JP3686159B2 - Phosphor for low-energy electron beam excitation - Google Patents
Phosphor for low-energy electron beam excitation Download PDFInfo
- Publication number
- JP3686159B2 JP3686159B2 JP08640196A JP8640196A JP3686159B2 JP 3686159 B2 JP3686159 B2 JP 3686159B2 JP 08640196 A JP08640196 A JP 08640196A JP 8640196 A JP8640196 A JP 8640196A JP 3686159 B2 JP3686159 B2 JP 3686159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- low
- electron beam
- cuals
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、蛍光表示管やフィールドエミッションディスプレイに使用する低速電子線励起用蛍光体に係り、特にカラー表示装置に必要な３原色のうち赤色をカラーブラウン管におけると同程度に優れた色純度で発光する低速電子線励起用蛍光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低速電子線励起用蛍光体としては、電子線による蛍光体表面での帯電を生じさせないようにするため導電性を有する（低抵抗の）蛍光体が必要であり、また、従来の低速電子線励起用赤色発光体としては、例えば、１９８７年にオーム社から発行された「蛍光体ハンドブック」の第３０３頁に記載されている表１に示す蛍光体がある。
【０００３】
【表１】
表１において、（ａ）のＳｎＯ2 ：Ｅｕ3+は、導電性の高いＳｎＯ2 にＥｕ3+イオンの発光中心を形成した蛍光体である。また、他の二つ（（ｂ）および（ｃ））は、絶縁性蛍光体（それぞれ、Ｚｎ0.20Ｃｄ0.60Ｓ：Ａｇ，ＣｌおよびＺｎ0.30Ｃｄ0.70Ｓ：Ａｇ，Ｃｌ）にＩｎ2 Ｏ3 の導電性物質を混合して導電性をもたせた蛍光体である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
表１に示す従来の低速電子線励起用赤色発光蛍光体において、（ａ）の蛍光体は、蛍光体材料自体に導電性材料を使用しているため、さらに導電性物質を混合する必要はないが、色度座標値から分かるようにフルカラー表示用赤色蛍光体としては、（ｂ）の蛍光体より赤色発光の色純度が悪い。また、（ｂ）と（ｃ）の蛍光体の場合、蛍光体材料に導電性材料が含まれていないため、高価な導電性物質であるＩｎ2 Ｏ3 を混合しなければならないので、コスト高になり、また微妙な混合工程を必要とし、さらに、公害物質であるカドミウムを使用しているという問題点もある。さらに、（ｃ）の蛍光体の場合は、現在のカラーブラウン管に使用されているＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ｘ＝０．６４０，ｙ＝０．３３５）あるいはＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（ｘ＝０．６２３，ｙ＝０．３４２）の赤色蛍光体と比較して色純度が悪い。
【０００６】
このように、従来の低速電子線励起用蛍光体において、導電性を有し、しかも現在のカラーブラウン管に使用されているＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ｘ＝０．６４０，ｙ＝０．３３５）、あるいはＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（ｘ＝０．６２３，ｙ＝０．３４２）の赤色蛍光体と同等の色純度のよい赤色発光をするものはなかった。
【０００７】
本発明の第１の目的は、カラーブラウン管に使用されているＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ｘ＝０．６４０，ｙ＝０．３３５）、あるいはＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（ｘ＝０．６２３，ｙ＝０．３４２）の赤色蛍光体と同等かそれ以上に色純度のよい色調に赤色発光する低速電子線励起用蛍光体を提供することにあり、また、本発明の第２の目的は、その得られた低速電子線励起用蛍光体を低抵抗化して導電性をもたせるようにする方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、発光母体材料ＣｕＡｌＳ２に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明は、ＣｕＡｌＳ２とカルコパイライト系固溶体をつくる物質を含む発光母体材料としての固溶体に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明は、発光母体材料ＣｕＧａｘＡｌ１−ｘＳ２（０＜Ｘ＜１）またはＣｕＡｌＳｘＳｅ２―ｘ（０＜Ｘ＜２）に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１１】
また、本発明は、発光母体材料ＣｕＡｌＳ２に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素を含む化合物が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明は、ＣｕＡｌＳ２とカルコパイライト系固溶体をつくる物質を含む発光母体材料としての固溶体に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素を含む化合物が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明は、発光母体材料ＣｕＧａｘＡｌ１−ｘＳ２（０＜Ｘ＜１）またはＣｕＡｌＳｘＳｅ２―ｘ（０＜Ｘ＜２）に、Ｍｎ，Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯからなる群から選択した少なくとも１つの元素を含む化合物が発光中心または付活剤としてドーピングされた蛍光体粉末が低抵抗化処理された低速電子線励起用蛍光体であって、その抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照し、実施の形態に基づいて本発明を詳細に説明する。
最初に、本発明低速電子線励起用蛍光体の合成方法について説明する。
発光母体材料ＣｕＡｌＳ2 にＭｎを発光中心としてドーピングした本発明による低速電子線励起用蛍光体を合成するには、例えば、化学量論比に相当する純度６ＮのＣｕ，Ａｌ，Ｓと０．０１〜１０wt％に相当する高純度のＭｎあるいはＭｎＳをＢＮるつぼに充填し、１３００℃で溶融して合成する。次いで、この合成された多結晶塊を適当な粉末に粉砕して低抵抗化の処理に供するための低速電子線励起用蛍光体の粉末にする。
【００１６】
また、さらに高品質の結晶を得るために、上記得られた低速電子線励起用蛍光体の多結晶粉末を石英アンプルに封入してヨウ素による化学輸送法によって結晶成長させて単結晶を作製し、これを適当な粉末に粉砕する。このようにして得られた多結晶粉末を酸などで粉末表面をエッチングして粒径を整え、蛍光体粉末として使用できるようにするか、あるいは、上記の方法で母体材料だけを合成し、これに０．０１〜１０wt％に相当する高純度のＭｎあるいはＭｎＳを混合し、Ｈ2 Ｓガス雰囲気中にて、１０００℃程度で６時間ほど焼成して発光中心を形成し、その後、上記の方法によって粒径などを整えて蛍光体粉末とする。
【００１７】
以上においてはＭｎのみを発光中心としてドーピングした場合であるが、元素Ｍｎのほかに、元素Ｚｎ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｃ，ＹおよびＯのうちから少なくとも１つの元素、または、これらの元素のうちから少なくとも１つの元素を含む化合物をドーピングして発光中心または付活剤として使用することも可能である。
【００１８】
また、発光母体材料としても上述のＣｕＡｌＳ2 のみでなく、ＣｕＡｌＳ2 とカルコパイライト系固溶体をつくる他の物質を含む固溶体、例えばＣｕＧａx Ａｌ1-x Ｓ2 （０＜ｘ＜１）やＣｕＡｌＳx Ｓｅ2-x （０＜ｘ＜２）を使用することも可能である。
【００１９】
以上により得られた低速電子線励起用蛍光体の粉末を本発明により低抵抗化する方法としては、上記合成され、粉末化された蛍光体粉末を、さらに飽和硫黄雰囲気中において６００℃以上の温度で１０〜３０時間の範囲内で加熱処理を施す。この飽和硫黄雰囲気中での加熱処理により、蛍光体粉末の抵抗率は１０4 〜１０6 のオーダーで急激に低抵抗化される。
【００２０】
本発明によって得られた低速電子線励起用蛍光体（特に、Ｍｎ2+イオンの発光中心をもつＣｕＡｌＳ2 赤色発光蛍光体の場合）のカソードルミネッセンス（ＣＬ）スペクトルの測定結果を図１に示す。同図から、この蛍光体は赤色の波長６３５ｎｍに発光ピークを有していることが分かる。
【００２１】
図２は、上記本発明によるＭｎ2+イオンの発光中心をもつＣｕＡｌＳ2 赤色発光蛍光体の発光色度を、カラーブラウン管（ＣＲＴ）の発光色度とともに色度図上に示している。同図から分かるように、本発明による赤色発光蛍光体の発光色度座標値は、ｘ＝０．６６４，ｙ＝０．３３６であり、この色調は、同時に示されているカラーブラウン管のＹ2 Ｏ3 ：Ｅｕ（ｘ＝０．６４０，ｙ＝０．３３５）、あるいはＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ（ｘ＝０．６２３，ｙ＝０．３４２）の赤色蛍光体と同じかそれ以上に色純度の優れた赤色発光である。従って、本発明による赤色発光を蛍光表示管やフィールドエミッションディスプレイなどの表示装置に使用するとカラーブラウン管と同等の色再現が可能となる。
【００２２】
また、上記本発明による蛍光体を低抵抗化する方法によって得られた蛍光体の抵抗率は１．０Ω・ｃｍ以下であった。
【００２３】
以上によって得られた本発明による赤色蛍光体を、蛍光表示管やフィールドエミッションディスプレイ表示装置の蛍光面に塗布し、陰極からの１ｋＶ以下の低速度電子線を照射することによって色純度の高い赤色発光を得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】
本発明によれば、現在のカラーブラウン管の赤色発光と同等以上の色純度をもって発光する表示装置、例えば蛍光表示管やフィールドエミッションディスプレイ表示装置に使用するための低速電子線励起用の赤色蛍光体を得ることができる。
【００２５】
また、本発明の蛍光体を低抵抗化する方法によって、本発明低速電子線励起用蛍光体を低抵抗化し、１．０Ω・ｃｍ以下の導電性をもたせるようにすることができるため、従来のように蛍光体に導電性物質を混合するなどしなくても電子線による蛍光体表面の帯電を防止することができる。このため、高価な導電物質を使用する必要がなくなり、微妙な導電物質の混合工程を省略することができる。
【００２６】
さらにまた、本発明においては蛍光体粉末を低速電子線励起用に適合するよう低抵抗化させる方法が、飽和硫黄雰囲気中での熱処理法であるため、著しく簡便に所望の導電性を有する蛍光体を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｍｎ2+イオンの発光中心をもつ本発明によるＣｕＡｌＳ2 赤色発光蛍光体のカソードルミネッセンススペクトルを示している。
【図２】Ｍｎ2+イオンの発光中心をもつ本発明によるＣｕＡｌＳ2 赤色蛍光体の色度座標位置を示す色度図を示している。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a phosphor for low-speed electron beam excitation used for a fluorescent display tube and a field emission display. In particular, among the three primary colors required for a color display device, red light is emitted with a color purity as excellent as that of a color cathode-ray tube. The present invention relates to a phosphor for low-energy electron beam excitation .
[0002]
[Prior art]
As the phosphor for low-speed electron beam excitation, a phosphor having conductivity (low resistance) is necessary so as not to cause charging on the surface of the phosphor by the electron beam. Examples of red light emitters include phosphors shown in Table 1 described on page 303 of “Phosphor Handbook” issued by Ohm Company in 1987.
[0003]
[Table 1]
In Table 1, SnO 2 : Eu 3+ in (a) is a phosphor in which an emission center of Eu 3+ ions is formed on SnO 2 having high conductivity. The other two ((b) and (c)) are made of an insulating phosphor (Zn 0.20 Cd 0.60 S: Ag, Cl and Zn 0.30 Cd 0.70 S: Ag, Cl, respectively) with In 2 O 3 . It is a phosphor that is made conductive by mixing conductive substances.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional red light emitting phosphor for low-energy electron beam excitation shown in Table 1, since the phosphor of (a) uses a conductive material for the phosphor material itself, it is not necessary to further mix a conductive substance. However, as can be seen from the chromaticity coordinate values, the red phosphor for full color display has a lower color purity of red light emission than the phosphor of (b). In the case of the phosphors of (b) and (c), since the phosphor material does not contain a conductive material, In 2 O 3 which is an expensive conductive substance must be mixed. In addition, there is a problem that a delicate mixing process is required and cadmium which is a pollutant is used. Further, in the case of the phosphor of (c), Y 2 O 3 : Eu (x = 0.640, y = 0.335) or Y 2 O 2 S: Eu (x = 0.623, y = 0.342), the color purity is poor as compared with the red phosphor.
[0006]
Thus, Y 2 O 3 : Eu (x = 0.640, y = 0.335) which has conductivity and is used in the current color cathode ray tube in the conventional phosphor for low-energy electron beam excitation. Or Y 2 O 2 S: Eu (x = 0.623, y = 0.342) red phosphor having the same color purity as that of the red phosphor.
[0007]
The first object of the present invention is Y 2 O 3 : Eu (x = 0.640, y = 0.335) or Y 2 O 2 S: Eu (x = 0.623) used in a color cathode ray tube. , Y = 0.342) is to provide a phosphor for low-energy electron beam excitation that emits red light in a color tone having a color purity equal to or higher than that of the red phosphor, and a second object of the present invention is Another object of the present invention is to provide a method for reducing the resistance of the obtained phosphor for low-energy electron beam excitation so as to have conductivity.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention provides a light-emitting host material CuAlS 2 with Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ni, Sn, At least one element selected from the group consisting of Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, Sc, Y and O is a luminescent center or activator. And a low-resistance electron beam-exciting phosphor in which the resistance is reduced, and the resistivity is 1.0 Ω · cm or less .
[0009]
In addition, the present invention provides a solid solution as a light-emitting host material containing a substance that forms CuAlS 2 and a chalcopyrite solid solution with Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Er, At least one selected from the group consisting of Tm, Yb, Ni, Sn, Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, Sc, Y and O A phosphor powder doped with an element as a luminescent center or activator is a low-energy electron-exciting phosphor subjected to a resistance reduction process, and has a resistivity of 1.0 Ω · cm or less. Is.
[0010]
In the present invention , the light emitting host material CuGa x Al 1-x S 2 (0 <X <1) or CuAlS x Se 2−x (0 <X <2) is added to Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ni, Sn, Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, A phosphor for low-speed electron beam excitation in which a phosphor powder doped with at least one element selected from the group consisting of Sc, Y and O as a luminescence center or an activator is subjected to low resistance treatment, and its resistivity Is 1.0 Ω · cm or less .
[0011]
In the present invention , the light-emitting host material CuAlS 2 is added to Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ni, Sn, Pb, F, and Cl. , Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, Sc, Y and a compound containing at least one element selected from the group consisting of O and doping as a luminescent center or activator The obtained phosphor powder is a low-energy electron beam excitation phosphor subjected to a resistance reduction treatment, and has a resistivity of 1.0 Ω · cm or less .
[0012]
In addition, the present invention provides a solid solution as a light-emitting host material containing a substance that forms CuAlS 2 and a chalcopyrite solid solution with Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Er, At least one selected from the group consisting of Tm, Yb, Ni, Sn, Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, Sc, Y and O A phosphor powder doped with a compound containing an element as a luminescent center or an activator is a low-energy electron-exciting phosphor subjected to a resistance reduction process, and has a resistivity of 1.0 Ω · cm or less. It is a feature.
[0013]
In the present invention , the light emitting host material CuGa x Al 1-x S 2 (0 <X <1) or CuAlS x Se 2−x (0 <X <2) is added to Mn, Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ni, Sn, Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, A phosphor for low-energy electron beam excitation in which a phosphor powder doped with a compound containing at least one element selected from the group consisting of Sc, Y and O as a luminescence center or an activator is subjected to a low resistance treatment, The resistivity is 1.0 Ω · cm or less .
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
The present invention will be described below in detail based on embodiments with reference to the accompanying drawings.
First, the method for synthesizing the phosphor for low-energy electron beam excitation of the present invention will be described.
In order to synthesize the phosphor for low-energy electron beam excitation according to the present invention in which Mn is doped as the emission center in the light-emitting host material CuAlS 2 , for example, Cu, Al, S having a purity of 6N corresponding to the stoichiometric ratio and 0.01 A high-purity Mn or MnS equivalent to 10 wt% is filled in a BN crucible and melted at 1300 ° C. for synthesis. Next, the synthesized polycrystalline lump is pulverized into an appropriate powder to obtain a powder of a phosphor for low-energy electron beam excitation for use in a low resistance treatment.
[0016]
In addition, in order to obtain a higher quality crystal, the above-obtained phosphor powder for low-energy electron beam excitation was encapsulated in a quartz ampule and grown by a chemical transport method using iodine to produce a single crystal. This is ground into a suitable powder. The polycrystalline powder thus obtained is etched with acid or the like to adjust the particle size so that it can be used as a phosphor powder. Alternatively, only the base material is synthesized by the above method. In addition, high-purity Mn or MnS corresponding to 0.01 to 10 wt% is mixed and fired in an H 2 S gas atmosphere at about 1000 ° C. for about 6 hours to form a light emission center. To adjust the particle size and make a phosphor powder.
[0017]
The above is the case where only Mn is doped as the emission center, but in addition to the element Mn, the elements Zn, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Ni , Sn, Pb, F, Cl, Br, I, Li, Na, K, Rb, Cs, P, As, Sb, Bi, Sc, Y and O, or of these elements It is also possible to use a compound containing at least one element from among them as a luminescent center or an activator.
[0018]
In addition to the above-described CuAlS 2 , the luminescent host material is not only the above-described CuAlS 2 , but also a solid solution containing CuAlS 2 and other substances that form a chalcopyrite-based solid solution, such as CuGa x Al 1-x S 2 (0 <x <1) or CuAlS x. It is also possible to use Se 2-x (0 <x <2).
[0019]
As a method for reducing the resistance of the phosphor powder for low-energy electron beam excitation obtained as described above according to the present invention, the synthesized and powdered phosphor powder is further heated to a temperature of 600 ° C. or higher in a saturated sulfur atmosphere. The heat treatment is performed within a range of 10 to 30 hours. By the heat treatment in the saturated sulfur atmosphere, the resistivity of the phosphor powder is rapidly lowered on the order of 10 4 to 10 6 .
[0020]
FIG. 1 shows the measurement results of the cathodoluminescence (CL) spectrum of the phosphor for low-energy electron beam excitation obtained by the present invention (particularly, in the case of a CuAlS 2 red-emitting phosphor having an emission center of Mn 2+ ions). From this figure, it can be seen that this phosphor has an emission peak at a red wavelength of 635 nm.
[0021]
FIG. 2 shows the emission chromaticity of the CuAlS 2 red-emitting phosphor having the emission center of Mn 2+ ions according to the present invention, together with the emission chromaticity of a color cathode ray tube (CRT), on the chromaticity diagram. As can be seen from the figure, the emission chromaticity coordinate values of the red light emitting phosphor according to the present invention are x = 0.664 and y = 0.336, and this color tone is Y 2 of the color cathode ray tube shown at the same time. O 3 : Eu (x = 0.640, y = 0.335), or Y 2 O 2 S: Eu (x = 0.623, y = 0.342) red phosphor with the same or higher color Red emission with excellent purity. Therefore, when red light emission according to the present invention is used in a display device such as a fluorescent display tube or a field emission display, color reproduction equivalent to that of a color cathode ray tube can be achieved.
[0022]
The resistance of the resulting phosphor by a method for reducing the resistance of the phosphor according to the present invention was less than 1.0 [Omega] · cm.
[0023]
The red phosphor according to the present invention obtained as described above is applied to the phosphor screen of a fluorescent display tube or a field emission display device, and irradiated with a low-speed electron beam of 1 kV or less from the cathode to emit red light with high color purity. Can be obtained.
[0024]
【The invention's effect】
According to the present invention, a red phosphor for low-energy electron beam excitation for use in a display device that emits light with a color purity equal to or higher than that of the current color cathode ray tube, such as a fluorescent display tube or a field emission display device. Can be obtained.
[0025]
Further, since the resistance of the phosphor of the present invention can be reduced by the method for reducing the resistance of the phosphor of the present invention, and the conductivity of 1.0 Ω · cm or less can be provided, Thus, charging of the phosphor surface by an electron beam can be prevented without mixing a conductive substance into the phosphor. For this reason, it is not necessary to use an expensive conductive material, and a delicate mixing process of the conductive material can be omitted.
[0026]
Furthermore, in the present invention, the method of reducing the resistance of the phosphor powder so as to be suitable for low-energy electron beam excitation is a heat treatment method in a saturated sulfur atmosphere. Can be manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 shows the cathodoluminescence spectrum of a CuAlS 2 red-emitting phosphor according to the present invention having an emission center of Mn 2+ ions.
FIG. 2 shows a chromaticity diagram showing the chromaticity coordinate position of a CuAlS 2 red phosphor according to the present invention having an emission center of Mn 2+ ions.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08640196A JP3686159B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Phosphor for low-energy electron beam excitation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08640196A JP3686159B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Phosphor for low-energy electron beam excitation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09279140A JPH09279140A (en) | 1997-10-28 |
| JP3686159B2 true JP3686159B2 (en) | 2005-08-24 |
Family
ID=13885854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08640196A Expired - Fee Related JP3686159B2 (en) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Phosphor for low-energy electron beam excitation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3686159B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101790541B1 (en) | 2016-02-05 | 2017-10-26 | 한국화학연구원 | Tin or Bismuth doped metal nitride-based red phosphors and light emitting device containing the same |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2389959B (en) | 2002-06-19 | 2006-06-14 | Univ Dundee | Improved field emission device |
| KR100665299B1 (en) * | 2004-06-10 | 2007-01-04 | 서울반도체 주식회사 | Luminescent material |
| US8308980B2 (en) | 2004-06-10 | 2012-11-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device |
| KR101055772B1 (en) | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device |
| KR100875443B1 (en) | 2006-03-31 | 2008-12-23 | 서울반도체 주식회사 | Light emitting device |
| JP4330172B2 (en) * | 2007-03-26 | 2009-09-16 | Ｎｅｃライティング株式会社 | Phosphor and light emitting device using the same |
| JP5515143B2 (en) * | 2009-03-19 | 2014-06-11 | Ｎｅｃライティング株式会社 | Phosphor, phosphor manufacturing method, and light emitting device |
| CN103421493B (en) * | 2012-05-16 | 2016-06-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Europium doping sulfo copper aluminate luminescent thin film, preparation method and application thereof |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63223085A (en) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Production of zinc sulfide fluorescent substance thin film |
| JP2561343B2 (en) * | 1989-04-10 | 1996-12-04 | シャープ株式会社 | Method of manufacturing light emitting material |
| JP3032921B2 (en) * | 1991-12-26 | 2000-04-17 | 双葉電子工業株式会社 | Luminescent material |
| JPH05275331A (en) * | 1992-03-26 | 1993-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacture of chalocopyrite thin film and solar cell |
| JPH0689075A (en) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of display device and fluorescent screen used therein |
| JP3474643B2 (en) * | 1994-08-23 | 2003-12-08 | 日本放送協会 | Dispersion type electroluminescence device |
| TW295672B (en) * | 1994-09-20 | 1997-01-11 | Hitachi Ltd |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP08640196A patent/JP3686159B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101790541B1 (en) | 2016-02-05 | 2017-10-26 | 한국화학연구원 | Tin or Bismuth doped metal nitride-based red phosphors and light emitting device containing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09279140A (en) | 1997-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2007077280A (en) | Phosphor for electron beam-exciting light-emitting element, method for preparing the same and electron beam-exciting light-emitting element | |
| WO2007105370A1 (en) | Phosphor for display and field emission display | |
| JP2000073053A (en) | Phosphor and cathode-ray tube using the same | |
| JP3686159B2 (en) | Phosphor for low-energy electron beam excitation | |
| US3970582A (en) | Alpha barium zinc cadmium sulfide phosphors and method | |
| JP4931176B2 (en) | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device | |
| JPH09291279A (en) | Powdery fluorescent substance and its production | |
| US6544437B2 (en) | Yttrium silicate based phosphor having effective emission at low voltages and method for synthesizing the same | |
| JP3263991B2 (en) | Blue light emitting phosphor | |
| JP2944596B2 (en) | Method for manufacturing fluorescent display device excited by slow electron beam | |
| EP1607461A1 (en) | Green light emitting phosphor for low voltage/high current density and field emissiion type display including the same | |
| JP3514836B2 (en) | Green light emitting phosphor | |
| JP5016804B2 (en) | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device | |
| JP3440301B2 (en) | Phosphor | |
| JPH09255953A (en) | Phosphor and preparation thereof | |
| KR100424864B1 (en) | Process for preparing GdOBr green phosphor | |
| JP2001064639A (en) | Blue fluorescent substance for low voltage and its production | |
| JPH10140150A (en) | Phosphor and production of phosphor | |
| JPS6351480B2 (en) | ||
| JP3942766B2 (en) | Phosphor | |
| JP5386092B2 (en) | Method for producing oxide phosphor | |
| KR20000008650A (en) | Method for preparing red fluorescent substance made of yttrium oxide derivatives | |
| JP3707131B2 (en) | Phosphor | |
| TWI261613B (en) | Phosphor formulations for low voltage and manufacturing methods thereof | |
| KR100369709B1 (en) | Preparation of the red phosphor of gadolinium oxides with two type in structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050510 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050602 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090610 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100610 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110610 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |