JP3664988B2 - 低電力lsi設計方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は低電力LSI設計方法に関し、特にASIC等のカスタムLSIに適用可能な低電力LSI設計方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
プロセスの微細化によるLSIの回路規模の増大及び高速化に伴って、一般に、LSIの消費電力は増加しており、この消費電力をより低減する手法が検討され始めている。
【0003】
この種の大規模化LSIの代表として、ASIC(特定応用専用半導体集積回路)を含むカスタムLSIがあげられる。従来、ASICの設計フローでは、論理合成時に消費電力の最適化が行われていた。
【0004】
従来のASIC(以下、低電力LSI)の設計方法をフローチャートで示す図8を参照してその動作について説明すると、この従来の低電力LSI設計方法は、まず、機能設計ステップS1による機能実現のために論理合成ステップS2で論理合成を行い、回路接続情報L1を生成する。なお、この論理合成時に、消費電力最適化ツールによって低電力化を行っている。
【0005】
続いて、回路接続情報L1と論理パタンL2を読み込み、論理シミュレーションステップS3で論理検証を行い、その期待値のパターン通りに回路が動作するかを検証する。
【0006】
論理シミュレーションステップS3で論理検証を行った結果を結果判断ステップS4で判断し、問題があれば(NO)回路修正ステップS10へ進み、回路修正ステップS10で回路修正後、機能ステップS1に戻る。問題が無ければ(OK)、配置配線ステップS5に進む。
【0007】
次に、回路接続情報L1と配置配線用ライブラリL3を用いて、配置配線ステップS5を実施し、レイアウトライブラリL5と抵抗・容量付き回路接続情報L4を生成すると共に、レイアウト検証ステップS7とバックアノテーションステップS6に分岐する。
【0008】
まず、レイアウト検証ステップS7へ分岐した場合について説明する。レイアウト検証ステップS7でレイアウト検証を実施した後、エラーがあるかをエラー判断ステップS9で判定し、エラーがある場合には、レイアウト修正ステップS11へ進み、レイアウト修正後配置配線ステップS5に戻る。
【0009】
また、バックアノテーションステップS6へ分岐した場合は、バックアノテーションステップS6でバックアノテーションを実施し、この結果が問題ないか結果判断ステップS8で判定を行い、エラーがあれば(NO)、レイアウト修正ステップS11へと進み、レイアウト修正後配置配線ステップS5に戻る。結果判断ステップS8でエラーが無い場合には(OK)、レイアウト検証ステップS7の結果のエラー判断ステップS9の結果と併せて、レイアウトを完了する。
【0010】
このような従来の低電力化LSIの設計法により設計されたASICであっても、LSIで使用しているフリップフロップ(FF)の消費電力割合は、LSIの全消費電力に対して4割弱と非常に多く占める場合もあり、低電力FFの開発が求められている。
【0011】
実際に、先述の論理合成ステップS2において、FFでの消費電力を抑圧する現在の手法には、論理合成時において、主に二つの方法が用いられている。
【0012】
その一つは、ゲーテッドクロックにより不要なFFのクロック動作を停止させる方法であり、第二は、ある論理セルに対して駆動能力のバラエティを揃えておき、より低電力となる駆動能力を選択させる方法である。
【0013】
しかし、現在の一般的なFF回路構成では、論理保証のために図9(A)に示すようなレシオレス型FFの構成を採っている。図9(A)を参照すると、このレシオレス型FFはDFFであり、インバータIV1,IV2,IV3,IV4,IV5,IV6,トランスファゲートTG1から成るデータ部と、インバータIV7,IV8から成るクロック部とから成り、このうち、点線で囲んだクロック制御インバータIV1,IV3,IV6及びトランスファゲートTG1は、クロック部からのクロックCK1,CK2の供給に応じて動作する。これらインバータIV1,IV3,IV6,トランスファゲートTG1の各々は2個のトランジスタから成るので、クロック動作に依存する(以下クロック駆動)トランジスタ数は8個となる。このように、レシオレス型FFは、クロック駆動トランジスタ数が多いことから、図9(B)に示すように、クロック部での消費電力が約7割も占める。従って、このクロック部での消費電力を低減し、FF全体の消費電力の低減を図る回路構成が求められる。
【0014】
以上の背景から、クロック部での消費電力を低減するために、図10(A)に示すようなクロック動作に依存するトランジスタ数を低減したレシオ型FF(回路)の構成とする方法がある。
【0015】
ここで、レシオ型回路とは、FFのような論理回路を構成するインバータの低レベル出力が、このインバータを構成する負荷トランジスタと駆動トランジスタのβレシオで決定されるものをいう。これに対して、レシオレス型回路とは、負荷トランジスタと駆動トランジスタのβレシオには依存せず、論理保証のため直流電源電圧に代えてクロックを用いるものをいう。
【0016】
図10(A)を参照すると、このレシオ型FFは、トランジスタM1,M2,M3,M4,M5,M6の6個のトランジスタと、インバータIV1〜IV6からから成るデータ部と、インバータIV7,IV8から成るクロック部とから成りから成るデータ部と、インバータIV7,IV8から成るクロック部とから成り、このうち点線で囲んだトランジスタM1,M2,M4,M5の4個が、クロックCK1,CK2の供給に応じて動作するクロック駆動トランジスタである。図10(B)に示すように、このレシオ型FFは、FF消費電力の内、クロック部での消費電力は4割程度に留まる。
【0017】
だだし、レシオ型FF及びレシオレス型FFの両者での消費電力の大小関係は、クロック波形に対するデータの動作した割合を示すパラメータであるデータ動作率によって変化する。
【0018】
データ動作率DDに対するレシオ型FF及びレシオレス型FFの消費電力Pcの一例をグラフで示す図11(A)を参照すると、データ動作率DDが低い場合には、クロック駆動トランジスタ数の少ないレシオ型回路の消費電力Pcの方が小さくなる。しかし、逆にデータ動作率DDの高い論理パタンの場合には、レシオ型回路ではレシオ動作時のデータ部の消費電力が支配的になるため、消費電力Pcはレシオレス型回路の方が小さくなる。
【0019】
また、各DFFの消費電力の入力波形の立ち上がり/立ち下がり時間(遷移時間)、すなわち、論理セルの入力端子に入る波形の傾きの依存特性をグラフで示す図11(B)を参照すると、この図に示すように、レシオ型FFではデータの動作率以外にも、データへの入力波形の遷移時間TRによってレシオ時間が増減する影響で消費電力Pcが変化するため、ASIC自動設計フローの中で、これを考慮する事が難しい。
【0020】
以上のように、レシオ型FFとレシオレス型FFの間で消費電力の大小関係が変化するため、低電力となるFFを特定してASIC設計フローに適用することは難しい。
【0021】
次に、レシオ型回路とレシオレス型回路で消費電力の大小が変化する理由及び根拠について順を追って説明する。
【0022】
始めに、現状の一般的に採用しているレシオレス型回路構成について説明する。
【0023】
図9(A)を再度参照すると、レシオレス型FFでは、上述したように、クロック制御インバータIV1,IV3,IV6及びトランスファゲートTG1を構成する計8個のクロック駆動トランジスタを用いて、出力が共通接続された2つのインバータの一方がオンしている間は、もう一方がオフするように切り替えることで論理固定を行い、レシオによる電流の引き合いを防止している。
【0024】
このように、論理固定を行う目的でクロック駆動トランジスタ数が多いレシオレス型FF構成では、上述したように、クロック部の消費電力が多くを占めてしまう。
【0025】
次に、図10(A)に示すレシオ型FFは、上述したように、トランジスタM1,M2,M4,M5の計4個のクロック駆動トランジスタを使って動作するため、レシオレス型FFよりもクロック部での消費電力が少ない代わりに、データ部のインバータIV1〜IV6同士でレシオ動作となるため、ノードの状態によっては論理が確定するまでの間、電流の引き合いが生じ、消費電力が増加してしまう欠点がある(図10(B))。
【0026】
両者の回路構成それぞれで、クロック部とデータ部に分けて消費電力割合を比較すると、レシオレス型FFでは、上述したように、クロック部での消費電力が7割、レシオ型回路構成ではデータ部の消費電力が6割を占め、それぞれの特徴が出る。
【0027】
両者における消費電力の大小関係は、FFのクロック及びデータ端子への入力波形によって変化し、そのパラメータには、データ動作率と入力波形立ち上がり/立ち下がり時間(遷移時間)の2つがある。
【0028】
まず、データ動作率については、仮に、クロック波形に対するデータ波形の変化が少なければ、データ動作率が低いことになり、このような場合においては、クロック駆動トランジスタ数の少ないレシオ型FFの消費電力が小さくなり、逆に、データ動作率が高ければ、レシオ型FFではレシオ時の消費電力が増加することでデータ部の消費電力が支配的になるため、レシオレス型回路構成の消費電力の方が小さくなる。
【0029】
次に、入力波形遷移時間に関しては、あるデータ動作率ポイントにおいて、レシオ型FFの消費電力が小さくても、そのデータ波形の遷移時間が入力端子での遷移時間の制限を満たしている必要がある。
【0030】
これは、入力波形の遷移時間が大きくなる、すなわち、入力波形が鈍ると、レシオ時間が増加し、このレシオ時間の増加に伴って消費電力が増加するので、レシオ型FFでは入力波形遷移時間の依存が大きいためである。よって、レシオ型FFでレシオレス型FFよりも低電力であるためには、入力波形遷移時間も重要なパラメータとなる。
【0031】
以上、このようなレシオ型FFとレシオレス型FFの消費電力の大小関係は既知の事実ではあり、どちらか一方のFF構成の方が低電力となる根拠があるにも関わらず、データ動作率・入力波形遷移時間の状態によっては、両者間で消費電力の大小関係が変化するという理由で、従来、ASIC設計フローでは低電力を目的として両者を同一LSIに搭載する設計手法は行われていなかった。
【0032】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の低電力LSI設計方法は、レシオ型FFとレシオレス型FFの消費電力の大小関係は既知の事実であり、どちらか一方のFF構成の方が低電力となる根拠があるにも関わらず、データ動作率及び入力波形遷移時間の状態によっては、これら両者間で消費電力の大小関係が変化するという理由から低電力となるFFを特定してASIC設計フローに適用することは難しいため、低電力を目的として両者を同一LSIに搭載する設計手法は実施できないという欠点があった。
【0033】
本発明の目的は、データ動作率と入力波形遷移時間の各パラメータから最も低消費電力となるFFを選択することにより、より低消費電力化を可能とする低電力LSI設計方法を提供することにある。
【0034】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明のLSI設計装置は、レシオレス型フリップフロップを含む論理回路を配置配線し、その結果に基づく抵抗・容量付き回路接続情報を生成する手段と、
前記抵抗・容量付き回路接続情報と、論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行い、各論理パス毎の遷移回数を含むトグル情報ファイルと、各パスにおける波形遷移遅延時間情報を含む配線遅延情報ファイルとを出力するバックアノテーション実行手段と、
各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記トグル情報ファイルとから、前記フリップフロップのデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比であるデータ動作率を求めるデータ動作率計算手段と、
前記配線遅延情報ファイルから、前記フリップフロップのデータ端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出手段と、
レシオレス型フリップフロップと同一機能を有するレシオ型フリップフロップに置き換えた方が消費電力が小さくなるデータ動作率と入力波形遷移時間の閾値が予め格納された動作率/入力波形判定用ライブラリと、
前記データ動作率計算手段および遷移時間抽出手段で求めたデータ動作率および入力波形遷移時間を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率及び入力波形遷移時間の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定する手段と、
前記判定する手段の判定結果に基づいてレシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換える置換処理手段とを含むことを特徴とするものである。
【0043】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0044】
本実施の形態の低電力LSI設計方法は、論理回路としてフリップフロップを含む順序回路を用いるASIC(特定応用専用半導体集積回路)の低消費電力化を目的とする低電力LSI設計方法において、上記フリップフロップとしてレシオレス型構成のフリップフロップであるレシオレス型フリップフロップとレシオ型構成のフリップフロップであるレシオ型フリップフロップとの2種を選択候補として有し、上記選択候補のレシオレス型フリップフロップとレシオ型フリップフロップの消費電力の大小関係がデータ入力端子のトグル率(遷移回数)に対するクロック端子のトグル率の比であるデータ動作率と入力波形遷移時間に依存して変化することを利用して予め設定したデータ動作率と入力波形遷移時間に対する前記選択候補の各々の消費電力を含む上記選択候補の選択判定用ライブラリを準備し、論理パス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間を上記判定用ライブラリと比較し、上記選択候補のレシオレス型フリップフロップとレシオ型フリップフロップのいずれか低電力となる方を上記フリップフロップとして選択することにより、LSI全体の消費電力を削減することを特徴とする。
【0045】
ここで、レシオ型FFとは、従来技術で説明したように、FF回路を構成するインバータの低レベル出力が、このインバータを構成する負荷トランジスタと駆動トランジスタのβレシオで決定されるものをいう。これに対して、レシオレス型FFとは、インバータの負荷トランジスタと駆動トランジスタのβレシオには依存せず、論理保証のため直流電源電圧に代えてクロックを用いるものをいう。
【0046】
次に、本発明の第1の実施の形態を図6と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して同様にフローチャートで示す図1を参照すると、この図に示す本実施の形態の低電力LSI設計方法は、従来と共通の論理記述言語を用いて機能設計を行う機能設計ステップS1と、ステップS1の機能を実現するために論理合成を行う論理合成ステップS2と、論理合成ステップS2の結果生成される回路接続情報L1と回路接続情報L1の期待動作の論理パターンL2を用いて論理検証を行う論理シミュレーションステップS3と、論理シミュレーションステップS3の結果を判断する結果判断ステップS4と、回路接続情報L1及び配置配線用ライブラリL3を読み込み配置配線を行う配置配線ステップS5と、配置配線ステップS5の結果生成されたRC付回路接続情報L4と論理パターンL2を用いて論理・遅延・消費電力の各検証を行うバックアノテーションを実行するバックアノテーションステップS6と、配置配線ステップS5の結果生成されたレイアウトライブラリ(以下レイアウト)L5の検証を行うレイアウト検証ステップS7と、バックアノテーションステップS6の結果を判断する結果判断ステップS8と、レイアウト検証ステップS7の検証結果にエラーが無いか否かを判定するエラー判断ステップS9と、結果判断ステップS4で否の場合所定の回路修正を行う回路修正ステップS10と、結果判断ステップS8とエラー判断ステップS9で否の場合所定のレイアウト修正を行うレイアウト修正ステップS11とに加えて、論理パス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間を後述する各選択置換を判定する判定用ライブラリと比較し、低消費電力となる方の回路構成のFFを選択して置換を行う低電力回路選択置換ステップS20を有する。
【0047】
ここで、各上記ステップで用いるファイルについて説明すると、配置配線用ライブラリL3は、回路接続情報L1で使用する全ての論理セルの端子・配線禁止情報等を持つライブラリであり、RC付回路接続情報L4は、配置配線ステップS5の結果生成された配線抵抗及び負荷容量等のより実配線に近い状態の回路接続情報である。
【0048】
次に、低電力回路選択置換ステップS20の詳細をフローチャートで示す図2を参照すると、端子情報ファイル(以下端子情報)L6とトグル情報ファイル(以下トグル情報)L7からデータ動作率の計算を行うデータ動作率計算ステップS21と、端子情報L6と配線遅延情報L8からFF等の順序回路のデータ入力端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出ステップS22と、各順序回路毎のレシオ型FFとレシオレス型FFにおける消費電力の大小関係が記述されている動作率/入力波形判定ライブラリL10に基づき動作率/入力波形パラメータL9に対して回路接続情報L1に使用している論理セルであるFFを同一論理異回路構成のFFへ置換する、すなわち、各インスタンス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間とを比較し同一機能同一能力のレシオ型FF(以下回路)とレシオレス型回路の相互置換により低消費電力となるかどうか判定し置換パラメータL11を生成する置換判断ステップS23と、回路接続情報L1に対し置換判断ステップS23で低消費電力となると判断したインスタンスを記述した置換パラメータL11に記述されているインスタンスの論理セル名を置換後の論理セル名に置換する置換処理ステップS24と、置換処理ステップS24でより低消費電力な回路構成へ置換した回路接続情報L12を使用し配置配線用ライブラリL3,L13を入力して再度配置配線を実行しRC付回路接続情報L14とレイアウトL13とを生成する配置配線ステップS25と、RC付回路接続情報L14に対し再度バックアノテーションを実行するバックアノテーションステップS26と、レイアウトL13に対し再度レイアウト検証を実行するレイアウト検証ステップS27と、バックアノテーションステップS26の結果を判断する結果判断ステップS28と、レイアウト検証ステップS27の結果エラーがないかを判断するエラー判断ステップS29と、結果判断ステップS28又はエラー判断ステップS29でNGの場合再度レイアウトを修正するレイアウト修正ステップS30とを有する。
【0049】
また、各上記ステップで用いるファイルについて説明すると、端子情報L6は、各論理セル毎の端子属性が記述され順序回路の識別が可能なライブラリである。トグル(遷移)情報L7は、バックアノテーションステップS6の検証結果の一つで各論理パス毎の遷移回数等の情報を含みデータ動作率の計算に使用する。配線遅延情報L8は、バックアノテーションステップS6の検証結果の一つで各パスにおける波形遷移時間情報の他配線容量や遅延情報等が含まれるライブラリである。動作率/入力波形パラメータL9は、ステップS21及びS22によって計算及び抽出したFF等順序回路のパス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間を、インスタンス名及び論理セル名と共に記述したパラメータである。ここで、インスタンス名とは、L1の中で同じ論理セルを複数個使用している場合、それらを識別するための名前であり、回路接続情報L1の中でインスタンス名が重なることは決してない。
【0050】
動作率/入力波形判定ライブラリL10は、予め全ての順序回路に対して同一論理の回路間で消費電力の大小が入れ替わるデータ動作率とそのデータ動作率における入力波形遷移時間制限の値を格納したライブラリである。置換パラメータL11は、置換判断ステップS23によって置換により低消費電力となると判定したインスタンスに対してのみ、そのインスタンス名、論理セル名、置換後の論理セル名、データ動作率及び入力波形遷移時間を格納したライブラリである。回路接続情報L12は、置換処理ステップS24でより低消費電力なレシオ型回路構成へ置換した回路接続情報である。置換配置配線用ライブラリL13は、置換に使用した論理セルの端子・配線禁止情報等を持つ配置配線用ライブラリである。これを追加しなければ、後述の論理セル置換後に実施する配置配線ステップS25で不足が生じる。
【0051】
次に、図1及び図2を参照して本実施の形態の動作について説明すると、まず、機能設計ステップS1による機能実現のために論理合成ステップS2で論理合成を行い、回路接続情報L1を生成する。なお、この論理合成時に、消費電力最適化ツールによって低消費電力を行っている。
【0052】
次に、回路接続情報L1と論理パターンL2を読み込み、論理シミュレーションステップS3で論理検証を行い、その期待値のパターン通りに回路が動作するかを検証する。
【0053】
論理シミュレーションステップS3で論理検証を行った結果を結果判断ステップS4で判断し、問題があれば(NG)回路修正ステップS10へ進み、回路修正ステップS10で回路修正後、機能ステップS1に戻る。問題が無ければ(OK)、配置配線ステップS5に進む。
【0054】
配置配線ステップS5では、回路接続情報L1と配置配線用ライブラリL3を用いて、配置配線処理を実施し、レイアウトL5と抵抗・容量付き回路接続情報(以下RC付回路接続情報)L4を生成する。
【0055】
次に、バックアノテーションステップS6でRC付回路接続情報L4と論理パターンL2を読み込みバックアノテーションを実施し、この結果が問題ないか結果判断ステップS8で判定を行い、エラーがあれば(NG)、レイアウト修正ステップS11へと進み、レイアウト修正後配置配線ステップS5に戻る。結果判断ステップS8でエラーが無い場合には(OK)、本実施の形態を特徴付ける低電力回路選択置換ステップS20に進む。
【0056】
低電力回路選択置換ステップS20では、バックアノテーションステップS6のバックアノテーションの結果が格納されているファイル群の内、トグル情報L7及び配線遅延情報L8を利用する。
【0057】
以下説明の便宜上、初期条件として、各論理パスを構成するFFは全てレシオレス型FFでるものとし、この低電力回路選択置換ステップS20での処理結果、置換対象となるレシオレス型FFを同一機能同一能力のレシオ型FFに置換するものとする。
【0058】
まず、端子情報L6を基に、トグル情報ファイルL7から各パス毎のデータ動作率計算をデータ動作率計算ステップS21で行う。また、同じく端子情報L6を基に、配線遅延情報L8から、各インスタンスのデータ端子への入力波形の遷移時間抽出を遷移時間抽出ステップS22で行い、それらの情報を動作率/入力波形パラメータL9に格納する。動作率/入力波形パラメータL9と動作率/入力波形判定ライブラリL10を用いて、処理対象のインスタンスがFF置換によって低消費電力となるインスタンスかを置換判断ステップS23で判定し、その対象インスタンスがFF置換によって低消費電力となる、すなわち、置換対象が存在する場合は、このインスタンスの関係FFのパラメータを置換パラメータL11に格納し、置換処理ステップS24に進む。置換対象が存在しない場合は、レイアウト検証ステップS7に進む。
【0059】
レイアウト検証ステップS7では、レイアウト検証を実施し、エラーがあるかをエラー判断ステップS9で判定し、エラーがある場合には、レイアウト修正ステップS11へ進み、レイアウト修正後配置配線ステップS5に戻る。エラーが無ければレイアウト設計を完了する。
【0060】
置換処理ステップS24で、置換パラメータL11を基に、回路接続情報L1に対し、FFを置換し、より低消費電力な論理セルへと置換した新規の回路接続情報L12を生成する。この回路接続情報L12と配置配線用ライブラリL3及び置換に使用したFFの置換配置配線用ライブラリL13を加えて、再度配置配線ステップS25で配置配線を行い、新たなRC付回路情報L14と、レイアウトL15とを生成する。
【0061】
これ以降は、レイアウトL15のレイアウト検証ステップS27と、RC付回路情報L14のバックアノテーションステップS26に分岐し、検証結果判定の結果判断ステップS28及びエラー判断ステップS29両者共でエラーが無くなればレイアウト完了となる。いずれかでエラーのある場合はレイアウト修正ステップS30に進み、所定のレイアウト修正処理を行い、再度配置配線ステップS25に戻る。
【0062】
次に、動作率/入力波形判定ライブラリL10及び動作率/入力波形パラメータL9の各々の記述内容の一例を説明図で示す図3(A),(B)及び置換処理ステップS24で使用する置換パラメータL11の生成の様子を説明図で示す図図4を参照して、これら動作率/入力波形判定ライブラリL10、動作率/入力波形パラメータL9及び置換パラメータL11について詳細に説明すると、まず、動作率/入力波形パラメータL9については、上述した遷移時間抽出ステップS22で、端子情報L6を基に回路接続情報L1で使用しているレシオレス型回路の論理セル名を特定し、トグル情報L7から、その論理セルを使っているインスタンス名を抽出し、インスタンス毎にデータ動作率を計算する。同様に、配線遅延情報L8から、そのインスタンスのデータ端子への入力波形遷移時間を抽出して動作率/入力波形L9を生成する。
【0063】
図3(A)を参照すると、動作率/入力波形パラメータL9は、インスタンス名IN、レシオレス型回路(FF)論理セル名RLC、データ動作率DD、入力波形遷移時間TRの各情報から成る。
【0064】
なお、データ動作率DDは下式より、クロック端子のトグル率(遷移回数)CNとデータ入力端子のトグル率DNから容易に計算が可能である。
【0065】
DD=DN/CN・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
(1)式を100倍して%で表しても良い。
【0066】
次に、動作率/入力波形判定用ライブラリL10について説明すると、この動作率/入力波形判定用ライブラリL10は、同一論理・同一能力のレシオ型回路とレシオレス型回路では、消費電力の大小がデータ動作率、及び入力波形遷移時間によって決定するため、予め設計に使用するレシオ型回路とレシオレス型回路の各々のデータ動作率/入力波形遷移時間制限情報を格納しておき、判定用ライブラリとしたものである。
【0067】
図3(B)を参照すると、動作率/入力波形判定用ライブラリL10は、レシオレス型回路論理セル名RLC、レシオ型回路論理セル名RC、レシオ型回路の消費電力の方が小さくなるデータ動作率DDR、その動作率においてレシオ型回路が低消費電力を保証出来る入力波形遷移時間制限TRLの各情報から成る。
【0068】
最後に、図4を参照して、動作率/入力波形パラメータL9と動作率/入力波形判定用ライブラリL10とに基づき生成する置換パラメータL11について説明すると、置換パラメータL11は、動作率/入力波形パラメータL9に格納したインスタンス毎のレシオレス型回路論理セル名を参照し、そのデータ動作率、入力波形遷移時間の各々を動作率/入力波形判定用ライブラリL10の値と比較する。そして動作率/入力波形判定用ライブラリL10の制限を満足していれば、そのインスタンスは、レシオ型回路構成への置換により、より低消費電力となることが判断できるため、置換対象インスタンスとして置換パラメータL11へ順次格納を行う。
【0069】
図4を参照すると、置換パラメータL11は、インスタンス名IN、レシオレス型回路論理セル名RLC、レシオ型回路論理セル名RC、データ動作率DD、入力波形遷移時間TRの各情報から成る。
【0070】
上述したように、本実施の形態では、パス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間を後述する各判定用ライブラリと比較し、低消費電力となる方の回路構成を選択して置換を行う低電力回路選択置換ステップS20を有することにより、レシオ型回路とレシオレス型回路をデータ動作率及び入力波形遷移時間制限によって使い分けることで、より低消費電力なLSIを実現できる。
【0071】
【表1】
Figure 0003664988
【0072】
従来技術と本実施の形態の設計方法によるLSIの全消費電力、及びRAM、クロック部、ロジック(順序回路及び組合せ回路)それぞれの内訳を比較して示した表1を参照すると、この表に示す従来技術によるチップ電力は、使用している順序回路の全てをレシオレス型回路とし、従来技術のASIC自動設計フローを適用し、かつ、順序回路のトランジスタのゲート幅(W)サイズを最小とする理想設計を実現したと想定することにより、低消費電力化を実現したLSIの消費電力を示す。さらに、上述した論理合成時における消費電力最適化ツールによる低消費電力化技術も使用しており、従来の技術においては、最も低消費電力なLSI設計を行った結果といえる。
【0073】
この従来技術で最も低消費電力なLSIに対し、本実施の形態のデータ動作率と入力波形遷移時間制限によって低消費電力となる条件の場合に、レシオ型回路へ置換する低電力回路選択置換ステップをASIC設計フローに付加することにより、さらに数%、この例では、3.4%の消費電力の削減が可能である。
【0074】
次に、本発明の第2の実施の形態を図3と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して同様にフローチャートで示す図5を参照すると、この図に示す本実施の形態の前述の第1の実施の形態との相違点は、論理シミュレーションステップS3の判断ステップS4の後に、論理シミュレーションステップS3の検証結果の一部であるトグル情報ファイルL7を用いて予備的な低電力回路選択置換ステップS40を行い、その後バックアノテーションステップS6以降の処理を行うことである。
【0075】
本実施の形態を特徴付ける低電力回路選択置換ステップS40をフローチャートで示す図6を参照すると、端子情報L6とトグル情報L7からデータ動作率の計算を行うデータ動作率計算ステップS41と、動作率/入力波形判定ライブラリL10に基づき動作率/入力波形パラメータL9に対して回路接続情報L1に使用している論理セルを同論理異回路構成の論理セルへ置換し置換パラメータL11を生成する置換判断ステップS43と、回路接続情報L1に対し置換判断ステップS43で低消費電力となると判断したインスタンスを記述した置換パラメータL11に記述されているインスタンスの論理セル名を置換後の論理セル名に置換する置換処理ステップS44と、置換処理ステップS44でより低消費電力な回路構成へ置換した回路接続情報L12を使用して再度配置配線を実行しレイアウトL5とRC付回路情報S45を生成する配置配線ステップS45とを有する。
【0076】
次に、図5及び図6を参照して、本実施の形態の動作について、第1の実施の形態との相違点を重点的に説明すると、まず、機能設計ステップS1による機能実現のために論理合成ステップS2で論理合成を行い、回路接続情報L1を生成し、回路接続情報L1と論理パターンL2を読み込み、論理シミュレーションステップS3で論理検証を行う。この論理検証結果を結果判断ステップS4で判断し、問題があれば(NG)回路修正ステップS10へ進み、回路修正ステップS10で回路修正後、機能ステップS1に戻る。問題が無ければ(OK)、低電力回路選択置換ステップS40に進む。
【0077】
低電力回路選択置換ステップS40では、トグル情報L7から、端子情報L6を基に各パス毎のデータ動作率計算をステップS41で行い、動作率/入力波形パラメータL9へ格納する。この動作率/入力波形パラメータL9と動作率/入力波形判定用ライブラリL10を用いて、処理対象のインスタンスがFF置換により低消費電力となるか否かを置換判断ステップS43で判定し、その対象インスタンスがFF置換によって低消費電力となる、すなわち、置換対象が存在する場合は、このインスタンスの関係FFのパラメータを置換パラメータL11に格納し、置換処理ステップS44に進む。置換対象が存在しない場合は、配置配線ステップS45に進む。
【0078】
置換処理ステップS44で、置換パラメータL11を基に、回路接続情報L1に対し、FFを置換し、より低消費電力な論理セルへと置換した新規の回路接続情報L12を生成する。この回路接続情報L12と配置配線用ライブラリL3及び置換に使用したFFの置換配置配線用ライブラリL13を加えて、配置配線ステップS45で配置配線を行い、RC付回路情報L4と、レイアウトL5とを生成する。
【0079】
以下第1の実施の形態と共通の低電力回路選択置換ステップS20を実施する。
【0080】
第1の実施の形態では、バックアノテーションステップS6の結果を基に低電力回路選択置換ステップS20でFF置換を行ったが、本実施の形態では、第1の実施の形態の低電力回路選択置換ステップS20に加えて、論理シミュレーションステップS3の論理シミュレーション終了後にも低電力回路選択置換ステップS40でFF置換を行う。
【0081】
これにより、第1の実施の形態では、配置配線ステップS5に入力した回路接続情報L1に代わり、この回路接続情報L1に対し低消費電力のFFを予め選択して置換して生成した回路接続情報L12を入力して配置配線ステップS45で実施することが可能である。このため、バックアノテーションステップS6の後に、低電力回路選択置換ステップS20において配置配線ステップS25を行う場合において、置換対象の論理セルが第1の実施の形態よりも少なくなるため、設計TATを短縮出来る利点がある。
【0082】
ただし、論理シミュレーションステップS3では、回路接続情報L1と論理パターンL2があればトグル情報L7を得ることが容易なデータ動作率に対して、入力波形遷移時間は、配置配線ステップS45の実施前であるため考慮出来ない。しかし、バックアノテーションS6後、本実施の形態では2回目となる低電力回路選択置換ステップS20でのFF置換処理の置換処理ステップS44で考慮出来るので問題無い。
【0083】
以上より、第1の実施の形態に対する本実施の形態の相違点を整理すると以下の通りである。
【0084】
第1の実施の形態では、配置配線ステップS5に入力する回路接続情報L1に使用している順序回路はレシオレス型回路構成のみを使用し、置換処理ステップS24において、低消費電力となるインスタンスをレシオ型回路に置換しているのに対し、本実施の形態では、配置配線ステップS45に入力する回路接続情報L12には、論理シミュレーションステップS3の結果から計算したデータ動作率によって、レシオレス型回路からレシオ型回路へ置換したインスタンスも存在するという点である。
【0085】
何れの方法を採っても、最終的にはバックアノテーションS6の結果より動作率/入力波形パラメータL9及び動作率/入力波形判定用ライブラリL10を基に低消費電力な順序回路が選択されるため、得られる結果は同一となる。
【0086】
次に、本発明の第3の実施の形態を特徴付ける低電力回路選択置換ステップS20Aを図2と共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して同様にフローチャートで示す図7を参照すると、この図に示す本実施の形態の前述の第1の実施の形態の低電力回路選択置換ステップS20との相違点は、置換処理ステップS24の代わりにレシオ型FFの置換パラメータL11に基づきレイアウトL5とRC付回路接続情報L4の両者に対しFF置換処理を行いFF置換処理済のRC付回路接続情報L24とレイアウトライブラリL25を生成する置換処理ステップS24Aを有し、配置配線ステップS25を省略したことである。
【0087】
次に図7及び図1を参照して本実施の形態の動作について、第1の実施の形態との相違点を重点的に説明すると、まず、機能設計ステップS1〜判断ステップS8、及び低電力回路選択置換ステップS20Aのデータ動作率計算ステップS21〜置換判断ステップS23までは第1の実施の形態と共通の処理を行い、置換パラメータL11を生成する。
【0088】
次に、置換処理ステップS24Aで、置換パラメータL11に基づき、配置配線ステップS5で生成されたレイアウトL5とRC付回路接続情報L4の両者に対し、レシオレス型FFをレシオ型FFに置換するFF置換処理を行い、FF置換処理済のRC付回路接続情報L24とレイアウトライブラリL25を生成する。
【0089】
次に、FF置換済みのRC付き回路接続情報L24と論理パターンL2を基にバックアノテーションステップS26を実施し、その結果を判断ステップS28で判断する。判断ステップS28でエラーとなるインスタンスが存在した場合には、レイアウト修正ステップS11で所定のレイアウト修正を行い、配置配線ステップS5に戻り、再度この配置配線ステップS5でレイアウト修正後のレイアウトL5とRC付回路接続情報L4を生成し、以降の処理を反復する。
【0090】
同様に、FF置換済みのレイアウトライブラリL25に対しレイアウト検証ステップS27を実施し、判断ステップS29でエラーとなるインスタンスが存在した場合には、レイアウト修正ステップS11で所定のレイアウト修正を行い、配置配線ステップS5に戻り、再度この配置配線ステップS5でレイアウト修正後のレイアウトL5とRC付回路接続情報L4を生成し、以降の処理を反復する。判断ステップS28、S29でエラーが無くなるまで上記処理を反復し、えらーが無くなると処理を終了する。
【0091】
次に、置換処理ステップS24Aによって、レイアウトL5に対するレイアウトL25への置換が可能な理由を説明する。
【0092】
レシオ型回路とレシオレス型回路では、その回路構成が異なることから、当然レイアウトライブラリも異なるはずであり、単純な置換ではレイアウトライブラリ中でネットのショートや設計基準違反の発生が考えられる。しかし、この問題は、レシオ型回路とレシオレス型回路のレイアウトサイズを同一にし、入出力端子の形状も同一、また、配置配線の際には、これらの論理セル上部を他の配線が通過することを禁止した配置配線用ライブラリとしておくことで容易に解決出来る。
【0093】
つまりは、レシオ型回路とレシオレス型回路の配置配線用ライブラリは、全くの同一形状とすることで、置換処理ステップS24AでのレイアウトL5に対するレイアウトL25への単純な置換が可能となる。
【0094】
以上より、第1の実施の形態に対する本実施の形態の相違点を整理すると以下の通りである。
【0095】
第1の実施の形態では、FF置換処理の置換処理ステップS24を回路接続情報L1に対して実施して、FFを置換した新規な回路接続情報L12を生成し直し、配置配線ステップS25を実施していたのに対し、本実施の形態では、レシオ型回路とレシオレス型回路の配置配線用ライブラリを同一の配置配線用ライブラリL3としておくことにより、置換処理ステップS24AはレイアウトL5及びRC付回路接続情報L4に対して実施し、配置配線ステップS25を実施する必要は無く、設計TATを削減出来ることである。
【0096】
何れの方法を採っても、最終的にはバックアノテーションS26の結果より動作率/入力波形パラメータL9と動作率/入力波形判定用ライブラリL10を基に低消費電力化を達成する順序回路を選択するため、同一結果を得る。
【0097】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の低電力LSI設計方法は、フリップフロップとしてレシオレス型フリップフロップとレシオ型フリップフロップとの2種を選択候補として有し、上記選択候補のレシオレス型フリップフロップとレシオ型フリップフロップの消費電力の大小関係がデータ動作率と入力波形遷移時間に依存して変化することを利用して予め設定したデータ動作率と入力波形遷移時間に対する選択候補の各々の消費電力を含む上記選択候補の選択判定用ライブラリを準備し、論理パス毎のデータ動作率及び入力波形遷移時間を上記判定用ライブラリと比較し、上記選択候補のレシオレス型フリップフロップとレシオ型フリップフロップのいずれか低電力となる方を上記フリップフロップとして選択置換する低電力回路選択置換ステップS20を有することにより、レシオ型回路とレシオレス型回路をデータ動作率及び入力波形遷移時間制限によって使い分けることで、より低電力なLSIを実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の低電力LSI設計方法の第1の実施の形態を示すフローチャートである。
【図2】図1の低電力回路選択置換ステップS20の詳細を示すフローチャートである。
【図3】図2の動作率/入力波形判定ライブラリ及び動作率/入力波形パラメータの各々の記述内容の一例を示す説明図である。
【図4】図2の置換処理ステップで使用する置換パラメータの生成の様子を示す説明図である。
【図5】本発明の低電力LSI設計方法の第2の実施の形態を示すフローチャートである。
【図6】図5の低電力回路選択置換ステップS40の詳細を示すフローチャートである。
【図7】本発明の第3の実施の形態を特徴付ける低電力回路選択置換ステップS20Aの詳細を示すフローチャートである。
【図8】従来の低電力LSI設計方法の一例を示すフローチャートである。
【図9】レシオレス型FFの一例を示す回路図及びその消費電力構成の一例を示す説明図である。
【図10】レシオ型FFの一例を示す回路図及びその消費電力構成の一例を示す説明図である。
【図11】レシオ型FF及びレシオレス型FFの消費電力の一例及び両FFの入力波形の遷移時間の依存特性をそれぞれ示すグラフである。
【符号の説明】
L1,L12 回路接続情報
L2 論理パターン
L3,L13 配置配線用ライブラリ
L4,L14,L24 RC付回路接続情報
L5,L15,L25 レイアウト
L6 端子情報
L7 トグル情報
L8 配線遅延情報
L9 動作率/入力波形パラメータ
L10 動作率/入力波形判定ライブラリ
L11 置換パラメータ

Claims (4)

  1. レシオレス型フリップフロップを含む論理回路を配置配線し、その結果に基づく抵抗・容量付き回路接続情報を生成する手段と、
    前記抵抗・容量付き回路接続情報と、論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行い、各論理パス毎の遷移回数を含むトグル情報ファイルと、各パスにおける波形遷移遅延時間情報を含む配線遅延情報ファイルとを出力するバックアノテーション実行手段と、
    各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記トグル情報ファイルとから、前記フリップフロップのデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比であるデータ動作率を求めるデータ動作率計算手段と、
    前記配線遅延情報ファイルから、前記フリップフロップのデータ端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出手段と、
    レシオレス型フリップフロップと同一機能を有するレシオ型フリップフロップに置き換えた方が消費電力が小さくなるデータ動作率と入力波形遷移時間の閾値が予め格納された動作率/入力波形判定用ライブラリと、
    前記データ動作率計算手段および遷移時間抽出手段で求めたデータ動作率および入力波形遷移時間を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率及び入力波形遷移時間の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定する手段と、
    前記判定する手段の判定結果に基づいてレシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換える置換処理手段とを含むことを特徴とするLSI設計装置。
  2. レシオレス型フリップフロップを含む第1の論理回路を配置配線し、その結果に基づく第1の抵抗・容量付き回路接続情報を生成する手段と、
    前記第1の抵抗・容量付き回路接続情報と、論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行い各論理パス毎の遷移回数を含むトグル情報ファイルと、各パスにおける波形遷移遅延時間情報を含む配線遅延情報ファイルとを出力する第1のバックアノテーション実行手段と、
    各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記トグル情報ファイルとから、前記フリップフロップの各インスタンス毎にデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比であるデータ動作率を求めるデータ動作率計算手段と、
    前記配線遅延情報ファイルから、前記フリップフロップの各インスタンス毎にデータ端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出手段と、
    レシオレス型フリップフロップと同一機能を有するレシオ型フリップフロップに置き換えた方が消費電力が小さくなるデータ動作率と入力波形遷移時間の閾値が予め格納された動作率/入力波形判定用ライブラリと、
    前記データ動作率計算手段および遷移時間抽出手段で求めたデータ動作率および入力波形遷移時間を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率及び入力波形遷移時間の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定し、そのインスタンス名を置換パラメータとして出力する手段と、
    前記第1の論理回路内の前記置換パラメータに記述されている各インスタンスに対し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えて第2の論理回路を生成する置換処理手段と、
    前記第2の論理回路を配置配線し、その結果に基づくレイアウトと第2の抵抗・容量付き回路接続情報を生成する手段と、
    前記レイアウトにエラーがないかを検証するレイアウト検証手段と、
    前記第2の抵抗・容量付き回路接続情報に前記論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行う第2のバックアノテーション実行手段と、
    前記レイアウト検証手段および第2のバックアノテーション実行結果に基づいてレイアウトを修正する手段を含むことを特徴とするLSI設計装置。
  3. レシオレス型フリップフロップを含む第1の論理回路を論理パターンを用いて論理検証を行い、各論理パス毎の遷移回数を含む第1のトグル情報ファイルを出力する論理シミュレーション実行手段と、
    各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記第1のトグル情報ファイルとから、前記第1の論理回路内のフリップフロップのデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比である第1のデータ動作率を求める第1のデータ動作率計算手段と、
    レシオレス型フリップフロップと同一機能を有するレシオ型フリップフロップに置き換えた方が消費電力が小さくなるデータ動作率と入力波形遷移時間の閾値が予め格納された動作率/入力波形判定用ライブラリと、
    前記第1のデータ動作率計算手段で求めた第1のデータ動作率を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定する第1の判定手段と、
    前記第1の判定手段の結果に基づき第1の論理回路内のレシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えて第2の論理回路を生成する置換処理手段と、
    前記第2の論理回路を配置配線し、その結果に基づく抵抗・容量付き回路接続情報を生成する手段と、
    前記抵抗・容量付き回路接続情報と、前記論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行い、各論理パス毎の遷移回数を含む第2のトグル情報ファイルと、各パスにおける波形遷移遅延時間情報を含む配線遅延情報ファイルとを出力するバックアノテーション実行手段と、
    前記各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記第2のトグル情報ファイルとから、前記第2の論理回路内のフリップフロップのデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比である第2のデータ動作率を求める第2のデータ動作率計算手段と、
    前記配線遅延情報ファイルから、前記第2の論理回路内のフリップフロップのデータ端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出手段と、
    前記第2のデータ動作率計算手段および遷移時間抽出手段で求めた第2のデータ動作率および入力波形遷移時間を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率及び入力波形遷移時間の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定する第2の判定手段と、
    前記第2の判定手段の結果に基づいて前記第2の論理回路内のレシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換える置換処理手段とを含むことを特徴とするLSI設計装置。
  4. レシオレス型フリップフロップを含む論理回路を配置配線し、その結果に基づく第1の抵抗・容量付き回路接続情報と第1のレイアウトとを生成する手段と、
    前記第1の抵抗・容量付き回路接続情報と、論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行い各論理パス毎の遷移回数を含むトグル情報ファイルと、各パスにおける波形遷移遅延時間情報を含む配線遅延情報ファイルとを出力するバックアノテーション実行手段と、
    各論理セルの端子属性が記述された端子情報ファイルと、前記トグル情報ファイルとから、前記フリップフロップの各インスタンス毎にデータ入力端子のトグル率に対するクロック端子のトグル率の比であるデータ動作率を求めるデータ動作率計算手段と、
    前記配線遅延情報ファイルから、前記フリップフロップの各インスタンス毎にデータ端子への入力波形遷移時間を抽出する遷移時間抽出手段と、
    レシオレス型フリップフロップと同一機能を有するレシオ型フリップフロップに置き換えた方が消費電力が小さくなるデータ動作率と入力波形遷移時間の閾値が予め格納された動作率/入力波形判定用ライブラリと、
    前記データ動作率計算手段および遷移時間抽出手段で求めたデータ動作率および入力波形遷移時間を、前記動作率/入力波形判定用ライブラリに格納されたデータ動作率及び入力波形遷移時間の閾値と比較対照し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えた方が低消費電力となるフリップフロップを判定し、そのインスタンス名を置換パラメータとして出力する手段と、
    前記第1のレイアウト及び前記第1の抵抗・容量付き回路接続情報内の前記置換パラメータに記述されている各インスタンスに対し、レシオレス型フリップフロップをレシオ型フリップフロップに置き換えて第2のレイアウトと第2の抵抗・容量付き回路接続情報を生成する置換処理手段と、
    前記第2のレイアウトにエラーがないかを検証するレイアウト検証手段と、
    前記第2の抵抗・容量付き回路接続情報に前記論理パターンを用いて論理・遅延の各検証を行う第2のバックアノテーション実行手段と、
    前記レイアウト検証手段および第2のバックアノテーション実行結果に基づいてレイアウトを修正する手段を含むことを特徴とするLSI設計装置。
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