JP2000165190A - Surface acoustic wave element and its manufacture - Google Patents

Surface acoustic wave element and its manufacture

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JP2000165190A JP33960598A JP33960598A JP2000165190A JP 2000165190 A JP2000165190 A JP 2000165190A JP 33960598 A JP33960598 A JP 33960598A JP 33960598 A JP33960598 A JP 33960598A JP 2000165190 A JP2000165190 A JP 2000165190A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface acoustic wave element where a change in a frequency characteristic due to heat, vibration, shock and directly delivered wave is prevented so as to obtain a stable frequency characteristic and to provide its manufacturing method. SOLUTION: In the surface acoustic wave element 1000 having a base 30 formed with signal electrodes 31a, 31b, 31c, 31d to receive/output an electric signal, a surface acoustic wave element chip 20 that is supported by the base 30 and where interdigital electrodes 21, 22 are formed on a piezoelectric substrate 24, and a cover 40 to seal the surface acoustic wave element chip 20, the surface acoustic wave element chip 20 is supported by the base 30 with a hanging wire 50.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば弾性表面
波素子及びその製造方法の改良、特に、弾性表面波素子
片の周波数特性を均一化・安定化させることができる弾
性表面波素子及びその製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improved surface acoustic wave device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a surface acoustic wave device capable of uniformizing and stabilizing the frequency characteristics of a surface acoustic wave device piece and a method of manufacturing the same. It is about the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】テレビ受像機や携帯電話等には弾性表面
波素子が用いられている。図23は、従来の弾性表面波
素子の一例を示す断面図であり、図23を参照して弾性
表面波素子1について説明する。
2. Description of the Related Art Surface acoustic wave devices are used in television receivers, portable telephones and the like. FIG. 23 is a cross-sectional view showing an example of a conventional surface acoustic wave element. The surface acoustic wave element 1 will be described with reference to FIG.

【0003】図23の弾性表面波素子1は、基板2、弾
性表面波素子片3、電極4等を有している。弾性表面波
素子片3にはたとえば水晶やセラミックス等の圧電素子
からなる圧電基板の上にすだれ状電極(Interdi
gital Transducer)(以下「IDT」
と略す)が形成されて、弾性表面波素子片3は、基板2
に対して接着剤5により固定されている。接着剤5は弾
性表面波素子片3の全面にわたって塗布されている。基
板2には電極4が固定されていて、弾性表面波素子片3
と電極4はワイヤ等により電気的に接続されている。
The surface acoustic wave element 1 shown in FIG. 23 has a substrate 2, a surface acoustic wave element piece 3, an electrode 4, and the like. The surface acoustic wave element piece 3 has an interdigital electrode (Interdi) on a piezoelectric substrate made of a piezoelectric element such as quartz or ceramic.
digital Transducer) (hereinafter “IDT”)
) Is formed, and the surface acoustic wave element piece 3 is
Is fixed by an adhesive 5. The adhesive 5 is applied over the entire surface acoustic wave element piece 3. An electrode 4 is fixed to the substrate 2 and the surface acoustic wave element piece 3
The electrodes 4 are electrically connected by wires or the like.

【0004】ここで、弾性表面波素子1に熱が加えられ
たとき、この熱により基板2と弾性表面波素子片3はそ
の体積が膨張する。しかし、基板2と弾性表面波素子片
3との線膨張率は一致しないため、弾性表面波素子片3
に応力が発生し、たとえば中心周波数が変動してしまう
という問題がある。
Here, when heat is applied to the surface acoustic wave element 1, the heat causes the volumes of the substrate 2 and the surface acoustic wave element piece 3 to expand. However, since the linear expansion coefficients of the substrate 2 and the surface acoustic wave element piece 3 do not match, the surface acoustic wave element piece 3
, There is a problem that the center frequency fluctuates, for example.

【0005】そこで、上述した問題を解消すべく、たと
えば実開昭62−127121号公報や実開平6−81
139号公報等に記載されているような様々な試みがな
されている。ここで図24には実開昭62−12712
1号公報の弾性表面波素子の断面図を示しており、図2
4を参照して弾性表面波素子6について説明する。
In order to solve the above-mentioned problem, Japanese Utility Model Laid-Open No. Sho 62-127121 and Japanese Utility Model Laid-Open Publication No.
Various attempts have been made as described in JP-A-139-139 and the like. Here, FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave device disclosed in Japanese Patent Publication No.
The surface acoustic wave element 6 will be described with reference to FIG.

【0006】図24の弾性表面波素子6は蓋7、弾性表
面波素子片8、基板9、信号電極9a、接着剤10等を
有している。弾性表面波素子片8は基板9に対して接着
剤10により固定されていて、この接着剤10は弾性表
面波素子片8の中央部分にのみ設けられている。弾性表
面波素子片8は蓋7と基板9により封止されている。接
着剤10が中央部分にのみ塗布されていることにより、
基板9の熱変化による弾性表面波素子片8への影響を最
小限に抑えて、周波数特性にばらつきのない弾性表面波
素子を提供している。
The surface acoustic wave element 6 shown in FIG. 24 has a cover 7, a surface acoustic wave element piece 8, a substrate 9, a signal electrode 9a, an adhesive 10, and the like. The surface acoustic wave element piece 8 is fixed to the substrate 9 with an adhesive 10, and the adhesive 10 is provided only at the central portion of the surface acoustic wave element piece 8. The surface acoustic wave element piece 8 is sealed by the lid 7 and the substrate 9. Since the adhesive 10 is applied only to the central portion,
An effect on the surface acoustic wave element piece 8 due to a thermal change of the substrate 9 is minimized to provide a surface acoustic wave element having no variation in frequency characteristics.

【0007】一方、このような弾性表面波共振子や弾性
表面波フィルタには圧電素子に2つ以上のすだれ状電極
が形成されている場合がある。この2つ以上のIDT電
極間には、圧電素子の表面を伝搬する表面波だけでな
く、空間を伝搬する直達波が各IDT間に伝搬する。こ
の直達波は弾性表面波素子の特性の低下に影響を及ぼ
し、波形の乱れや減衰量を低下させてしまう。従って、
従来、直達波がIDT電極間に伝搬するのを防止するた
めに、様々な試みがなされてきており、図25には従来
の弾性表面波素子における弾性表面波素子片の平面図を
示している。
On the other hand, such a surface acoustic wave resonator or a surface acoustic wave filter may have two or more interdigital electrodes formed on a piezoelectric element. Between the two or more IDT electrodes, not only a surface wave propagating on the surface of the piezoelectric element but also a direct wave propagating in space propagates between each IDT. The direct wave affects the characteristics of the surface acoustic wave element and lowers the waveform disturbance and attenuation. Therefore,
Conventionally, various attempts have been made to prevent a direct wave from propagating between the IDT electrodes. FIG. 25 is a plan view of a surface acoustic wave element piece in a conventional surface acoustic wave element. .

【0008】図25の弾性表面波素子片11は、たとえ
ば弾性表面波フィルタであって、圧電基板12、第1I
DT13、第2IDT14、第3IDT15、反射器1
6、16、グランド部17等から構成されている。第1
IDT13にはたとえば入力された電気信号を弾性表面
波に変換し、第2IDT14と第3IDT15は弾性表
面波を電気信号に変換して出力する。第1IDT13と
第2IDT14の間及び第1IDT13と第3IDT1
5の間にはグランド部17、17が形成されている。こ
のグランド部17、17が第1IDT13から第2ID
T14もしくは第1IDT13から第3IDT15への
直達波の伝搬を防止して、フィルタ特性及び減衰特性を
改善している。
The surface acoustic wave element piece 11 shown in FIG. 25 is, for example, a surface acoustic wave filter, and includes a piezoelectric substrate 12, a first I
DT13, second IDT14, third IDT15, reflector 1
6, 16, a ground portion 17 and the like. First
The IDT 13 converts, for example, an input electric signal into a surface acoustic wave, and the second IDT 14 and the third IDT 15 convert the surface acoustic wave into an electric signal and output it. Between the first IDT 13 and the second IDT 14 and between the first IDT 13 and the third IDT 1
5, ground portions 17, 17 are formed. The grounds 17, 17 are the first IDT 13 to the second IDT.
The propagation of a direct wave from T14 or the first IDT 13 to the third IDT 15 is prevented, and the filter characteristics and the attenuation characteristics are improved.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した弾性
表面波素子には、以下の問題点がある。
However, the above-described surface acoustic wave device has the following problems.

【0010】図24において弾性表面波素子片8の中央
部分に接着剤10が塗布されているが、弾性表面波素子
片8の端部には接着剤10が塗布されておらず、全く保
持されていない状態になっている。従って弾性表面波素
子6が振動した場合や弾性表面波素子片8が傾いて接着
された場合、弾性表面波素子片8の端部が基板9と接触
してしまうことがあり、弾性表面波素子6の周波数特性
が変化してしまうという問題がある。また、接着剤10
に熱が加えられると弾性表面波素子片8に応力が発生し
て、その応力が弾性表面波素子6の周波数特性に影響を
及ぼす。この応力の影響を回避するためには、たとえば
弾性表面波素子片8における接着剤10を塗布する部位
にはIDTを形成しない等の弾性表面波素子片8の設計
を変更しなければならないという問題がある。
In FIG. 24, the adhesive 10 is applied to the central portion of the surface acoustic wave element piece 8, but the adhesive 10 is not applied to the end of the surface acoustic wave element piece 8 and is held at all. Not in a state. Therefore, when the surface acoustic wave element 6 vibrates or when the surface acoustic wave element piece 8 is adhered at an angle, the end of the surface acoustic wave element piece 8 may come into contact with the substrate 9, and the surface acoustic wave element There is a problem that the frequency characteristic of No. 6 changes. The adhesive 10
When heat is applied to the surface acoustic wave element piece 8, stress is generated, and the stress affects the frequency characteristics of the surface acoustic wave element 6. In order to avoid the influence of the stress, for example, the design of the surface acoustic wave element piece 8 must be changed, for example, the IDT is not formed on the portion of the surface acoustic wave element piece 8 where the adhesive 10 is applied. There is.

【0011】また、図25の弾性表面波素子片11にお
いて、直達波を阻止するためグランド部17、17が形
成されている。しかし、グランド部17、17を形成す
ると圧電基板12の大きさが大きくなってしまい、弾性
表面波素子片11の小型化を実現できないという問題が
ある。さらにこのグランド部17、17の存在により、
弾性表面波素子片11の電極設計の自由度が低下してし
まうという問題がある。
In the surface acoustic wave element 11 shown in FIG. 25, ground portions 17 are formed to prevent direct waves. However, when the ground portions 17 are formed, the size of the piezoelectric substrate 12 becomes large, and there is a problem that the size reduction of the surface acoustic wave element piece 11 cannot be realized. Further, due to the presence of the ground portions 17, 17,
There is a problem that the degree of freedom in designing the electrodes of the surface acoustic wave element piece 11 is reduced.

【0012】本発明の目的は、上記課題を解消して、
熱、振動、衝撃及び直達波による周波数特性の変化を防
止して、安定した周波数特性を得ることができる弾性表
面波素子及びその製造方法を提供することである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems,
An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device capable of obtaining stable frequency characteristics by preventing a change in frequency characteristics due to heat, vibration, shock, and direct waves, and a method of manufacturing the same.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項1の
発明によれば、電気信号を入出力するための信号電極が
形成されている基板と、前記基板に支持されて、圧電基
板上にすだれ状電極が形成されている弾性表面波素子片
と、前記弾性表面波素子片を封止する蓋とを有する弾性
表面波素子において、前記弾性表面波素子片は、前記基
板に対して吊り線により支持されている弾性表面波素子
により、達成される。
According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate on which signal electrodes for inputting / outputting an electric signal are formed, and a substrate supported on the substrate and provided on a piezoelectric substrate. In a surface acoustic wave element having an interdigital electrode formed thereon and a lid for sealing the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element is suspended from the substrate. This is achieved by a surface acoustic wave element supported by wires.

【0014】この請求項1の構成によれば、弾性表面波
素子片が基板に対して吊り線により保持されていて、弾
性表面波素子片は基板に対して固定されていない。
According to the structure of the first aspect, the surface acoustic wave element piece is held by the hanging wire with respect to the substrate, and the surface acoustic wave element piece is not fixed to the substrate.

【0015】これにより、弾性表面波素子に熱が加えら
れたとき、基板から弾性表面波素子片に対して応力が加
わらないため、弾性表面波素子片のたとえば中心周波数
や通過周波数帯域等の周波数特性が応力により変化せ
ず、安定した動作を行うことができる。また、弾性表面
波素子に振動が加えられたときであっても、弾性表面波
素子片は吊り線によって吊られているので、その振動の
影響を最小限に抑えて、安定した周波数特性を得ること
ができる。
Thus, when heat is applied to the surface acoustic wave element, no stress is applied to the surface acoustic wave element piece from the substrate, so that the frequency of the surface acoustic wave element piece, such as the center frequency or the pass frequency band, is reduced. Characteristics do not change due to stress, and stable operation can be performed. Further, even when vibration is applied to the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element piece is suspended by the suspension line, so that the effect of the vibration is minimized and a stable frequency characteristic is obtained. be able to.

【0016】請求項2の発明によれば、請求項1の構成
において、前記吊り線は、アルミ線である弾性表面波素
子により、達成される。
According to a second aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the suspension line is achieved by a surface acoustic wave element that is an aluminum wire.

【0017】この請求項2の構成によれば、吊り線をア
ルミ線とすることにより金線と比べ、吊り線の強度が向
上し、弾性表面波素子片の保持状態が安定するととも
に、吊り線の長さを長くすることができる。
According to the second aspect of the present invention, by using an aluminum wire as the suspension wire, the strength of the suspension wire is improved as compared with the gold wire, the holding state of the surface acoustic wave element piece is stabilized, and the suspension wire is used. Can be lengthened.

【0018】請求項3の発明によれば、請求項1乃至請
求項2のいずれかの構成において、前記吊り線は、前記
基板と前記弾性表面波素子片間において電気信号を送受
信するため、一端部には前記弾性表面波素子片の前記す
だれ状電極と接続されていて、他端部には前記基板に形
成されている信号電極と接続されている信号線を含んで
いる弾性表面波素子により、達成される。
According to a third aspect of the present invention, in the configuration according to any one of the first and second aspects, the suspension line has one end for transmitting and receiving an electric signal between the substrate and the surface acoustic wave element piece. The portion is connected to the interdigital electrode of the surface acoustic wave element piece, and the other end includes a surface acoustic wave element including a signal line connected to a signal electrode formed on the substrate. Is achieved.

【0019】この請求項3の構成によれば、吊り線が信
号線としての役割を果たすことにより、電気信号が基板
と弾性表面波素子片間を送受信するための手段を別途設
ける必要がなくなり、余分な配線をすることなく弾性表
面波素子を動作させる事ができる。
According to the third aspect of the present invention, since the suspension line serves as a signal line, it is not necessary to separately provide a means for transmitting and receiving an electric signal between the substrate and the surface acoustic wave element piece. The surface acoustic wave device can be operated without extra wiring.

【0020】請求項4の発明によれば、請求項1乃至請
求項3のいずれかの構成において、前記吊り線は、一端
部が前記弾性表面波素子片のグランド部と接続されてい
て、他端部が前記基板のグランド電極と接続されている
グランド線を含んでいる弾性表面波素子により、達成さ
れる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the configuration of any one of the first to third aspects, the suspension line has one end connected to a ground portion of the surface acoustic wave element piece, and This is achieved by a surface acoustic wave element including a ground line having an end connected to a ground electrode of the substrate.

【0021】この請求項4の構成によれば、吊り線がグ
ランド線としての役割を果たすことにより、弾性表面波
素子片の保持状態が強化されるとともに、グランド用の
別個の余分な配線が不要となる。
According to the fourth aspect of the present invention, the suspension line functions as a ground line, so that the holding state of the surface acoustic wave element piece is strengthened, and a separate extra wiring for the ground is not required. Becomes

【0022】請求項5の発明は、請求項4の構成におい
て、前記圧電基板上には、複数の前記すだれ状電極が形
成されていて、前記グランド線は、複数の前記すだれ状
電極の間を通過するように形成される弾性表面波素子に
より、達成される。
According to a fifth aspect of the present invention, in the configuration of the fourth aspect, the plurality of interdigital transducers are formed on the piezoelectric substrate, and the ground line extends between the plurality of interdigital transducers. This is achieved by a surface acoustic wave element formed to pass.

【0023】この請求項5の構成によれば、グランド線
をすだれ状電極の間に形成することにより、グランド線
が各すだれ状電極から出力される直達波の伝搬を防止し
て、グランド線はシールド効果を奏する。これにより、
弾性表面波素子は安定した周波数特性で動作する事がで
きる。
According to the fifth aspect of the present invention, the ground line is formed between the interdigital transducers, thereby preventing the ground line from propagating a direct wave output from each interdigital transducer. Has a shielding effect. This allows
The surface acoustic wave device can operate with stable frequency characteristics.

【0024】請求項6の発明によれば、請求項4乃至請
求項5のいずれかの構成において、前記グランド線は、
前記複数のすだれ状電極の間に複数本配置されていて、
これら複数の前記グランド線は、互いに近接あるいは交
叉して配置されている弾性表面波素子により、達成され
る。
According to the sixth aspect of the present invention, in any one of the fourth and fifth aspects, the ground line is
A plurality of interdigital transducers are arranged between the interdigital transducers,
The plurality of ground lines are achieved by surface acoustic wave elements arranged close to or crossing each other.

【0025】この請求項6の構成によれば、すだれ状電
極の間に複数本のグランド線を配置することで、グラン
ド線のシールド効果を高めることができ、より安定した
周波数特性を得ることができる。
According to this configuration, by arranging a plurality of ground lines between the interdigital electrodes, the shielding effect of the ground lines can be enhanced, and more stable frequency characteristics can be obtained. it can.

【0026】請求項7の発明によれば、請求項3乃至請
求項6のいずれかの構成において、複数の前記吊り線は
ループ状に形成されていて、複数の前記吊り線のうち、
前記信号線は、最も低いループで形成されている弾性表
面波素子により、達成される。
According to the seventh aspect of the present invention, in any one of the third to sixth aspects, the plurality of suspension lines are formed in a loop shape.
The signal line is achieved by a surface acoustic wave element formed by the lowest loop.

【0027】この請求項7の構成によれば、弾性表面波
素子片を保持している吊り線において、信号線が最も低
いループになるように形成されている。これにより、弾
性表面波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、
信号線以外の吊り線は蓋に接触することがあるが、吊り
線の中でも信号線は蓋に接触することがない。従って、
信号線がショートすることがなくなり、弾性表面波素子
片は安定した動作を行うことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, in the suspension line holding the surface acoustic wave element piece, the signal line is formed so as to form the lowest loop. Thereby, when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, etc.,
Hanging lines other than the signal lines may come into contact with the lid, but among the hanging lines, the signal lines do not come into contact with the lid. Therefore,
The signal line is not short-circuited, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation.

【0028】請求項8の発明によれば、請求項4乃至請
求項7のいずれかの構成において、前記蓋は金属から形
成されていて、前記基板のグランド電極と電気的に接続
されており、前記グランド線は、前記蓋に接触するよう
に形成されている弾性表面波素子により、達成される。
According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the fourth to seventh aspects, the lid is formed of metal and is electrically connected to a ground electrode of the substrate. The ground line is achieved by a surface acoustic wave element formed to be in contact with the lid.

【0029】この請求項8の構成によれば、弾性表面波
素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、グランド
線が蓋に押さえられて、弾性表面波素子片の振動が最小
限に抑えられる。従って、振動による周波数特性の変化
を抑制し、弾性表面波素子片は安定した動作を行うこと
ができる。加えて、グランド線が蓋に抑えられ電気的に
接触するので、グランド線と蓋とでより効果的なシール
ド効果を得ることができる。
According to this configuration, when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the ground wire is pressed by the lid, and the vibration of the surface acoustic wave element piece is minimized. . Therefore, a change in frequency characteristics due to vibration is suppressed, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation. In addition, since the ground line is suppressed and electrically connected to the lid, a more effective shielding effect can be obtained with the ground line and the lid.

【0030】請求項9の発明によれば、請求項1乃至請
求項8のいずれかの構成において、前記基板と前記弾性
表面波素子片の間には、前記弾性表面素子波片を保持す
るための保持部材が配置されている弾性表面波素子によ
り、達成される。
According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to eighth aspects, the surface acoustic wave element is held between the substrate and the surface acoustic wave element. This is achieved by the surface acoustic wave element in which the holding member is disposed.

【0031】この請求項9の構成によれば、弾性表面波
素子片は吊り線と保持部材で支持されて、弾性表面波素
子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表
面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表
面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り
線のネック切れや剥離を防止するとともに、周波数特性
の変化をなくすことができる。
According to the ninth aspect, the surface acoustic wave element is supported by the suspension line and the holding member, and the surface acoustic wave element is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, and the neck of the suspension line can be prevented from being cut off or separated, and the frequency characteristics can be reduced. Changes can be eliminated.

【0032】請求項10の発明によれば、請求項9の構
成において、前記保持部材は、弾性体により形成されて
いる弾性表面波素子により、達成される。
According to the tenth aspect, in the configuration of the ninth aspect, the holding member is achieved by a surface acoustic wave element formed of an elastic body.

【0033】この請求項10の構成によれば、弾性表面
波素子片は吊り線と弾性体で保持されて、弾性表面波素
子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表
面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性材
が緩衝部材となって、弾性表面波素子片の振動は非常に
小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止する
とともに、周波数特性が変化することをなくすことがで
きる。
According to the tenth aspect, the surface acoustic wave element is held by the suspension line and the elastic body, and the surface acoustic wave element is always held at a fixed position. Thus, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock, the elastic material serves as a cushioning member, so that the vibration of the surface acoustic wave element piece can be extremely small, and the neck of the suspension line can be cut. Can be prevented, and the frequency characteristics can be prevented from changing.

【0034】請求項11の発明によれば、請求項9の構
成において、前記保持部材は、接着剤を固化して形成さ
れている弾性表面波素子により、達成される。
According to the eleventh aspect, in the configuration of the ninth aspect, the holding member is achieved by a surface acoustic wave element formed by solidifying an adhesive.

【0035】この請求項11の構成によれば、弾性表面
波素子片は吊り線と接着剤から容易に形成されうる保持
部材で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に
保持される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃
を受けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非
常に小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止
するとともに、周波数特性が変化することをなくすこと
ができる。
According to the eleventh aspect, the surface acoustic wave element piece is held by the holding member which can be easily formed from the suspension wire and the adhesive, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. . As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing breakage of the suspension line neck and changing the frequency characteristics. Can be eliminated.

【0036】請求項12の発明によれば、請求項9の構
成において、前記保持部材は、シリコン系の接着剤を固
化して形成されている弾性表面波素子により、達成され
る。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the configuration of the ninth aspect, the holding member is achieved by a surface acoustic wave element formed by solidifying a silicon-based adhesive.

【0037】この請求項12の構成によれば、弾性表面
波素子片は吊り線とシリコン系接着剤からなる保持部材
で保持されて、弾性表面波素子片は常に一定位置に保持
される。これにより、弾性表面波素子が振動や衝撃を受
けた場合であっても、弾性表面波素子片の振動は非常に
小さくすることができ、吊り線のネック切れを防止する
とともに、周波数特性が変化することをなくすことがで
きる。
According to the twelfth aspect, the surface acoustic wave element is held by the holding member made of the suspension wire and the silicon-based adhesive, and the surface acoustic wave element is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing breakage of the suspension line neck and changing the frequency characteristics. Can be eliminated.

【0038】請求項13の発明によれば、請求項9の構
成において、前記接着剤は、紫外線が照射されると接着
力を失う性質を有している弾性表面波素子により、達成
される。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the configuration of the ninth aspect, the adhesive is achieved by a surface acoustic wave element having a property of losing adhesive strength when irradiated with ultraviolet rays.

【0039】この請求項13の構成によれば、弾性表面
波素子片は吊り線と接着剤で保持されて、弾性表面波素
子片は常に一定位置に保持される。これにより、弾性表
面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、弾性表
面波素子片の振動は非常に小さくすることができ、吊り
線のネック切れを防止するとともに、周波数特性が変化
することをなくすことができる。加えて、弾性表面波素
子片は基板と接着していないため、弾性表面波素子片に
応力が発生せず、周波数特性を変化することがなくな
る。
According to the structure of the thirteenth aspect, the surface acoustic wave element piece is held by the suspension wire and the adhesive, and the surface acoustic wave element piece is always held at a fixed position. As a result, even when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock, the vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, preventing breakage of the suspension line neck and changing the frequency characteristics. Can be eliminated. In addition, since the surface acoustic wave element piece is not bonded to the substrate, no stress is generated on the surface acoustic wave element piece, and the frequency characteristics do not change.

【0040】請求項14の発明によれば、弾性表面波素
子片を基板に支持させて、前記基板の上に蓋を被せて、
弾性表面波素子を製造する弾性表面波素子の製造方法に
おいて、支持部により前記弾性表面波素子片を支持し
て、前記基板の所定の位置に位置決めして、前記基板と
前記弾性表面波素子片の間に吊り線を形成して、前記基
板に対して前記弾性表面波素子片を保持させる弾性表面
波素子の製造方法により、達成される。
According to the fourteenth aspect of the present invention, the surface acoustic wave element is supported on the substrate, and the lid is placed on the substrate.
In the method of manufacturing a surface acoustic wave element for manufacturing a surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element piece is supported by a support portion and positioned at a predetermined position on the substrate, and the substrate and the surface acoustic wave element piece are positioned. This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element in which a hanging wire is formed between the substrate and the surface acoustic wave element piece to be held on the substrate.

【0041】この請求項14の構成によれば、弾性表面
波素子片が支持され位置決めされた状態で、吊り線を形
成しているので、弾性表面波素子片が動くことにより位
置ずれがなくなり、精度良く弾性表面波素子を製造する
ことができるとともに、作業効率を向上させることがで
きる。
According to this structure, the suspension line is formed in a state where the surface acoustic wave element pieces are supported and positioned, so that the displacement of the surface acoustic wave element pieces can be eliminated by moving the surface acoustic wave element pieces. A surface acoustic wave element can be manufactured with high accuracy, and work efficiency can be improved.

【0042】請求項15の発明によれば、請求項14の
構成において、前記弾性表面波素子片を保持して前記基
板の所定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面波
素子片を下側から支持しながら位置決めする弾性表面波
素子の製造方法により、達成される。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when the surface acoustic wave element is held and positioned at a predetermined position on the substrate, the surface acoustic wave element is moved downward. This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave device that positions while supporting from the side.

【0043】この請求項15の構成によれば、弾性表面
波素子片が下側から支持されながら、基板上の所定の位
置に位置決めされて、弾性表面波素子片と基板間に吊り
線が配置される。弾性表面波素子片が支持され固定され
た状態で吊り線が形成されるため、精度良く吊り線を形
成することができる。また、弾性表面波素子片を下側か
ら支持することにより、弾性表面波素子片のすだれ状電
極が形成されている面が加工しやすくなり、効率的に弾
性表面波素子を製造することができる。
According to the fifteenth aspect, the surface acoustic wave element is positioned at a predetermined position on the substrate while being supported from below, and the hanging wire is arranged between the surface acoustic wave element and the substrate. Is done. Since the suspension line is formed while the surface acoustic wave element is supported and fixed, the suspension line can be formed with high accuracy. Further, by supporting the surface acoustic wave element from below, the surface of the surface acoustic wave element on which the interdigital electrodes are formed can be easily processed, and the surface acoustic wave element can be manufactured efficiently. .

【0044】請求項16の発明によれば、請求項14の
構成において、前記弾性表面波素子片を支持して前記基
板の所定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面波
片の側面から挟んで支持しながら位置決めする弾性表面
波素子の製造方法により、達成される。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when supporting the surface acoustic wave element piece and positioning the same at a predetermined position on the substrate, the side face of the surface acoustic wave piece is This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element that positions while sandwiching and supporting it.

【0045】この請求項16の構成によれば、弾性表面
波素子片を側面から挟んで支持して固定することによ
り、弾性表面波素子片のすだれ状電極が形成されている
面が加工しやすくなり、精度良くかつ効率的に吊り線を
形成することができる。
According to this configuration, the surface of the surface acoustic wave element on which the interdigital electrodes are formed is easily processed by supporting and fixing the surface acoustic wave element from the side. Thus, the suspension line can be formed accurately and efficiently.

【0046】請求項17の発明によれば、請求項14の
構成において、前記弾性表面波素子片を前記基板の所定
の位置に位置決めする際には、前記基板に弾性体を配置
して、前記弾性体の上に前記弾性表面波素子片を配置す
る弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when positioning the surface acoustic wave element piece at a predetermined position on the substrate, an elastic body is disposed on the substrate, This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element in which the surface acoustic wave element piece is arranged on an elastic body.

【0047】この請求項17の構成によれば、弾性表面
波素子片が弾性体に保持されながら、基板上の所定の位
置に位置決めされて、弾性表面波素子片と基板間に吊り
線が配置される。弾性表面波素子片が下側から保持さ
れ、固定された状態で吊り線が形成されるため、精度良
くかつ効率的に吊り線を形成することができる。また弾
性体は保持部材として使用することができる。
According to the seventeenth aspect, the surface acoustic wave element is positioned at a predetermined position on the substrate while being held by the elastic body, and the hanging wire is arranged between the surface acoustic wave element and the substrate. Is done. Since the suspension line is formed in a state where the surface acoustic wave element piece is held from the lower side and fixed, the suspension line can be formed accurately and efficiently. The elastic body can be used as a holding member.

【0048】請求項18の発明によれば、請求項14の
構成において、前記弾性表面波素子片を前記基板の所定
の位置に位置決めする際には、前記基板に接着剤を塗布
して、前記接着剤の上に前記弾性表面波素子片を配置す
る弾性表面波素子の製造方法により、達成される。
According to the eighteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, when positioning the surface acoustic wave element piece at a predetermined position on the substrate, an adhesive is applied to the substrate, This is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element in which the surface acoustic wave element piece is disposed on an adhesive.

【0049】この請求項18の構成によれば、弾性表面
波素子片が接着剤により下側から保持され、固定された
状態で基板上の所定の位置に位置決めされて、弾性表面
波素子片と基板間に吊り線が配置される。弾性表面波素
子片が保持され固定された状態で吊り線が形成されるた
め、精度良くかつ効率的に吊り線を形成することができ
る。また接着剤は保持部材として使用することができ
る。
According to the eighteenth aspect of the present invention, the surface acoustic wave element piece is held from below by the adhesive and is positioned at a predetermined position on the substrate in a fixed state, so that the surface acoustic wave element piece is Hanging lines are arranged between the substrates. Since the suspension line is formed while the surface acoustic wave element piece is held and fixed, the suspension line can be formed accurately and efficiently. The adhesive can be used as a holding member.

【0050】請求項19の発明によれば、請求項14の
構成において、前記接着剤は、紫外線を照射することに
より、前記弾性表面波素子と剥離する弾性表面波素子の
製造方法により、達成される。
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fourteenth aspect, the adhesive is achieved by a method of manufacturing a surface acoustic wave element that separates from the surface acoustic wave element by irradiating ultraviolet rays. You.

【0051】この請求項19の構成によれば、接着剤は
紫外線が照射されると弾性表面波素子片と剥離するた
め、基板と接着することによる弾性表面波素子片の応力
の発生を防止するとともに、接着剤を保持部材として使
用することができる。
According to this structure, the adhesive is separated from the surface acoustic wave element when irradiated with ultraviolet rays, so that the generation of stress on the surface acoustic wave element caused by bonding to the substrate is prevented. At the same time, an adhesive can be used as a holding member.

【0052】[0052]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0053】図1には本発明の弾性表面波素子の好まし
い実施の形態を示す概略斜視図であり、図1を参照して
弾性表面波素子1000について説明する。
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a preferred embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention. The surface acoustic wave device 1000 will be described with reference to FIG.

【0054】図1の弾性表面波素子1000は、弾性表
面波素子片20、基板30、蓋40、吊り線50等から
なっている。基板30と蓋40はガラス融着もしくはシ
ーム溶接等により固定されていて、基板30のたとえば
略中央部分には弾性表面波素子片20が配置されてい
る。
The surface acoustic wave element 1000 shown in FIG. 1 includes a surface acoustic wave element piece 20, a substrate 30, a lid 40, a hanging wire 50, and the like. The substrate 30 and the lid 40 are fixed by glass fusion or seam welding or the like, and the surface acoustic wave element piece 20 is arranged at, for example, a substantially central portion of the substrate 30.

【0055】基板30には信号電極31a、31b、3
1c、31d、グランド電極32a、32bが形成され
ている。グランド電極32a、32bはたとえば基板3
0の長手方向(矢印X方向)に対する略中央部分にそれ
ぞれ形成されていて、信号電極31a、31b、31
c、31dはたとえば基板30の角付近にそれぞれ形成
されている。グランド電極32a、32bにはグランド
線61、62がそれぞれ固定されており、信号電極31
a、31b、31c、31dには信号線51、52、5
3、54がそれぞれ固定されている。本実施の形態にお
いては、各グランド線及び各信号線が吊り線でもある。
The substrate 30 has signal electrodes 31a, 31b, 3
1c, 31d and ground electrodes 32a, 32b are formed. The ground electrodes 32a and 32b are, for example,
0 is formed at a substantially central portion with respect to the longitudinal direction (direction of arrow X), and the signal electrodes 31a, 31b, 31
c and 31d are formed, for example, near corners of the substrate 30, respectively. Ground lines 61 and 62 are fixed to the ground electrodes 32a and 32b, respectively.
a, 31b, 31c, 31d have signal lines 51, 52, 5
3 and 54 are respectively fixed. In the present embodiment, each ground line and each signal line are also suspension lines.

【0056】図2には弾性表面波素子片20の平面図を
示しており、図2を参照して弾性表面波素子片20につ
いて説明する。
FIG. 2 is a plan view of the surface acoustic wave element piece 20. The surface acoustic wave element piece 20 will be described with reference to FIG.

【0057】図2の弾性表面波素子片20は、第1ID
T21、第2IDT22、反射器23、23、圧電基板
24等からなっている。圧電基板24はたとえば水晶板
であって、圧電基板24の上に第1IDT21、第2I
DT22及び反射器23がフォトリソグラフィー技術等
により形成されている。第1IDT21は複数の電極指
からなるくし型電極21a、21bからなっていて、く
し型電極21a、21bは所定のピッチで形成されてい
る。くし型電極21a、21bには接続端子21c、2
1dが形成されていて、この接続端子21c、21dに
は信号線51、52がそれぞれ固定されている。第1I
DT21が信号線51、52から電気信号が供給される
と、圧電効果により圧電基板24の矢印X方向に向かっ
て弾性表面波(Surface Acoustic W
ave)を発生する。
The surface acoustic wave element piece 20 shown in FIG.
T21, second IDT 22, reflectors 23, 23, piezoelectric substrate 24, and the like. The piezoelectric substrate 24 is, for example, a quartz plate, and the first IDT 21 and the second
The DT 22 and the reflector 23 are formed by a photolithography technique or the like. The first IDT 21 includes comb-shaped electrodes 21a and 21b composed of a plurality of electrode fingers, and the comb-shaped electrodes 21a and 21b are formed at a predetermined pitch. The connection terminals 21c, 2b are connected to the comb electrodes 21a, 21b.
1d is formed, and signal lines 51 and 52 are fixed to the connection terminals 21c and 21d, respectively. 1st I
When an electric signal is supplied from the signal lines 51 and 52 to the DT 21, a surface acoustic wave (Surface Acoustic W) is applied to the piezoelectric substrate 24 in the arrow X direction by the piezoelectric effect.
ave).

【0058】第2IDT22は複数の電極指からなるく
し型電極22a、22bからなっており、くし型電極2
2a、22bは所定のピッチで形成されている。くし型
電極22a、22bには接続端子22c、22dが形成
されていて、この接続端子22c、22dには信号線5
3、54がそれぞれ固定されている。第2IDT22は
励振された弾性表面波を電気信号にして出力するもので
ある。
The second IDT 22 includes comb-shaped electrodes 22a and 22b composed of a plurality of electrode fingers.
2a and 22b are formed at a predetermined pitch. Connection terminals 22c and 22d are formed on the comb electrodes 22a and 22b, and the signal lines 5 are connected to the connection terminals 22c and 22d.
3 and 54 are respectively fixed. The second IDT 22 converts the excited surface acoustic wave into an electric signal and outputs the electric signal.

【0059】反射器23、23は第1IDT21と第2
IDT22を挟むように形成されていて、第1IDT2
1から出力される弾性表面波を反射器23、23内に閉
じこめている。圧電基板24の長手方向(矢印X方向)
の略中央部分にはグランド部25、25が形成されてい
る。このグランド部25、25にはグランド線61、6
2が接続されていてる。
The reflectors 23, 23 are connected to the first IDT 21 and the second IDT 21.
The first IDT 2 is formed so as to sandwich the IDT 22.
The surface acoustic wave output from 1 is confined in the reflectors 23, 23. Longitudinal direction of piezoelectric substrate 24 (arrow X direction)
The ground portions 25 are formed at substantially the center of the. The ground lines 25, 25 have ground lines 61, 6
2 is connected.

【0060】図2を参照して、弾性表面波素子片20の
動作例について説明する。図2の信号線51、52から
第1IDT21に対して電圧が供給されると、第1ID
T21から弾性表面波が発生し、この弾性表面波は矢印
X方向に伝搬する。この弾性表面波は第1IDT21、
第2IDT22及び反射器23、23の電極指で多段反
射されて共振する。そしてこの共振された弾性表面波が
第2IDT22から出力されて、信号線53、54を介
して出力される。
With reference to FIG. 2, an operation example of the surface acoustic wave element piece 20 will be described. When a voltage is supplied to the first IDT 21 from the signal lines 51 and 52 of FIG.
A surface acoustic wave is generated from T21, and the surface acoustic wave propagates in the arrow X direction. This surface acoustic wave is the first IDT21,
The second IDT 22 and the electrode fingers of the reflectors 23, 23 are reflected in multiple stages and resonate. Then, the resonated surface acoustic waves are output from the second IDT 22 and output via the signal lines 53 and 54.

【0061】図3は弾性表面波素子1000の断面図を
示しており、図1乃至図3を参照して吊り線50につい
て詳しく説明する。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the surface acoustic wave element 1000. The suspension line 50 will be described in detail with reference to FIGS.

【0062】図1の吊り線50はたとえばアルミ線等の
金属細線からなっていて、弾性表面波素子片20を支持
するものである。吊り線50としてアルミ線を用いるこ
とで、弾性表面波素子片20の保持状態が安定するとと
もに、吊り線50の長さを長くすることができる。吊り
線50はたとえば4本の信号線51、52、53、54
と2本のグランド線61、62からなっている。信号線
51、52、53、54の一端部はそれぞれ各IDT2
1、22の接続端子21c、21d、22c、22dに
接続されていて、他端部は信号電極31a、31b、3
1c、32dと接続されている。グランド線61、62
はそれぞれ一端部がグランド部25、25に接続されて
いて、他端部がグランド電極32a、32bに接続され
ている。
The suspension line 50 shown in FIG. 1 is made of a thin metal wire such as an aluminum wire, and supports the surface acoustic wave element piece 20. By using an aluminum wire as the suspension line 50, the holding state of the surface acoustic wave element piece 20 is stabilized, and the length of the suspension line 50 can be increased. The suspension line 50 includes, for example, four signal lines 51, 52, 53, and 54.
And two ground lines 61 and 62. One end of each of the signal lines 51, 52, 53, and 54 is connected to each IDT2.
1, 22 are connected to the connection terminals 21c, 21d, 22c, 22d, and the other ends are connected to the signal electrodes 31a, 31b, 3d.
1c and 32d. Ground lines 61, 62
Has one end connected to the ground portions 25, 25, and the other end connected to the ground electrodes 32a, 32b.

【0063】吊り線50は弾性表面波素子片20が基板
30に対して浮かして支持するように形成されている。
これにより、弾性表面波素子1000に熱が加えられた
ときに、弾性表面波素子片20と基板30との線膨張率
の違いによる応力の発生を防止することができる。よっ
て、弾性表面波素子片20の中心周波数等の周波数特性
がずれることがなくなり、安定した動作を行うことがで
きる。
The suspension line 50 is formed so that the surface acoustic wave element piece 20 is floated and supported on the substrate 30.
Thus, when heat is applied to the surface acoustic wave element 1000, it is possible to prevent the occurrence of stress due to the difference in the coefficient of linear expansion between the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30. Therefore, the frequency characteristics such as the center frequency of the surface acoustic wave element piece 20 do not shift, and a stable operation can be performed.

【0064】また、従来のように基板が弾性表面波素子
片20を支持する際に、接着剤を使う必要がなくなるた
め、接着剤と弾性表面波素子片20の間に発生する応力
を排除して、弾性表面波素子片20の動作を安定化させ
ることができる。同時に、接着剤に熱が加えられるとガ
スが発生し、このガスが弾性表面波素子片20の各ID
T21、22及び反射器23を腐蝕したり、弾性表面波
素子片20の表面に付着することによる周波数特性の劣
化もしくは変化が生じることがなくなる。
In addition, since it is not necessary to use an adhesive when the substrate supports the surface acoustic wave element piece 20 as in the prior art, the stress generated between the adhesive and the surface acoustic wave element piece 20 is eliminated. Thus, the operation of the surface acoustic wave element piece 20 can be stabilized. At the same time, when heat is applied to the adhesive, a gas is generated, and the gas is generated by each ID of the surface acoustic wave element piece 20.
The T21, 22 and the reflector 23 do not corrode or adhere to the surface of the surface acoustic wave element piece 20, so that deterioration or change in frequency characteristics does not occur.

【0065】ここで、図4には信号線51の周辺部位の
断面図、図5にはグランド線61を示す断面図をそれぞ
れ示しており、図4と図5を参照して信号線51及びグ
ランド線61の形状について詳しく説明する。なお、信
号線51は信号線52、53、54とほぼ同一の形状を
有していて、グランド線61はグランド線62とほぼ同
一の形状を有している。
Here, FIG. 4 is a cross-sectional view of a peripheral portion of the signal line 51, and FIG. 5 is a cross-sectional view of the ground line 61. Referring to FIGS. The shape of the ground line 61 will be described in detail. Note that the signal line 51 has substantially the same shape as the signal lines 52, 53, and 54, and the ground line 61 has substantially the same shape as the ground line 62.

【0066】図4の信号線51はループ状に形成されて
弾性表面波素子片20を支持していて、その頂点51a
が蓋40に接触しないように形成されている。一方、図
5のグランド線61はループ状に形成されて弾性表面波
素子片20を支持していて、その頂点61aが蓋40と
接触するように形成されている。すなわち、図3で示す
ようにグランド線61の頂点61aが信号線51の頂点
51aより高くなるように形成されていて、信号線51
は吊り線50のうち最も低く形成されている。これは以
下の理由による。
The signal line 51 shown in FIG. 4 is formed in a loop shape and supports the surface acoustic wave element piece 20, and its apex 51a
Are formed so as not to contact the lid 40. On the other hand, the ground line 61 in FIG. 5 is formed in a loop shape to support the surface acoustic wave element piece 20, and the vertex 61 a thereof is formed so as to be in contact with the lid 40. That is, as shown in FIG. 3, the apex 61a of the ground line 61 is formed so as to be higher than the apex 51a of the signal line 51.
Is formed at the lowest of the suspension lines 50. This is for the following reason.

【0067】図3において、弾性表面波素子1000が
矢印Y方向もしくは矢印Z方向に振動したとき、弾性表
面波素子片20は吊られて支持されているので、弾性表
面波素子片20も矢印Y方向もしくは矢印Z方向に振動
する。このとき、グランド線61の方が信号線51より
高く形成されていると、グランド線61のみが蓋40と
接触して、信号線51は蓋40と接触しない。従って、
信号線51が蓋40に接触することによるショート等の
問題を回避することができ、安定した動作を行うことが
できる。また、グランド線61がグランドである蓋40
に接触することで、弾性表面波素子片20の支持状態を
強化し、振動を最小限に抑えることができるとともに、
弾性表面波素子片20の周波数特性の変化を最小限にす
ることができる。
In FIG. 3, when the surface acoustic wave element 1000 vibrates in the arrow Y direction or the arrow Z direction, the surface acoustic wave element piece 20 is suspended and supported. Vibrates in the direction or the arrow Z direction. At this time, if the ground line 61 is formed higher than the signal line 51, only the ground line 61 contacts the cover 40, and the signal line 51 does not contact the cover 40. Therefore,
A problem such as a short circuit caused by the signal line 51 contacting the lid 40 can be avoided, and a stable operation can be performed. In addition, the lid 40 in which the ground line 61 is the ground
, The supporting state of the surface acoustic wave element piece 20 is strengthened, and vibration can be minimized.
Changes in the frequency characteristics of the surface acoustic wave element piece 20 can be minimized.

【0068】第2の実施の形態 図6は本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態を示
す平面図、図7は図6におけるグランド線の側面形状を
示す図であり、図6を参照して弾性表面波素子70につ
いて詳しく説明する。なお、以下の実施の形態におい
て、図1の弾性表面波素子1000と同一の構成につい
ては、同じ符号を付してその説明を省略する。
Second Embodiment FIG. 6 is a plan view showing a surface acoustic wave element according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a view showing a side surface shape of a ground line in FIG. The surface acoustic wave element 70 will be described in detail with reference to FIG. In the following embodiments, the same components as those of the surface acoustic wave device 1000 of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0069】図6の弾性表面波素子70が図1の弾性表
面波素子1000と異なる点は、グランド線の結線構造
である。図6の弾性表面波素子70において、圧電基板
24の長手方向(矢印X方向)の略中央部分にグランド
部80が形成されている。このグランド部80は、第1
IDT21と第2IDT22の間であって、矢印Y方向
に向かって略矩形状に形成されている。グランド線81
は一端部がグランド部80の一端側80aに接続されて
いて、他端部がグランド電極32bに接続されている。
一方、グランド線82は、一端部がグランド部80の他
端側80bに接続されていて、他端部がグランド電極3
2aに接続されている。すなわち図6に示すように、グ
ランド線81、82は互いに近接しており、図7に示す
ように、グランド線81、82はX方向からみると交叉
するように形成されている。
The surface acoustic wave element 70 of FIG. 6 differs from the surface acoustic wave element 1000 of FIG. 1 in the connection structure of the ground lines. In the surface acoustic wave device 70 of FIG. 6, a ground portion 80 is formed at a substantially central portion of the piezoelectric substrate 24 in the longitudinal direction (the direction of the arrow X). This ground portion 80 is
It is formed between the IDT 21 and the second IDT 22 in a substantially rectangular shape in the arrow Y direction. Ground line 81
Has one end connected to one end 80a of the ground portion 80 and the other end connected to the ground electrode 32b.
On the other hand, the ground line 82 has one end connected to the other end 80 b of the ground part 80 and the other end connected to the ground electrode 3.
2a. That is, as shown in FIG. 6, the ground lines 81 and 82 are close to each other, and as shown in FIG. 7, the ground lines 81 and 82 are formed to cross each other when viewed from the X direction.

【0070】これにより、グランド線81、82がシー
ルド効果を奏して、直達波による周波数特性の劣化を防
止することができる。具体的には、グランド線81、8
2が第1IDT21と第2IDT22の間に配置される
ことにより、第1IDT21から空間を伝搬する直達波
が伝送されるのを防止して、直達波による周波数特性の
劣化を防ぎ、安定した動作を行うことができる。すなわ
ち、2本のグランド線81、82が第1IDT21と第
2IDT22の間に設けられていて、加えてグランド部
80が設けられていることで、シールド効果をより高
め、直達波による周波数特性の劣化を防ぐことができ
る。加えて、グランド部80の一端側80aとグランド
電極32aとを、およびグランド部80の他端側80b
とグランド電極32bとを吊り線で接続することが好ま
しい。これにより、一層シールド効果を高めることがで
きる。
As a result, the ground lines 81 and 82 have a shielding effect, and it is possible to prevent the frequency characteristics from deteriorating due to direct waves. Specifically, the ground lines 81, 8
2 is disposed between the first IDT 21 and the second IDT 22 to prevent transmission of a direct wave propagating in space from the first IDT 21, prevent deterioration of frequency characteristics due to the direct wave, and perform stable operation. be able to. That is, the two ground lines 81 and 82 are provided between the first IDT 21 and the second IDT 22 and the ground portion 80 is additionally provided, so that the shielding effect is further improved and the frequency characteristics are deteriorated by the direct wave. Can be prevented. In addition, one end 80a of the ground portion 80 and the ground electrode 32a, and the other end 80b of the ground portion 80
And the ground electrode 32b are preferably connected by a suspension line. Thereby, the shielding effect can be further enhanced.

【0071】さらに図6において、圧電基板24上の角
付近には4つのグランド部83が形成されていて、基板
30上にも4つのグランド電極35が形成されている。
このグランド部83とグランド電極35はグランド線8
4により接続されている。これにより、弾性表面波素子
片20はより安定して支持されることになり、より安定
した周波数特性を有するものとなる。なお、弾性表面波
素子片20を支持するだけでよければ、グランド電極3
5は孤立パターンでよい。必要があれば、グランド電極
35は図示しない構造により、グランド電極32a、3
2bと同様に接地パターンとすればよい。
In FIG. 6, four ground portions 83 are formed near the corners on the piezoelectric substrate 24, and four ground electrodes 35 are also formed on the substrate 30.
The ground portion 83 and the ground electrode 35 are connected to the ground line 8.
4. Thereby, the surface acoustic wave element piece 20 is more stably supported, and has more stable frequency characteristics. If only the surface acoustic wave element piece 20 needs to be supported, the ground electrode 3 may be used.
5 may be an isolated pattern. If necessary, the ground electrode 35 may have a structure (not shown),
A ground pattern may be used as in 2b.

【0072】第3の実施の形態 図8には本発明の弾性表面波素子の第3の実施の形態を
示す断面図であり、図8を参照して弾性表面波素子90
について説明する。なお、以下の実施の形態において、
図1の弾性表面波素子1000と同一の構成について
は、同じ符号を付してその説明を省略する。
Third Embodiment FIG. 8 is a sectional view showing a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention. Referring to FIG.
Will be described. In the following embodiment,
The same components as those of the surface acoustic wave device 1000 of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0073】図8の弾性表面波素子90が図1の弾性表
面波素子1000と異なる点は、弾性表面波素子片20
と基板30との間に保持部材である枕部材が配置されて
いる点である。図8において、枕部材91はたとえばシ
リコン系接着剤や弾性体等からなっていて、基板30に
マイクロシリンジ等を用いて塗布及び固化されて固定さ
れている。枕部材91はたとえば基板30の矢印Y方向
に対する略中心位置であり、かつ弾性表面波素子片20
における各IDT21、22及び反射器23の電極指が
形成されていない領域の下側に配置されることが好まし
い。これは、枕部材91によって周波数特性が変化する
のを防止するためである。また、図1の矢印XYZ方向
に移動しないように、特に基板30方向に移動しないよ
うに、枕部材91は弾性表面波素子片20を一定の位置
で保持している。
The surface acoustic wave element 90 of FIG. 8 differs from the surface acoustic wave element 1000 of FIG.
The point is that a pillow member as a holding member is arranged between the substrate and the substrate 30. In FIG. 8, the pillow member 91 is made of, for example, a silicon-based adhesive or an elastic body, and is applied and solidified on the substrate 30 using a micro syringe or the like and fixed. The pillow member 91 is, for example, substantially at the center position of the substrate 30 with respect to the arrow Y direction, and
It is preferable that the electrode fingers of the respective IDTs 21 and 22 and the reflector 23 are arranged below the region where the electrode fingers are not formed. This is to prevent the pillow member 91 from changing the frequency characteristics. The pillow member 91 holds the surface acoustic wave element piece 20 at a fixed position so as not to move in the directions of the arrows XYZ in FIG.

【0074】これにより、枕部材91と吊り線51が弾
性表面波素子片20を常に一定位置に保持することにな
り、衝撃、振動等による周波数特性の変化を防止するこ
とができる。また枕部材91を配置することで、衝撃や
振動を受けても吊り線51の揺れ幅は非常に小さくなる
ので、吊り線51のネック切れ又は剥離を防止すること
ができる。
As a result, the pillow member 91 and the suspension line 51 always hold the surface acoustic wave element piece 20 at a fixed position, and it is possible to prevent a change in frequency characteristics due to impact, vibration, and the like. In addition, by arranging the pillow member 91, the swing width of the suspension line 51 becomes very small even when subjected to shock or vibration, so that the neck of the suspension line 51 can be prevented from being cut off or peeled off.

【0075】第4の実施の形態 図9には本発明の弾性表面波素子の第4の実施の形態を
示す断面図であり、図9を参照して弾性表面波素子10
0について説明する。なお、以下の実施の形態におい
て、図1の弾性表面波素子1000と同一の構成につい
ては、同じ符号を付してその説明を省略する。
Fourth Embodiment FIG. 9 is a sectional view showing a fourth embodiment of a surface acoustic wave device according to the present invention. Referring to FIG.
0 will be described. In the following embodiments, the same components as those of the surface acoustic wave device 1000 of FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0076】図9において、弾性表面波素子片120
は、第1IDT121、第2IDT122、第3IDT
123、反射器124、124、圧電基板126等を有
している。圧電基板126上のほぼ中央には第1IDT
121が形成されていて、その両側に第2IDT122
及び第3IDT123がそれぞれ形成されている。また
第2IDT122及び第3IDT123を挟むように反
射器124、124が形成されている。
In FIG. 9, the surface acoustic wave element piece 120
Are the first IDT 121, the second IDT 122, the third IDT
123, reflectors 124 and 124, a piezoelectric substrate 126, and the like. The first IDT is substantially at the center on the piezoelectric substrate 126.
The second IDT 122 is formed on both sides of the second IDT 122.
And the third IDT 123 are formed. Further, reflectors 124 and 124 are formed so as to sandwich the second IDT 122 and the third IDT 123.

【0077】第1IDT121はくし型電極121a、
121bからなっていて、くし型電極121aは信号線
151を介して信号電極131aに接続されている。く
し型電極121bはグランド線161、162を介して
グランド電極132b、132cにそれぞれ接続されて
いる。
The first IDT 121 is a comb-shaped electrode 121a,
The comb-shaped electrode 121a is connected to the signal electrode 131a via the signal line 151. The comb-shaped electrode 121b is connected to ground electrodes 132b and 132c via ground lines 161 and 162, respectively.

【0078】第2IDT122はくし型電極122a、
122bからなっていて、第3IDT123はくし型電
極123a、123bからなっている。くし型電極12
2bとくし型電極123bは電気的に接続されていて、
それぞれ信号線152を介して信号電極131bに接続
されている。また、くし型電極122aとくし型電極1
23aはグランド線163、164を介してグランド電
極132a、132dにそれぞれ接続されている。
The second IDT 122 includes a comb-shaped electrode 122a,
The third IDT 123 includes comb-shaped electrodes 123a and 123b. Comb electrode 12
2b and the comb-shaped electrode 123b are electrically connected,
Each is connected to the signal electrode 131b via the signal line 152. Further, the comb-shaped electrode 122a and the comb-shaped electrode 1
23a is connected to ground electrodes 132a and 132d via ground lines 163 and 164, respectively.

【0079】ここで、第1IDT121と第2IDT1
22の間にはグランド線162、164が通過してお
り、第1IDT121と第3IDT123の間にはグラ
ンド線161、163が通過している。これにより、こ
のグランド線161、162、163、164がそれぞ
れ第1IDT121から第2IDT122と第3IDT
123に直達波が伝搬することを防ぐシールド効果を有
するものとなる。さらにグランド線161とグランド線
163及びグランド線162とグランド線164がそれ
ぞれ交叉して形成されていることにより、シールド効果
を高めることができる。
Here, the first IDT 121 and the second IDT 1
22, the ground lines 162 and 164 pass between the first IDT 121 and the third IDT 123, and the ground lines 161 and 163 pass between the first IDT 121 and the third IDT 123. As a result, the ground lines 161, 162, 163, and 164 are respectively connected from the first IDT 121 to the second IDT 122 and the third IDT 122.
This has a shielding effect of preventing a direct wave from propagating to the 123. Further, since the ground line 161 and the ground line 163 and the ground line 162 and the ground line 164 are formed to cross each other, the shielding effect can be enhanced.

【0080】従って、直達波による周波数特性の劣化等
を防止し、安定して動作することができる。また、圧電
基板126上に直達波を防止するためのグランド領域が
なくなるため、弾性表面波素子片120の小型化を実現
するとともに、グランドパターンの簡略化により製造し
やすくなり、パターン設計を容易に行うことができる。
Therefore, it is possible to prevent the frequency characteristics from deteriorating due to the direct wave and to operate stably. In addition, since there is no ground area on the piezoelectric substrate 126 for preventing direct waves, the surface acoustic wave element piece 120 can be reduced in size, and the ground pattern can be simplified to facilitate manufacture, which facilitates pattern design. It can be carried out.

【0081】さらに図9において、圧電基板126上の
角付近には4つのグランド部125が形成されていて、
基板130上にも4つのグランド電極135が形成され
ている。このグランド部125とグランド電極135は
グランド線165によりそれぞれ接続されている。これ
により、弾性表面波素子片120はより安定して保持さ
れることになり、より安定した周波数特性を有するもの
となる。なお、弾性表面波素子片20を支持するだけで
よければ、グランド電極135は孤立パターンでよい。
必要があれば、グランド電極135は図示しない構造に
より、グランド電極132a、132b、132c、1
32dと同様に接地パターンとすればよい。
Further, in FIG. 9, four ground portions 125 are formed near corners on the piezoelectric substrate 126.
Four ground electrodes 135 are also formed on the substrate 130. The ground portion 125 and the ground electrode 135 are connected by a ground line 165, respectively. Thereby, the surface acoustic wave element piece 120 is more stably held, and has more stable frequency characteristics. The ground electrode 135 may have an isolated pattern if only the surface acoustic wave element piece 20 needs to be supported.
If necessary, the ground electrode 135 is formed by a structure (not shown) using the ground electrodes 132a, 132b, 132c, 1
What is necessary is just to make it a ground pattern like 32d.

【0082】第5の実施の形態 図10には本発明の弾性表面波素子の製造方法を示すフ
ローチャート図を示しており、図10を参照して弾性表
面波素子の製造方法について詳しく説明する。なお、以
下に述べる弾性表面波素子の製造方法は主として図1の
弾性表面波素子1000を製造することを考慮したもの
である。
Fifth Embodiment FIG. 10 is a flowchart showing a method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention. The method for manufacturing a surface acoustic wave device will be described in detail with reference to FIG. The method for manufacturing a surface acoustic wave element described below mainly takes into consideration the manufacture of the surface acoustic wave element 1000 shown in FIG.

【0083】図10において、まず予め弾性表面波素子
片20と基板30とを作製しておく(S1、S2)。具
体的には、弾性表面波素子片20を作製する際には、圧
電基板24の上にアルミニウム等からなる電極指がフォ
トリソグラフィー技術等により所定のパターンで形成さ
れ、各IDT21、22、反射器23及びグランド部2
5、25が形成される。一方、基板30は所定の位置に
信号電極31a、31b、31c、31d及びグランド
電極32a、32bがスパッタリング等により作製され
ている。
In FIG. 10, first, the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30 are prepared in advance (S1, S2). Specifically, when the surface acoustic wave element piece 20 is manufactured, electrode fingers made of aluminum or the like are formed in a predetermined pattern on the piezoelectric substrate 24 by a photolithography technique or the like, and the IDTs 21 and 22 and the reflectors are formed. 23 and ground part 2
5, 25 are formed. On the other hand, the substrate 30 has signal electrodes 31a, 31b, 31c, 31d and ground electrodes 32a, 32b formed at predetermined positions by sputtering or the like.

【0084】次に、弾性表面波素子片20が保持され
て、基板30の所定の位置に載置する(S3)。具体的
には図11に示すように、支持部300が弾性表面波素
子片20の下側を保持して、基板30の所定の位置に位
置決めする。この支持部300には、たとえば圧電基板
20と基板30の間に吊り線50を結線する作業の妨げ
にならないよう、スリット部301が形成されている。
また、図12に示すように、支持部400が弾性表面波
素子片20の側面を挟んで保持して、基板30の所定の
位置に位置決めするようにしても良い。
Next, the surface acoustic wave element piece 20 is held and placed at a predetermined position on the substrate 30 (S3). Specifically, as shown in FIG. 11, the support portion 300 holds the lower side of the surface acoustic wave element piece 20 and positions the substrate at a predetermined position on the substrate 30. For example, a slit portion 301 is formed in the support portion 300 so as not to hinder the operation of connecting the suspension wire 50 between the piezoelectric substrate 20 and the substrate 30.
Further, as shown in FIG. 12, the support portion 400 may hold and hold the side surface of the surface acoustic wave element piece 20 so as to be positioned at a predetermined position on the substrate 30.

【0085】その後、弾性表面波素子片20が支持部3
00もしくは400に支持されたまま、たとえばアルミ
ワイヤボンダー等により、吊り線50が弾性表面波素子
片20と基板30との間に張り渡される(S4)。この
とき、たとえばグランド線61、62が信号線51、5
2、53、54より高いアーチを描くように調整等して
形成される。また、弾性表面波素子片20が支持部30
0もしくは400に保持され固定されたまま、吊り線5
0を形成しているので、弾性表面波素子片20が動くこ
とにより位置ずれがなくなり、精度良く弾性表面波素子
1000を製造することができる。
Thereafter, the surface acoustic wave element piece 20 is
The suspension line 50 is stretched between the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30 by, for example, an aluminum wire bonder while being supported by 00 or 400 (S4). At this time, for example, the ground lines 61 and 62 are
It is formed by adjustment or the like so as to draw an arch higher than 2, 53, 54. Also, the surface acoustic wave element piece 20 is
0 or 400 and the suspension line 5 is fixed.
Since 0 is formed, no displacement occurs due to the movement of the surface acoustic wave element piece 20, and the surface acoustic wave element 1000 can be manufactured with high accuracy.

【0086】図11と図12に示すように、支持部30
0を用いる場合、図示しない保持手段により弾性表面波
素子片20の側面あるいは上面を保持する。一方、支持
部400は弾性表面波素子片20の側面を保持するとと
もに下面を支持する。従って、支持部300あるいは支
持部400の何れを用いても、弾性表面波素子片20の
各IDT等が形成されている面に対して作業を行いやす
くすることができる。
As shown in FIG. 11 and FIG.
When 0 is used, the side or top surface of the surface acoustic wave element piece 20 is held by holding means (not shown). On the other hand, the support portion 400 holds the side surface of the surface acoustic wave element piece 20 and supports the lower surface. Therefore, regardless of whether the supporting portion 300 or the supporting portion 400 is used, the work can be easily performed on the surface of the surface acoustic wave element piece 20 on which the IDTs and the like are formed.

【0087】最後に、図13に示すように、基板30の
上に予め形成されている蓋40が被せられて封止される
(S5)。具体的には、図13(A)に示すように、箱
状に形成された基板30の上に金属からなる蓋40をの
せて、基板30と蓋40とを溶接するいわゆるシーム溶
接封止する方法がある。また図13(B)に示すよう
に、蓋40と基板30との間に低融点ガラスを塗布して
封止するいわゆる低融点ガラス封止する方法がある。な
お、図13(A)の場合には、弾性表面波素子片20と
箱状に形成された基板30との間には、後述する第6の
実施の形態で説明するが、図示しない保持部材が配置さ
れている。
Finally, as shown in FIG. 13, a lid 40 formed in advance on the substrate 30 is covered and sealed (S5). More specifically, as shown in FIG. 13A, a lid 40 made of metal is placed on a substrate 30 formed in a box shape, and the substrate 30 and the lid 40 are welded and sealed by so-called seam welding. There is a way. As shown in FIG. 13B, there is a so-called low-melting glass sealing method in which a low-melting glass is applied between the lid 40 and the substrate 30 and sealed. In the case of FIG. 13A, between a surface acoustic wave element piece 20 and a box-shaped substrate 30, a holding member (not shown) will be described in a sixth embodiment described later. Is arranged.

【0088】これにより、弾性表面波素子片20が基板
30に保持される際、接着剤を塗布する必要がなくなる
ため、製造工程において、接着剤塗布工程及び接着剤硬
化工程が不要となり、効率的に弾性表面波素子10を製
造することができる。また、接着剤の過不足による不良
品の発生がなくなるため、歩留まりを抑えることができ
る。さらに、接着剤に熱を加えることにより発生するガ
スにより、弾性表面波素子片20の周波数特性の変化を
防止することができ、安定した動作を行う弾性表面波素
子1000を提供することができる。
Thus, when the surface acoustic wave element piece 20 is held on the substrate 30, it is not necessary to apply an adhesive, so that an adhesive applying step and an adhesive curing step are not required in the manufacturing process, which is efficient. Thus, the surface acoustic wave device 10 can be manufactured. Further, the occurrence of defective products due to excess or deficiency of the adhesive is eliminated, so that the yield can be suppressed. Furthermore, a change in frequency characteristics of the surface acoustic wave element piece 20 can be prevented by a gas generated by applying heat to the adhesive, and the surface acoustic wave element 1000 that performs stable operation can be provided.

【0089】第6の実施の形態 図14と図15には本発明の弾性表面波素子の製造方法
の第2の実施の形態を示す図であり、図14と図15を
参照して弾性表面波素子の製造方法について詳しく説明
する。
Sixth Embodiment FIGS. 14 and 15 are views showing a second embodiment of the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention. Referring to FIGS. The method for manufacturing the wave element will be described in detail.

【0090】図14において、まず弾性表面波素子片2
0と基板30を作製した後(S11、S12)、図15
(A)に示すように基板30の上に弾性体500が配置
され固定される(S13)。この弾性体500はたとえ
ば、樹脂やゴム等があげられる。
In FIG. 14, first, the surface acoustic wave element piece 2
0 and the substrate 30 (S11, S12),
As shown in (A), the elastic body 500 is arranged and fixed on the substrate 30 (S13). The elastic body 500 is, for example, resin or rubber.

【0091】そして、この弾性体500の上に弾性表面
波素子片20が載置される(S14)。その後図15
(B)に示すように、弾性表面波素子片20と基板30
との間に吊り線50が張り渡される。必要があれば、図
11に示される支持部300を用いて弾性表面波素子片
20の下側を保持して、圧電基板24と基板30の間に
吊り線50を結線する(S15)。ここで、弾性表面波
素子片20は弾性体500に載置されているため摩擦に
より、弾性表面波素子片20が動くことにより位置ずれ
がなくなり、確実に吊り線50を形成することができ
る。さらに、この弾性体500はそのまま図8に示す枕
部材91として使用することができるので、別途枕部材
91を設ける必要がなく、効率的に弾性表面波素子10
を製造することができる。
Then, the surface acoustic wave element piece 20 is mounted on the elastic body 500 (S14). Then FIG.
As shown in (B), the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30
And a suspension line 50 is stretched between them. If necessary, the suspension line 50 is connected between the piezoelectric substrate 24 and the substrate 30 while holding the lower side of the surface acoustic wave element piece 20 using the support portion 300 shown in FIG. 11 (S15). Here, since the surface acoustic wave element piece 20 is placed on the elastic body 500, the surface acoustic wave element piece 20 moves due to friction, so that there is no displacement and the hanging line 50 can be formed reliably. Further, since the elastic body 500 can be used as it is as the pillow member 91 shown in FIG. 8, there is no need to separately provide a pillow member 91, and the surface acoustic wave element 10 can be efficiently provided.
Can be manufactured.

【0092】その後、図13に示すように基板30の上
に蓋40が被せられて封止され(S16)、弾性表面波
素子1000が完成する。
Thereafter, as shown in FIG. 13, the lid 40 is put on the substrate 30 and sealed (S16), and the surface acoustic wave element 1000 is completed.

【0093】第7の実施の形態 図16と図17にはには本発明の弾性表面波素子の製造
方法の第3の実施の形態を示す図を示しており、図16
と図17を参照して弾性表面波素子の製造方法について
詳しく説明する。
Seventh Embodiment FIGS. 16 and 17 are views showing a third embodiment of the method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
The manufacturing method of the surface acoustic wave device will be described in detail with reference to FIGS.

【0094】図16において、予め弾性表面波素子片2
0と基板30が作製されて(S21、S22)、この基
板30の上の所定の位置に接着剤である両面接着(粘
着)シート600が塗布される(S23)。この両面接
着(粘着)シート600には、半導体のダイシングに用
いるシートに塗布される接着剤(粘着材)と基本的には
同じであるが、シート基材の表裏に接着剤(粘着材)が
塗布されている。
In FIG. 16, the surface acoustic wave element piece 2 is
0 and the substrate 30 are produced (S21, S22), and a double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 as an adhesive is applied to a predetermined position on the substrate 30 (S23). The double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 is basically the same as the adhesive (adhesive) applied to the sheet used for dicing the semiconductor, but the adhesive (adhesive) is applied to the front and back of the sheet substrate. It has been applied.

【0095】両面接着(粘着)シート600の上に弾性
表面波素子片20が加圧載置される(S24)。これに
より、弾性表面波素子片20と基板30とは固定された
状態になる。
The surface acoustic wave element 20 is placed under pressure on the double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 (S24). As a result, the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30 are fixed.

【0096】そして、図17(A)、(B)に示すよう
にたとえばアルミワイヤーボンダーを用いて、弾性表面
波素子片20と基板30の間に吊り線50が張り渡され
る(S26)。ここで、弾性表面波素子片20は両面接
着(粘着)シート600により固定されているため、弾
性表面波素子片20が動くことにより位置ずれがなくな
り、確実に吊り線50を形成することができる。さら
に、この両面接着(粘着)シート600はそのまま図8
に示す枕部材91として使用することができるので、別
途枕部材91を設ける必要がなく、効率的に弾性表面波
素子1000を製造することができる。
Then, as shown in FIGS. 17A and 17B, a suspension line 50 is stretched between the surface acoustic wave element piece 20 and the substrate 30 using, for example, an aluminum wire bonder (S26). Here, since the surface acoustic wave element piece 20 is fixed by the double-sided adhesive (adhesive) sheet 600, the displacement of the surface acoustic wave element piece 20 is eliminated, and the hanging line 50 can be formed reliably. . Further, this double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 is used as it is in FIG.
Can be used as the pillow member 91 shown in FIG. 1, so that it is not necessary to separately provide the pillow member 91, and the surface acoustic wave element 1000 can be manufactured efficiently.

【0097】その後、図17(C)に示すように両面接
着(粘着)シート600に紫外線が適量照射されて、両
面接着(粘着)シート600と弾性表面波素子片20と
の固着状態が解消される(S27)。次に、図13に示
すように基板30の上に蓋40が被せられて封止され
(S28)、弾性表面波素子1000が完成する。な
お、紫外線を適量照射すること及びシート基材の存在に
より、基板30への両面接着(粘着)シート600の固
着状態は維持されるので、封止後、両面接着(粘着)シ
ート600が基板30から剥離して弾性表面波素子の特
性を劣化させる恐れはない。
Thereafter, as shown in FIG. 17C, the double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 is irradiated with an appropriate amount of ultraviolet rays, so that the fixed state between the double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 and the surface acoustic wave element piece 20 is released. (S27). Next, as shown in FIG. 13, the lid 40 is put on the substrate 30 and sealed (S28), and the surface acoustic wave element 1000 is completed. By irradiating an appropriate amount of ultraviolet light and the presence of the sheet base material, the fixed state of the double-sided adhesive (adhesive) sheet 600 to the substrate 30 is maintained. There is no fear that the characteristics of the surface acoustic wave element are degraded by being separated from the surface acoustic wave element.

【0098】上記各実施の形態によると、弾性表面波素
子片20が吊り線50により保持されていることによ
り、すなわち、弾性表面波素子片20が基板30に保持
されていないことにより弾性表面波素子1000に熱や
変形等が加えられたときでもその周波数特性が変化せ
ず、安定した動作を行うことができる。上述の事項を図
18乃至図22を参照して具体的に説明していく。
According to each of the above embodiments, the surface acoustic wave element piece 20 is held by the suspension line 50, that is, the surface acoustic wave element piece 20 is not held by the substrate 30. Even when heat, deformation, or the like is applied to the element 1000, its frequency characteristics do not change and stable operation can be performed. The above items will be specifically described with reference to FIGS.

【0099】図18は基板30に蓋40がシーム溶接さ
れた前後の弾性表面波素子の周波数変化量を示すグラフ
図である。図18(A)の従来の弾性表面波素子におい
ては、弾性表面波素子毎の周波数変化量ΔFrの平均が
36.2(ppm)であり、ばらつきσが16.5(p
pm)である。これに対し、図18(B)の本発明の弾
性表面波素子は、各弾性表面波素子毎の周波数変化量Δ
Frの平均が0.2(ppm)であり、ばらつきσが
4.7(ppm)に抑えられている。よって、図18か
らわかるように本発明の弾性表面波素子は溶接による変
形や熱による周波数変化量が最小限に抑えられており、
かつ、周波数変化量のばらつきσも少ないことがわか
る。
FIG. 18 is a graph showing the frequency variation of the surface acoustic wave element before and after the lid 40 is seam-welded to the substrate 30. In the conventional surface acoustic wave device of FIG. 18A, the average of the frequency change ΔFr for each surface acoustic wave device is 36.2 (ppm), and the variation σ is 16.5 (p
pm). In contrast, the surface acoustic wave device of the present invention shown in FIG.
The average of Fr is 0.2 (ppm), and the variation σ is suppressed to 4.7 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 18, the surface acoustic wave element of the present invention has a minimum amount of deformation due to welding and frequency change due to heat, and
Further, it can be seen that the variation σ of the frequency change amount is also small.

【0100】弾性表面波素子が共振子で水晶材を用いる
場合、その共振周波数は温度に依存し、そのグラフは一
般的に上に凸の放物線を描く。そこで、−30℃〜60
℃の間で共振周波数を測定し、各温度毎の放物線の頂点
に相当する温度θmax をプロットしていく。図19には
弾性表面波素子毎のθmax を示すグラフ図である。なお
図19において、弾性表面波素子はθmax =29℃にな
るように設計されている。
A surface acoustic wave element uses a quartz material as a resonator.
The resonance frequency depends on the temperature and the graph
In general, draw a parabola that is convex upward. Therefore, -30 ℃ ~ 60
Measure the resonance frequency between ° C and the top of the parabola at each temperature.
Temperature θmax corresponding to Is plotted. In FIG.
Θmax for each surface acoustic wave element FIG. Note that
In FIG. 19, the surface acoustic wave element = 29 ° C
It is designed to be.

【0101】図19(A)において、従来の弾性表面波
素子はθmax の平均が27.03℃、ばらつきσが1.
16℃であるのに対し、本発明の弾性表面波素子はθma
x の平均が30.36℃、ばらつきσが0.55℃であ
る。これにより、本発明の弾性表面波素子は各弾性表面
波素子毎に設計したθmax を得ることができるととも
に、ばらつきσも少ないことがわかる。
FIG. 19A shows a conventional surface acoustic wave.
The element is θmax Are 27.03 ° C. and the variation σ is 1.
While the temperature is 16 ° C., the surface acoustic wave element of the present invention has θma
x Is 30.36 ° C. and the variation σ is 0.55 ° C.
You. As a result, the surface acoustic wave element of the present invention
Θmax designed for each wave element And you can get
In addition, it can be seen that the variation σ is small.

【0102】図20は、−55℃(5分)から125℃
(5分)のサイクルを500回繰り返す熱衝撃試験を行
った際、試験を行う前と試験を行った後の共振周波数の
変化量を示すグラフ図である。図20(A)において、
従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrは3.0
(ppm)〜10.7(ppm)の範囲にあり、周波数
変化量ΔFrのばらつきσは0.9(ppm)〜1.9
(ppm)になる。一方、図20(B)において、本発
明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrが1.2
(ppm)〜7.3(ppm)になり、周波数変化量Δ
Frのばらつきσは0.9(ppm)〜1.9(pp
m)になる。よって、図20からわかるように本発明の
弾性表面波素子10は熱による周波数特性の変化が最小
限に抑えられており、かつ、周波数変化量ΔFrのばら
つきσも少ないことがわかる。
FIG. 20 shows the range from -55 ° C. (5 minutes) to 125 ° C.
FIG. 8 is a graph showing the amount of change in resonance frequency before and after performing a thermal shock test in which a (5 minute) cycle is repeated 500 times. In FIG. 20A,
The conventional surface acoustic wave element has a frequency variation ΔFr of 3.0.
(Ppm) to 10.7 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 0.9 (ppm) to 1.9.
(Ppm). On the other hand, in FIG. 20B, the surface acoustic wave element of the present invention has a frequency variation ΔFr of 1.2.
(Ppm) to 7.3 (ppm), and the frequency variation Δ
The variation σ of Fr is 0.9 (ppm) to 1.9 (pp)
m). Therefore, as can be seen from FIG. 20, the surface acoustic wave element 10 of the present invention has a minimum change in frequency characteristics due to heat and a small variation σ in the frequency change ΔFr.

【0103】図21は、所定時間リフローした際、リフ
ロー前の共振周波数とリフロー後の共振周波数の周波数
変化量ΔFrを示すグラフ図である。図21(A)にお
いて、従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの
平均が−0.6(ppm)〜0.0(ppm)であり、
周波数変化量ΔFrのばらつきσは1.4(ppm)〜
2.1(ppm)になっている。一方、図21(B)に
おいて、本発明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔF
rは−0.4(ppm)〜0.0(ppm)となり、周
波数変化量ΔFrのばらつきσは0.4(ppm)〜
0.7(ppm)になっている。よって、図21からわ
かるように本発明の弾性表面波素子は熱による周波数特
性の変化が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化
量ΔFrのばらつきσも少ないことがわかる。
FIG. 21 is a graph showing the frequency change ΔFr between the resonance frequency before reflow and the resonance frequency after reflow when reflow is performed for a predetermined time. In FIG. 21A, in the conventional surface acoustic wave element, the average of the frequency change ΔFr is −0.6 (ppm) to 0.0 (ppm),
The variation σ of the frequency variation ΔFr is from 1.4 (ppm)
2.1 (ppm). On the other hand, in FIG. 21B, the surface acoustic wave device of the present invention has a frequency variation ΔF
r is −0.4 (ppm) to 0.0 (ppm), and the variation σ of the frequency variation ΔFr is 0.4 (ppm) to
0.7 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 21, the surface acoustic wave element of the present invention has a minimum change in frequency characteristics due to heat and a small variation σ in the frequency change ΔFr.

【0104】図22は、高温で放置した際の共振周波数
の変化を示すグラフ図である。図22(A)において、
従来の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの平均が
4.4(ppm)〜5.3(ppm)であり、周波数変
化量ΔFrのばらつきσは2.1(ppm)〜2.9
(ppm)になっている。一方、図22(B)におい
て、本発明の弾性表面波素子は、周波数変化量ΔFrの
平均は3.3(ppm)〜4.5(ppm)となり、周
波数変化量ΔFrのばらつきσは0.7(ppm)〜
0.9(ppm)になっている。よって、図22からわ
かるように本発明の弾性表面波素子は熱による周波数特
性の変化が最小限に抑えられており、かつ、周波数変化
量ΔFrのばらつきσも少ないことがわかる。
FIG. 22 is a graph showing a change in resonance frequency when left at a high temperature. In FIG. 22A,
In the conventional surface acoustic wave element, the average of the frequency change ΔFr is 4.4 (ppm) to 5.3 (ppm), and the variation σ of the frequency change ΔFr is 2.1 (ppm) to 2.9.
(Ppm). On the other hand, in FIG. 22B, in the surface acoustic wave element of the present invention, the average of the frequency change ΔFr is 3.3 (ppm) to 4.5 (ppm), and the variation σ of the frequency change ΔFr is 0. 7 (ppm) ~
0.9 (ppm). Therefore, as can be seen from FIG. 22, the surface acoustic wave element of the present invention has a minimum change in frequency characteristics due to heat and a small variation σ in the frequency change ΔFr.

【0105】図18乃至図22から、本発明の弾性表面
波素子は変形や熱による周波数特性の変化が最小限に抑
えられていることがわかる。
FIGS. 18 to 22 show that the surface acoustic wave device of the present invention has a minimum change in frequency characteristics due to deformation and heat.

【0106】本発明は、上記実施の形態に限定されず、
特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うこ
とができる。
The present invention is not limited to the above embodiment,
Various changes can be made without departing from the scope of the claims.

【0107】図1乃至図9の各実施の形態において、グ
ランド線は、1つのグランド電極及びグランド部に対し
て1本だけ結線されているが、1つのグランド電極及び
グランド部に対して複数本形成するようにしても良い。
これにより、弾性表面波素子片の耐震性及び耐衝撃性を
向上させることができる。
In each of the embodiments shown in FIGS. 1 to 9, only one ground line is connected to one ground electrode and ground portion, but a plurality of ground lines are connected to one ground electrode and ground portion. It may be formed.
Thereby, the earthquake resistance and the shock resistance of the surface acoustic wave element piece can be improved.

【0108】また、図1と図2の第1の実施の形態にお
いて、グランド線61、62は、圧電基板24の略中央
部分に設けられているが、図6に示すように、たとえば
圧電基板24の四隅にグランド線を設けるような、複数
本のグランド線を有するようにしても良い。これによ
り、弾性表面波素子片20の支持バランスを向上させる
ことができる。さらに、第1IDT21から信号が入力
されて、第2IDT22には出力端子が接続されている
が、第2IDT22から信号が入力されて、第1IDT
21から信号を出力するようにしてもよい。
In the first embodiment shown in FIGS. 1 and 2, the ground lines 61 and 62 are provided substantially at the center of the piezoelectric substrate 24. However, as shown in FIG. A plurality of ground lines may be provided such that ground lines are provided at four corners of 24. Thereby, the support balance of the surface acoustic wave element piece 20 can be improved. Further, a signal is input from the first IDT 21 and an output terminal is connected to the second IDT 22, but a signal is input from the second IDT 22 and the first IDT 22
Alternatively, a signal may be output from 21.

【0109】また、図7において、グランド線81、8
2は蓋40に接触しない高さで形成されているが、グラ
ンド線81、82を蓋40に接触させて、弾性表面波素
子70が振動しても、安定した周波数特性で動作するこ
とができる。
In FIG. 7, the ground lines 81, 8
2 is formed at a height that does not contact the lid 40, but can operate with stable frequency characteristics even if the surface acoustic wave element 70 vibrates by bringing the ground lines 81 and 82 into contact with the lid 40. .

【0110】さらに、図8において、枕部材91は弾性
表面波素子片20のほぼ中央部に配置されているが、た
とえばIDTの電極パターンが形成されていない圧電基
板24の四隅にたとえば4つ配置するようにしても良
い。
Further, in FIG. 8, the pillow members 91 are arranged substantially at the center of the surface acoustic wave element piece 20, but, for example, four pillow members 91 are arranged at the four corners of the piezoelectric substrate 24 where no IDT electrode pattern is formed. You may do it.

【0111】[0111]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、弾性表面波素
子に力や熱が加えられたとき、基板から弾性表面波素子
片に対して応力が加わらないため、弾性表面波素子片の
たとえば中心周波数や通過周波数帯域等の周波数特性が
変化せず、安定した動作を行うことができる。また、弾
性表面波素子に振動が加えられたときであっても、弾性
表面波素子片は吊り線によって吊られているので、その
振動の影響を最小限に抑えて、安定した周波数特性を得
ることができる。
According to the first aspect of the present invention, when a force or heat is applied to the surface acoustic wave element, no stress is applied to the surface acoustic wave element piece from the substrate. For example, a stable operation can be performed without changing the frequency characteristics such as the center frequency and the pass frequency band. Further, even when vibration is applied to the surface acoustic wave element, the surface acoustic wave element piece is suspended by the suspension line, so that the effect of the vibration is minimized and a stable frequency characteristic is obtained. be able to.

【0112】請求項2の発明によれば、吊り線の強度が
向上し、弾性表面波素子片の保持状態が安定するととも
に、吊り線の長さを長くすることができる。
According to the second aspect of the invention, the strength of the suspension line is improved, the holding state of the surface acoustic wave element piece is stabilized, and the length of the suspension line can be increased.

【0113】請求項3の発明によれば、信号が基板と弾
性表面波素子片間を送受信するための手段を別途設ける
必要がなくなり余分な配線をすることなく、弾性表面波
素子を動作させる事ができる。
According to the third aspect of the present invention, it is not necessary to separately provide a means for transmitting and receiving signals between the substrate and the surface acoustic wave element piece, and the surface acoustic wave element can be operated without extra wiring. Can be.

【0114】請求項4の発明によれば、弾性表面波素子
片の保持状態が強化されるとともに、グランド用の別個
の余分な配線が不要とすることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, the holding state of the surface acoustic wave element piece is strengthened, and a separate extra wiring for ground can be eliminated.

【0115】請求項5の発明の発明によれば、各すだれ
状電極から出力される直達波の伝搬を防止することで、
グランド線はシールド効果を奏するようにすることがで
きる。従って、直達波の伝搬を防止することにより、弾
性表面波素子は安定した周波数特性を得ることができ
る。
According to the fifth aspect of the present invention, the propagation of the direct wave output from each IDT is prevented,
The ground line can have a shielding effect. Therefore, by preventing the propagation of the direct wave, the surface acoustic wave element can obtain stable frequency characteristics.

【0116】請求項6の発明の発明によれば、グランド
線のシールド効果を高めることができ、より安定した周
波数特性を得ることができる。
According to the invention of claim 6, the shielding effect of the ground line can be enhanced and more stable frequency characteristics can be obtained.

【0117】請求項7の発明の発明によれば、弾性表面
波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、吊り線
は蓋に接触するが、信号線は蓋に接触することがないた
め、信号線がショートすることがなくなり、弾性表面波
素子片は安定した動作を行うことができる。
According to the seventh aspect of the present invention, when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or impact, the suspension line contacts the lid, but the signal line does not contact the lid. The signal line is not short-circuited, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation.

【0118】請求項8の発明の発明によれば、弾性表面
波素子が振動もしくは衝撃等が加えられたとき、グラン
ド線が蓋に押さえられて、弾性表面波素子片の振動を最
小限に抑え、振動による周波数特性の変化を抑制し、弾
性表面波素子片は安定した動作を行うことができる。
According to the invention of claim 8, when the surface acoustic wave element is subjected to vibration or shock or the like, the ground line is pressed by the lid, and the vibration of the surface acoustic wave element piece is minimized. In addition, a change in frequency characteristics due to vibration is suppressed, and the surface acoustic wave element piece can perform a stable operation.

【0119】請求項9乃至請求項13の発明によれば、
弾性表面波素子が振動や衝撃を受けた場合であっても、
弾性表面波素子片の振動は非常に小さくすることがで
き、吊り線のネック切れを防止するとともに、周波数特
性が変化することをなくすことができる。
According to the ninth to thirteenth aspects,
Even if the surface acoustic wave element receives vibration or shock,
The vibration of the surface acoustic wave element piece can be made extremely small, and the breakage of the neck of the suspension line can be prevented, and the frequency characteristics can be prevented from changing.

【0120】請求項14の発明によれば、弾性表面波素
子片が動くことにより位置ずれがなくなり、精度良く弾
性表面波素子を製造することができるとともに、作業性
を向上することができる。
According to the fourteenth aspect of the present invention, the displacement of the surface acoustic wave element is eliminated by moving the surface acoustic wave element piece, so that the surface acoustic wave element can be manufactured with high accuracy and the workability can be improved.

【0121】請求項15と請求項16の発明によれば、
弾性表面波素子片が保持され固定された状態で吊り線が
形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形成す
ることができる。
According to the fifteenth and sixteenth aspects,
Since the suspension line is formed while the surface acoustic wave element piece is held and fixed, the suspension line can be formed accurately and efficiently.

【0122】請求項17乃至請求項19の発明によれ
ば、弾性表面波素子片が保持され固定された状態で吊り
線が形成されるため、精度良くかつ効率的に吊り線を形
成することができる。
According to the seventeenth to nineteenth aspects of the present invention, the suspension line is formed while the surface acoustic wave element piece is held and fixed, so that the suspension line can be formed accurately and efficiently. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第
1の実施の形態)の形態を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing a preferred embodiment (first embodiment) of a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図2】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第
1の実施の形態)の形態を示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a preferred embodiment (first embodiment) of the surface acoustic wave device of the present invention.

【図3】 本発明の弾性表面波素子の好ましい実施(第
1の実施の形態)の形態を示す断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a preferred embodiment (first embodiment) of the surface acoustic wave device of the present invention.

【図4】 本発明の弾性表面波素子における信号線の周
辺部位を示す断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a peripheral portion of a signal line in the surface acoustic wave device of the present invention.

【図5】 本発明の弾性表面波素子におけるグランド線
の周辺部位を示す断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a portion around a ground line in the surface acoustic wave device of the present invention.

【図6】 本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態
を示す平面図。
FIG. 6 is a plan view showing a surface acoustic wave element according to a second embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の弾性表面波素子の第2の実施の形態
におけるグランド線周辺部位を示す断面図。
FIG. 7 is a sectional view showing a portion around a ground line in a second embodiment of the surface acoustic wave device according to the present invention.

【図8】 本発明の弾性表面波素子の第3の実施の形態
を示す断面図。
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の弾性表面波素子の第4の実施の形態
を示す平面図。
FIG. 9 is a plan view showing a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の好ま
しい実施の形態(第5の実施の形態)を示すフローチャ
ート図。
FIG. 10 is a flowchart showing a preferred embodiment (fifth embodiment) of the method for manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.

【図11】 本発明の弾性表面波素子の製造方法におけ
る弾性表面波素子片が保持されている様子を示す斜視
図。
FIG. 11 is a perspective view showing a state where a surface acoustic wave element piece is held in the method for manufacturing a surface acoustic wave element according to the present invention.

【図12】 本発明の弾性表面波素子の製造方法におけ
る弾性表面波素子片が保持されている様子を示す斜視
図。
FIG. 12 is a perspective view showing a state where a surface acoustic wave element piece is held in the method for manufacturing a surface acoustic wave element of the present invention.

【図13】 本発明の弾性表面波素子の製造方法におけ
る弾性表面波素子片が封止される様子を示す断面図。
FIG. 13 is a cross-sectional view showing a state where a surface acoustic wave element piece is sealed in the method for manufacturing a surface acoustic wave element of the present invention.

【図14】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第6
の実施の形態を示すフローチャート図。
FIG. 14 shows a sixth method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
The flowchart figure which shows Embodiment of FIG.

【図15】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第6
の実施の形態における製造工程の様子を示す模式図。
FIG. 15 shows a sixth method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 7 is a schematic view showing a state of a manufacturing process according to the embodiment.

【図16】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第7
の実施の形態を示すフローチャート図。
FIG. 16 shows a seventh method of manufacturing the surface acoustic wave device according to the present invention.
The flowchart figure which shows Embodiment of FIG.

【図17】 本発明の弾性表面波素子の製造方法の第7
の実施の形態における製造工程の様子を示す模式図。
FIG. 17 shows a seventh method of manufacturing a surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 7 is a schematic view showing a state of a manufacturing process according to the embodiment.

【図18】 従来と本発明の弾性表面波素子において、
シーム溶接前後の周波数変化量を示すグラフ図。
FIG. 18 shows a surface acoustic wave element according to the related art and the present invention.
FIG. 4 is a graph showing frequency variation before and after seam welding.

【図19】 従来と本発明の弾性表面波素子において、
温度特性における頂点温度を示すグラフ図。
FIG. 19 shows a conventional and surface acoustic wave device according to the present invention.
FIG. 4 is a graph showing peak temperatures in temperature characteristics.

【図20】 従来と本発明の弾性表面波素子において、
熱衝撃試験前後の周波数変化量を示すグラフ図。
FIG. 20 shows a surface acoustic wave device according to the related art and the present invention.
FIG. 4 is a graph showing the frequency change before and after the thermal shock test.

【図21】 従来と本発明の弾性表面波素子において、
リフロー前後の周波数変化量を示すグラフ図。
FIG. 21 shows a surface acoustic wave device according to the related art and the present invention.
FIG. 4 is a graph showing frequency change amounts before and after reflow.

【図22】 従来と本発明の弾性表面波素子において、
高温放置前後の周波数変化量を示すグラフ図。
FIG. 22 shows a surface acoustic wave device according to the related art and the present invention.
FIG. 4 is a graph showing frequency variation before and after high-temperature storage.

【図23】 従来の弾性表面波素子の一例を示す断面
図。
FIG. 23 is a sectional view showing an example of a conventional surface acoustic wave device.

【図24】 従来の別の弾性表面波素子の一例を示す断
面図。
FIG. 24 is a sectional view showing an example of another conventional surface acoustic wave element.

【図25】 従来の別の弾性表面波素子の一例を示す平
面図。
FIG. 25 is a plan view showing an example of another conventional surface acoustic wave element.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1000、70、90、100・・・弾性表面波素子 20・・・弾性表面波素子片 30・・・基板 31・・・信号電極 32・・・グランド電極 40・・・蓋 50・・・吊り線 51、52、53、54・・・信号線 61、62・・・グランド線 91・・・枕部材 500・・・弾性体 600・・・接着剤 1000, 70, 90, 100: Surface acoustic wave element 20: Surface acoustic wave element piece 30: Substrate 31: Signal electrode 32: Ground electrode 40: Lid 50: Hanging Lines 51, 52, 53, 54: Signal line 61, 62: Ground line 91: Pillow member 500: Elastic body 600: Adhesive

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電気信号を入出力するための信号電極が
形成されている基板と、前記基板に支持されており、圧
電基板上にすだれ状電極が形成されている弾性表面波素
子片と、前記弾性表面波素子片を封止する蓋とを有する
弾性表面波素子において、 前記弾性表面波素子片は、前記基板に対して吊り線によ
り支持されていることを特徴とする弾性表面波素子。
1. A substrate on which signal electrodes for inputting and outputting electric signals are formed, a surface acoustic wave element piece supported by the substrate and having interdigital electrodes formed on a piezoelectric substrate, A surface acoustic wave element having a lid for sealing the surface acoustic wave element piece, wherein the surface acoustic wave element piece is supported by a hanging wire with respect to the substrate.
【請求項2】 前記吊り線は、アルミ線である請求項1
に記載の弾性表面波素子。
2. The suspension line according to claim 1, wherein the suspension line is an aluminum wire.
3. The surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項3】 前記吊り線は、前記基板と前記弾性表面
波素子片間において電気信号を送受信するため、一端部
は前記弾性表面波素子片の前記すだれ状電極と接続され
ていて、他端部は前記信号電極と接続されている信号線
を含んでいる請求項1乃至請求項2のいずれかに記載の
弾性表面波素子。
3. The hanging line has one end connected to the interdigital transducer of the surface acoustic wave element piece for transmitting and receiving an electric signal between the substrate and the surface acoustic wave element piece, and the other end. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the portion includes a signal line connected to the signal electrode.
【請求項4】 前記吊り線は、一端部が前記弾性表面波
素子片のグランド部と接続されていて、他端部が前記基
板に形成されているグランド電極と接続されているグラ
ンド線を含んでいる請求項1乃至請求項3のいずれかに
記載の弾性表面波素子。
4. The suspension line includes a ground line having one end connected to a ground portion of the surface acoustic wave element piece and the other end connected to a ground electrode formed on the substrate. The surface acoustic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein
【請求項5】 前記圧電基板上には、複数の前記すだれ
状電極が形成されていて、前記グランド線は、複数の前
記すだれ状電極の間を通過するように形成される請求項
4に記載の弾性表面波素子。
5. The piezoelectric substrate according to claim 4, wherein a plurality of the interdigital electrodes are formed on the piezoelectric substrate, and the ground line is formed so as to pass between the plurality of the interdigital electrodes. Surface acoustic wave device.
【請求項6】 前記グランド線は、前記複数のすだれ状
電極の間に複数本配置されていて、これら複数本の前記
グランド線は、互いに近接あるいは交叉して配置されて
いる請求項4乃至請求項5のいずれかに記載の弾性表面
波素子。
6. The plurality of ground lines are arranged between the plurality of interdigital electrodes, and the plurality of ground lines are arranged close to or intersecting with each other. Item 6. A surface acoustic wave device according to any one of items 5.
【請求項7】 複数の前記吊り線はループ状に形成され
ていて、複数の前記吊り線のうち、前記信号線は、最も
低いループで形成されている請求項3乃至請求項6のい
ずれかに記載の弾性表面波素子。
7. The plurality of suspension lines are formed in a loop shape, and among the plurality of suspension lines, the signal line is formed by the lowest loop. 3. The surface acoustic wave device according to claim 1.
【請求項8】 前記蓋は、前記基板の前記グランド電極
と電気的に接続されている金属からなっていて、前記グ
ランド線は、前記蓋に接触するように形成されている請
求項4乃至請求項7のいずれかに記載の弾性表面波素
子。
8. The lid according to claim 4, wherein the lid is made of a metal electrically connected to the ground electrode of the substrate, and the ground line is formed so as to contact the lid. Item 8. A surface acoustic wave device according to any one of items 7.
【請求項9】 前記基板と前記弾性表面波素子片の間に
は、前記弾性表面波素子片を保持するための保持部材が
配置されている請求項1乃至請求項8のいずれかに記載
の弾性表面波素子。
9. The device according to claim 1, wherein a holding member for holding the surface acoustic wave element is disposed between the substrate and the surface acoustic wave element. Surface acoustic wave device.
【請求項10】 前記保持部材は、弾性体により形成さ
れている請求項9に記載の弾性表面波素子。
10. The surface acoustic wave device according to claim 9, wherein the holding member is formed of an elastic body.
【請求項11】 前記保持部材は、接着剤を固化して形
成されている請求項9に記載の弾性表面波素子。
11. The surface acoustic wave device according to claim 9, wherein the holding member is formed by solidifying an adhesive.
【請求項12】 前記保持部材は、シリコン系の接着剤
を固化して形成されている請求項9に記載の弾性表面波
素子。
12. The surface acoustic wave device according to claim 9, wherein the holding member is formed by solidifying a silicon-based adhesive.
【請求項13】 前記接着剤は、紫外線が照射されると
接着力を失う性質を有している請求項11に記載の弾性
表面波素子。
13. The surface acoustic wave device according to claim 11, wherein the adhesive has a property of losing an adhesive force when irradiated with ultraviolet rays.
【請求項14】 弾性表面波素子片を基板に支持させ
て、前記基板の上に蓋を被せた弾性表面波素子を製造す
る弾性表面波素子の製造方法において、 前記弾性表面波素子片を前記基板に対して非接触に支持
して、前記基板の所定の位置に位置決めして、 前記基板に対して前記弾性表面波素子片を支持させるた
め、前記基板と前記弾性表面波素子片の間に吊り線を形
成することを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
14. A method of manufacturing a surface acoustic wave element in which a surface acoustic wave element piece is supported on a substrate and a cover is placed on the substrate, wherein the surface acoustic wave element piece is Supporting the substrate in a non-contact manner, positioning it at a predetermined position on the substrate, and supporting the surface acoustic wave element piece on the substrate, between the substrate and the surface acoustic wave element piece. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising forming a suspension line.
【請求項15】 前記弾性表面波素子片を支持して前記
基板の所定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面
波素子片を下側から支持しながら位置決めする請求項1
4に記載の弾性表面波素子の製造方法。
15. When supporting the surface acoustic wave element piece and positioning it at a predetermined position on the substrate, positioning is performed while supporting the surface acoustic wave element piece from below.
5. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to 4.
【請求項16】 前記弾性表面波素子片を前記基板の所
定の位置に位置決めする際には、前記弾性表面波片の側
面から挟んで支持しながら位置決めする請求項14に記
載の弾性表面波素子の製造方法。
16. The surface acoustic wave element according to claim 14, wherein when positioning the surface acoustic wave element piece at a predetermined position on the substrate, the surface acoustic wave element piece is positioned while being sandwiched and supported from a side surface of the surface acoustic wave piece. Manufacturing method.
【請求項17】 前記弾性表面波素子片を前記基板の所
定の位置に位置決めする際には、前記基板に弾性体を配
置して、前記弾性体の上に前記弾性表面波素子片を配置
する請求項14に記載の弾性表面波素子の製造方法。
17. When positioning the surface acoustic wave element at a predetermined position on the substrate, an elastic body is arranged on the substrate, and the surface acoustic wave element is arranged on the elastic body. A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 14.
【請求項18】 前記弾性表面波素子片を前記基板の所
定の位置に位置決めする際には、前記基板に接着剤を塗
布して、前記接着剤の上に前記弾性表面波素子片を配置
する請求項14に記載の弾性表面波素子の製造方法。
18. When positioning the surface acoustic wave element at a predetermined position on the substrate, an adhesive is applied to the substrate, and the surface acoustic wave element is disposed on the adhesive. A method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 14.
【請求項19】 前記接着剤は、紫外線を照射すること
により、前記弾性表面波素子と剥離する請求項14に記
載の弾性表面波素子の製造方法。
19. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 14, wherein the adhesive is separated from the surface acoustic wave device by irradiating ultraviolet rays.
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US7145416B2 (en) 2003-12-01 2006-12-05 Seiko Epson Corporation Resonator device, electronic equipment provided with resonator device and method of manufacturing resonator device
JP2007534243A (en) * 2004-04-22 2007-11-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフト Surface wave resonator filter with longitudinally coupled transducers
JP2012004625A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Fujitsu Ltd Method of manufacturing oscillator device, and oscillator device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7145283B2 (en) 2002-10-29 2006-12-05 Seiko Epson Corporation Piezoelectric device and method for manufacturing the same
US7145416B2 (en) 2003-12-01 2006-12-05 Seiko Epson Corporation Resonator device, electronic equipment provided with resonator device and method of manufacturing resonator device
JP2007534243A (en) * 2004-04-22 2007-11-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフト Surface wave resonator filter with longitudinally coupled transducers
JP4861311B2 (en) * 2004-04-22 2012-01-25 エプコス アクチエンゲゼルシャフト Surface wave resonator filter with longitudinally coupled transducers
JP2012004625A (en) * 2010-06-14 2012-01-05 Fujitsu Ltd Method of manufacturing oscillator device, and oscillator device

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