JP3695183B2 - Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents
Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP3695183B2 JP3695183B2 JP33960598A JP33960598A JP3695183B2 JP 3695183 B2 JP3695183 B2 JP 3695183B2 JP 33960598 A JP33960598 A JP 33960598A JP 33960598 A JP33960598 A JP 33960598A JP 3695183 B2 JP3695183 B2 JP 3695183B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- wave element
- substrate
- element piece
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01087—Francium [Fr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえば弾性表面波素子及びその製造方法の改良、特に、弾性表面波素子片の周波数特性を均一化・安定化させることができる弾性表面波素子及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
テレビ受像機や携帯電話等には弾性表面波素子が用いられている。図23は、従来の弾性表面波素子の一例を示す断面図であり、図23を参照して弾性表面波素子1について説明する。
【0003】
図23の弾性表面波素子1は、基板2、弾性表面波素子片3、電極4等を有している。弾性表面波素子片3にはたとえば水晶やセラミックス等の圧電素子からなる圧電基板の上にすだれ状電極(Interdigital Transducer)(以下「IDT」と略す)が形成されて、弾性表面波素子片3は、基板2に対して接着剤5により固定されている。接着剤5は弾性表面波素子片3の全面にわたって塗布されている。基板2には電極4が固定されていて、弾性表面波素子片3と電極4はワイヤ等により電気的に接続されている。
【0004】
ここで、弾性表面波素子1に熱が加えられたとき、この熱により基板2と弾性表面波素子片3はその体積が膨張する。しかし、基板2と弾性表面波素子片3との線膨張率は一致しないため、弾性表面波素子片3に応力が発生し、たとえば中心周波数が変動してしまうという問題がある。
【0005】
そこで、上述した問題を解消すべく、たとえば実開昭62−127121号公報や実開平6−81139号公報等に記載されているような様々な試みがなされている。ここで図24には実開昭62−127121号公報の弾性表面波素子の断面図を示しており、図24を参照して弾性表面波素子6について説明する。
【0006】
図24の弾性表面波素子6は蓋7、弾性表面波素子片8、基板9、信号電極9a、接着剤10等を有している。弾性表面波素子片8は基板9に対して接着剤10により固定されていて、この接着剤10は弾性表面波素子片8の中央部分にのみ設けられている。弾性表面波素子片8は蓋7と基板9により封止されている。接着剤10が中央部分にのみ塗布されていることにより、基板9の熱変化による弾性表面波素子片8への影響を最小限に抑えて、周波数特性にばらつきのない弾性表面波素子を提供している。
【0007】
一方、このような弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタには圧電素子に2つ以上のすだれ状電極が形成されている場合がある。この2つ以上のIDT電極間には、圧電素子の表面を伝搬する表面波だけでなく、空間を伝搬する直達波が各IDT間に伝搬する。この直達波は弾性表面波素子の特性の低下に影響を及ぼし、波形の乱れや減衰量を低下させてしまう。従って、従来、直達波がIDT電極間に伝搬するのを防止するために、様々な試みがなされてきており、図25には従来の弾性表面波素子における弾性表面波素子片の平面図を示している。
【0008】
図25の弾性表面波素子片11は、たとえば弾性表面波フィルタであって、圧電基板12、第1IDT13、第2IDT14、第3IDT15、反射器16、16、グランド部17等から構成されている。第1IDT13にはたとえば入力された電気信号を弾性表面波に変換し、第2IDT14と第3IDT15は弾性表面波を電気信号に変換して出力する。第1IDT13と第2IDT14の間及び第1IDT13と第3IDT15の間にはグランド部17、17が形成されている。このグランド部17、17が第1IDT13から第2IDT14もしくは第1IDT13から第3IDT15への直達波の伝搬を防止して、フィルタ特性及び減衰特性を改善している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した弾性表面波素子には、以下の問題点がある。
【0010】
図24において弾性表面波素子片8の中央部分に接着剤10が塗布されているが、弾性表面波素子片8の端部には接着剤10が塗布されておらず、全く保持されていない状態になっている。従って弾性表面波素子6が振動した場合や弾性表面波素子片8が傾いて接着された場合、弾性表面波素子片8の端部が基板9と接触してしまうことがあり、弾性表面波素子6の周波数特性が変化してしまうという問題がある。また、接着剤10に熱が加えられると弾性表面波素子片8に応力が発生して、その応力が弾性表面波素子6の周波数特性に影響を及ぼす。この応力の影響を回避するためには、たとえば弾性表面波素子片8における接着剤10を塗布する部位にはIDTを形成しない等の弾性表面波素子片8の設計を変更しなければならないという問題がある。
【0011】
また、図25の弾性表面波素子片11において、直達波を阻止するためグランド部17、17が形成されている。しかし、グランド部17、17を形成すると圧電基板12の大きさが大きくなってしまい、弾性表面波素子片11の小型化を実現できないという問題がある。さらにこのグランド部17、17の存在により、弾性表面波素子片11の電極設計の自由度が低下してしまうという問題がある。
【0012】
本発明の目的は、上記課題を解消して、熱、振動、衝撃及び直達波による周波数特性の変化を防止して、安定した周波数特性を得ることができる弾性表面波素子及びその製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、請求項1の発明によれば、電気信号を入出力するための信号電極が形成されている基板と、前記基板に支持されて、圧電基板上にすだれ状電極が形成されている弾性表面波素子片と、前記弾性表面波素子片を封止する蓋とを有する弾性表面波素子において、前記弾性表面波素子片は、前記基板に対して吊り線により支持されている弾性表面波素子により、達成される。
【0014】
この請求項1の構成によれば、弾性表面波素子片が基板に対して吊り線により保持されていて、弾性表面波素子片は基板に対して固定されていない。
【0015】
これにより、弾性表面波素子に熱が加えられたとき、基板から弾性表面波素子片に対して応力が加わらないため、弾性表面波素子片のたとえば中心周波数や通過周波数帯域等の周波数特性が応力により変化せず、安定した動作を行うことができる。また、弾性表面波素子に振動が加えられたときであっても、弾性表面波素子片は吊り線によって吊られているので、その振動の影響を最小限に抑えて、安定した周波数特性を得ることができる。
【0016】
請求項2の発明によれば、請求項1の構成において、前記吊り線は、アルミ線である弾性表面波素子により、達成される。
【0017】
この請求項2の構成によれば、吊り線をアルミ線とすることにより金線と比べ、吊り線の強度が向上し、弾性表面波素子片の保持状態が安定するとともに、吊り線の長さを長くすることができる。
【0018】
請求項3の発明によれば、請求項1乃至請求項2のいずれかの構成において、前記吊り線は、前記基板と前記弾性表面波素子片間において電気信号を送受信するため、一端部には前記弾性表面波素子片の前記すだれ状電極と接続されていて、他端部には前記基板に形成されている信号電極と接続されている信号線を含んでいる弾性表面波素子により、達成される。
【0019】
この請求項3の構成によれば、吊り線が信号線としての役割を果たすことにより、電気信号が基板と弾性表面波素子片間を送受信するための手段を別途設ける必要がなくなり、余分な配線をすることなく弾性表面波素子を動作させる事ができる。
【0020】
請求項4の発明によれば、請求項1乃至請求項3のいずれかの構成において、前記吊り線は、一端部が前記弾性表面波素子片のグランド部と接続されていて、他端部が前記基板のグランド電極と接続されているグランド線を含んでいる弾性表面波素子により、達成される。
【0021】
この請求項4の構成によれば、吊り線がグランド線としての役割を果たすことにより、弾性表面波素子片の保持状態が強化されるとともに、グランド用の別個の余分な配線が不要となる。
【0022】
請求項5の発明は、請求項4の構成において、前記圧電基板上には、複数の前記すだれ状電極が形成されていて、前記グランド線は、複数の前記すだれ状電極の間を通過するように形成される弾性表面波素子により、達成される。
【0023】
この請求項5の構成によれば、グランド線をすだれ状電極の間に形成することにより、グランド線が各すだれ状電極から出力される直達波の伝搬を防止して、グランド線はシールド効果を奏する。これにより、弾性表面波素子は安定した周波数特性で動作する事ができる。
【0024】
請求項6の発明によれば、請求項4乃至請求項5のいずれかの構成において、前記グランド線は、前記複数のすだれ状電極の間に複数本配置されていて、これら複数の前記グランド線は、互いに近接あるいは交叉して配置されている弾性表面波素子により、達成される。
【0025】
この請求項6の構成によれば、すだれ状電極の間に複数本のグランド線を配置することで、グランド線のシールド効果を高めることができ、より安定した周波数特性を得ることができる。
【0026】
請求項7の発明によれば、請求項3乃至請求項6のいずれかの構成において、複数の前記吊り線はループ状に形成されていて、複数の前記吊り線のうち、前記信号線は、最も低いループで形成されている弾性表面波素子により、達成される。
【0027】
この請求項7の構成によれば、弾性表面波素子片を保持している吊り線において、信号線が最も低いループになるように形成されている。これにより、弾性表面波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、信号線以外の吊り線は蓋に接触することがあるが、吊り線の中でも信号線は蓋に接触することがない。従って、信号線がショートすることがなくなり、弾性表面波素子片は安定した動作を行うことができる。
【0028】
請求項8の発明によれば、請求項4乃至請求項7のいずれかの構成において、前記蓋は金属から形成されていて、前記基板のグランド電極と電気的に接続されており、前記グランド線は、前記蓋に接触するように形成されている弾性表面波素子により、達成される。
【0029】
この請求項8の構成によれば、弾性表面波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、グランド線が蓋に押さえられて、弾性表面波素子片の振動が最小限に抑えられる。従って、振動による周波数特性の変化を抑制し、弾性表面波素子片は安定した動作を行うことができる。加えて、グランド線が蓋に抑えられ電気的に接触するので、グランド線と蓋とでより効果的なシールド効果を得ることができる。
【0030】
請求項9の発明によれば、請求項1乃至請求項8のいずれかの構成において、前記基板と前記弾性表面波素子片の間には、前記弾性表面素子波片を保持するための保持部材が配置されている弾性表面波素子により、達成される。
【0031】
この請求項9の構成によれば、弾性表面波素子片は吊り線と保持部材で支持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れや剥離を防止するとともに、周波数特性の変化をなくすことができる。
【0032】
請求項10の発明によれば、請求項9の構成において、前記保持部材は、弾性体により形成されている弾性表面波素子により、達成される。
【0033】
この請求項10の構成によれば、弾性表面波素子片は吊り線と弾性体で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性材が緩衝部材となって、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化することをなくすことができる。
【0034】
請求項11の発明によれば、請求項9の構成において、前記保持部材は、接着剤を固化して形成されている弾性表面波素子により、達成される。
【0035】
この請求項11の構成によれば、弾性表面波素子片は吊り線と接着剤から容易に形成されうる保持部材で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化することをなくすことができる。
【0036】
請求項12の発明によれば、請求項9の構成において、前記保持部材は、シリコン系の接着剤を固化して形成されている弾性表面波素子により、達成される。
【0037】
この請求項12の構成によれば、弾性表面波素子片は吊り線とシリコン系接着剤からなる保持部材で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化することをなくすことができる。
【0038】
請求項13の発明によれば、請求項9の構成において、前記接着剤は、紫外線が照射されると接着力を失う性質を有している弾性表面波素子により、達成される。
【0039】
この請求項13の構成によれば、弾性表面波素子片は吊り線と接着剤で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化することをなくすことができる。加えて、弾性表面波素子片は基板と接着していないため、弾性表面波素子片に応力が発生せず、周波数特性を変化することがなくなる。
【0040】
請求項14の発明によれば、弾性表面波素子片を基板に支持させて、前記基板の上に蓋を被せて、弾性表面波素子を製造する弾性表面波素子の製造方法において、支持部により前記弾性表面波素子片を支持して、前記基板の所定の位置に位置決めして、前記基板と前記弾性表面波素子片の間に吊り線を形成して、前記基板に対して前記弾性表面波素子片を保持させる弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0041】
この請求項14の構成によれば、弾性表面波素子片が支持され位置決めされた状態で、吊り線を形成しているので、弾性表面波素子片が動くことにより位置ずれがなくなり、精度良く弾性表面波素子を製造することができるとともに、作業効率を向上させることができる。
【0042】
請求項15の発明によれば、請求項14の構成において、前記弾性表面波素子片を保持して前記基板の所定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面波素子片を下側から支持しながら位置決めする弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0043】
この請求項15の構成によれば、弾性表面波素子片が下側から支持されながら、基板上の所定の位置に位置決めされて、弾性表面波素子片と基板間に吊り線が配置される。弾性表面波素子片が支持され固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良く吊り線を形成することができる。また、弾性表面波素子片を下側から支持することにより、弾性表面波素子片のすだれ状電極が形成されている面が加工しやすくなり、効率的に弾性表面波素子を製造することができる。
【0044】
請求項16の発明によれば、請求項14の構成において、前記弾性表面波素子片を支持して前記基板の所定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面波片の側面から挟んで支持しながら位置決めする弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0045】
この請求項16の構成によれば、弾性表面波素子片を側面から挟んで支持して固定することにより、弾性表面波素子片のすだれ状電極が形成されている面が加工しやすくなり、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができる。
【0046】
請求項17の発明によれば、請求項14の構成において、前記弾性表面波素子片を前記基板の所定の位置に位置決めする際には、前記基板に弾性体を配置して、前記弾性体の上に前記弾性表面波素子片を配置する弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0047】
この請求項17の構成によれば、弾性表面波素子片が弾性体に保持されながら、基板上の所定の位置に位置決めされて、弾性表面波素子片と基板間に吊り線が配置される。弾性表面波素子片が下側から保持され、固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができる。また弾性体は保持部材として使用することができる。
【0048】
請求項18の発明によれば、請求項14の構成において、前記弾性表面波素子片を前記基板の所定の位置に位置決めする際には、前記基板に接着剤を塗布して、前記接着剤の上に前記弾性表面波素子片を配置する弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0049】
この請求項18の構成によれば、弾性表面波素子片が接着剤により下側から保持され、固定された状態で基板上の所定の位置に位置決めされて、弾性表面波素子片と基板間に吊り線が配置される。弾性表面波素子片が保持され固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができる。また接着剤は保持部材として使用することができる。
【0050】
請求項19の発明によれば、請求項14の構成において、前記接着剤は、紫外線を照射することにより、前記弾性表面波素子と剥離する弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
【0051】
この請求項19の構成によれば、接着剤は紫外線が照射されると弾性表面波素子片と剥離するため、基板と接着することによる弾性表面波素子片の応力の発生を防止するとともに、接着剤を保持部材として使用することができる。
【0052】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
【0053】
図1には本発明の弾性表面波素子の好ましい実施の形態を示す概略斜視図であり、図1を参照して弾性表面波素子1000について説明する。
【0054】
図1の弾性表面波素子1000は、弾性表面波素子片20、基板30、蓋40、吊り線50等からなっている。基板30と蓋40はガラス融着もしくはシーム溶接等により固定されていて、基板30のたとえば略中央部分には弾性表面波素子片20が配置されている。
【0055】
基板30には信号電極31a、31b、31c、31d、グランド電極32a、32bが形成されている。グランド電極32a、32bはたとえば基板30の長手方向(矢印X方向)に対する略中央部分にそれぞれ形成されていて、信号電極31a、31b、31c、31dはたとえば基板30の角付近にそれぞれ形成されている。グランド電極32a、32bにはグランド線61、62がそれぞれ固定されており、信号電極31a、31b、31c、31dには信号線51、52、53、54がそれぞれ固定されている。本実施の形態においては、各グランド線及び各信号線が吊り線でもある。
【0056】
図2には弾性表面波素子片20の平面図を示しており、図2を参照して弾性表面波素子片20について説明する。
【0057】
図2の弾性表面波素子片20は、第1IDT21、第2IDT22、反射器23、23、圧電基板24等からなっている。圧電基板24はたとえば水晶板であって、圧電基板24の上に第1IDT21、第2IDT22及び反射器23がフォトリソグラフィー技術等により形成されている。第1IDT21は複数の電極指からなるくし型電極21a、21bからなっていて、くし型電極21a、21bは所定のピッチで形成されている。くし型電極21a、21bには接続端子21c、21dが形成されていて、この接続端子21c、21dには信号線51、52がそれぞれ固定されている。第1IDT21が信号線51、52から電気信号が供給されると、圧電効果により圧電基板24の矢印X方向に向かって弾性表面波(Surface Acoustic Wave)を発生する。
【0058】
第2IDT22は複数の電極指からなるくし型電極22a、22bからなっており、くし型電極22a、22bは所定のピッチで形成されている。くし型電極22a、22bには接続端子22c、22dが形成されていて、この接続端子22c、22dには信号線53、54がそれぞれ固定されている。第2IDT22は励振された弾性表面波を電気信号にして出力するものである。
【0059】
反射器23、23は第1IDT21と第2IDT22を挟むように形成されていて、第1IDT21から出力される弾性表面波を反射器23、23内に閉じこめている。圧電基板24の長手方向(矢印X方向)の略中央部分にはグランド部25、25が形成されている。このグランド部25、25にはグランド線61、62が接続されていてる。
【0060】
図2を参照して、弾性表面波素子片20の動作例について説明する。図2の信号線51、52から第1IDT21に対して電圧が供給されると、第1IDT21から弾性表面波が発生し、この弾性表面波は矢印X方向に伝搬する。この弾性表面波は第1IDT21、第2IDT22及び反射器23、23の電極指で多段反射されて共振する。そしてこの共振された弾性表面波が第2IDT22から出力されて、信号線53、54を介して出力される。
【0061】
図3は弾性表面波素子1000の断面図を示しており、図1乃至図3を参照して吊り線50について詳しく説明する。
【0062】
図1の吊り線50はたとえばアルミ線等の金属細線からなっていて、弾性表面波素子片20を支持するものである。吊り線50としてアルミ線を用いることで、弾性表面波素子片20の保持状態が安定するとともに、吊り線50の長さを長くすることができる。吊り線50はたとえば4本の信号線51、52、53、54と2本のグランド線61、62からなっている。信号線51、52、53、54の一端部はそれぞれ各IDT21、22の接続端子21c、21d、22c、22dに接続されていて、他端部は信号電極31a、31b、31c、32dと接続されている。グランド線61、62はそれぞれ一端部がグランド部25、25に接続されていて、他端部がグランド電極32a、32bに接続されている。
【0063】
吊り線50は弾性表面波素子片20が基板30に対して浮かして支持するように形成されている。これにより、弾性表面波素子1000に熱が加えられたときに、弾性表面波素子片20と基板30との線膨張率の違いによる応力の発生を防止することができる。よって、弾性表面波素子片20の中心周波数等の周波数特性がずれることがなくなり、安定した動作を行うことができる。
【0064】
また、従来のように基板が弾性表面波素子片20を支持する際に、接着剤を使う必要がなくなるため、接着剤と弾性表面波素子片20の間に発生する応力を排除して、弾性表面波素子片20の動作を安定化させることができる。同時に、接着剤に熱が加えられるとガスが発生し、このガスが弾性表面波素子片20の各IDT21、22及び反射器23を腐蝕したり、弾性表面波素子片20の表面に付着することによる周波数特性の劣化もしくは変化が生じることがなくなる。
【0065】
ここで、図4には信号線51の周辺部位の断面図、図5にはグランド線61を示す断面図をそれぞれ示しており、図4と図5を参照して信号線51及びグランド線61の形状について詳しく説明する。なお、信号線51は信号線52、53、54とほぼ同一の形状を有していて、グランド線61はグランド線62とほぼ同一の形状を有している。
【0066】
図4の信号線51はループ状に形成されて弾性表面波素子片20を支持していて、その頂点51aが蓋40に接触しないように形成されている。一方、図5のグランド線61はループ状に形成されて弾性表面波素子片20を支持していて、その頂点61aが蓋40と接触するように形成されている。すなわち、図3で示すようにグランド線61の頂点61aが信号線51の頂点51aより高くなるように形成されていて、信号線51は吊り線50のうち最も低く形成されている。これは以下の理由による。
【0067】
図3において、弾性表面波素子1000が矢印Y方向もしくは矢印Z方向に振動したとき、弾性表面波素子片20は吊られて支持されているので、弾性表面波素子片20も矢印Y方向もしくは矢印Z方向に振動する。このとき、グランド線61の方が信号線51より高く形成されていると、グランド線61のみが蓋40と接触して、信号線51は蓋40と接触しない。従って、信号線51が蓋40に接触することによるショート等の問題を回避することができ、安定した動作を行うことができる。また、グランド線61がグランドである蓋40に接触することで、弾性表面波素子片20の支持状態を強化し、振動を最小限に抑えることができるとともに、弾性表面波素子片20の周波数特性の変化を最小限にすることができる。
【0068】
第2の実施の形態
図6は本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態を示す平面図、図7は図6におけるグランド線の側面形状を示す図であり、図6を参照して弾性表面波素子70について詳しく説明する。なお、以下の実施の形態において、図1の弾性表面波素子1000と同一の構成については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0069】
図6の弾性表面波素子70が図1の弾性表面波素子1000と異なる点は、グランド線の結線構造である。図6の弾性表面波素子70において、圧電基板24の長手方向(矢印X方向)の略中央部分にグランド部80が形成されている。このグランド部80は、第1IDT21と第2IDT22の間であって、矢印Y方向に向かって略矩形状に形成されている。グランド線81は一端部がグランド部80の一端側80aに接続されていて、他端部がグランド電極32bに接続されている。一方、グランド線82は、一端部がグランド部80の他端側80bに接続されていて、他端部がグランド電極32aに接続されている。すなわち図6に示すように、グランド線81、82は互いに近接しており、図7に示すように、グランド線81、82はX方向からみると交叉するように形成されている。
【0070】
これにより、グランド線81、82がシールド効果を奏して、直達波による周波数特性の劣化を防止することができる。具体的には、グランド線81、82が第1IDT21と第2IDT22の間に配置されることにより、第1IDT21から空間を伝搬する直達波が伝送されるのを防止して、直達波による周波数特性の劣化を防ぎ、安定した動作を行うことができる。すなわち、2本のグランド線81、82が第1IDT21と第2IDT22の間に設けられていて、加えてグランド部80が設けられていることで、シールド効果をより高め、直達波による周波数特性の劣化を防ぐことができる。加えて、グランド部80の一端側80aとグランド電極32aとを、およびグランド部80の他端側80bとグランド電極32bとを吊り線で接続することが好ましい。これにより、一層シールド効果を高めることができる。
【0071】
さらに図6において、圧電基板24上の角付近には4つのグランド部83が形成されていて、基板30上にも4つのグランド電極35が形成されている。このグランド部83とグランド電極35はグランド線84により接続されている。これにより、弾性表面波素子片20はより安定して支持されることになり、より安定した周波数特性を有するものとなる。なお、弾性表面波素子片20を支持するだけでよければ、グランド電極35は孤立パターンでよい。必要があれば、グランド電極35は図示しない構造により、グランド電極32a、32bと同様に接地パターンとすればよい。
【0072】
第3の実施の形態
図8には本発明の弾性表面波素子の第3の実施の形態を示す断面図であり、図8を参照して弾性表面波素子90について説明する。なお、以下の実施の形態において、図1の弾性表面波素子1000と同一の構成については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0073】
図8の弾性表面波素子90が図1の弾性表面波素子1000と異なる点は、弾性表面波素子片20と基板30との間に保持部材である枕部材が配置されている点である。図8において、枕部材91はたとえばシリコン系接着剤や弾性体等からなっていて、基板30にマイクロシリンジ等を用いて塗布及び固化されて固定されている。枕部材91はたとえば基板30の矢印Y方向に対する略中心位置であり、かつ弾性表面波素子片20における各IDT21、22及び反射器23の電極指が形成されていない領域の下側に配置されることが好ましい。これは、枕部材91によって周波数特性が変化するのを防止するためである。また、図1の矢印XYZ方向に移動しないように、特に基板30方向に移動しないように、枕部材91は弾性表面波素子片20を一定の位置で保持している。
【0074】
これにより、枕部材91と吊り線51が弾性表面波素子片20を常に一定位置に保持することになり、衝撃、振動等による周波数特性の変化を防止することができる。また枕部材91を配置することで、衝撃や振動を受けても吊り線51の揺れ幅は非常に小さくなるので、吊り線51のネック切れ又は剥離を防止することができる。
【0075】
第4の実施の形態
図9には本発明の弾性表面波素子の第4の実施の形態を示す断面図であり、図9を参照して弾性表面波素子100について説明する。なお、以下の実施の形態において、図1の弾性表面波素子1000と同一の構成については、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0076】
図9において、弾性表面波素子片120は、第1IDT121、第2IDT122、第3IDT123、反射器124、124、圧電基板126等を有している。圧電基板126上のほぼ中央には第1IDT121が形成されていて、その両側に第2IDT122及び第3IDT123がそれぞれ形成されている。また第2IDT122及び第3IDT123を挟むように反射器124、124が形成されている。
【0077】
第1IDT121はくし型電極121a、121bからなっていて、くし型電極121aは信号線151を介して信号電極131aに接続されている。くし型電極121bはグランド線161、162を介してグランド電極132b、132cにそれぞれ接続されている。
【0078】
第2IDT122はくし型電極122a、122bからなっていて、第3IDT123はくし型電極123a、123bからなっている。くし型電極122bとくし型電極123bは電気的に接続されていて、それぞれ信号線152を介して信号電極131bに接続されている。また、くし型電極122aとくし型電極123aはグランド線163、164を介してグランド電極132a、132dにそれぞれ接続されている。
【0079】
ここで、第1IDT121と第2IDT122の間にはグランド線162、164が通過しており、第1IDT121と第3IDT123の間にはグランド線161、163が通過している。これにより、このグランド線161、162、163、164がそれぞれ第1IDT121から第2IDT122と第3IDT123に直達波が伝搬することを防ぐシールド効果を有するものとなる。さらにグランド線161とグランド線163及びグランド線162とグランド線164がそれぞれ交叉して形成されていることにより、シールド効果を高めることができる。
【0080】
従って、直達波による周波数特性の劣化等を防止し、安定して動作することができる。また、圧電基板126上に直達波を防止するためのグランド領域がなくなるため、弾性表面波素子片120の小型化を実現するとともに、グランドパターンの簡略化により製造しやすくなり、パターン設計を容易に行うことができる。
【0081】
さらに図9において、圧電基板126上の角付近には4つのグランド部125が形成されていて、基板130上にも4つのグランド電極135が形成されている。このグランド部125とグランド電極135はグランド線165によりそれぞれ接続されている。これにより、弾性表面波素子片120はより安定して保持されることになり、より安定した周波数特性を有するものとなる。なお、弾性表面波素子片20を支持するだけでよければ、グランド電極135は孤立パターンでよい。必要があれば、グランド電極135は図示しない構造により、グランド電極132a、132b、132c、132dと同様に接地パターンとすればよい。
【0082】
第5の実施の形態
図10には本発明の弾性表面波素子の製造方法を示すフローチャート図を示しており、図10を参照して弾性表面波素子の製造方法について詳しく説明する。なお、以下に述べる弾性表面波素子の製造方法は主として図1の弾性表面波素子1000を製造することを考慮したものである。
【0083】
図10において、まず予め弾性表面波素子片20と基板30とを作製しておく(S1、S2)。具体的には、弾性表面波素子片20を作製する際には、圧電基板24の上にアルミニウム等からなる電極指がフォトリソグラフィー技術等により所定のパターンで形成され、各IDT21、22、反射器23及びグランド部25、25が形成される。一方、基板30は所定の位置に信号電極31a、31b、31c、31d及びグランド電極32a、32bがスパッタリング等により作製されている。
【0084】
次に、弾性表面波素子片20が保持されて、基板30の所定の位置に載置する(S3)。具体的には図11に示すように、支持部300が弾性表面波素子片20の下側を保持して、基板30の所定の位置に位置決めする。この支持部300には、たとえば圧電基板20と基板30の間に吊り線50を結線する作業の妨げにならないよう、スリット部301が形成されている。また、図12に示すように、支持部400が弾性表面波素子片20の側面を挟んで保持して、基板30の所定の位置に位置決めするようにしても良い。
【0085】
その後、弾性表面波素子片20が支持部300もしくは400に支持されたまま、たとえばアルミワイヤボンダー等により、吊り線50が弾性表面波素子片20と基板30との間に張り渡される(S4)。このとき、たとえばグランド線61、62が信号線51、52、53、54より高いアーチを描くように調整等して形成される。また、弾性表面波素子片20が支持部300もしくは400に保持され固定されたまま、吊り線50を形成しているので、弾性表面波素子片20が動くことにより位置ずれがなくなり、精度良く弾性表面波素子1000を製造することができる。
【0086】
図11と図12に示すように、支持部300を用いる場合、図示しない保持手段により弾性表面波素子片20の側面あるいは上面を保持する。一方、支持部400は弾性表面波素子片20の側面を保持するとともに下面を支持する。従って、支持部300あるいは支持部400の何れを用いても、弾性表面波素子片20の各IDT等が形成されている面に対して作業を行いやすくすることができる。
【0087】
最後に、図13に示すように、基板30の上に予め形成されている蓋40が被せられて封止される(S5)。具体的には、図13(A)に示すように、箱状に形成された基板30の上に金属からなる蓋40をのせて、基板30と蓋40とを溶接するいわゆるシーム溶接封止する方法がある。また図13(B)に示すように、蓋40と基板30との間に低融点ガラスを塗布して封止するいわゆる低融点ガラス封止する方法がある。なお、図13(A)の場合には、弾性表面波素子片20と箱状に形成された基板30との間には、後述する第6の実施の形態で説明するが、図示しない保持部材が配置されている。
【0088】
これにより、弾性表面波素子片20が基板30に保持される際、接着剤を塗布する必要がなくなるため、製造工程において、接着剤塗布工程及び接着剤硬化工程が不要となり、効率的に弾性表面波素子10を製造することができる。また、接着剤の過不足による不良品の発生がなくなるため、歩留まりを抑えることができる。さらに、接着剤に熱を加えることにより発生するガスにより、弾性表面波素子片20の周波数特性の変化を防止することができ、安定した動作を行う弾性表面波素子1000を提供することができる。
【0089】
第6の実施の形態
図14と図15には本発明の弾性表面波素子の製造方法の第2の実施の形態を示す図であり、図14と図15を参照して弾性表面波素子の製造方法について詳しく説明する。
【0090】
図14において、まず弾性表面波素子片20と基板30を作製した後(S11、S12)、図15(A)に示すように基板30の上に弾性体500が配置され固定される(S13)。この弾性体500はたとえば、樹脂やゴム等があげられる。
【0091】
そして、この弾性体500の上に弾性表面波素子片20が載置される(S14)。その後図15(B)に示すように、弾性表面波素子片20と基板30との間に吊り線50が張り渡される。必要があれば、図11に示される支持部300を用いて弾性表面波素子片20の下側を保持して、圧電基板24と基板30の間に吊り線50を結線する(S15)。ここで、弾性表面波素子片20は弾性体500に載置されているため摩擦により、弾性表面波素子片20が動くことにより位置ずれがなくなり、確実に吊り線50を形成することができる。さらに、この弾性体500はそのまま図8に示す枕部材91として使用することができるので、別途枕部材91を設ける必要がなく、効率的に弾性表面波素子10を製造することができる。
【0092】
その後、図13に示すように基板30の上に蓋40が被せられて封止され(S16)、弾性表面波素子1000が完成する。
【0093】
第7の実施の形態
図16と図17にはには本発明の弾性表面波素子の製造方法の第3の実施の形態を示す図を示しており、図16と図17を参照して弾性表面波素子の製造方法について詳しく説明する。
【0094】
図16において、予め弾性表面波素子片20と基板30が作製されて(S21、S22)、この基板30の上の所定の位置に接着剤である両面接着(粘着)シート600が塗布される(S23)。この両面接着(粘着)シート600には、半導体のダイシングに用いるシートに塗布される接着剤(粘着材)と基本的には同じであるが、シート基材の表裏に接着剤(粘着材)が塗布されている。
【0095】
両面接着(粘着)シート600の上に弾性表面波素子片20が加圧載置される(S24)。これにより、弾性表面波素子片20と基板30とは固定された状態になる。
【0096】
そして、図17(A)、(B)に示すようにたとえばアルミワイヤーボンダーを用いて、弾性表面波素子片20と基板30の間に吊り線50が張り渡される(S26)。ここで、弾性表面波素子片20は両面接着(粘着)シート600により固定されているため、弾性表面波素子片20が動くことにより位置ずれがなくなり、確実に吊り線50を形成することができる。さらに、この両面接着(粘着)シート600はそのまま図8に示す枕部材91として使用することができるので、別途枕部材91を設ける必要がなく、効率的に弾性表面波素子1000を製造することができる。
【0097】
その後、図17(C)に示すように両面接着(粘着)シート600に紫外線が適量照射されて、両面接着(粘着)シート600と弾性表面波素子片20との固着状態が解消される(S27)。次に、図13に示すように基板30の上に蓋40が被せられて封止され(S28)、弾性表面波素子1000が完成する。なお、紫外線を適量照射すること及びシート基材の存在により、基板30への両面接着(粘着)シート600の固着状態は維持されるので、封止後、両面接着(粘着)シート600が基板30から剥離して弾性表面波素子の特性を劣化させる恐れはない。
【0098】
上記各実施の形態によると、弾性表面波素子片20が吊り線50により保持されていることにより、すなわち、弾性表面波素子片20が基板30に保持されていないことにより弾性表面波素子1000に熱や変形等が加えられたときでもその周波数特性が変化せず、安定した動作を行うことができる。上述の事項を図18乃至図22を参照して具体的に説明していく。
【0099】
図18は基板30に蓋40がシーム溶接された前後の弾性表面波素子の周波数変化量を示すグラフ図である。図18(A)の従来の弾性表面波素子においては、弾性表面波素子毎の周波数変化量ΔFrの平均が36.2(ppm)であり、ばらつきσが16.5(ppm)である。これに対し、図18(B)の本発明の弾性表面波素子は、各弾性表面波素子毎の周波数変化量ΔFrの平均が0.2(ppm)であり、ばらつきσが4.7(ppm)に抑えられている。よって、図18からわかるように本発明の弾性表面波素子は溶接による変形や熱による周波数変化量が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化量のばらつきσも少ないことがわかる。
【0100】
弾性表面波素子が共振子で水晶材を用いる場合、その共振周波数は温度に依存し、そのグラフは一般的に上に凸の放物線を描く。そこで、−30℃〜60℃の間で共振周波数を測定し、各温度毎の放物線の頂点に相当する温度θmax をプロットしていく。図19には弾性表面波素子毎のθmax を示すグラフ図である。なお図19において、弾性表面波素子はθmax =29℃になるように設計されている。
【0101】
図19(A)において、従来の弾性表面波素子はθmax の平均が27.03℃、ばらつきσが1.16℃であるのに対し、本発明の弾性表面波素子はθmax の平均が30.36℃、ばらつきσが0.55℃である。これにより、本発明の弾性表面波素子は各弾性表面波素子毎に設計したθmax を得ることができるとともに、ばらつきσも少ないことがわかる。
【0102】
図20は、−55℃(5分)から125℃(5分)のサイクルを500回繰り返す熱衝撃試験を行った際、試験を行う前と試験を行った後の共振周波数の変化量を示すグラフ図である。図20(A)において、従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrは3.0(ppm)〜10.7(ppm)の範囲にあり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは0.9(ppm)〜1.9(ppm)になる。一方、図20(B)において、本発明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrが1.2(ppm)〜7.3(ppm)になり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは0.9(ppm)〜1.9(ppm)になる。よって、図20からわかるように本発明の弾性表面波素子10は熱による周波数特性の変化が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化量ΔFrのばらつきσも少ないことがわかる。
【0103】
図21は、所定時間リフローした際、リフロー前の共振周波数とリフロー後の共振周波数の周波数変化量ΔFrを示すグラフ図である。図21(A)において、従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの平均が−0.6(ppm)〜0.0(ppm)であり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは1.4(ppm)〜2.1(ppm)になっている。一方、図21(B)において、本発明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrは−0.4(ppm)〜0.0(ppm)となり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは0.4(ppm)〜0.7(ppm)になっている。よって、図21からわかるように本発明の弾性表面波素子は熱による周波数特性の変化が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化量ΔFrのばらつきσも少ないことがわかる。
【0104】
図22は、高温で放置した際の共振周波数の変化を示すグラフ図である。図22(A)において、従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの平均が4.4(ppm)〜5.3(ppm)であり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは2.1(ppm)〜2.9(ppm)になっている。一方、図22(B)において、本発明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの平均は3.3(ppm)〜4.5(ppm)となり、周波数変化量ΔFrのばらつきσは0.7(ppm)〜0.9(ppm)になっている。よって、図22からわかるように本発明の弾性表面波素子は熱による周波数特性の変化が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化量ΔFrのばらつきσも少ないことがわかる。
【0105】
図18乃至図22から、本発明の弾性表面波素子は変形や熱による周波数特性の変化が最小限に抑えられていることがわかる。
【0106】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。
【0107】
図1乃至図9の各実施の形態において、グランド線は、1つのグランド電極及びグランド部に対して1本だけ結線されているが、1つのグランド電極及びグランド部に対して複数本形成するようにしても良い。これにより、弾性表面波素子片の耐震性及び耐衝撃性を向上させることができる。
【0108】
また、図1と図2の第1の実施の形態において、グランド線61、62は、圧電基板24の略中央部分に設けられているが、図6に示すように、たとえば圧電基板24の四隅にグランド線を設けるような、複数本のグランド線を有するようにしても良い。これにより、弾性表面波素子片20の支持バランスを向上させることができる。さらに、第1IDT21から信号が入力されて、第2IDT22には出力端子が接続されているが、第2IDT22から信号が入力されて、第1IDT21から信号を出力するようにしてもよい。
【0109】
また、図7において、グランド線81、82は蓋40に接触しない高さで形成されているが、グランド線81、82を蓋40に接触させて、弾性表面波素子70が振動しても、安定した周波数特性で動作することができる。
【0110】
さらに、図8において、枕部材91は弾性表面波素子片20のほぼ中央部に配置されているが、たとえばIDTの電極パターンが形成されていない圧電基板24の四隅にたとえば4つ配置するようにしても良い。
【0111】
【発明の効果】
請求項1の発明によれば、弾性表面波素子に力や熱が加えられたとき、基板から弾性表面波素子片に対して応力が加わらないため、弾性表面波素子片のたとえば中心周波数や通過周波数帯域等の周波数特性が変化せず、安定した動作を行うことができる。また、弾性表面波素子に振動が加えられたときであっても、弾性表面波素子片は吊り線によって吊られているので、その振動の影響を最小限に抑えて、安定した周波数特性を得ることができる。
【0112】
請求項2の発明によれば、吊り線の強度が向上し、弾性表面波素子片の保持状態が安定するとともに、吊り線の長さを長くすることができる。
【0113】
請求項3の発明によれば、信号が基板と弾性表面波素子片間を送受信するための手段を別途設ける必要がなくなり余分な配線をすることなく、弾性表面波素子を動作させる事ができる。
【0114】
請求項4の発明によれば、弾性表面波素子片の保持状態が強化されるとともに、グランド用の別個の余分な配線が不要とすることができる。
【0115】
請求項5の発明の発明によれば、各すだれ状電極から出力される直達波の伝搬を防止することで、グランド線はシールド効果を奏するようにすることができる。従って、直達波の伝搬を防止することにより、弾性表面波素子は安定した周波数特性を得ることができる。
【0116】
請求項6の発明の発明によれば、グランド線のシールド効果を高めることができ、より安定した周波数特性を得ることができる。
【0117】
請求項7の発明の発明によれば、弾性表面波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、吊り線は蓋に接触するが、信号線は蓋に接触することがないため、信号線がショートすることがなくなり、弾性表面波素子片は安定した動作を行うことができる。
【0118】
請求項8の発明の発明によれば、弾性表面波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、グランド線が蓋に押さえられて、弾性表面波素子片の振動を最小限に抑え、振動による周波数特性の変化を抑制し、弾性表面波素子片は安定した動作を行うことができる。
【0119】
請求項9乃至請求項13の発明によれば、弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化することをなくすことができる。
【0120】
請求項14の発明によれば、弾性表面波素子片が動くことにより位置ずれがなくなり、精度良く弾性表面波素子を製造することができるとともに、作業性を向上することができる。
【0121】
請求項15と請求項16の発明によれば、弾性表面波素子片が保持され固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができる。
【0122】
請求項17乃至請求項19の発明によれば、弾性表面波素子片が保持され固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第1の実施の形態)の形態を示す斜視図。
【図2】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第1の実施の形態)の形態を示す平面図。
【図3】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第1の実施の形態)の形態を示す断面図。
【図4】 本発明の弾性表面波素子における信号線の周辺部位を示す断面図。
【図5】 本発明の弾性表面波素子におけるグランド線の周辺部位を示す断面図。
【図6】 本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態を示す平面図。
【図7】 本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態におけるグランド線周辺部位を示す断面図。
【図8】 本発明の弾性表面波素子の第3の実施の形態を示す断面図。
【図9】 本発明の弾性表面波素子の第4の実施の形態を示す平面図。
【図10】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の好ましい実施の形態(第5の実施の形態)を示すフローチャート図。
【図11】 本発明の弾性表面波素子の製造方法における弾性表面波素子片が保持されている様子を示す斜視図。
【図12】 本発明の弾性表面波素子の製造方法における弾性表面波素子片が保持されている様子を示す斜視図。
【図13】 本発明の弾性表面波素子の製造方法における弾性表面波素子片が封止される様子を示す断面図。
【図14】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第6の実施の形態を示すフローチャート図。
【図15】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第6の実施の形態における製造工程の様子を示す模式図。
【図16】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第7の実施の形態を示すフローチャート図。
【図17】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第7の実施の形態における製造工程の様子を示す模式図。
【図18】 従来と本発明の弾性表面波素子において、シーム溶接前後の周波数変化量を示すグラフ図。
【図19】 従来と本発明の弾性表面波素子において、温度特性における頂点温度を示すグラフ図。
【図20】 従来と本発明の弾性表面波素子において、熱衝撃試験前後の周波数変化量を示すグラフ図。
【図21】 従来と本発明の弾性表面波素子において、リフロー前後の周波数変化量を示すグラフ図。
【図22】 従来と本発明の弾性表面波素子において、高温放置前後の周波数変化量を示すグラフ図。
【図23】 従来の弾性表面波素子の一例を示す断面図。
【図24】 従来の別の弾性表面波素子の一例を示す断面図。
【図25】 従来の別の弾性表面波素子の一例を示す平面図。
【符号の説明】
1000、70、90、100・・・弾性表面波素子
20・・・弾性表面波素子片
30・・・基板
31・・・信号電極
32・・・グランド電極
40・・・蓋
50・・・吊り線
51、52、53、54・・・信号線
61、62・・・グランド線
91・・・枕部材
500・・・弾性体
600・・・接着剤[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to, for example, an improvement of a surface acoustic wave element and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a surface acoustic wave element that can equalize and stabilize the frequency characteristics of a surface acoustic wave element and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
Surface acoustic wave elements are used in television receivers and mobile phones. FIG. 23 is a cross-sectional view showing an example of a conventional surface acoustic wave element, and the surface
[0003]
A surface
[0004]
Here, when heat is applied to the surface
[0005]
In order to solve the above-described problems, various attempts have been made, for example, as described in Japanese Utility Model Publication No. 62-127121 and Japanese Utility Model Application Publication No. 6-81139. Here, FIG. 24 shows a sectional view of the surface acoustic wave element disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-127121. The surface
[0006]
The surface
[0007]
On the other hand, in such surface acoustic wave resonators and surface acoustic wave filters, there are cases where two or more interdigital electrodes are formed on the piezoelectric element. Between these two or more IDT electrodes, not only a surface wave propagating on the surface of the piezoelectric element but also a direct wave propagating in space propagates between the IDTs. This direct wave affects the deterioration of the characteristics of the surface acoustic wave device, and reduces the waveform distortion and attenuation. Therefore, conventionally, various attempts have been made to prevent the direct wave from propagating between the IDT electrodes. FIG. 25 shows a plan view of a surface acoustic wave element piece in a conventional surface acoustic wave element. ing.
[0008]
25 is a surface acoustic wave filter, for example, and includes a
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, the surface acoustic wave device described above has the following problems.
[0010]
In FIG. 24, the
[0011]
Further, in the surface acoustic
[0012]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device capable of solving the above-mentioned problems and preventing a change in frequency characteristics due to heat, vibration, shock and direct wave, and obtaining a stable frequency characteristic, and a method for manufacturing the same. It is to be.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
According to the first aspect of the present invention, a substrate on which signal electrodes for inputting / outputting electrical signals are formed, and an interdigital electrode is formed on the piezoelectric substrate supported by the substrate. In the surface acoustic wave element having a surface acoustic wave element piece and a lid for sealing the surface acoustic wave element piece, the surface acoustic wave element piece is supported by a suspension line with respect to the substrate. Achieved by the element.
[0014]
According to this configuration, the surface acoustic wave element piece is held by the suspension line with respect to the substrate, and the surface acoustic wave element piece is not fixed to the substrate.
[0015]
As a result, when heat is applied to the surface acoustic wave element, no stress is applied from the substrate to the surface acoustic wave element piece, so that the frequency characteristics of the surface acoustic wave element piece such as the center frequency and the pass frequency band are stressed. Therefore, stable operation can be performed. Further, even when vibration is applied to the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element piece is suspended by the suspension wire, so that the influence of the vibration is minimized and a stable frequency characteristic is obtained. be able to.
[0016]
According to invention of
[0017]
According to the configuration of the second aspect, by using an aluminum wire as the suspension wire, the strength of the suspension wire is improved as compared with the gold wire, the holding state of the surface acoustic wave element piece is stabilized, and the length of the suspension wire is increased. Can be lengthened.
[0018]
According to a third aspect of the present invention, in the configuration of any one of the first to second aspects, the suspension line transmits and receives an electrical signal between the substrate and the surface acoustic wave element piece. This is achieved by a surface acoustic wave element that is connected to the interdigital electrode of the surface acoustic wave element piece and includes a signal line connected to a signal electrode formed on the substrate at the other end. The
[0019]
According to the configuration of the third aspect, since the suspension line serves as a signal line, it is not necessary to separately provide means for transmitting and receiving an electrical signal between the substrate and the surface acoustic wave element piece, and extra wiring is provided. It is possible to operate the surface acoustic wave element without performing the above.
[0020]
According to a fourth aspect of the present invention, in the configuration according to any one of the first to third aspects, the suspension line has one end connected to the ground portion of the surface acoustic wave element piece and the other end. This is achieved by a surface acoustic wave device including a ground wire connected to the ground electrode of the substrate.
[0021]
According to the fourth aspect of the present invention, the suspension line serves as a ground line, whereby the holding state of the surface acoustic wave element piece is strengthened and a separate extra wiring for the ground is not required.
[0022]
According to a fifth aspect of the present invention, in the configuration of the fourth aspect, a plurality of the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and the ground line passes between the interdigital electrodes. This is achieved by the surface acoustic wave element formed on the substrate.
[0023]
According to the fifth aspect of the present invention, the ground line is formed between the interdigital electrodes, thereby preventing the propagation of the direct wave output from each interdigital electrode, and the ground line has a shielding effect. Play. As a result, the surface acoustic wave device can operate with stable frequency characteristics.
[0024]
According to a sixth aspect of the present invention, in the configuration of any one of the fourth to fifth aspects, a plurality of the ground lines are arranged between the plurality of interdigital electrodes, and the plurality of the ground lines are arranged. Is achieved by surface acoustic wave elements arranged close to or crossing each other.
[0025]
According to the configuration of the sixth aspect, by arranging a plurality of ground lines between the interdigital electrodes, the shielding effect of the ground lines can be enhanced, and more stable frequency characteristics can be obtained.
[0026]
According to the invention of
[0027]
According to the configuration of the seventh aspect, in the suspension line holding the surface acoustic wave element piece, the signal line is formed to be the lowest loop. As a result, when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the suspension line other than the signal line may contact the lid, but the signal line does not contact the lid among the suspension lines. Therefore, the signal line is not short-circuited, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation.
[0028]
According to an eighth aspect of the present invention, in the configuration according to any one of the fourth to seventh aspects, the lid is made of metal, and is electrically connected to a ground electrode of the substrate, and the ground line Is achieved by a surface acoustic wave element formed so as to be in contact with the lid.
[0029]
According to the configuration of the eighth aspect, when the surface acoustic wave element is vibrated or shocked, the ground wire is held by the lid, and the vibration of the surface acoustic wave element piece is minimized. Therefore, the change of the frequency characteristic due to vibration is suppressed, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation. In addition, since the ground wire is restrained by the lid and makes electrical contact, a more effective shielding effect can be obtained with the ground wire and the lid.
[0030]
According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to eighth aspects, the holding member for holding the surface acoustic wave element piece between the substrate and the surface acoustic wave element piece. This is achieved by a surface acoustic wave device in which
[0031]
According to this configuration, the surface acoustic wave element piece is supported by the suspension line and the holding member, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing the neck of the suspension line from being cut off or peeling off, and the frequency characteristics. Can be eliminated.
[0032]
According to the invention of
[0033]
According to this configuration, the surface acoustic wave element piece is held by the suspension line and the elastic body, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the elastic material serves as a buffer member, so that the vibration of the surface acoustic wave element piece can be very small, and the neck of the suspension line can be cut. Can be prevented and frequency characteristics can be prevented from changing.
[0034]
According to the invention of
[0035]
According to this configuration, the surface acoustic wave element piece is held by the holding member that can be easily formed from the suspension line and the adhesive, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing the neck of the suspension line from being cut and changing the frequency characteristics. Can be eliminated.
[0036]
According to a twelfth aspect of the present invention, in the configuration of the ninth aspect, the holding member is achieved by a surface acoustic wave element formed by solidifying a silicon-based adhesive.
[0037]
According to the structure of the twelfth aspect, the surface acoustic wave element piece is held by the holding member made of the suspension line and the silicon-based adhesive, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing the neck of the suspension line from being cut and changing the frequency characteristics. Can be eliminated.
[0038]
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the configuration of the ninth aspect, the adhesive is achieved by a surface acoustic wave element having a property of losing adhesive strength when irradiated with ultraviolet rays.
[0039]
According to the structure of the thirteenth aspect, the surface acoustic wave element piece is held by the hanging line and the adhesive, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing the neck of the suspension line from being cut and changing the frequency characteristics. Can be eliminated. In addition, since the surface acoustic wave element piece is not bonded to the substrate, no stress is generated in the surface acoustic wave element piece, and the frequency characteristics are not changed.
[0040]
According to the fourteenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a surface acoustic wave element in which the surface acoustic wave element piece is supported on the substrate and the lid is placed on the substrate, the surface acoustic wave element is manufactured. The surface acoustic wave element piece is supported, positioned at a predetermined position of the substrate, a hanging line is formed between the substrate and the surface acoustic wave element piece, and the surface acoustic wave is formed with respect to the substrate. This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element that holds an element piece.
[0041]
According to the structure of the fourteenth aspect, since the suspending line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is supported and positioned, the displacement of the surface acoustic wave element piece is eliminated by the movement of the surface acoustic wave element piece. A surface acoustic wave element can be manufactured and work efficiency can be improved.
[0042]
According to a fifteenth aspect of the invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when the surface acoustic wave element piece is held and positioned at a predetermined position of the substrate, the surface acoustic wave element piece is supported from below. This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element that is positioned while moving.
[0043]
According to the configuration of the fifteenth aspect, the surface acoustic wave element piece is positioned at a predetermined position on the substrate while being supported from below, and the suspension line is disposed between the surface acoustic wave element piece and the substrate. Since the hanging line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is supported and fixed, the hanging line can be formed with high accuracy. Further, by supporting the surface acoustic wave element piece from the lower side, the surface of the surface acoustic wave element piece on which the interdigital electrode is formed can be easily processed, and the surface acoustic wave element can be manufactured efficiently. .
[0044]
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when the surface acoustic wave element piece is supported and positioned at a predetermined position of the substrate, the surface acoustic wave piece is sandwiched and supported from the side surface. This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element that is positioned while moving.
[0045]
According to the structure of the sixteenth aspect, the surface of the surface acoustic wave element piece on which the interdigital electrode is formed can be easily processed by fixing the surface acoustic wave element piece by sandwiching it from the side surface. A suspension line can be formed well and efficiently.
[0046]
According to the invention of
[0047]
According to the structure of the seventeenth aspect, the surface acoustic wave element piece is positioned at a predetermined position on the substrate while being held by the elastic body, and the suspension line is disposed between the surface acoustic wave element piece and the substrate. Since the surface acoustic wave element piece is held from the lower side and the suspension line is formed in a fixed state, the suspension line can be formed with high accuracy and efficiency. The elastic body can be used as a holding member.
[0048]
According to the invention of claim 18, in the configuration of
[0049]
According to the configuration of this aspect, the surface acoustic wave element piece is held from below by the adhesive, and is positioned in a fixed position on the substrate, so that the surface acoustic wave element piece is placed between the surface acoustic wave element piece and the substrate. A hanging line is arranged. Since the suspension line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is held and fixed, the suspension line can be formed with high accuracy and efficiency. The adhesive can be used as a holding member.
[0050]
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, the adhesive is achieved by a method for manufacturing a surface acoustic wave element that peels from the surface acoustic wave element by irradiating ultraviolet rays.
[0051]
According to the structure of the nineteenth aspect, since the adhesive peels off from the surface acoustic wave element piece when irradiated with ultraviolet rays, it prevents the generation of stress of the surface acoustic wave element piece by adhering to the substrate and adheres to the adhesive. An agent can be used as a holding member.
[0052]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
[0053]
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a preferred embodiment of a surface acoustic wave element according to the present invention. The surface
[0054]
A surface
[0055]
On the
[0056]
FIG. 2 shows a plan view of the surface acoustic
[0057]
The surface acoustic
[0058]
The
[0059]
The
[0060]
An example of the operation of the surface acoustic
[0061]
FIG. 3 is a cross-sectional view of the surface
[0062]
1 is made of a fine metal wire such as an aluminum wire, and supports the surface acoustic
[0063]
The
[0064]
Further, since it is not necessary to use an adhesive when the substrate supports the surface acoustic
[0065]
Here, FIG. 4 shows a cross-sectional view of the peripheral portion of the
[0066]
The
[0067]
In FIG. 3, when the surface
[0068]
Second embodiment
FIG. 6 is a plan view showing a second embodiment of the surface acoustic wave element according to the present invention, and FIG. 7 is a view showing the side surface shape of the ground line in FIG. 6, with reference to FIG. Will be described in detail. In the following embodiment, the same components as those of the surface
[0069]
The surface
[0070]
Thereby, the ground lines 81 and 82 have a shielding effect, and it is possible to prevent the deterioration of the frequency characteristics due to the direct wave. Specifically, by arranging the ground lines 81 and 82 between the
[0071]
Further, in FIG. 6, four
[0072]
Third embodiment
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the surface acoustic wave element of the present invention. The surface
[0073]
The surface
[0074]
Thereby, the
[0075]
Fourth embodiment
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a fourth embodiment of the surface acoustic wave element of the present invention. The surface
[0076]
In FIG. 9, the surface acoustic wave element 120 includes a
[0077]
The
[0078]
The
[0079]
Here, the
[0080]
Therefore, it is possible to prevent the deterioration of the frequency characteristics due to the direct wave and to operate stably. In addition, since there is no ground region for preventing direct waves on the piezoelectric substrate 126, the surface acoustic wave element piece 120 can be reduced in size and can be easily manufactured by simplifying the ground pattern, thereby facilitating pattern design. It can be carried out.
[0081]
Further, in FIG. 9, four
[0082]
Fifth embodiment
FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing a surface acoustic wave element according to the present invention. The method for manufacturing a surface acoustic wave element will be described in detail with reference to FIG. Note that the surface acoustic wave element manufacturing method described below mainly considers manufacturing the surface
[0083]
In FIG. 10, first, a surface acoustic
[0084]
Next, the surface acoustic
[0085]
Thereafter, with the surface acoustic
[0086]
As shown in FIGS. 11 and 12, when the support portion 300 is used, the side surface or the upper surface of the surface acoustic
[0087]
Finally, as shown in FIG. 13, a
[0088]
Accordingly, when the surface acoustic
[0089]
Sixth embodiment
FIGS. 14 and 15 show a second embodiment of the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention. The method for manufacturing the surface acoustic wave device will be described in detail with reference to FIGS. .
[0090]
14, first, the surface
[0091]
Then, the surface acoustic
[0092]
Thereafter, as shown in FIG. 13, a
[0093]
Seventh embodiment
16 and 17 show a third embodiment of the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention. With reference to FIGS. 16 and 17, a method for manufacturing a surface acoustic wave device is shown. Will be described in detail.
[0094]
In FIG. 16, the surface acoustic
[0095]
The surface
[0096]
Then, as shown in FIGS. 17A and 17B, the
[0097]
Thereafter, as shown in FIG. 17C, an appropriate amount of ultraviolet light is applied to the double-sided adhesive (adhesive)
[0098]
According to each of the above embodiments, the surface acoustic
[0099]
FIG. 18 is a graph showing the frequency variation of the surface acoustic wave element before and after the
[0100]
When the surface acoustic wave element is a resonator and a quartz material is used, the resonance frequency depends on temperature, and the graph generally draws a convex parabola. Therefore, the resonance frequency is measured between −30 ° C. and 60 ° C., and the temperature θmax corresponding to the apex of the parabola for each temperature. Plot. FIG. 19 shows θmax for each surface acoustic wave element. FIG. In FIG. 19, the surface acoustic wave element is θmax. = 29 ° C.
[0101]
In FIG. 19A, the conventional surface acoustic wave element is θmax. Of the surface acoustic wave device of the present invention is θmax. The average is 30.36 ° C., and the variation σ is 0.55 ° C. As a result, the surface acoustic wave element of the present invention is designed to have a θmax designed for each surface acoustic wave element. It can be seen that the variation σ is small.
[0102]
FIG. 20 shows the amount of change in the resonance frequency before and after the test when the thermal shock test is repeated 500 times from −55 ° C. (5 minutes) to 125 ° C. (5 minutes). FIG. 20A, in the conventional surface acoustic wave element, the frequency variation ΔFr is in the range of 3.0 (ppm) to 10.7 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 0.9 ( ppm) to 1.9 (ppm). On the other hand, in the surface acoustic wave device of the present invention shown in FIG. 20B, the frequency change ΔFr is 1.2 (ppm) to 7.3 (ppm), and the variation σ of the frequency change ΔFr is 0.9. (Ppm) to 1.9 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 20, the surface
[0103]
FIG. 21 is a graph showing the frequency change ΔFr between the resonance frequency before reflow and the resonance frequency after reflow when reflow is performed for a predetermined time. In FIG. 21A, in the conventional surface acoustic wave device, the average of the frequency variation ΔFr is −0.6 (ppm) to 0.0 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 1.4. (Ppm) to 2.1 (ppm). On the other hand, in the surface acoustic wave element of the present invention shown in FIG. 21B, the frequency change ΔFr is −0.4 (ppm) to 0.0 (ppm), and the variation σ of the frequency change ΔFr is 0.4. (Ppm) to 0.7 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 21, the surface acoustic wave device of the present invention has a minimal change in frequency characteristics due to heat and a small variation σ in the frequency change amount ΔFr.
[0104]
FIG. 22 is a graph showing the change in resonance frequency when left at high temperature. 22A, in the conventional surface acoustic wave element, the average of the frequency variation ΔFr is 4.4 (ppm) to 5.3 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 2.1 ( ppm) to 2.9 (ppm). On the other hand, in the surface acoustic wave device of the present invention shown in FIG. 22B, the average frequency variation ΔFr is 3.3 (ppm) to 4.5 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 0. 7 (ppm) to 0.9 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 22, the surface acoustic wave device of the present invention has a minimum change in frequency characteristics due to heat and a small variation σ in the frequency change ΔFr.
[0105]
From FIG. 18 to FIG. 22, it can be seen that the surface acoustic wave device of the present invention has the frequency characteristics changed by deformation and heat to the minimum.
[0106]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the claims.
[0107]
In each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 9, only one ground line is connected to one ground electrode and the ground part. However, a plurality of ground lines are formed to one ground electrode and the ground part. Anyway. Thereby, the earthquake resistance and impact resistance of the surface acoustic wave element piece can be improved.
[0108]
Further, in the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the ground lines 61 and 62 are provided at a substantially central portion of the
[0109]
In FIG. 7, the ground lines 81 and 82 are formed at a height that does not contact the
[0110]
Further, in FIG. 8, although the
[0111]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, when force or heat is applied to the surface acoustic wave element, no stress is applied to the surface acoustic wave element piece from the substrate. Stable operation can be performed without changing the frequency characteristics such as the frequency band. Further, even when vibration is applied to the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element piece is suspended by the suspension wire, so that the influence of the vibration is minimized and a stable frequency characteristic is obtained. be able to.
[0112]
According to the invention of
[0113]
According to the invention of claim 3, it is not necessary to separately provide means for transmitting and receiving signals between the substrate and the surface acoustic wave element piece, and the surface acoustic wave element can be operated without extra wiring.
[0114]
According to the invention of
[0115]
According to the invention of
[0116]
According to the invention of
[0117]
According to the invention of
[0118]
According to the invention of
[0119]
According to the ninth to thirteenth aspects of the present invention, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be very small, and the neck of the suspension line It is possible to prevent the cut and prevent the frequency characteristic from changing.
[0120]
According to the fourteenth aspect of the present invention, displacement of the surface acoustic wave element piece is eliminated, and the surface acoustic wave element can be manufactured with high accuracy and workability can be improved.
[0121]
According to the fifteenth and sixteenth aspects of the present invention, the suspension line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is held and fixed. Therefore, the suspension line can be formed accurately and efficiently.
[0122]
According to the seventeenth to nineteenth aspects of the present invention, since the suspending line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is held and fixed, the suspending line can be formed with high accuracy and efficiency.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a perspective view showing a preferred embodiment (first embodiment) of a surface acoustic wave element according to the present invention.
FIG. 2 is a plan view showing a preferred embodiment (first embodiment) of a surface acoustic wave element according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment (first embodiment) of a surface acoustic wave element according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a peripheral portion of a signal line in the surface acoustic wave element of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a peripheral portion of a ground line in the surface acoustic wave element of the present invention.
FIG. 6 is a plan view showing a second embodiment of the surface acoustic wave device of the invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a portion around a ground line in a second embodiment of the surface acoustic wave device of the invention.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a third embodiment of a surface acoustic wave element according to the present invention.
FIG. 9 is a plan view showing a fourth embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 10 is a flowchart showing a preferred embodiment (fifth embodiment) of a method for producing a surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 11 is a perspective view showing a state in which a surface acoustic wave element piece is held in the method for manufacturing a surface acoustic wave element of the present invention.
FIG. 12 is a perspective view showing a state in which a surface acoustic wave element piece is held in the method for manufacturing a surface acoustic wave element of the present invention.
FIG. 13 is a cross-sectional view showing how a surface acoustic wave element piece is sealed in the method for manufacturing a surface acoustic wave element of the present invention.
FIG. 14 is a flowchart showing a sixth embodiment of a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 15 is a schematic diagram showing a manufacturing process in the sixth embodiment of the method for manufacturing the surface acoustic wave device of the invention.
FIG. 16 is a flowchart showing a seventh embodiment of a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 17 is a schematic diagram showing a manufacturing process in the seventh embodiment of the method for manufacturing the surface acoustic wave device of the invention.
FIG. 18 is a graph showing the amount of change in frequency before and after seam welding in the conventional surface acoustic wave device of the present invention.
FIG. 19 is a graph showing the apex temperature in the temperature characteristic in the conventional surface acoustic wave device of the present invention.
FIG. 20 is a graph showing the amount of frequency change before and after the thermal shock test in the conventional surface acoustic wave device of the present invention.
FIG. 21 is a graph showing the amount of change in frequency before and after reflow in a conventional surface acoustic wave device of the present invention.
FIG. 22 is a graph showing the amount of frequency change before and after being left at a high temperature in the conventional surface acoustic wave device of the present invention.
FIG. 23 is a cross-sectional view showing an example of a conventional surface acoustic wave element.
FIG. 24 is a sectional view showing an example of another conventional surface acoustic wave element.
FIG. 25 is a plan view showing an example of another conventional surface acoustic wave element.
[Explanation of symbols]
1000, 70, 90, 100 ... surface acoustic wave element
20: Surface acoustic wave element
30 ... Substrate
31 ... Signal electrode
32 ... Ground electrode
40 ... Lid
50 ... Hanging line
51, 52, 53, 54 ... signal lines
61, 62 ... Ground line
91 ... Pillow member
500 ... Elastic body
600 ... Adhesive
Claims (19)
前記弾性表面波素子片は、前記基板に対して吊り線により支持されていることを特徴とする弾性表面波素子。A substrate on which signal electrodes for inputting / outputting electric signals are formed, a surface acoustic wave element piece supported by the substrate and having interdigital electrodes formed on the piezoelectric substrate, and the surface acoustic wave device In a surface acoustic wave device having a lid for sealing a piece,
The surface acoustic wave element is supported by a suspension line with respect to the substrate.
前記弾性表面波素子片を前記基板に対して非接触に支持して、前記基板の所定の位置に位置決めして、
前記基板に対して前記弾性表面波素子片を支持させるため、前記基板と前記弾性表面波素子片の間に吊り線を形成することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。In a method for manufacturing a surface acoustic wave element, a surface acoustic wave element is manufactured by supporting a surface acoustic wave element piece on a substrate and covering the substrate with a lid.
The surface acoustic wave element piece is supported in a non-contact manner with respect to the substrate, and positioned at a predetermined position of the substrate,
In order to support the surface acoustic wave element piece on the substrate, a suspension line is formed between the substrate and the surface acoustic wave element piece.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33960598A JP3695183B2 (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33960598A JP3695183B2 (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000165190A JP2000165190A (en) | 2000-06-16 |
JP3695183B2 true JP3695183B2 (en) | 2005-09-14 |
Family
ID=18329075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33960598A Expired - Fee Related JP3695183B2 (en) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3695183B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3826875B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | Piezoelectric device and manufacturing method thereof |
JP3864952B2 (en) | 2003-12-01 | 2007-01-10 | セイコーエプソン株式会社 | Vibrator device, electronic apparatus including the same, and method of manufacturing the vibrator device |
DE102004020183B4 (en) * | 2004-04-22 | 2015-12-03 | Epcos Ag | Surface acoustic wave resonator filter with longitudinally coupled transducers |
JP5549399B2 (en) * | 2010-06-14 | 2014-07-16 | 富士通株式会社 | Method for manufacturing vibrator device and vibrator device |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP33960598A patent/JP3695183B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000165190A (en) | 2000-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4547788B2 (en) | Package structure of piezoelectric vibrator | |
JP3171043B2 (en) | Surface acoustic wave device | |
JP4935945B2 (en) | Surface mount type piezoelectric device | |
KR102320449B1 (en) | Acoustic wave device and electronic component module | |
JP7370146B2 (en) | Acoustic wave devices, filters and multiplexers | |
JP2019165283A (en) | Elastic wave device | |
JP4701536B2 (en) | Surface mount type piezoelectric device | |
JP2004297198A (en) | Piezoelectric vibration chip, piezoelectric device, mobile phone utilizing piezoelectric device, and electronic apparatus utilizing piezoelectric device | |
US7388320B2 (en) | Quartz crystal unit and holding structure for same | |
US11431314B2 (en) | Vibrator and oscillator | |
JP3695183B2 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
JP5765119B2 (en) | SAW device, SAW oscillator and electronic apparatus | |
CN102629860B (en) | Vibrator element, vibrator, oscillator, and electronic device | |
JP2009027306A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2005136938A (en) | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device and apparatus using the surface acoustic wave device | |
JP2010245722A (en) | Surface acoustic wave element and surface acoustic wave device using the same | |
JP2001102905A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2014050067A (en) | Vibration device, electronic equipment, and mobile device | |
JP2007166461A (en) | Surface acoustic wave element, and surface acoustic wave device using the same | |
JPH10163797A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2009159001A (en) | Surface acoustic wave device | |
JPH11312949A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP2005020547A (en) | Surface acoustic wave device | |
JP7397611B2 (en) | electronic device | |
WO2022176738A1 (en) | Elastic wave filter, method for manufacturing elastic wave filter, high-frequency module, and communication apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130708 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |