JP3670674B2 - ガス検出方法及びガス検知装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、低温活性のガスを検知するガス検知方法及びガス検知装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来金属酸化物半導体からなるガスセンサを用いてガス検知を行うものとしては特公昭53−43320号や、実公平2−20682号に示されるようなものがある。これら従来例は、ガスセンサに内蔵してあるヒータの印加電圧を高くする期間と、低くする期間とを交互に一定周期で切換えて高温状態と低温状態とを交互に設定し、高温状態で半導体膜面に付着した吸着ガスを取り除くクリーニングを行い、低温側でガス検知を行うようにしたものである。
【0003】
この場合の検知対象ガスは、いずれも低温で感度ピークを持つガスであり、例えば一般にSnO2等の半導体ガスセンサを用いた場合COに対しては約80〜100℃付近に最大感度を有するため、後者の従来例では低温側温度をCOに対する感度が最大付近となるように60℃〜100℃に設定している。ところが、このように低い温度に設定した場合、ガスセンサのガスレスポンスは非常に遅く、そのため後者の従来例では低温状態の期間を30〜180秒としている。また現在の市場では低温状態の期間を90秒程度としたものが主に出回っている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
何れにしても上記のような高温状態の期間と、低温状態の期間とを交互に設定する従来例においては高温状態の期間が60秒程度設定されるため、低温状態の期間と併せると、90乃至250秒といった長時間のデッドタイムが生じ、COのように危険性の高いガスを検知する場合には警報遅れとなり、惨事発生の恐れがあった。
【0005】
このような問題を解消する方法は、ガスセンサの熱容量を小さくしてガスレンスポンスを早めることが必要であったが、ヒータや電極の構造上の問題により、余り熱容量の小さなものが実現できなかった。一方混合ガスにおいてガス種を弁別する方法としては特開平1−313750号のように見られるようにガス種のレスポンスの相違で行うものがあるが、しかしながらこの場合においてもガスセンサの平衡に至るまでの時間が長くなって、その結果COのように危険性の高いガスを検知する場合には警報遅れとなり、惨事発生の恐れがあった。またこの熱容量の大きい素子では短時間でクリーニングを行うための所定温度に上昇させるには高い電圧をヒータに通電しなければならないが、熱衝撃が大きくてヒータの断線等が起きるという問題があり、しかも熱容量が大きいため加熱に必要とする電力が大きくなり小容量の電池電源等を用いる携帯用のガスセンサ等には不向きであった。
【0006】
本発明は上記の問題点に鑑みて為されたもので、その目的とするところは熱容量が小さく、クリーニングの加熱時間が短く済むと共に検知のための低温状態を短時間で得られ、且つ小さな電力でクリーニング期間と、検知期間の加熱が行え、しかも検知対象のガス種をクリーニング期間終了後の短い時間内で検知することができるガス検知方法及びガス検知装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項1の発明のガスセンサでは、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くしガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを夫々の期間を固定して交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別することを特徴とする。
【0009】
請求項2の発明のガス検知方法では、請求項1の発明において、高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定したことを特徴とする。
請求項3の発明のガス検知方法では、請求項1の発明において、検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象ガスのレスポンス特性より離れるように低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定するものである。
請求項4の発明のガス検知装置では、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの検知電極の一端が直列接続される負荷抵抗の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグランド側端との間に定電圧を印加する定電圧電源と、ガス感応金属酸化物半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加するとともに、印加期間を周期的に変化させてガスセンサの温度を周期的に変化させ夫々の期間を固定した高温状態期間と低温状態期間とを設定する温度制御手段と、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段とを備えたことを特徴とする。
請求項5の発明のガス検知装置では、請求項4の発明において、上記ガス検出手段は、ガスセンサの高温状態期間から低温状態期間、低温状態期間から高温状態期間に切り換えてからのガス感応金属酸化物半導体の抵抗値の挙動に応じて検知ガス種の弁別を行うことを特徴とする。
【0010】
【作用】
請求項1の発明によれば、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くしガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを夫々の期間を固定して交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するので、上記ガスセンサの、熱容量が小さくて熱平衡に達する時間が短く、しかも加熱冷却による熱衝撃に強い構造となるため、高温でクリーニングを行うことが可能となり、そのためクリーニングに要する加熱期間を短くでき、更に加熱期間の終了後ガス検知のための低温状態を短時間で得ることができるという特徴を生かして、低温状態の期間を長くとることなく検知対象のガスを素早く弁別検知することができ、CO等の危険性の高いガスの素早い検知等により惨事発生の回避を可能とする。
【0012】
請求項2の発明によれば、請求項1の発明において、高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定したので、熱容量が小さく且つ熱衝撃に強い請求項1のガスセンサを用いることとあいまって、小さな電力で所定の温度のクリーニングのための期間を短時間で得ることができ、そのためガス検知を行うまでの時間を短くすることができ、更に小さい電力で加熱ができるため小容量の電池電源を使用する携帯用のガス検知装置にも使用が可能となる。
【0013】
請求項3の発明によれば、請求項1の発明において、検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象ガスのレスポンス特性より離れるように低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定するので、電圧設定及び期間の長さ設定のみで簡単に所望のガスを弁別検知するガス検知装置を実現することが可能となる。
請求項4及び請求項5の発明によれば、請求項1乃至3の検知方法の特徴を生かしたガス検知装置を提供することができる。
【0014】
【実施例】
(実施例1)
本実施例のガスセンサ2は、図1(a)(b)に示すように外形形状がラクビーボール状若しくは楕円球状に形成したSnO2に貴金属触媒を加えたガス感応金属酸化物半導体2c中に貴金属線(25μφ以下)からなるヒータ兼用電極コイル2aを埋設し、このヒータ兼用電極コイル2aの内部に貴金属線(25μφ以下)からなる検知電極2bを設けた構造のものであり、ガス感応金属酸化物半導体2cのヒータ兼用電極コイル2aの長手方向の寸法aを約0.4mmとするとともに、長手方向に対して直交する方向の断面の直径bを約0.4mmとし、また電極コイル2aの内径rと、ヒータ兼用電極コイル2aの長さlとの関係を1:1乃至4の範囲に設定したものである。
【0015】
而して本実施例のガスセンサ2は図1(c)に示すように樹脂ベース6に横一列に植設した端子7に接続してあるヒータ兼用電極コイル2aの両端及び検知電極2bをワイヤボンディングにより接続することにより保持されるとともに樹脂ベース6に被着した金属製パッケージ8で被蔽され、金属製パッケージ8の上面の開口よりメッシュ9を介して金属パッケージ8内に浸入するガスと接触するようになっている。
【0016】
(実施例2)
本実施例のガスセンサ2は、構造的には実施例1と同じであるが、ガス感応金属酸化物半導体2cのヒータ兼用電極コイル2aの長手方向の寸法aを約0.6mmとし、且つ長手方向に対して直交する方向の断面の直径bを約0.5mmとしたものである。
【0017】
(実施例3)
本実施例のガスセンサ2は、構造的には実施例1、2と同じであるが、ガス感応金属酸化物半導体2cのヒータ兼用電極コイル2aの長手方向の寸法aを約0.8mmとし、且つ長手方向に対して直交する方向の断面の直径bを約0.65mmとしたものである。
【0018】
以上のように構成した実施例1〜3のガスセンサ2の電極コイル2aに0.9Vの直流電圧を所定時間印加した後、印加電圧をオフしてそのオフ時から各ガスセンサ2の検知電極2bとヒータ兼用電極コイル2aとの間の抵抗値Rsの変化を各ガス種(空気(air)、H2 、CO)毎に測定してみたところ、図2(a)〜(c)のような特性が得られた。
尚上記電圧印加時間は夫々のガスセンサ2の熱平衡時間の略3倍とし、実施例1,2のガスセンサ2では3秒間、実施例3のガスセンサ2では5秒間となった。
【0019】
さて図2(a)(b)の特性から分かるように実施例1、2のガスセンサ2は空気に対しては電圧印加のオフ直後から抵抗値Rsが高抵抗値となって数秒後には最大値を示し、その後徐々に低下するが、COに対しては印加電圧のオフ直後から抵抗値Rsが高抵抗値となってその後急速に低下し、6〜7秒後には空気に対して示す抵抗値Rsとの比が最大となる。またH2に対しては印加電圧のオフから数秒経過した後最大となってその後徐々に低下し、途中2〜3秒でCOに対して示す抵抗値Rsと逆転する。
【0020】
また図2(c)から分かるように実施例3のガスセンサ2は実施例1,2とはやや異なり空気に対しては印加電圧のオフから1〜2秒で抵抗値Rsが急速に増加し、以後は徐々に増加して行き15秒経過迄には最大値は現れてこない。またCOに対しては印加電圧のオフから1〜2秒で抵抗値Rsが最大値に達するが、その変化は実施例1,2のガスセンサ2に比べて少なく、最大値を経過した後は徐々に低下する。またH2に対しては実施例1、2のガスセンサ2のように印加電圧のオフ直後の抵抗値Rsの急速な増加はなく、始めから徐々に増加して行き、COに対する抵抗値Rsとの逆転は略10秒経過後に起き、実施例1、2のガスセンサ2の2秒〜3秒経過後に比べて遅い。従って実施例3のガスセンサ2の場合、H2に対する抵抗値Rsは印加電圧のオフから数秒で空気に対する抵抗値Rsとの比が最大となり、またCOに対する抵抗値Rsとの差も大きく、この時点で検出すればH2を選択的に検知できることになる。
【0021】
次に構造的には実施例1〜3のガスセンサ2と同じであるが、ガス感応金属酸化物半導体2cのヒータ兼用電極コイル2aの長手方向の寸法aを約1.0mmとして且つ長手方向に対して直交する方向の断面の直径を0.9mmとしたものを比較例として作成し、上記実施例1〜3のガスセンサ2と同様な特性を測定してみたところ、約400℃に達する迄に10秒程度の電圧印加を必要とし、また印加電圧のオフ後の特性も図2(d)に示すように従来からある、例えば後述する図3のガスセンサ2’と同様な特性となった。つまり比較例の場合、COの検知を感度良く行おうとすれば、空気に対する抵抗値Rsができるだけ高抵抗値で、H2に対する抵抗値Rsと逆転する時点以後ということになり、結果少なくとも印加電圧のオフから10秒経過後の検知動作ということになり、デッドタイムが20秒以上となる。
【0022】
このような実験を繰り返すことにより、ヒータ兼用電極コイル2aの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体2cの外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下とすれば、所定温度まで加熱するために直流電圧をヒータ兼用電極コイル2aに印加する時間が短く、また加熱停止から低温状態で熱平衡するまでの時間が短い所望する特性のガスセンサ2が得られることが分かった。
【0023】
更に図1に示す実施例1のガスセンサ2は0.9Vの直流電圧をヒータ兼用電極コイル2aに印加して熱平衡した時点で電圧印加をオフした時から室温まで低下する時間と、図3に示すようにヒータコイル2a’と検知電極2b’とを別体にガス感応金属酸化物半導体2cに埋設した従来構造のガスセンサ2’のヒータコイル2a’に約1.2Vの電圧を印加して熱平衡した時点で電圧印加をオフしたときから室温まで低下する時間とを測定したところ図4に示すような結果(イ)、(ロ)が得られた。この結果(イ)、(ロ)から図4の従来例構造に比べて加熱時、冷却時における熱平衡に要する時間が実施例1の場合極めて短いことが分かった。
【0024】
尚上記実施例1乃至3について650℃に加熱する電圧を3秒間印加し、略室温に戻るまでに要する略7秒間電圧の印加を停止することにより加熱冷却の熱衝撃実験を繰り返したところ、130万回以上の繰り返しでも何等トラブルが生じなかった。上記実施例1乃至3で示された請求項1の発明に対応するガスセンサ2は、加熱を終了した後熱平衡するまでに各種ガスに対する相対的な感度差が大きい点に特徴があり、この点に注目し、ガス種のレスポンス特性の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するようにしたものが請求項2乃至4記載のガス検知方法にかかわる発明であり、以下これら発明の実施例について説明する。
【0025】
(実施例4)
本実施例では、図9に示す回路を用いて実施例1におけるガスセンサ2の温度が約400℃となるように図8に示す如く0.9Vの直流電圧VHをガスセンサ2の内蔵ヒータ兼用電極コイル2aに3秒間印加した後に、0.2Vの直流電圧VHに切り換えて約60℃の温度となるように設定した時の、空気及びH2、C2H5OH、COの一定量(100pmm)の各種ガスに対するガスセンサ2の抵抗値Rs変化を測定してみたところ、図10に示すようにガスセンサ2の空気に対する抵抗値変化は(イ)、H2に対する抵抗値変化は(ロ)、C2H5OHに対する抵抗値変化は(ハ)、COに対する抵抗値変化は(ニ)のようになった。この測定結果から低温状態に切り換えた時点から数秒乃至十数秒迄のレスポンス変化は夫々のガス特有の変化が見られることが分かった。
【0026】
そして高温状態(400℃)の期間(3秒間)と、低温状態(60℃)の期間(7秒)とを交互に繰り返して空気、H2(100pmm)、CO(100pmm)、H2S(100pmm)、H2(1000pmm)、CO(1000pmm)、H2S(1000pmm)の場合についてガスセンサ2のヒータ兼用電極コイル2aのグランド側端と検知電極2b間の両端電圧を測定してみたところ図11(a)乃至(g)に示すような結果が得られ、この結果からレスポンスパターンの再現性が良好であることが確認できた。
【0027】
また空気、CO(1000ppm)、H2S(10ppm)、NO2 (10ppm)、CH4(1000ppm)、C2H5OH(1000ppm)を検知する場合のガスセンサ2の温度とガスセンサ2の抵抗値Rsの関係を測定したものが図12である。測定方法は各々の温度で抵抗値Rsが安定するまで待って測定したもので、低温では空気の場合30分後に、その他のガス場合各々5分後に、中高温では2分後に夫々測定したものである。
【0028】
この図12からH2S、CO等のガスは低温度側に感度ピークが存在し、また各ガスによって感度ピークを示す温度の異なっていることが分かる。しかし低温に感度ピークを有するガスを検出する場合、平衡状態に達してから測定すると、レスポンスが遅く長時間かかるため実用的でない。ところが、実施例4の場合、図11に示したように高温状態から低温状態に切り換えた時のレスポンス変化は図2に示したオフ時のレスポンス変化に近く、図12の温度変化とは必ずしも一致しないが、この両者が組み合わされてガス特有の特性を発現することが判明した。
【0029】
従って、高温状態下での温度、時間、低温状態下での温度、時間を適宜に選ぶことにより、簡単にガス弁別が行える上に、短時間で検知対象ガスを検知することができる。図5は上記結果に基づいて実現したガス検知装置の一例を示しており、この装置では、交流電源電圧を一定の直流電圧Vccに定電圧回路1で変換したのち、この直流電圧Vccをスイッチング素子たるトランジスタQとガスセンサ2のヒータ兼用電極コイル2aとの直列回路に印加するとともに、負荷抵抗Rとガスセンサ2との直列回路に印加し、更にガスセンサ2の検知状態の監視とヒータ兼用電極コイル2aに印加する電圧VHのスイッチング制御とを行う信号処理部3に印加している。
【0030】
信号処理部3はタイマ32と、ガスセンサ2の温度が高温状態となる期間とガスセンサ2の温度が低温状態となる期間とをタイマ32の計時出力により交互に設定し且つ高温状態期間でのトランジスタQのオンデュティと低温状態期間でのトランジスタQのオンデュティとを駆動回路33を通じて制御する機能及び低温状態期間の所定タイミングで取り込んだガスセンサ2の電圧値と予め設定してある基準値とから汚染度を判定するとともに汚染度と予め設定してある警報動作閾値とを比較して汚染度が警報動作閾値を越えたときに警報制御出力回路37を通じて外部に警報信号を出力する機能を備えた演算制御回路34と、負荷抵抗Rの両端電圧をA/D変換するA/D変換回路31と、デジタル変換された負荷抵抗Rの両端電圧値を再度D/A変換してアナログ出力として外部に出力するD/A変換回路35と、上記基準値や警報動作閾値を格納するメモリ26と、実際には1チップのマイクロコンピュータにより構成される。
【0031】
警報信号は外付けのブザー3の駆動制御や警報表示用の発光素子LEDの駆動制御等に用いられ、また換気装置等の外部機器の制御のための接点出力となる。信号処理部3の外付け回路として設けた温度補償回路4はA/D変換される負荷抵抗Rの両端電圧をガスセンサ2の温度特性に対応して補正し、温度の影響を無くすためのものである。
【0032】
而して検知対象ガスをCOとした場合、所定量のCOに対応してガスセンサ2が示す抵抗値Rsが最小値付近となり且つ非検知対象ガスを検知した時に示すガスセンサ2の抵抗値Rsからかけ離れるガスセンサ2の温度を図10の温度−抵抗値特性から求めて、高温状態期間の長さ及び低温状態期間の長さと各期間におけるトランジスタQのオンデュティを定めて、演算制御回路24の動作プログラムにセットしておく。
【0033】
ここでは実際には高温状態期間では、約0.9Vの電圧をヒータ兼用電極コイル2aに連続的に印加した場合と同じ温度(約400℃)でガスセンサ2を加熱することができるように、図6(a)の如くオンデュティが0.4msecで周期が10msecのパルス信号でトランジスタQをオンオフしてヒータ兼用電極コイル2aの印加電力の平均値が電圧換算で約0.9Vになるようにし、且つその期間を3秒としてある。
【0034】
また低温状態期間では、約0.2Vの電圧をヒータ兼用電極コイル2aに連続的に印加した場合と同じ温度(約60℃)でガスセンサ2を加熱することができるように、図6(b)の如くオンデュティが0.03msecで周期が10msecのパルス信号でトランジスタQをオンオフしてヒータ兼用電極コイル2aの印加電力の平均値が電圧換算で約0.2Vになるようにし、且つその期間を7秒としてある。
【0035】
かように構成された図5の装置では、高温状態期間と低温状態期間とが交互に切り換えられ、低温状態期間において、ガスセンサ2の温度がCOの感度ピークになる時点、つまり約7秒後に演算制御回路34がA/D変換した負荷抵抗Rの両端電圧を取り込み汚染度を判定するとともに警報動作閾値と比較し、警報動作閾値を越えている場合には警報信号を出力するのである。
【0036】
このようにして検知対象ガスに応じて低温状態期間の長さとトランジスタQのオンデュティの長さを設定することにより、短時間で且つ確実に検知対象ガスを検知することができるのである。
(実施例5)
上記実施例4に用いる装置はガスセンサ2のヒータ兼用電極コイル2aに印加する電圧をスイッチング制御により設定しているが、連続制御により設定するようにしても良い。
【0037】
図7はこの連続制御を行う装置の回路を示しており、この装置では定電圧回路1の出力端間にヒータ兼用電極コイル2aと直列制御用のトランジスタQ2との直列回路を接続し、トランジスタQ2の基準電圧を決めるオペアンプOPの非反転入力端の電圧値をトランジスタQ1のオン/オフで切り換えてトランジスタQ2の基準電圧を2段階に切り換えるようになっている。
【0038】
トランジスタQ1のオン/オフ制御は演算制御部34から駆動回路33を介して出力される制御信号により行われ、トランジスタQ1をオンする期間とオフ期間は高温状態期間と低温状態期間に対応しており、その設定はタイマ32の計時出力に基づいて行なわれる。
而して図7の装置においても検知対象ガスがCOの場合には図8に示すように高温状態期間を3秒とするとともにヒータ兼用電極コイル2aの印加電圧を約0.9Vとし、低温状態期間を7秒とするとともにヒータ兼用電極コイル2aの印加電圧を約0.2Vとすれば、他のガスと弁別して短時間で検知することができることになる。
【0039】
また夫々の期間と印加電圧を設定することにより、他のガスの検知も行えるのは言うまでもない。尚上記各装置は検知対象ガスを一種としているが、ガス種によってレスポンスのパターンが異なっていることを利用し、予め各ガスに対するガスセンサ2の抵抗値Rsレスポンスパターンを記憶しておき、低温状態期間に切り換わった時に呈するガスセンサ2の抵抗値変化と比較することによりガス弁別と検知を行うようにすれば、多種のガスに1台の装置で対応させることができる。
【0040】
またガスセンサ2に熱時定数の小さい素子を用いれば検知時間をより短くすることができる。またFe2O3,ZnO2系のガスセンサ2を使用しても良い。更に耐久性から言えばヒータ兼用電極コイル2aと電極を半導体チップ内に埋め込んだ一体構造型のものが望ましいが平板積層型のガスセンサ2を使用しても良い。
【0041】
【発明の効果】
請求項1の発明は、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くしガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを夫々の期間を固定して交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するので、上記ガスセンサの、熱容量が小さくて熱平衡に達する時間が短く、しかも加熱冷却による熱衝撃に強い構造となるため、高温でクリーニングを行うことが可能となり、そのためクリーニングに要する加熱期間を短くでき、更に加熱期間の終了後ガス検知のための低温状態を短時間で得ることができるという特徴を生かして、低温状態の期間を長くとることなく検知対象のガスを素早く弁別検知することができるという効果がある。
【0043】
請求項2の発明は、請求項1の発明において、高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定したので、熱容量が小さく且つ熱衝撃に強い請求項1のガスセンサを用いることとあいまって、小さな電力で所定の温度のクリーニングのための期間を短時間で得ることができ、そのためガス検知を行うまでの時間を短くすることができ、更に小さい電力で加熱ができるため小容量の電池電源を使用する携帯用のガス検知装置にも使用が可能となるという効果がある。
【0044】
請求項3の発明は、請求項1の発明において、検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象ガスのレスポンス特性より離れるように低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定するので、電圧設定及び期間の長さ設定のみで簡単に所望のガスを弁別検知するガス検知装置を実現することが可能となるという効果がある。
請求項4の発明は、円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの検知電極の一端が直列接続される負荷抵抗の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグランド側端との間に定電圧を印加する定電圧電源と、ガス感応金属酸化物半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加するとともに、印加期間を周期的に変化させてガスセンサの温度を周期的に変化させ夫々の期間を固定した高温状態期間と低温状態期間とを設定する温度制御手段と、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段とを備えたので、熱容量が小さく且つ熱衝撃に強い上記ガスセンサを用いることとあいまって、小さな電力で所定の温度のクリーニングのための期間を短時間で得ることができ、そのため低温状態の期間を長くとることなく検知対象のガスを素早く弁別検知することができ、更に小さい電力で加熱ができるため小容量の電池電源を使用する携帯用のガス検知装置を提供することも可能となるという効果がある。
請求項5の発明のガス検知装置では、請求項4の発明において、上記ガス検出手段は、ガスセンサの高温状態期間から低温状態期間、低温状態期間から高温状態期間に切り換えてからのガス感応金属酸化物半導体の抵抗値の挙動に応じて検知ガス種の弁別を行うので、電圧設定及び期間の長さ設定のみで簡単に所望のガスを弁別検知するガス検知装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は請求項1の発明の各実施例1〜3に対応するガスセンサの概略構成図である。
(b)は同上のヒータ兼用電極コイルと検知電極の概略構成図である。
(c)は同上の外観斜視図である。
【図2】同上の各実施例1〜3の抵抗値変化の測定説明図である。
【図3】同上の実施例と比較する従来例の概略構成図である。
【図4】同上の実施例と同上従来例の熱平衡の比較説明図である。
【図5】請求項2の発明に対応する実施例4のガス検知方法を用いたガス検知装置の回路構成図である。
【図6】同上のガスセンサのヒータの電圧制御を説明するためのタイミングチャートである。
【図7】請求項3の発明に対応する実施例5のガス検知方法を用いた別のガス検知装置の回路構成図である。
【図8】同上のガスセンサのヒータの電圧制御を説明するためのタイミングチャートである。
【図9】本発明の原理説明用のレスポンス測定用の回路図である。
【図10】同上で測定して得られた各種ガスのレスポンスパターン図である。
【図11】同上で測定して得られた各種ガスのレスポンスの再現性の説明図である。
【図12】各ガスに対応するガスセンサの温度と抵抗値との関係説明図である。
【符号の説明】
2 ガスセンサ
2aヒータ兼用電極コイル
2b 検知電極
2c ガス感応金属酸化物半導体
Claims (5)
- 円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの内蔵ヒータに印加する電圧を高くしガスセンサのクリーニングを行う高温状態期間と、印加電圧を低くして低温で感度ピークを持つガスの検知を行う低温状態期間とを夫々の期間を固定して交互に繰り返し、低温状態期間におけるガス種のレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別することを特徴とするガス検知方法。
- 高温状態期間、低温状態期間の印加電圧は各期間において所定周期で断続させた電圧の平均値により設定したことを特徴とする請求項1記載のガス検知方法。
- 検知対象ガスのレスポンス特性が非検知対象ガスのレスポンス特性より離れるように低温状態期間の長さ及び印加電圧を設定することを特徴とする請求項1記載のガス検知方法。
- 円球、楕円球等の略球体状に形成されたガス感応金属酸化半導体中に貴金属線からなるヒータ兼用電極コイルを埋設するとともにヒータ兼用電極コイルの内部に貴金属からなる検知電極を設けて形成され、ヒータ兼用電極コイルの長手方向に対応するガス感応金属酸化半導体の外形寸法を約0.8mm以下とし且つ上記長手方向に直交する外形寸法を約0.7mm以下としたガスセンサを用い、該ガスセンサの検知電極の一端が直列接続される負荷抵抗の他端と、ヒータ兼用電極コイルのグランド側端との間に定電圧を印加する定電圧電源と、ガス感応金属酸化物半導体外に導出したヒータ兼用電極コイルの両端間に直流のヒータ電圧を間歇的に印加するとともに、印加期間を周期的に変化させてガスセンサの温度を周期的に変化させ夫々の期間を固定した高温状態期間と低温状態期間とを設定する温度制御手段と、ガスセンサの検知電極の電圧をガス検出信号として取り込み、低温で感度ピークを持つガス種の、低温状態期間におけるレスポンス特性の変化の相違に基づいて検知対象ガスを弁別するガス検出手段とを備えたことを特徴とするガス検知装置。
- 上記ガス検出手段は、ガスセンサの高温状態期間から低温状態期間、低温状態期間から高温状態期間に切り換えてからのガス感応金属酸化物半導体の抵抗値の挙動に応じて検知ガス種の弁別を行うことを特徴とする請求項4記載のガス検知装置。
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