JP3677157B2 - 電気信号ケーブルアッセンブリ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気信号ラインケーブルの組み立て体（以下、アッセンブリとして言及する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気信号ラインは、例えば、Hewlett-Packard 社のヨーロッパ特許出願ＥＰ−Ａ−０７３５５４４（Cartier et al.）から既知である。この特許出願は、トランスジューサとディスプレイプロセッサ間の電気接続を提供するトランスジューサケーブルを備えた超音波システムについて記載している。この出願の第３の例にかかるトランスジューサケーブルは、剥き出しの薄い銅ストリップを含む遮蔽（以下、シールドとして言及する）導体によって互いに分離された３層の、押し出し加工されたリボンアッセンブリを使用している。リボンアッセンブリとシールド導体の積層体（以下、スタックとして言及する）をリボンジャケットと共に押し出し加工し、所望の長さのトランスジューサケーブルを形成する。
【０００３】
Amphenol 社の米国特許第４８４７４４３号（Basconi ）は、電気信号ラインケーブルの別の例を開示し、このケーブルは連結状態で共にスタックされた通常は平坦な複数の電気信号ラインセグメントから形成されている。この従来技術にかかるケーブルの各電気信号ラインセグメントは、その両側を接地導体によって囲まれた少なくとも１個の信号導体を含んでいる。複数の接地導体は効果的に接地面を形成し、それによって隣接する信号導体間の漏話を防止している。導体をその中に配置した絶縁材料は、個々の信号導体上に押し出される。
【０００４】
Minnesota Mining and Manufacturing 社のヨーロッパ特許ＥＰ−Ｂ−０６０５６００（Springer et al. ）は、リボンケーブルとこれを製造するための貼り合わせ方法を開示している。製造されたリボンケーブルは、微細多孔質ポリプロピレンである絶縁体によって取り囲まれた、複数の等間隔に配置されたフレキシブル導体を備えている。
【０００５】
W.L. Gore & Associates の米国特許第４８４７４４３号（Crawley et al.）は、延伸膨張したポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）からなる絶縁体内に配置された複数の導電体を有する、多重導体平面リボンケーブルを開示している。ＰＣＴ特許出願ＷＯ−Ａ−９１／０９４０６号（Ritchie et al.）は、貼り合わせフィルム間にフォイルストリップを固定するための接着剤によって、絶縁フィルムの対向する層の間に貼り合わされた細長い導電性金属フォイルストリップで構成された電気ワイヤを開示している。
【０００６】
Siemens 社のドイツ特許出願ＤＥ−Ａ−２４２４４４２号は、絶縁性フィルム間に貼り合わされた複数のフラットケーブルを含むケーブルアッセンブリを開示している。Illinois州PalatineにあるSquare・D 社のＰＣＴ特許出願ＷＯ−Ａ−８０／００３８９号（Clarke）は、プログラム可能な制御装置に使用される入出力データケーブルを開示している。このケーブルは接地導体、論理レベル電圧導体および多数の信号トラックを有している。これらの導体は、２層または３層のフレキシブルなプラスティック材料上に、干渉に対する高い抵抗と低い誘導損失を与える、特別な方法で配置されている。これらの層は共に貼り合わされて貼り合わせ（ラミネート）構造を形成する。
【０００７】
Arizona 州Phoenix にあるW.L. Gore & Ａｓｓｏｃｉａｔｅ社は、パーツ番号０２−０７６０５で示す円筒形ケーブルを販売している。このケーブルは、錫をメッキした銅の編組シールドとＰＶＣのジャケットチューブ内に収納された１３２個のミニチュア同軸ケーブルを有している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この技術分野において、重量が軽くかつ同軸特性を提供する複数のリボンケーブルを備えた電気信号ケーブルアッセンブリを開発する必要性が存在する。従って本発明の目的は、改良された信号ケーブルアッセンブリを開発する事である。
【０００９】
本発明の更なる目的は、同軸ケーブルと似たインピーダンス特性を有する複数のリボンケーブルを備えた信号ケーブルアッセンブリを開発することである。
本発明の更なる目的は、従来のリボンケーブルによって提供されるものよりも実質的に優れた単位長さ当たりの容量を有する複数のリボンケーブルを備えた信号ケーブルアッセンブリを開発することである。
【００１０】
本発明の更なる目的は、個々の信号導体間の漏話が最小である複数のリボンケーブルを備えた信号ケーブルアッセンブリを開発する事である。
本発明の更なる目的は、比較しうるミニチュアの同軸ケーブルアッセンブリと比べてその重量が軽い信号ケーブルアッセンブリを開発する事である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のこれらおよびその他の目的は、互いにスタックされた複数のサブケーブルアッセンブリを有する電気信号ケーブルアッセンブリであって、この各サブケーブルアッセンブリは、絶縁体内に収納されかつ第一のピッチ距離だけ互いに離れた同一平面上の複数の電気信号導体を備えた電気信号ケーブルであり、前記第１のピッチ距離は０．１mmと１０mm間であり、更にこの電気信号ラインのインピーダンス特性は５０Ω〜２００Ωである、電気信号ケーブルアッセンブリを提供することに依って達成される。これらの特徴に従って電気信号ケーブルアッセンブリを構成する事により、同軸特性を有する軽量のケーブルアッセンブリを提供することができる。
【００１２】
本発明の１例としての電気信号ケーブルアッセンブリは、ラミネートボンデングによって下部絶縁体に取り付けられた上部絶縁体を含む絶縁体によって構成されている。この製造方法によって、比較的簡単でかつ比較的短い時間で長いケーブルアッセンブリを製造することが可能となる。
好ましくはこの上部絶縁体および下部絶縁体は、ポリエチレン、パーフルオロアルコキシ、フルオロエチレン−プロピレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリテトラフルオロエチレンまたは延伸膨張したポリテトラフルオロエチレンからなる絶縁体材料グループから形成され、さらにより好ましくはそれらは延伸膨張したポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）から形成される。この技術分野で周知の様に、延伸膨張したＰＴＦＥは非常に低い誘電率を有し、従って非常に優れた電気性能を有する電気信号ケーブルを提供する。
【００１３】
本発明の１例では、シールド用ストリップは少なくとも２個の上記サブケーブルアッセンブリ間に位置し、１個のサブケーブルアッセンブリ内の信号導体を、他のサブケーブルアッセンブリ内の信号導体上を搬送される信号から電磁的にシールドする。このシールド用ストリップを使用することにより、２個の隣接するサブケーブルアッセンブリ内の信号導体間の漏話が、受容できるレベルよりも一層減少する。シールド用ストリップは、ラミネートボンディングにより絶縁体に取り付けられる。
【００１４】
本発明の更に別の例では、前記サブケーブルアッセンブリを取り囲む第１のシールド手段が前記シールド用ストリップの少なくとも１端に電気的に接続されている。この結果シールド用ストリップの端部は損傷に対して機械的に保護され、かつアンテナとして動作することは出来ない。更に、前記第１のシールド手段を取り囲む絶縁層を設け、その後前記絶縁層を取り囲む第２のシールド手段を設けることが可能である。第２のシールド手段はサブケーブルアッセンブリ内の信号導体を電気信号ケーブルアッセンブリ外部の漂遊電磁場からシールドする。次にケーブルジャケットを前記サブケーブルアッセンブリを取り囲む第２のシールド手段上に配置し、信号ケーブルアッセンブリ全体を機械的な損傷から保護する。
【００１５】
本発明の１例において、少なくとも１個のスペーサをケーブルジャケット内に配置して電気信号ラインを成形する、即ちサブケーブルアッセンブリをケーブルジャケット内で所定の位置に維持する。サブケーブルアッセンブリは、２個の三日月形（クレセント形）のスペーサを設けるならば、実質的に互いに平行な平面内に配置することが可能である。サブケーブルアッセンブリは、スペーサの回りにらせん状に配置することも可能であり、この場合はスペーサは円筒形である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明によるケーブルアッセンブリの１例を示す。図において、１０は、複数のサブケーブルアッセンブリ２０を含む電気信号ラインである。図１では、８個のサブケーブルアッセンブリ２０が示されている。しかしながら、この数は単に一例であって、決して限定的なものではない。
【００１７】
各サブケーブルアッセンブリ２０は、１平行面上に配置された複数の個々の信号導体３０を含み、この導体３０は、上部絶縁体層４０ａおよび下部絶縁体層４０ｂによって取り囲まれている。上部絶縁体層４０ａおよび下部絶縁体層４０ｂは、後述する様に共に貼り合わされている。個々の信号導体３０は、全ての導体材料、例えば銅、ニッケルメッキされた銅、錫メッキされた銅、銀メッキされた銅、錫メッキの合金、銀メッキ合金あるいは銅合金等で形成される。好ましくは個々の信号導体は円筒形の銅ワイヤで形成される。平坦な導体を使用することも同様に可能である。
【００１８】
この発明は、図１に示す個々の信号導体３０の数に限定されるものではない。個々の信号導体３０の軸は、第１のピッチ距離ａだけ離れている。このａは０．１から１０mmの範囲内である。上部絶縁体層４０ａおよび下部絶縁体層４０ｂは、いかなる絶縁性の誘電材料、例えばポリエチレン、ポリエステル、パーフルオロアルコキシ、フルオロエチレン−プロピレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリテトラフルオロエチレンまたは延伸膨張したポリテトラフルオロエチレンで形成することが可能である。好ましくは、米国特許第３９５３５５６号、４１８７３９０号または４４４３６５７号に記載されているような、延伸膨張したポリテトラフルオロエチレンを使用する。
【００１９】
サブケーブルアッセンブリ２０はシールドストリップ５０によって互いに分離されている。シールドストリップ５０は例えば金属箔、金属ブレード、導電性テープまたは金属化された織物（ファブリック）で形成される。以下の金属、即ち銅、錫、銀、アルミニウムまたこれらの合金を使用することができる。本発明の１例では、シールドストリップ５０は、ドイツのハンブルグに所在するStatex社によって供給されるKasselタイプの銅被覆されたポリアミドファブリックであり、約０．１mmの厚さと約９mmの幅を有している。
【００２０】
サブケーブルアッセンブリ２０は、平面的に互いに積み重ねられ、図２に概略的に示す装置１００を使用してサブケーブルアッセンブリ２０の束に構成される。図２は複数の第１のスプール１０２と複数の第２のスプール１０４を示し、このスプール１０２上にはサブケーブルアッセンブリ２０を形成する第１のストリップ１０３が巻き付けられており、さらに第２のスプール１０４上にはシールドストリップ５０を形成する第２のストリップ１０５が巻き付けられている。第２の（シールド）ストリップ１０５によって互いに隔てられた第１の（サブケーブルアッセンブリ）ストリップ１０３とこの第２のストリップ１０５は複数の第１のスプール１０２と第２のスプール１０４からそれぞれ巻き放たれ、位置１０６で共にボンディングされて束１０７を形成する。
【００２１】
この様にして形成されたサブケーブルアッセンブリ２０の束１０７は、第１のシールド手段６０を構成するチューブ中に挿入される。第１のシールド手段６０は、金属箔、例えば銅、アルミニウムまたは銀の箔または金属化された織物で形成される。１例では、第１のシールド手段は、ドイツのハンブルグに所在するStatex社によって供給されるKasselタイプの銅被覆されたポリアミドファブリックであり、約０．１mmの厚さと約９mmの幅を有している。クレセント型のスペーサ９０が、複数のサブケーブルアッセンブリ２０と第１のシールド手段６０間に配置され、実質的に管状の形状を維持する。スペーサ９０は、透磁性のｅＰＴＦＥ、ＰＴＦＥ、ポリアミド、パースロンあるいはその他の誘電性材料で形成される。
【００２２】
シールドストリップ端５５はサブケーブルアッセンブリ２０の端部２５を越えて突出し、各シールドストリップ端５５が別のシールドストリップ端５５に接触する様に、下方または上方に曲げられる。少なくとも一個のシールドストリップ端５５は第１のシールド手段６０と電気的に接触している。図１において、複数のサブケーブルアッセンブリ２０の一番外側のものとサブケーブルアッセンブリ２０の一番外側のものに直接隣接するサブケーブルアッセンブリ２０のシールドストリップ端５５が、第１のシールド手段６０と電気的接触したものとして示されている。シールドストリップ５０のそれぞれと第１のシールド手段６０は従って同じ電位に維持される。勿論、シールドストリップ５０と第１のシールド手段６０を異なる電位に維持する事も可能である。後者の場合、シールドストリップ端５５はシールド手段６０と電気的に接触しない。
【００２３】
次に絶縁体層６５を第１のシールド手段６０の回りに既知のワイヤラッピング技術を用いて巻き付ける。この絶縁体層６５は、例えばＰＴＦＥ、ＦＥＰ、ｅＰＴＦＥまたはポリエステルで形成される。絶縁体層６５は好ましくは、焼成したGore-TEXテープであり、これはW.L. Gore & Associates社から入手可能である。第２のシールド手段７０は絶縁体層６５を取り囲んでいる。
第２のシールド手段７０は、例えば銅、アルミニウム、錫をメッキした銅、銀をメッキした銅、ニッケルをメッキした銅、またはアルミニウム化されたポリエステルの様な、金属または金属化されたポリマーで形成されたブレード、箔あるいはワイヤシールドである。本発明の１例では、第２のシールド手段７０は、約３５°のブレード角を有する銅のブレードで形成されている。
【００２４】
第２のシールド手段７０上にジャケット８０が配置される。ジャケット８０は、シリコーンまたはポリオレフィン類例えばポリエチレン、ポリプロピレンまたはポリエチルペンテン；フッ素化ポリマー例えばフッ素化エチレン／プロピレン（ＦＥＰ）；フッ素化アルコキシポリマー例えばパーフルオロ（アルコキシ）アルキラン例えばＴＦＥとパーフルオロプロピルビニルエーテル（ＰＦＡ）の共重合体；ポリウレタン、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）またはポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）または延伸膨張ＰＴＦＥ、で形成される。１例ではジャケット８０はＰＶＣで形成される。
【００２５】
本発明のケーブルアッセンブリの第２の例を図３に示す。この図において、図１の電気信号ライン１０の構成要素と同じ機能を有する電気信号ライン１１０の各構成要素には、１００を増加させた同じ参照符号が用いられている。本発明のこの例では、電気信号ライン１１０のコア中に管状スペーサ１９０を使用し、サブケーブルアッセンブリ１２０は電気信号ライン１１０のコア２００を通る軸の回りにらせん状に巻き付けられている。この例の電気信号ライン１１０を構成するために使用する材料は、上記で使用されたものと同じである。
【００２６】
第２の例の電気信号ライン１１０は、第１の例よりも実質的によりフレキシブルであると言う効果を有している。
図４に電気信号ラインの第３の例を示す。図１の電気信号ライン１０または図２の電気信号ライン１１０の構成要素と同じ機能を有する電気信号ライン２１０の構成要素に対して、更に１００を増加させた同じ参照符号を用いている。この例の電気信号ラインにおいて、複数のサブケーブルアッセンブリ２２０は第１のシールド手段２６０内に配置される前に捩られ、それによって実質的にさらにフレキシブルな電気信号ライン２１０を得ている。この電気信号ライン２１０の構造に使用する材料は、例１において記載されたものと同じである。
【００２７】
サブケーブルアッセンブリ２０、１２０および２２０の製造方法を図５に示す。この製造方法は、上部絶縁体層４０ａおよび下部絶縁体層４０ｂが延伸膨張ＰＴＦＥで形成された一例に対するものである。この方法は米国特許第３０８２２９２号（Gore）において教示されたものと本質的に同じである。サブケーブルアッセンブリ２０、１２０および２２０の構成要素を示すために、第１の例（図１）におけるサブケーブルアッセンブリ２０の構成要素に対して使用されたのと同じ参照番号を、３００を増加させて使用している。複数の個々の信号導体３３０、この複数の個々の信号導体３３０上に位置する上部絶縁体３４０ａ、および複数の個々の信号導体３３０の下に位置する下部絶縁体３４０ｂは、下部絶縁体３４０ｂと上部絶縁体３４０ａ間のボンディングを達成するための十分なラミネート温度、例えば３２７℃と４１０℃間、において、２個の反対方向に回転する圧力ローラー４００ａおよび４００ｂ間を共通に通過する。その結果サブケーブルアッセンブリ３２０が形成される。この目的のために、上部圧力ローラー４００ａには多数の上部円周溝４１０ａが設けられる。この溝はそれぞれ上部円周リブ４２０ａによって分離され、このリブは圧力ローラー４００ａの円周に沿って互いに一定の距離に整列している。同様に、下部圧力ローラー４００ｂには多数の下部円周溝４１０ｂが設けられ、この溝のそれぞれは下部円周リブ４２０ｂによって分離され、このリブは圧力ローラー４００ｂの円周に沿って互いに一定の距離に整列している。上部圧力ローラー４００ａの各上部円周溝４１０ａは隣接する上部円周リブ４２０ａと共に、下部圧力ローラー４００ｂの隣接する下部円周リブ４２０ｂと共に下部円周溝４１０ｂの１個と整列し、個々の信号導体３３０の１個のためのチャネルを形成する。２個の圧力ローラー４００ａ、４００ｂと円周溝４１０ａ、４１０ｂ間の距離は、単一の導体３３０と上部絶縁体３４０ａおよび下部絶縁体３４０ｂが上部円周溝４１０ａの一個と下部円周溝４１０ｂの一個からなるペアの間を連続して通過するように、設計される。上部円周リブ４２０ａおよび下部円周リブ４２０ｂの互いの分離距離は小さく、その結果上部絶縁体３４０ａと下部絶縁体３４０ｂがそれらの位置において共にしっかりと押しつけられ、サブケーブルアッセンブリ３２０中に中間ゾーン４４０が形成される。
【００２８】
サブケーブルアッセンブリ３２０内で、個々の信号導体３３０への下部絶縁体３４０ｂと上部絶縁体３４０ａの接着性および相互の接着性を向上するために、サブケーブルアッセンブリは焼結装置内に導かれ、サブケーブルアッセンブリ３２０の中間ゾーン４４０において十分な結合を達成する様に加熱される。ＰＴＦＥで形成された上部絶縁体３４０ａおよび下部絶縁体３４０ｂを使用した場合は、使用する焼結温度は３２７℃から４１０℃の範囲である。ソルトバスを含む焼結オーブン４５０の形状の焼結装置の一例を、図６に構成的にかつ簡略化した形で示す。この例では、サブケーブルアッセンブリ３２０は焼結オーブン４５０内を連続して通過する。
【００２９】
図７はサブケーブルアッセンブリ６２０の更に他の例を示し、このアッセンブリは、平行な平面中に配置されかつ上部絶縁体層６４０ａおよび下部絶縁体層６４０ｂによって取り囲まれた複数の個々の電気信号導体６３０を含んでいる。サブケーブルアッセンブリ６２０は更に上部絶縁体層６４０ａと下部絶縁体層６４０ｂの外側表面にそれぞれ取り付けられた上部シールド手段６５０ａと下部シールド手段６５０ｂを含んでいる。上部シールド手段６５０ａと下部シールド手段６５０ｂは、例えば銅またはアルミニウム箔、または孔が開けられた銅箔で形成することができる。好ましい例では、それらは銅箔で形成される。上部シールド手段６５０ａと下部シールド手段６５０ｂは、図７に示すように互いに端部６６０ａおよび６６０ｂにおいて結合されている。
【００３０】
図７に示すサブケーブルアッセンブリ６２０の製造は、図５に示しかつ上記で説明したサブケーブルアッセンブリ３２０と類似の方法で実行される。反対方向に回転する圧力ローラー４００ａおよび４００ｂをラミネート温度で通過する上部絶縁体３４０ａおよび下部絶縁体３４０ｂに加えて、上部シールド手段６５０ａおよび下部シールド手段６５０ｂを形成するための材料を反対方向に回転する圧力ローラー間に更に通過させる。この時の温度は、上部シールド手段６５０ａおよび下部シールド手段６５０ｂが端部６６０ａ、６６０ｂにおいて上部絶縁体６４０ａおよび下部絶縁体６４０ｂと相互の間で確実にラミネートされるに十分な温度である。
【００３１】
ラミネートされた上部シールド手段６５０ａおよび下部シールド手段６５０ｂの使用によって、複数のサブケーブルアッセンブリ６２０を有する電気信号ライン１０を、サブケーブルアッセンブリ６２０間にシールドストリップ５０を配置することなく構成する事が可能となる。
例Ａ
図８に本発明のケーブルアッセンブリの他の例の構成を示す。この図において、番号を７００番台に進めた以外は、図１に示すものと同じ構成要素には同じ参照番号を付してある。個々の信号導体７３０は、ＡＷＧ４００１銅ワイヤで形成され、ドイツ国Pleinfeld に所在するW.L. Gore & Associates社によって製造されたGORE-TEXテープである上部絶縁体層７４０ａおよび下部絶縁体層７４０ｂ中に埋め込まれている。それぞれのサブケーブルアッセンブリ７２０は、１６個の個別の信号導体７３０を含んでいる。各信号導体間のピッチ距離ａは、０．３５mmである。４個のサブケーブルアッセンブリ７２０をその間にシールドストリップ７５０を設けることなく互いの上に共に束ねることによって、サブケーブルアッセンブリ束７２５を形成する。次にサブケーブル束７２５の一対を、Statex社によって供給されたKassel銅被覆のポリアミドファブリックで形成されたシールドストリップ７５０と共に配置する。サブケーブルアッセンブリ束７２５の対は、第１のシールド手段７６０を形成しかつKassel銅被覆のポリアミドファブリックによって形成されたチューブ内に挿入される。シールドストリップの一端７５５は第１のシールド手段７６０と電気接触するように配置される。GORE-TEX絶縁テープである絶縁体層７６５はその後第１のシールド手段７６０の回りに巻き付けられる。第２のシールド手段７７０は錫を被覆した銅ブレードで形成され、ポリ塩化ビニールで形成されたジャケット７８０を次に絶縁体層７６５上に滑り込ませる。８個のサブケーブルアッセンブリ７２０と１２８個の個別の信号導体７３０を含む電気信号ラインケーブルアッセンブリ７１０がこの様にして得られる。
【００３２】
例Ｂ
この例は、図１に示すケーブルアッセンブリによって形成される。個々の信号導体３０はＡＷＧ４００１錫メッキの銅ワイヤで形成され、ドイツ国Pleinfeld に所在するW.L. Gore & Associates社によって製造されたGORE-TEX(R) テープである上部絶縁体層４０ａと下部絶縁体層４０ｂ中に埋め込まれている。各サブケーブルアッセンブリ２０は１６個の個々の信号導体３０を含んでいる。個々の信号導体間のピッチ距離ａは０．３５mmである。Statex社によって供給されるKassel銅被覆のポリアミドファブリックで形成されたシールドストリップ５０を各サブケーブルアッセンブリ２０間に配置して、８個のサブケーブルアッセンブリ２０を互いに重ねて共に束ねた。シールドストリップ端５５は第１のシールド手段６０と電気接触するように配置される。８個のサブケーブルアッセンブリ２０を、Kassel銅被覆のポリアミドファブリックで形成されかつ第１のシールド手段６０を形成するチューブ中に滑り込ませ、さらにGORE-TEX絶縁テープである絶縁体層６５をKasselファブリックの回りに巻き付けた。第２のシールド手段７０は錫メッキの銅ブレードで形成され、ポリ塩化ビニールのジャケット８０を第２のシールド手段７０上に滑り込ませた。８個の層と１２８個の信号導体を有する電気信号ラインケーブルアッセンブリ１０がこの様にして得られる。
【００３３】
例Ｃ
これは、ＡＷＧ４２０７銅ワイヤを使用した以外は、例Ｂと同じ方法および材料によって製造された。
比較例
比較の為に、１３２個のミニチュア同軸ケーブルの束を含む一般的なフラットケーブルを使用した。導体は、ＡＷＧ４２０７銀メッキの合金ワイヤと、ｅＰＴＦＥの絶縁体と銀メッキの銅である外側導体で形成した。フルオロポリマーのジャケットを外側導体上に押し出し成形した。次にこの１３２個のミニチュア同軸ケーブルの束の上に錫メッキの銅のブレードシールドを滑り込ませ、ＰＶＣのジャケットチューブをこのブレードシールド上に滑り込ませた。この電気信号ラインアッセンブリは、パーツ番号０２−０７６０５としてW.L. Gore & Associates社から商業的に入手可能である。
【００３４】
表１は、本発明に従って製造した電気信号ラインの電気的および機械的特性を、W.L. Gore & Associates社から入手可能な電気信号ラインである比較例のケーブルと、比較したものである。
【００３５】
【表１】

例ＡおよびＢに対して、５個の値が漏話に対して与えられている。信号／信号値は、同一のサブケーブルアッセンブリ２０内のいずれかの隣接する２個の電気信号導体３０間の漏話である。例Ａに対して、サブケーブル１／サブケーブル２に対する値は、同一のサブケーブルアッセンブリの束７２５内の、即ち２個の隣接するサブケーブルアッセンブリ７２０間にシールドストリップ７５０を有しない、２個の隣接するサブケーブルアッセンブリ７２０中の２個の対応する電気信号導体７３０間の漏話である。サブケーブル１／サブケーブル３の値は、同一のサブケーブルアッセンブリ束７２５内で一個のサブケーブルアッセンブリ７２０によって分離された２個のサブケーブルアッセンブリ７２０中の２個の対応する電気信号導体７３０間の漏話である。同様に、サブケーブル１／サブケーブル４の値は、同一のサブケーブルアッセンブリ束７２５中の２個のサブケーブルアッセンブリ７２０によって分離された２個のサブケーブルアッセンブリ７２０、即ち１個のサブケーブルアッセンブリ束７２５中の第１および最終のサブケーブルアッセンブリ７２０中の対応する２個の電気信号導体７３０間の漏話である。例Ａの束／束漏話の値は、シールドストリップ７５０に直接隣接するサブケーブルアッセンブリ７２０中の、即ち１個のサブケーブルアッセンブリ束７２５中の第１のサブケーブルアッセンブリ７２０と別のサブケーブルアッセンブリ束７２５中の最終のサブケーブルアッセンブリ７２０中の対応する２個の電気信号導体７３０間の漏話を測定する事によって得られる。
【００３６】
例ＢおよびＣの漏話値は、勿論異なるサブケーブルアッセンブリ２０中の２個の電気信号導体３０間に常に少なくとも１個のシールドストリップ５０が存在することを除いて、同様の方法で測定される。例ＢおよびＣのサブケーブルアッセンブリ２０は束ねられていないので、束／束漏話の値は存在しない。比較例に対して与えられた漏話に対する値は、任意の２個の隣接する電気信号導体間で測定された値である。
【００３７】
この表から、本発明に従って製造された電気信号ラインが比較例に比べて遙に速い信号伝搬速度を有していることが理解される。電気信号導体を適切に選択することによって、少なくとも比較例におけるものと比較しうる程度に漏話を減少させることが可能である。実施に当たっては勿論、２０ｄＢ以上の値が許容できるとして知られている。同じ長さのラインに対して、この発明の電気信号ラインは実質的により軽量である。即ち、１３２個のラインに対して、２５％の重量減少が達成される。
【００３８】
例Ｄ−Ｍ
表２は、図１に示す例に従って構成されたこの発明の他の例の結果を示す。
【００３９】
【表２】

信号導体として銅ワイヤが使用される。ＡＷＧ４６０７銅ワイヤは外径０．０４８mmを有している。ＡＷＧ３８０７の外径は０．１２mmである。ＡＷＧ２８０７の外径は０．３８１mmである。ｅＰＴＥＦ誘電体の比誘電率は１．３であり、ＦＥＰの比誘電率は２．１である。
【００４０】
表２から、誘電体、導体および信号導体間の距離を適切に選択する事によって、５０Ωと２００Ω間の特性インピーダンスを有する電気信号ケーブルアッセンブルを構成することが可能である。
例Ｎ−Ｐ
表３は、図１に示すケーブルアッセンブリの構造に従って構成されてはいるが、異なった誘電材料を用いた別の例を示す。
【００４１】
【表３】

例Ｎ−Ｐでは、外径０．０９mmのＡＷＧ４００７銅ワイヤを用いた。誘電材料ＰＦＡおよびポリエチレン（ＰＥ）は比誘電率２．１を有している一方で、ポリエステルは比誘電率２．３を有している。本発明の数例について上記で詳細に説明したが、この技術分野の当業者にとって、ここに記載した新規な技術および効果を実際的に離れることなく多くの変更が可能であることは、容易に認識されることである。従って、この様な全ての変更は、以下の請求の範囲に定義するこの発明の範囲内に含まれるべきものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による電気信号ラインケーブルアッセンブリの一例を示す。
【図２】 本発明の電気信号ラインケーブルアッセンブリの製造方法を示す。
【図３】 本発明による電気信号ラインケーブルの他の例を示す。
【図４】 本発明による電気信号ラインケーブルのさらに他の例を示す。
【図５】 前記電気信号ラインケーブルにおけるサブケーブルアッセンブリを製造するための装置を示す。
【図６】 前記サブケーブルアッセンブリの製造において使用される焼成装置を示す。
【図７】 本発明において適切に使用されるサブケーブルアッセンブリの更なる例を示す。
【図８】 本発明による電気信号ラインケーブルのさらに他の例を示す。
【符号の説明】
１０、１１０、２１０、７１０…電気信号ケーブルアッセンブリ
２０、１２０、２２０、３２０、６２０、７２０…サブケーブルアッセンブリ
３０、１３０、２３０、３３０、７３０…信号導体
４０ａ、３４０ａ、６４０ａ、７４０ａ…上部絶縁体
４０ｂ、３４０ｂ、６４０ｂ、７４０ｂ…下部絶縁体
５０、１５０、２５０、６５０、７５０…シールドストリップ
６０、２６０、７６０…第１のシールド手段
７０、１７０、２７０、７７０…第２のシールド手段
８０、２８０、７８０…ケーブルジャケット
９０、２９０、７９０…クレセント型スペーサ

Claims (10)

1. 管状スペーサ（１９０）の回りに同心円状に巻きつけられた少なくとも１つのサブケーブルアッセンブリ（１２０）と、
   前記サブケーブルアッセンブリ（１２０）を介して前記管状スペーサ（１９０）の回りに同心円状に巻きつけられたシールドストリップ（１５０）と、更に
   前記シールドストリップ（１５０）を介して前記管状スペーサ（１９０）の周りに同心円状に巻きつけられる少なくとも一個の更なるサブケーブルアッセンブリ（１２０）、を具備する電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
2. 前記少なくとも１個のサブケーブルアッセンブリ（１２０）は複数の電気導体（１３０）を具備し、更に、前記複数の電気導体の少なくとも１個はＡＣ接地電位に接続可能であり、更に、前記複数の電気導体の別の少なくとも１個は信号に接続可能である、請求項１に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
3. 前記更なるサブケーブルアッセンブリ（１２０）の周りに外側シールド( １７０)が配置されている、請求項１または２に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
4. 前記更なるサブケーブルアッセンブリ (１２０)及び前記外側シールド（１７０)間に絶縁体層（１６５）が配置されている、請求項３に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
5. 前記外側シールド（１７０）上にジャケット（１８０）が配置されている、請求項３または４に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
6. 更に、第３のサブケーブルアッセンブリ（１２０）と更なるシールドストリップ（１５０）を備え、前記第３のサブケーブルアッセンブリ（１２０）は前記更なるシールドストリップ（１５０）を介して前記更なるサブケーブルアッセンブリ（１２０）上に巻きつけられている、請求項１乃至５の何れか１項に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
7. 前記少なくとも１個のサブケーブルアッセンブリ（１２０）は、複数の電気導体（１３０）をその中に配置した、下部絶縁体（４０ｂ）に取り付けられた上部絶縁体（４０ａ）を含む、請求項１乃至６の何れか１項に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ（１１０）。
8. 前記少なくとも１個のサブケーブルアッセンブリ（１２０）の前記絶縁体（４０ａ、４０ｂ）は、パーフルオロアルコキシ、フルオロエチレン−プロピレン、ポリエステル、ポリエチレン及びポリプロピレンを含むポリオレフィン、ポリメチルペンタン、全密度(ｆｕｌｌ ｄｅｎｓｉｔｙ）ポリテトラフルオロエチレンまたは延伸膨張ポリテトラフルオロエチレンからなる絶縁材料のグループから形成される、請求項７に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ。
9. 前記少なくとも１個のサブケーブルアッセンブリ（１２０）の絶縁体(４０ａ、４０ｂ）は、延伸膨張したポリテトラフルオロエチレンから形成される、請求項７に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ。
10. 前記少なくとも１個のサブケーブルアッセンブリ (１２０)の絶縁体(４０ａ、４０ｂ）は全密度ポリテトラフルオロエチレンから形成される、請求項７に記載の電気信号ケーブルアッセンブリ。

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