JP3664052B2 - 薄膜電子源を用いた表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置およびその製造方法に係わり、特に、平面型表示装置に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
MIM(Metal Insulator Metal)型トンネルダイオード構造の微小電子源、および上記MIM型トンネルダイオード構造の微小電子源を用いる平面型表示装置は、例えば、下記文献(イ)に記載されている。
【0003】
(イ)エスアイディー‘97ダイジェスト、第123頁(M.Suzukiほか”Emission and Beam-Divergence Properties of an MIM-Cathode Array for Display Applications”,SID ’97 DIGEST(1997) p.123)
上記文献(イ)に開示されているMIM型トンネルダイオード構造の微小電子源は、高効率・高指向性を特徴としている。また、トンネル絶縁膜の厚さは5.5nm、電子放出部となる上部電極は、ホットエレクトロンの散乱を避けるため6nmと薄くなっており、単純マトリックスの規模は30×30画素で、走査線ならびに信号線(上部電極)のライン幅とスペース幅はそれぞれ0.3mm/0.2mm、0.3mm/0.3mmである。
【0004】
また、上部電極のシート抵抗は約200Ω/□であり、単位長さあたりの配線抵抗は7kΩ/cmに達する。素子の動作電圧は10V、消費電流は1mAであるので、配線抵抗による電圧降下は7V/cmになる。このような大きな電圧降下を回避するために、給電用に低抵抗の信号配線が別に設けられている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記した上部電極は、信号配線毎に分離する必要があるので、従来はリフトオフプロセスを用いて必要なパターニングをおこなっている。通常は、上部電極層を被着した後、ホトレジストパターンを形成し、これをマスクにドライまたはウェットエッチングにより所望のパターニングを施すのが一般的である。
【0006】
しかしながら、上部電極は6nmと極めて薄いうえ、貴金属層を主体とするため、下地との密着性が十分とは言えず、エッチングあるいはレジストの被着・除去の過程で上部電極の剥離やトンネル絶縁膜へのダメージが避けられなかった。これに対して、リフトオフプロセスはパターン部にレジストが触れることがないため、上記した問題をある程度回避することが可能である。
【0007】
しかしながら、リフトオフプロセスでは、現像に際してトンネル絶縁膜が現像液にさらされること、また、レジストの除去に際して有機溶媒や溶解したレジストの再付着が問題として残される。このため、でき上がったMIMトンネルダイオード構造の電子源アレイは、メタルマスク蒸着で作製した(ホトリソグラフィ技術を必要としない)単一素子に比べて電子放出効率が1桁程度低下する現象がみられた。
【0008】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、MIM型トンネルダイオード構造の電子源の性能を低下させることなく、MIM型トンネルダイオード構造の電子源のアレイ化に必須となる上部電極のパターニングを行うことを可能とした表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の原理的な構成を簡単に説明すれば、上記リフトオフプロセス等のホトリソグラフィ技術を使用することなく上部電極をパターニングするために、上部電極の被着に際して、あらかじめ信号配線に沿った段差部を設け、この段差部を利用して上部電極を信号配線間で分離することに特徴がある。
【0010】
具体的には、本発明の薄膜電子源を用いた表示装置は、一対の基板と、枠部材とを有し、一対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、上記一対の基板の一方の基板は、行(または列)方向に設けられる複数の走査電極と、列(または行)方向に設けられ、上記走査電極との交差部に開口部を有する複数の信号電極と、上記各信号電極毎に設けられ、上記開口部を覆う複数の上部電極と、上記開口部の上記各上部電極と上記各走査電極との間に設けられ、上記上部電極および上記走査電極とともにトンネルダイオード構造の電子源を構成する第1の絶縁膜とを有し、上記上部電極は、上記開口部を含む領域に設けられる段差部により、各信号電極毎に電気的に分離されていることを特徴とする。
【0011】
また、本発明は、上記段差部が、上記複数の信号電極上に設けられる第2の絶縁膜で構成されることを特徴とする。また、本発明は、上記第2の絶縁膜が感光性を有する材料で構成されることを特徴とする。また、本発明は、上記第2の絶縁膜が感光性ポリシラザンで構成されることを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
(実施例1)
<本発明が適用される表示装置の基本構造>
図1は、本発明が適用される平面型表示装置の基本構造を示す展開斜視図である。図1に示す平面型表示装置は、その表面に、MIM型トンネルダイオード構造の微小電子源アレイ(図示せず)が形成されるMIM型電子源アレイ基板8と、ストライプ状の蛍光体(図示せず)が形成される蛍光表示板11とが、枠ガラス兼スペーサ10により対向配置されて構成される。なお、同図において9は排気管である。
【0013】
図2は、図1に示すMIM型電子源アレイ基板8の一例の概略構成を示す平面図、図3は図2のA−A’線に沿った要部断面図であり、MIM型微小電子源の単一素子部分の構成を示す。
【0014】
MIM型電子源アレイ基板は、図2および図3に示すように、ソーダガラス等からなる基板1上に形成されるX方向にのびるストライプ状の下部電極(走査電極)2と、下部電極2上に形成されるフィールド絶縁膜5およびトンネル絶縁膜6と、それらフィールド絶縁膜5およびトンネル絶縁膜6上に形成され、Y方向にのびるストライプ状の信号配線(信号電極)3と、信号配線3上に形成される上部電極4とで構成される。
【0015】
上記下部電極2と信号配線3とは、図2に示すように互いに略直交するように形成され、マトリクス状に下部電極2と信号配線3とが重なる領域内のそれぞれに電子放出部が形成される。この電子放出部では信号配線3が開口部を有するように除去され、上部電極4がトンネル絶縁膜6を介して下部電極2と対向し、MIM型トンネルダイオード構造の微小電子源が構成される。
【0016】
ここで、下部電極2は、例えばネオジム(以下単にNdと記す)を2重量%含む、厚さが300nmのアルミニウム(以下単にAlと記す)で形成される。また、フィールド絶縁膜5およびトンネル絶縁膜6は、例えばAlの陽極酸化膜(Al2O3)で形成され、その厚さはフィールド絶縁膜5が110nm程度、トンネル絶縁膜6が5.5nm程度とされる。
【0017】
また、例えば、信号配線3は厚さが150nmのAlと、厚さが45nmのモリブデン(以下単にMoと記す)との多層膜で形成され、上部電極4は厚さが1nmのイリジウム(以下単にIrと記す)と厚さが2nmの白金(以下単にPtと記す)と厚さが3nmの金(以下単にAuと記す)との多層膜で形成される。
【0018】
図4は、図1に示す蛍光表示板11の一構成例の概略平面図である。この蛍光表示板は、ソーダガラス等からなる基板21上に、Y方向にのびるストライプ状の赤、緑、青の蛍光体層からなる蛍光体ストライプ22を形成し、蛍光体ストライプ22上にAl膜などからなるメタルバック膜23を設けた構造となっている。
【0019】
具体的構成例をあげると、上記蛍光表示板の基板21は、例えば55mm×75mmで、厚さが3mmのガラス板からなる。上記基板21上には、赤、緑、青の蛍光体による600本(200×3)の繰り返しストライプパターン22がフォトリソグラフィー技術により形成され、その上からスパッタ法により、Alの薄膜を形成してメタルバック層23が形成される。ここで、蛍光体ストライプ層22のストライプピッチは、例えば0.1mmである。
【0020】
<本実施例の表示装置の製造工程と特徴的構造>
図5は、本実施例のMIM型電子源アレイ基板8の製造フローを示す説明図である。図5では、上記電子源アレイ基板8の製造フローを8つの段階(1段階に複数の工程を含むことがある)に区分し、下部電極端子部、下部電極配線部、MIM素子形成部、給電配線部および給電配線端子部の各部における加工状態を上記8段階に沿って部分断面図で示している。
【0021】
第1段階(工程1〜2)
本実施例では、素子を形成する基板1として、ソーダガラスもしくは熱酸化膜付きシリコン単結晶からなる基板を使用する。まず、基板1にスパッタリングでAl−Nd(2atm%)合金膜32を300nm堆積し、下部電極2のホトレジストパターン32bを形成する。なお、ここで用いるAl合金膜32はAl−Nd合金に限定されるものではなく、Alと、ニッケル(Ni)、ジルコニウム(Zr)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)あるいはクロム(Cr)等からなる合金であってもかまわない。
【0022】
第2段階(工程3〜4)
燐酸系混酸PAN(H3PO4:CH3COOH:HNO3:H2O=14:1:3:2)を用いてテーパ−形状加工を行い、下部電極2を形成した後、ホトレジストパターン32bを除去する。
【0023】
第3段階(工程5〜7)
つぎに、トンネル絶縁膜6を形成する部分をレジスト31cでカバーする。ついで酒石酸アンモニウム水溶液とエチレングリコールとの混合液を電解液とし、下部電極2を陽極として陽極酸化を行い、厚いフィールド絶縁膜(層間絶縁膜)5を形成する。ここで、上記陽極酸化は、定電流(電流密度30μA/cm2)状態で80Vまで電圧を上げ、その後定電圧状態で1時間行なった。つぎに、トンネル絶縁膜6を形成する部分のレジスト膜を除去した。
【0024】
第4段階(工程8)
上記と同じ電解液を用いて、トンネル絶縁膜(酸化膜)6を陽極酸化で形成する。このときの陽極酸化は、定電流(電流密度10μA/cm2)状態で4Vまで電圧を上げ、その後定電圧状態に2時間保持して行なった。
【0025】
第5段階(工程9〜10)
信号配線用にスパッタリングでAl合金とMoとの多層膜33をそれぞれ150nmと50nm形成し、その後信号配線用のホトレジストパターン31dを形成する。なお、信号配線33の材料としては、Al合金とMoとの多層膜に限定されるものではなく、例えばタングステン(W)の単層膜であってもよい。
【0026】
第6段階(工程11〜12)
つぎに、燐酸系混酸H3PO4:CH3COOH(60%水溶液):HNO3=3:5:2を用いてパターンを転写し、信号配線3を形成した後、ホトレジストパターン31dを除去する。
【0027】
第7段階(工程13)
感光性絶縁材として感光性ポリシラザン30をスピン塗布により成膜する。膜厚はクラックが発生しない範囲で厚くするが、通常は1ないし2ミクロンに設定する。次に露光装置を用いて、パターンを転写し、アルカリ現像液、例えばTMAH水溶液もしくは燐酸・珪酸ナトリウム水溶液を用いてパターニングする。
【0028】
ここで、現像に際してアルカリによりトンネル絶縁層6が損傷を受けるため、大気中、400℃以下で仮焼結した後、再度陽極酸化を実施する。このため、MIM素子部のみならず、下部電極ならびに給電配線の端子部も開口させておくことが肝要である。このときの陽極酸化も、定電流(電流密度10μA/cm2)状態で電圧4Vまで昇圧し、その後定電圧状態で2時間行った。
【0029】
第8段階(工程14)
上部電極4が不要な周辺の下部電極端子部をメタルマスクで覆った上で、スパッタリングでIr(1nm)、Pt(2nm)、Au(3nm)の順に真空を破らずに連続成膜し、上部電極4を形成する。
【0030】
以上の工程により完成した本実施例の表示装置におけるMIM型電子源の1素子分の断面構造を図6、図7に示す。なお、図6は図2に示すB−B’線に相当する線に沿った断面を示し、図7は同様にC−C’線に相当する線に沿った断面を示す。
【0031】
図6、図7に示すように、本実施の形態で被着された上部電極4は、基板1に設けた感光性ポリシラザン30による段差構造により段切れを起こし、自動的に信号配線3毎に分離される。
【0032】
このようにして作製された本実施の形態のMIM型微小電子源アレイ基板8を真空容器内で圧力1×10-6torr下におき、下部電極2を接地し、信号配線3および上部電極4に+8Vの電圧を印加したところ、上部電極4から電子放出が確認された。このとき、MIM型微小電子源(すなわち、MIM型トンネルダイオード)の電流密度は0.4A/cm2、放出電流密度は2.0mA/cm2であった。この値はメタルマスクで作製した(すなわち、ホトレジストを用いない)単一素子の電子放出性能と同じであった。
【0033】
【発明の効果】
本発明によって得られる代表的な効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
【0034】
(1)本発明によれば、リフトオフプロセス等のホトリソグラフィ技術を用いることなく、MIM型トンネルダイオード構造の電子源の上部電極のパターニングを行うことが可能となる。
【0035】
(2)本発明によれば、エッチングまたはホトレジストの被着・現像・除去に係わる上部電極やトンネル絶縁膜への汚染・ダメージがなくなるので、MIM型トンネルダイオード構造の電子源アレイの性能・寿命を大幅に向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用される平面型表示装置の基本構造を示す展開斜視図。
【図2】図1に示すMIM型電子源アレイ基板の構成例を示す模式的平面図。
【図3】図2に示すA−A’線に沿った断面を示す要部断面図。
【図4】図1に示す蛍光表示板の一例の概略構成を示す模式的平面図。
【図5】本発明の表示装置のMIM型電子源アレイ基板の作製フローを示す説明図。
【図6】図2に示すB−B’線に相当する線に沿った断面を示す要部断面図。
【図7】図2に示すC−C’線に相当する線に沿った断面を示す要部断面図。
【符号の説明】
1…基板、2…走査線列、3…信号配線、4…上部電極、5…絶縁膜、6…トンネル絶縁膜、8…MIM型電子源アレイ基板、9…排気管、10…枠ガラス兼スペーサ、11…蛍光表示板、22…蛍光体ストライプ、23…蛍光体ストライプ、30…感光性絶縁膜。
Claims (7)
- 一対の基板と、枠部材とを有し、一対の基板と枠部材とで囲まれた空間が真空雰囲気とされる表示装置であって、上記一対の基板の一方の基板は、行(または列)方向に設けられる複数の走査電極と、列(または行)方向に設けられ、上記走査電極との交差部に開口部を有する複数の信号電極と、上記各信号電極毎に設けられ、上記開口部を覆う複数の上部電極と、上記開口部の上記各上部電極と上記各走査電極との間に設けられ、上記上部電極および上記走査電極とともにトンネルダイオード構造の電子源を構成する第1の絶縁膜とを有し、MIM素子部においては、上記上部電極は、上記各信号電極より後に設けられた開口部周囲の段差部により、各信号電極毎に電気的に分離されていることを特徴とする表示装置。
- 上記段差部は、上記複数の信号電極上に設けられた第2の絶縁膜で構成されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 上記段差部は、上記複数の信号電極上に設けられた第2の感光性を有する絶縁膜で構成されることを特徴とする請求項1または2に記載の表示装置。
- 上記第2の感光性を有する絶縁膜が感光性ポリシラザンであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の表示装置。
- 一対の基板を製造する工程と、上記一対の基板を枠部材により封止・封着する工程とを有する表示装置の製造方法であって、上記一対の基板の一方の基板の製造工程は、基板上に行(または列)方向に複数の走査電極を形成する工程と、上記各走査電極上に、複数の第1の絶縁膜を形成する工程と、上記複数の走査電極上に、上記第1の絶縁膜が形成される領域に開口部を設けた、列(行)方向に複数の信号電極を形成する工程と、上記基板、上記複数の走査電極および上記複数の信号電極上に、第2の絶縁膜を形成し、上記開口部を包括する領域と、上記複数の走査電極および上記複数の信号電極の端子部に上記第2の絶縁膜の開口部設け、上記第2の絶縁膜の上に上部電極を成膜することにより、上記第2の絶縁膜の開口部周囲に生じる段差を利用して、各信号電極毎に電気的に分離された上部電極を形成する工程を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
- 上記第2の絶縁膜が感光性を有する絶縁膜であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置の製造方法。
- 上記第2の絶縁膜が感光性ポリシラザンであることを特徴とする請求項5または6に記載の表示装置の製造方法。
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