JP3696072B2

JP3696072B2 - Method for manufacturing high-frequency package device

Info

Publication number: JP3696072B2
Application number: JP2000297490A
Authority: JP
Inventors: 文朗山本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-09-28
Filing date: 2000-09-28
Publication date: 2005-09-14
Anticipated expiration: 2020-09-28
Also published as: JP2002110834A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、マイクロ波回路などを構成する回路素子を収納するための高周波パッケージ装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロ波など高周波信号を増幅するマイクロ波回路は、たとえば、電界効果トランジスタなどの能動回路素子、および、コンデンサや抵抗などの受動回路素子で構成され、これら能動回路素子や受動回路素子は、通常、高周波パッケージ装置に気密に収納されている。
【０００３】
このような高周波パッケージ装置は、能動回路素子や受動回路素子などを収納するスペースが設けたセラミックフレーム、および、セラミックフレームが接合されるベースプレート、セラミックフレームのスペース部分の開口を封止する蓋などから構成され、セラミックフレーム上には信号を伝送する回路パターンが形成されている。
【０００４】
上記した構造の高周波パッケージ装置を製造する場合、まず、アルミナなどのセラミック材料で形成されたセラミックフレーム上の回路パターンを形成する部分にタングステンなどのペーストを塗布し、セラミックフレームとペーストを同時に焼成し回路パターンが形成される。その後、セラミックフレームとベースプレートを銀ろうでろう付けする。さらに、セラミックフレーム上の回路パターン部分にリードを銀ろうでろう付けする。その後、セラミックフレームのスペース部分に回路素子を収納し、ワイヤリングなどを行い、最後にスペース部分の開口が蓋で封止される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の高周波パッケージは、回路パターンはたとえば焼成で形成され、セラミックフレームとベースプレートとの接合、および、回路パターンとリードとの接合、セラミックフレームと蓋との接合はろう付けで行われている。
【０００６】
上記したように、従来の高周波パッケージは、回路パターンを形成する焼成工程やいくつかの接合工程があり製造工程が複雑になっている。また、接合にろう付けを用いるため、接合する部材を正しい位置に支持する治工具が必要となり、製造装置も複雑になっている。
【０００７】
本発明は、上記した欠点を解決し、製造が容易な高周波パッケージ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波パッケージ装置の製造方法は、ベースプレート上に、回路素子を収納するスペースを有するセラミックフレームを配置する第１工程と、このセラミックフレーム上に、隣接部分よりも厚さが厚くなる凸部をそれぞれが有し、かつ連結部材で一体化されて直線上に位置する２つの線路部分を、この２つの線路部分の前記凸部側面と前記セラミックフレームの縁の端面とを、互いの接合面に平行な動きを規制する規制面にして配置する第２工程と、前記ベースプレートと前記セラミックフレーム、および、前記セラミックフレームと前記２つの線路部分を接合する第３工程と、前記２つの線路部分を一体化している前記連結部材を切り離す第４工程とを有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、ミリ波用の高周波パッケージ装置を例にとり図１を参照して説明する。
【００１０】
図（ａ）は、全体がほぼ矩形状に形成された銅（Ｃｕ）製あるいはセラミックの表面をＣｕでメタライズしたベースプレート１１で、ベースプレート１１面のたとえば４隅に上方に突出する矩形状の凸部１１１〜１１４が形成されている。各凸部１１１〜１１４には取り付け用の穴Ｈが形成されている。なお、ベースプレート１１はプレス加工やエッチング加工などで形成される。
【００１１】
図（ｂ）はベースプレート１１上に直接あるいは緩衝部材を介して接合されるセラミックフレーム１２で、その外形寸法、たとえば長さＬ１と幅Ｗ１はベースプレート１１とほぼ同じで、全体は、ベースプレート１１からその凸部１１１〜１１４の部分を除いた形状をしている。たとえば、ベースプレート１１の一端に位置する２つの凸部１１１、１１２で挟まれた領域に対応した形状の第１突出部１２ａ、および、一端に位置する２つの凸部１１１、１１２と他端に位置する２つの凸部１１３、１１４で挟まれた領域に対応した形状の幅広部１２ｂ、２つの凸部１１３、１１４で挟まれた領域に対応した形状の第２突出部１２ｃから構成されている。幅広部１２ｂの中央には回路素子を収納するための矩形状の貫通孔、たとえばスペース１２ｄが形成されている。
【００１２】
図（ｃ）はセラミックフレーム１２上に形成される銅製の回路パターン用導体１３で、回路パターン用導体１３は、セラミックフレーム１２上に、回路パターンとして最終的に残るたとえば６個の帯状線路部分ｐ１〜ｐ６、および、これら６個の線路部分ｐ１〜ｐ６を一体化する点線で示した連結部材１４から構成されている。線路部分ｐ１とｐ６、線路部分ｐ２とｐ３、線路部分ｐ４とｐ５は、たとえば互いに１つの直線上に位置している。なお、線路部分ｐ１〜ｐ６の下面および上面のたとえば外側端部に、その内側の隣接部分よりも厚さが厚くなる凸部１５、１６が形成されている。
【００１３】
この場合、線路部分ｐ１下面の凸部１５の内側側面１５ａと線路部分ｐ６下面の凸部１５の内側側面１５ａとの間隔は、セラミックフレーム１２の長さＬ１、すなわち第１突出部１２ａの外側端面と第２突出部１２ａの外側端面との間の長さとほぼ等しくなっている。また、線路部分ｐ２下面の凸部１５の内側側面１５ａと線路部分ｐ３下面の凸部１５の内側側面１５ａとの間隔は、セラミックフレーム１２の幅Ｗ１、すなわち幅広部１２ｂの外側端面間の長さとほぼ等しくなっている。この関係は、線路部分ｐ４と線路部分ｐ５についても同様である。なお、上記の回路パターン用導体１３は、プレス加工またはエッチング加工などで形成される。
【００１４】
図（ｄ）はセラミックフレーム１２のスペース１２ｄの開口を封止する蓋１７で、蓋１７は全体がほぼ矩形状で、その裏側には図に示されていないものの凹部が形成されている。蓋１７の長さＬ２は、線路部分ｐ１上面の凸部１６の内側側面１６ａと線路部分ｐ６上面の凸部１６の内側側面１６ａとの間隔にほぼ等しくなっている。また、蓋の幅Ｗ２は、線路部分ｐ２上面の凸部１６の内側側面１６ａと線路部分ｐ３上面の凸部１６の内側側面１６ａとの間隔にほぼ等しくなっている。この関係は、線路部分ｐ４と線路部分ｐ５についても同様である。
【００１５】
上記の構成において、まず、ベースプレート１１上にセラミックフレーム１２を配置する。このとき、セラミックフレーム１２の幅方向では、セラミックフレーム１２の第１突出部１２ａの端面がベースプレート１１の２つの凸部１１１、１１２の互いに対向する内側側面の間に挟まれるようにして位置決めする。あるいは、セラミックフレーム１２の第２突出部１２ｃの端面がベースプレート１１の２つの凸部１１３、１１４の互いに対向する内側側面の間に挟まれるようにして位置決めする。また、セラミックフレーム１２の長さ方向では、セラミックフレーム１２の幅広部１２ｂの端面、すなわち第１突出部１２ａあるいは第２突出部１２ｃに隣接する部分の端面が、２つの凸部１１１、１１３の互いに対向する内側側面の間および２つの凸部１１２、１１４の互いに対向する内側側面の間に挟まれるようにして位置決めする。
【００１６】
次に、セラミックフレーム１２上に回路パターン用導体１３を配置する。このとき、セラミックフレーム１２の長さ方向では、線路部分ｐ１下面の凸部１５の内側側面１５ａと線路部分ｐ６下面の凸部１５の内側側面１５ａとの間に、セラミックフレーム１２の長さＬ１方向の２つの端面を挟むようにして位置決めする。また、セラミックフレーム１２の幅方向では、線路部分ｐ２下面の凸部１５の内側側面１５ａと線路部分ｐ３下面の凸部１５の内側側面との間、および、線路部分ｐ４下面の凸部１５の内側側面１５ａと線路部分ｐ５下面の凸部１５の内側側面１５ａとの間の両方あるいは一方に、セラミックフレーム１２の幅Ｗ１方向の２つの端面を挟むようにして位置決めする。
【００１７】
そして、ベースプレート１１とセラミックフレーム１２、および、セラミックフレーム１２と回路パターン用導体１３を、それぞれ同時にＤＢＣ（ＤｉｒｅｃｔＢｏｎｄＣｏｐｐｅｒ）接合してパッケージ化する。その後、たとえば、セラミックフレーム１２と回路パターン用導体１３との接合が終了した時点で、回路パターン用導体１３の線路部分ｐ１〜ｐ６を一体に連結する連結部材１４が切り離される。
【００１８】
なお、ＤＢＣ接合は、たとえばＮ2 雰囲気の炉内に入れ、高温に加熱し、ベースプレート１１とセラミックフレーム１２、および、セラミックフレーム１２と回路パターン用導体１３の接触する面どうしをそれぞれ直接接合する方法で行われる。
【００１９】
その後、セラミックフレーム１２のスペース１２ｄに半導体などの能動回路素子（図示せず）や受動回路素子（図示せず）を収納して接合する。さらに、これら能動回路素子や受動回路素子などと線路部分ｐ１〜Ｐ６をワイヤリングし、スペース１２ｄの開口を蓋１７で封止する。
【００２０】
このとき、蓋１７の長さ方向では、線路部分ｐ１上面の凸部１６の内側側面１６ａと線路部分ｐ６上面の凸部１６の内側側面１６ａとの間に、蓋１７の長さ方向の端面を挟むようにして位置決めする。蓋１７の幅方向では、線路部分ｐ２上面の凸部１６の内側側面１６ａと線路部分ｐ３上面の凸部１６の内側側面１６ａとの間、および、線路部分ｐ４上面の凸部１６の内側側面１６ａと線路部分ｐ５上面の凸部１６の内側側面１６ａとの間の両方あるいはその一方の間に、蓋１７の幅方向の端面を挟むようにして位置決めする。そして、位置決めした後、線路部分ｐ１〜Ｐ６あるいはセラミックフレーム１２と蓋１７とをＤＢＣ法で接合する。
【００２１】
上記の方法で、ベースプレート１１およびセラミックフレーム１２、回路パターン用導体１３、蓋１７の各構成部品が互いに接合され、高周波パッケージ装置が完成する。高周波パッケージ装置が完成した状態を図２に示す。図２では、図１に対応する部分には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２２】
なお、各構成部品どうしが接合され、高周波パッケージ装置が完成した状態では、ベースプレート１１とセラミックフレーム１２は、たとえばベースプレート１１の凸部を除いた部分の上面とセラミックフレーム１２の下面全体が主要な接合面として接合されている。セラミックフレーム１２と回路パターン用導体１３は、セラミックフレーム１２の上面と回路パターン用導体１３下面の凸部１５を除いた面が主要な接合面として接合されている。回路パターン用導体１３と蓋１７は、回路パターン用導体１３上面の凸部１６を除いた面と蓋１７の裏面が主要な接合面として接合されている。なお、各構成部品の主要な接合面は、いずれも、たとえばベースプレート１１の面と並行になっている。
【００２３】
上記した構成の場合、ベースプレート１１およびセラミックフレーム１２、回路パターン用導体１３、蓋１７の各構成部品には、接合される２つの構成部品の少なくとも一部が上下方向で重なる位置関係、すなわち少なくとも一部が重畳する位置関係において、いずれか一方を他方に対して、ベースプレート１１面あるいはベースプレート１１とセラミックフレーム１２の主要な接合面と並行方向に移動させた場合に、互いが接触してそれ以上の動きを規制する規制面が設けられている。そして、その規制面を利用して各構成部品が位置決めされる。したがって、各構成部品どうしの位置決め用の治具が不要となり、その結果、製造工程が簡単になり、低価格化する。
【００２４】
たとえば、図１および図２の実施形態では、ベースプレート１１とセラミックフレーム１２を接合する場合は、ベースプレート１１面に対して垂直な凸部の側面とセラミックフレーム１２の切り欠き部分の垂直な端面が規制面となっている。セラミックフレーム１２と回路パターン用導体１３を接合する場合は、セラミックフレーム１２の外縁の垂直な端面と回路パターン用導体１３の下面凸部の垂直な内側側面が規制面となっている。回路パターン用導体１３と蓋１７を接合する場合は、回路パターン用導体１３の上面凸部の垂直な内側側面と蓋１７の外縁の垂直な端面が規制面となっている。
【００２５】
なお、接合する２つの構成部品を規制面を利用して位置決めする場合、それぞれ直交する方向に位置する２つの規制面に設けておけば、正しい位置決めが行える。また、規制面が、隣り合うどうしが互いに直交する向きの４つの平面を有する場合は、その４つの平面で囲まれた領域に他の構成部品を配置することによって位置決めするこいとができ、位置決めがより容易になる。
【００２６】
なお、上記の実施形態では、規制面がベースプレートの面やベースプレートとセラミックフレームの主要接合面などに対し垂直方向に形成されている。しかし、垂直方向に限らず、上記のベースプレートの面などと交差する方向に形成されていれば構成部品の位置決めが行える。
【００２７】
また、上記の実施形態では、回路パターン用導体を一体化する連結部材として、対向する線路部分どうしを直線状で結ぶ構造を用いている。しかし、複数の線路部分が一体化できれば任意の構造のものを用いることができる。
【００２８】
また、上記の実施形態では、ベースプレートとセラミックフレームとを直接接合しているが、ベースプレートとセラミックフレームとの間にＣｕの薄い緩衝板を挟んで接合する構造にすることもできる。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば製造が容易で低価格の高周波パッケージ装置の製造方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態を説明するための分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
１１…ベースプレート
１１１〜１１４…ベースプレートの凸部
１２…セラミックフレーム
１２ａ…セラミックフレームの第１突出部
１２ｂ…セラミックフレームの幅広部
１２ｃ…セラミックフレームの第２突出部
１２ｄ…セラミックフレームのスペース
１３…回路パターン用導体
１４…連結部材
１５、１６…回路パターン用導体の凸部
１７…蓋
ｐ１〜ｐ６…回路パターン用導体の線路部分[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a high-frequency package device for housing circuit elements constituting a microwave circuit or the like.
[0002]
[Prior art]
A microwave circuit that amplifies a high-frequency signal such as a microwave is composed of, for example, an active circuit element such as a field effect transistor and a passive circuit element such as a capacitor or a resistor. It is stored in a high-frequency package device in an airtight manner.
[0003]
Such a high-frequency package device includes a ceramic frame provided with a space for storing active circuit elements and passive circuit elements, a base plate to which the ceramic frame is joined, a lid for sealing an opening in a space portion of the ceramic frame, and the like. A circuit pattern for transmitting signals is formed on the ceramic frame.
[0004]
When manufacturing a high-frequency package device having the above-described structure, first, a paste such as tungsten is applied to a portion where a circuit pattern is formed on a ceramic frame formed of a ceramic material such as alumina, and the ceramic frame and the paste are simultaneously fired. A circuit pattern is formed. Thereafter, the ceramic frame and the base plate are brazed with silver brazing. Further, the lead is brazed with silver solder to the circuit pattern portion on the ceramic frame. Thereafter, the circuit element is accommodated in the space portion of the ceramic frame, wiring is performed, and finally the opening of the space portion is sealed with a lid.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional high-frequency package, the circuit pattern is formed by firing, for example, and the bonding between the ceramic frame and the base plate, the bonding between the circuit pattern and the lead, and the bonding between the ceramic frame and the lid are performed by brazing.
[0006]
As described above, the conventional high-frequency package has a firing process for forming a circuit pattern and several joining processes, and the manufacturing process is complicated. In addition, since brazing is used for joining, a jig for supporting a member to be joined at a correct position is required, and the manufacturing apparatus is complicated.
[0007]
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a high-frequency package device that solves the above-described drawbacks and is easy to manufacture .
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The manufacturing method of the high frequency package device of the present invention includes a first step of disposing a ceramic frame having a space for storing circuit elements on a base plate , and a convex portion having a thickness larger than that of an adjacent portion on the ceramic frame. Each of the two line portions that are integrated by the connecting member and positioned on a straight line, and the side surfaces of the convex portions of the two line portions and the end face of the edge of the ceramic frame are joined to each other. A second step of disposing a restriction surface that restricts movement parallel to the base plate, a third step of joining the base plate and the ceramic frame, the ceramic frame and the two line portions, and the two line portions. And a fourth step of separating the integrated connecting member.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 1, taking a high-frequency package device for millimeter waves as an example.
[0010]
The figure (a) is a base plate 11 made of copper (Cu) or a ceramic which is formed into a substantially rectangular shape as a whole and metallized with Cu, and a rectangular convex portion protruding upward at, for example, four corners of the surface of the base plate 11. 111 to 114 are formed. A mounting hole H is formed in each of the convex portions 111 to 114. The base plate 11 is formed by pressing or etching.
[0011]
FIG. 2B shows a ceramic frame 12 joined directly or via a buffer member on the base plate 11. The external dimensions, for example, the length L1 and the width W1 are substantially the same as those of the base plate 11, and the entire structure is removed from the base plate 11. It has a shape excluding the convex portions 111 to 114. For example, the first protrusion 12a having a shape corresponding to a region sandwiched between the two protrusions 111 and 112 positioned at one end of the base plate 11, and the two protrusions 111 and 112 positioned at one end and the other end The wide portion 12b has a shape corresponding to the region sandwiched between the two convex portions 113 and 114, and the second projecting portion 12c has a shape corresponding to the region sandwiched between the two convex portions 113 and 114. A rectangular through hole, for example, a space 12d, for accommodating a circuit element is formed in the center of the wide portion 12b.
[0012]
FIG. 6C shows a copper circuit pattern conductor 13 formed on the ceramic frame 12, and the circuit pattern conductor 13 is finally left on the ceramic frame 12 as a circuit pattern, for example, six strip line portions p1. To p6 and the connecting member 14 indicated by a dotted line integrating these six line portions p1 to p6. The line parts p1 and p6, the line parts p2 and p3, and the line parts p4 and p5 are located on one straight line, for example. In addition, the convex parts 15 and 16 whose thickness becomes thicker than the adjacent part of the inner side are formed in the lower end and upper end of the line parts p1 to p6, for example.
[0013]
In this case, the distance between the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p1 and the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p6 is the length L1 of the ceramic frame 12, that is, the outer end surface of the first protruding portion 12a. And the length between the outer end face of the second projecting portion 12a is substantially equal. The distance between the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p2 and the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p3 is the width W1 of the ceramic frame 12, that is, the length between the outer end surfaces of the wide portion 12b. It is almost equal. This relationship is the same for the line portion p4 and the line portion p5. The circuit pattern conductor 13 is formed by pressing or etching.
[0014]
FIG. 4D shows a lid 17 that seals the opening of the space 12 d of the ceramic frame 12. The lid 17 has a substantially rectangular shape as a whole, and a concave portion (not shown) is formed on the back side. The length L2 of the lid 17 is substantially equal to the distance between the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p1 and the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p6. The lid width W2 is substantially equal to the distance between the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p2 and the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p3. This relationship is the same for the line portion p4 and the line portion p5.
[0015]
In the above configuration, first, the ceramic frame 12 is disposed on the base plate 11. At this time, in the width direction of the ceramic frame 12, the end face of the first projecting portion 12 a of the ceramic frame 12 is positioned so as to be sandwiched between the mutually facing inner side surfaces of the two convex portions 111 and 112 of the base plate 11. Alternatively, the positioning is performed such that the end surface of the second projecting portion 12 c of the ceramic frame 12 is sandwiched between the mutually opposing inner side surfaces of the two convex portions 113 and 114 of the base plate 11. Further, in the length direction of the ceramic frame 12, the end surface of the wide portion 12b of the ceramic frame 12, that is, the end surface of the portion adjacent to the first projecting portion 12a or the second projecting portion 12c is the two projecting portions 111 and 113 of each other. It positions so that it may be pinched | interposed between the inner side surfaces which mutually face between the opposing inner side surfaces and the two convex parts 112 and 114 mutually.
[0016]
Next, the circuit pattern conductor 13 is disposed on the ceramic frame 12. At this time, in the length direction of the ceramic frame 12, the length L1 direction of the ceramic frame 12 is between the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p1 and the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p6. Are positioned so as to sandwich the two end faces. Further, in the width direction of the ceramic frame 12, between the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p2 and the inner side surface of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p3, and the inner side of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p4. Positioning is performed so that two end surfaces in the width W1 direction of the ceramic frame 12 are sandwiched between or one of the side surface 15a and the inner side surface 15a of the convex portion 15 on the lower surface of the line portion p5.
[0017]
Then, the base plate 11 and the ceramic frame 12 and the ceramic frame 12 and the circuit pattern conductor 13 are simultaneously packaged by DBC (Direct Bond Copper) bonding. Thereafter, for example, when the joining of the ceramic frame 12 and the circuit pattern conductor 13 is completed, the connecting member 14 that integrally connects the line portions p1 to p6 of the circuit pattern conductor 13 is disconnected.
[0018]
The DBC bonding is performed by, for example, placing in a furnace in an N2 atmosphere, heating to high temperature, and directly bonding the contact surfaces of the base plate 11 and the ceramic frame 12 and the ceramic frame 12 and the circuit pattern conductor 13 respectively. Done.
[0019]
Thereafter, an active circuit element (not shown) such as a semiconductor or a passive circuit element (not shown) is accommodated in the space 12d of the ceramic frame 12 and joined. Further, the line portions p1 to P6 are wired with these active circuit elements and passive circuit elements, and the opening of the space 12d is sealed with the lid 17.
[0020]
At this time, in the length direction of the lid 17, an end face in the length direction of the lid 17 is provided between the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p1 and the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p6. Position it so that it is pinched. In the width direction of the lid 17, between the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p2 and the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p3, and the inner side surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p4. And the end surface of the lid 17 in the width direction is positioned between both or one of the inner surface 16a of the convex portion 16 on the upper surface of the line portion p5. Then, after positioning, the line portions p1 to P6 or the ceramic frame 12 and the lid 17 are joined by the DBC method.
[0021]
By the above method, the base plate 11, the ceramic frame 12, the circuit pattern conductor 13, and the lid 17 are joined together to complete the high frequency package device. FIG. 2 shows a state where the high-frequency package device is completed. In FIG. 2, parts corresponding to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[0022]
In the state where the respective component parts are joined to each other and the high-frequency package device is completed, the base plate 11 and the ceramic frame 12 are mainly joined to the upper surface of the portion excluding the convex portion of the base plate 11 and the entire lower surface of the ceramic frame 12, for example. It is joined as a surface. The ceramic frame 12 and the circuit pattern conductor 13 are joined together with the upper surface of the ceramic frame 12 and the surface of the lower surface of the circuit pattern conductor 13 excluding the protrusions 15 as the main joining surfaces. The circuit pattern conductor 13 and the lid 17 are joined to each other on the surface excluding the convex portion 16 on the upper surface of the circuit pattern conductor 13 and the back surface of the lid 17 as a main joining surface. In addition, all the main joint surfaces of each component are parallel to the surface of the base plate 11, for example.
[0023]
In the case of the above-described configuration, the base plate 11 and the ceramic frame 12, the circuit pattern conductor 13, and the lid 17 have a positional relationship in which at least a part of two components to be joined overlap in the vertical direction, that is, at least one. In the positional relationship in which the portions overlap, when one of them is moved relative to the other in the direction parallel to the surface of the base plate 11 or the main joint surface of the base plate 11 and the ceramic frame 12, they are in contact with each other and no more There is a regulation surface that regulates movement. And each component is positioned using the control surface. This eliminates the need for positioning jigs between the component parts. As a result, the manufacturing process is simplified and the cost is reduced.
[0024]
For example, in the embodiment of FIGS. 1 and 2, when the base plate 11 and the ceramic frame 12 are joined, the side surfaces of the protrusions perpendicular to the surface of the base plate 11 and the end surfaces perpendicular to the cutout portions of the ceramic frame 12 are restricted. It is a surface. When the ceramic frame 12 and the circuit pattern conductor 13 are joined, a vertical end surface of the outer edge of the ceramic frame 12 and a vertical inner side surface of the lower surface convex portion of the circuit pattern conductor 13 serve as a regulation surface. When the circuit pattern conductor 13 and the lid 17 are joined, the vertical inner side surface of the convex portion on the upper surface of the circuit pattern conductor 13 and the vertical end surface of the outer edge of the lid 17 serve as restriction surfaces.
[0025]
In addition, when positioning the two component parts to be joined using the regulation surface, if the two component parts are provided on the two regulation surfaces positioned in the orthogonal directions, correct positioning can be performed. In addition, when the regulating surface has four planes in which the adjacent surfaces are orthogonal to each other, positioning can be performed by arranging other components in the area surrounded by the four planes. Becomes easier.
[0026]
In the above embodiment, the regulating surface is formed in a direction perpendicular to the surface of the base plate, the main joint surface of the base plate and the ceramic frame, and the like. However, the components can be positioned as long as they are formed not only in the vertical direction but also in a direction intersecting with the surface of the base plate.
[0027]
Moreover, in said embodiment, the structure which connects the line parts which oppose in a straight line is used as a connection member which integrates the conductor for circuit patterns. However, any structure can be used as long as a plurality of line portions can be integrated.
[0028]
In the above embodiment, the base plate and the ceramic frame are directly joined, but a structure in which a Cu thin buffer plate is sandwiched between the base plate and the ceramic frame may be employed.
[0029]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to realize a method of manufacturing a high-frequency package device that is easy to manufacture and low in cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an exploded perspective view for explaining an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view for explaining an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Base plate 111-114 ... Base plate convex part 12 ... Ceramic frame 12a ... Ceramic frame first protrusion 12b ... Ceramic frame wide part 12c ... Ceramic frame second protrusion 12d ... Ceramic frame space 13 ... Circuit pattern Conductor 14 ... connecting members 15 and 16 ... convex portion 17 of circuit pattern conductor ... lids p1 to p6 ... line portion of circuit pattern conductor

Claims

A first step of disposing a ceramic frame having a space for storing circuit elements on the base plate , and a convex portion that is thicker than the adjacent portion on the ceramic frame, and are integrated with a connecting member The two line portions that are formed on a straight line are defined as the restriction surfaces that restrict the side surfaces of the convex portions of the two line portions and the end face of the edge of the ceramic frame in parallel to the joint surfaces. A second step of disposing, a third step of joining the base plate and the ceramic frame, the ceramic frame and the two line portions, and a fourth step of separating the connecting member integrating the two line portions. A method of manufacturing a high-frequency package device comprising: a step.

2. The method of manufacturing a high frequency package device according to claim 1, wherein the regulating surface is formed in a direction intersecting with the surface of the base plate .

2. The method of manufacturing a high frequency package device according to claim 1, wherein the regulating surface is formed in a direction perpendicular to the surface of the base plate .

The convex side surface forming the regulation surface of the line portion has two planes parallel to each other, and the end surface of the edge forming the regulation surface of the ceramic frame has two planes sandwiched between the two planes. The method for manufacturing a high-frequency package device according to claim 1 .

A plurality of sets of two line portions located on a straight line are provided, and the side surfaces of the convex portions that form the restriction surfaces of the line portions and the end surfaces of the edges that form the restriction surfaces of the ceramic frame are oriented in directions orthogonal to each other. The method of manufacturing a high-frequency package device according to claim 1, having two planes.

The method for manufacturing a high-frequency package device according to claim 1, wherein the bonding in the third step is a DBC method.

A first step of disposing a ceramic frame having a space for accommodating a circuit element on a base plate; and a plurality of convex portions formed at predetermined intervals on a line portion that is integrated by a connecting member and positioned on a straight line; A second step of positioning the ceramic frame between the side surfaces of the convex portion, a third step of joining the base plate and the ceramic frame, and the ceramic frame and the line portion, and integrating the two line portions. And a fourth step of separating the connecting member .