準値、つまり最小値がLLoj、最大値がULojとなる判別基準値でもって半導体素子の良否を判別する場合では、分布91,92に対応する半導体素子も良品と判別されることになる。その結果、異常を有する可能性が極めて高い素子についても、良品と判別されることになるので、判別精度が低下するといった問題を生じていた。
【0012】
本発明は上記課題を解決するため創案されたものであって、請求項1および3記載の発明の目的は、ロットのそれぞれについて判別の基準となる基準値を求め、求められた基準値に従って良否の判別を行うことにより、良否の判別の精度を高めることのできる半導体素子の良品判別方法を提供することにある。
【0013】
また請求項2記載の発明の目的は、判別結果を予めメモリに記憶し、記憶した判別結果が示す不良素子の分布に基づいて、半導体素子を良品と不良品とに分類する制御を行うことにより、分類の所要時間を短縮することのできる半導体素子の良品判別方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため本発明に係る半導体素子の良品判別方法は、半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法において、単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目jの測定を行い、前記検査項目jの測定値を、前記測定の対象となった前記半導体素子の各々と1対1に対応付けてメモリに記憶し、前記検査項目jのそれぞれについて、前記メモリに記憶された前記測定値に基づいてその平均値AVjと標準偏差σjとを求め、その求めた平均値AVjと標準偏差σjとから基準値の下限値LLjと上限値ULjとを演算し、全ロットに適用される予め設定された最小値LLojと最大値ULojからなる判別の基準値と、前記下限値LLj及び上限値ULjとから、前記半導体素子の良否の基準を示す2種の判別基準値LL[j]とUL[j]を演算し、前記メモリに記憶された前記測定値と前記2種の判別基準値とを照合することによって、前記測定値に対応付けられた前記半導体素子の良否の判別を行う方法としている。
【0015】
また請求項2記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、ウエハ上に形成された半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用し、前記良否の判別結果を、前記判別の対象となる前記半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、前記メモリに記憶された前記判別結果が示す不良品の前記ウエハ上の分布に基づいて、前記不良品にマークを付与する装置の移動コースを求める方法としている。
【0017】
【作用】
請求項1記載の発明の作用を以下に示す。
【0018】
検査項目のそれぞれについて、メモリに記憶された測定値に基づく所定の統計値(基準値の下限値LLjと、上限値ULj)を演算すると、得られた統計値は、単位ロットに属する全ての半導体素子の測定値の分布の傾向を示すことになる。一方、全ロットに適用される予め設定された判別の基準値(最小値LLojと最大値ULoj)は、測定値の許容範囲の最大値を示しており、あらゆる単位ロットに適用される値を示している。その結果、予め設定された判別の基準値と統計値とに基づいて演算された2種の判別基準値(LL[j]とUL[j])は、単位ロットのそれぞれの測定値の傾向に対応すると共に、許容範囲の最大値を満たす値となる。
【0019】
このため、判別基準値に基づいて半導体素子の良否を判別すると、対象となっている単位ロットに特有の傾向に基づいて良否の判別を行うことになると共に、許容範囲の最大値を満たすかどうかの判別をも行うことになる。従って、測定対象である半導体素子は、許容範囲の最大値を満たす場合でも、各ロットの測定値の傾向に沿わない場合では、不良品と判別されることになる。
【0020】
請求項2記載の発明の作用を以下に示す。
【0021】
半導体素子を良品と不良品とに分類するため、ウエハ上の不良品にマークを付与する場合、不良品にマークを付与する装置の移動コースには、不良品の位置の分布に対応して最適となる移動コースがある。このため、予め判別結果をメモリに記憶する場合では、記憶された判別結果が示す不良品の分布に基づいて、不良品にマークを付与する装置の移動時間が最短となる移動コースが演算可能となる。このため、演算された移動コースに従って装置を制御しつつ、該当する半導体素子にマークを付与することにより、その所要時間が短縮される。
【0025】
【実施例】
以下に、本発明の一実施例について図面を参照しつつ説明する。
【0026】
図5は、本発明の一実施例が適用される特性検査装置の電気的構成を示すブロック図となっており、計測コントローラ1、計測器2、ハンドラコントローラ3、ローダ部4、テストヘッド部5、およびアンローダ部6を備えている。この構成は、従来技術の判別において使用される装置と同一構成であるが、計測コントローラ1は、請求項1および2記載の発明に対応した動作を行うように構成されている。
【0027】
すなわち、計測コントローラ1は、特性検査装置としての主要動作を実行するブロックとなっており、その内部にメモリ11を備えていて、計測器2によって測定された測定値を記憶する。また記憶した測定値に基づき、統計値として、測定値の平均値と標準偏差とを演算する。また演算された統計値と、予め設定された良否判別の基準値とから、各ロットに対応した判別基準値を演算する。
【0028】
計測器2は、ウエハ21上に形成された複数の半導体素子211〜213,・・・の電極に、図示されないプローブピンを接続した状態において、所定の検査項目を測定する計測装置となっており、測定によって得られた測定値を計測コントローラ1に送出する。
【0029】
ローダ部4は、半導体素子211〜213,・・・が形成されたウエハ21を、テストヘッド部5の所定位置に載置するためのブロックとなっており、アンローダ部6は、テストヘッド部5に載置されたウエハ21を、次なる工程に移動させるブロックとなっている。
【0030】
ハンドラコントローラ3は、ローダ部4、テストヘッド部5、アンローダ部6の動作を制御するためのブロックとなっており、計測コントローラ1からの指示に従って、ウエハ21の移動の制御を行う。
【0031】
図1は、請求項1および2記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法の一実施例を示すフローチャートであり、単位ロットは1枚のウエハ21となっている。必要に応じて同図を参照しつつ、実施例について詳細に説明する。
【0032】
まず、ハンドラコントローラ3によってローダ部4の動作を制御することにより、ウエハ21をテストヘッド部5の所定位置に載置する(ステップS1)。そして後、テストヘッド部5において、ウエハ21の半導体素子211〜213,・・・の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハ21の位置決めを行う(ステップS2)。この後、半導体素子211の電極にプローブピンを接続する(ステップS3)。
【0033】
計測器2は、予め格納されたプログラムに従い、半導体素子211について、M項目の検査項目についての測定を行う。そして測定により得られた測定値を計測コントローラ1に送出する。計測コントローラ1は、計測器2から出力された測定値を、半導体素子211と1対1に対応付けてメモリ11に記憶する(ステップS4)。
【0034】
メモリ11に記憶される測定値は、計測コントローラ1のプログラムがC言語で記述されている関係から、以下に示すデータとして記憶される。すなわち、半導体素子211〜213,・・・のそれぞれに対応する構造体が定義されている。そして各構造体は、M個の測定値を記憶するための配列と、判別結果を示すためのフラグとをメンバとして有している。
【0035】
また各検査項目の測定値は、項目を示す数値を引数とする測定関数の戻り値として与えられる。このため、M項目の検査項目のそれぞれについては、測定関数が呼び出され、戻り値として測定値が得られる毎に、得られた測定値が、測定対象である半導体素子211に対応する構造体中の配列において、該当するエリアに記憶される。
【0036】
そして半導体素子211の全ての検査項目の測定が終了したときには、半導体素子211からプローブピンがはずされ(ステップS5)、ステップS6からステップS7に動作が移る。つまり、次の半導体素子212にプローブピンが移動する。以下、212,213,・・・の各半導体素子について、ステップS3〜S7の動作が繰り返される。その結果、全ての半導体素子211〜213,・・・について、M項目の検査項目のそれぞれの測定値が、対応する構造体の配列の所定エリアに格納される。
【0037】
全ての半導体素子211〜213,・・・についての測定が終了すると、検査項目のそれぞれについて、測定値がメモリ11から読み出される。そして読み出された測定値に基づき、平均値と標準偏差とが演算される。
【0038】
いま、検査項目の項目番号をjにより示すとすると、
【0039】
【数1】
j=1,2,3,・・・,M
である。このため、ロットaにおいては、各jについて、平均値AVajおよび標準偏差σajとが演算される(ステップS8)。そして後、ロットaに対応する基準値が演算される。いま、基準値の下限値をLLaj、上限値をULajとすると、
【0040】
【数2】
LLaj=AVaj−k×σaj
ULaj=AVaj+k×σaj (kは定数)
として、各値が演算される。
【0041】
そして、全てのロットに適用される基準値として予め設定された最小値であるLLoj、および最大値であるULojが参照され
【0042】
【数3】
LLa〔j〕=MAX(LLoj,LLaj) ・・・1式
ULa〔j〕=MIN(ULoj,ULaj) ・・・2式
なる演算によって、ロットaに対応する2種の判別基準値が定まる。すなわち、判別基準値LLa〔j〕は、ロットaの項目jにおける下限値を示し、判別基準値ULa〔j〕は、ロットaの項目jにおける上限値を示すこととなる(ステップS9)。
【0043】
上記演算によって1〜Mなるjの全てについて2種の判別基準値が求まったときには、全ての検査項目jについて良否の判別が行われる。つまり、半導体素子211〜213,・・・のそれぞれに対応する構造体の配列中に記憶された値のうち、全ての検査項目jに対応する測定値Fij(iは半導体素子を区別する識別子)が
【0044】
【数4】
LLa〔j〕≦Fj≦ULa〔j〕
となる場合には、iにより識別される半導体素子は良品であると判定される。その結果、該当する半導体素子の構造体のフラグには、良品である場合、値1が格納される。また良品と判定されなかった場合には、該当する半導体素子の構造体のフラグに、不良品を示すため、値0が格納される。
【0045】
すなわち、良否の判別結果が、判別の対象となる半導体素子と対応付けてメモリに記憶されることとなる(ステップS10)。
【0046】
次いで、構造体中のフラグの値の全てが読み取られ、不良品となった半導体素子に関するウエハ21上の分布が求められる。そして全ての不良品に赤インク(マーク)を付着するため、赤インクを付着する装置(図示を省略)を移動させるための最短経路が演算される。そして演算された経路に沿って該装置が移動し、該当する半導体素子に赤インクを付着していく(ステップS11)。
【0047】
この後、ウエハ21は、アンローダ部6によってテストヘッド部5から取りはずされ、次の工程のための所定位置に搬送される(ステップS12)。そしてダイボンド工程においては、赤インクの付着した半導体素子は不良品として廃棄される。以下、順次、各ウエハについて、検査項目jの測定、判別基準値の演算、および判別が行われる。また不良品には赤インクが付着される。
【0048】
上記方法における良否の判別について、図4を参照しつつ、詳細に説明すると、曲線41は、ロットaについての検査項目jに関する測定値の主要部分の度数分布を示している。また曲線31は、ロットaについての検査項目jに関する測定値の少数部分の度数分布を示している。
【0049】
また判別基準値LLa〔j〕は、1式によって求まる下限値を示しており、判別基準値ULa〔j〕は、2式によって求まる上限値を示している。このため、曲線41によって度数分布が示される部分に属する半導体素子については、良品と判別される。また曲線31によって度数分布が示される部分に属する半導体素子については、不良品であると判別される。
【0050】
すなわち、ロットaにおける度数分布において、度数分布の主たる部分に属し、ロットaとして正常な特性を示す半導体素子のみが良品と判別される。そして度数分布の少数部分に属する半導体素子については、ロット全体の基準値(LLajとULoj)を満たしているにも関わらず、ロットaの素子としては何らかの異常の可能性を有するため、不良品として判別されることになる。
【0051】
これらのことは、ロットbとして生産されたウエハ上の半導体素子に関する場合も同様であり、ロットbの検査項目jについて求められた判別基準値の下限値LLb〔j〕と上限値ULb〔j〕とを満たす度数分布に属する半導体素子のみが良品と判別される。
【0052】
そして平均値AVbjから遠く隔たった部分に分布する部分32については、下限値LLb〔j〕を満たさないことから、ロット全体の基準値(LLojとULoj)を満たしているにも関わらず、ロットbの素子としては何らかの異常の可能性を有するため、不良品として判別されることになる。
【0053】
またロットcの場合では、判別基準値の下限値LLc〔j〕は、ロット全体の基準値の一方である下限値LLojに一致している。このため、平均値AVcjから遠く隔たっていないにも関わらず、下限値LLc〔j〕を満たさない斜線部分33に属する半導体素子は、素子として要求される設計上の特性を満たしていないため、不良品として判別されることになる。
【0054】
図5は、半導体素子の良品判別方法の他の実施例に使用される特性検査装置の構成を示しており、計測コントローラ1は、この実施例に対応した動作を行うように構成されている。
【0055】
すなわち、計測コントローラ1は、単位ロットに属する半導体素子から無作為に複数の半導体素子を抽出する。そして抽出した半導体素子について、所定の検査項目の測定のための制御を行う。また測定により得られた測定値に基づいて、測定値の平均値と標準偏差とを統計値として演算した後、演算された統計値と、予め設定された良否判別の基準値とから、判別対象となったロットに対応する判別基準値を演算する。
【0056】
図2,図3は、導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートであり、複数枚のウエハが単位ロットとして生産される場合の判別方法を示している。また判別対象となる半導体素子は、請求項1記載の発明において対象となったウエハ21上の半導体素子と同一構成の素子であるので、検査項目数はM項目となっている。
【0057】
まず、ハンドラコントローラ3によってローダ部4の動作を制御することにより、ウエハをテストヘッド部5の所定位置に載置する(ステップS21)。そして後、テストヘッド部5において、ウエハの半導体素子の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハの位置決めを行う(ステップS22)。この後、計測コントローラ1に予め格納されたプログラムに従ってp個の半導体素子を抽出し、抽出した半導体素子の1番目の半導体素子の電極にプローブピンを接続する(ステップS23)。
【0058】
その電極にプローブピンが接続された半導体素子について、計測器2により、M項目の検査項目の測定を行う。また測定値をメモリ11に記憶する。以下、抽出された2番目以降の半導体素子の各々に順次電極の接続を行うことによって、p個の半導体素子の所定の検査項目を測定し、測定値をメモリ11に記憶する(ステップS24,S25)。
【0059】
アンローダ部6を制御することによって、ウエハをテストヘッド部5から取りはずし、ローダ部4を制御することによって、次のウエハをテストヘッド部5に載置する(ステップS28)。以下、既に測定したウエハを含め、合計でq枚のウエハについて、ステップS22〜S28の動作を繰り返す。
【0060】
上記動作の結果として、抽出された半導体素子の合計をNにより示すと、
【0061】
【数5】
N=p×q
となる。また検査項目の番号をjにより示すと、
【0062】
【数6】
j=1,2,3,・・・,M
となる。そして各jについて、平均値AVjおよび標準偏差σjとが演算される(ステップS29)。そして後、この単位ロットに対応する基準値が演算される。いま、基準値の下限値をLLj、上限値をULjとすると、
【0063】
【数7】
LLj=AVj−k×σj
ULj=AVj+k×σj (kは定数)
として、各値が演算される。
【0064】
そして、全てのロットに適用される基準値として予め設定された最小値であるLLoj、および最大値であるULojが参照され
【0065】
【数8】
LL〔j〕=MAX(LLoj,LLj) ・・・3式
UL〔j〕=MIN(ULoj,ULj) ・・・4式
なる演算によって、ロットに対応する2種の判別基準値が定まる。すなわち、判別基準値LL〔j〕は、該当する単位ロットの項目jにおける下限値を示す。また判別基準値UL〔j〕は、該当する単位ロットの項目jにおける上限値を示すこととなる(ステップS30)。
【0066】
上記演算によって2種の判別基準値が求まったときには、jの全てについて、検査項目jにおける良否の判別が行われる。つまり、抽出された半導体素子を含み、該当する単位ロットに含まれる半導体素子の全てについて、全ての検査項目jに関する良否の判別が行われる。その詳細を以下に説明する。
【0067】
該当する単位ロットに属する1番目のウエハが、ローダ部4によりテストヘッド部5に載置される(ステップS31)。そして後、テストヘッド部5において、ウエハの半導体素子の電極にプローブピンを接続することができるようにするため、ウエハの位置決めを行う(ステップS32)。この後、所定順序に従って1番目の半導体素子の電極にプローブピンを接続する(ステップS33)。
【0068】
その電極にプローブピンが接続された半導体素子について、計測器2により、M項目の検査項目の測定を行う(ステップS34)。また測定により得られた測定値の全てをメモリ11に記憶する(ステップS35)。また3式および4式によって求められた判別基準値と測定値とを照合し、該当する半導体素子の良否を判別する。また、判別結果をメモリ11に記憶する(ステップS36)。判別結果が不良を示すときには、該当する半導体素子の表面に、マーカを用いて赤インクを付着する(ステップS37)。そしてプローブピンを半導体素子の電極からはずす(ステップS38)。
【0069】
その後、次の半導体素子の位置にプローブピンを移動し(ステップS40)、同様の動作を繰り返す。そして該当するウエハの全ての半導体素子の判別が終了したときには、動作は、ステップS39からステップS41に移行し、テストヘッド部5のウエハは、アンローダ部6によって取りはずされる(ステップS41)。そして2番目に該当するウエハが、ローダ部4によってテストヘッド部5に載置される。以下、同様の繰り返しとなり、全てのウエハの半導体素子の判別が終了すると、判別動作の終わりとなる。
【0070】
なお、本発明は上記実施例に限定されず、対象となる半導体素子については、ウエハに形成された半導体素子とした場合について説明したが、その他の半導体素子として、例えば、スリーブに収納されるDIPタイプの半導体素子についても同様に適用することが可能である。
【0071】
【発明の効果】
請求項1記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用している。そして、単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目の測定を行い、前記検査項目の測定値を、測定の対象となった半導体素子の各々と1対1に対応付けてメモリに記憶し、検査項目のそれぞれについて、メモリに記憶された測定値に基づいてその平均値AVjと標準偏差σjとを求め、その求めた平均値AVjと標準偏差σjとから基準値の下限値LLjと上限値ULjとを演算し、全ロットに適用される予め設定された最小値LLojと最大値ULojからなる判別の基準値と、前記下限値LLj及び上限値ULjとから、半導体素子の良否の基準を示す2種の判別基準値LL[j]とUL[j]を演算し、メモリに記憶された測定値と前記2種の判別基準値とを照合することによって、測定値に対応付けられた半導体素子の良否の判別を行う方法としている。このため、対象となっている単位ロットに特有の傾向に基づいて良否の判別が行われると共に、許容範囲の最大値を満たすかどうかの判別が行われるので、許容範囲の最大値を満たす場合でも、各ロットの測定値の傾向に沿わない場合では、不良品と判別されることになるため、良否の判別の精度を高めることが可能となっている。
【0072】
また請求項2記載の発明に係る半導体素子の良品判別方法は、ウエハ上に形成された半導体素子の個々の良否を判別する方法に適用している。そして、良否の判別結果を、判別の対象となる半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、メモリに記憶された判別結果が示す不良品のウエハ上の分布に基づいて、不良品にマークを付与する装置の移動コースを求める方法としている。このため、不良品にマークを付与する装置は、最短コースを経由しつつ、マークを該当する半導体素子に付与するので、良否の分類の所要時間を短縮することが可能となっている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 発明に係る半導体素子の良品判別方法の一実施例を示すフローチャートである。
【図2】 導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートである。
【図3】 導体素子の良品判別方法の他の実施例を示すフローチャートである。
【図4】 発明における判別基準値と測定値の度数分布との関係を示す説明図である。
【図5】 本発明の一実施例が適用される特性検査装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図6】 ウエハ上に形成された半導体素子を示す説明図である。
【図7】 従来技術の判別動作を示すフローチャートである。
【図8】 従来技術における判別の基準値と測定値の度数分布との関係を示す説明図である。
【符号の説明】
1 計測コントローラ
2 計測器
4 ローダ部
5 テストヘッド部
6 アンローダ部
21 ウエハ
211〜213 半導体素子
AVaj,AVbj,AVcj 統計値
LLoj,ULoj 予め設定された判別の基準値
LLa〔j〕,ULa〔j〕 判別基準値
LLb〔j〕,ULb〔j〕 判別基準値
LLc〔j〕,ULc〔j〕 判別基準値
[0001]
[Industrial application fields]
The present invention relates to a method for determining the quality of individual semiconductor elements in a semiconductor element production process. More specifically, for each lot, a statistical value of a measured value for each inspection item is calculated, and a calculation result and a preset value are set. The present invention relates to a semiconductor device non-defective product discrimination method for determining pass / fail with a discrimination reference value that is optimal for each lot by calculating a pass / fail judgment reference value from the determined reference value.
[0002]
[Prior art]
In the semiconductor element production process, when determining the quality of the semiconductor elements 211 to 213,... Formed on the wafer 21 shown in FIG. Further, the same determination reference value is used for determining the quality of the semiconductor elements 211 to 213,.
[0003]
More specifically, the characteristic inspection apparatus includes a measurement controller 1, a measuring instrument 2, a handler controller 3, a loader unit 4, a test head unit 5, and an unloader unit 6. The determination is performed according to the procedure shown in FIG. That is, the wafer 21 is transferred by the loader unit 4 and placed at a predetermined position of the test head unit 5 (step S81). Next, in order to make the positional relationship between the probe pins and the semiconductor elements 211 to 213,... A predetermined positional relationship, the wafer 21 placed on the test head unit 5 is positioned (step S82).
[0004]
Thereafter, for example, a probe pin is connected to the electrode of the semiconductor element 211 (step S83), and a predetermined inspection item is measured by the measuring instrument 2 for the semiconductor element 211 (step S84). The measured value is sent to the measurement controller 1 and stored in the memory 11 (step S85). And the measured value memorize | stored in the memory 11 is a value common to all the lots, and is compared with the discrimination | determination reference value used as the quality criterion of the semiconductor elements 211-213, .... In addition, the quality determination result, which is the comparison result, is stored in the memory 11 (step S86).
[0005]
When the determination result stored in the memory 11 indicates a defective product, red ink is attached to the surface of the semiconductor device 211 in order to indicate that the semiconductor device 211 is defective (step S87). Thereafter, the probe pin is separated from the electrode of the semiconductor element 211 (step S88), and the probe pin is moved to the next semiconductor element, for example, the semiconductor element 212 (steps S89 and S90).
[0006]
Below, operation | movement of step S83-S90 is repeated about all the semiconductor elements 212,213, .... When the predetermined repetition is completed, the wafer 21 is removed from the test head unit 5 by the unloader unit 6 and transferred to the next process (step S91).
[0007]
In order to perform the above-described determination, measurement and determination for a plurality of inspection items are performed. Here, only one type of inspection item is noted and described. FIG. 8 shows the relationship between the frequency distribution of the measurement values, the average values AVaj, AVbj, AVcj, and the discrimination reference values for the inspection items j for each lot for the three types of lots a, b, c. Yes. The discrimination reference value used at this time is common to all the lots a, b, and c, the value LLoj indicates the minimum discrimination reference value, and the value ULoj indicates the maximum discrimination reference value.
[0008]
For this reason, all the lots a and b are determined as non-defective products. For lot c, it is determined that only the element whose measured value is equal to or smaller than the value LLoj (the element corresponding to the hatched line 93) is a defective product.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, as shown in FIG. 8, most of the measured values of the semiconductor elements of lot a are distributed in the vicinity of the average value AVaj with respect to the inspection item j, but some of them are separated from the average value AVaj. (See 91). That is, the semiconductor element corresponding to the distribution indicated by the measurement value 91 is the measurement value indicated by the most element group even though the lot a is an element formed under the same material and under the same conditions. Are element groups showing different measured values.
[0010]
In other words, the semiconductor element group corresponding to the distribution 91 is an element group that is considered highly likely to have an abnormality. The same applies to the element group corresponding to the distribution 92 of the lot b.
[0011]
For this reason, when determining the quality of a semiconductor element using a determination reference value common to all lots, that is, a determination reference value having a minimum value of LLoj and a maximum value of ULoj, the semiconductor elements corresponding to the distributions 91 and 92 are also included. It will be identified as a good product. As a result, even an element having a very high possibility of having an abnormality is determined to be a non-defective product, resulting in a problem that the determination accuracy is lowered.
[0012]
The present invention was devised to solve the above-mentioned problems, and the object of the present invention is to determine a reference value as a criterion for discrimination for each lot, and pass or fail according to the determined reference value. It is an object of the present invention to provide a non-defective product discrimination method for semiconductor elements that can improve the accuracy of the quality discrimination.
[0013]
According to another aspect of the present invention, the determination result is stored in the memory in advance, and control is performed to classify the semiconductor element into a non-defective product and a defective product based on the distribution of defective elements indicated by the stored determination result. Another object of the present invention is to provide a method for discriminating non-defective semiconductor elements that can shorten the time required for classification.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor device non-defective product discriminating method according to the present invention is a method for discriminating the quality of individual semiconductor devices in a semiconductor device production process. j is measured, and the measurement value of the inspection item j is stored in a memory in one-to-one correspondence with each of the semiconductor elements to be measured, and for each of the inspection items j, the memory The average value AVj and the standard deviation σj are obtained based on the measured value stored in the table, and the obtained average value AVj and the standard deviation σj Base Lower limit value LLj of quasi-value And above Limit value ULj and Play A reference value for determination consisting of a preset minimum value LLoj and maximum value ULoj applied to all lots, , The lower limit value LLj and the upper limit value ULj From the above, two types of discrimination reference values LL [j] and UL [j] indicating the quality criteria of the semiconductor element are calculated, and the measured value and the two types of discrimination reference values stored in the memory are calculated. By collating, the quality of the semiconductor element associated with the measured value is determined.
[0015]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a non-defective product determination method for a semiconductor element, which is applied to a method for determining individual pass / fail of a semiconductor element formed on a wafer, and the determination result of the pass / fail is an object of the determination. A method of obtaining a moving course of an apparatus for storing a mark on a defective product based on a distribution on the wafer of a defective product indicated by the determination result stored in the memory in association with the semiconductor element. It is said.
[0017]
[Action]
The operation of the invention of claim 1 will be described below.
[0018]
Inspection item j For each of the given statistics based on the measurements stored in memory ( Reference value lower limit value LLj and upper limit value ULj ), The obtained statistical value indicates a tendency of distribution of measured values of all semiconductor elements belonging to the unit lot. on the other hand, Applicable to all lots Pre-set discrimination reference value ( Minimum value LLoj and maximum value ULoj ) Indicates the maximum value of the allowable range of measurement values, and indicates a value applied to every unit lot. As a result, it was calculated based on the preset reference value and statistical value. Two kinds Discrimination standard value ( LL [j] and UL [j] ) Corresponds to the tendency of each measured value of the unit lot and satisfies the maximum value of the allowable range.
[0019]
For this reason, if the quality of the semiconductor element is determined based on the determination reference value, the quality is determined based on the tendency specific to the target unit lot, and whether the maximum value of the allowable range is satisfied. This is also determined. Therefore, even if the semiconductor element to be measured satisfies the maximum value of the allowable range, if it does not follow the tendency of the measured value of each lot, it is determined as a defective product.
[0020]
The operation of the invention according to claim 2 will be described below.
[0021]
In order to classify semiconductor elements into non-defective products and defective products, when marking a defective product on a wafer, the transfer course of the device that applies the mark to the defective product is best suited to the distribution of the position of the defective product. There is a moving course. For this reason, when the determination result is stored in the memory in advance, based on the distribution of the defective product indicated by the stored determination result, it is possible to calculate a movement course that minimizes the movement time of the device for marking the defective product. Become. For this reason, the required time is shortened by giving a mark to the corresponding semiconductor element while controlling the apparatus according to the calculated movement course.
[0025]
【Example】
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0026]
FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of a characteristic inspection apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. The measurement controller 1, the measuring instrument 2, the handler controller 3, the loader unit 4, and the test head unit 5 are shown. , And an unloader unit 6. This configuration is the same as the device used in the discrimination of the prior art, but the measurement controller 1 is configured to perform an operation corresponding to the first and second aspects of the invention.
[0027]
That is, the measurement controller 1 is a block that executes main operations as a characteristic inspection device, and includes a memory 11 therein, and stores measurement values measured by the measuring instrument 2. Based on the stored measurement values, the average value and standard deviation of the measurement values are calculated as statistical values. Further, a discrimination reference value corresponding to each lot is calculated from the calculated statistical value and a preset reference value for pass / fail discrimination.
[0028]
The measuring instrument 2 is a measuring apparatus that measures a predetermined inspection item in a state where probe pins (not shown) are connected to electrodes of the plurality of semiconductor elements 211 to 213 formed on the wafer 21. Then, the measurement value obtained by the measurement is sent to the measurement controller 1.
[0029]
The loader unit 4 is a block for placing the wafer 21 on which the semiconductor elements 211 to 213,... Are formed at a predetermined position of the test head unit 5, and the unloader unit 6 is the test head unit 5. This is a block for moving the wafer 21 placed on the substrate to the next process.
[0030]
The handler controller 3 is a block for controlling operations of the loader unit 4, the test head unit 5, and the unloader unit 6, and controls the movement of the wafer 21 in accordance with an instruction from the measurement controller 1.
[0031]
FIG. 1 is a flowchart showing one embodiment of a non-defective product determination method for a semiconductor device according to the first and second aspects of the present invention. A unit lot is a single wafer 21. The embodiment will be described in detail with reference to FIG.
[0032]
First, the handler 21 controls the operation of the loader unit 4 to place the wafer 21 at a predetermined position on the test head unit 5 (step S1). Thereafter, in the test head unit 5, the wafer 21 is positioned so that probe pins can be connected to the electrodes of the semiconductor elements 211 to 213,... Of the wafer 21 (step S2). Thereafter, probe pins are connected to the electrodes of the semiconductor element 211 (step S3).
[0033]
The measuring instrument 2 performs measurement on M inspection items for the semiconductor element 211 in accordance with a program stored in advance. Then, the measurement value obtained by the measurement is sent to the measurement controller 1. The measurement controller 1 stores the measurement value output from the measuring instrument 2 in the memory 11 in a one-to-one correspondence with the semiconductor element 211 (step S4).
[0034]
The measurement values stored in the memory 11 are stored as the following data because the program of the measurement controller 1 is described in C language. That is, a structure corresponding to each of the semiconductor elements 211 to 213,... Is defined. Each structure has, as members, an array for storing M measurement values and a flag for indicating a discrimination result.
[0035]
In addition, the measurement value of each inspection item is given as a return value of a measurement function having a numerical value indicating the item as an argument. Therefore, for each of the inspection items of M items, each time a measurement function is called and a measurement value is obtained as a return value, the obtained measurement value is in the structure corresponding to the semiconductor element 211 that is the measurement target. Are stored in the corresponding area.
[0036]
When measurement of all inspection items of the semiconductor element 211 is completed, the probe pin is removed from the semiconductor element 211 (step S5), and the operation moves from step S6 to step S7. That is, the probe pin moves to the next semiconductor element 212. Thereafter, the operations of steps S3 to S7 are repeated for each of the semiconductor elements 212, 213,. As a result, for all the semiconductor elements 211 to 213,..., The respective measured values of the M items of inspection items are stored in a predetermined area of the corresponding structure array.
[0037]
When the measurement for all the semiconductor elements 211 to 213,... Is completed, the measurement values are read from the memory 11 for each of the inspection items. Based on the read measurement value, an average value and a standard deviation are calculated.
[0038]
If the item number of the inspection item is indicated by j,
[0039]
[Expression 1]
j = 1, 2, 3,..., M
It is. For this reason, in the lot a, the average value AVaj and the standard deviation σaj are calculated for each j (step S8). Thereafter, a reference value corresponding to lot a is calculated. If the lower limit value of the reference value is LLaj and the upper limit value is ULaj,
[0040]
[Expression 2]
LLaj = AVaj−k × σaj
ULaj = AVaj + k × σaj (k is a constant)
Each value is calculated as follows.
[0041]
Then, reference is made to LLoj, which is a minimum value set in advance as a reference value applied to all lots, and ULoj, which is a maximum value.
[0042]
[Equation 3]
LLa [j] = MAX (LLoj, LLaj)... 1 set
ULa [j] = MIN (ULoj, ULaj) (2 formulas)
By this calculation, two types of discrimination reference values corresponding to lot a are determined. That is, the discrimination reference value LLa [j] indicates the lower limit value in the item j of the lot a, and the discrimination reference value ULa [j] indicates the upper limit value in the item j of the lot a (step S9).
[0043]
When two types of determination reference values are obtained for all j of 1 to M by the above calculation, pass / fail determination is performed for all inspection items j. That is, among the values stored in the array of structures corresponding to each of the semiconductor elements 211 to 213,..., The measured values Fij corresponding to all the inspection items j (i is an identifier for distinguishing the semiconductor elements). But
[0044]
[Expression 4]
LLa [j] ≦ Fj ≦ ULa [j]
In this case, the semiconductor element identified by i is determined to be a good product. As a result, the value 1 is stored in the flag of the structure of the corresponding semiconductor element if it is a non-defective product. If the product is not determined to be non-defective, the value 0 is stored in the flag of the corresponding semiconductor element structure to indicate a defective product.
[0045]
That is, the pass / fail discrimination result is stored in the memory in association with the semiconductor element to be discriminated (step S10).
[0046]
Next, all the values of the flags in the structure are read, and the distribution on the wafer 21 relating to the defective semiconductor elements is obtained. Then, in order to attach red ink (mark) to all defective products, the shortest path for moving a device (not shown) for attaching red ink is calculated. Then, the apparatus moves along the calculated path, and red ink is attached to the corresponding semiconductor element (step S11).
[0047]
Thereafter, the wafer 21 is removed from the test head unit 5 by the unloader unit 6 and transferred to a predetermined position for the next process (step S12). In the die bonding process, the semiconductor element to which the red ink is attached is discarded as a defective product. Thereafter, the measurement of the inspection item j, the calculation of the discrimination reference value, and the discrimination are sequentially performed on each wafer. Also, red ink is attached to defective products.
[0048]
The determination of pass / fail in the above method will be described in detail with reference to FIG. A curve 31 indicates the frequency distribution of the minority part of the measurement value regarding the inspection item j for the lot a.
[0049]
Further, the discrimination reference value LLa [j] indicates a lower limit value obtained by the equation 1, and the discrimination reference value ULa [j] indicates an upper limit value obtained by the equation 2. For this reason, a semiconductor element belonging to a portion whose frequency distribution is indicated by the curve 41 is determined as a non-defective product. In addition, a semiconductor element belonging to a portion whose frequency distribution is indicated by the curve 31 is determined as a defective product.
[0050]
That is, in the frequency distribution in lot a, only semiconductor elements that belong to the main part of the frequency distribution and exhibit normal characteristics as lot a are determined as non-defective products. As for the semiconductor elements belonging to the minority part of the frequency distribution, the lot a element has some possibility of abnormality even though it satisfies the reference values (LLaj and ULoj) of the whole lot, It will be determined.
[0051]
The same applies to the semiconductor elements on the wafer produced as the lot b. The lower limit value LLb [j] and the upper limit value ULb [j] of the discrimination reference value obtained for the inspection item j of the lot b are the same. Only semiconductor elements belonging to a frequency distribution satisfying the above are determined as non-defective products.
[0052]
Since the portion 32 distributed in the portion far from the average value AVbj does not satisfy the lower limit value LLb [j], the lot b is satisfied despite satisfying the reference values (LLoj and ULoj) of the entire lot. Since this element has some possibility of abnormality, it is determined as a defective product.
[0053]
In the case of lot c, the lower limit value LLc [j] of the discrimination reference value matches the lower limit value LLoj which is one of the reference values of the entire lot. For this reason, the semiconductor element belonging to the hatched portion 33 that does not satisfy the lower limit value LLc [j], although not far from the average value AVcj, does not satisfy the design characteristics required for the element. It will be identified as a good product.
[0054]
FIG. Semiconductor device non-defective method other Characteristic inspection device used in the embodiment Shows the configuration of The measurement controller 1 This example It is comprised so that the operation | movement corresponding to may be performed.
[0055]
In other words, the measurement controller 1 randomly extracts a plurality of semiconductor elements from the semiconductor elements belonging to the unit lot. Then, for the extracted semiconductor element, control for measurement of a predetermined inspection item is performed. Based on the measured value obtained by measurement, the average value and standard deviation of the measured value are calculated as statistical values, and then the determination target is calculated from the calculated statistical value and a preset reference value for determining good or bad. The discrimination reference value corresponding to the lot that has become is calculated.
[0056]
2 and 3 Half How to identify non-defective conductor elements other It is a flowchart which shows an Example, and has shown the discrimination | determination method in case the several wafer is produced as a unit lot. Further, since the semiconductor element to be discriminated is an element having the same configuration as the semiconductor element on the wafer 21 which is the object of the invention of claim 1, the number of inspection items is M items.
[0057]
First, the handler controller 3 controls the operation of the loader unit 4 to place the wafer on a predetermined position of the test head unit 5 (step S21). After that, the test head unit 5 positions the wafer so that the probe pins can be connected to the electrodes of the semiconductor elements of the wafer (step S22). Thereafter, p semiconductor elements are extracted according to a program stored in advance in the measurement controller 1, and a probe pin is connected to the electrode of the first semiconductor element of the extracted semiconductor elements (step S23).
[0058]
With respect to the semiconductor element in which the probe pin is connected to the electrode, the measurement item 2 measures the inspection items of M items. The measured value is stored in the memory 11. Thereafter, by sequentially connecting electrodes to each of the extracted second and subsequent semiconductor elements, predetermined inspection items of p semiconductor elements are measured, and the measured values are stored in the memory 11 (steps S24 and S25). ).
[0059]
The unloader unit 6 is controlled to remove the wafer from the test head unit 5, and the loader unit 4 is controlled to place the next wafer on the test head unit 5 (step S28). Thereafter, the operations in steps S22 to S28 are repeated for a total of q wafers including the wafers already measured.
[0060]
As a result of the above operation, if the total of the extracted semiconductor elements is represented by N,
[0061]
[Equation 5]
N = p × q
It becomes. Also, if the inspection item number is indicated by j,
[0062]
[Formula 6]
j = 1, 2, 3,..., M
It becomes. For each j, the average value AVj and the standard deviation σj are calculated (step S29). Thereafter, a reference value corresponding to this unit lot is calculated. If the lower limit value of the reference value is LLj and the upper limit value is ULj,
[0063]
[Expression 7]
LLj = AVj−k × σj
ULj = AVj + k × σj (k is a constant)
Each value is calculated as follows.
[0064]
Then, reference is made to LLoj, which is a minimum value set in advance as a reference value applied to all lots, and ULoj, which is a maximum value.
[0065]
[Equation 8]
LL [j] = MAX (LLoj, LLj) (3 formulas)
UL [j] = MIN (ULoj, ULj) (4 formulas)
By this calculation, two types of discrimination reference values corresponding to the lot are determined. That is, the discrimination reference value LL [j] indicates the lower limit value in the item j of the corresponding unit lot. The discrimination reference value UL [j] indicates the upper limit value in the item j of the corresponding unit lot (step S30).
[0066]
When two types of determination reference values are obtained by the above calculation, the quality of the inspection item j is determined for all j. In other words, the quality of all the inspection items j is determined for all the semiconductor elements including the extracted semiconductor elements and included in the corresponding unit lot. Details thereof will be described below.
[0067]
The first wafer belonging to the corresponding unit lot is placed on the test head unit 5 by the loader unit 4 (step S31). Thereafter, the wafer is positioned in the test head unit 5 so that the probe pins can be connected to the electrodes of the semiconductor elements of the wafer (step S32). Thereafter, probe pins are connected to the electrodes of the first semiconductor element according to a predetermined order (step S33).
[0068]
With respect to the semiconductor element in which the probe pin is connected to the electrode, the measurement item 2 measures the inspection items of M items (step S34). Further, all the measurement values obtained by the measurement are stored in the memory 11 (step S35). Further, the discrimination reference value obtained by the formulas 3 and 4 is compared with the measured value, and the quality of the corresponding semiconductor element is discriminated. Further, the determination result is stored in the memory 11 (step S36). When the determination result indicates a defect, red ink is attached to the surface of the corresponding semiconductor element using a marker (step S37). Then, the probe pin is removed from the electrode of the semiconductor element (step S38).
[0069]
Thereafter, the probe pin is moved to the position of the next semiconductor element (step S40), and the same operation is repeated. When the determination of all the semiconductor elements of the corresponding wafer is completed, the operation proceeds from step S39 to step S41, and the wafer of the test head unit 5 is removed by the unloader unit 6 (step S41). Then, the second corresponding wafer is placed on the test head unit 5 by the loader unit 4. Thereafter, the same operation is repeated, and when the determination of the semiconductor elements of all the wafers is completed, the determination operation is completed.
[0070]
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the description has been given of the case where the target semiconductor element is a semiconductor element formed on a wafer. However, as another semiconductor element, for example, a DIP housed in a sleeve The same applies to the type of semiconductor element.
[0071]
【The invention's effect】
The semiconductor device non-defective product discriminating method according to claim 1 is applied to a method of discriminating the quality of individual semiconductor devices in a semiconductor device production process. And predetermined inspection items for all of the semiconductor elements belonging to the unit lot j The above inspection items j The measured value of Measuring Test items are stored in memory in a one-to-one correspondence with each semiconductor element j For each of the above, based on measurements stored in memory The average value AVj and the standard deviation σj are obtained, and the lower limit value LLj and the upper limit value ULj of the reference value are obtained from the obtained average value AVj and standard deviation σj. And A reference value for discrimination consisting of a preset minimum value LLoj and maximum value ULoj applied to all lots, the lower limit value LLj and the upper limit value ULj And shows the standard of semiconductor device quality Two kinds Discrimination standard value LL [j] and UL [j] And the measured value stored in the memory The two types This is a method for determining pass / fail of a semiconductor element associated with a measured value by collating the determination reference value. For this reason, the pass / fail judgment is made based on the tendency specific to the target unit lot, and the judgment is made as to whether or not the maximum allowable range is satisfied. If the measured value of each lot does not follow the trend, it is determined as a defective product, so that it is possible to improve the accuracy of the quality determination.
[0072]
Further, the non-defective product discrimination method for a semiconductor device according to the second aspect of the invention is applied to a method for discriminating individual quality of a semiconductor device formed on a wafer. Then, the pass / fail judgment result is stored in the memory in association with the semiconductor element to be discriminated, and a mark is given to the defective product based on the distribution of the defective product on the wafer indicated by the discrimination result stored in the memory. This is a method for obtaining a moving course of the device to be operated. For this reason, since the apparatus for applying a mark to a defective product applies the mark to the corresponding semiconductor element through the shortest course, it is possible to reduce the time required for the classification of pass / fail.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1] Book It is a flowchart which shows one Example of the non-defective item discrimination method of the semiconductor device based on invention.
[Figure 2] Half How to identify non-defective conductor elements other It is a flowchart which shows an Example.
[Fig. 3] Half How to identify non-defective conductor elements other It is a flowchart which shows an Example.
[Fig. 4] Book It is explanatory drawing which shows the relationship between the discrimination | determination reference value in invention, and the frequency distribution of a measured value.
FIG. 5 is a block diagram showing an electrical configuration of a characteristic inspection apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.
FIG. 6 is an explanatory view showing a semiconductor element formed on a wafer.
FIG. 7 is a flowchart showing a discrimination operation of a conventional technique.
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a relationship between a reference value for discrimination and a frequency distribution of measured values in the prior art.
[Explanation of symbols]
1 Measurement controller
2 measuring instruments
4 Loader section
5 Test head
6 Unloader section
21 Wafer
211-213 Semiconductor device
AVaj, AVbj, AVcj statistics
LLoj, ULoj Preliminary reference value for discrimination
LLa [j], ULa [j] discrimination reference value
LLb [j], ULb [j] Discrimination reference value
LLc [j], ULc [j] Discrimination reference value

Claims (2)

半導体素子の生産工程における半導体素子の個々の良否を判別する方法において、
単位ロットに属する前記半導体素子の全てについて所定の検査項目jの測定を行い、
前記検査項目jの測定値を、前記測定の対象となった前記半導体素子の各々と1対1に対応付けてメモリに記憶し、
前記検査項目jのそれぞれについて、前記メモリに記憶された前記測定値に基づいてその平均値AVjと標準偏差σjとを求め、その求めた平均値AVjと標準偏差σjとから基準値の下限値LLjと上限値ULjとを演算し、
全ロットに適用される予め設定された最小値LLojと最大値ULojからなる判別の基準値と、前記下限値LLj及び上限値ULjとから、前記半導体素子の良否の基準を示す2種の判別基準値LL[j]とUL[j]を演算し、
前記メモリに記憶された前記測定値と前記2種の判別基準値とを照合することによって、前記測定値に対応付けられた前記半導体素子の良否の判別を行うことを特徴とする半導体素子の良品判別方法。
In a method for determining the quality of individual semiconductor elements in the production process of semiconductor elements,
Measurement of a predetermined inspection item j is performed for all of the semiconductor elements belonging to the unit lot,
The measurement value of the inspection item j is stored in a memory in a one-to-one correspondence with each of the semiconductor elements that are the objects of measurement,
For each of the inspection item j, determined and the average value AVj and the standard deviation σj, based on the measured value stored in the memory, the determined average AVj and the standard deviation σj Toka RaHajime standard value of the lower limit value and LLj and the upper limit value ULj and arithmetic,
Two types of discrimination criteria indicating the quality criteria of the semiconductor element based on a discrimination reference value consisting of a preset minimum value LLoj and maximum value ULoj applied to all lots, and the lower limit value LLj and upper limit value ULj Compute the values LL [j] and UL [j]
A non-defective product of the semiconductor element, wherein the quality of the semiconductor element associated with the measured value is determined by comparing the measured value stored in the memory with the two types of determination reference values How to determine.
前記個々の半導体素子がウエハ上に形成されており、
前記良否の判別結果を、前記判別の対象となる前記半導体素子と対応付けてメモリに記憶し、
前記メモリに記憶された前記判別結果が示す不良品の前記ウエハ上の分布に基づいて、前記不良品にマークを付与する装置の移動コースを求めることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の良品判別方法。
The individual semiconductor elements are formed on a wafer;
The determination result of pass / fail is stored in a memory in association with the semiconductor element to be determined,
The semiconductor device according to claim 1, wherein a movement course of a device for applying a mark to the defective product is obtained based on a distribution on the wafer of the defective product indicated by the determination result stored in the memory. Non-defective product identification method.
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